CN1930696A - 发光体用电路基板的制造方法、发光体用电路基板前体及发光体用电路基板以及发光体 - Google Patents

发光体用电路基板的制造方法、发光体用电路基板前体及发光体用电路基板以及发光体 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于，提供可以实现具有包括搭载发光元件的部位的底面的凹部形成，并且提供还可以实现轻量化、薄壁化的发光体用电路基板前体及形成了凹部的发光体用电路基板及其制造方法以及具有形成了凹部的基板的发光体。本发明的发光体用电路基板的制造方法的特征是，包括：在液晶聚合物薄膜表面，形成如下的金属制电路图案的工序，即，至少具有1对发光元件的电极预定部，该电极预定部各自经由导电电路与基板内的其他的电路连接；在包括该电极预定部的部位，形成如下的凹部的工序，即，具有应当存在该电极预定部及该导电电路的底部、应当存在该导电电路的壁面。

Description

发光体用电路基板的制造方法、发光体用电路基板前体 及发光体用电路基板以及发光体
技术领域
本发明涉及用于搭载发光元件而形成发光体的电路基板的制造方法、该电路基板的前体、该电路基板及发光体。而且，本说明书中，所谓「发光体用电路基板」是指用于通过搭载发光元件而形成发光体的电路基板，所谓「发光体用电路基板前体」是指通过三维地形成搭载发光元件的凹部而成为发光体电路基板的物质。所谓「发光元件」是指GaAlAs等发光物质(半导体物质)本身，所谓「发光体」是指将该发光元件芯片焊接于电路基板的电极部上，用透明树脂密封而得的物质(发光二极管或LED)。另外，所谓芯片LED是指被作为芯片部件制作的LED。
背景技术
作为搭载了发光元件的所谓芯片LED的制法，以往为如下所示的方法。(i)在连续的引线框的各位置上利用冲裁或蚀刻等方法开设孔，在该处利用注射成形法(***成形法)形成耐热性的热塑性树脂制的外壳。(ii)在该外壳部使用芯片焊接糊剂等安装发光元件，在通过利用引线键合法将发光元件与其他的电极连接而与外部电路连接后，使用透明的密封树脂将该发光元件部分与环境绝缘。(iii)依照每个单独的芯片LED进行切离而形成产品。另外，为了使处理性良好，另外准备进行了压花凹成形的塑料制的带状外壳，逐一***芯片LED，用带封入。此外，为了在其后的连续生产线中使用时的方便，还有将其以卷绕的形式制成产品的情况。
但是，所述制法中，引线框与热塑性树脂外壳的密接性并不良好，有密封树脂从它们的界面中漏出的问题。另外，由于要进行***成形，因此制造工序复杂，生产性也不良好。另外，在如上所述地以***带状外壳中的形式产品化的情况下，由于该外壳被废弃，因此有产生浪费成本和废弃物的问题。
为了解决芯片LED的制造的所述问题，提出了各种技术方案。例如，在特开平1-283883号公报中，公布有如下的芯片LED，即，在具有凹面的反射外壳的该凹面部上设有镀覆了立体图案的电极部，在该电极部上搭载了发光元件。该公报中，根据该技术，与利用以往的***成形法的芯片LED相比，可以减少制造成本，并且还可以解决引线框与反射外壳之间的密封树脂泄漏等问题。
另外，在特开平6-350206号公报中，提出了如下的立体电路基板，即，在包括一次成形体与将其***成形而一体化了的二次成形体的界面的一次成形体的表面，形成由导电材料制成的电路图案，在不存在二次成形体的部分，该电路图案的一部分露出。该特开平6-350206号公报中，对于所述特开平1-283883号公报的技术指出以下的问题，即，由于是在电路基板的表面侧的大致全面上实施镀覆，因此有成本与镀覆面积成比例地升高的倾向，另外在搭载发光元件后的完成品中，由于未由密封树脂覆盖的部分的电极图案露出，因此在处理时或发光元件安装时会带来损伤等而有可能产生电极图案的断线等。此外，根据特开平6-350206号公报所公布的技术，由于利用二次成形体可以保护电路图案的主要部分，因此可以避免电极图案的断线等问题，另外，由镀覆面积的增大造成的成本高的问题也可以通过将二次成形体中所用的树脂设为特定的构成而解决。
另一方面，还提出了以金属芯(金属板)作为基体的LED用的电路基板(例如特开平11-54863号公报、特开平11-204904号公报及特开平11-298050号公报)。这些电路基板是在设于金属芯上的绝缘层(耐热性的热塑性树脂层)表面形成了印刷电路后，利用阳模与阴模的嵌模而形成了凹陷(所述凹部)的基板。这些公报中，为了防止该凹陷形成时的印刷电路的破损，公布了对成形角度等进行了处理的技术。
此外，作为用于防止成形时的电路的破损的技术，有特开平3-204979号公报中所记载的技术。根据该技术，通过将太阳能电池元件之间利用内部引线连接，来吸收在使太阳能电池模块变形时的太阳能电池元件之间的应力。
另外，特开平5-283849号公报中，在立体成形电路板的制造方法中，公布有用于防止进行凹凸赋形时的导电电路的切断等的技术。具体来说，在热塑性树脂上转印电路而形成一次成形电路板后，在将变形部加热后，或者在注射成形的一次成形体电路板冷却之前，将凹凸赋形。
另外，在特开平11-307904号公报中，记载有将预先形成了配线图案的配线薄片在由树脂制成的三维成形体的模具成形时一体化的方法。
但是，根据所述特开平6-350206号公报的技术，由于需要利用***成形法将一次成形体和二次成形体一体化，因此对于作为特开平1-283883号公报的技术的问题的生产性提高尚未解决。
另外，作为特开平1-283883号公报的技术及特开平6-350206号公报的技术所共有的问题，有如下的事实，即，在安装发光元件的基板上设置电路图案的阶段是在基板的成形后。其结果是，必须与成形后的复杂的形状匹配地形成电路图案，该作业非常困难。另外，虽然除了这些公报中所公布的镀覆法(非电解镀覆法)以外，还有利用转印的电路图案形成法，然而在成形后的基板上形成电路图案仍然不容易，特别是在微细的电路中难以形成高精度的图案。
另一方面，特开平11-54863号公报等的技术中，由于采用了在预先形成了电路图案后进行凹部形成的方法，因此就能够实现精度比较高的图案形成。但是，这些文献中所公布的电路基板是实质上设置了绝缘层的金属基板，有如下的问题。由于这些公报的技术中所用的金属芯的厚度达到0.6～1.2mm，因此芯片LED的厚度或重量就会增大。另外，即使要在小型的芯片LED用途中形成凹部，由于金属芯很厚，因此不可能形成小型而尖锐的形状的凹部。
另外，特开平5-283849号公报技术中，在向聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等热塑性树脂中预先转印了电路后，进行成形。但是，无法将该技术应用于液晶聚合物薄膜中。该技术中，通过将变形部加热，或在树脂冷却前进行成形，来防止凹凸成形时的电路的切断等。但是，不仅需要用于加热机构的成本，而且在液晶聚合物薄膜中，在以能够在保持整体的形状的同时实现变形的程度来成形时，时序极为困难。实际上，在该公报中，被作为电路板材料例示的仅为PBT，没有任何液晶聚合物薄膜的记载。
特开平3-204979号公报的技术中，虽然通过将元件之间用内部引线连接来防止变形时的断线等，然而由于其中需要将元件逐一连接的工序，因此该方法并不适于大量合成。如果仍然希望大量合成，则电路应当印刷在平面板上。
而且，特开平11-307904号公报的技术中，虽然在液晶聚合物薄膜上形成了配线图案后进行成形，然而完全没有认识到在以包括该配线图案的范围变形时产生的断线等问题。如果看该公报中的附图，则可知配线图案仅存在于不伴随变形的位置。
另外，近年来的使用了LED的发光体中，有小型化的要求(携带电话的液晶显示器的背光灯等)。但是，在作为金属基板(金属芯基板)的特开平11-54863号公报等的电路基板中，因芯片LED的重量或厚度增大以及凹部的成形性(向尖锐的形状的成形性)的方面，无法充分地适应小型化的要求。另外，无法形成为了提高处理性而制成了卷轴之类的柔性的带状产品等，与以薄膜树脂作为基板的情况相比极为不利。
另外，从电路基板的生产的高效化的观点考虑，最好将具备了多个应当搭载发光元件的部位的长尺寸的电路基板连续地制造。这是因为，可以适用于电路图案长的基板，另外在制造电路图案短的基板的情况下，也可以在连续地制造后裁断而使用。在以长尺寸制造发光体的情况下，可以通过再在电路基板上的设计位置上连续地搭载发光元件而提高生产性。但是，此时长尺寸的电路基板被要求卷绕成卷状而处理，然而特开平11-54863号公报等中所公布的电路基板由于具有接近1mm的厚度的金属板芯，因此在柔性方面不佳，不可能以通常程度的曲率卷绕成卷状。特开平5-283849号的技术中，不得不使电路板达到一定程度的厚度，此外在注射成形的同时形成凹凸部的方法中，难以连续地制造。
发明内容
本发明是鉴于所述情况而完成的，其目的在于，可以实现具有包括搭载发光元件的部位的底面的凹部形成，并且提供还可以实现轻量化、薄壁化的发光体用电路基板前体、及形成了凹部的发光体用电路基板及其制造方法以及具有形成了凹部的基板的发光体。
能够达成所述目的的本发明的发光体用电路基板的制造方法的特征是，包括：
在液晶聚合物薄膜表面，形成如下的金属制电路图案的工序(以下称作「电路图案形成工序」)，即，至少具有1对发光元件的电极预定部，该电极预定部各自经由导电电路与基板内的其他的电路连接；
在包括该电极预定部的部位，形成如下的凹部的工序(以下称作「凹部形成工序」)，即，具有应当存在该电极预定部及该导电电路的底部、应当存在该导电电路的壁面。这里，在「与基板内的其他的电路连接」中，包括与基板中能够与外部电路连接的部分连接的方式。
另外，本发明的发光体用电路基板前体的特征是，是在液晶聚合物薄膜表面形成有金属制的电路图案的物质，
在该电路图案中存在应当搭载发光元件的至少1对电极预定部，该电极预定部各自经由导电电路与基板内的其他的电路连接，
并且是为了在包括该电极预定部的部位，形成具有应当存在该电极预定部及该导电电路的底部、应当存在该导电电路的壁面的凹部而使用的基板。「与基板内的其他的电路连接」的定义与所述的内容相同。
本发明的发光体用电路基板的特征是，是在所述发光体用电路基板前体的包括所述电极预定部的部位，形成有应当搭载发光元件的凹部，并且所述导电电路存在于该凹部的底面及壁面上的基板。
本发明的发光体的特征是，具有所述发光体用电路基板。
而且，本发明中所说的「薄膜」也包括所谓薄片的概念。
附图说明
图1是表示本发明的发光体用电路基板前体(平板状)的一个例子的俯视图。
图2是表示对导电电路赋予了特定形状的本发明的发光体用电路基板前体(平板状)的一个例子的俯视图。
图3是表示在图2的基板中进行了凹部形成的发光体用电路基板的俯视图。
图4是图2的I-I线剖面图。
图5是图3的II-II线剖面图。
图6是表示对导电电路赋予了特定形状的本发明的发光体用电路基板前体(平板状)的其他的例子的俯视图。
图7是表示面状发光体中所用的本发明的发光体用电路基板前体的一个例子的俯视图。
图8是表示本发明的发光体的一个例子的剖面图。
图9是表示具备了散热机构的本发明的发光体的一个例子的剖面图。
图10是表示实施例中所制作的基板的蚀刻图案的俯视图。
图11是图10的凹部形成预定部的放大图。
图12是表示实施例中所制作的基板的凹部形状的剖面图，是图11的II-II线的剖面图。
图13是表示实验3中所制作的基板前体的蚀刻图案的俯视图。
图14是实验3中所制作的基板前体(在导电电路中有狭缝)的凹部形成预定部的放大图。
图15是实验3中所制作的基板前体(在导电电路中没有狭缝)的凹部形成预定部的放大图。
图16是实施例6中所制作的基板前体，(a)是俯视为曲折的形状并且以中心角：180°具有实质上为放射状对称的延伸量的凹部形成预定部的放大图。斜线部是应当搭载发光元件的电极部(电极预定部)。(b)是在该基板前体上形成了凹部时的图16(a)的A-A’方向的剖面图。(c)是该凹部的鸟瞰图。但是，为了方便，省略了眼前侧的电路图案，实线部表示在凹部成形时变形的部分，虚线部表示不变形的部分。
图17是具有俯视为曲折的形状并且以中心角：90°具有实质上放射状对称的延伸量的电路，可以搭载多个(2或3个)发光元件的凹部形成预定部的放大图。
图18是具有俯视为曲折的形状并且以中心角：120°具有实质上放射状对称的延伸量的电路，可以搭载多个(2或3个)发光元件的凹部形成预定部的放大图。
图19是表示用于显示「8」字的电路图的一个例子的图。
图20是图19的放大图。
图21是利用了图16的凹部形成预定部的部件，是表示可以用于点矩阵中的面状发光体用的发光体用电路基板前体的图。
图22是表示使用图21的发光体用电路基板前体制作的面状发光体的图。
图23是表示本发明的发光体用电路基板前体的一个例子的图。像这样，在以长尺寸制造了基板前体后，可以在区块单位的任意的位置上适当地切割使用。
图24是从背面看实际上使用图22的面状发光体时的状态的图。
其中，1：发光体用电路基板前体，2：电极预定部，3：导电电路，4：基板内的其他的电路，5：液晶聚合物薄膜，6：链齿，7：狭缝，8：凹部底面，9：凹部壁面，10：发光元件，11：引线键合，12：密封树脂，3：发光体，14：散热板，15：制冷剂穿过孔，16：导引孔
具体实施方式
根据本发明的发光体用电路基板的制造方法，可以实现微细并且精度高的电路图案的形成、具有应当搭载发光元件的部位的凹部的形成以及发光体用电路基板的轻量化、薄壁化。另外，发光体用电路基板前体作为本发明的制造方法和发光体用电路基板的制造中间体十分有用。另外，本发明的发光体用电路基板由于可以制成带状的基板，因此能够实现发光体的连续制造，可以提高发光体的生产性，另外还能够简易地进行各个发光体的发光检查，此外面状发光体或显示装置的制造也变得容易。
此外，本发明的发光体如上所述，可以容易地采取作为面状发光体或显示装置的方式，并且具有由厚度薄的液晶聚合物薄膜构成的本发明的电路基板，因此通过在电路图案形成面的相反面侧设置散热机构，就可以经由该聚合物薄膜将由发光体产生的热有效地排出。
本发明中，在获得形成了具有包括应当搭载发光元件的部位(以下有时称作「发光元件搭载部」)的底面的凹部的发光体用电路基板时，使用由液晶聚合物薄膜构成，并且预先形成了金属制的电路图案的平板状的发光体用电路基板前体，在其上进行凹部形成，在这一点上具有最大的特征。
对于所述特开平1-283883号公报，如上所述，在具有凹部的基板上形成电路图案的方法中，很难以高精度形成微细的电路图案。因此，本发明中，通过在平板状的基板上预先形成电路图案，将其成形，而能够实现微细并且精度高的电路图案形成。
另外，通过用液晶聚合物薄膜构成基板，则可以不使用与电路图案形成用的金属层不同的加强用金属板(特开平11-54863号公报等中所公布的电路基板那样的金属芯，特别是厚度为0.6～数mm左右的金属板)，而实现电路图案形成后的成形(凹部形成)。如上所述，特开平11-54863号公报等中那样的使用了厚壁的金属芯的电路基板中，在重量的增大和成形性差的方面，另外在因厚度的增大而不可能形成长尺寸的材料以卷绕成卷状来处理的方面是不利的。另一方面，在特开平1-283883号公报中的电路的以往的树脂基板中，树脂部分的厚度大，不利于电路图案形成后的成形。此外，在半导体领域中，作为薄膜基板[例如TAB(Tape AutomatedBonding)基板]，已知聚酰亚胺基板，然而它由于是由热硬化性聚酰亚胺的硬化体构成的，因此实质上不可能实现本发明的基板的凹部形成那样的伴随着延伸的变形加工，即塑性变形。
另外，在用热塑性树脂薄膜构成基板的情况下，因搭载发光元件时的钎焊等的热量，还有基板变形的问题，而本发明中，通过选择耐热性优良的液晶聚合物，就可以消除此种问题。
另外，聚醚醚酮树脂(PEEK树脂)等其他的耐热性热塑性树脂中，树脂单体的线膨胀率大，在与金属贴合的情况下容易产生翘曲。为了防止该情况，尝试了填充剂的填充或聚合物合金化等。但是，这些改良树脂中，也有微细成形性差的不利方面。另一方面，本发明中所用的液晶聚合物不仅线膨胀率低，而且微细成形性也优良。
以下，将对本发明的基板的各构成及本发明的发光体进行详细叙述。
<液晶聚合物薄膜>
构成液晶聚合物薄膜的液晶聚合物是耐热性的热塑性树脂，例如有在熔融状态下显示液晶性的热致液晶聚合物。本发明中优选热致液晶聚合物，更具体来说，优选热致液晶聚酯或热致液晶聚酯酰胺。
所谓热致液晶聚酯(以下简称为「液晶聚酯」)是指，例如以芳香族二羧酸和芳香族二醇或芳香族羟基羧酸等单体为主体而被合成的芳香族聚酯，是在熔融时显示液晶性的物质。
作为其代表性的物质，可以举出由对羟基苯甲酸(PHB)、对苯二甲酸、4，4’-联苯酚合成的I型[下式(1)]、和由PHB与2，6-羟基萘甲酸合成的II型[下式(2)]、由PHB与对苯二甲酸、乙二醇合成的III型[下式(3)]。
Figure A20058000802600131
作为液晶聚酯，虽然I型～III型的任意一种都可以，然而从耐热性、尺寸稳定性的方面考虑，优选全芳香族聚酯(I型及II型)，考虑到能够实现无铅的钎焊(例如在260℃下实施的)，并且凹部成形性也良好的方面，特别优选I型的液晶聚酯。
另外，作为本发明的液晶聚合物，只要是显示液晶性(特别是热致液晶性)的物质，则例如也可以是以所述(1)～(3)式所示的单元为主体(例如在液晶聚合物的全部构成单元中，占50摩尔％以上)，还具有其他的单元的共聚型的聚合物。作为其他的单元，例如可以举出具有醚键的单元、具有酰亚胺键的单元、具有酰胺键的单元等。
为了获得液晶聚合物薄膜，只要采用与构成它的树脂对应的公知的各种方法即可。另外，本发明方法中，作为使用了特别优选的所述例示的液晶聚酯的薄膜，例如可以使用JAPNA GORE TEX株式会社制的「BIAC(注册商标)」等市售品。
另外，液晶聚酯酰胺相当于作为其他的单元具有酰胺键的所述液晶聚酯，例如可以举出具有下式(4)的构造的物质。例如，式(4)中，已知s单元、t单元及u单元的摩尔比为70/15/15的物质。
另外，在液晶聚合物薄膜中，也可以使用含有所述的液晶聚合物的聚合物合金。该情况下，作为与液晶聚合物混合或化学结合的合金用聚合物，可以举出熔点为220℃以上，优选280～360℃的聚合物，例如聚醚醚酮、聚醚砜、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚芳酸酯等，然而当然并不限定于它们。液晶聚合物与所述合金用聚合物的混合比例没有特别限制，然而例如以质量比表示优选10∶90～90∶10，更优选30∶70～70∶30。含有液晶聚合物的聚合物合金能够保持液晶聚合物的优良的特性。
所述液晶聚合物薄膜中，与薄膜平面平行的方向的线膨胀系数最好被调整为25ppm/℃以下。更优选21ppm/℃以下。另外，液晶聚合物薄膜的所述线膨胀系数的下限优选8ppm/℃。液晶聚合物薄膜的线膨胀系数是利用仪器分析(TMA)法，试验片宽度设为4.5mm，夹头间距离设为15mm，载荷设为1g，在从室温升温到200℃后(升温速度：5℃/分钟)，以降温速度5℃/分钟冷却时，根据从160℃到25℃期间测定的试验片的尺寸变化求得的值，例如薄膜的MD方向(薄膜制造时的行进方向)及TD方向(与MD方向正交的方向)的线膨胀系数的任意一个只要满足所述范围即可。
本发明的电路基板中，在设置了电路图案的平板状的基板上形成凹部。在将热塑性薄膜、贴合在其上的金属电路一起进行三维成形时，如果组合了线膨胀系数的差大的材料，则在薄膜上的金属电路部分就容易产生翘曲或扭曲、凹面等问题。另外，该情况下，虽然根据薄膜与金属的厚度或弹性模量等而决定，然而在将薄膜与金属贴合的阶段也有可能引起卷曲或翘曲。
例如，在除了取代满足所述线膨胀系数的液晶聚合物薄膜，使用线膨胀系数为56ppm/℃的聚醚酰亚胺薄膜以外，具有与本发明相同的构成的电路基板中，本发明人确认，当在340℃左右的温度下进行凹部形成时，则在聚醚酰亚胺薄膜上的金属电路部分，产生所述的局部的翘曲、扭曲、凹面等。
对于电路图案的形成中所用的金属层来说理想的金属的线膨胀系数通常为3～30ppm/℃左右(例如对于铜为16.2ppm/℃)。这样，如果是具有所述上限值以下的线膨胀系数的液晶聚合物薄膜，则由于与金属层的线膨胀系数的差小，因此在凹部形成之时，在液晶聚合物薄膜的露出部，如上所述的问题的产生被高效地抑制。但是，本发明中所用的金属优选线膨胀系数尽可能接近液晶聚合物薄膜的材料。
在液晶聚合物薄膜中，在将线膨胀系数如上所述地调整时，只要将该薄膜中的聚合物分子链沿薄膜平面方向随机地取向即可。具体来说，可以采用如下的方法，即，暂时利用熔融挤出法制作高单向取向性的薄膜，将其沿TD方向单轴延伸，或沿MD方向及TD方向双向延伸的方法。被如此调整了线膨胀系数的液晶聚合物薄膜的制法被详细地公布于特开平10-294335号公报中。
而且，本发明的液晶聚合物薄膜由于还担负作为发光体的外壳的作用，因此最好具备能够提高光的反射率，将发出的光有效地向外部输出的构成。具体来说，推荐将液晶聚合物薄膜设为白色或银色等光的反射率提高的颜色。在对液晶聚合物薄膜赋予此种颜色时，例如可以采用在液晶聚合物中混匀了着色颜料(氧化钛粉末等)等后，进行薄膜化的方法。
液晶聚合物薄膜的厚度虽然只要根据对发光体所要求的尺寸适当地选择即可，然而例如优选10μm以上，更优选50μm以上，优选3mm以下，更优选1mm以下。当厚度过薄时，则在凹部形成之时在电路基板中容易产生破裂或褶皱，实用性降低。另一方面，当厚度过厚时，则在形成了发光体后设置散热机构(在后面详述)，经由液晶聚合物薄膜将从发光元件发出的热排出时的排热效率降低，此外由于通过加厚薄膜而得的效果(机械强度的提高等)饱和，因此反而会使用多余的材料，在成本或轻量化方面不利。例如，对于以往被广泛使用的芯片LED那样的小型的发光体用途，即使是所述的厚度当中的薄的液晶聚合物薄膜(例如200μm以下程度)也可以适应。另一方面，在应用于发光元件搭载部为直径5mm以上的比较大的LED中的情况下，即使在所述范围中，也推荐使用略厚的液晶聚合物薄膜。
<电路图案>
本发明的电路基板前体或电路基板的电路图案在成为发光元件搭载部的凹部形成预定部中，至少具有1对电极预定部，具有与该电极预定部连接的其他的电路。这里的「基板内的其他的电路」包括基板中能够与外部电路连接的部分。在所述其他的电路中，也可以设置搭载发光元件以外的电子部件的部位。本发明中，由于在平面状的液晶聚合物薄膜上形成了电路图案后进行三维形成，因此与在进行三维形成后形成电路图案的先行技术相比，能够更为容易地进行复杂并且微细的电路图案的形成。
电路图案为金属制，例如在液晶聚合物薄膜表面设置金属层，通过对该金属层实施蚀刻等而形成。作为金属层的形成方法，除了将液晶聚合物薄膜与金属板(包括金属箔、金属薄膜等)贴合的方法以外，还可以采用在液晶聚合物薄膜表面利用真空蒸镀法或溅射法、离子注入法、镀覆法、CVD法等来形成的方法。
作为将液晶聚合物薄膜与金属板贴合的方法，优选热熔接法。作为热熔接法，可以采用利用液晶聚合物的热塑性，将该薄膜叠层面加热软化，在该面上层叠了金属板后冷却的方法，或将液晶聚合物薄膜与金属板重叠，将其穿过加热了的1对辊之间而使之热熔接，其后进行冷却的方法等。
另外，如果使用将金属箔等金属板的至少与所述液晶聚合物薄膜接触一侧的表面粗化后的材料，则可以进一步提高液晶聚合物薄膜与电路图案的密接性。即，如果在将表面被粗化了的金属箔等压接在液晶聚合物薄膜上后利用蚀刻等形成电路，则金属箔等被除去了的部分的表面也会被粗化。其结果是，与密封树脂的密接性提高，可以减少产品不良。用于形成电路的金属板或液晶聚合物薄膜表面的粗化的程度虽然没有特别限制，然而例如可以设为以Rz表示为1～15μm左右。这是因为，如果Rz在1μm以上，则可以期待有效果，特别是如果为8μm以上，则如后述的实施例8所示，证实可以发挥超过铜箔表面的粘接力。
作为构成金属层的金属，没有特别限制，可以举出铜、铝、锡、银、金、铂、锌、铁以及含有这些金属的合金[不锈钢(SUS)、引线框用铜类合金、42合金(42％Ni-Fe合金)等]等。金属层既可以是单层构造，也可以层叠了不同的2种以上的金属的叠层构造。层叠的方法也没有特别限制，例如可以采用如下的方法等，即，在将液晶聚合物薄膜与金属板贴合后，在该金属板表面利用真空蒸镀法或溅射法、离子注入法、镀膜法、CVD法等设置由与金属板的构成金属不同种类构成的金属层。构成金属层的金属虽然只要根据目的适当地选择即可，然而例如从提高成形性的观点考虑，最好选择线膨胀系数与液晶聚合物薄膜的线膨胀系数接近的金属。
用于形成本发明的电子电路的金属层的厚度例如优选1μm以上，更优选5μm以上，优选500μm以下，更优选50μm以下。当金属层的厚度过薄时，则作为电路的可靠性不佳，此外在基板上进行凹部形成时，会有因受到轻微的张力而破裂的情况。另一方面，当金属层的厚度过厚时，则利用蚀刻等进行的电路图案的形成就会变得困难，此外还有在基板上形成凹部时的成形性受损的倾向。
将该金属层的一部分除去，形成电路图案。作为其方法，优选公知的蚀刻法。作为蚀刻法，例如可以举出如下的方法，即，利用公知的光刻法在金属层表面设置按照使金属层的除去的部分露出的方式形成了图案的光刻胶膜，在使用可以溶解金属层的液体(例如如果是铜类的合金层，则为氯化铁水溶液等)，将金属层的该露出部溶解除去后，将该光刻胶膜除去。蚀刻中所用的光刻胶树脂、金属层的溶解液、光刻胶膜的除去液、光刻胶膜的形成条件或金属层的溶解条件等没有特别限制，可以根据金属层的原材料或要形成的电路图案适当地选择。
电路图案设为如下构造，即，在发光元件搭载部设置至少1对电极预定部，该电极预定部分别经由导电电路与基板内的其他的电路(包括用于与外部电路连接的连接端子等)连接。在形成具有该连接端子的电路的情况下，为了提高本发明基板的该连接端子部的机械强度，根据需要，也可以在电路背面的一部分贴附加强条以进行加强。作为该加强条的材料，可以使用液晶聚合物或聚酰亚胺等。图1中表示了本发明的发光体用电路基板前体的一个例子。1为发光体用电路基板前体，2为电极预定部，3为导电电路，4为基板内的其他的电路，5为液晶聚合物薄膜。图1的发光体用电路基板前体1是具有多个1对电极预定部2、2(即发光元件搭载部)的方式。电极预定部2、2分别经由导电电路3、3与基板内的其他的电路4、4连接。而且，电极预定部2与导电电路3的交界虽然不一定清晰，然而可以将应当在导电电路3的端部搭载发光元件的场所称作电极预定部。
图1中，虚线为将发光体单独使用时的切除预定线，在搭载发光元件等而形成最终产品时，以该虚线部为基准在必需的部位被切除。另外，6为基板输送用的链齿(在后面详述)。
另外，图1的发光体用电路基板前体在每一个凹部中具有1对应当搭载发光元件的电极预定部，在连续的电路基板中具有多个凹部的形成预定部。在像这样形成多个发光元件搭载部位的情况下，通过在各部位形成凹部就可以连续地制造长尺寸的发光体用电路基板以及发光体，可以将其裁断使用(参照图19及图23)。
例如在凹部中所搭载的发光元件为1个的情况下，电极预定部为1对即可，然而例如在将2个以上的发光元件搭载于1个凹部中的情况下(例如为了能够发出光的全部三原色，在1个凹部中搭载红、蓝、绿3个发光元件的情况等)，在凹部中，就需要有与所搭载的发光元件的个数对应了的数目的电极预定部(例如在搭载2个发光元件的情况下，为2对电极预定部，在搭载3个发光元件的情况下，为3对电极预定部等)。
而且，例如在1对电极预定部中，在一方的电极预定部中配置发光元件，另一方的电极预定部和发光元件用引线键合等电连接。这样，在1个凹部中搭载多个发光元件的情况下，虽然用于直接配置发光元件的电极预定部需要与搭载的发光元件的数目对应，然而被用引线键合等与发光元件连接的电极预定部有时也可以在多个发光元件中共用。这样，该情况下，在1个凹部中，被用引线键合等与发光元件连接的电极预定部也可以少于该凹部所应当搭载的发光元件的个数。即，「1对」电极预定部是指可以搭载1个发光元件的电极预定部的组，不一定要规定电极预定部的数目。例如，在1个凹部中搭载2个发光元件的情况下，也可以设置4个电极预定部，而对于多个的情况，由于可以由2个发光元件共有1个电极预定部，因此只要在每一个凹部形成预定部位设置3个电极预定部即可。同样地，在1个凹部中搭载3个发光元件的情况下，只要在每一个凹部形成预定部位设置4个电极预定部即可。
对于电路图案，最好设计为金属层的残存面积尽可能大。由于金属层的残存面积越大，则基板的加强效果就越高，因此就会成为强度高的基板。另外，如后所述，由于发光元件发光时即放射出热，因此最好将其排出，金属层的残存面积越大，则该金属层(电路)对热的发散效果就会越高。另外，从提高强度、实现稳定的连续生产的观点考虑，最好在连续生产时所用的链齿部中也残留有金属层。由于这样的电路以外的部分的加工可以利用蚀刻法与电路图案同时地形成，因此极为有利。
另外，当发光体用电路基板的凹部中液晶聚合物的露出部分少，即金属层的残存面积大时，则可以获得光反射率高而亮度优良的发光体。另一方面，当电路部分在伴随着凹部的形成而变形的部分中所占的比例大时，则有可能使电路破裂的可能性变高。所以，在形成凹部前的电路基板前体中，最好按照使应当成为凹部的壁面的部分的金属制电路图案所占的面积比例达到20～90％(更优选45％以上，65％以下)的方式来形成电路图案。这是因为，如果在该范围内，则可以在利用金属电路面的高反射率部分地补充发光体的亮度的同时，抑制不良品的产生。
另外，用于将电极预定部与基板内的其他的电路连接的导电电路，最好以平面状具有考虑了在液晶聚合物薄膜进行伴随着延伸的变形时的变形的延伸量。电路图案的形成中所用的金属在凹部形成条件下，由于与液晶聚合物薄膜相比延伸性非常差，因此在位于在凹部形成之时被要求伴随着延伸的变形的部位的电路部分(即所述导电电路)中，容易产生破裂。即使在不产生破裂的情况下，也有可能在金属层中残留内部应力，产品的可靠性降低。另外，例如当在铜箔上实施了镀覆后将其三维成形时，则还有可能发生镀层的剥离。与之不同，对于所述导电电路，如果赋予所述的形状，则可以高效地抑制凹部形成时的电路的破裂，可以获得具有可靠性更为优良的凹部的发光体用电路基板。特别是在发光元件或发光体大型化，设有更大的凹部的情况下，或在要求曲率更小的弯曲变形的情况下，使导电电路具有所述形状在确保凹部形成的稳定性方面极为有效。
以「平面状」具有该延伸量的做法是因为，平面状的电路图案可以利用对铜箔的紧密连续的蚀刻这样的通常的电路图案形成方法来容易地形成。此外，也不需要像以引线等形成该延伸量的情况那样增加工序。
作为所述导电电路中的「考虑了液晶聚合物薄膜进行伴随着延伸的变形时的变形的延伸量」的形状，例如可以举出俯视曲折的形状。在导电电路具有此种形状的情况下，在液晶聚合物薄膜进行伴随着延伸的变形时，由于通过拉开曲折的间隔，外观上的长度即延长，因此就可以高效地抑制导电电路的破裂。这样，在凹部形成时聚合物薄膜受到伴随着延伸的变形的部位(具体来说，主要是凹部壁面)，如果按照形成此种形状的导电电路的方式设计，则可以更为高效地防止凹部形成时的电路图案的破裂。
作为所述的「曲折的形状」，例如包括所谓起伏形状或波纹形状、锯齿形状等(这些形状全都是俯视的形状。以下相同)。更具体来说，可以举出U字形；S字形；V字形；U字形、S字形、V字形等任意一种连续的形状；U字形、S字形、V字形等任意一种形状与其反转形状交互地连续的形状；包含这些的2个以上的形状的连续形状等。而且，在连续形状的情况下，各形状(U字形、S字形、V字形等)的大小或曲折的程度并不一定。另外，在U字形或S字形等情况下，曲折部既可以具有直角等角度，也可以以曲线弯曲。
另外，在所述的「曲折的形状」中，也包含如下的形状(以下简称为「狭缝形状」)，即，在与从所述电极预定部朝向所述基板内的其他的电路的方向大致正交的方向上，从一端朝向另一端并且并未到达该另一端的2个以上的狭缝被按照使该狭缝的开始端部交错排列的方式设置。
对于所述狭缝形状的情况，设于导电电路中的狭缝的条数、狭缝间距离、各个狭缝的长度只要可以在凹部形成时，充分地发挥防止导电电路的破裂的作用，就没有特别限制。例如不一定被限制为等间隔，可以根据要成形的凹部形状，适当地选择能够充分地缓解在该成形之时导电电路所受到的应力的间隔、位置、长度、角度等。
对于俯视为曲折的形状(所述的起伏形状、波纹形状、锯齿形状等或狭缝)的具体的形状或尺寸，基于流过导电电路的电流值和金属层的厚度，例如按照在通电时不会将导电电路烧断的方式，计算导电电路的宽度[对于狭缝形状的情况，为狭缝的长度(作为导电电路残留的长度)]、起伏的数目(对于狭缝的情况为狭缝的数目)，可以基于该计算值，另外按照使导电电路可以维持能够经受成形加工的强度的方式，经过利用实机的生产确认而决定。对于狭缝形状的情况，通常来说，狭缝的长度在导电电路的宽度窄时为50％以下程度，在该宽度宽时，也可以超过90％。
图2中，表示了具备了具有所述狭缝形状的导电电路的基板(平板状)的一个例子，图3中，表示了在图2的基板中形成了凹部后的基板。另外，图4为图2的I-I线剖面图，图5为图3的II-II线剖面图。图2及图3中，7为狭缝，图3中，8为凹部底面，9为凹部壁面。另外，图2～图5中，对于与图1相同的符号，将避免重复说明(以下对于各图都相同)。
在平板状的基板(图2)中，设于导电电路3、3中的所述狭缝7在形成了凹部时，其间隔展宽(图3)。这样，导电电路3、3的外观的长度延长(而且，由于图3为俯视图，因此未显示导电电路的长度延长，然而狭缝的间隔展宽，向图的里侧方向延伸)。这样，与液晶聚合物薄膜相比，即使是由延伸性差的金属构成的导电电路，也可以高效地抑制其破裂。由这样的曲折的程度变小带来的导电电路的破裂防止效果，对于「曲折的形状」来说，在上面所例示的其他的形状(U字形等)中，也可以被同样地发挥。图6中，表示了具备了具有这样的其他的形状当中的S字形的连续形状的导电电路3、3的基板(平板状)的一个例子。
另外，「俯视为曲折的形状」优选实质上放射状对称的形状。这里所谓「放射状对称」是指，从三维成形时的中心点起处于等距离的图案被以一定的中心角，例如中心角：180°、120°或90°重复的形状。图16是此种放射状对称的电路图案当中的中心角为180°的，图17为中心角为90°的，图18为中心角为120°的例子。如果形成此种放射状对称的形状，则在凹部形成之时变形的部分中的力就会作为整体均一地施加在电路图案上。其结果是，不会有力集中地仅施加在电路图案的一部分上的情况，可以减少破裂的可能性。将此种方式的具体例的一种表示于图16中。另外，将在1个凹部中设置4个电极部的情况表示于图17中，将设置3个电极的情况的放射状对称电路图案表示于图18中。而且，这里所谓「实质上」是指，如果是可以将在凹部形成之时向电路图案施加的力分散的程度的放射状对称形状，则例如在一端存在多于1个狭缝等时，也可以不是严格的放射状对称形状。
电路图案虽然是在液晶聚合物薄膜的至少单面上形成，然而也可以根据需要在双面上形成。在双面上形成了电路图案的情况下，可以独立地使用各电路，或者在形成了通孔后，利用嵌入通孔镀膜或嵌入导电材料之类的公知方法，将两电路连结使用。
<凹部的形成>
在液晶聚合物薄膜表面设置了电路图案的平板状的基板前体中，形成凹部，其具有应当存在发光元件搭载部(电极预定部)及导电电路的一部分的底部、应当存在导电电路的一部分的壁面。凹部的形成方法没有特别限定，例如可以采用使用了模具的通常的成形法(冲压成形法等)、真空成形法、挤压成形法、真空挤压成形法等。其中，真空成形法或挤压成形法、真空挤压成形法由于可以不使模具与图案形成面密接地进行凹部形成，因此可以防止凹部形成之时的电路图案的损伤等，在这一点上是有利的。另一方面，如果是冲压成形法等通常的成形法，则有成形位置更为准确的优点。本发明中，只要根据实际的电路图案或其使用目的等，采用更为适当的方法即可。
每一个基板的凹部的数目没有特别限制，然而最好形成多个。这是因为，在形成了多个后，在所需的位置上将电路基板裁断即可，从而可以实现连续的制造。
凹部的形状、尺寸也没有特别限制，只要设为与所需对应的形状、尺寸即可。例如一般设为如下的形状、尺寸，即，将凹部的开口部设为直径0.5mm～30mm的圆形，将凹部底面的直径设为0.45mm～27mm的圆形，并且使开口部比底面更宽，另外将凹部深度(从开口部到底面的垂直深度)设为0.1mm～20mm。但是，开口部或底面部的形状并不限于圆形，可以适当地选择。
作为形成这样的形状、尺寸的凹部的条件，例如在液晶聚合物薄膜由I型液晶聚酯构成的情况下，可以采用如下的条件，即，在通常的模具成形中，将薄膜温度设为300～350℃，以1～5MPa进行3～10分钟成形，在冷却到200℃以下后取出；在真空成形法中，将薄膜温度设为300～350℃，减压到0.1012MPa以下；在真空挤压成形法中，将薄膜温度设为300～350℃，将加压侧设为0.29～0.59MPa，将减压侧设为0.1012MPa以下，进行0.1～15分钟成形，冷却到200℃以下而取出。
而且，在凹部的成形之时，为了防止金属层的氧化，最好在惰性气体气氛下、含有还原性气体的气氛中成形。在空气中进行成形等而在金属层表面形成了氧化被膜的情况下，例如浸渍于4当量程度的硝酸水溶液等中，其后通过进行充分地水洗，就可以容易地将该氧化被膜除去。
在利用所述温度条件、压力条件等形成了凹部时，在受到了伴随着延伸的变形的部位(特别是凹部的壁面的一部分及其附近)，由于液晶聚合物的分子链沿延伸方向再次取向，因此弹性模量提高，凹部的形状保持性，即作为低粘度树脂(硬化前的密封树脂)的浇注用外壳的形状保持上的物性提高。这样，在确保与未进行利用液晶聚合物分子链的再次取向得到的弹性模量提高的电路基板同等的凹部形状保持性时，可以应用更薄的液晶聚合物薄膜，可以实现程度更高的电路基板的轻量化、低成本化、薄壁化。
例如，在厚度为100μm的I型热致液晶聚酯薄膜中，MD方向及TD方向的线膨胀系数被调整为16ppm/℃左右的材料中，其拉伸弹性模量为6300N/mm2左右，而当将其沿一个方向再次延伸2倍时，则延伸方向的拉伸弹性模量就变为约1.5倍。此种现象在可以利用延伸容易地进行分子的取向控制的液晶聚合物薄膜中十分明显。
本发明的基板中，在进行凹部形成时，在凹部壁面的局部及其附近，特别是在凹部开口部的曲折部分、凹部底面-壁面的交界处，由于产生伴随着延伸的变形，因此此种弹性模量提高现象十分明显。这样，虽然在液晶聚合物薄膜的露出部，作为整体富于柔性，然而特别是在凹部壁面的局部及其附近，因所述弹性模量的增大而***，因此凹部的形状保持性提高。
<基板的构造>
本发明的基板中，除了仅为1个发光元件搭载部(即，电极部仅为1对)的方式以外，如图1所示，还优选存在多个发光元件搭载部的方式。而且，图1中所示的基板具有输送用的链齿6，作为所谓TAB基板，能够实现凹部形成、发光元件的搭载、利用密封树脂的密封等的连续作业。
当考虑采用TAB基板实施连续作业的情况等时，本发明的电路基板优选长尺寸的基板(例如带状)。例如其长度推荐为0.5m以上，更优选50m以上。在这样的长尺寸的电路基板的情况下，从处理性良好的观点考虑，优选卷绕成卷状。但是，当然也可以用批次式来制造。
另外，图1中所示的基板中，除了在搭载发光元件，用密封树脂密封后，依切除预定线(图1中虚线部)切除，以获得多个具有1个发光元件的发光体(LED)而使用以外，也可以以切除预定线仅切断图1中上下链齿6、6，作为搭载了多个发光元件的带状的发光体利用。而且，虽然在图1的电路基板中，电路遍及图示的基板全长地连续，然而例如在长尺寸的电路基板中，也可以不形成遍及长边方向的全长地连续的电路。例如，为了获得多个特定长度的电路，可以在每个特定长度(例如1m等)上重复形成特定形状的电路图案，制成图案的重复单位间断开了的图案，或在每个特定长度上设置不同的图案的电路，不同的图案间断开。图19中表示在后者中附加了插口的图案的一个例子。图20是图19的1个图案的放大图。另外，如图23所示，在制造了还可以应用于显示装置(点矩阵)中的图案的电路的重复单元后，可以在所需的位置上切断而使用。
由图1的基板得到的带状的发光体中形成并联电路，通过在发光体两端部(图1中为左右端部)，与包括电源地装入了电阻等的外部电路连接，就可以对搭载于发光体上的全部的发光元件有效地确认发光。这样，通过连接外部电路，制造阶段的发光元件的发光确认检查就变得更为容易。另外，还可以作为面状发光体的制造手段来利用。
以往的面状发光体中，在面板状的基板上，排列有多个具有1个发光元件的发光体，需要对各个发光体进行配线·钎焊等，其制造极为烦杂。但是，如果是由图1的基板得到的带状的发光体，则由于只要平行地排列多条，将各带状发光体的端部与包括电源的外部电路连接即可，不需要对每个发光元件的配线·钎焊，因此可以通过将表面用半透明状的板等覆盖，就可以简易地制造面状发光体，还能够实现面状发光体的薄型化·小型化·轻量化。当然，也可以形成线状发光体或多点状发光体。另外，电路可以是串联、并联及它们的组合等，可以很容易地自由设计。
另外，本发明的基板中，由于可以同时实现自由度高的电路图案形成、凹部形成两方面，因此还可以作为面状发光体的基板利用。图7是面状发光体用电路基板的前体的一个例子。图7的基板中，由于可以直接搭载多个发光元件(图7中为24个)，因此与以往的面状发光体相比，可以使其制造工序非常简略。另外，图7的基板中，由于在每个发光元件搭载部中都具有独立的电路，因此还可以将各个发光元件与独立的外部电路连接。这样，由于对每个发光元件都可以实现点亮·熄灭的调节，因此不仅可以作为简单的面状发光体，而且还可以实现作为显示装置(点矩阵)利用。另外，通过使用本发明的基板，这样的显示装置的连续制造也变得更为容易，不仅可以实现显示装置的薄型化·小型化·轻量化·节省资源化，而且可以获得柔性的显示装置。
即，以往的显示装置(点矩阵)例如将独立地具备1个至多个发光元件的多个单位区块组合，将整体用外壳保持，将来自各区块的配线连结。该单位区块是如下的构件，即，将搭载了发光元件的板状的电路基板装入深度为10mm左右的热塑性树脂的成形外壳中，用环氧树脂等透明树脂浇注密封，与环境绝缘。而且，在成形外壳内的发光元件上，为了提高对电路基板的遮蔽和光的输出效率，覆盖有伞状的成形体。另外，单位区块的成形外壳的底设有从发光元件中产生的光的输出孔。这样，在单位区块的成形外壳的底部，在浇注透明树脂时，为了防止从该孔中的泄漏，贴附有具有粘接性的薄膜，在利用透明树脂的密封之后，该粘接薄膜即被剥离。
此种以往的显示装置中，在所述单位区块中，由于需要大量的透明树脂，因此重量大，热发散也差。另外除了这样的透明树脂以外，还需要使用成形外壳、其他的辅助材料(保持伞状的成形体或单位区块的外壳等)很多的材料。此外，在将电路基板固定于成形外壳上而用透明树脂密封时，由于是在发光元件或所述伞状的成形体等复杂的形状的立体构造物存在的状况下流入透明树脂，因此在该透明树脂中容易残留气泡，有操作性差的问题。另外，在利用透明树脂的密封后，还需要将所述粘结薄膜剥离的操作，另外剥离了的粘接薄膜成为废弃物，在这一点上也是不利的。
与之不同，本发明的基板中，由于在形成具备了多个发光元件的显示装置时，另外需要的树脂可以仅进行发光元件部分的密封，因此可以将其使用量剧减为以往的数十分之一以下，不需要另外使用成形外壳，从而可以实现大幅度的轻量化或原料成本的降低。另外，也不需要使用所述粘接薄膜，因而操作性也良好。另外，在废弃时，由于可以大幅度削减其量(特别是树脂量)，因此也是改善环境的对策。
现在，作为使用了LED的显示器，大型的显示器被作为设于建筑物的壁面等的屋外用途已经实用化。这里，是将亮度高的炮弹型LED大量地集成而构成的。另一方面，对于屋内用途，作为薄形的大型显示器，虽然液晶显示器或等离子体显示器已经被实用化，然而为了实现进一步的大型化，在技术上难度增大，因此会导致与尺寸成比例地相乘的成本升高。
本发明的基板中，如图7或图23中所示，在带状或面状的发光体中，还可以采用能够实现每个发光元件的发光·熄灭的构成。这样，通过搭载多个高密度地配置红、绿、蓝三种发光元件而构成的点(dot)，就可以容易地提供极为轻量、薄形的大型显示器。该显示器与由炮弹型LED构成的显示器相比，适用于使用低亮度的显示器的领域，例如屋内用途。
另外，图21是具有图16的放射状对称电路图案的装置的应用电路的一个例子，是显示装置(点矩阵)发光体用电路基板前体的一个例子。图22是表示由该前体制造的点矩阵产品的外观的图。在下部能够看到的配线部和插口部是柔性的，在实际的使用时，如图24所示地绕到背面而使用。另外，图23是表示将图21所示的发光体用电路基板前体作为单元，以带状连续地制造时的模式的例子。
而且，如后所述，虽然在基板上搭载了发光元件后，将该发光元件覆盖地用密封树脂密封，然而从提高与该密封树脂的密接性的观点考虑，最好对凹部形成前或凹部形成后的基板的液晶聚合物薄膜露出部实施表面处理。作为此种表面处理，例如可以举出紫外线照射处理、等离子体照射处理、喷丸处理、碱处理等。也可以将这些处理组合2种以上使用。另外，将粗化金属热压接而得的液晶聚合物电路基板中，仅利用除去了金属后的液晶聚合物表面，就可以获得优良的粘接力。
<发光体的构成>
本发明的发光体是具有凹部形成后的本发明的发光体用电路基板的发光体，对于其他的构成没有特别限制，可以采用以往公知的发光体中所用的各种构成。
图8中表示本发明的发光体的一个例子。与发光体用电路基板1的1对电极部2、2的任意一方电连接地搭载发光元件10，另外，利用引线键合11将另一方的电极部2与发光元件10电连接。其后用密封树脂12将凹部覆盖，通过使该树脂硬化而密封，就可以得到发光体13。
对于发光元件10例如可以提供以GaAlAs类为代表的多个种类的元件，然而本发明的发光体中没有特别限制，可以采用能够确保必需的发光颜色的种类的发光元件。发光元件10的搭载例如只要应用使用了公知的银糊剂等的芯片焊接即可。
对于引线键合11也没有特别限制，可以使用在发光体领域中所通常使用的原材料的物质(通常为金)。
对于密封树脂12，只要是具有由发光元件10放射的光能够良好地透过的程度的透明性的材料，就没有特别限制，可以利用以往所公知的材料(环氧树脂等)。
而且，对于由图1的基板得到的发光体的情况，由于是带状，因此也可以卷绕成卷状而出售等。
另外，本发明的发光体中，在基板的电路图案形成面的相反面侧具有散热机构的设置也是优选的方式。图9中表示具有散热机构的发光体的例子。图9的发光体13作为散热机构具有散热板14。
发光体中，希望有将发光时产生的热排出的对策，然而以往是将引线框大型化，穿过它而排热。但是，当发光体的尺寸变大时，就会有排热效率降低的问题。
本发明的发光体中，与以往的利用注射成形的树脂基板不同，可以在减薄基板中所用的液晶聚合物薄膜的厚度的同时，确保良好的耐热变形性(防止钎焊等时的基板的热变形的作用)，并且与利用涂料形成的涂膜相比，可以保持可靠性高的绝缘性。这样，通过在液晶聚合物薄膜表面(电路图案形成面的相反面)上，设有由热传导性优良的原材料构成的散热板等散热机构，就可以与以往的利用引线框的排热不同，实现从基板的大面积的排热，可以不用担心产生漏电地实现有效的排热。
作为散热板，可以举出铝板、镁板等金属板、含有大量热传导优良的无机材料的树脂板、玻璃板等。散热板的设置可以是与基板的形状匹配地在散热板中设置凹部，将基板嵌入其中即可，然而更优选再将基板与散热板焊接，或使用粘接剂等粘接而使用。
另外，作为散热机构，如图9所示，更优选使用具有制冷剂穿过孔15的散热板14，该情况下，可以实现更为有效的排热。作为制冷剂，可以使用水、其他的公知的制冷剂。
而且，所述的说明虽然全都是总结了针对发光体研究得到结果的内容，然而很明显本发明也可以作为发光体以外的液状密封型的半导体用使用。
实施例
以下，将基于实施例对本发明进行详细叙述。但是，下述实施例并不是限制本发明的例子，在不脱离前·后述的主旨的范围中实施变更的方案全都包含于本发明的技术范围中。而且，本实施例中所用的「％」只要没有特别指出，则都为质量基准。
而且，后述的薄膜的线膨胀系数是如下求得的值，即，利用TMA法，针对薄膜的MD方向及TD方向，将试验片宽度设为4.5mm，将夹头间距离设为15mm，将载荷设为1g，在从室温升温到200℃后(升温速度：5℃/分钟)，以5℃/分钟的降温速度冷却时，将根据从160℃到25℃期间测定的试验片的尺寸变化求得的值平均后的值。
实验1<发光体用电路基板及发光体的制作>
实施例1
在I型热致液晶聚酯薄膜(耐热性热塑性树脂薄膜，JAPAN GORE TEX公司制「BIAC BA」，液晶转化温度：335℃，厚度：100μm，线膨胀系数：MD方向、TD方向都为16ppm/℃)的单面上，将Cu合金箔(日矿materials公司制「NK120」，含有0.2％Cr-0.1％Zr-0.2％Zn的高传导引线框用Cu合金单面粗面化处理品，厚度：18μm，线膨胀系数：17.4ppm/℃)在温度：340℃、压力：3.9MPa、时间：5分钟的条件下贴附，设置如图10所示的链齿，得到了具有金属层的树脂薄膜。
然后，使用蚀刻法，在所述树脂薄膜上，设置图10及图11所示的构造的电路图案。图10及图11中，除去符号以外的数值表示长度，单位为mm。图10中，16为5mmφ的导引孔，链齿6的直径为1.3mm。导引孔是用于模具成形之时的孔，链齿是用于连续使用时的带输送的设置。
在金属层表面，将厚度为50μm的碱性水溶液显影型干式薄膜光刻胶(日立化成公司制「HF450」)，使用加热了的辊层压机(辊表面温度：105℃)，在速度：0.5m/分钟、线压力：0.2～0.4MPa的条件下进行层压，在室温下放置15分钟。其后，将规定的掩模重叠于光刻胶涂布面上，使用真空密接曝光机，在100mJ/cm2的条件下照射紫外线。继而在室温下放置15分钟，其后使用Na2CO3的1％水溶液，在温度：30℃、喷雾压力：0.2MPa、时间：60秒的条件下，将干式薄膜光刻胶显影，形成了光刻胶图案。
将形成光刻胶图案后的树脂薄膜的金属层使用氯化铁水溶液(在HCl的3％水溶液1L中溶解了500g氯化铁的溶液)进行了蚀刻，其后，使用NaOH的3％水溶液，在温度：50℃、喷雾压力：0.1MPa的条件下将干式薄膜光刻胶剥离，得到了平板状的发光体电路基板前体。
在所述发光体电路基板前体上，利用模具成形法进行了凹部形成。凹部的形状为：底面是直径1.7mm的圆形，开口部是直径2.3mm的圆形，从凹部开口部到底面的垂直深度为0.85mm。图12中，表示凹部形成部分的剖面图(在图11的基板中形成了凹部后的II-II剖面图)。图12中，附加了符号及「R」的数值(曲率半径)的单位为mm。成形条件设为：加热温度：320℃，压力：0.5MPa，时间：5分钟，在氮气气流中成形。
对于形成凹部后的发光体用电路基板，通过使用低压水银灯，在32mW/cm2的条件下照射30秒紫外线，进行了表面处理。在表面处理后的发光体用电路基板的凹部底面上搭载了发光元件。发光元件使用丰田合成株式会社制「GaN类蓝色LED芯片商品编号：E1C40-0B001-02」，将其利用银糊剂芯片焊接于电极部(电极预定部)的一方上。另外，发光元件和另一方的电极部利用金线进行了引线键合。其后，将双液性环氧树脂类透明密封剂(稻畑产业公司制「HL2000A、HL2000B2」)填充于搭载了发光元件的电路基板的凹部中，将发光元件覆盖，将该密封材料在125℃、1.5小时的条件下进行一次硬化，另外在150℃、6小时的条件下进行二次硬化而与环境绝缘，得到了长尺寸的带状发光体。
继而将所述的带状发光体裁断，制作5条具有10个发光元件的带状发光体，将5列平行地贴附在酚醛树脂基板上，通过将各带状发光体的端部使用无铅的焊锡(千住金属公司制「M705」)在260℃下钎焊，与具备电源而装入了电阻等的外部电路连接。然后，在表面配置半透明的丙烯酸板，得到了面状发光体。面状发光体的形成性、形成效率良好。对所得的面状发光体通电，确认能够发出穿过了拉门的亮度的光。
实施例2
作为液晶聚合物薄膜，使用II型热致液晶聚酯薄膜(液晶转化温度：280℃，厚度：100μm，线膨胀系数：MD方向、TD方向都为16ppm/℃)。
所述II型热致液晶聚酯薄膜的制作方法如下所示。将II型热致液晶聚酯(POLYPLASTICS公司制「ベクトラA950」)在单轴挤出机(螺杆直径：50mm)内熔融，从该挤出机头端的T形模(唇口长度：300mm，唇口间隙：2.5mm，模温度：300℃)中，在起模比为5的条件下以薄片状挤出，冷却，得到了厚度为500μm的液晶聚酯薄膜。在该液晶聚酯薄膜的两面，使用具有一对热辊的层压机，在温度为320℃、辊线速度为2m/分钟的条件下，热压接多孔聚四氟乙烯(PTFE)薄膜(厚度：40μm，平均孔径：0.5μm，空孔率：80％)，其后，穿过一对冷却辊(温度：100℃)而冷却，形成了叠层体。将该叠层体利用双向延伸机延伸。延伸条件为：温度为300℃，倍率为MD方向：1.6倍，TD方向：3.2倍，延伸速度为20％/秒。其后，将两面的多孔PTFE薄膜剥离，得到了厚度为100μm的II型热致液晶聚酯薄膜。
在如此得到的液晶聚合物薄膜的单面，在温度为275℃、压力为3.9MPa、时间为5分钟的条件下贴附与实施例1中所用的材料相同的金属箔，设置如图10所示的链齿，得到了具有金属层的树脂薄膜。对该具有金属层的的树脂薄膜，与实施例1相同地实施蚀刻，得到了平板状的发光体用电路基板前体。
另外，对所述平板状的发光体用电路基板前体，除了将凹部形成时的成形温度设为265℃以外，与实施例1相同地制作了平板状的发光体用电路基板、具有凹部的发光体用电路基板及长尺寸的带状发光体。在从该带状发光体中，与实施例1相同地尝试制作面状发光体时，无法耐受钎焊的温度，产生了不良。因此，除了使用含有铅的通常的焊锡(千住金属公司制「Sn63」)，在温度220℃下进行了钎焊以外，与实施例1相同地制作了面状发光体后，得到了与实施例1同等程度的形成性、形成效率。另外，在对该面状发光体通电后，可以确认能够实现与实施例1同等程度的发光。
比较例1
除了取代贴附了Cu合金箔的液晶聚合物薄膜，而使用了贴附铜箔的热硬化聚酰亚胺薄膜(新日铁化学公司制「エスパネツクス」，厚度50μm，铜箔的厚度：12μm)以外，与实施例1相同地制作了平板状的发光体用电路基板前体。对其与实施例1相同地尝试了凹部形成，然而无法实现。
比较例2
除了使用比较例1中制作的平板状的发光体用电路基板前体，未形成凹部以外，与实施例1相同地尝试了长尺寸的带状发光体的制作，然而在将密封剂热硬化之前发生该密封剂的流出，无法实现密封。
比较例3
除了取代液晶聚合物薄膜而使用了聚醚酰亚胺薄膜(三菱树脂公司制，厚度：100μm)以外，与实施例1相同地制作了平板状的发光体用电路基板前体。对其与实施例1相同地尝试了凹部形成，然而产生很大的翘曲，无法加工。这被认为是因为，聚醚酰亚胺薄膜的薄膜平面方向的线膨胀系数为56ppm/℃，与Cu合金箔的线膨胀系数的差很大。
比较例4
除了在比较例3中使用的聚醚酰亚胺薄膜的电路图案形成面的相反面上贴合1mm厚的铝板以外，与比较例3相同地制作了平板状的发光体用电路基板前体。对其与实施例1相同地尝试了凹部形成，然而因铝板的存在，凹部的形状不能成为像以往的注射成形品那样的尖锐的形状，成形性不良。因此，中止了其后的评价。
实验2<具有散热机构的发光体的制作>
实施例3
使实施例1中得到的面状发光体在25℃的环境下发光，10分钟后发光体表面(发光面)的温度达到了28.5℃。
实施例4
在实施例1中得到的面状发光体的电路图案形成面的相反面侧，使用粘接剂安装了如图9所示的具有制冷剂穿过孔的散热板(铝制压铸成形板)。其后，在使20℃的冷却水穿过制冷剂穿过孔的同时，在25℃的环境下使面状发光体发光，测定了10分钟后的发光体表面(发光面)的温度，为25.5℃。
像这样，本发明的发光体中，因具备所述散热机构，就可以将发光时产生的热量良好地排出。
实验3<具备了具有特定形状的导电电路的发光体用电路基板及发光体的制作>
实施例5
以图13所示的蚀刻图案，与实施例1相同地制作凹部形成预定部为图14所示的图案(以下称作「有狭缝」)或凹部形成预定部为图15所示的图案(以下称作「无狭缝」)的平板状的电路基板，利用模具成形法进行凹部形成，确认了导电电路的断线状况。而且，图14及图15的虚线(圆)表示凹部形成预定部(以下称作「凹部形成预定线」)，内侧的圆为凹部底面与壁面的交界部，外侧的圆为凹部壁面与凹部的外部的交界部。另外，图14及图15的单点划线穿过凹部形成预定部的中心点。图14的表示狭缝位置的数值(0.47mm、0.85mm、1.0mm及1.15mm)表示从所述单点划线到以凹部形成预定部的中心点为中心的同心圆与穿过导电电路端部的线段的各狭缝开口部侧上下端的中点的交点的距离。
而且，对于有狭缝的电路基板，如果对其图案进行补充说明，则每个导电电路中设为4条狭缝，狭缝的开始端部交错排列。将狭缝宽度设为0.05mm，将狭缝形成区域的导电电路的金属层残存部的宽度设为0.1mm。另外，使狭缝的朝向与凹部形成预定线的朝向匹配，使得狭缝部分在凹部形成时位于基板最为弯曲的部分，另外，将狭缝开口部的宽度设得略宽(0.1mm)。
凹部形状设为与实施例1相同。另外，在成形条件设为温度：330℃，压力：1.3MPa，时间：5分钟，取出温度：200℃，并将直到获得最终的凹部的形状的冲压的次数设为1次时(用1次的冲压完全地形成凹部时，以下称作「1阶段冲压」)，以及设为5次时(用5个阶段进行用于凹部形成的冲压，缓慢地进行凹部形成时，以下称作「5阶段冲压」)的两种情况下，都以目视确认到了导电电路的断线。试验次数设为20，将因凹部的形成而在导电电路中产生了断线的情况设为不良，将其发生率以百分率标表现。将结果表示于表1中。
表1
 凹部形成时的不良率(％)
 1阶段冲压   5阶段冲压
  有狭缝   0   0
  无狭缝   100   0
从表1中可以看到，即使是无狭缝的电路基板，如果利用多阶段冲压法(该实验中为5阶段冲压)，增加工序数，也能够实现凹部形成。与之不同，对于在导电电路中设置了狭缝的电路基板，可以用更少的工序数(该实验中为1阶段冲压)没有导电电路的断线地进行凹部形成，凹部成形性更为良好。
实验4<反射率提高效果的确认>
实施例6
使用在18μm厚的电解铜箔(古河サ-キツトフオイル公司制，「GTS-18」)上进行了单面粗面化处理的材料，在温度：310℃、压力：3MPa、时间：5分钟的条件下，与100μm厚的液晶聚合物薄膜(JAPAN GORE TEX公司制，「BIAC-BC」)贴合，得到了具有金属层的树脂薄膜。对该具有金属层的树脂薄膜，在与实施例1相同的条件下实施蚀刻，得到了在图10所示的电路图案中凹部形成预定部具有图16的形状的平板状的发光体用电路基板前体。
在所得的发光体用电路基板前体的表面，利用电镀，在铜箔上形成了3μm的银层。这里，在包括电极部(电极预定部)的部位，使用模具三维地形成直径：2.3mm、底面直径：1.7mm、深度：0.85mm的圆锥台形的凹部的情况下，计算在成为该凹部的壁面的部分中所占的电路部分(金属部分)的面积。同样地，在所述实施例5中形成的电路图案(图14和图15)中，也计算了在成为凹部壁面的部分中所占的电路部分的面积。在电路基板前体中，当将成为壁面的部分的面积设为D，将在图14、15、16中的成为凹部壁面的部分中所占的电路部分的面积分别设为A、B、C时，各自的相对比例如下所示。
A∶B∶C∶D＝13.4∶18.9∶54.1∶100
所以发现，图16中所示的电路图案在应当搭载发光元件的凹部的壁面中所占的比例大幅度增加。
另外使用所述发光体用电路基板前体，利用自分光光度计(日立制作所制「U-3500」)对液晶聚合物面、电镀银面的光反射率测定了累计光量。将结果作为镀银面相对于液晶聚合物薄膜面的反射率的增加率，表示于表2中。
[表2]
波长   增加率(％)
全部区域(400～800nm)   116
红(630nm)   107
绿(560nm)   114.6
蓝(430nm)   153.2
如该结果所示，镀银面的反射率相对于液晶聚合物薄膜面，对于蓝色波长光为1.53倍，对于全可见光也达到1.16倍。所以，通过如图16中所示的电路图案那样，增加在搭载发光元件的凹部的壁面中所占的电路部分的比例，就可以期待弥补薄膜面的短波长侧光的反射率的降低的效果，可以获得良好的发光体。
实验5<具有放射状对称型的延伸量的电路图案的效果的确认>
实施例7
除了取代电解铜箔，使用了压延铜箔(日興material公司制，「BHY-13B-T」)以外，在与所述实施例6相同的条件下，在液晶聚合物薄膜上形成图16所示的电路图案，得到了发光体用电路基板前体。另外，同样地，还制成了图14所示的电路图案的发光体用电路基板前体。
在这些发光体用电路基板前体上，实际上形成所述实施例6中所示的凹部，拍摄存在于凹部的底部的电极部的显微镜照片，在图14的电路图案中，测定了电极入口部和电极末端部的2个电极部间的距离(间隙)。另外，在图16的电路图案中，测定了2个电极部(图16的斜线部)间的距离、与电极部连接的2条导电电路间的电极入口部的距离(图16的箭头部)。将结果表示于表3中。而且，这里所谓「电极入口部」是指凹部的壁面与底面的交界的底面侧附近，所谓「电极末端部」之间的距离是指2个电极间的距离。
[表3]
  电路图案   凹部形成
  图14   电极入口部   0.10mm
  电极末端部   0.11mm
  图16   电极末端部   0.10mm
  另一方的电极末端部   0.10mm
根据该结果，在图14中所示的电路图案中，在由凹部形成得到的电极间隔中基本上没有问题，而在图16中所示的电路图案中，即具有俯视为放射状对称地曲折的延伸量的电路图案中，未观察到由凹部形成造成的电极间隔的紊乱。这被认为是因为，在凹部形成时所施加的力被向存在于凹部的壁面预定部上的电路部(金属部)均一地分散，而不是仅施加于一部分上。
所以，如果利用具有放射状对称的伸缩率的电路图案，则可以更为有效地防止由实际搭载发光元件时的错位引起的不良。此外，具有该电路图案的发光体在反射由发光元件发出的光的凹部中的电路部(金属部)的配置中不会有紊乱。即，在凹部中，形成从中心点成放射状均一的图案。所以，该电路图案是反射光的均一性优良的图案。
实验6<粘接力的确认>
实施例8
在将表面粗化了的金属箔热压接在液晶聚合物薄膜上，然后进行了蚀刻的情况下，对作为密封树脂的环氧树脂与薄膜的粘接力进行了研究。所用的材料如下所示。
·液晶聚合物薄膜1：JAPAN GORE TEX公司制「BIAC-BA」
·液晶聚合物薄膜2：JAPAN GORE TEX公司制「BIAC-BC」
·铜箔：单面粗化处理了的18μm厚电解铜箔(古河サ-キツトフオイル公司制，「GTS-18」)
蚀刻条件与所述实施例1相同。但是，将铜箔的粗化处理了的一侧向液晶聚合物薄膜贴附。而且，粗化处理了的一侧的铜箔表面的粗糙度为Rz：8μm。粘接力的测定是依照JIS K6850的粘接力测定方法进行的。即，将所得的发光体电路基板前体利用双液性环氧树脂类透明密封剂(稻畑产业公司制「HL2000A、HL2000B2」)贴附在宽：15mm、厚：2mm的铝板上。将该试验试样用拉伸试验机的夹紧件对称地固定于距离贴合面大约50mm的位置，以在65秒±20秒中粘接部破裂的一定速度使试验机动作，测定了破裂时的力。测定是对各试验试样各自试验5个，求得了其平均值。其中，贴合面设为15×15mm。另外，作为比较例，为了测定铜箔(电路面)和密封剂的粘接力，进行了不进行蚀刻处理的同样的试验。将结果表示于表4中。
[表4]
 试验试样   粘接力(N/mm2)
 未处理薄膜1蚀刻处理薄膜1   6.7216.84
 未处理薄膜2蚀刻处理薄膜2   5.8420.54
 铜箔(电路面)   14.42
根据该结果证实，在贴附了表面粗化了的铜箔后进行了蚀刻处理的液晶聚合物薄膜表面与密封剂的粘接力，与未处理的薄膜表面与密封剂的粘接力相比大幅度上升。具体来说，对于所述薄膜1约为2.5倍，对于薄膜2约为3.5倍，其高于铜箔(电路面)与密封剂的粘接力。另外，众所周知，液晶聚合物自身的耐湿特性与作为大多数的柔性电路基板的材料有实效的聚酰亚胺相比更为优良。所以，通过使用所述进行了蚀刻处理的液晶聚合物薄膜，电路基板与环氧树脂的粘接力被提高，从而可以期待因耐湿特性而更为优良等可靠性高的产品。
实验7<具有延伸量的电路的效果的确认>
实施例9
对在发光体电路基板前体中，在电路图案的导电电路部，具有考虑了凹部形成时的变形的延伸量的情况和不具有的情况的断线发生率的不同进行了试验。所用的材料如下所示。
·液晶聚合物薄膜：JAPAN GORE TEX公司制「BIAC-BA」
·铜箔：单面粗化处理了的18μm厚压延铜箔(日興material公司制，「BHY-13B-T」)
要形成的电路图案设为图14～16所示的图案，蚀刻条件与所述实施例8相同。将各图案分别设为实施例9-1～3。在所得的各发光体电路基板前体上，在所述实施例1的条件下，将冲压次数限定为1次而形成了凹部后，利用显微镜观察和导通测试确认了断线的有无。即使在导通的情况下，对于利用显微镜观察在电路中观察到了裂缝的试样也判定为断线。另外，凹部交界的曲率半径设为0.2mm(参照图12)，另外还形成了0.35mm和0.5mm这样的更为平缓的曲率半径下的凹部。对于各样品，各试验了20例，将断线发生率的结果表示于表5中。
[表5]断线发生率(％)
  曲率(mm)
  0.2   0.35   0.5
  实施例9-1   0   0   0
  实施例9-2   100   0   0
  实施例9-3   0   0   0
如该结果所示，如果增大曲率半径而形成平缓的凹部，则利用1个阶段的冲压不会引起断线，而当缩小曲率半径时，则在实施例9-2中即产生了断线。所以，在缩小曲率的情况下，优选进行多阶段冲压。但是，即使当曲率半径小时，在本发明的具有延伸量的电路图案的情况下，也不会产生断线。

Claims (26)

1.一种发光体用电路基板的制造方法，其特征是，包括电路图案形成工序和凹部形成工序，
所述电路图案形成工序是在液晶聚合物薄膜表面形成金属制电路图案的工序，该图案至少具有1对发光元件的电极预定部，该电极预定部各自经由导电电路与基板内的其他电路连接；
所述凹部形成工序是在包括该电极预定部的部位形成凹部的工序，该凹部具有该电极预定部及该导电电路所在的底部、以及该导电电路所在的壁面。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成多个所述凹部。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，能够在每个所述凹部存在多对所述电极预定部地形成所述电极预定部。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的制造方法，其中，作为所述液晶聚合物薄膜，使用在与薄膜平面平行的方向上的线膨胀系数被调整为25ppm/℃以下的薄膜。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的制造方法，其中，作为所述液晶聚合物使用热致液晶聚酯。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的制造方法，其中，在电路图案形成工序中，通过贴合至少将与所述液晶聚合物薄膜接触的一侧的表面粗化了的金属箔而进行蚀刻，来形成金属制电路图案。
7.根据权利要求1～6中任意一项所述的制造方法，其中，在电路图案形成工序中，形成留有平面状的、考虑到下一工序中形成所述凹部时的变形而留有余量的金属制电路图案。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，将考虑到形成所述凹部时的变形而留有余量的金属制电路图案，设为具有俯视呈曲折的形状的图案。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，将俯视呈曲折的形状设为实质上放射状对称的形状。
10.根据权利要求1～9中任意一项所述的制造方法，其中，在凹部形成工序中，在凹部的壁面的一部分或全部及其附近使液晶聚合物分子链再次取向。
11.根据权利要求1～10中任意一项所述的制造方法，其中，在电路图案形成工序中，在成形前的状态下，将在下一工序中成为凹部的壁面的部分中的金属制电路图案所占的面积的比例设为20～90％。
12.一种发光体用电路基板前体，其特征是，在液晶聚合物薄膜表面形成有金属制的电路图案，
在该电路图案中存在用于搭载发光元件的至少1对电极预定部，该电极预定部各自经由导电电路与基板内的其他的电路连接，并且
所述发光体用电路基板前体是为了在包括该电极预定部的部位，形成具有该电极预定部及该导电电路所在的底部、以及该导电电路所在的壁面的凹部而使用的基板前体。
13.根据权利要求12所述的发光体用电路基板前体，其中，是为了形成多个所述凹部而使用的基板前体。
14.根据权利要求12或13所述的发光体用电路基板前体，其中，具有多对所述电极预定部。
15.根据权利要求12～14中任意一项所述的发光体用电路基板前体，其中，所述液晶聚合物薄膜是在与薄膜平面平行的方向上的线膨胀系数被调整为25ppm/℃以下的薄膜。
16.根据权利要求12～15中任意一项所述的发光体用电路基板前体，其中，所述液晶聚合物为热致液晶聚酯。
17.根据权利要求12～16中任意一项所述的发光体用电路基板前体，其中，构成所述电路图案的金属箔的至少所述液晶聚合物薄膜侧的表面被粗化。
18.根据权利要求12～17中任意一项所述的发光体用电路基板前体，其中，所述导电电路留有平面状的、因所述液晶聚合物薄膜延伸引起变形所需的余量。
19.根据权利要求18所述的发光体用电路基板前体，其中，所述导电电路具有俯视呈曲折的形状。
20.根据权利要求19所述的发光体用电路基板前体，其中，所述曲折的形状是实质上放射状对称的形状。
21.根据权利要求12～20中任意一项所述的发光体用电路基板前体，其中，在将成为所述凹部的壁面的部分中的金属制电路图案所占的面积的比例，在成形前的状态下为20～90％。
22.一种发光体用电路基板，其特征是，在权利要求12～21中任意一项所述的发光体用电路基板前体的包括所述电极预定部的部位，形成有用于搭载发光元件的凹部，并且所述导电电路存在于该凹部的底面及壁面上。
23.根据权利要求22所述的发光体用电路基板，其中，在所述凹部的壁面的一部分或全部及其附近，利用液晶聚合物分子链的再次取向来提高弹性模量。
24.根据权利要求22或23所述的发光体用电路基板，其中，是长尺寸的并卷绕成卷状而成的发光体用电路基板。
25.一种发光体，其特征是，具有权利要求22～24中任意一项所述的发光体用电路基板。
26.根据权利要求25所述的发光体，其中，在发光体用电路基板的电路图案形成面的相反侧，具有散热机构。
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