CN1949937B - 传感器附接结构和超声波传感设备 - Google Patents

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Abstract

一种传感器附接结构包括：用来接收超声波的声学接收元件(20)；附接至声学接收元件的超声波传感器(10)。该超声波传感器包括半导体基片(11)，该半导体基片具有彼此相反的第一和第二表面以及从半导体基片的第一表面凹进从而在半导体基片中形成膜片(12)的基片凹陷部(13)。而且，盖元件(30)定位于声学接收元件和半导体基片之间以覆盖半导体基片的第二表面。另外，盖元件具有结合至声学接收元件的第一表面，以及在膜片的外周边区域处结合至半导体基片的第二表面同时在盖元件和膜片之间形成缝隙(31)的第二表面。

Description

传感器附接结构和超声波传感设备
技术领域
本发明涉及超声波传感设备以及用来将超声波传感器附接至声学接收元件的传感器附接结构。
背景技术
近来，超声波传感器安装至车辆以测量车辆周围目标的位置、方向或距离。
超声波传感器安装至声学接收元件，比如保险杠、车体或前灯。在超声波从与超声波传感器分离地或一起地形成的发射器发射到目标时，超声波被目标所反射并由声学接收元件所接收。于是声学接收元件就振动，超声波传感器检测这种振动。
JP2002-58097A建议用压电物质作为超声波传感器。在JP2003-284182A中，建议用膜片型超声波传感器作为超声波传感器。
膜片型超声波传感器包括其表面形成有凹陷的半导体基片。半导体基片相应于凹陷底部的那部分很薄并且因此用作膜片。因而，膜片型超声波传感器的形状类似于其表面具有隔膜的半导体基片(例如半导体压力传感器)。
膜片型超声波传感器基于膜片的振动来检测超声波。建议膜片为由压电物质制成的薄膜或者包括有类似于固定电极或可动电极的检测电极的电容型膜片。
类似于半导体压力传感器，膜片型超声波传感器附接至其表面上形成有凹陷的声学接收元件。这是因为除了凹陷之外表面几乎是平的。
在此情况下，凹陷定位在声学接收元件和膜片之间。声学接收元件的振动因此就通过凹陷中的空气传送到膜片。振动从接收元件至膜片的传送路径因此就变长了相当于凹陷深度的量。传送振动的效率因此就会降低。
在检测电极形成于膜片的不面对凹陷的前侧处的情况下，当振动更快地传送到前侧时，与传送到膜片与前侧相对的后侧相比，传送振动的效率就变高。
鉴于此，声学接收元件可简单地附接至半导体基片上形成膜片前侧的前表面。
然而，如JP2003-284182A所述，膜片的表面由于布线、终端或电极而不平。因此难以直接将膜片的一个表面附接至声学接收元件。
另外，在膜片的表面直接附接至声学接收元件时，薄且脆的膜片会受到损伤。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种传感器附接结构，其中超声波传感器的半导体基片的前表面(第二表面)面向声学接收元件。
本发明的另一目的是提供一种在超声波传感器中设有盖元件的超声波传感设备。
根据本发明的一个方面，一种传感器附接结构包括：用来接收超声波的声学接收元件，以及附接至声学接收元件的超声波传感器。该超声波传感器包括半导体基片，该半导体基片具有彼此相对的第一和第二表面以及从半导体基片的第一表面凹进从而在半导体基片中形成膜片的基片凹陷部。而且，盖元件定位于声学接收元件和半导体基片之间以覆盖半导体基片的第二表面，并且膜片提供为使得超声波传感器基于膜片的振动检测超声波。另外，盖元件具有结合至声学接收元件的第一表面，以及在膜片的外周边区域处结合至半导体基片的第二表面同时在盖元件和膜片之间形成缝隙的第二表面。
于是，膜片的表面由盖元件所保护。因此，可以将超声波传感器安装至声学接收元件同时超声波传感器的膜片定位在声学接收元件侧。另外，因为盖元件和膜片彼此结合同时其间形成有缝隙，就可以补偿膜片表面的不平度和膜片的脆性。
例如，盖元件和膜片之间缝隙的尺寸能制作为小于凹陷部的凹进尺寸。而且，声学接收元件可设有形成于附接表面上的槽，其形状为包围附接表面上附接超声波传感器的那部分的环形形状。可选地，可以提供用来在将超声波传感器附接至声学接收元件时将超声波传感器导向至声学接收元件的导向元件。
另外，可以提供凸块，盖元件的第二表面通过所述凸块附接至膜片外周边区域处的第二表面。
而且，盖元件和半导体基片中的至少一个能设有排气孔，盖元件和膜片之间的缝隙中的空气通过所述排气孔离开。可选地，缝隙可填充有声学阻抗高于气体声学阻抗的材料。
根据本发明的另一方面，一种将要安装至声学接收元件的超声波传感设备包括：设有半导体基片的超声波传感器，该半导体基片具有彼此相对的第一和第二表面以及从半导体基片的第一表面凹进从而在半导体基片中形成膜片的基片凹陷部；和定位为覆盖半导体基片第二表面的盖元件。在这种超声波传感设备中，膜片提供为使得超声波传感器基于膜片的振动检测超声波。而且，盖元件具有将要安装至声学接收元件的第一表面，以及在膜片的外周边区域处结合至半导体基片的第二表面同时在盖元件和膜片之间形成缝隙的第二表面。于是，可以用盖元件保护膜片，即使超声波传感器附接至声学接收元件，同时具有膜片的第二表面面朝声学接收元件。
根据本发明的再一方面，一种将要安装至声学接收元件的超声波传感设备包括：超声波传感器，其包括半导体基片，该半导体基片具有彼此相对的第一和第二表面以及多个从第一表面凹进的凹陷从而在半导体基片相应于凹陷分别形成多个膜片；和定位为覆盖半导体基片的第二表面的盖元件。超声波传感器基于膜片的振动检测超声波。在这种超声波传感设备中，盖元件具有将安装至声学接收元件的第一表面，以及在膜片的外周边区域处结合至半导体基片的第二表面同时与膜片分别形成多个缝隙的第二表面。而且，盖元件在第二表面上具有用来将缝隙彼此隔开的分隔壁部，并且分隔壁部结合至半导体基片介于膜片之间的胶粘剂部。这里，分隔壁部提供来抑制膜片振动之间的干扰。
附图说明
从下面的描述、所附权利要求以及附图中将能最好地理解本发明及其其它目的、特点和优点。在附图中：
图1是根据本发明第一实施例的超声波传感设备的横截视图，示出了用来将超声波传感器附接至声学接收元件的附接结构；
图2是图1所示盖元件的左侧视图；
图3是根据本发明第二实施例的超声波传感器和盖元件的横截视图；
图4是根据本发明第三实施例的超声波传感器和盖元件的横截视图；
图5是根据本发明第五实施例的超声波传感设备的横截视图，示出了用来将超声波传感器附接至声学接收元件的结构；
图6是根据本发明第六实施例的超声波传感设备的横截视图，示出了用来将超声波传感器附接至声学接收元件的结构；
图7是根据本发明第六实施例的超声波传感设备的横截视图，示出了用来将超声波传感器附接至声学接收元件的另一结构；
图8是根据本发明第七实施例的超声波传感设备的横截视图，示出了用来将超声波传感器附接至声学接收元件的结构；和
图9是根据本发明第八实施例的超声波传感设备的横截视图，示出了用来将超声波传感器附接至声学接收元件的结构。
具体实施方式
下面将参照图1至9描述本发明的实施例。在实施例中，相同或几乎相同的膜片给出相同的附图标记。
(第一实施例)
根据本发明第一实施例的超声波传感设备安装至车辆，并且如图1所示包括：超声波传感器10、声学接收元件20、盖元件30、成型树脂40和超声波发射器50。超声波传感器10附接至声学接收元件20。超声波传感器10用来检测车辆和车辆周围障碍物之间的距离以及从车辆至障碍物的方向。
声学接收元件20是车辆的保险杠并且由厚度为几个毫米的树脂(例如聚丙烯)制成。声学接收元件20也可以是车体并且可以由钢板制成。
在图1中，声学接收元件20的左侧和右侧分别定位为车辆的外侧和内侧。超声波传感器10附接至传感器附接表面21，所述传感器附接表面21是声学接收元件20的一个表面并且面对车辆的内侧。
超声波传感器10为膜片型并且包括半导体基片11(例如硅酮基片)。半导体基片11包括位于其前表面(也就是图1中左侧的表面)处的膜片12。
膜片12是位于半导体基片11前表面侧处且定位在形成于半导体基片11后表面(也就是图1中右侧的表面)的凹陷13的底部处的薄部。如图2所示，布置在半导体基片11同一表面上的凹陷13的数目为两个。膜片12的数目也为两个并且两个膜片12分别与两个凹陷13形成于大致相同的位置。
膜片12可以很薄并且由压电物质制成或者可以是形状为薄膜形的检测电极(例如固定电极或可动电极)。根据声学接收元件20由于超声波所引起的振动，膜片12也振动。基于膜片12的振动检测该超声波。
超声波传感器10能通过半导体工艺制成。超声波传感器10定位为半导体基片11的前表面面对声学接收元件20。
盖元件30定位在半导体基片11的前表面和声学接收元件20之间以覆盖半导体基片11的前表面。盖元件30可以由金属(例如铝)、陶瓷或树脂制成并且为板状。
盖元件30面对半导体基片11前表面的那个表面具有胶粘部，所述胶粘部借助于胶粘剂(例如环氧树脂)结合至前表面上包围膜片12的区段。凹陷部33设在盖元件30面对膜片12前表面的那个表面上，以使得在盖元件30和半导体基片11的膜片12之间形成缝隙31。
凹陷部33的数目为两个，并且这两个凹陷部33因此分别定位在与两个缝隙31相对应的位置处。
凹陷部33由其端部包括胶粘剂的壁部32所包围。壁部32将两个凹陷部33彼此分开。壁部32因而阻止了各个膜片12的振动之间的干扰。
如图2所示，每个膜片12都为矩形平面形状。每个凹陷部33为矩形平面形状并且其尺寸与膜片12相等或者稍大。壁部32和凹陷部33通过模锻、切削等形成为一个单体。
盖元件30的另一表面借助于胶粘剂(例如环氧树脂)结合至声学接收元件20。
盖元件30和超声波传感器10作为单一单元附接至声学接收元件20。盖元件30和超声波传感器10由成型树脂(例如环氧树脂)40所密封。
成型树脂40用作密封盖元件30和超声波传感器10从而将它们装配为单个单元的包装材料并且还用作布线元件。
终端(未示出；例如，引线框)与成型树脂40一起形成。终端和超声波传感器10在成型树脂40中通过接合线等连接起来。
开口部41形成于成型树脂40中。终端能通过开口部41与外部电气设备相连接。因而，来自超声波传感器10的信号通过成型树脂40输出到外部设备。
如图1所示，包围传感器附接表面21上超声传感器10所附接的那部分区域的槽22为矩形环状。在图2中，槽22示出为包围壁部32的虚线。也就是说，槽22定位为包围超声波传感器10。
超声波发射器50定位在传感器附接表面21上并且用来将超声波发射到声学接收元件20外面。超声波发射器50例如可以为压电型。
超声波传感器10按上述方法安装至声学接收元件20，并且因此与声学接收元件20之间具有上述附接结构。超声波传感器10对从超声波发射器50发射到车辆外侧、被障碍物所反射并由声学接收元件20所接收的超声波进行检测。
在声学接收元件20接收到超声波时，声学接收元件20由于超声波而振动。声学接收元件20的振动就通过盖元件30和缝隙31传送到膜片12，膜片12于是就振动。
基于膜片12振动的信号从超声波传感器10通过作为布线元件的成型树脂40输出到外部设备。基于从超声波发射器50发射超声波时开始至超声波传感器10检测到超声波时结束的时间段，就能计算出障碍物和车辆之间的距离。
另外，超声波传感器10具有由盖元件30的壁部32隔开的两个膜片12，并且所述壁部32抑制两个膜片12振动之间的干扰。也就是说，定位在两个膜片12之间的壁部32用作声学分隔壁。因此可以借助于各个膜片12独立地检测不同的振动。
在此情况下，通过进行三角测量可以检测障碍物的方向。更具体地，因为由障碍物所反射的超声波在不同的时刻达到两个膜片12，通过利用在不同时刻达到各个膜片12的超声波就能检测障碍物的方向。
另外，缝隙31的厚度L1(也就是凹陷部33和膜片12之间的长度)可以小于凹陷13的深度L2。在此情况下，振动从声学接收元件20至膜片12的传送路径就小于凹陷13的深度L2。因此就提高了振动的传送效率。
另外，形成于传感器附接表面21上的槽22包围超声波传感器10。槽22防止了振动不希望地超出槽22之外并且因此提高了超声波传感器10的灵敏度。
如上所述，膜片12的表面由盖元件30保护并且半导体基片11的前表面通过盖元件30附接至声学接收元件20。因此能以超声波传感器10的膜片侧面对声学接收元件20的方式将超声波传感器10安装至声学接收元件20。
(第二实施例)
下面将参照图3描述根据本发明第二实施例的超声波传感设备、附接方法以及用来附接超声波传感器的附接结构。
在这个实施例中，盖元件30的一个表面通过凸块60附接至半导体基片11前表面上包围膜片12的那部分区域。凸块60可以是金凸块或焊接凸块。
在此情况下，由胶粘剂(例如树脂)制成的填充材料61施加于凸块60周围以密封和分隔盖元件30的表面和膜片12之间的缝隙31。凸块60和填充材料61构成了第一实施例所述的壁部32。
在布线与盖元件30相连接并且盖元件30用作布线元件的情况下，通过使用凸块60，半导体基片11和盖元件30能容易地通过凸块60电连接。
(第三实施例)
下面将参照图4描述根据本发明第三实施例的超声波传感设备、附接方法以及用来附接超声波传感器的附接结构。
如图4所示，排气孔70、71和排气孔72、73形成于盖元件30和半导体基片11中并且用来让缝隙31中的空气从超声波传感设备中离开。
更具体地，排气孔70由切割工艺形成为在厚度方向上贯穿盖元件30。排气孔71由切割工艺形成于壁部32的一端处。排气孔72由切割工艺或蚀刻工艺形成为在厚度方向上贯穿膜片12。排气孔73由切割工艺或蚀刻工艺形成于半导体基片11的外侧边缘处。因而，缝隙31通过排气孔70-73与超声波传感设备的外面相连接。
盖元件30的一个表面和膜片12之间缝隙31的压力随着温度的变化而变化。压力的变化使得传送振动的效率产生变化。因此可以通过形成排气孔70-73来抑制缝隙31中压力由于温度变化所引起的变化。
排气孔或切口可以仅仅形成于盖元件30中或者仅仅形成于超声波传感器10中，只要孔或切口形成为让缝隙31中的空气离开。排气孔或切口的形状可以是排气孔70、72和排气孔71、73中任何一个的形状，或者可以是任何种类的形状。
(第四实施例)
在图1至3所示第一实施例和第二实施例的附接结构中，声学阻抗高于气体(例如空气)的材料可以填充入凹陷部33和膜片12之间的缝隙31中。
声学阻抗是表示振动易于传送穿过具体材料的程度的公知特性。比如氟基油或硅酮油之类的液体和比如氟基凝胶或硅酮凝胶之类的凝胶材料具有高于气体的声学阻抗。
通过将上述材料填充入缝隙31能提高振动传送通过缝隙31的效率，因为振动通过所述材料被传送至膜片12。
(第五实施例)
下面将参照图5描述根据本发明第五实施例的超声波传感设备、附接方法以及附接结构。
如图5所示，导向元件80安装至声学接收元件20并用来在将超声波传感器10附接至声学接收元件20时将超声波传感器10导向至声学接收元件20。
导向元件80的形状为沿着成型树脂40的外侧形状突出的壁。导向元件80形成于成型树脂40的全部周边。要不然，导向元件80可包括两个位于相对位置处的壁。导向元件80可与声学接收元件20形成为单体。要不然，导向元件80也可以与声学接收元件20分开地形成。
根据这个实施例，在将超声波传感器10安装至声学接收元件20时，超声波传感器10由导向元件80导向至声学接收元件20。因此易于相对于声学接收元件20调节超声波传感器10的位置。这个实施例能应用于每个上述实施例。
(第六实施例)
下面将参照图6和7描述根据本发明第六实施例的超声波传感设备和用于附接超声波传感器的附接结构。
如图6所示，声学接收元件20上安装超声波传感器10的那部分是薄部23。更具体地，薄部23通过在传感器附接表面21上设置凹部(凹陷)而形成，所述传感器附接表面21是声学接收元件20上安装超声波传感器10的一个表面。
薄部23能更加敏感于所接收的超声波而振动，并且因此提高了超声波传感器10的灵敏度。这个实施例能应用于每个上述实施例。
在以简单的方式示出成型树脂40并且未示出超声波传感器10的图7中，薄部23通过在声学接收元件20与传感器附接表面21相反的那个表面上设置凹部(凹陷)而形成。更具体地，相反表面上的凹部可具有向外渐细的形状。在此情况下，易于聚集超声波。
(第七实施例)
下面将参照图8描述根据本发明第七实施例的超声波传感设备和用于附接超声波传感器的附接结构。
在这个实施例中，超声波传感器10和盖元件30通过树脂模塑声学接收元件20而形成，并且因此与声学接收元件20一起形成为单体。
另外，声学接收元件20的一部分因而形成为与上述实施例中成型树脂40作用类似的成型树脂40。这个实施例能应用于每个上述实施例。
(第八实施例)
下面将参照图9描述根据本发明第八实施例的超声波传感设备和超声波传感器的附接结构。
如图9所示，保护元件90安置在声学接收元件20的一部分处并且比形成声学接收元件20的材料更硬。安装保护元件的那部分靠近安装超声波传感器10的那部分。因此提高了声学接收元件20抗毁坏的弹性。
在声学接收元件20由树脂制成的情况下，保护元件90可以是金属板。在此情况下，声学接收元件20被模塑以使得保护元件90被埋入声学接收元件20的内部。
保护元件90可以附接至声学接收元件20与传感器附接表面21相反的那个表面上。在此情况下，保护元件90的形状可以为非平板或者有孔片材，还可以为板状。这个实施例能应用于每个上述实施例。
(其它实施例)
本发明不应限于以上所述和附图所示实施例，而是可以在不偏离本发明精神之下以各种方式实施。
超声波发射器50可以与构成超声波传感器10的半导体基片11一起形成为单体。
膜片12的数目可以是一个或者多于三个，如果膜片12形成于半导体基片11的部分处，所述部分就很薄，因为在半导体基片11的后表面处形成了凹陷13。
如果超声波传感器10和盖元件30已经得到充分的保护并且来自超声波传感器10的信号能由另一装置检测，那么成型树脂40就不是必要的。
声学阻抗与构成声学接收元件20的材料不同的材料可填充入槽22。可选地，槽22可以省略。
在声学接收元件20的传感器附接表面21具有弯曲形状或不平形状的情况下，盖元件30相应地可具有与传感器附接表面21相适应的弯曲形状或不平形状。盖元件30可具有任何形状，只要其一个表面能附接至半导体基片11前表面上包围膜片12的那部分并且其另一表面能附接至声学接收元件20。
本发明的将超声波传感器附接至声学接收元件的附接结构和附接方法不仅能应用于车辆，而且还能应用于任何种类的其它目标或主体。
这些变化和变形要理解为处于本发明如所附权利要求所限定的范围内。

Claims (20)

1.一种传感器附接结构，包括：
用来接收超声波的声学接收元件(20)；
附接至声学接收元件(20)的超声波传感器(10)，超声波传感器(10)包括半导体基片(11)，该半导体基片(11)具有彼此相反的第一和第二表面以及从半导体基片的第一表面凹进从而在半导体基片中形成膜片(12)的基片凹陷部(13)；和
盖元件(30)，其位于声学接收元件(20)和半导体基片(11)之间以覆盖半导体基片的第二表面；其中：
膜片(12)设置为使得超声波传感器基于膜片(12)的振动检测超声波；和
盖元件(30)具有结合至声学接收元件的第一表面，以及第二表面，盖元件的第二表面在膜片的外周边区域处结合至半导体基片的第二表面同时在盖元件和膜片之间形成缝隙(31)。
2.根据权利要求1的传感器附接结构，其中盖元件和膜片之间缝隙的尺寸(L1)小于凹陷部的凹进尺寸(L2)。
3.根据权利要求1的传感器附接结构，其中：
基片凹陷部(13)包括多个凹陷，所述凹陷设置成相应于半导体基片中的凹陷分别形成多个膜片(12)；
盖元件的第二表面结合至半导体基片的第二表面同时相应地与膜片形成多个缝隙；
盖元件的第二表面具有用来将缝隙彼此隔开的分隔壁部(32)，并且分隔壁部结合至半导体基片的介于膜片之间的胶粘剂部；
超声波传感器基于膜片的振动来检测超声波；和
分隔壁部设置成用来抑制膜片振动之间的干扰。
4.根据权利要求1-3中任一的传感器附接结构，其中
声学接收元件具有形成于附接表面上的槽(22)，其形状为环形形状，该环包围附接表面上附接超声波传感器的那部分。
5.根据权利要求1-3中任一的传感器附接结构，还包括
凸块，盖元件的第二表面通过所述凸块附接至膜片外周边区域处的半导体基片的第二表面。
6.根据权利要求1-3中任一的传感器附接结构，其中盖元件和半导体基片中的至少一个设有排气孔(70-73)，盖元件和膜片之间的缝隙(31)中的空气通过所述排气孔离开。
7.根据权利要求1-3中任一的传感器附接结构，其中缝隙由其声学阻抗高于气体声学阻抗的材料填充。
8.根据权利要求1-3中任一的传感器附接结构，还包括
导向元件(80)，其用于在将超声波传感器附接至声学接收元件时将超声波传感器导向至声学接收元件。
9.根据权利要求1-3中任一的传感器附接结构，其中：
声学接收元件具有比声学接收元件的其它部分薄的薄部(23)；和
超声波传感器附接至声学接收元件的薄部。
10.根据权利要求9的传感器附接结构，其中：
声学接收元件设有从附接表面(21)凹进的凹陷，从而形成薄部(23)；和
超声波传感器在薄部附接至声学接收元件的附接表面(21)。
11.根据权利要求9的传感器附接结构，其中：
超声波传感器在薄部(23)附接至声学接收元件的附接表面(21)；和
声学接收元件设有从与附接表面相对的表面凹进的凹陷，从而形成薄部。
12.根据权利要求1-3中任一的传感器附接结构，其中：
声学接收元件(20)由树脂制成；和
超声波传感器(10)和盖元件(30)通过模塑声学接收元件(20)而与声学接收元件(20)一起形成为单体。
13.根据权利要求1-3中任一的传感器附接结构，还包括：
保护元件(90)，其机械性能强于构成声学接收元件的材料，
其中保护元件(90)附接至声学接收元件上附接超声波传感器的附接区域。
14.一种将要安装至声学接收元件(20)的超声波传感设备，该设备包括：
超声波传感器(10)，其包括半导体基片(11)，该半导体基片(11)具有彼此相反的第一和第二表面以及从半导体基片的第一表面凹进从而在半导体基片中形成膜片(12)的基片凹陷部(13)；和
盖元件(30)，其定位为覆盖半导体基片第二表面；其中：
膜片(12)设置成使得超声波传感器基于膜片(12)的振动检测超声波；和
盖元件(30)具有将要安装至声学接收元件的第一表面，以及第二表面，其在膜片的外周边区域处结合至半导体基片的第二表面同时在盖元件和膜片之间形成缝隙(31)。
15.根据权利要求14的超声波传感设备，其中盖元件和膜片之间缝隙的尺寸(L1)小于凹陷部的凹进尺寸(L2)。
16.根据权利要求14的超声波传感设备，还包括：
凸块(60)，盖元件的第二表面通过所述凸块附接至膜片外周边区域处的半导体基片的第二表面。
17.根据权利要求14-16中任一的超声波传感设备，其中盖元件和半导体基片中的至少一个设有排气孔(70-73)，盖元件和膜片之间的缝隙中的空气通过所述排气孔离开。
18.根据权利要求14-16中任一的超声波传感设备，其中缝隙由其声学阻抗高于气体声学阻抗的材料填充。
19.一种将要安装至声学接收元件的超声波传感设备，该设备包括：
超声波传感器(10)，其包括半导体基片(11)，该半导体基片(11)具有彼此相反的第一和第二表面以及多个凹陷(13)，所述多个凹陷(13)从第一表面凹进从而在半导体基片中相应于凹陷分别形成多个膜片(12)；和
盖元件(30)，其定位为覆盖半导体基片的第二表面；其中：
超声波传感器基于膜片的振动检测超声波；
盖元件具有将安装至声学接收元件的第一表面，以及第二表面，盖元件的该第二表面在膜片(12)的外周边区域处结合至半导体基片的第二表面同时与膜片(12)分别形成多个缝隙(31)；和
盖元件的第二表面具有用来将缝隙彼此隔开的分隔壁部(32)，并且分隔壁部结合至半导体基片介于膜片之间的胶粘剂部。
20.根据权利要求19的超声波传感设备，其中
分隔壁部(32)设置成用来抑制膜片振动之间的干扰。
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