CN1915823A - 高纯度硫酸钠的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种高纯度硫酸钠的制备方法,以甲酸钠和浓硫酸为原料,在反应釜中经化学反应后得到甲酸和硫酸钠的混合物,通过干燥设备抽真空将甲酸蒸发后分离得到固体的粗硫酸钠,将粗硫酸钠用氢氧化钠中和,再通过重结晶后得到98%以上的硫酸钠。本发明通过加碱中和及重结晶工艺,所得硫酸钠纯度可达98%,同时因将硫酸氢钠杂质转变成了硫酸钠,提高了硫酸钠收率,降低成本,综合效益好;实施本发明使用的设备,只需在现有设备的基础上增加一些简单设备即可,投资较小。
Description
技术领域
本发明涉及一种以甲酸钠和浓硫酸为原料,通过重结晶的方法生产高纯度硫酸钠的方法。
背景技术
现有的以甲酸钠和浓硫酸为原料生产硫酸钠的方法是:甲酸钠和浓硫酸在反应釜中经化学反应后,反应混合物在干燥器中抽真空干燥,将甲酸蒸发分离而得到硫酸钠。中国专利CN1153767A公开了一种生产甲酸和硫酸钠的方法。采用上述方法生产硫酸钠,所得产物中往往含有大量杂质,并且由于残硫酸和副产物硫酸氢钠的存在,使最终产品硫酸钠呈强酸性,所得硫酸钠纯度较低。
发明内容
本发明的目的是提供一种杂质含量低,残硫酸和副产物硫酸氢钠少,得到硫酸钠纯度高的硫酸钠的制备方法。
本发明的目的是这样实现的:以甲酸钠和浓硫酸为原料,在反应釜中经化学反应后得到甲酸和硫酸钠的混合物,通过干燥设备抽真空将甲酸蒸发后分离得到固体的粗硫酸钠,将粗硫酸钠用碱进行中和,再通过重结晶后得到高纯度硫酸钠。将粗硫酸钠用碱进行中和时控制PH值达到7。通过重结晶后得到的硫酸钠纯度达到98%。加入的碱为32%~48%氢氧化钠。重结晶温度为0℃~-5℃。
本发明所提供的高纯度硫酸钠的制备方法,通过加碱中和及重结晶工艺,所得硫酸钠纯度可达98%,同时因将硫酸氢钠杂质转变成了硫酸钠,提高了硫酸钠收率,降低成本,综合效益好;实施本发明使用的设备,只需在现有设备的基础上增加一些简单设备即可,投资较小。
具体实施方式
本发明中:
主反应:
副反应:
提纯反应:
本发明在加入32-48%NaOH的进行中和时,NaOH的浓度越高,加入量就越少,最终控制产品PH值为7,达到中和的目的。
实施例一:
加入70kg甲酸作为底酸,将甲酸钠和浓硫酸按1.3∶1质量比投入反应釜,反应混合物在夹套型油浴干燥器中抽真空分离甲酸后,得到92%的固体粗硫酸钠,将固体粗硫酸钠放入中和罐中,加入32%的氢氧化钠318kg进行中和,再在0℃结晶器中进行结晶、提纯,最后过滤、干燥即得到98%的硫酸钠。
实施例二:
加入70kg甲酸作为底酸,将甲酸钠和浓硫酸按1.3∶1质量比投入反应釜,反应混合物在夹套型油浴干燥器中抽真空分离甲酸后,得到92%的固体粗硫酸钠,将固体粗硫酸钠放入中和罐中,加入40%的氢氧化钠254.4kg进行中和,再在0℃结晶器中进行结晶、提纯,最后过滤、干燥即得到98%的硫酸钠。
实施例三:
加入70kg甲酸作为底酸,将甲酸钠和浓硫酸按1.3∶1质量比投入反应釜,反应混合物在夹套型油浴干燥器中抽真空分离甲酸后,得到92%的固体粗硫酸钠,将固体粗硫酸钠放入中和罐中,加入48%的氢氧化钠212kg进行中和,再在-5℃结晶器中进行结晶、提纯,最后过滤、干燥即得到98%以上的硫酸钠。在-5℃时进行重结晶产品纯度比0℃时提高0.001个数量级。
Claims (5)
1、一种高纯度硫酸钠的制备方法,以甲酸钠和浓硫酸为原料,在反应釜中经化学反应后得到甲酸和硫酸钠的混合物,通过干燥设备抽真空将甲酸蒸发后分离得到固体的粗硫酸钠,其特征在于:将粗硫酸钠用碱进行中和,再通过重结晶后得到高纯度的硫酸钠。
2、根据权利要求1所述的高纯度硫酸钠的制备方法,其特征在于:将粗硫酸钠用碱进行中和时控制PH值达到7。
3、根据权利要求1所述的高纯度硫酸钠的制备方法,其特征在于:通过重结晶后得到的硫酸钠纯度达到98%。
4、根据权利要求1或2所述的高纯度硫酸钠的制备方法,其特征在于:加入的碱为32%~48%氢氧化钠。
5、根据权利要求1或2或3所述的高纯度硫酸钠的制备方法,其特征在于:重结晶温度为0℃~-5℃。
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CN 200610020031 CN1915823A (zh) | 2006-08-23 | 2006-08-23 | 高纯度硫酸钠的制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2006
- 2006-08-23 CN CN 200610020031 patent/CN1915823A/zh active Pending
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PB01 | Publication | ||
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C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |