CN1935671A - 一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法 - Google Patents
一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1935671A CN1935671A CN 200610048073 CN200610048073A CN1935671A CN 1935671 A CN1935671 A CN 1935671A CN 200610048073 CN200610048073 CN 200610048073 CN 200610048073 A CN200610048073 A CN 200610048073A CN 1935671 A CN1935671 A CN 1935671A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tungsten oxide
- matrix
- tungsten
- array structure
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 91
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 37
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 23
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005476 size effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 239000002127 nanobelt Substances 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000012716 precipitator Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002676 xenobiotic agent Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
纳米技术领域中的一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法,特征:氧化钨纳米材料呈现出高度有序的带状纳米结构,单个氧化钨纳米带长度为0.5-5μm,宽度为100-400nm,厚度为10-50nm;氧化钨纳米带平行并垂直于金属钨基体方向直接生成。制备步骤:以金属钨丝或钨片为反应基体,基体两端分别连接加热电源的正负极,将金属钨基体置于密闭反应室中;抽真空至3000~5000Pa时,打开加热电源,控制基体温度在500~1100℃间,反应5~30min后关闭加热电源;保持真空度不变自然冷却至室温。优点:氧化钨材料与基体结合牢同;并呈现高度有序的纳米带状阵列结构;阵列比表面积大,纳米尺寸效应显著;制备简捷,无需基体前处理和外源物参与反应,其过程一步完成。
Description
技术领域
本发明涉及到在金属钨基体上生长纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法,属于纳米材料技术领域。
背景技术
氧化钨材料是一种新型功能材料,可用于化学传感器、催化材料、电化学电极、电致变色材料、高温超导材料、太阳能吸收材料、吸波隐形材料等。由于氧化钨半导体薄膜或纳米粒子的制备技术成熟,制备方法(如溶胶-凝胶法、水热法、沉淀法、气相沉积法等)比较简单,因而绝大部分氧化钨材料仅局限于薄膜和纳米粒子。但纳米结构材料所具有的结构-尺寸效应及高表面积等特性,引起人们对氧化钨纳米结构材料合成的高度兴趣,一些氧化钨的纳米结构(如纳米棒、纳米纤维、纳米线、纳米管、纳米针及树状结构等)被成功的制备出来,采用的方法大体上可分为液相合成和气相沉积两种方法。其中的典型例子有:(一)Kwangyeol Lee等人在J.Am.Chem.Soc.2003,125,3408-3409上发表的文章:“胶体氧化钨纳米棒的合成及光学特性”(Synthesis and OpticalProperties of Colloidal Tungsten Oxide Nanorods)一文中,其方案是:选取W(CO)6、Me3NO·2H2O及油烯基胺为反应物,置于油浴中加热至270℃并在此温度下陈化24h,冷却至室温,加入甲苯和乙醇稀释后离心,所得沉淀再溶于甲苯,加入乙醇沉淀离心后得到氧化钨纳米棒。这种产品合成过程简单,反应条件易于控制,不需要大型反应设备。但还是存在缺点:无法得到阵列有序的纳米结构;无基体为依托,分散的纳米柱粉体限制其具体应用;(二)Christian Klinke等人在J.Phys.Chem.B.2005,10,17787-17790上发表的文章“用化学诱导应力方法生长氧化钨纳米线”(Tungsten oxide nanowire growth by chemically induced strain)一文中其技术方案是:采用化学气相沉积的方法,以金属钨为反应物,当反应室背景真空抽至1Torr时通入氩气和氢气并迅速加热至900℃,控制此温度条件下通入氢气和甲烷为反应气体反应30min,最后在氩气保护条件下冷却至室温而获得氧化钨纳米线。其主要优点是:可大量制备长几微米直径约为10纳米的氧化钨纳米线。所存在的缺点:无法得到阵列有序的纳米结构;制备过程中需要外源的氢气、甲烷和氩气等反应气体;(三)Yoshitaka Shingaya等人在Sci.Technol.Adv.Mater.2004,5:647-649上发表的文章“在W(001)上外延生长WOx纳米棒阵列”(Epitaxial growth of WOx nanorod array on W(001))一文中,其技术方案是:采用化学气相沉积的方法,在超高背景真空(1×10-10torr)的反应器中,用经多次超高真空高温退火处理的金属钨带为基体,在1×10-5torr的氧气中,以电加热的金属钨丝为热源,在基体上沉积出直径约为20nm长约1000nm的阵列氧化钨纳米棒。氧化钨纳米棒阵列结构形成过程是典型的化学气相沉积过程,高温区形成的反应物气体在基体所在的低温区凝结沉积成固体的氧化钨纳米棒。此方法的主要优点是:获得了直径约为20nm的氧化钨纳米棒阵列结构。所存在的缺点:此方法要求超高背景真空(1×10-10torr)的反应器,设备要求苛刻;同时,基体的多次超高真空高温退火前处理过程繁琐。此外,在基体上通过外源物沉积形成的直径约为20nm长约1000nm的氧化钨纳米棒的比表面积有限,氧化钨与基体的结合不牢固,这会限制其作为氧化钨纳米材料的具体应用。
发明内容
本发明的目的和任务是要克服现有技术存在的:①无法得到可直接生长在钨基体上阵列有序的纳米带结构的氧化钨材料;②制备过程中需外源的多种气体或试剂的参与,或需要大型精密反应设备的不足,并提供一种制备过程简单、可直接生长在钨基体上的纳米带阵列结构的氧化钨材料,特提出本发明的技术解决方案。
本发明的基本构思是依据在较高温度下,金属钨和空气中的氧气发生氧化反应,通过对***中反应温度的控制、反应压强的控制及反应时间的控制,而得到比表面积大、纳米尺寸效应显著的阵列结构的氧化钨材料。
本发明所提出的一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料,是通过金属钨和空气中的氧气发生氧化反应而获得,其特征在于:氧化钨材料呈现出高度有序的带状纳米结构,单个氧化钨纳米带长度为0.5-5μm,宽度为100-400nm,厚度为10-50nm;各氧化钨纳米带是在金属钨的基体上相互平行,并垂直于基体方向直接生长。
本发明所提出的一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料,其进一步特征在于:纳米带阵列结构的氧化钨分子结构是WOx(1<x≤3),是由多种钨氧化物组成,其中最主要的氧化钨材料为三氧化钨;纳米带阵列结构的氧化钨材料在生长过程中晶体结构随温度升高发生变化,呈现或单斜氧化钨晶体,或三斜氧化钨晶体,或正斜方氧化钨晶体结构。
本发明所提出的一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料的制备方法,其特征在于,制备的方法步骤如下:
第一步加工前准备
以金属钨丝或钨片为反应基体,基体两端分别连接加热电源的正负极,将金属钨基体置于密闭反应室中;
第二步加工制备
当反应室抽真空至3000~5000Pa时,打开加热电源,控制基体温度在500~1100℃间,反应5~30min后关闭加热电源;
第三步制备的后期工作
将反应室保持反应过程中的真空度不变,使基体自然冷却至室温;
本发明的一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料的制备方法,其最佳制备方法特征是,体系压强控制在4000Pa,基体温度控制在800℃,反应时间控制在15min。
在氧化钨纳米带阵列的制备方法中,当基体加热温度高于1100℃时,所制备的氧化钨或呈现纳米管柱,或呈现纳米棒,或会与基体分离,无法得到阵列结构;当基体温度低于500℃,或反应体系压强高于5000Pa,或反应时间小于5min时,无法得到纳米带阵列结构的氧化钨材料;当反应时间超过30min时,会得到氧化钨纳米椭球体。因此,制备过程中的实验因素和人为因素会影响氧化钨纳米带阵列的具体形貌。
本发明的主要优点是:
(1)氧化钨纳米带材料呈现高度有序的阵列结构,且有序阵列结构生长在钨基体上,并与基体结合牢固;
(2)比表面极大,纳米尺寸效应显著;
(3)制备工艺简单,制备过程不需要其他外源反应物质参与,不需要基体的前处理过程,通过本发明的制备方法的步骤一次反应即可完成。
附图说明
本发明共设有5幅附图,现分别说明如下:
图1是纳米带阵列结构的氧化钨扫描电镜图(SEM)
本发明的氧化钨纳米带阵列结构的扫描电镜图,是采用JSM-5600LV扫描电镜,在加速电压为20kV,放大倍数5000倍的条件下,在基体斜上方拍摄的。由图中可见,氧化钨纳米带材料呈现高度有序的阵列结构。
图2是纳米带阵列结构的氧化钨侧面扫描电镜图(SEM)
此图采用JSM-5600LV扫描电镜,在加速电压为20kV,放大倍数10000倍的条件下,拍摄氧化钨纳米带阵列结构的侧面。由图中可见,氧化钨纳米带材料呈现高度有序的阵列结构,单个氧化钨纳米带长度超过2μm。
图3是单根氧化钨纳米带的透射电镜图(TEM)
本发明的氧化钨纳米带的透射电镜图,是采用TECNAI G220型透射电镜,在加速电压为200kV的条件下,氧化钨纳米带透射电镜图。图中圆形铜网所托载的黑色长方形物质为氧化钨纳米带,宽度为100-400nm。
图4是纳米带阵列结构的氧化钨X射线能谱图(EDS)
本发明的纳米带阵列结构的氧化钨X射线能谱图,是采用JSM-5600LV扫描电镜所具有的X射线能谱分析功能,在加速电压为20kV下,进行的X射线能谱分析。谱图的横坐标代表能量,纵坐标代表计数,通过与计算机存储的标准X射线能谱比对分析,确定阵列结构的氧化钨纳米带的分子结构属于三氧化钨。
图5是氧化钨纳米带阵列的X射线衍射图(XRD)
本发明的纳米带阵列结构的氧化钨X射线衍射图,是采用ShimadzuLabX-6000型X射线衍射仪进行分析。谱图的横坐标代表晶体的衍射角,纵坐标代表计数。通过与晶体X射线衍射标准谱图对比分析中可知,氧化钨的晶体结构属于正斜方晶结构。
具体实施方式
下面通过具体实施实例,进一步说明氧化钨纳米带阵列结构的制备方法的细节。
实施例1:
以直径为1mm金属直钨丝为反应基体的氧化钨纳米带阵列结构的制备步骤如下:
第一步将金属钨丝固定于加热电源的正负极接线柱两端,密闭反应室;
第二步用旋片真空泵将反应体系压强抽至4000Pa后,关闭真空泵。打开加热电源,缓慢增大加热电流,控制基体温度在500℃,保持加热电流稳定,反应30min;
第三步关闭加热电源,保持反应室真空度不变,自然冷却至室温后,打开反应室取出样品;
第四步用扫描电镜、透射电镜和X射线衍射仪进行材料分析。
检测结果表明:可以获得垂直于基体方向生长的纳米带阵列结构的氧化钨材料,单个氧化钨纳米带长度超过2μm,宽度为200-400nm,厚度为10-50nm。氧化钨材料的带状纳米结构排列整齐,有序性强。带状纳米结构的氧化钨材料属于单斜方晶的三氧化钨。
实施例2:
以长8cm宽5mm厚0.25mm的金属钨片为反应基体的氧化钨纳米带阵列结构的制备步骤如下:
第一步将金属钨片固定于加热电源的正负极接线柱两端,密闭反应室;
第二步用旋片真空泵将反应体系压强抽至5000Pa后,关闭真空泵。打开加热电源,缓慢增大加热电流,控制基体温度在800℃,保持加热电流稳定,反应15min;
第三步同实施例1的第三步;
第四步同实施例1的第四步。
检测结果表明:可以获得垂直于基体方向生长的纳米带阵列结构的氧化钨材料,单个氧化钨纳米带长度超过0.5μm,宽度为100-400nm,厚度为30-50nm。氧化钨材料属于三斜方晶的三氧化钨。
实施例3:
以三根0.3mm直径螺旋缠绕的金属钨丝为反应基体的氧化钨纳米带阵列结构的制备步骤如下:
第一步将螺旋的金属钨丝固定于加热电源的正负极接线柱两端,密闭反应室;
第二步用旋片真空泵将反应体系压强抽至3000Pa后,关闭真空泵。打开加热电源,缓慢增大加热电流,控制基体温度在1100℃,保持加热电流稳定,反应5min;
第三步同实施例1的第三步;
第四步同实施例1的第四步。
检测结果表明:可以获得垂直于基体方向生长的纳米带阵列结构的氧化钨材料,单个氧化钨纳米带长度超过2μm,宽度为100-4200nm,厚度为10-20nm。氧化钨材料属于正斜方晶的三氧化钨。
Claims (5)
1.一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料,是通过金属钨和空气中的氧气发生氧化反应而获得,其特征在于:氧化钨材料呈现出高度有序的带状纳米结构,单个氧化钨纳米带长度为0.5-5μm,宽度为100-400nm,厚度为10-50nm;各氧化钨纳米带是在金属钨的基体上相互平行,并垂直于基体方向直接生长。
2.根据权利要求1所述的一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料,其特征在于:纳米带阵列结构的氧化钨分子结构为WOx,是由多种钨氧化物组成,其中氧化钨材料最主要的分子结构为三氧化钨。
3.根据权利要求1所述的一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料,其特征在于:纳米带阵列结构的氧化钨材料在生长过程中晶体结构随温度升高发生变化,呈现或单斜氧化钨晶体,或三斜氧化钨晶体,或正斜方氧化钨晶体结构。
4.制备如权利要求1所述的一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料的方法,包括选择金属钨基体材料,在密闭反应室中进行反应,控制***真空度、反应温度和时间。其特征在于,制备步骤如下:
第一步加工前准备,以金属钨丝或钨带为反应基体,基体两端分别连接加热电源的正负极,将金属钨基体置于密闭反应室中;第二步加工制备,当反应室抽真空至3000~5000Pa时,打开加热电源,控制基体温度在500~1100℃间,反应5~30min后关闭加热电源;第三步制备的后期工作,反应室保持反应过程中的真空度不变,使基体自然冷却至室温。
5.根据权利要求4所述的一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料的方法,其特征在于:制备的最佳方法是以金属钨为反应基体,基体两端分别连接加热电源正负极,反应室抽真空至4000Pa后,打开加热电源,控制基体温度在800℃,反应15min后关闭加热电源,保持真空度不变,使基体自然冷却至室温。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2006100480733A CN100473611C (zh) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | 一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2006100480733A CN100473611C (zh) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | 一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1935671A true CN1935671A (zh) | 2007-03-28 |
CN100473611C CN100473611C (zh) | 2009-04-01 |
Family
ID=37953447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2006100480733A Expired - Fee Related CN100473611C (zh) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | 一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100473611C (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101798117A (zh) * | 2010-03-24 | 2010-08-11 | 桂林理工大学 | 一种高度有序三氧化钨纳米棒的制备方法 |
CN101565840B (zh) * | 2008-04-23 | 2010-11-17 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 二维贵金属纳米材料及其制备方法 |
CN101318702B (zh) * | 2007-06-08 | 2011-01-19 | 郑州大学 | 一种三氧化钨纳米片及其制备方法 |
CN101311367B (zh) * | 2008-04-11 | 2011-06-29 | 清华大学 | 一种氧化钨纳米线材料及其制备方法 |
CN102674463A (zh) * | 2012-05-21 | 2012-09-19 | 上海交通大学 | 一种钨基三氧化钨纳米薄膜及其制备方法和应用 |
CN103626233A (zh) * | 2013-12-02 | 2014-03-12 | 江西师范大学 | 一种三氧化钨纳米片及掺杂三氧化钨纳米片气体传感器 |
CN104803418A (zh) * | 2015-04-15 | 2015-07-29 | 宁波工程学院 | 一种高纯度wo3纳米带的制备方法 |
CN106745276A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-05-31 | 南昌大学 | 一种还原氧化钨纳米片的制备方法 |
-
2006
- 2006-10-19 CN CNB2006100480733A patent/CN100473611C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101318702B (zh) * | 2007-06-08 | 2011-01-19 | 郑州大学 | 一种三氧化钨纳米片及其制备方法 |
CN101311367B (zh) * | 2008-04-11 | 2011-06-29 | 清华大学 | 一种氧化钨纳米线材料及其制备方法 |
CN101565840B (zh) * | 2008-04-23 | 2010-11-17 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 二维贵金属纳米材料及其制备方法 |
CN101798117A (zh) * | 2010-03-24 | 2010-08-11 | 桂林理工大学 | 一种高度有序三氧化钨纳米棒的制备方法 |
CN102674463A (zh) * | 2012-05-21 | 2012-09-19 | 上海交通大学 | 一种钨基三氧化钨纳米薄膜及其制备方法和应用 |
CN103626233A (zh) * | 2013-12-02 | 2014-03-12 | 江西师范大学 | 一种三氧化钨纳米片及掺杂三氧化钨纳米片气体传感器 |
CN104803418A (zh) * | 2015-04-15 | 2015-07-29 | 宁波工程学院 | 一种高纯度wo3纳米带的制备方法 |
CN104803418B (zh) * | 2015-04-15 | 2016-11-23 | 宁波工程学院 | 一种高纯度 wo3纳米带的制备方法 |
CN106745276A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-05-31 | 南昌大学 | 一种还原氧化钨纳米片的制备方法 |
CN106745276B (zh) * | 2017-01-24 | 2018-06-22 | 南昌大学 | 一种还原氧化钨纳米片的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100473611C (zh) | 2009-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100473611C (zh) | 一种具有纳米带阵列结构的氧化钨材料及其制备方法 | |
Ellefson et al. | Synthesis and applications of molybdenum (IV) oxide | |
Lu et al. | Facile synthesis of free-standing CeO 2 nanorods for photoelectrochemical applications | |
US20110309306A1 (en) | Fabrication of Silicon Nanowires | |
Yang et al. | Synthesis and luminescent property of single-crystal ZnO nanobelts by a simple low temperature evaporation route | |
CN103046110B (zh) | 一种制备单晶Bi2Se3纳米结构的方法 | |
US20170054138A1 (en) | Ultra-high output power and extremely robust cycle life negative electrode material for lithium secondary battery and method for manufacturing the same, using layer structure of metal oxide nanoparticles and porous graphene | |
Chakrapani et al. | Modulation of stoichiometry, morphology and composition of transition metal oxide nanostructures through hot wire chemical vapor deposition | |
Mi et al. | One-pot synthesis and the electrochemical properties of nano-structured nickel selenide materials with hierarchical structure | |
Qiao et al. | Novel two-dimensional Bi 4 V 2 O 11 nanosheets: controllable synthesis, characterization and insight into the band structure | |
Dam et al. | Fabrication of a mesoporous Co (OH) 2/ITO nanowire composite electrode and its application in supercapacitors | |
Liu et al. | A facile route to synthesize titanium oxide nanowires via water-assisted chemical vapor deposition | |
Mousavi et al. | Antimony doped SnO2 nanowire@ C core–shell structure as a high-performance anode material for lithium-ion battery | |
CN102345162A (zh) | 一维轴向型的纳米氧化锌/硫化锌异质结及其制备方法 | |
CN101435067B (zh) | 基于物理气相沉积的碲纳米线阵列的制备方法 | |
CN104695020B (zh) | 一种条状InAs纳米带及其制备和应用 | |
CN101693550B (zh) | 一种生长CdO纳米线束的方法 | |
Zhao et al. | Structural engineering of ultrathin vertical NbS2 on carbon cloth by chemical vapor deposition for hydrogen evolution reaction | |
CN101434455B (zh) | 采用物理气相沉积法制备碲化铋纳米线阵列的方法 | |
Zhong et al. | Optimized rapid flame synthesis of morphology-controlled α-MoO3 layered nanoflakes | |
Shen et al. | Direct growth of comet-like superstructures of Au–ZnO submicron rod arrays by solvothermal soft chemistry process | |
CN111470485B (zh) | 一种磷化金纳米片及其可控制备方法与应用 | |
CN101372358B (zh) | 常压气相沉积制备氧化锡纳米线的方法 | |
CN101693528A (zh) | 一种生长ZnSe单晶纳米线的方法 | |
CN105926034B (zh) | 一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090401 Termination date: 20131019 |