CN1892441A - 光刻装置、污染物收集器和器件制造方法 - Google Patents

Abstract

一种光刻装置，包括具有用于产生辐射光束的辐射源的辐射***和布置在辐射光束的路径中的污染物收集器。所述污染物收集器包括多个限定通道的薄片或板，所述通道布置成大体上平行于所述辐射光束的传播方向。所述薄片或板相对辐射光束的光轴大体上径向地定向。所述污染物收集器具有气体喷射器，其配置成在至少两个不同位置将气体直接喷射到污染物收集器的至少一个通道中。

Description

光刻装置、污染物收集器和器件制造方法

技术领域

本发明涉及一种光刻装置、一种污染物收集器、一种制造器件的方法以及使用该方法制造的器件。

背景技术

光刻装置是将期望的图案应用于基底通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件或者也可以称为掩模或中间掩模版，其可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被转印到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一个或者多个管芯)。通常这种图案的转印是通过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般地，单一的基底将包含被相继构图的相邻靶部的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射光束下沿给定的方向(“扫描”方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图部件转印到基底上。

在此引入作为参考的WO99/42904公开了一种称为过滤器的污染物收集器，用于收集源的碎屑。所述已知的污染物收集器包括多个扁平的或锥形的薄片或板，其从辐射源布置在径向方向。源、过滤器和投影***可以布置在缓冲气体如氪中，其压力为0.5托。那么污染物微粒就具有缓冲气体的温度，例如室温，由此在污染物微粒进入过滤器之前充分地减小微粒的速度。已知污染物收集器中的压力等于其环境的压力。该收集器距离源2cm布置，它的板的长度在辐射的传播方向上为至少1cm，优选是7cm。这种设计需要相对大且成本高的收集和导向/整形光学器件，以便约束和整形源辐射并将其导向到掩模。

欧洲专利申请No.1203899.8描述了用于收集碎屑的另一种改进器件，所述碎屑例如由等离子体源发出或来自暴露于EUV辐射的抗蚀剂。该文献描述了一种污染物收集器，其包括布置成与辐射光束的传播方向平行的第一组板构件，和布置成平行于传播方向的第二组板构件。第一组和第二组板构件沿辐射光束的光轴彼此隔开。第一组板构件和第二组板构件之间存在一个空间。向该空间提供冲洗气体以提供高的气体压力来收集污染物微粒。这两组板构件设计成使得气体的泄漏最小，以及收集器外部的气压保持较低。然而，该具有相对高压的气体也会吸收一定量的EUV。

发明内容

本发明的一个方面是进一步改进收集和/或减少碎屑，同时使污染物收集器具有相对简单的设计。

根据本发明的一个方面，提供一种光刻装置，包括：具有用于产生辐射光束的辐射源的辐射***；和布置在辐射光束的路径中的污染物收集器，所述污染物收集器包括多个限定通道的薄片或板，所述通道布置成大体上平行于所述辐射光束的传播方向，其中所述污染物收集器具有气体喷射器，其配置成在至少两个不同位置将气体直接喷射到污染物收集器的至少一个通道中。例如在一个实施例中，薄片或板大体上相对辐射光束的光轴径向定向。例如，可以在至少两个、三个、四个或更多不同位置将气体喷射到通道中。

在一个实施例中，提供一种光刻装置，包括：具有用于产生辐射光束的辐射源的辐射***；和布置在辐射光束的路径中的污染物收集器，所述污染物收集器包括多个限定通道的薄片或板，所述通道布置成大体上平行于所述辐射光束的传播方向，其中所述污染物收集器具有气体供给***，其配置成将气体直接喷射到污染物收集器的每个通道中。然后所述气体供给***配置成在每个通道中实现：

$\underset{x1}{\overset{x2}{\∫}}p\left(x\right)\mathrm{dx}>1(\mathrm{Pa}.m)$

其中p(x)是通道中在位置x处的压力，x1是通道入口的位置，x2是通道中气体流出口的位置。

此外，在一个实施例中，提供一种污染物收集器，其配置成在使用中布置在辐射光束的路径中，所述污染物收集器包括多个限定辐射传输通道的薄片或板，所述通道在使用中大体上传输辐射光束，其中所述污染物收集器具有气体供给***，其配置成在至少两个不同位置将气体直接喷射到污染物收集器的至少一个通道中。例如，提供一种污染物收集器，其配置成在使用中布置在辐射光束的路径中，所述污染物收集器包括多个限定辐射传输通道的薄片或板，所述通道在使用中大体上传输辐射光束，其中所述污染物收集器具有气体供给***，其配置成在至少两个不同位置将气体直接喷射到污染物收集器的至少一个通道中，其中所述气体供给***配置成在每个通道中实现：

$\underset{x1}{\overset{x2}{\∫}}p\left(x\right)\mathrm{dx}>1(\mathrm{Pa}.m)$

其中p(x)是通道中在位置x处的压力，x1是通道入口的位置，x2是通道中气体流出口的位置。

此外，根据一个实施例，提供一种光刻装置，包括：具有用于产生辐射光束的辐射源的辐射***；和布置在辐射光束的路径中的污染物收集器，所述污染物收集器包括多个限定通道以大体上传输所述辐射光束的薄片或板，其中每个薄片或板具有至少第一部分和第二部分，薄片或板的第一部分和第二部分相对彼此在不同的方向延伸并沿中间线连接，其中中间线的虚拟延长线相交在辐射源的中心。

例如，薄片或板的第一和第二部分包括彼此小于180°的角度，例如大约170°或者更小。

此外，提供一种光刻装置，包括：具有用于产生辐射光束的辐射源的辐射***；和布置在辐射光束的路径中的污染物收集器，所述污染物收集器包括多个限定通道以大体上传输所述辐射光束的薄片或板，其中所述污染物收集器具有气体喷射器，其配置成将在一个或多个位置将气体直接喷射到污染物收集器的至少一个通道中，其中所述气体喷射器具有一个或多个气体供给管，例如延伸穿过薄片或板的气体供给环或环形部分，其中所述污染物收集器具有一个或多个隔热板，其配置成在使用中使一个或多个气体供给管大体上与辐射光束隔离。作为一个实例，在一个简单的实施例中，每个隔热板可以由从薄片或板延伸的隔热板部分形成，例如从薄片或板弯曲出的部分，其中优选的是当沿辐射光束的辐射传播方向看时邻接薄片或板的隔热板部分彼此重叠。

此外，提供一种根据权利要求15的特征的器件制造方法。例如，提供一种方法，包括：将带图案的辐射光束投影到基底上，其中：提供源以产生辐射光束，在辐射光束的路径中提供污染物收集器，其中所述污染物收集器包括限定大体上传输所述辐射光束的辐射传输通道的多个薄片或板，其中在至少两个不同位置将气体直接喷射到污染物收集器的至少一个通道中。

此外，提供一种使用上述方法或使用根据本发明的上述装置制造的器件。

附图说明

现在仅仅通过实例的方式，参考随附的示意图描述本发明的各个实施例，附图中相应的参考标记表示相应的部件，其中：

图1示出了根据本发明的一个实施例的光刻装置；

图2示意性地示出了根据本发明的另一个实施例的光刻装置的一部分；

图3A是包括气体喷射毛细管的污染物收集器的第一实施例的透视图；

图3B与图3A相似，但是没有显示薄片；

图4是污染物收集器的第一实施例的前视图，其没有显示毛细管；

图5是污染物收集器的第一实施例的圆周截面的细节；

图6是图5中线VI-VI的截面；

图7是第一实施例局部剖开的侧视图，其显示了两个毛细管相对源和收集器的定向以及更加详细的多个辐射路径；

图8示意性地示出了图2的实施例的细节，其显示了在辐射源的相对侧附近的可选的氦供应器和污染物收集器；

图9A是包括气体喷射环的污染物收集器的第二实施例的透视图；

图9B与图9A相似，但是没有显示薄片；

图10是污染物收集器的第二实施例的气体供给环的细节的侧视图；

图11是图10中线XI-XI的截面；

图12是污染物收集器的第二实施例的可替换气体喷射器的两组气体供给环形部之一的侧视图；

图13是在图12中示出的一组环形部的透视图；

图14显示了本发明的可替换实施例的细节；

图15显示了本发明的一个实施例的细节；

图16示意性地显示了本发明的另一个实施例的薄片的侧视图；

图17A显示了图16的薄片的顶视图；

图17B与图17A相似，其显示了薄片的弯曲度；

图18显示了另一个实施例的一部分的截面，其包括隔热板；

图19显示了图18的实施例的薄片的透视侧视图；

图20显示了在图19中示出的薄片的顶视图；以及

图21显示了图18的实施例的细节的透视侧视图，其没有气体供给管，并且特别地显示了薄片重叠的隔热板部分。

具体实施方式

图1示意性地示出了根据本发明的一个实施例的光刻装置。该装置包括：照射***(照射器)IL，其配置成调节辐射光束B(例如UV辐射或其他辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造成支撑构图部件(例如掩模)MA，并与配置成依照某些参数将该构图部件精确定位的第一定位装置PM连接；基底台(例如晶片台)WT，其构造成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并与配置成依照某些参数将基底精确定位的第二定位装置PW连接；以及投影***(例如折射投影透镜***)PS，其配置成利用构图部件MA将赋予给辐射光束B的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。

照射***可以包括各种类型的光学部件，例如包括用于引导、整形或者控制辐射的折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者其任意组合。

支撑结构支撑即承受构图部件的重量。它以一种方式保持构图部件，该方式取决于构图部件的定向、光刻装置的设计以及其它条件，例如构图部件是否保持在真空环境中。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来保持构图部件。支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。支撑结构可以确保构图部件例如相对于投影***位于期望的位置。这里任何术语“中间掩模版”或者“掩模”的使用可以认为与更普通的术语“构图部件”同义。

这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给辐射光束在其截面赋予图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注意，赋予给辐射光束的图案可以不与基底靶部中的期望图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般地，赋予给辐射光束的图案与在靶部中形成的器件如集成电路的特殊功能层相对应。

构图部件可以是透射的或者反射的。构图部件的实例包括掩模，可编程反射镜阵列，以及可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个实例采用微小反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向反射入射的辐射光束。倾斜的反射镜可以在由反射镜矩阵反射的辐射光束中赋予图案。

这里使用的术语“投影***”应广义地解释为包含各种类型的投影***，包括折射光学***，反射光学***、反折射光学***、磁性光学***、电磁光学***和静电光学***，或其任何组合，如适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如浸液的使用或真空的使用。这里任何术语“投影透镜”的使用可以认为与更普通的术语“投影***”同义。

如这里所指出的，该装置是反射型(例如采用反射掩模)。或者，该装置可以是透射型(例如采用透射掩模)。

光刻装置可以具有两个(双平台)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多平台式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。

光刻装置还可以是这样一种类型，其中至少一部分基底由具有相对高的折射率的液体如水覆盖，从而填充投影***和基底之间的空间。浸液也可以应用于光刻装置中的其他空间，例如应用于掩模和投影***之间。浸液技术在本领域中是公知的，用于增加***的数值孔径。这里使用的术语“浸液”不表示结构如基底必须浸没在液体中，而是表示液体在曝光期间位于投影***和基底之间。

参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是独立的机构，例如当辐射源是受激准分子激光器时。在这种情况下，不认为辐射源构成了光刻装置的一部分，辐射光束借助于光束输送***BD从源SO传输到照射器IL，所述光束输送***包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，辐射源可以是光刻装置的组成部分，例如当源是汞灯时。此外，污染物收集器10、110、510可以相对于源SO布置在下游，例如为了收集从源SO发出的污染物。源SO和照射器IL，如果需要连同光束输送***BD和/或污染物收集器10、110、510一起可以称作辐射***。

照射器IL可以包括调节装置，用于调节辐射光束的角强度分布。一般地，至少可以调节在照射器光瞳平面上强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。此外，照射器IL可以包括各种其它部件，如积分器和聚光器。照射器可以用于调节辐射光束，从而使该光束在其横截面上具有期望的均匀度和强度分布。

辐射光束B入射到保持在支撑结构(如掩模台MT)上的构图部件(如掩模MA)上，并由构图部件进行构图。横向穿过掩模MA后，辐射光束B通过投影***PS，该投影***将光束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如干涉测量器件、线性编码器或电容传感器)的辅助下，可以精确地移动基底台WT，从而例如在辐射光束B的光路中定位不同的靶部C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1来使掩模MA相对于辐射光束B的光路精确定位。一般地，借助于长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现掩模台MT的移动，其中长行程模块和短行程模块构成第一定位装置PM的一部分。类似地，利用长行程模块和短行程模块也可以实现基底台WT的移动，其中长行程模块和短行程模块构成第二定位装置PW的一部分。在步进器的情况下(与扫描装置相对)，掩模台MT可以只与短行程致动装置连接，或者固定。可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2对准掩模MA与基底W。尽管如所示出的基底对准标记占据了指定的靶部，但是它们也可以设置在各个靶部(这些标记是公知的划线对准标记)之间的空间中。类似地，在其中在掩膜MA上提供了超过一个管芯的情况下，可以在各个管芯之间设置掩膜对准标记。

所示的装置可以按照下面模式中的至少一种使用：

1.在步进模式中，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，而赋予辐射光束的整个图案被一次投影到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动基底台WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。

2.在扫描模式中，当赋予辐射光束的图案被投影到靶部C时，同步扫描掩模台MT和基底台WT(即单次动态曝光)。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向通过投影***PS的放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描动作的长度确定了靶部的高度(沿扫描方向)。

3.在其他模式中，当赋予辐射光束的图案被投影到靶部C上时，掩模台MT基本保持不动地支撑可编程构图部件，同时移动或扫描基底台WT。在该模式中，一般采用脉冲辐射源，并且在每次移动基底台WT之后，或者在扫描期间两个相继的辐射脉冲之间根据需要更新可编程构图部件。这种操作模式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩模光刻中，所述可编程构图部件例如是上面提到的可编程反射镜阵列型。

还可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的使用模式。

图2示出了根据图1的光刻装置的一部分。图2特别显示了辐射源SO、污染物收集器10、110和辐射采集器CO的布置。污染物收集器10、110设置在辐射源SO和辐射采集器CO之间。辐射采集器例如包括在使用中接受来自辐射源的辐射的多个反射镜表面。

如示意性所示，在使用中，辐射光束R从源SO发出，并沿污染物收集器10、110的方向传播，该污染物收集器布置在辐射光束R的路径中。应该注意辐射可以沿各种方向从源传播，例如以发散的方式(参见图7)。污染物收集器10、110包括大量大体上平行的通道Ch(例如图3-7所示)，其布置成使来自源SO的大部分辐射光束R朝辐射采集器CO传输。此外在使用中，污染物微粒CP从源SO移动到并进入污染物收集器10、110。这种污染物例如包括从辐射源SO产生的离子和/或原子。已经发现，和沿辐射光束通常传播的方向进入污染物收集器10、110的污染物微粒的数量相比，在操作中非常少的污染物微粒CP会沿辐射光束传播的方向离开污染物收集器10、110。

在图2的实施例中，光刻装置具有气体供给***GS、12、13、112、113，其布置成将至少第一气体直接喷射到污染物收集器10、110的至少一个通道中。该气体供给***包括一个或多个气体源GS、将气体直接喷射到通道中的气体喷射器或歧管12、112(参见下文)，以及使气体源GS与气体喷射器12、112连接的一个或多个气体供给线13、113。这种气体供给线13、113和气体源GS可以多种方式进行构造，其对本领域技术人员来说是显而易见的。在另一个方面，提供至少第一气体源GS，其可连接到或连接到气体喷射器12、112，以便向其供给至少第一气体。例如，第一气体可以是氩或其他合适的气体。优选地，气体喷射器12、112配置成大体上不会阻碍在使用中从辐射源SO向辐射采集器CO的反射镜表面传输的辐射传输。

此外，该装置可以配置成在源和污染物收集器10、110之间提供另一气流CG，该气流CG沿大体上横向于辐射光束R的传播方向的方向或者沿其他合适的方向大体上横过离开源SO的辐射流动。该另一气流或者反气流可以相互作用或者防止上述的至少第一气体进入辐射源SO(参见图8)。此外，该另一气流CG可以进一步捕获从辐射源发出的污染物。例如该装置包括至少一个气体供给源20，配置成将至少第二气体喷射到污染物收集器10的对接端19附近，从而捕获、转移和/或减速流出该对接端19的第一气体。该气体供给源如图2和7中用虚线20示意性所示。气体供给源20可以多种方式进行配置。例如，如图8所示，气体供给源20安装在辐射源SO的壁部上或构成该壁部的一部分。在本发明的一个方面，第二气体是氦。

此外，该装置具有排出***，其布置成沿相对辐射光束的传播方向径向且向外的方向以及沿污染物收集器的入口产生横向的气流，使得该横向气流包括至少部分所喷射的气体。该排出***可以多种方式进行配置。例如，排出***包括一个或多个真空泵VP，该真空泵配置成在使用中向污染物收集器10的环境抽气。排出***可以多种不同方式配置。

图3A、3B、4-7显示了污染物收集器10的第一实施例，其能够用于上述的光刻装置。该第一污染物收集器10的实施例包括多个静态的薄片或板11，其限定了辐射传输通道Ch。薄片或板可以是本身不包含小孔的大体上实心的薄片或板。通道Ch布置成在使用中大体上平行于上述辐射光束的传播方向，并在相对辐射光束R的光轴Y大体上径向的方向或其他方向上延伸。此外，在本实施例中，薄片或板大体上相对辐射光束R的光轴Y径向地定向。此外，例如每个薄片或板从收集器10的径向内部或内部轮廓延伸到径向的外部收集器部分或外部轮廓。

薄片或板11可以围绕收集器10的中心轴线规则且对称地分布，使得通道Ch具有大体上相同的容量。薄片或板11彼此连接，例如通过外部薄片连接器18a在径向的外侧连接。薄片或板11可以在径向内侧彼此直接连接，例如通过内部薄片连接器18b。所述薄片连接器18a、18b可以多种方式进行构造，例如大体上是封闭或实心的圆筒形或截锥形壁(参见图3A和3B)，或者以不同的方式。在本实施例中，当从横向截面看时(还参见图4)，污染物收集器10的每个辐射传输通道Ch大体上由相邻的薄片或板11以及外部和内部薄片连接器18a、18b围绕。在本发明的一个方面中，污染物收集器10包括大量相对狭窄或切口状的通道，例如至少大约100个通道或至少大约180个通道。在这种情况下，每个通道Ch在使用中大体上相对辐射光束R的光轴Y径向定向。

污染物收集器10具有上述的气体喷射器12，其配置成在至少两个不同位置将气体直接喷射到至少一个污染物收集器的通道中。在本实施例中，该气体喷射器配置成在至少两个不同位置将气体直接喷射到污染物收集器10的每个通道中。

在图3A、3B、4-7的实施例中，气体喷射器12包括三个大体上同心的、隔开的环形(圆形)气体供给管12A、12B、12C，在此也称为气体供给环12。这些气体供给环12A、12B、12C还相对所述光束的光轴Y大体上同心。每个环12连接到与不同通道Ch联通的不同气体流出口。为此，每个同心的气体供给环12A、12B、12C具有多个气体喷射毛细管14A、14B、14C或类似的细管或气体供给针。所述毛细管(针)用于受控地将气流供给到通道Ch的确定位置。每个气体喷射毛细管14A、14B、14C延伸到一个辐射传输通道Ch(参见图3B、5和6)，使得每个通道Ch具有三个这样的气体喷射毛细管14(参见图6)。毛细管14例如可以沿径向方向以“死”角定向。此外，每个毛细管14的壁包括多个隔开的气体流出口17(参见图5-7)。

图5显示了多个相邻通道Ch(1)-Ch(6)的细节，其以前视图示出了各个外部毛细管14A，图6显示了一个这种通道部件Ch(6)的截面，其示出了配置成将气体喷射到该通道Ch(6)的各组三个毛细管14A、14B、14C。在本发明的实施例中，每个毛细管14的远端可以是封闭的(参见图6)。如图7所示，气体喷射器12的毛细管14配置成大体上不会阻碍辐射从辐射源SO朝辐射采集器CO的反射镜表面的传输。

因此，在图3A、3B、4-6的实施例中，气体喷射器包括多组隔开的流出口，其由三组毛细管14A、14B、14C提供，其中每组隔开的流出口17A、17B、17C与所述通道Ch之一联通，从而向该通道供给气体。在本实施例中，由于各个毛细管14A、14B、14C在污染物收集器中的不同径向位置延伸，因此每组隔开的流出口17A、17B、17C相对辐射光束的光轴Y设置在不同的径向位置，。此外，每组隔开的流出口17A、17B、17C可以相对辐射光束的光轴Y设置在不同的和/或大体上相同的轴向位置。此外，每组隔开的流出口可以通过气体供给环12A、12B、12C连接到不同的气体供给线13，例如为了独立地调节通过不同流出口喷射的气体的量。另一方面，三组隔开的流出口可以连接到相同的气体供给线13。

毛细管14的流出口17可以多种方式进行配置。在本发明的一个方面，提供相对大量的较小流出口17，从而以喷射到收集器10内的相同总量的气体在通道Ch中提供相对均匀的气流。例如，至少一个流出口17包括超声喷嘴，其配置成将超声气流喷入各个通道Ch。可替换地，这种超声微型喷嘴可以直接布置在薄片或板11的边缘上，或者布置在不同的位置。此外，气体喷射器可以布置成以不同于穿过污染物收集器10的辐射光束的传播方向的方向喷射气体。在本实施例中，气体喷射器布置成沿大体上横向的方向通过毛细管14的气体流出口17将气体喷射到通道Ch中。每个流出口17例如具有最小为大约0.0018mm+/-0.002mm的直径，或者具有其他直径。流出口17例如可以使用激光切割或不同的技术来形成。优选地，这些开口的边缘包括没有毛口的尖锐边缘。

在本发明的实施例中，气体供给***配置成在气流阻塞的条件下将气体供给到污染物收集器的至少一个通道Ch中。在这种情况下，可以获得稳定的气体喷射，特别是当气体在阻塞的条件下通过多个流出口17喷射时。例如，当毛细管14的环境压力是大约因子2或比内部压力更低时，特别是当第一气体是氩时，可以实现这种条件。此外，通过流出口17的压力转变可以突然实现阻塞作用。例如，为了这个目的，气体供给***包括至少一个气体供给管或毛细管14，其具有包括多个气体流出口17的壁部，其中穿过管壁测量的每个流出口17的长度H大于该气体流出口的截面或直径G。下面将参考图11来解释这个。毛细管14和流出口17的直径可以设计成使得获得的气体喷射器足够坚硬，以便在操作温度下保持其外形，以及使得气体喷射器可以抵抗因过压而在其中产生的张力。

在本发明的一个方面中，气体喷射器12和气体供给源GS可以配置成在使用中实现：

$\underset{x1}{\overset{x2}{\∫}}p\left(x\right)\mathrm{dx}>1(\mathrm{Pa}.m)$

其中p(x)是通道中在位置x处的压力，x1是通道中辐射入口的位置，x2是通道中气体流出口的位置。如附图中所示，在使用中污染物收集器的每个通道Ch的入口指向辐射源SO，以便接收来自辐射源的辐射。已经发现当 $\underset{x1}{\overset{x2}{\∫}}p\left(x\right)\mathrm{dx}>1(\mathrm{Pa}.m)$ 时，可以利用污染物收集器获得良好的污染物收集，例如收集一个或多个高能的原子碎屑元件。此外，由于气体可以喷射到污染物收集器10的通道Ch内部，因此可以获得上述方程式，其中污染物收集器10的外部压力可以保持足够低。

图2-8的实施例可以用于器件的制造方法，其包括将带图案的辐射光束投影到基底上，其中：提供源SO以产生辐射光束；以及在辐射光束的路径中提供污染物收集器10。然后，收集器10的薄片或板相对于辐射光束的光轴Y径向地定向，使得辐射光束穿过收集器10到达采集器DB(参见图7)。第一气体例如氩由位于不同位置的喷射毛细管14直接喷入污染物收集器10的每个通道Ch中。在本实施例中，沿喷射方向喷射第一气体，该喷射方向不必与辐射的传播方向一致，但是该方向可以提供填满通道的效果。喷入每个通道Ch的第一气体的量为使得其能够相对彻底地捕获从辐射源SO产生的碎屑。例如，如上所述，气体喷射成使得在通道Ch中满足方程式 $\underset{x1}{\overset{x2}{\∫}}p\left(x\right)\mathrm{dx}>1(\mathrm{Pa}.m)$ (或者以更简单的条件表示：即p.d＞1Pa.m)。当氩是第一气体时，喷入每个薄片收集通道的氩气的量是例如约10^-6公斤每秒或更多，另一方面较低的量是例如约10^-6公斤每秒或更少。当污染物收集器包括大量的切口状通道Ch时，例如至少100个通道Ch，喷射的第一气体能够相对满意地获得上述方程式。喷射气体之后，第一气体可以在一端或两端离开污染物收集器10，其中污染物收集器10的外部压力通常保持在期望的低压力值。

此外，如图8所示，可以相对辐射光束传播的通常方向Y′沿径向且向外的方向产生横向的第二气体流CG，使得该横向的气流包括至少部分喷射的气体。在本实施例中，第二气体可在辐射光束上以及沿大体上横向于辐射光束的传播方向的方向提供交叉气流。第二气体可以防止第一气体进入辐射源SO。第二气体例如可以是氦。已经发现，氦可以保护辐射源SO而彻底地不允许第一气体进入源SO，其中氦可以在相对高的压力下使用，而不会过大地负面影响辐射源SO的操作。

在使用图2-8的实施例的过程中，从辐射光束的光轴来看，可以通过多个相对小的气体流出口17A、17B、17C在每个通道Ch中的三个不同的径向位置喷射第一气体。因此，可以相对均匀地将相对大量的气体喷入通道Ch。优选地，在阻塞的条件下将第一气体喷入通道。例如，为了这个目的，每个毛细管14内部的气体压力是在流出口17下游的各个通道Ch中的气体压力的至少两倍。

使用内部气体供给开口17填满薄片之间的间隙或通道Ch能够在薄片收集器内的径向距离上获得压力积分的值即p(x).dx，其足以用于热化并且因此收集大多数高能原子的碎屑，所述碎屑例如是基本上有助于使EUV采集光学元件劣化的碎屑。由于直接将气体喷入污染物收集器10，因此可以获得相对大的p(x).dx的压力积分值，其中可以防止污染物收集器10的外部压力不可接受地升高。这是有利的，例如在包括辐射源SO的EUV源区中，其中氩的最大压力是0.5Pa，特别是当辐射源是锡源时。此外，在使用本实施例的过程中，每个通道Ch中的内部气体喷射可以在狭窄的薄片间通道Ch中形成具有高拉力的气流，从而在其中提供高的压力。在通道Ch的外部，拉力可能消失，这会导致气体加速和压力下降。

此外，内部喷射可以提供填充在通道中的相对高压力的气体，由于拉力(它基本上随压力而增大)其可能缓慢地漏出通道。

利用由第二气体提供的上述反气流CG可以附加地防止来自通道Ch的部分气体流出口到达辐射源SO。该反气流具有较低的静压和较高的速度，以便在离源SO的安全距离处保持总体反压力。因此，第一气体的其他流出部分可以重新定向到排出***。优选地，在使用中，可以在污染物收集器的长度上获得最大可允许的压力积分P(x).dx，该压力积分受通过污染物收集器10的辐射光束的期望辐射传输量限制。此外，优选地在使用中，可以实现污染物收集器10的内外压力分布的高反差，同时在包括辐射源SO的源区提供期望的低压力。此外，可以有效地使用气流。

图9A、9B、10、11示出了污染物收集器110的第二实施例，其例如也可以用于如上所述的光刻方法。第二实施例110与第一污染物收集器的实施例10的不同在于气体喷射器不包括气体喷射毛细管。

在第二实施例中，气体喷射器包括三个大体上同心的圆形气体供给环112，其中每个环112包括多个气体流出口，如图12所示。气体供给环112通过一个或多个气体供给线113与上述气体源GS连接。环112安装在薄片或板111上。此外，每个同心的气体供给环112大体上垂直穿过薄片或板111延伸。为了这个目的，薄片或板111具有多个小孔，气体供给环112可延伸穿过所述小孔。每个气体供给环112包括气体流出口117，以便将气体喷入各个通道Ch。如图11所示，穿过各气体供给环112的管壁横向测量的每个气体流出口117的长度H大于该气体流出口117的截面或直径G。这可能在使用中导致阻塞条件，其取决于流出口上的压降，如上所述。此外，在第二收集器实施例110中，每个通道Ch中隔开的流出口17相对辐射光束的光轴Y设置在不同的位置，从而提供相对均匀的喷射气体分布。

图12和13显示了气体喷射器的可替换实施例的第一部分，其可以在第二污染物收集器实施例110中实施。在图12和13的可替换的实施例中，气体喷射器包括两组四个大体上同心的气体供给环部112A′、112B′、112C′、112D′。仅仅示出了一个气体供给环部。为了一起形成大体上封闭的环，可以类似于如图9B所示的气体喷射器的供给环112的方式配置两个分离组的大体上同心的气体供给环部。安装之后，每个同心的气体供给环部112A′、112B′、112C′、112D′大体上垂直穿过污染物收集器110的薄片或板111延伸。通过将气体喷射器分成两部分，可以更加简单和直接地将气体喷射器安装在污染物中。

在可替换的气体喷射器中，每个气体供给环部112A′、112B′、112C′、112D′包括隔开的气体流出口(未示出)，其与不同的辐射传输通道Ch联通，以便将气体供给到这些通道Ch。每组供给环部的四个气体供给环部112A′、112B′、112C′、112D′通过大致径向延伸的连接部113相互连接。这些大致径向延伸的连接部设有四个不同的气体供给线，以给不同的气体供给环部分别供应气体。此外，连接部使每组同心的气体供给环部112A′、112B′、112C′、112D′大约在其中部彼此连接，所述中部是沿其圆周测量的(参见图13)。这样能够稳定地安装环形部112A′、112B′、112C′、112D′。该气体喷射器的实施例可以用于将至少处于四个不同位置的一种或多种气体直接喷入污染物收集器110的每个通道Ch中。由于每组隔开的流出口中的流出口与不同的气体供给线113A、113B、113C、113D连接，因此供给到不同环形部的气体的量和/或种类可以独立地径向调节，例如使用合适的流量控制器和/或气体源。这种气流和/或气体种类的调节可以控制成使污染物收集器110中污染物的收集最优化，这对本领域技术人员来说是显然的。

在图12和13中，每组隔开的流出口中的流出口相对辐射光束的光轴设置在不同的径向位置(参见图13)。此外，每组隔开的流出口中的流出口可以相对辐射光束的光轴设置在不同的轴向位置(参见图12)。处于不同轴向位置的隔开的流出口的定位能够获得最佳的喷射点，从而获得较大的pd积分值。

图14显示了污染物收集器的细节。该实施例的整体结构与图3-13中描述的一个或多个实施例的结构相似。在图14的实施例中，一个或多个气体喷射器的气体喷射毛细管214、或气体供给***在一个或多个收集器的薄片211中延伸，以便向选择的喷射点供给气体。图14中仅示出了一个薄片211的一部分，其包括一个毛细管214。薄片211的毛细管214可以延伸到一个或多个选择的喷射点或流出口(未在图14中示出)，以便将气体喷射到污染物收集器的一个或多个相邻通道中。薄片211的毛细管214可以多种方式进行制造，例如由薄片小孔形成，该薄片小孔在两侧被薄片带290覆盖。

图15显示了污染物收集器的实施例的细节。该实施例的整体结构与图3-14中描述的一个或多个实施例的结构相似。在图15的实施例中，一组主薄片311A限定了多个通道，其中一个或多个附加薄片311B设置在至少一个通道中的主薄片311A之间。例如，该附加薄片可以包括在污染物收集器的边缘区中。附加薄片311B可以将主薄片311A之间的基础薄片间的空间分割成两个更加狭窄的通道，所述基础薄片间的空间在距离源SO的较大距离处较宽，所述较窄通道对于气体具有更高的拉(摩擦)力，从而使pd积分增大。附加薄片可以充分地远离源SO，使得几何透明度的额外下降相对较小。仅仅作为一个实例，所述附加薄片311B的尺寸是主薄片311A的尺寸的大约一半。此外，可以使用其他尺寸的附加薄片。作为实例，可以使用超过100个主薄片311A和超过100个附加薄片311B。

在所描述的污染物收集器10、110的实施例中，可以在真空环境中获得流入多个单独隔室的受控的均匀气流(例如氩)。例如，该均匀性是按每体积氩的质量计算小于大约10％的偏差。污染物收集器10、110可以用作静态收集器，其例如不会相对源旋转。它例如可以用于“捕获”来自辐射源的锡离子和原子，其中收集器10、110能够提供最大的辐射透射。如上所述，为了不限制辐射透射，气体喷射器可以设计成大体上在由采集器外壳的“阴影路径”形成的容积中延伸，所述容积例如由径向定位的辐射采集器的安装元件的“阴影路径”形成。

污染物收集器10、110可以多种方式进行制造。例如，可以在焊接或熔接薄片或板11后焊接或熔接所述气体喷射器的部件。此外，气体喷射器和薄片或板11、111可以在同一步骤中进行焊接或熔接。

例如，焊接或熔接可以用于精细的气体喷射器的金属板部件，其壁厚＞0.1mm。此外，电铸是合适的，例如对于气体供给环或环形部＜0.1mm的情况。通过使用电铸，可以不限制开发形式。此外，气体喷射器具有加强肋，其在局部随壁厚等而变化，以便例如为了实现上述的阻塞作用而在气体流出口提供更薄的壁厚，以及在对于改进刚度的整个气体喷射器表面提供更大的壁厚。此外，可以使用不同的装配方法。

此外，由于温度差，在正常工作和清洁步骤中，为了设计气体喷射器或歧管的尺寸应该考虑膨胀和收缩作用。对于最佳的辐射传输，气体喷射环或环形部可以设计在采集器外壳位置处的辐射路径中，使得它们大体上不会比采集器外壳本身阻挡更多的辐射。优选地，气体喷射器设计成使得最小的压降通过气体供给环12、112。此外，气体喷射环或环形部可以配置成在使用中，热膨胀和收缩作用不会占用一定的公差预算。例如，在操作中，当采集器外壳和气体喷射器材料到达其热膨胀位置时，从辐射传输方向看，它们优选相对彼此排成一列。

在使用中，气体喷射器可以暴露在相对高的温度下，例如估计的环境温度为1500K。因此优选地，气体喷射器的材料优选具有高耐热性。此外，在一个实施例中，气体喷射器的材料在高温下具有足够的抗拉强度，并且适合于焊接、熔接或电铸。进一步地，该材料优选满足某些除气目的。

图16和17显示了污染物收集器的另一个实施例的薄片(或板)411。在这种情况下，收集器大体上与上述污染物收集器相同，所述收集器例如包括多个限定通道的薄片或板411，所述通道布置成大体上平行于辐射光束的传播方向。例如，薄片或板可以沿虚拟平面延伸，该虚拟平面在使用中彼此大体上在辐射源SO的中心交叉。例如，薄片或板411可以相对辐射光束的光轴(或相对收集器的中心轴线)大体上径向地定向，或沿其他方向定向。例如每个薄片或板可以从收集器的径向内部或内轮廓延伸到收集器的径向外部或外轮廓。例如，薄片或板411可以围绕收集器10的中心轴线规则且对称地分布，使得通道Ch具有大体上相同的容积。薄片或板411可以彼此连接，例如通过合适的外部薄片连接器18a在径向外侧471连接。薄片或板411可以在径向内侧472彼此直接连接，或者例如通过内部薄片连接器18b连接。在这种情况下，可以提供气体喷射***将气体喷射到薄片411之间的通道中，但是这不是必须的。

现有的薄片(或板)实施例411具有外部第一部分411Q和内部第二部分411R。在本实施例中，装配之后，第一部分411Q相对第二部分411Q径向向外地定位。可替换地，薄片具有多个这种部分。

两个薄片部411Q、411R沿略微不同的方向相对彼此延伸，并沿中间线470彼此贴近，所述中间线例如是弯曲线或在使用中允许这两部分相对彼此枢转运动的线。例如，薄片(或板)411的第一和第二部分包括彼此小于180°的夹角β，夹角β例如是大约170°或更小。图17中示出了夹角β。例如，部分411Q、411R相对彼此弯曲至少大约10°以上，或者弯曲不同(例如更小)的角度。已经发现至少大约10°(即β≤大约170°)的弯曲角度可以提供良好的结果。

优选地，薄片411以整体的形式简单地进行制造，其中薄片411可以通过沿期望的弯曲线470弯曲而分成不同的径向部分。

优选地，中间线470的虚拟延长线用虚线470′表示，并相交在辐射源SO的中心(也称为“收缩(pinch)”)。类似地，薄片411的外缘(或外侧)471的虚拟延长线(该延长线在图16中用虚线471′表示)也相交在辐射源SO的中心。通过相同的方式，优选地，用虚线472′表示的薄片411的内缘(或内侧)的虚拟延长线也相交在辐射源SO的中心。如图16所示，在本实施例中，所述中间弯曲线470、薄片外缘471和薄片内缘472的延长线470′、471′、472′优选地彼此相交在同一虚拟点上。

图16-17的实施例的优点是，因热导致薄片411的膨胀(例如由于来自辐射的热)可能导致薄片411相对中间弯曲线470弯曲。例如，图17A显示了薄片411的第一位置，其中还没有产生因热导致的弯曲。在图17B中，虚线411′示意性地指出了由于薄片的膨胀而弯曲之后的薄片位置。在这种变形状态下，薄片仍大体上在辐射光束的传播方向的纵向延伸(或者：在热变形之后，薄片仍沿虚拟平面延伸，该虚拟平面相交在辐射源SO的中心)。

通过这种方式，可以在使用中维持穿过污染物收集器的期望高的或最大的辐射传输，即使在薄片411由于受热而膨胀的情况下，例如在光刻处理中。

在图16-17的实施例中，为了补偿由于加热而导致的薄片411的膨胀，可以选择弯曲薄片411，特别是沿中间线470弯曲从而提供两个邻接的薄片部分411Q、411R。如上所述，为了在使用中不限制光传输，使两个薄片部分保持与来自收缩(该收缩是光的起源)的光线也就是与辐射源的中心排成直线。通过这种方式，在薄片411的膨胀过程中，薄片部分可以相对彼此以弯曲线470作为旋转轴旋转，以便保持薄片411的同轴状态。如上所述，为了实现这个目的，薄片411的纵向边缘471、472优选也穿过作为中点的辐射源中心SO(收缩)。例如，在本实施例中，薄片411的纵向边缘471、472可枢转地固定在合适的薄片连接器18a、18b上，使得中间弯曲线470在薄片411膨胀期间保持穿过收缩的状态。本领域技术人员应该理解可以多种方式获得这种枢转连接。

图18-21显示了根据本发明的另一个实施例的污染物收集器510的一部分。同样在这种情况下，收集器510大体上与上述的污染物收集器相同，该收集器例如包括多个限定通道的薄片或板511，所述通道布置成大体上平行于辐射光束的传播方向。例如，薄片或板511沿虚拟平面延伸，该虚拟平面在使用中相交在辐射源SO的中心。例如，薄片或板511可以相对辐射光束的光轴大体上径向地定向，或者沿其他方向定向。例如，可以提供一组限定通道的主薄片511，其中一个或多个附加薄片设置在主薄片之间，如在图15的实施例中的那样。此外，例如，主薄片511可以彼此弯曲，或者具有至少两部分，如图16-17的实施例中的那样。

在图18-21的实施例中，污染物收集器510具有气体喷射器(或歧管)，其配置成在不同位置将气体直接喷入污染物收集器510的通道中。该气体喷射器具有一个或多个气体供给管512A′、512B′、512C′、512D′，在本实施例中是气体供给环或环形部512(例如参见图9-11的实施例)，它们延伸穿过薄片或板511。在图18所示的截面中，可以看到四个环形部512A′、512B′、512C′、512D′。例如，每个管512可以配置成沿朝向辐射源SO的方向、沿背离辐射源SO的相反方向和/或沿其他方向将气体喷入收集器通道。

在图18-21的实施例中，污染物收集器具有隔热板580，其配置成在使用中使气体供给管512大体上与辐射光束的辐射R隔离。该隔热板可以多种方式提供。有利地，隔热板由从薄片或板511延伸的隔热板部分580形成。在本实施例中，这些隔热板部分580是从薄片或板511弯曲出或发出的简单部分。此外，优选地，当沿辐射光束的辐射传播方向看时，相邻薄片或板511的隔热板部分580彼此重叠。这种重叠可以清楚地在图21中看到。此外，例如，隔热板580可以和气体管道512隔开(参见图21)。

例如，薄片或板511的每个隔热板大体上垂直于各薄片511地延伸，或沿其他方向延伸。如图21所示，部分580例如沿背离辐射源的方向(装配之后)或背离收集器的上游对接端19的方向相对各薄片511的各个法线(未示出)略微倾斜。优选地，在装配之后，隔热板部分580至少在辐射源SO的中心和各气体喷射管512A′、512B′、512C′、512D′之间延伸，使得隔热板部分可提供下游阴影区域，该阴影区域包含气体喷射管512A′、512B′、512C′、512D′。此外，隔热板部分580优选地允许所述薄片511因热而导致的膨胀(和反之亦然，收缩)。

图19和20示出了该污染物收集器的薄片的一个实施例，该薄片511具有小孔570或切口，装配后气体供给环可延伸穿过所述小孔。沿小孔570的边缘布置多个隔热板部分580(在本实施例中是四个)。这些部分580优选是薄片511的组成部分，其与薄片511一起整体形成，并且优选地由与薄片511相同的材料构成。特别地，每个板511具有第一隔热板部分580A、第二隔热板部分580B、第三隔热板部分580C和第四隔热板部分580D。如图21所示，薄片511的第一隔热板部分580A可以在装配之后形成这些部分的阵列，该阵列在要被隔离的各个气体喷射管512A′的前面延伸。类似地，隔热板部分的阵列可以在装配之后由薄片511的第二、第三和第四隔热板部分580B、580C、580D形成。

例如，在每个隔热板部分阵列中，部分580可相对彼此移动从而允许薄片511由于受热而膨胀，特别是在薄片511具有上述弯曲线(如图16-17)的情况下。例如，在每个隔热板部分阵列中部分580可以彼此不接触地重叠，或部分580在因热导致的收集器变形的情况下可以相对彼此滑动。

此外，如图21所示，薄片511的每个隔热板部分580优选穿过相邻薄片511的所述小孔580一段合适的距离，从一个通道Ch(I)进入相邻通道Ch(II)，从而提供所述重叠。这样，每个隔热板部分580具有一自由端，其延伸到通道Ch中。

隔热板部分580可以具有各种形状和尺寸。例如，从收集器510的各圆向测量，部分580的长度至少大于通道Ch的宽度，以便桥接在通道Ch上。此外，在本实施例中，隔热板部分580大体上为矩形，但是也可以应用不同的形状。

在使用污染物收集器510的过程中，可以在隔室或收集器的通道Ch上提供具有一定均匀性的气流。在没有应用隔热板的情况下，气体歧管512可能完全暴露于辐射R下，这可能在歧管环形部512上产生温度梯度。这将在歧管环形部512的长度上导致气体密度变化。这对收集器隔室上质量流的均匀性具有不利的影响。通过应用隔热板580，可以防止对均匀性的不利影响，或者至少显著地减小。

此外，当加热隔热板580并且它由于温度而膨胀时，它们仍然能保持对气体喷射环形部512的期望隔离，特别是不会将机械应力引入污染物收集器的任何基准部件上。此外，隔热板580可以降低气体供给管的操作温度，这可以使结构材料的选择简单化。此外，在本实施例中，通过使隔热板部与薄片511一体化，可以提供一种简单的设计和薄片的制造。此外，可以简单的方式通过各个薄片从隔热板部分580去除热量，例如去除到污染物收集器的合适冷却***(未示出)(例如，包括与薄片热耦合的冷却水管道的***)。

尽管在本申请中可以具体参考使用该光刻装置制造IC，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，它可用于制造集成光学***、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，这里任何术语“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别可以与更普通的术语“基底”或“靶部”同义。在曝光之前或之后，可以在例如涂布显影装置(通常将抗蚀剂层作用于基底并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具)、计量工具和/或检验工具中对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的公开可应用于这种和其他基底处理工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指已经包含多个已处理的层的基底。

尽管在上面可以具体参考在本申请的光学光刻法过程中使用本发明的实施例，但是应该理解本发明可以用于其它应用，例如压印光刻法，在本申请允许的地方，本发明不限于光学光刻法。在压印光刻法中，构图部件中的外形限定了在基底上形成的图案。构图部件的外形还可以挤压到施加于基底上的抗蚀剂层中，并在基底上通过施加电磁辐射、热、压力或上述方式的组合可以使抗蚀剂硬化。在抗蚀剂硬化之后，可以将构图部件从抗蚀剂中移出而留下图案。

这里使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有大约365，355，248，193，157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。

在本申请中术语“透镜”可以表示任何一个各种类型的光学部件或其组合，包括折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件和静电光学部件。

尽管上面已经描述了本发明的具体实施例，但是应该理解可以不同于所描述的实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序的形式，该计算机程序包含一个或多个序列的描述了上面所公开的方法的机器可读指令，或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)。

应该理解在本申请中，术语“包括”不排除其他元件或步骤。此外，每个术语“一”和“一个”不排除多个。权利要求中的任何参考标记不应该解释为限制了权利要求的范围。

上面的描述是为了说明，而不是限制。因此，对本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离下面描述的权利要求书的范围的条件下，可以对所描述的发明进行各种修改。例如具有某一最优化结构的附加径向薄片可以设置在每个污染物收集器通道的主薄片中。例如，这种附加的径向薄片可以设置在边缘附近、收集器的远端，从而增大拉力和获得更大的p(x)dx积分值。

Claims (15)

1.一种光刻装置，包括：

具有用于产生辐射光束的辐射源的辐射***；和

布置在辐射光束的路径中的污染物收集器(10；11；510)，所述污染物收集器(10；11；510)包括多个限定通道(Ch)的薄片或板(11；111；211；311；411；511)，所述通道布置成大体上平行于所述辐射光束的传播方向，

其中所述污染物收集器(10；11；510)具有气体喷射器(12；112；512)，该气体喷射器配置成在至少两个不同位置将气体直接喷射到污染物收集器的至少一个通道中。

2.如权利要求1所述的光刻装置，其中所述气体喷射器包括多组隔开的流出口，和

其中每组隔开的流出口与向该通道提供气体的所述通道之一联通。

3.如前述权利要求中的任何一项所述的光刻装置，其中所述气体喷射器包括多个大体上同心的气体供给环或者大体上同心的气体供给环形部，以及

其中每个环或环形部包括与不同通道联通的不同气体流出口。

4.如权利要求3所述的光刻装置，其中所述气体供给环或环形部通过一个或多个连接部彼此连接，其中所述连接部具有一个或多个气体供给线，以将气体供给到气体供给环或环形部。

5.如权利要求3或4所述的光刻装置，其中所述气体供给***包括至少两组独立的大体上同心的气体供给环形部，每组气体供给环形部大体上形成封闭环，优选地还包括一个或多个将每组大体上同心的气体供给环形部的环形部彼此连接的连接部。

6.如前述权利要求中的任何一项所述的光刻装置，其中所述气体喷射器配置成在气流阻塞的条件下将气体供给到污染物收集器的至少一个通道中。

7.如权利要求6所述的光刻装置，其中所述气体喷射器包括具有壁部的至少一个气体供给管，所述气体供给管包括多个气体流出口，以及

其中每个气体流出口的长度大于该气体流出口的截面或直径。

8.如前述权利要求中的任何一项所述的光刻装置，还包括向气体喷射器供给气体的气体供给源，其中所述气体喷射器和所述气体供给源配置成在使用中实现：

$\underset{x1}{\overset{x2}{\∫}}p\left(x\right)\mathrm{dx}>1(\mathrm{Pa}.m)$

其中p(x)是通道中在位置x处的压力，x1是通道入口的位置，x2是通道中气体流出口的位置。

9.如前述权利要求中的任何一项所述的光刻装置，还包括可连接或连接到气体喷射器以向其供给至少第一气体的至少一个第一气体源，其中所述第一气体优选是氩，所述装置还包括至少一个气体供给源，其配置成将至少第二气体喷射到污染物收集器的对接端附近，以便捕获、转移和/或减速流出所述对接端的第一气体，其中所述第二气体优选是氦。

10.如前述权利要求中的任何一项所述的光刻装置，其中一组薄片或板限定通道，以及

其中一个或多个附加的薄片或板设置在至少一个通道中的主薄片之间。

11.一种光刻装置，例如是如前述权利要求中的任何一项所述的装置，该装置包括：

具有用于产生辐射光束的辐射源的辐射***；和

布置在辐射光束的路径中的污染物收集器，所述污染物收集器包括多个限定通道以大体上传输所述辐射光束的薄片或板(411)，其中每个薄片或板(411)具有至少第一部分(411Q)和第二部分(411R)，薄片或板(411)的第一部分(411Q)和第二部分(411R)相对彼此在不同的方向延伸并沿中间线(470)连接，其中中间线(470)的虚拟延长线相交在辐射源(S0)的中心。

12.如权利要求11所述的装置，其中薄片或板(411)的第一和第二部分包括彼此小于180°的角度(β)，例如大约170°的角度(β)或者更小。

13.一种光刻装置，例如是如前述权利要求中的任何一项所述的装置，包括：

具有用于产生辐射光束的辐射源的辐射***；和

布置在辐射光束的路径中的污染物收集器，所述污染物收集器包括多个限定通道以大体上传输所述辐射光束的薄片或板，

其中所述污染物收集器具有气体喷射器，该气体喷射器配置成在一个或多个位置将气体直接喷射到污染物收集器的至少一个通道中，其中所述气体喷射器具有一个或多个气体供给管(512)，例如延伸穿过薄片或板(511)的气体供给环或环形部，其中所述污染物收集器具有一个或多个隔热板(580)，该隔热板配置成在使用中使一个或多个气体供给管(512)大体上与辐射光束隔离。

14.如权利要求13所述的装置，其中每个隔热板由从薄片或板(511)延伸的隔热板部分(580)形成，例如从薄片或板(511)弯曲出的部分，其中优选的是当沿辐射光束的辐射传播方向看时邻接薄片或板的隔热板部分彼此重叠。

15.一种器件制造方法，包括将带图案的辐射光束投影到基底上，其中提供如前述权利要求中任何一项所述的装置，

其中优选地在至少两个不同位置将气体直接喷射到污染物收集器的至少一个通道中。

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