CN1926260A - 表面缺陷少的溅射靶及其表面加工方法 - Google Patents
表面缺陷少的溅射靶及其表面加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1926260A CN1926260A CN200580006773.XA CN200580006773A CN1926260A CN 1926260 A CN1926260 A CN 1926260A CN 200580006773 A CN200580006773 A CN 200580006773A CN 1926260 A CN1926260 A CN 1926260A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- target
- ductility
- sputtering target
- carbonitride
- carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 22
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 17
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 claims description 16
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 10
- 244000137852 Petrea volubilis Species 0.000 claims description 7
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract 1
- 201000008827 tuberculosis Diseases 0.000 description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 19
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 10
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 206010011376 Crepitations Diseases 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000005596 ionic collisions Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/4998—Combined manufacture including applying or shaping of fluent material
- Y10T29/49988—Metal casting
- Y10T29/49989—Followed by cutting or removing material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及溅射靶的表面加工方法，其特征为，对在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质存在的体积比为1～50％的靶表面，先通过切削进行粗加工，接着通过研磨进行精加工。本发明提供可以改善存在大量没有延展性物质的靶表面，防止或抑制溅射时结核或颗粒的产生的溅射靶的表面加工方法。
Description
技术领域
本发明涉及靶表面上的裂纹、坑、脱落等表面缺陷少的溅射靶及其表面加工方法。
背景技术
溅射法作为形成薄膜的方法，已是众所周知的技术。其基本原理是，在氩气等的稀薄气体中，在形成薄膜的基板(阳极侧)和与之相距不远处相对配置的由薄膜形成物质构成的靶(阴极侧)之间施加电压，由此使氩气等离子化，此时产生的氩离子碰撞作为阴极物质的靶，其产生的能量使靶物质向外部飞出(敲出)，由此，该飞出物质在相对的基板面上形成层压。
利用此溅射原理的薄膜形成装置，如双级偏压溅射装置、高频溅射装置、等离子溅射装置等，有很多的改进，但基本原理相同。
形成薄膜的物质，因其成为氩离子的目标而被称为靶，但由于离子的碰撞能量，构成靶的薄膜形成物质以原子状或其原子集合成簇状而在基板上层压，所以有形成细小且致密的薄膜的特征，因此广泛的适用于现阶段的各种各样的电子部件。
用于形成这种薄膜的溅射，最近要求非常完善的成膜法，使制成的薄膜缺陷少成为重大课题。
在溅射中这种缺陷的产生，不光因为溅射法，由靶本身引起的也很多。作为产生这种由靶引起的缺陷的原因，有颗粒或结核的产生。
本来，从靶中溅射出(飞出)的物质附着在相对的基板上，但并不一定限于垂直溅射，而是从各个方向飞来。当这种飞来的物质附着在基板以外的溅射装置内的构件上时，会剥落漂移而再附着在基板上。
这种物质称为颗粒，但它不是本来预想的薄膜物质，而且多以大的簇状附着，所以，例如，在电子构件的细小配线膜上，成为短路、产生次品的原因。这种颗粒产生的原因是靶中的物质的飞来，也就是说其数量的多少取决于靶的表面状态。
而且，通常，溅射不会均匀减少靶面物质(腐蚀)，而由于构成物质和溅射装置的固有特性，施加电压的方法等，使特定的区域有被腐蚀的倾向，例如被腐蚀成环状。另外，由于靶物质的种类或靶的制造方法，靶上残存了很多粒状的突起物质，形成所谓的称为结核的物质。
因为这是薄膜形成物质的一种，虽然不直接影响薄膜，但观察到，此结核的突起上微小的弧(微弧)的产生，成为导致颗粒变大的原因。
另外，若结核大量产生，溅射率会变化(延缓)，成膜也变得不能控制。有时也有此粗大的结核脱落，附着在基板上的情况。
此时，结核本身就成为障碍的主要原因。因此，一旦停止溅射，就要进行除去结核的工作。这存在降低工作效率的问题。
最近，靶不再由均匀的物质构成，而多将金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他物质混在有延展性的基质相中使用。此时，特别是会出现结核或颗粒的产生增多的问题。
作为现有技术，公开了如下技术：除去了用于高熔点金属合金的溅射靶的表面上机械加工时产生的微小裂纹或缺陷等加工缺陷层(断裂层)的溅射靶(参考专利文献1)；调节溅射靶的表面粗糙度，减少残留污染物的量、表面的氢含量及加工变质层的厚度，膜的均匀化，抑制结核及颗粒的产生的技术(参考专利文献2)。
但是，对于具有不同脆性的相的溅射靶出现的问题，这些技术还不能解决。
专利文献1：特开平3-257158号公报
专利文献2：特开平11-1766号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供一种表面缺陷少的溅射靶及其表面加工方法，该溅射靶在其富含延展性的基质相中，存在很多金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质，可以改善靶表面，防止或抑制溅射时结核或颗粒的产生。
本发明提供：
1)一种表面缺陷少的溅射靶，其特征在于，在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质存在的体积比为1～50％的靶表面上，不存在由于机械加工引起的10μm以上的缺陷。
2)根据1)所述的溅射靶，其特征在于，在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质至少具有0.5～50μm大小的平均粒径。
3)根据1)或2)所述的溅射靶，其特征在于，富含延展性的基质相的维氏硬度在400以下，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质的维氏硬度在400以上，其硬度差至少为1.5倍。
另外，本发明还提供：
4)表面缺陷少的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，对在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质存在的体积比为1～50％的靶表面，先通过切削进行粗加工，接着通过研磨进行精加工。
5)根据4)所述的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，通过切削进行粗加工时，从靶材料的表面起，以1mm～10mm的范围切削。
6)根据4)或5)所述的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，通过研磨进行精加工时，从经过切削的粗加工后的表面起，以1μm～50μm的范围研磨。
7)根据4)～6)中任一项所述的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，用#80～#400的粗磨粒的砂纸或磨石研磨。
8)根据4)～7)中任一项所述的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，通过使用车刀或切片的车床加工进行切削。
9)根据4)～8)中任一项所述的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质至少具有0.5～50μm大小的平均粒径。
10)根据4)～9)中任一项所述的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，富含延展性的基质相的维氏硬度在400以下，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质的维氏硬度在400以上，其硬度差至少为1.5倍。
发明效果
本发明通过对在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质存在的体积比为1～50％的靶表面，先通过切削进行粗加工，接着通过研磨进行精加工，可以得到裂纹、坑、脱落等表面缺陷少的溅射靶，用该溅射靶溅射，具有如下优异的效果，10μm以上的缺陷实际上没有，表面粗糙度改善，而且颗粒的产生及靶使用后结核的产生显著减少。
具体实施方式
成为本发明的表面加工对象的靶，是富含延展性的基质相和体积比为它的1～50％的金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质混在一起组成的靶。
对这种混入了没有延展性的物质的靶材料，例如，若通过车刀进行切削加工，以存在金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质的场所为起点，形成裂纹、因脱落引起的坑、某些场合碎片残留在坑中而成的该形状的瑕疵。
即使平均粒径大小为0.5～50μm以上的没有延展性的材料部分均匀且细致的分散，这样的表面缺陷也很容易发生。另外，若测定此时的硬度，富含延展性的基质相的维氏硬度在400以下，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质的维氏硬度在400以上，其硬度差多为1.5倍。
因此，此时，本发明的表面加工方法发挥特殊的效用。
本发明通过切削加工进行粗加工，从靶材料的表面起，优选切削1mm～10mm的范围的粗加工后，通过研磨进行精加工。切削范围为1mm～10mm是为了有效的除去之前形成的靶材料表面的缺陷。优选通过使用车刀或切片的车床加工进行切削。
如上所述，此磨削加工(粗加工)会产生的裂纹、因脱落引起的坑等缺陷，但例如，可用#80～#400的粗磨粒的砂纸或磨石将其研磨。由此，形成消除上述的裂纹、因脱落引起的坑等缺陷的平滑的靶表面。
#80～#400的粗磨粒的砂纸或磨石，能够很有效的除去以金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质为起点的由于切削加工而产生的缺陷，是制作具有富含延展性的基质相的平滑的面的最适范围。此时，没有必要进行镜面研磨，只要能除去裂纹的脱落、坑即可。
制作平滑且没有裂纹、因脱落引起的坑等表面缺陷的靶时，可以考虑一开始就对靶材料用#80～#400的粗磨粒的砂纸或磨石进行研磨。但是，此时会出现研磨加工所需时间延长，和维持富含延展性的基质物质附着在磨石上所需的磨石的频率增加的问题。
另外，特别是手工进行研磨加工时，即使表面粗糙度没有差别，也容易导致外周和中心被更多的研磨，出现靶表面上产生浮凸的问题。因此，不进行磨削加工只进行研磨加工的靶表面加工方法在现实中不能实施。
本发明对靶表面先通过切削进行粗加工，接着通过研磨进行精加工而得到的溅射靶，如后述的实施例所示，得到如下的效果，实际上没有10μm以上的缺陷，表面粗糙度改善，而且颗粒的产生及靶使用后结核的产生显著减少。
实施例
下面对实施例进行说明。当然，本实施例是为了说明发明的一个例子，本发明并不受这些实施例的限制。
实施例1
在本实施例1中，使用以Co、Cr、Pt、B为原料，在熔融及轧制的制造条件下制造的靶，通过用车床切削进行粗加工，接着用#280的砂纸进行10分钟的研磨加工。
然后，使用该靶，在1.5Pa的Ar环境中，以30w/cm2的DC溅射条件在基板上形成溅射膜。
此时，10μm以上的缺陷密度、平均表面粗糙度、使用后的结核数、颗粒数以及表面加工条件如表1所示。
另外，磨削加工后的靶的表面状态及研磨加工后的靶的表面状态的显微镜照片如图1及图2所示。认为图1有大量的裂纹、因脱落引起的坑等缺陷。但研磨后的图2则认为完全没有表面缺陷。
表1
| 10μm以上的缺陷密度(个/cm2) | 平均表面粗糙度(μm) | 使用后的结核数 | 颗粒数 | 表面加工法 | |
| 实施例1 | 0 | 1.0 | 50 | 少 | 加工法1 |
| 实施例2 | 0 | 0.4 | 45 | 少 | 加工法1 |
| 比较例1 | 85 | 1.8 | 221 | 多 | 加工法2 |
| 比较例2 | 50 | 1.6 | 182 | 多 | 加工法2 |
| 比较例3 | 30 | 0.9 | 170 | 多 | 加工法2 |
| 比较例4 | 0 | 0.4 | 42 | 少 | 加工法3 |
加工法1：切削加工+研磨加工；加工法2：只有切削加工；加工法3：只有研磨加工在比较例4中，靶的研磨面上有浮凸。
实施例2
在本实施例2中，使用与实施例1一样的，以Co、Cr、Pt、B为原料，在熔融及轧制的制造条件下制造的靶，通过用车床切削进行粗加工，接着用#400的砂纸进行30分钟的研磨加工。
使用该靶，与实施例1一样进行溅射，检查10μm以上的缺陷密度、平均表面粗糙度、使用后的结核数、颗粒数。该结果同样如表1所示。
另外，用显微镜观察磨削加工后的靶的表面状态及研磨加工后的靶的表面状态。认为在磨削加工后的靶表面上，有大量的裂纹、因脱落引起的坑等缺陷。但研磨后的靶与实施例1一样，认为完全没有表面缺陷。
比较例1
比较例1与实施例1一样，使用以Co、Cr、Pt、B为原料，在熔融及轧制的制造条件下制造的靶，通过用车床切削进行粗加工。此时的进入量为0.5mm。此后不进行研磨加工。
使用该靶，与实施例1一样进行溅射，检查10μm以上的缺陷密度、平均表面粗糙度、使用后的结核数、颗粒数。该结果同样如表1所示。
另外，用显微镜观察磨削加工后的靶的表面状态时，认为在磨削加工后的靶表面上，有大量的裂纹、因脱落引起的坑等缺陷，10μm以上的缺陷密度增大。结核数及颗粒数也增多。
比较例2
比较例2除通过车床切削进行粗加工时的进入量为0.1mm外，其他条件均与比较例1相同。不实施研磨加工。
使用该靶，与实施例1一样进行溅射，检查10μm以上的缺陷密度、平均表面粗糙度、使用后的结核数、颗粒数。该结果同样如表1所示。
另外，用显微镜观察磨削加工后的靶的表面状态时，认为在磨削加工后的靶表面上，有大量的裂纹、因脱落引起的坑等缺陷，10μm以上的缺陷密度增大。如表1所示，结核数及颗粒数也增多。
比较例3
比较例3除通过车床切削进行粗加工时的进入量为0.05mm外，其他条件均与比较例1相同。不实施研磨加工。
使用该靶，与实施例1一样进行溅射，检查10μm以上的缺陷密度、平均表面粗糙度、使用后的结核数、颗粒数。该结果同样如表1所示。
另外，用显微镜观察磨削加工后的靶的表面状态时，认为在磨削加工后的靶表面上，有大量的裂纹、因脱落引起的坑等缺陷，10μm以上的缺陷密度增大。
由于进入量与比较例1及比较例2相比小，缺陷量稍少，但有相同的倾向。如表1所示，结核数及颗粒数也增多。
比较例4
比较例4与实施例1一样，使用以Co、Cr、Pt、B为原料，在熔融及轧制的制造条件下制造的靶，从开始就通过手工加工进行研磨，依次使用#80、#150、#280、#400的磨石进行精加工。
此时，出现研磨加工所需时间延长，和维持富含延展性的基质物质附着在磨石上所需的磨石的频率增加的问题。
另外，特别是通过手工加工进行研磨加工时，即使表面粗糙度没有差别，也导致外周和中心被更多的研磨，在靶表面上产生浮凸。其作为靶是有缺陷的。
如上述的实施例1-2所示，10μm以上的缺陷密度为0个/cm2，与比较例相比显著减少。另外，平均表面粗糙度也比比较例提高。
而且，发现在薄膜形成中，成为特殊问题的靶溅射后的结核数及颗粒数显著减少。
因此，本发明的切削加工和研磨加工的表面加工方法，对于在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质存在的体积比为1～50％的靶的表面加工具有优异的效果。
工业实用性
本发明对靶表面先通过切削进行粗加工，接着通过研磨进行精加工，可以得到没有裂纹、坑、脱落等缺陷的溅射靶，通过用该靶溅射，有显著减少颗粒的产生及靶使用后结核的产生的优异效果，因此，对在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质存在的体积比为1～50％的靶特别有效。
Claims (10)
1.一种表面缺陷少的溅射靶，其特征在于，在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质存在的体积比为1～50％的靶表面上，不存在由于机械加工引起的10μm以上的缺陷。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质至少具有0.5～50μm大小的平均粒径。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，富含延展性的基质相的维氏硬度在400以下，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质的维氏硬度在400以上，其硬度差至少为1.5倍。
4.表面缺陷少的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，对在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质存在的体积比为1～50％的靶表面，先通过切削进行粗加工，接着通过研磨进行精加工。
5.根据权利要求4所述的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，通过切削进行粗加工，从靶材料的表面起，以1mm～10mm的范围切削。
6.根据权利要求4或5所述的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，通过研磨进行精加工，从经过切削的粗加工后的表面起，以1μm～50μm的范围研磨。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，用#80～#400的粗磨粒的砂纸或磨石研磨。
8.根据权利要求4～7中任一项所述的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，通过使用车刀或切片的车床加工进行切削。
9.根据权利要求4～8中任一项所述的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，在富含延展性的基质相中，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质至少具有0.5～50μm大小的平均粒径。
10.根据权利要求4～9中任一项所述的溅射靶的表面加工方法，其特征在于，富含延展性的基质相的维氏硬度在400以下，金属间化合物、氧化物、碳化物、碳氮化物、其他没有延展性的物质的维氏硬度在400以上，其硬度差至少为1.5倍。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP055989/2004 | 2004-03-01 | ||
| JP2004055989 | 2004-03-01 | ||
| PCT/JP2005/002209 WO2005083148A1 (ja) | 2004-03-01 | 2005-02-15 | 表面欠陥の少ないスパッタリングターゲット及びその表面加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1926260A true CN1926260A (zh) | 2007-03-07 |
| CN1926260B CN1926260B (zh) | 2010-10-06 |
Family
ID=34908889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200580006773.XA Active CN1926260B (zh) | 2004-03-01 | 2005-02-15 | 表面缺陷少的溅射靶及其表面加工方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7909949B2 (zh) |
| JP (1) | JP4827033B2 (zh) |
| CN (1) | CN1926260B (zh) |
| MY (1) | MY153650A (zh) |
| TW (1) | TW200540285A (zh) |
| WO (1) | WO2005083148A1 (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101700616B (zh) * | 2009-11-10 | 2011-07-27 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 溅射靶材的表面处理方法 |
| CN102224276A (zh) * | 2009-03-03 | 2011-10-19 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
| CN102666912A (zh) * | 2009-12-25 | 2012-09-12 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 粉粒产生少的溅射靶及该靶的制造方法 |
| CN101990584B (zh) * | 2008-04-03 | 2013-05-08 | Jx日矿日石金属株式会社 | 粉粒产生少的溅射靶 |
| CN103620083A (zh) * | 2011-06-30 | 2014-03-05 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Co-Cr-Pt-B型合金溅射靶及其制造方法 |
| CN106312565A (zh) * | 2015-06-15 | 2017-01-11 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件的加工方法 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1926260B (zh) * | 2004-03-01 | 2010-10-06 | 日矿金属株式会社 | 表面缺陷少的溅射靶及其表面加工方法 |
| CN100552080C (zh) * | 2004-03-26 | 2009-10-21 | 日矿金属株式会社 | Co-Cr-Pt-B类合金溅射靶 |
| WO2007046162A1 (ja) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Japan Science And Technology Agency | 質量分析法に用いられる試料ターゲットおよびその製造方法、並びに当該試料ターゲットを用いた質量分析装置 |
| WO2009119812A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 日鉱金属株式会社 | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット |
| SG172295A1 (en) | 2009-03-27 | 2011-07-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Nonmagnetic material particle-dispersed ferromagnetic material sputtering target |
| SG173596A1 (en) | 2009-08-06 | 2011-09-29 | Jx Nippon Mining & Metals Coporation | Inorganic-particle-dispersed sputtering target |
| CN102652184B (zh) | 2009-12-11 | 2014-08-06 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 磁性材料溅射靶 |
| MY149437A (en) | 2010-01-21 | 2013-08-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ferromagnetic material sputtering target |
| SG185768A1 (en) | 2010-07-20 | 2013-01-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target of ferromagnetic material with low generation of particles |
| CN102482765B (zh) | 2010-07-20 | 2014-03-26 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 粉粒产生少的强磁性材料溅射靶 |
| SG10201505733SA (en) * | 2010-07-30 | 2015-09-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target and/or coil, and process for producing same |
| WO2012029498A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｆｅ－Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット |
| DE102010042828A1 (de) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Walter Ag | Target für Lichtbogenverfahren |
| TWI623634B (zh) | 2011-11-08 | 2018-05-11 | 塔沙Ｓｍｄ公司 | 具有特殊表面處理和良好顆粒性能之矽濺鍍靶及其製造方法 |
| TWI504768B (zh) | 2012-01-13 | 2015-10-21 | Tanaka Precious Metal Ind | FePt sputtering target and its manufacturing method |
| SG11201404314WA (en) | 2012-02-22 | 2014-10-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Magnetic material sputtering target and manufacturing method for same |
| MY170298A (en) | 2012-02-23 | 2019-07-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ferromagnetic material sputtering target containing chromium oxide |
| JP6083679B2 (ja) * | 2012-03-09 | 2017-02-22 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP5592022B2 (ja) | 2012-06-18 | 2014-09-17 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット |
| JP5457615B1 (ja) | 2012-07-20 | 2014-04-02 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2014034390A1 (ja) | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｆｅ系磁性材焼結体 |
| CN108884557B (zh) | 2016-03-31 | 2020-12-08 | 捷客斯金属株式会社 | 强磁性材料溅射靶 |
| JP7158316B2 (ja) * | 2019-03-05 | 2022-10-21 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US11274363B2 (en) * | 2019-04-22 | 2022-03-15 | Nxp Usa, Inc. | Method of forming a sputtering target |
| CN115233175A (zh) * | 2022-08-08 | 2022-10-25 | 新加坡先进薄膜材料私人有限公司 | 一种钌旋转溅射靶材的制备方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4895592A (en) * | 1987-12-14 | 1990-01-23 | Eastman Kodak Company | High purity sputtering target material and method for preparing high purity sputtering target materials |
| JPH03257158A (ja) | 1990-03-07 | 1991-11-15 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
| JPH06136524A (ja) | 1992-10-27 | 1994-05-17 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲット |
| JP2794382B2 (ja) * | 1993-05-07 | 1998-09-03 | 株式会社ジャパンエナジー | スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法 |
| JPH09228037A (ja) | 1996-02-16 | 1997-09-02 | Tomonobu Hata | 化合物薄膜の高速作成用ターゲットおよび蒸発源 |
| JP3867328B2 (ja) * | 1996-12-04 | 2007-01-10 | ソニー株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP3755559B2 (ja) * | 1997-04-15 | 2006-03-15 | 株式会社日鉱マテリアルズ | スパッタリングターゲット |
| JPH11293454A (ja) | 1998-04-14 | 1999-10-26 | Hitachi Metals Ltd | Ａｌ系スパッタリング用ターゲット材及びその製造方法 |
| JP3825191B2 (ja) | 1998-12-28 | 2006-09-20 | 株式会社神戸製鋼所 | アルミニウム合金スパッタリングターゲット材料 |
| US6599377B2 (en) * | 1999-10-01 | 2003-07-29 | Heraeus, Inc. | Wrought processing of brittle target alloy for sputtering applications |
| JP2002069623A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Hitachi Metals Ltd | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系ターゲットおよび磁気記録媒体 |
| JP2002208125A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-26 | Hitachi Metals Ltd | Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系ターゲット材および磁気記録媒体 |
| JP2003226954A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Daido Steel Co Ltd | 表面硬質層を有する刃物材とその製造方法 |
| CN1926260B (zh) | 2004-03-01 | 2010-10-06 | 日矿金属株式会社 | 表面缺陷少的溅射靶及其表面加工方法 |
| CN100552080C (zh) * | 2004-03-26 | 2009-10-21 | 日矿金属株式会社 | Co-Cr-Pt-B类合金溅射靶 |
| EP1785505B1 (en) | 2004-08-10 | 2009-09-02 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Barrier film for flexible copper substrate and sputtering target for forming barrier film |
| US20070017803A1 (en) * | 2005-07-22 | 2007-01-25 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target manufacturing method |
| US20070215463A1 (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-20 | Applied Materials, Inc. | Pre-conditioning a sputtering target prior to sputtering |
| WO2008096648A1 (ja) | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット及びその製造方法並びに同スパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体及びその製造方法 |
| WO2009119812A1 (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 日鉱金属株式会社 | 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット |
-
2005
- 2005-02-15 CN CN200580006773.XA patent/CN1926260B/zh active Active
- 2005-02-15 JP JP2006510397A patent/JP4827033B2/ja active Active
- 2005-02-15 US US10/598,502 patent/US7909949B2/en active Active
- 2005-02-15 WO PCT/JP2005/002209 patent/WO2005083148A1/ja active Application Filing
- 2005-02-21 TW TW094105015A patent/TW200540285A/zh unknown
- 2005-02-25 MY MYPI20050762A patent/MY153650A/en unknown
-
2011
- 2011-02-11 US US13/025,207 patent/US8663402B2/en active Active
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101990584B (zh) * | 2008-04-03 | 2013-05-08 | Jx日矿日石金属株式会社 | 粉粒产生少的溅射靶 |
| CN102224276A (zh) * | 2009-03-03 | 2011-10-19 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
| CN102224276B (zh) * | 2009-03-03 | 2014-02-19 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
| TWI481735B (zh) * | 2009-03-03 | 2015-04-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target and its manufacturing method |
| CN101700616B (zh) * | 2009-11-10 | 2011-07-27 | 宁波江丰电子材料有限公司 | 溅射靶材的表面处理方法 |
| CN102666912A (zh) * | 2009-12-25 | 2012-09-12 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 粉粒产生少的溅射靶及该靶的制造方法 |
| CN102666912B (zh) * | 2009-12-25 | 2015-02-25 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 粉粒产生少的溅射靶及该靶的制造方法 |
| CN103620083A (zh) * | 2011-06-30 | 2014-03-05 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Co-Cr-Pt-B型合金溅射靶及其制造方法 |
| CN105239042A (zh) * | 2011-06-30 | 2016-01-13 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Co-Cr-Pt-B型合金溅射靶及其制造方法 |
| CN105239042B (zh) * | 2011-06-30 | 2019-07-05 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | Co-Cr-Pt-B型合金溅射靶及其制造方法 |
| CN106312565A (zh) * | 2015-06-15 | 2017-01-11 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件的加工方法 |
| CN106312565B (zh) * | 2015-06-15 | 2019-03-05 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 靶材组件的加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1926260B (zh) | 2010-10-06 |
| MY153650A (en) | 2015-03-13 |
| TWI346712B (zh) | 2011-08-11 |
| US20110132757A1 (en) | 2011-06-09 |
| US8663402B2 (en) | 2014-03-04 |
| US20070125645A1 (en) | 2007-06-07 |
| US7909949B2 (en) | 2011-03-22 |
| JPWO2005083148A1 (ja) | 2008-04-24 |
| TW200540285A (en) | 2005-12-16 |
| JP4827033B2 (ja) | 2011-11-30 |
| WO2005083148A1 (ja) | 2005-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1926260A (zh) | 表面缺陷少的溅射靶及其表面加工方法 | |
| JP5301531B2 (ja) | パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット | |
| TWI525206B (zh) | Ytterbium sputtering target and manufacturing method of the target | |
| CN102224276B (zh) | 溅射靶及其制造方法 | |
| JP4897113B2 (ja) | パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 | |
| CN101068947A (zh) | Sb－Te系合金烧结体溅射靶 | |
| JP5879664B2 (ja) | 切削工具 | |
| CN1823178A (zh) | 溅射靶以及该溅射靶的表面精加工方法 | |
| JP2011089198A (ja) | Ｃｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JP2020158811A (ja) | ＴａＷＳｉターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2001303243A (ja) | スパッタリングターゲットとその製造方法、および電子部品 | |
| WO2021235047A1 (ja) | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット用板材 | |
| KR20220138333A (ko) | 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 | |
| JP2003260606A (ja) | 硬質皮膜被覆工具及びその製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: JX NIPPON MINING + METALS CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: NIPPON MINING + METALS CO., LTD. Effective date: 20110104 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20110104 Address after: Tokyo, Japan, Japan Patentee after: JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Address before: Tokyo, Japan, Japan Patentee before: Nippon Mining & Metals Co., Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Tokyo, Japan, Japan Patentee after: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION Address before: Tokyo, Japan, Japan Patentee before: JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd. |
|
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: Tokyo, Japan Patentee after: JKS Metal Co.,Ltd. Address before: Tokyo, Japan Patentee before: JKS Metal Co.,Ltd. |
|
| CP02 | Change in the address of a patent holder |