CN1892391B - 液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

提供了一种液晶显示器，包括：第一栅极电极；具有主体和延伸部的存储电极；形成在栅极绝缘层上的第一半导体；形成在第一半导体上的第一漏极电极，第一漏极电极与第一源极电极分隔，并具有与第一栅极电极重叠的末端部分和与存储电极的主体重叠并远离末端部分的展开部，以及连接末端部分和展开部并与存储电极的延伸部重叠的连接部；具有暴露第一漏极电极的展开部的接触孔的钝化层；和通过接触孔连接到第一漏极电极的第一电场生成电极。

Description

液晶显示器
相关申请的交叉引用 
本申请要求于2005年6月1日提交的韩国专利申请No.10-2005-0046911的优先权，并且其内容整体在这里被引作参考。 
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器(“LCD”)及其显示方法，更具体的说，本发明涉及一种改进侧面可见度的LCD，以及一种改进LCD显示的方法。 
背景技术
液晶显示器(“LCD”)被广泛应用于平板显示器，其包括两个具有电场生成电极例如像素和公共电极的板，以及***其中的液晶(“LC”)层。该LCD通过给电场生成电极施加电压在LC层中产生电场，并排列LC层的LC分子以控制其上入射光的偏振，从而显示所要的图像。 
在垂直排列(“VA”)模式的显示器中，LC分子的导向器(director)在不施加电场的情况下相对于上部和下部板垂直排列，这样它提供高对比度系数和大角度的参考视角。该参考视角指的是对比度系数为1∶10时的视角，或者是内灰度亮度转换限定角。 
在VA模式的LCD中，可以在电场生成电极上形成切口或凸起以实现大角度的视角。当LC分子倾斜的方向由切口或凸起的方式决定时，可以使LC分子倾斜的方向不同，从而使参考视角变宽。 
然而，VA模式的LCD具有相比于其正面的可见度较差的侧面可见度。例如，在图案化垂直排列(“PVA”)模式的LCD具有切口的情况下，其亮度随它到达其侧面而增强，并且在严重的情况下，高灰度之间的亮度差被消除，这样所显示的图像可能看起来是变形的。 
为了提高侧面可见度，已提出将一个像素划分成两个子像素，其彼此电容组合。将一电压直接施加到子像素之一，由于电容组合而在另一个子像素上导致一电压降。通过这种方式，两个子像素在电压上彼此不同，具有不同的透光率。 
然而，通过这样一种方法，两个子像素的透光率不能被正确地控制到所要求的水平，并且特别是，对各个颜色的透光率是不同的。因此，不能对于各个颜色分别调整电压。此外，为电容组合增加的导体使得宽高比变得更差，并且由电容组合引起的电压降降低了透光率。 
发明内容
本发明提供一种液晶显示器(“LCD”)，其在没有图像变形或宽高比降低的情况下改进侧面可见度，以及一种改进LCD显示的方法。 
本发明典型的实施例提供一种液晶显示器，其包括：形成在基板上的第一栅极电极；形成在基板上并与第一栅极电极分隔的存储电极，存储电极具有一主体和一延伸部；形成在第一栅极电极和存储电极上的栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上的第一半导体；形成在第一半导体上的第一源极电极；形成在第一半导体上并与第一源极电极分隔的第一漏极电极，第一漏极电极具有与第一栅极电极重叠的末端，与存储电极主体重叠并与末端间隔的展开部，以及连接末端和展开部的连接部，该连接部与存储电极的延伸部重叠；形成在第一源极电极和第一漏极电极上并具有暴露第一漏极电极的展开部的接触孔的钝化层；和通过接触孔连接到第一漏极电极上的第一电场生成电极。 
本发明其它典型的实施例提供一种液晶显示器，其包括多个以矩阵形式排列的像素，每个像素具有第一和第二子像素、多个连接到第一和第二子像素的第一信号线、多个与第一信号线相交并连接到第一子像素的第二信号线、和多个与第一信号线相交并连接到第二子像素的第三信号线。第一子像素具有连接到第一和第二信号线的第一开关元件、连接到第一开关元件的第一液晶电容器、和连接到第一开关元件的第一存储电容器。第二子像素具有连接到第一和第三信号线的第二开关元件、连接到第二开关元件的第二液晶电容器、和连接到第二 开关元件的第二存储电容器。从图像信息获得施加给第一和第二液晶电容器上的电压，将一电压提供给第一子像素，该电压小于施加给第二子像素的相对于预定电压的电压。第一存储电容器的存储电容量大于第一电容量或者第二存储电容器的存储电容量小于第二电容量，其中第一和第二电容量是当向第一和第二子像素提供同一电压时导致第一和第二子像素的反冲电压基本上彼此相等的第一和第二存储电容器的电容量。 
本发明其它典型实施例提供一种液晶显示器，其包括：形成在基板上的存储电极，该存储电极具有主体和延伸部；和第一漏极电极，其具有末端，与存储电极主体重叠的展开部，以及连接末端和展开部的连接部，该连接部与存储电极的延伸部重叠。 
本发明其它典型实施例提供一种改进液晶显示器显示的方法，该方法包括在液晶显示器中基于被施加以不同数据电压的液晶电容器的电容量变化，调整每个像素内至少一个存储电容器的电容量，其中通过调整至少一个存储电容器的电容量，宽高比不降低。 
附图说明
通过结合附图对实施例的详细描述，本发明将变得更清楚。其中： 
图1A到1C是根据本发明典型实施例的典型LCD的方框图； 
图2是图1A到1C所示的典型LCD的典型像素的等效电路图； 
图3是图1A到1C所示的典型LCD的典型子像素的等效电路图； 
图4是用于根据本发明典型实施例的典型LCD的典型TFT阵列板的布局图； 
图5是用于根据本发明典型实施例的典型LCD的典型公共电极板的布局图； 
图6是包括图4所示的典型TFT阵列板和图5所示的典型公共电极板的典型LCD的布局图； 
图7A和7B是分别沿图6所示的线VIIA-VIIA、和VIIB-VIIB’、VIIB’-VIIB”截取的典型LCD的截面图； 
图8是用于根据本发明典型实施例的另一个典型LCD的典型TFT阵 列板的布局图； 
图9是根据本发明另一个典型实施例的典型LCD的框图； 
图10是图9所示的典型LCD的典型像素的等效电路图； 
图11是图9所示的典型LCD的布局图； 
图12是沿图11所示的线XII-XII截取的典型LCD的截面图； 
图13A是用于根据本发明另一个典型实施例的典型LCD的典型TFT阵列板的布局图； 
图13B是沿图13A所示的线XIIIB-XIIIB截取的典型TFT阵列板的截面图； 
图14A是根据用于本发明另一个典型实施例的典型LCD的典型TFT阵列板的布局图；和 
图14B是沿图14A所示的线XIVB-XIVB截取的典型TFT阵列板的截面图。 
具体实施方式
下面将结合附图更充分地描述本发明，其中示出本发明的优选实施例。然而，本发明可以以多种不同的形式体现，而不能被解释为限于这里提出的实施例。 
在附图中，为了清楚起见，层、薄膜和区域的厚度被放大。始终以相同的数字指示相同的元件。可以理解的是，当一个元件例如层、薄膜、区域或基板被认为是在另一个元件的“上面”时，它可以是直接在其它元件的上面或者也可以存在***元件。相反，当一个元件被认为是在另一个元件的“直接上面”时，那么不存在***元件。 
如这里所采用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项的任何和所有组合。 
可以理解的是，尽管这里术语第一、第二、第三等可以被用来描述不同的元件、组成部分、区域、层和/或部件，但是这些元件、组成部分、区域、层和/或部件不能由这些术语限制。这些术语仅仅用来将一个元件、组成部分、区域、层或部件与另一个元件、组成部分、区域、层或部件区分开。这样下面所述的第一元件、组成部分、区域、 层或部件可以被称作第二元件、组成部分、层或部件，而不脱离本发明的教导。 
这里所采用的术语学仅仅用于描述特定实施例的目的，不意味着对发明的限制。如这里所采用的，单数形式“a”、“an”、“the”意味着也包括复数形式，除非上下文清楚指示其它形式。可以进一步理解的是，当在本说明书采用术语“包含”和/或“由……组成”，或“包括”和/或“包括……在内”时，列举规定的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组成部分的存在，但不排除其一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组成部分和/或组的存在或者添加。 
这里可以采用与空间相关的术语，例如“在……正下方”、“在……下方”、“低于”、“在……上方”、“上面的”等等，用于更容易地描述附图所示的一个元件或特征对于另一个元件或特征的关系。可以理解的是，与空间相关的术语意味着除了附图所示的方位之外还拥有使用或操作中的设备的不同定位。例如，如果附图中的设备被翻转，那么所述的在其它元件或特征“下方”或“正下方”的元件将定位在其它元件或特征的“上方”。这样典型术语“在……下方”可以拥有上方和下方的方位。设备也可以其它方式定位(旋转90度或者在其它方位)，在这里所采用的与空间相关的描述词可以据此解释。 
除非另有规定，这里所采用的所有的术语(包括技术和科学术语)具有与一个本发明所属技术领域的技术人员的普遍理解相同的含义。可以进一步理解的是，这些术语例如那些普遍使用的字典中所限定的术语可以被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中一致的含义，但不能被理想化或过度形式意义地解释，除非这里清楚地如此限定。 
现在，将结合图1到3描述根据本发明典型实施例的LCD。 
图1A至1C是根据本发明典型实施例的典型LCD的框图，图2是图1A至1C所示的典型LCD的典型像素的等效电路图，和图3是图1A至1C所示的典型LCD的典型子像素的等效电路图。 
如图1A至1C所示，LCD包括：LC板组件300；连接到LC板组件300 的如图1A所示的一对栅极驱动器400a和400b，或者如图1A和1B所示的栅极驱动器400；连接到LC板组件300的数据驱动器500；连接到数据驱动器500的灰度电压发生器800；和用来控制上述元件的信号控制器600。 
进一步如图2和3所示，该LC板组件300包括也称为TFT阵列板的下部板100、也称为公共电极板的上部板200、和***其中的LC层3，并且它还包括多个显示信号线G1至Gn和D1至Dm，以及多个连接至上述信号线的在电路图中基本上以矩阵形式排列的像素PX。 
显示信号线G1a至Gnb和D1至Dm被提供在下部板100上，并包括多个传送栅极信号(也称为扫描信号)的栅极线G1a至Gnb和多个传送数据信号的数据线D1至Dm。栅极线G1a至Gnb基本上沿行方向(第一方向)延伸，并且基本上彼此平行，同时数据线D1至Dm基本上沿列方向(第二方向)延伸，并且基本上彼此平行，第一方向基本上垂直于第二方向。 
图2示出一个像素PX上的显示信号线和等效电路。显示信号线包括一对由Gla和GLb表示的栅极线，由DL表示的数据线和存储电极线SL。存储电极线SL基本上平行于栅极线Gla和GLb并在两者之间延伸。 
每个像素PX包括一对子像素PXa和PXb，子像素PXa和PXb分别包括开关元件Qa和Qb、连接到开关元件Qa和Qb的LC电容CLCa和CLCb、以及存储电容器CSTa和CSTb。存储电容器CSTa和CSTb被连接到开关元件Qa和Qb以及存储电极线SL。 
如图3所示，各个子像素PXa和PXb的开关元件Q，例如薄膜晶体管(“TFT”)被提供在下部板100上。开关元件Q具有三个端子：连接到栅极线GL的控制端，例如栅极电极；连接到数据线DL的输入端，例如源极电极；和连接到LC电容CLC和存储电容器CST的输出端，例如漏极电极。 
LC电容CLC包括提供在下部板100上的子像素电极PE和提供在上部板200上的公共电极CE，作为两个端子。设置在两个电极PE和CE之间的LC层3起LC电容CLC的电介体的作用。子像素电极PE被连接到开关元件Q，并且公共电极CE被施加公共电压Vcom，覆盖上部板200的整个表面，或者至少基本上整个表面。在可替换实施例中，公共电极CE可以被提 供在下部板100上，并且电极PE和CE都可以具有条或带形。 
存储电容器CST是LC电容CLC的辅助电容。存储电容器CST包括子像素电极PE和存储电极线SL，其被提供在下部板100上，通过一个绝缘体与子像素电极PE重叠，并被施加预定电压例如公共电压Vcom。可替换的是，存储电容器CST包括子像素电极PE和被称为前栅极线的相邻的栅极线，其通过绝缘体与子像素电极PE重叠。 
为了实现颜色显示，每个像素唯一地代表来自一组主色的一种颜色(也就是空间分割)，或者每个像素PX连续地依次代表颜色(也就是时间分割)，这样颜色的空间或时间的总和被认为是所要的颜色。典型的一组主色包括红、绿和蓝色，尽管其它颜色组也可以在这些实施例的范围内。图3示出空间划分的一个实例，其中每个像素PX包括代表上部板200的一个区域中的一种颜色的滤色器CF。可替换的是，滤色器CF被提供在下部板100上的子像素电极PE的上方或下方。 
参照图1A至1C，栅极驱动器400a和400b(或400)被连接到LC板组件300的栅极线G1a至Gnb，并且它们综合栅极导通电压Von和栅极截止电压Voff以产生栅极信号提供给栅极线G1a至Gnb。 
如图1A所示，一对栅极驱动器400a和400b被分别放置在LC板组件300的左和右侧，并且它们被分别连接到第奇数和第偶数条栅极线G1a 至Gnb。可替换的是，如图1B和1C所示，一个栅极驱动器400被放置在LC板组件300的一侧，并被连接到所有的栅极线G1a至Gnb。尽管图1B和1C中的栅极驱动器400被表示为布置在LC板组件300的左侧，但是栅极驱动器400可以替换地位于LC板组件300的右侧。如图1C所示，基于两个驱动电路401和402来建立栅极驱动器400，并分别被连接到第奇数和第偶数条栅极线G1a至Gnb。 
灰度电压发生器800产生与像素PX的透光率相关的两组多个灰度电压(或者参考灰度电压)。两组灰度电压被单独地供给形成每个像素PX的两个子像素PXa和PXb。每组灰度电压的电压具有相对于公共电压Vcom的正极性或者相对于公共电压Vcom的负极性。可替换的是，可以仅仅产生一组(参考)灰度电压代替两组(参考)灰度电压。 
数据驱动器500被连接到LC板组件300的数据线D1至Dm以选择来自 灰度电压发生器800的两组灰度电压中的一组，并施加所选灰度电压组中的一个灰度电压给像素PX作为数据电压。然而，在灰度电压发生器800不施加所有灰度电压而仅施加参考灰度电压的情况下，数据驱动器500划分参考灰度电压，并产生相对于所有灰度的灰度电压，同时从所产生的灰度电压中选择数据电压。 
图1B和1C的栅极驱动器400(或者图1A的栅极驱动器400a和400b)或者数据驱动器500被直接以一个或多个驱动集成电路(“LC”)芯片的形式设置在LC板组件300上，或者被设置在柔性印刷电路(“FPC”)薄膜(未示出)并以带式载体封装(“TCP”)的形式连接到LC板组件300。相比之下，栅极驱动器400(或者400a和400b)或者数据驱动器500可以与LC板组件300成为一整体。 
根据本发明典型实施例的典型LCD的结构可以结合图4至8加以描述。 
图4是根据本发明典型实施例的用于典型LCD的典型TFT阵列板的布局图，和图5是根据本发明典型实施例的用于典型LCD的典型公共电极板的布局图。图6是包括图4所示的典型TFT阵列板和图5所示的典型公共电极板的典型LCD的布局图，图7A和7B是分别沿图6所示的线VIIA-VIIA和VIIB-VIIB′、VIIB′-VIIB″截取的典型LCD的截面图，和图8是用于根据本发明典型实施例的另一个典型LCD的典型TFT阵列板的布局图。 
如图4至7B所示，该LCD包括TFT阵列板100、面向TFT阵列板100的公共电极板200和设置在板100和200之间的LC层3。 
首先，将结合图4和6至7B描述该TFT阵列板100。 
多对第一和第二栅极线121a和121b和多个存储电极线131被形成在由一种例如但不限于透明玻璃或者塑料的材料制成的绝缘基板110上。 
第一和第二栅极线121a和121b传送栅极信号并基本上沿横向方向(第一方向)延伸。第一和第二栅极线121a和121b被分别安排在像素PX的上部分和下部分。也就是第一和第二栅极线121a和121b位于像素PX的两边。 
每个第一栅极线121a包括多个向下凸出、朝向与其连接的像素PX的栅极电极124a，以及具有与另一层或者外部驱动电路接触的较大区域的末端部分129a。该末端部分129a被表示成设置在其左侧。 
每个第二栅极线121b包括多个向上凸出、朝向与其连接的像素PX的栅极电极124b，和具有与另一层或外部驱动电路接触的较大区域的末端部分129b。该末端部分129b被表示成设置在其左侧。 
可替换的是，末端部分129a和129b可以都被设置在第一和第二栅极线121a和121b的右侧或者可以被安排在彼此相对的侧面。 
用来产生栅极信号的栅极驱动电路，例如那些包含在栅极驱动器400或者栅极驱动器400a和400b内的电路可以被设置在可附加到基板110的FPC薄膜(未示出)上，直接设置在基板110上，或者与基板110形成一体。栅极线121a和121b可以延伸连接到可集成在基板110上的驱动电路。 
存储电极线131被施加预定电压，并基本上沿横向平行于栅极线121a和121b的第一方向延伸。 
每个存储电极线131被布置在两个相邻的栅极线121a和121b之间，并且可以比第二栅极线121b离第一栅极线121a更近地定位，距两个相邻的第二栅极线121b几乎等距。每个存储电极线131包括：多个存储电极137，其向上和向下展开，也就是朝向第一栅极线121a和第二栅极线121b展开；和多个从存储电极137向上纵向延伸，也就是朝向第一栅极线121a延伸的条形延伸部139。 
存储电极137基本上为矩形以沿存储电极线131对称，并且延伸部139延伸到靠近第一栅极电极124a的右部。 
虽然示出了特定的结构，但是可以理解的是，存储电极线131以及存储电极137和延伸部139可以具有各种形状和布置。 
第一和第二栅极线121a和121b和存储电极线131优选由含有铝AL的金属例如AL和AL合金、含有银Ag的金属例如Ag和Ag合金、含有铜Cu的金属例如Cu和Cu合金、含有钼Mo的金属例如Mo和Mo合金、铬Cr、钽Ta或者钛Ti制成。然而，它们可以具有包括具有不同物理特性的两层导电薄膜(未示出)的多层结构。在这样一种多层结构中，薄膜之一 优选由低阻抗金属包括含有AL的金属、含有Ag的金属或者含有Cu的金属制成以降低信号延迟或者压降，同时另一层薄膜优选由例如含有Mo的金属、Cr、Ta或者Ti的材料制成，其具有与其它材料例如氧化铟锡(“ITO”)或者氧化铟锌(“IZO”)的良好的物理、化学和电接触特性。两种薄膜组合的实例包括下部的Cr薄膜和上部的AL(合金)薄膜以及下部的AL(合金)薄膜和上部的Mo(合金)薄膜。虽然描述了特定的实例，但是栅极线121和存储电极线131可以由各种金属或者导体制成。 
第一和第二栅极线121a和121b以及存储电极线131的侧面相对于基板110的表面是倾斜的，并且其倾斜角度的范围从大约30度至大约80度。 
栅极绝缘层140优选但不限于由氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)制成，其形成在第一和第二栅极线121a和121b以及存储电极线131上，也形成在绝缘基板110被暴露的表面。 
多个半导体岛154a、154b、156a和157a优选由氢化非晶硅(“a-Si”)或者多晶硅制成，其形成在栅极绝缘层140上。半导体岛154a和154b被分别设置在栅极电极124a和124b上，半导体岛156a和157a覆盖第一和第二栅极线121a和121b、存储电极线131以及存储电极137和延伸部139的边缘。 
多对欧姆接触岛163a、163b、165a、165b和166a形成在半导体岛154a、154b和156a上，并且多对欧姆接触岛(未示出)可以形成在半导体岛157a上。 
欧姆接点163a、163b、165a、165b和166a优选由多掺n型杂质(例如磷)的n+氢化a-Si制成，或者它们由硅化物制成。一对第一欧姆接点163a和163b以及一对第二欧姆接点165a和165b被分别放置在半导体154a和154b上。 
半导体岛154a、154b、156a和157a以及欧姆接点163a、163b、165a、165b和166a的侧面相对于基板110的表面是倾斜的，并且其倾斜角度优选在大约30度到大约80度的范围内。 
多个数据线171和多对第一和第二漏极电极175a和175b形成在欧 姆接点163a、163b、165a、165b和166a上，以及栅极绝缘层140上。 
数据线171传送数据信号并基本上沿纵向方向，即基本上垂直于第一方向的第二方向延伸以与栅极线121a和121b以及存储电极线131相交。每个数据线171包括多个分别向栅极电极124a和124b凸出的源极电极173a和173b，和具有用于与另一层或者外部驱动电路接触的较大区域的末端部分179。用来产生数据信号的数据驱动电路例如位于数据驱动器500内的电路可以被设置在可附加到基板110的FPC薄膜(未示出)上，直接设置在基板110上或者与基板110成为一体。数据线171可以延伸连接到可与基板110形成一体的驱动电路。 
第一和第二漏极电极175a和175b彼此间隔并与数据线171间隔。 
每个第一漏极电极175a包括面向与第一栅极电极124a相关的第一源极电极173a的条形末端部分176a、与末端部分176a相对的宽矩形展开部177a、和连接展开部177a到末端部分176a的条形连接部176aa。条形末端部分176a可以基本上平行于栅极线121a延伸，并且条形连接部176aa可以基本上平行于数据线171延伸。 
每个展开部177a与存储电极137重叠，并且每个末端部分176a与第一栅极电极124a重叠，并部分由弯曲得像字母C的第一源极电极173a围绕。第一漏极电极175a的连接部176aa主要设置在延伸部139上以平行于延伸部139延伸，并设置在延伸部139的垂直边界之内。也就是延伸部139可以具有比连接部176aa更大的宽度。 
类似于第一漏极电极175a，每个第二漏极电极175b包括面向与第二栅极电极124b重叠的第二源极电极173b的条形末端部分176b，与末端部分176b相对的宽矩形展开部177b，和连接展开部177b到末端部分176b的条形连接部176bb。每个展开部177b与存储电极137重叠，并且末端部分176b与第二栅极电极124b重叠，并部分由弯曲得像字母C的第二源极电极173b围绕。第二漏极电极175b的展开部177b的区域小于第一漏极电极175a的展开部177a的区域。 
如上所述，由于延伸部139设置在第一漏极电极175a的连接部176aa的下方，因此存储电极137的存储电容量增加。由此，存储电极137的尺寸被做得更小以增加宽高比。 
第一和第二栅极电极124a和124b、第一和第二源极电极173a和173b以及第一和第二漏极电极175a和175b与半导体154a和154b一起分别形成第一和第二TFT的Qa和Qb，其具有形成在设置于源极电极173a和173b以及漏极电极175a和175b之间的半导体岛154a和154b上的沟道。 
数据线171和漏极电极175a和175b优选由难熔金属例如Cr、Mo、Ta、Ti或者其合金制成。可替换的是，它们可以具有包括难熔金属薄膜(未示出)和低阻抗薄膜(未示出)的多层结构。这样一种多层结构的实例包括双层结构，其包括下部Cr/Mo(合金)薄膜和上部AL(合金)薄膜，以及下部Mo(合金)薄膜、中部AL(合金)薄膜和上部Mo(合金)薄膜的三层结构。虽然描述了特定实施例，但是数据线171和漏极电极175a和175b可以由各种金属或者导体制成。 
数据线171和漏极电极175a和175b具有倾斜的边缘轮廓，并且其倾斜角度的范围从大约30度至大约80度。 
欧姆接点163a、163b、165a、165b和166a仅被置于下面的半导体154a和154b与上覆的数据线171和其上漏极电极175a和175b之间，并减少它们之间的接触阻值。设置在栅极线121a和121b和存储电极线131上的半导体156a和157a使表面的轮廓变平滑，由此防止数据线171与漏极电极175a和175b断开连接。半导体岛154a和154b包括一些暴露的部分，其没有被数据线171和漏极电极175a和175b覆盖，例如分别位于源极电极173a和173b和漏极电极175a和175b之间的部分，其形成第一和第二TFT的Qa和Qb的沟道。 
钝化层180形成在数据线171和漏极电极175a和175b以及半导体岛154a和154b的暴露部分上，以及形成在栅极绝缘层140的任何暴露部分上。钝化层180优选由无机或者有机绝缘体制成并且它具有平坦的顶部表面。无机绝缘体的实例包括但不限于氮化硅和氧化硅。有机绝缘体可以具有感光性和小于大约4.0的介电常数。尽管作为单一的层示出，钝化层180可以替换地包括无机绝缘体的下部薄膜和有机绝缘体的上部薄膜，这样它获得有机绝缘体极好的绝缘特性同时防止半导体岛154a和154b的暴露部分被有机绝缘体损坏。 
钝化层180具有多个接触孔182、185a和185b，分别暴露数据线171的末端部分179以及第一和第二漏极电极175a和175b的展开部177a和177b。钝化层180和栅极绝缘层140具有多个接触孔181a和181b，暴露第一和第二栅极线121a和121b的末端部分129a和129b。 
每个具有第一和第二子像素电极191a和191b的多个像素电极191、多个屏蔽电极88和多个辅助接触件81a、81b和82形成在钝化层180上，例如在同样的制造过程期间。它们优选由透明导体例如ITO和IZO，或者反射导体例如Ag、AL、Cr和其合金制成。 
每个像素电极191近似为具有四个倒角的矩形。像素电极191的倒角相对于栅极线121a和121b呈大约45度角。 
形成像素电极191的一对子像素电极191a和191b相对于间隙92彼此衔接。第二子像素电极191b近似为一个旋转等边梯形，其基部凹陷，例如在存储电极线131的位置处，并且主要地由第一子像素电极191a包围。第一子像素电极191a在像素的左侧具有彼此连接的上部梯形、下部梯形和中心梯形。 
第一子像素电极191a具有切口93a至93c和94a至94c，分别从上部梯形的顶部和下部梯形的底部向其每个右侧延伸。第一栅极线121a在切口93a和93b之间以及切口94a和94b之间延伸。第一子像素电极191a的中心梯形适于第二子像素电极191b的凹陷基部。第一子像素电极191a包括中心切口91，其包括横向部分和一对连接到横向部分的倾斜部分。横向部分简单地沿第一子像素电极191a的虚拟中心横向线延伸，并且倾斜部分从横向部分的一个末端延伸到像素电极191的左边。倾斜部分相对于存储电极线131呈大约45度角。 
位于第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间的间隙92包括两对上部和下部倾斜部分和三个纵向部分。上部和下部倾斜部分分别相对于栅极线121a和121b呈大约45度角。为了便于示例，间隙92也可被称为切口。切口91至94c基本上相对于存储电极线131具有反向对称性。切口91至94c与栅极线121a和121b大约成45度角，第一栅极线121a和存储电极线131之间的切口基本上垂直于存储电极线131和第二栅极线121b之间的切口延伸。像素电极191被切口92、93a至93c以及94a 至94c划分成多个分区。因此，像素电极191围绕存储电极线131被水平地对分，并且像素电极191的上半部和下半部分别被切口91至94c划分成六个分区。 
尽管示出和描述了子像素电极191a和191b和切口91至94c的特定实施例，但是分区的数量或者切口的数量可以基于设计因素例如像素尺寸、像素电极191横边和纵边的比值、液晶层3的种类和特性等等可替换地改变。 
第一和第二子像素电极191a和191b通过接触孔185a和185b被物理地和电连接到第一和第二漏极电极175a和175b，这样第一和第二子像素电极191a和191b分别经过它们的展开部177a和177b从第一和第二漏极电极175a和175b接收数据电压。一对子像素电极191a和191b被分别施加不同的数据电压，其基于输入图像信号被预先确定，并且数据电压的幅值可以由子像素电极191a和191b的尺寸和形状决定。此外，子像素电极191a和191b的面积可以彼此不同。例如，第二子像素电极191b接收的电压大于第一子像素电极191a接收的电压，并且第二子像素电极191b在面积上小于第一子像素电极191a。 
被施加数据电压的子像素电极191a和191b和被施加公共电压的公共电极板200的公共电极270形成电容CLCa和CLCb，其被称作“液晶电容器”(“LC电容”)，其在TFT截止后储存所施加的电压。每个LC电容CLCa和CLCb包括LC层3作为介电体。 
第一和第二子像素电极191a和191b和与其连接的展开部177a和177b与存储电极线131重叠，存储电极线131包括存储电极137和延伸部139。第一和第二子像素电极191a和191b和与其连接的展开部177a和177b以及存储电极线131分别形成被称作“存储电容器”的附加电容CSTa和CSTb，其提高LC电容CLCa和CLCb的电压存储电容量。 
每个像素的屏蔽电极88被施加公共电压，并且它包括沿数据线171延伸的纵向部分和沿第二栅极线121b延伸的横向部分。纵向部分完全覆盖数据线171，并且横向部分位于第二栅极线121b的边界内。屏蔽电极88阻断在数据线171和像素电极191之间以及数据线171和公共电极270之间产生的电场以减小像素电极191的电压变形和由数据线171 传送的数据电压的信号延迟。如果需要，屏蔽电极88可以被省略。 
辅助接触件81a、81b和82分别通过接触孔181a、181b和182被连接到栅极线121a和121b的末端部分129a和129b和数据线171的末端部分179。辅助接触件81a、81b和82保护末端部分129a、129b和179并提高末端部分129a、129b和179与外部设备之间的附着力。 
接下来结合图5至7B描述公共电极板200。 
被称作黑色矩阵的阻光元件220用来防止漏光，形成在由一种例如但不限于透明玻璃或者塑料的材料制成的绝缘基板210上。 
阻光元件220具有多个面向像素电极191的开口225，并且它可以具有基本上与像素电极191相同的平面形状。另外，阻光元件220可以包括多个在TFT阵列板100上面向数据线171的直线部分和多个在TFT阵列板100上面向TFT的Qa和Qb的加宽部分。然而，阻光元件220可以形成各种形状以防止在像素电极191和TFT的Qa和Qb附近漏光。 
多个滤色器230也形成在基板210上，并且它们基本上被设置在由阻光元件220包围的区域之内。滤色器230可以基本上沿像素电极191在纵向方向上延伸，滤色器230可以代表三种颜色中的一种，例如但不限于红、绿和蓝色中的一种。 
外涂层250形成在滤色器230和阻光元件220上。外涂层250优选由(有机)绝缘体制成，并且它防止滤色器230被暴露并提供平滑表面。在一个可替换实施例中，外涂层250可以被省略。 
公共电极270形成在外涂层250上。公共电极270优选由透明导电材料，例如但不限于ITO和IZO制成，并具有多组切口，例如切口71、72、73、74a、74b、75a、75b、76a和76b。 
一组切口71至76b面向像素电极191并包括中心切口71至73，上部切口74a、75a和76a，和下部切口74b、75b和76b。在一组切口71至76b内的每个切口71至76b被设置在公共电极270上对应于像素电极191的相邻切口91至94c之间，切口91、94a、94b或者94c与像素电极191的削边之间，或者像素电极191的左边之间的位置的位置处。此外，每个切口71至76b至少具有倾斜部分，平行于像素电极191的切口91至94c延伸。 
每个下部和上部切口74a至76b包括倾斜部分以及一对横向和纵向部分或者一对纵向部分。倾斜部分近似从像素电极的右边向上边或者下边延伸，并平行于像素电极191的上部和下部切口93a至94c。横向和纵向部分沿像素电极191的边缘从对应位置倾斜部分的各自末端延伸，与边缘重叠并与倾斜部分成钝角。 
每个中心切口71和72包括中心横向部分、一对倾斜部分和一对末端纵向部分。中心横向部分在公共电极270上近似对应的位置处沿存储电极线131从像素电极191的中心或右边延伸。倾斜部分近似从中心横向部分的末端向对应于像素电极191的左边的位置延伸并近似平行于各自的下部和上部切口74a至76a。末端纵向部分沿像素电极191的左边从对应位置的各自倾斜部分的末端延伸，与像素电极191的左边重叠并与各自倾斜部分成钝角。 
如所述，切口73至76b的倾斜部分包括三角形的缺口。 
缺口可以形成矩形、梯形或者半圆形，或者它们可以是凹入的或者凸起的。缺口决定位于对应切口71至76b的区域边界处的LC层3的LC分子的倾斜方向。 
该组切口71至76b在对应于像素电极191的位置处可以重复穿过公共电极270。 
尽管已示出和描述了一组切口71至76b的特定设置，但是切口71至76b的数量和设置可以依据设计因素可替换地改变，并且阻光元件220可以与切口71至76b重叠以阻挡漏光穿过切口71至76b。 
可以为同型的取向层11和21被涂在板100和200的内表面上，并且在板100和200的外表面上提供偏光器12和22，这样它们的偏振轴可以交叉并且偏振轴之一可以平行于栅极线121a和121b。当LCD是反射型LCD时，偏光器12和22之一可以被省略。 
LCD可以还包括至少一个延迟膜(未示出)用来补偿LC层3的延迟。该延迟膜具有双折射并相对LC层3阻挡。 
优选的是，LC层3具有负介电各向异性，并且易于垂直排列，这样LC层3中的LC分子在电场存在的情况下与它们基本上垂直于板100和200表面的长轴对准。因此，入射光不能穿过交叉的偏振***12和22。 
在施加公共电压给公共电极270和施加数据电压给像素电极191的情况下，产生LC电容CLCa和CLCb之间的电压差，从而产生基本上垂直于板100和200表面的电场。像素电极191和公共电极270在此后都都被称作“电场生成电极”。LC分子响应于电场试图改变它们的倾斜方向和改变它们的定位，这样它们的长轴垂直于电场方向，并且入射光的偏振变化量依据LC层3中的LC分子的方位而改变。偏振变化由偏光器12和22导致透光率变化，从而图像被表示在LCD上。 
LC分子的倾斜角度基于电场强度而改变。当施加给第一子像素电极191a的电压小于施加给第二子像素电极191b的电压时，通过第一LC电容CLCa的电压Va大于通过第二LC电容CLCb的电压Vb，这样第一子像素PXa和第二子像素PXb中的LC分子的倾斜角度彼此不同，从而子像素PXa和PXb的亮度彼此不同。因此，当适当调整用于LC电容CLCa和CLCb的电压Va和Vb时，在侧面看到的图像变得接近从前面看到的图像，从而提高LCD的侧面可见度。 
LC分子的倾斜角度由切口71至76b和91至94c以及像素电极191的倾斜边所产生电场的变形导致的水平分量决定，并且水平分量垂直于切口71至76b和91至94以及像素电极191的边缘。 
参照图6，一组切口71至76b或者91至94c将像素电极171分成多个子区，并且每个子区具有两个主边，与像素电极191的主边成倾斜角度。各个子区的LC分子的倾斜方向基于电场的水平分量所限定的方向而决定，并且倾斜方向通常具有四个方向，从而增加LCD的参考视角。 
尽管示出和描述了切口71至76b和91至94c的典型实施例，但是切口71至76b和91至94c的形状和设置可以在可替换实施例中被变型。 
在可替换的实施例中，至少切口71至76b和91至94c之一能够被凸起(未示出)或者凹下(未示出)所代替。凸起优选由有机或者无机材料制成，并布置在电场生成电极191或270的上方或者下方。 
接下来，结合图1A和2描述上述LCD的操作。 
施加输入图像信号R、G和B以及来自外部图形控制器(未示出)的用于控制其显示的输入控制信号到信号控制器600。该输入图像信号R、G和B包含每个像素PX的亮度信息，并且亮度具有预定数量的灰度， 例如1024(＝210)，256(＝28)，或者64(＝26)个灰度。该输入控制信号包括垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、主时钟信号MCLK，数据使能信号DE等等。 
在产生栅极控制信号CONT1和数据控制信号CONT2并在输入控制信号和输入图像信号R、G和B的基础上处理图像信号R、G和B以适于LC板组件300的操作之后，信号控制器600传送栅极控制信号CONT1到栅极驱动器400a和400b，并将处理过的图像信号DAT和数据控制信号CONT2传送到数据驱动器500。 
栅极控制信号CONT1包括扫描开始信号STV用来指示开始扫描，和至少一个时钟信号用来控制栅极导通电压Von的输出时间。 
数据控制信号CONT2包括：水平同步开始信号STH，用来通知为每个像素PX中的一组子像素PXa和PXb的数据传送开始；负载信号LOAD，用来指示施加数据电压给数据线D1至Dm；和数据时钟信号HCLK。该数据控制信号CONT2可以还包括转换信号RVS用来转换数据电压的极性(相对于公共电压Vcom)。 
响应于来自信号控制器600的数据控制信号CONT2，数据驱动器500接收来自信号控制器600的用于该组子像素PXa和PXb的图像数据包DAT，并接收由灰度电压发生器800提供的两组灰度电压中的一组。数据驱动器500将图像数据DAT转换为由灰度电压发生器800提供的灰度电压所选择的模拟数据电压，并将数据电压施加给数据线D1至Dm。 
可替换的是，被分开提供的外部选择电路(未示出)而不是数据驱动器500可以选择和传送两组灰度电压中的一组给数据驱动器500，或者灰度电压发生器800可以提供具有变化幅值并由数据驱动器500划分的参考电压以形成灰度电压。 
栅极驱动器400a和400b响应于来自信号控制器600的栅极控制信号CONT1，施加栅极导通电压Von给栅极线G1a至Gnb，从而开启连接到其的开关元件Qa和Qb。来自数据驱动器500提供给数据线D1至Dm的数据电压通过被激活的开关元件Qa和Qb被施加给子像素PXa和PXb。 
施加给子像素PXa和PXb的数据电压与公共电压Vcom之间的差被表示为LC电容CLCa和CLCb两端的电压，其被称作像素电压。LC电容CLCa 和CLCb中的LC分子具有基于像素电压幅值的方位，并且分子方位决定穿过LC层3的光的偏振。偏光器12和/或22将光偏振转换为光透光率，这样像素PX显示由图像数据DAT表示的亮度。 
上述两组灰度电压表示出两条不同的伽马曲线。由于这两组被提供给像素PX的两个子像素PXa和PXb，因此两条伽马曲线的合成形成像素PX的伽马曲线。两组灰度电压优选被这样确定：所合成的伽马曲线接近前视处的参考伽马曲线。例如，在前视处所合成的伽马曲线与前视处最合适的参考伽马曲线相符，并且侧视处所合成的伽马曲线与前视处的参考伽马曲线最相似。因此可以改进侧面可见度。 
如上所述，向其提供了大于第一子像素电极191a的电压的第二子像素电极191b的面积小于第一子像素电极191a的面积，因此降低了侧面可见度的变形。特别是，当第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的面积比大约为2∶1时，后者的伽马曲线更接近前面的伽马曲线，从而更加改进侧面可见度。 
通过以半水平周期(被表示为“1/2H”并等于水平同步信号Hsync或者数据使能信号DE周期的一半)为单位重复这个过程，在一帧内顺序地提供栅极导通电压Von到所有栅极线G1a至Gnb，从而提供数据电压给所有像素。 
当下一个帧在一个帧结束后开始时，提供给数据驱动器500的转换控制信号RVS被控制，使得数据电压的极性被反转(其被称作“帧转换”)。转换控制信号RVS也可以被控制，使得在数据线中流动的图像数据信号的极性在一个帧内被周期性地转换(例如，行转换和点转换)，或者一个分组内的图像数据信号的极性被反转(例如列转换和点转换)。 
同时，参照图3，在栅极信号的状态从栅极导通电压Von改变为栅极截止电压Voff时，由开关元件Q的控制端(栅极电极)和输出端(漏极电极)之间的寄生电容Cgd产生下面限定的反冲电压Vk，并导致提供给像素电极PE的电压减小。 
Vk＝[Cgd/(CLC+CST+Cgd)]×ΔVg 
这里，ΔVg是栅极导通电压Von与栅极截止电压Voff之间的压差。 
如下面进一步的描述，依据本发明典型实施例的LCD的第一和第二子像素PXa和PXb的反冲电压Vka和Vkb的幅值基本上彼此相等。 
第一和第二子像素PXa和PXb的LC电容CLCa和CLCb的电容量由第一和第二子像素电极191a和191b的面积决定。例如，第一子像素电极191a可以具有比第二子像素电极191b更大的面积。因此，当提供给第一和第二子像素电极191a和191b的电压幅值基本上彼此相等时，第一LC电容CLCa的电容量大于第二LC电容CLCb的电容量。此外，与存储电极137重叠的第一漏极电极175a的展开部177a的面积大于第二漏极电极175b的展开部177b的面积。然而，主要运行在低灰度的第一子像素电极191a的第一LC电容CLCa具有由LC分子的方位限定的小于主要运行在高灰度的第二子像素电极191b的第二LC电容CLCb的介电常数的介电常数，这样第一LC电容CLCa的电容量被减小并且第二LC电容CLCb的电容量被增加。 
由此，当固定第一和第二子像素电极191a和191b的LC电容CLCa和CLCb的电容量时，第一子像素电极191a的反冲电压Vka的幅值大于第二子像素电极191b的反冲电压Vkb的幅值。结果是，为了平衡反冲电压Vka和Vkb，应当调整第一和第二存储电容器CSTa和CSTb的电容量。 
为了增加存储电容器CSTa的电容量以防止反冲电压Vka的增加，应当进一步形成与第一漏极电极175a的连接部176aa重叠的存储电极137的延伸部139或者应当扩宽第一漏极电极175的展开部177a和与展开部177a重叠的存储电极137的垂直宽度。由于第一和第二子像素PXa和PXb的反冲电压Vka和Vkb的幅值基本上彼此相等，因此定义公共电压Vcom的最佳幅值并且反冲电压Vka和Vkb也平衡，从而防止闪烁现象。 
如图4至7所示，存储电容器CSTa进一步由与第一漏极电极175a的连接部176aa重叠的存储电极137的延伸部139形成，这样即使存储电极137的面积减小也能确保存储电容器CSTa的足够电容量，并且由于不需要增大与展开部177a重叠的存储电极137的面积，因此宽高比也增加。 
此外，通过调整与存储电极137和它的延伸部139重叠的第一和第二漏极电极175a和175b的面积，可以定义第一和第二存储电容器CSTa和CSTb的电容量，这样其反冲电压Vka和Vkb彼此相等。另外，通过第 一和第二栅极线121a和121b提供给第一和第二子像素PXa和PXb的栅极信号可以不同。例如，可以通过改变栅极导通电压Von的幅值来调整ΔVg，从而使反冲电压Vka和Vkb的幅值相等。 
由于将相同的公共电压Vcom提供给公共电极270和屏蔽电极88，因此在它们之间几乎没有电场产生。由此，设置在公共电极270和屏蔽电极88之间的LC分子具有所保持的最初垂直排列状态，从而阻挡入射光。 
接下来，参考图8描述根据本发明典型实施例的另一个典型LCD。 
图8是根据本发明典型实施例的用于另一个典型LCD的典型TFT阵列板的布局图。 
参照图8，图8所示的LCD的TFT阵列板的层结构基本上与图4所示的相同，并因此对相同的元件可以进一步参考图4的描述。 
包括第一和第二栅极电极124a和124和末端部分129a和129b的多个第一和第二栅极线121a和121b以及包括存储电极137和延伸部139的多个存储电极线131形成在绝缘基板110上。栅极绝缘层140、多个半导体岛154a、154b、157a以及多个欧姆接触岛(未示出)依次形成在栅极线121a和121b以及存储电极线131上。每个均包括源极电极173a和173b和末端部分179的多个数据线171，以及多个包括展开部177a和177b、末端部分176a和176b和连接部176aa和176bb的漏极电极175a和175b形成在欧姆接点和栅极绝缘层140上。钝化层180形成在数据线171、漏极电极175a和175b以及半导体154a和154b的暴露部分上。多个接触孔181a、181b、182、185a和185b被提供在钝化层180和栅极绝缘层140上。多个像素电极191、多个屏蔽电极88和多个辅助接触件81a、81b和82形成在钝化层180上。 
与图4所示的TFT阵列板不同，位于每个像素PX的右侧的第二漏极电极175b的展开部177b和与展开部177b重叠的存储电极137的部分的宽度小于图4所示的宽度。因此，当提供小于第二子像素电极191b的电压给第一子像素电极191a时，第二LC电容CLCb的电容量增加以防止反冲电压Vkb变得小于反冲电压Vka。因此，反冲电压Vka和Vkb的幅值基本上变得彼此相等，并由此限定最佳的公共电压Vcom，并且反冲电压 Vka和Vkb的幅值可以平衡，这样防止了闪烁现象和宽高比的减小。 
基于图4所示的TFT阵列板的各种特征可以应用到图8所示的TFT阵列板上。 
接下来，结合图9和10描述依据本发明的另一个典型实施例的典型LCD。 
图9是依据本发明的另一个典型实施例的典型LCD的方框图，和图10是图9所示的典型LCD的典型像素的等效电路图。 
参照图9，LCD包括LC板组件301、连接到LC板组件301的栅极驱动器403和数据驱动器501、连接到数据驱动器500的灰度电压发生器801、和控制上述元件的信号控制器601。 
参照图9，LC板组件301包括多个信号线G1至Gn和D1至D2m和多个连接到其上并基本上以矩阵形式排列的像素PX。 
信号线G1至Gn和D1至D2m包括多个栅极线G1至Gn以传送栅极信号(也称作“扫描信号”)和多个数据线D1至D2m以传送数据信号。该栅极线G1至Gn基本上以行方向(即第一方向)延伸并且基本上彼此平行，同时数据线D1至D2m基本上以列方向(即第二方向)延伸，并且基本上彼此平行。该第一方向可以基本上垂直于第二方向。来自一组数据线D1至D2m 的一对数据线被分别设置在每个像素PX的相对侧。信号线可以还包括多个存储线SL，基本上平行于栅极线G1至Gn延伸。 
图10示出一个像素PX上的显示信号线和等效电路。显示信号线包括由GL表示的栅极线、由DLa和DLb表示的一对数据线、和存储电极线SL。该存储电极线SL基本上平行于栅极线GL延伸。 
每个像素PX包括一对子像素PXc和PXd，并且子像素PXc/PXd分别包括连接到栅极线GL和数据线Dla/DLb的开关元件Qc/Qd、连接到开关元件Qc/Qd的LC电容CLCc/CLCd、以及存储电容器CSTc/CSTd。存储电容器CSTc/CSTd被连接到开关元件Qc/Qd和存储电极线SL。 
开关元件Qc/Qd分别具有连接到数据线Dla/DLb的输入端，并且每个具有连接到栅极线GL的控制端。另外，每个子像素PXc和PXd基本上与图3所示的相同，子像素PXc和PXd的详细描述被省略。 
灰度电压发生器801产生两组多个与子像素PXc和PXd的透光率相 关的灰度电压。每一组中的电压具有相对于公共电压Vcom的正极性，同时另一组中的电压具有相对于公共电压Vcom的负极性。 
栅极驱动器403被连接到LC板组件301的栅极线G1至Gn，并使栅极导通电压Von和栅极截止电压Voff同步以产生栅极信号施加到栅极线G1至Gn。 
数据驱动器501被连接到LC板组件301的数据线D1至D2m，并通过数据线D1至D2m将从灰度电压发生器801提供的灰度电压中选择的数据电压施加到子像素PXc和PXd。 
信号控制器601控制栅极驱动器403和数据驱动器501。 
图9和10示出的根据本发明典型实施例的典型LCD的结构将结合图11和12进一步描述。 
图11是图9所示的典型LCD的布局图，和图12是沿图11所示的线XII-XII截取的典型LCD的截面图。 
如图11至12所示，LCD包括TFT阵列板101、面向TFT阵列板101的公共电极板201、和设置在板101和201之间的液晶层3。 
首先，将描述TFT阵列板101。 
多个栅极线121和多个存储电极线131a形成在由一种例如但不限于透明玻璃或者塑料的材料制成的绝缘基板110上。 
栅极线121传送栅极信号并基本上沿横向方向(即第一方向)延伸。每个栅极线121包括多个朝向它们与之相关的像素PX向上凸起的第一和第二栅极电极124c和124d，和具有用来与另一层或者外部驱动电路例如栅极驱动器403接触的较大面积的末端部分129。在所述实施例中，第一和第二栅极电极124c和124d被设置在像素PX的相对侧。 
存储电极线131a被提供预定电压并基本上沿横向方向(即第一方向)延伸，该方向基本上平行于栅极线121。 
每个存储电极线131a被设置在两个相邻的栅极线121之间，并离两个相邻栅极线121几乎等距。每个存储电极线131a包括多个朝向像素PX连接到的栅极线121和邻近像素PX但不连接到像素PX的栅极线向上和向下伸出的存储电极137a。多个条形延伸部139a朝向像素PX连接到的栅极线121从存储电极137a纵向地向下延伸。 
存储电极137a基本上为矩形，沿存储电极线131a对称，并且延伸部139a延伸到靠近第一栅极电极124c。尽管示出了特定的形状和布置，但在一个可替换的实施例中，存储电极线131a以及存储电极137a和延伸部139a可以具有各种形状和布置。 
栅极绝缘层140优选但不限于由氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)制成，形成在栅极线121和存储电极线131a上以及绝缘基板110的暴露部分上。 
多个半导体岛154c、154d、156b、157b优选由氢化a-Si或者多晶硅制成，形成在栅极绝缘层140上。半导体岛154c和154d被分别设置在栅极电极124c和124d上。半导体岛156b和157b覆盖栅极线121和存储电极线131a的边缘。 
多对欧姆接触岛163c、163d、165c、165d、166b和167b形成在半导体岛154c、154d、156b和157b上。欧姆接点163c、163d、165c、165d、166b和167b优选由多掺n型杂质例如磷的n+氢化a-Si制成，或者它们可以由硅化物制成。一对第一欧姆接点163c和163d以及一对第二欧姆接点165c和165d被分别放置在半导体154c和154d上并彼此分隔，在半导体154c和154d上形成沟道。欧姆接点166b和167b被分别放置在半导体156b和157b上。 
多个数据线171a和171b和多对第一和第二漏极电极175c和175d形成在欧姆接点163c、163d、165c、165d、166b和167b以及栅极绝缘层140上。 
数据线171a和171b传送数据信号并基本上沿纵向方向(即第二方向)延伸以与栅极线121和存储电极线131a相交。每个数据线171a和171b包括多个源极电极173c和173d，分别朝向栅极电极124c和124d凸起，并且末端部分179a和179b具有用来与另一层或者外部驱动电路例如数据驱动器501接触的较大面积。 
第一和第二漏极电极175c和175d彼此相隔并与数据线171a和171b相隔。 
每个第一和第二漏极电极175c和175d分别包括：与存储电极137a重叠并具有矩形大面积的展开部177c和177d；相对于第一栅极电极 124c和124d与展开部177c和177d相对并面向源极电极173c和173d的条形末端部分176c和176d；和连接展开部177c和177d到末端部分176c和176d的连接部176cc和176dd。 
展开部177c和177d与存储电极137a重叠，并且末端部分176c和176d与栅极电极124c和124d重叠并分别部分地被弯曲得像字母U的源极电极173c和173d包围。第一漏极电极175c的连接部176cc主要设置在延伸部139a上以与其平行延伸并设置在其垂直边界之内，这样延伸部139a具有大于连接部176cc的宽度。第二漏极电极175d的展开部177d的面积小于第一漏极电极175c的展开部177c的面积。 
第一/第二栅极电极124c/124d、第一/第二源极电极173c/173d和第一/第二漏极电极175c/175d与半导体154c/154d一起分别形成第一/第二TFT的Qc/Qd，其具有形成在设置于源极电极173c/173d和漏极电极175c/175d之间的半导体岛154c/154d中的沟道。 
欧姆接点163c、163d、165c、165d、166b和167b仅被置于下面的半导体154c、154d、156b和157b和上覆的数据线171a和171b以及其上漏极电极175c和175d之间，并减少它们之间的接触阻值。半导体岛154c和154d包括一些暴露的部分，其没有被数据线171a和171b和漏极电极175a和175b覆盖，例如分别位于源极电极173c和173d和漏极电极175c和175d之间，以及欧姆接点163c、163d和165c、165d之间的部分。半导体156b和157b使栅极线121和存储电极线131a表面的轮廓变平滑，由此防止数据线171a和171b与漏极电极175c和175d断开连接。 
钝化层180形成在数据线171a和171b和漏极电极175c和175d上，和半导体岛154c和154d的暴露部分上，以及栅极绝缘层140的暴露部分上。 
钝化层180分别具有多个暴露漏极电极175c和175d的展开部177c和177d以及数据线171a和171b的末端部分179a和179b的接触孔185c、185d、182a和182b。钝化层180和栅极绝缘层140具有多个接触孔181，暴露栅极线121的末端部分129。 
具有第一和第二子像素191a和191b、屏蔽电极88b和多个辅助接触件81、82a和82b的多个像素电极191形成在钝化层180上。 
一对形成像素电极191的子像素191a和191b相对于间隙93彼此衔接，像素电极191的外边界具有基本上为矩形的形状。第二子像素电极191b近似为一个旋转等边梯形，其基部例如在对应于存储电极线131a的区域处凹陷，并且主要地由第一子像素电极191a包围。第一子像素电极191a在左侧具有彼此连接的上部梯形、下部梯形和中心梯形。 
第一子像素电极191a的中心梯形适合于第二子像素电极191b的凹陷基部。 
位于第一子像素电极191a和第二子像素电极191b之间的间隙93具有近似一致的宽度并包括两对上部和下部倾斜部分和三个具有基本上一致宽度的纵向部分。为了便于示例，间隙93也可被称为切口。 
第一子像素电极191a具有切口96a、96b、97a和97b，分别从上部梯形的顶部和下部梯形的底部向其每个右侧延伸。第一子像素电极191a还包括切口91和92a，其包括横向部分和一对与之相连的倾斜部分。横向部分简短地沿第一子像素电极191a的虚拟中心横向线延伸，并且倾斜部分与存储电极线131a呈大约45度角。第二子像素电极192b具有从像素电极191的左侧向右侧延伸的切口94a和94b。切口91、92a、94a、94b、96a、96b、97a和97b基本上相对于存储电极线131a具有反向对称。切口91、92a、94a、94b、96a、96b、97a和97b相对于栅极线121大约成45度角，并且像素电极191的上部上的切口基本上垂直于像素电极191的下部上的切口延伸。 
像素电极191的上半部和下半部分别被切口91至97b划分成八个分区。 
第一/第二子像素电极191a/191b通过接触孔185c和185d被物理地和电连接到第一/第二漏极电极175c和175d，这样第一和第二子像素电极191a和191b分别经过展开部177c/177d从第一/第二漏极电极175c/175d接收数据电压。基于输入图像信号，一对子像素电极191a和191b被分别施加不同的预定数据电压，并且数据电压的幅值可以由子像素电极191a和191b的尺寸和形状决定。此外，子像素电极191a和191b的面积可以彼此不同。例如，第二子像素电极191b接收的电压大于第一子像素电极191a接收的电压，并且在面积上小于第一子像素电 极191a。 
被施加数据电压的子像素电极191a和191b和被施加公共电压的公共电极板200的公共电极270形成第一和第二LC电容CLCc和CLCd，其在TFT关闭后储存所施加的电压。每个LC电容CLCc和CLCd包括LC层3作为介电体。 
第一和第二子像素电极191a和191b和与其连接的展开部177c和177d与存储电极线131a重叠，存储电极线131a包括存储电极137a和延伸部139a。第一和第二子像素电极191a和191b和与其连接的展开部177c和177d以及存储电极线131a分别形成附加存储电容器CSTc和CSTd，其提高LC电容CLCc和CLCd的电压存储电容量。 
屏蔽电极88b被施加公共电压，并且它包括沿数据线171a和171b延伸的纵向部分和沿栅极线121延伸的横向部分。纵向部分完全覆盖数据线171a和171b，并且横向部分完全覆盖栅极线121并连接相邻纵向部分。屏蔽电极88b阻断在数据线171a和171b和像素电极191之间以及数据线171a和171b和公共电极270之间产生的电场，以减小像素电极191的电压变形和由数据线171a和171b传送的数据电压的信号延迟。 
辅助接触件81、82a和82b分别通过接触孔181、182a和182b被连接到栅极线121的末端部分129和数据线171a和171b的末端部分179a和179b。辅助接触件81、82a和82b保护末端部分129、179a和179b并提高末端部分129、179a和179b与外部设备之间的附着力。 
接下来描述公共电极板201。 
阻光元件220、多个滤色器230、外涂层250和公共电极270被依次形成在由一种例如但不限于透明玻璃或者塑料的材料制成的绝缘基板210上。 
公共电极270具有多组切口71、72、73a、74a、75c、75d、76c、76d、77a、77b、78a和78b。 
一组切口71至78b面向像素电极191，并包括中心切口71、72、73a和74a，上部切口75c、76c、77a、78a，和下部切口75d、76d、77b、78b。每个切口71至78b对应于像素电极191的左边中心被设置在公共电极270上，对应于像素电极191的相邻切口91至97b之间的位置，或者对 应于切口97a或者97b与像素电极191的削边之间的位置上。此外，每个切口72至78b至少具有倾斜部分，平行于像素电极191的切口91至97b延伸。 
每个下部和上部切口75c至78b包括倾斜部分以及一对横向和纵向部分。倾斜部分沿公共电极270近似从对应于像素电极191的右边向上边或者下边延伸。横向和纵向部分沿对应于像素电极191的边缘的公共电极270的部分从倾斜部分的各个末端延伸，与像素电极191的边缘重叠并与倾斜部分成钝角。 
中心切口71包括沿对应于像素电极191的左边的公共电极270的部分重叠并延伸其左边的纵向部分，和沿对应存储电极线131a的公共电极270的部分从纵向部分的中心延伸的横向部分。 
每个中心切口72和73a包括中心横向部分、一对倾斜部分和一对末端纵向部分。中心横向部分在近似对应的公共电极270上沿存储电极线131从像素电极191a的中心或右边延伸。倾斜部分从近似中心横向部分的末端向对应于像素电极191的左边的公共电极270的部分延伸并与存储电极线131a成倾斜角。末端纵向部分沿对应于像素电极191的左边的公共电极270的部分从各个倾斜部分的末端延伸，与像素电极191的左边重叠并与各自倾斜部分成钝角。 
中心切口74a包括纵向部分、一对倾斜部分和末端纵向部分。纵向部分沿对应于像素电极191的右边的公共电极270的部分延伸，与像素电极191的左边重叠。倾斜部分从近似纵向部分的末端向对应于像素电极191的左边的公共电极270的部分延伸。末端纵向部分从各个倾斜部分的末端沿对应于像素电极191的左边的公共电极270的部分延伸，与像素电极191的左边重叠，并与各自倾斜部分成钝角。 
切口72至77b的倾斜部分包括三角形的缺口。可替换的是，缺口可以形成矩形、梯形或者半圆形，或者它们可以是凹陷的或者凸起的。 
取向层11和21被涂在板101和201的内表面上，并且在板101和201的外表面上提供偏光器12和22。 
根据本发明的这个实施例的LCD的显示操作可以基本上与图1A至1C中所示LCD的相同，因此显示操作的描述被省略。 
如下面进一步的描述，根据本发明这个典型实施例的LCD的第一和第二子像素PXc和PXd的反冲电压的Vkc和Vkd的幅值基本上彼此相等。 
第一和第二子像素PXc和PXd的LC电容CLCc和CLCd的电容量由第一和第二子像素电极191a和191b的面积决定。例如，第一子像素电极191a可以具有大于第二子像素电极191b的面积。因此，当施加给第一和第二子像素电极191a和191b的电压幅值基本上彼此相等时，第一LC电容CLCc的电容量大于第二LC电容CLCd的电容量。此外，与存储电极137a重叠的第一漏极电极175c的展开部177c的面积大于第二漏极电极175d的展开部177d的面积。然而主要运行在低灰度的第一子像素电极191a的第一LC电容CLCc具有由LC分子的方位限定的小于主要运行在高灰度的第二子像素电极191b的第二LC电容CLCd的介电常数的介电常数，这样第一LC电容CLCc的电容量减小并且第二LC电容CLCd的电容量增加。 
由此，当固定第一和第二子像素电极191a和191b的LC电容CLCc和CLCd的电容量时，第一子像素电极191a的反冲电压Vkc的幅值大于第二子像素电极191b的反冲电压Vkd的幅值。结果是，为了平衡反冲电压Vkc和Vkd，应当调整第一和第二存储电容器CSTc和CSTd的电容量。 
为了增加存储电容器CSTc的电容量以防止反冲电压Vkc的增加，应当进一步形成与第一漏极电极175c的连接部176cc重叠的存储电极137a的延伸部139a，或者第一漏极电极175c的展开部177c和与展开部177c重叠的存储电极137a的垂直宽度应当被扩宽。由于第一和第二子像素PXc和PXd的反冲电压Vkc和Vkd的幅值基本上彼此相等，因此限定公共电压Vcom的最佳幅值并且反冲电压Vkc和Vkd也保持平衡，从而防止闪烁现象。 
如图11至12所示，存储电容器CSTc进一步由与第一漏极电极175c的连接部176cc重叠的存储电极137a的延伸部139a形成，这样既使存储电极137a的面积被减小也能确保存储电容器的足够存储电容量，并且由于不需要增大与展开部177c重叠的存储电极137a的面积，因此宽高比也增加。 
此外设置在第二漏极电极175d的像素PX的右部的展开部177d和 与展开部177d重叠的存储电极137a的部分的宽度可以变得更窄，这样进一步减小存储电容器CSTd的电容量。因此，在施加一个大于施加到第一子像素电极191a上的电压的电压到第二子像素电极191b时，反冲电压Vkd的减小被补偿，从而防止闪烁现象和宽高比的减小。 
图1至8所示的基于TFT阵列板的各种特征可以被应用到图9至12所示的TFT阵列板。 
参照图13A和13B，描述根据本发明另一个典型实施例的典型LCD。 
图13A是根据本发明典型实施例的用于典型LCD的典型TFT阵列板的布局图，和图13B是沿图13A所示的线XIIIB-XIIIB的典型TFT阵列板的截面图。 
多个栅极线121和多个存储电极线131b形成在由一种例如但不限于透明玻璃或者塑料的材料制成的绝缘基板110上。 
栅极线121传送栅极信号并基本上沿横向方向(即第一方向)延伸。每个栅极线121包括多个朝向其被连接的像素向上凸起的栅极电极124e，和具有用来与另一层或者外部驱动电路例如栅极驱动器接触的并被设置在其左侧的较大面积的末端部分129，尽管末端部分129可以替换地被设置在其右侧。 
存储电极线131b被施加预定电压并基本上沿横向方向(即第一方向)延伸，该方向基本上平行于栅极线121。 
每个存储电极线131b被设置在两个相邻的栅极线121之间，并离两个相邻栅极线121几乎等距地定位。每个存储电极线131b包括多个朝向栅极线121和相邻栅极线121向上和向下伸出的存储电极137b，和多个从存储电极137b朝向栅极线121纵向地向下延伸的条形延伸部139b。 
存储电极137b基本上为矩形，沿存储电极线131b对称，并且延伸部139b延伸到靠近栅极电极124e。 
尽管示出了特定的形状和布置，但在这些实施例的范围内，存储电极线131b以及存储电极137b和展开部139b可以具有各种形状和布置。 
栅极绝缘层140优选但不限于由氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)制成，形成在栅极线121和存储电极线131b上，并可以进一步形成在绝 缘基板110的暴露部分上。 
多个半导体岛154e优选由氢化a-Si或者多晶硅制成，并形成在栅极绝缘层140上。半导体岛154e被设置在栅极电极124e上。 
半导体岛154e延伸到栅极线121的边缘，并可以设置在存储电极线131b的边缘上。 
多对欧姆接触岛163e和165e形成在半导体岛154e上。 
多个数据线171和多个漏极电极175e形成在欧姆接点163e和165e以及栅极绝缘层140上。 
数据线171传送数据信号并基本上沿纵向方向(即第二方向)延伸，以与栅极线121和存储电极线131b相交。每个数据线171包括多个朝向栅极电极124e凸起并与栅极电极124e重叠的源极电极173e，和具有用来与另一层或者外部驱动电路例如数据驱动器接触的较大面积的末端部分179。 
每个漏极电极175e包括与存储电极137b重叠并具有矩形大面积的展开部177e、相对于栅极电极124e面向源极电极173e并与展开部177e相对的条形末端部分176e、和连接展开部177e到末端部分176e的连接部176ee。 
每个展开部177e与存储电极137b重叠，并且每个末端部分176e与栅极电极124e重叠，并部分地被弯曲得像字母U的源极电极173e包围。漏极电极175e的展开部177e被称作“耦合电极”。 
漏极电极175e的每个连接部176ee主要设置在延伸部139b上，平行于延伸部139b延伸并设置在延伸部139b的垂直边界之内，这样连接部176ee具有小于延伸部139b的宽度。 
栅极电极124e、源极电极173e和漏极电极175e与半导体154e一起形成TFT，其分别具有形成在设置于源极电极173e和漏极电极175e之间的半导体岛154e上的沟道。 
欧姆接点163e和165e仅被***于下面的半导体154e和上覆的数据线171以及其上漏极电极175e之间，并减少它们之间的接触阻值。半导体岛154e包括一些暴露的部分，其没有被数据线171e和漏极电极175e覆盖，例如分别位于源极电极173e和漏极电极175e之间，以及欧 姆接点163e和165e之间的部分，这样形成了TFT的沟道。半导体154e还可以使栅极线121表面的轮廓变平滑，由此防止数据线171断开连接。 
钝化层180形成在数据线171和漏极电极175e上，和半导体岛154e的暴露部分上。钝化层180还可以进一步形成在栅极绝缘层140的暴露部分上。 
钝化层180分别具有多个暴露数据线171的末端部分179和耦合电极177e的接触孔182和185e。钝化层180和栅极绝缘层140具有多个接触孔181，暴露栅极线121的末端部分129。 
多个像素电极191、多个屏蔽电极88和多个辅助接触件81和82形成在钝化层180上。 
每个像素电极191近似为矩形，其具有四个倒角。像素电极191的倒角相对于栅极线121成大约45度角。像素电极191与栅极线121重叠以提高宽高比。 
一对形成像素电极191的子像素电极191c和191d相对于间隙93彼此衔接。 
间隙93包括一对上部和下部倾斜部分以及纵向部分。上部和下部倾斜部分从像素电极191的左边向像素电极191的右边延伸，并且纵向部分连接上部和下部部分。上部和下部倾斜部分相对于栅极线121成大约45度角。 
第二子像素电极191d近似为一个直角旋转等边梯形，并且第一子像素电极191c包括一对沿直角旋转的梯形和面向第二子像素电极191d的右边的纵向部分。第一子像素电极191c的梯形分别面向第二子像素电极191d的倾斜边。 
第一子像素电极191c具有下部和上部切口94a、94b、95a和95b。下部和上部切口94a和94b分别从第一子像素电极191c的底角和顶角向其右侧延伸。下部和上部切口95a和95b分别从第一子像素电极191c的底侧或者顶侧向其每个右侧延伸。下部和上部切口94a、94b、95a和95b相对于栅极线121成大约45度角，并且下部切口94a、95a基本上垂直于上部切口94b、95b延伸。 
第二子像素电极191d包括中心切口91和92。中心切口91具有靠近 第二子像素电极191d的左侧的中心部分的入口，并且切口91的入口具有一对倾斜边，其基本上分别平行于间隙93的上部倾斜部分和下部倾斜部分。 
切口92具有简短地沿存储电极137b的中心在横向方向上延伸的横向部分，和一对从横向部分分别近似平行于间隙93的上部倾斜部分和下部倾斜部分延伸的倾斜部分。为了方便示例，间隙93也可以被称作切口。 
每个像素电极191分别被切口91至95b划分成六个分区。切口91至95b基本上相对于存储电极线131b反向对称。 
尽管示出了特定的布置，但是分区的数量或者切口的数量可以在可替换的实施例中基于设计因素例如像素的尺寸、像素电极191的横边和纵边的比值、LC层的种类和特征等等而改变。 
偏光器12被提供在板100的外表面上。 
第一子像素电极191c通过接触孔185e被物理地和电连接到漏极电极175e，这样第一子像素电极191c分别经过展开部或者耦合电极177e从漏极电极175e接收数据电压。 
被施加数据电压的第一和第二子像素电极191c和191d和被施加公共电压的公共电极板(未示出)的公共电极(未示出)形成第一和第二LC电容CLCe和CLCf，其在TFT关闭后储存所施加的电压。 
第一子像素电极191c和连接至其的耦合电极177e与包括存储电极137b的存储电极线131b重叠。第一子像素电极191c和连接至其的耦合电极177e以及连接部176ee和包括存储电极137b和延伸部139b的存储电极线131b形成存储电容器CSTe，其提高第一LC电容CLCe的电压存储电容量。 
第二子像素电极191d与耦合电极177e重叠，以形成耦合电容Ccp。 
TFT响应于来自栅极线121的栅极信号提供来自数据线171的数据电压到第一LC电容CLCe和耦合电容Ccp，并且耦合电容Ccp传送具有修正幅值的数据电压到第二LC电容CLCf。 
如果存储电极线131b被施加公共电压Vcom，并且每个电容CLCe、CSTe、CLCf和Ccp以及它们的电容量被表示为相同的参考标记，那么第 二LC电容CLCf两端所带的电压Vf由下式给出： 
Vf＝Ve×[Ccp/(Ccp+CLCf)]， 
其中Ve表示第一LC电容CLCe的电压。 
由于Ccp/(Ccp+CLCf)项小于1，因此第二LC电容CLCf的电压Vf小于第一LC电容CLCe的电压。这种不等关系在存储电极线131b的电压不等于公共电压Vcom的情况下也可以是正确的。 
当第一LC电容CLCe或者第二LC电容CLCf的两端产生位差时，在LC层(未示出)中产生基本上垂直于TFT阵列板100和公共电极板(未示出)的表面的电场。 
然后，LC层中的LC分子响应于电场而倾斜，这样它们的长轴垂直于电场方向。LC分子的倾斜度决定LC层上入射光的偏振变化，并且光偏振变化被偏光器12转换成光透光率的变化。通过这种方式，LCD显示图像。 
LC分子的倾斜角基于电场强度。由于第一LC电容CLCe的电压Ve和第二LC电容CLCf的电压Vf彼此不同，因此第一子像素中的LC分子的倾斜角与第二子像素中的不同，这样两个子像素的亮度不同。由此，为了维持两个子像素的平均亮度在目标亮度之内，可以调整第一和第二子像素的电压Ve和Vf，这样从侧面看到的图像接近从正面看到的图像，从而改进侧面可见度。 
施加公共电压到屏蔽电极88，并且它包括沿数据线171延伸的纵向部分和沿栅极线121延伸的横向部分。纵向部分完全覆盖数据线171，并且横向部分位于栅极线121的边界之内。 
辅助接触件81和82分别通过接触孔181和182被连接到栅极线121的末端部分129和数据线171的末端部分179。 
如图13A和13B所示，存储电容器CSTe进一步由与漏极电极175e的连接部176ee重叠的存储电极137b的延伸部139b形成，这样既使减小存储电极137b的面积也能确保存储电容器CSTe的足够存储电容量，并且也增加了宽高比。 
基于图1至8所示的TFT阵列板的各种特征也可以应用到图13A和13B所示的TFT阵列板上。 
接下来，将结合图14A和14B描述根据本发明的另一个典型实施例的典型LCD。 
图14A是根据本发明的另一个典型实施例的用于典型LCD的典型TFT阵列板的布局图，和图14B是沿图14A所示的线XIVB-XIVB截取的典型TFT阵列板的截面图。 
参照图14A和14B，根据这个典型实施例的典型LCD的典型TFT阵列板的层结构基本上与图13A和13B中所示的相同。 
也就是，多个包括栅极电极124e和末端部分129的栅极线121以及多个包括存储电极137b和延伸部139b的存储电极线131b形成在绝缘基板110上。栅极绝缘层140、多个半导体岛154e和多个欧姆接触岛163e和165e依次形成在栅极线121和存储电极线131b上以及基板110的暴露部分上。多个包括源极电极173e和末端部分179的数据线171、和多个包括展开部177e、末端部分176e和连接部176ee的漏极电极175e形成在欧姆接点163e和165e和栅极绝缘层140上。钝化层180形成在数据线171、漏极电极175e和半导体154e的暴露部分上，以及栅极绝缘层140的暴露部分上。多个接触孔181、182和185被提供在钝化层180和栅极绝缘层140上。多个像素电极191、多个屏蔽电极88和多个辅助接触件81和82形成在钝化层180上。偏光器12被提供在TFT阵列板100的外表面上。 
与图13A和13B所示的TFT阵列板不同，每个像素电极191没有被划分成子像素电极，每个像素电极191具有中心切口91和92、下部切口93a、94a和95a以及上部切口93b、94b和95b。 
下部和上部切口93a、93b、94a和94b倾斜地从像素电极191的左边向像素电极191的右边延伸。下部和上部切口95a和95b分别倾斜地从像素电极191的底侧或者顶侧向像素电极191的右侧延伸。 
下部和上部切口93a、93b、94a、94b、95a和95b相对于栅极线121成大约45度角，并且下部切口93a、94a、95a基本上垂直于上部切口93b、94b、95b延伸。 
中心切口91具有靠近像素电极191的左侧的中心部分的入口，并且切口91的入口具有一对倾斜边，其分别基本上平行于下部和上部切 口93a至95b。切口92具有简短地在存储电极137b的中心处沿横向方向延伸的横向部分，和一对分别近似平行于上部和下部切口93b、93a从横向部分延伸的倾斜部分。 
像素电极191被切口91至95b分别划分为多个分区。切口91至95b基本上相对于存储电极线131b反向对称。 
像素电极191通过接触孔185被物理地和电连接到漏极电极175e，这样像素电极191从漏极电极175e接收数据电压。 
被施加数据电压的像素电极191和被施加公共电压的公共电极板(未示出)的公共电极(未示出)形成LC电容CLCg，其在关闭TFT后存储所施加的电压。 
像素电极191和连接至其的展开部177e与存储电极线131b重叠，存储电极线131b包括存储电极137b。像素电极191和连接至其的展开部177e以及连接部176ee和包括存储电极137b和延伸部139b的存储电极线131b形成存储电容器CSTg，其提高了LC电容CLCg的电压存储电容量。 
TFT响应于来自栅极线121的栅极信号提供来自数据线171的数据电压到LC电容CLCg。然后，LC层中的LC分子响应于电场而倾斜，这样它们的长轴垂直于电场方向。LC分子的倾斜度决定LC层上入射光的偏振变化，并且光偏振变化被偏光器12转换成光透光率的变化。通过这种方式，LCD显示图像。 
LC分子的倾斜方向由电场变形导致的电场水平分量决定，电场的变形由像素电极191的切口91至95b和公共电极板9(未示出)的切口(未示出)的倾斜边产生，并且水平分量垂直于切口91至95b的边缘和像素电极191的边缘。 
参照图14A，倾斜方向通常是四个。因为LC分子具有各种倾斜方向，所以LCD的参考视角增加。 
尽管示出一个典型实施例，但是切口91至95b的形状和布置可以在可替换实施例中被变型。也在可替换实施例中，至少切口91至95b之一能够被凸起(未示出)或者凹下(未示出)代替。凸起优选由布置在像素电极191或公共电极的上方或者下方的有机或者无机材料制成。 
如图14A和14B所示，存储电容器CSTg进一步由与漏极电极175e的连接部176ee重叠的存储电极137b的延伸部139b形成，这样即使减小存储电极137b的面积并确保存储电容器CSTg的足够存储电容量，也能增加宽高比。 
基于任何前述实施例所示的TFT阵列板的各种特征也可以应用到图14A和14B所示的TFT阵列板上。 
同时，参照图4至7B，存储电容器CSTa进一步由与漏极电极175a的连接部176aa重叠的存储电极137的延伸部139形成，即使减小存储电极137的面积也能增加宽高比，这并不限于上述实施例，也可以使用各种具有一个开关元件或者多个开关元件的板。 
在本发明中，在其一个典型实施例中，一个像素电极被划分成两个被施加不同数据电压的子像素电极，这样侧面可见度被提高。此外，通过在第一子像素电极的第一漏极电极的连接部下方形成存储电极的延伸部或者调整第二漏极电极和存储电极的重叠面积，基于施加不同数据电压的LC电容的电容量变化，调整存储电容器的电容量。由此，平衡两个子像素电极的反冲电压，图像品质降低例如闪烁现象减少。此外，通过在漏极电极的连接部下方形成存储电极的延伸部，确保足够的存储电容量并且宽高比也增加。 
尽管已经结合典型实施例详细描述了本发明，但是本领域的技术人员可以意识到在不脱离本发明如附加权利要求书提出的精神和范围的情况下，可以对其进行各种变型和替换。 

Claims (19)

1.一种液晶显示器，包括：
形成在基板上的第一栅极电极；
形成在基板上并与第一栅极电极分隔的存储电极，所述存储电极具有主体和延伸部；
形成在第一栅极电极和存储电极上的栅极绝缘层；
形成在栅极绝缘层上的第一半导体；
形成在第一半导体上的第一源极电极；
形成在第一半导体上的、与第一源极电极分隔的第一漏极电极，所述第一漏极电极具有与第一栅极电极重叠的末端部分，与存储电极的主体重叠并远离末端部分的展开部、以及连接末端部分和展开部的连接部，所述连接部与存储电极的延伸部重叠；
钝化层，形成在第一源极电极和第一漏极电极上，并具有暴露第一漏极电极的展开部的接触孔；
第一电场生成电极，通过接触孔连接到第一漏极电极；以及
第二电场生成电极，形成在钝化层上并被施加一电压，所述施加给第二电场生成电极的电压与施加给第一电场生成电极的电压从相同的图像信息获得，所述施加给第二电场生成电极的电压基于与用于第一电场生成电极的伽马曲线不同的伽马曲线，
其中第一漏极电极的展开部的边界被设置在存储电极的主体的边界之内，并且存储电极的延伸部从存储电极的主体的一部分分支。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中存储电极的延伸部的宽度宽于第一漏极电极的连接部的宽度。
3.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中第一和第二电场生成电极彼此电容性耦合。
4.根据权利要求3所述的液晶显示器，还包括：
第二栅极电极；
形成在栅极绝缘层上的第二半导体；
形成在第二半导体上的第二源极电极，以及
形成在第二半导体上的第二漏极电极，所述第二漏极电极与第二源极电极分隔，并连接到第二电场生成电极；
其中，第一和第二电场生成电极被分别施加数据电压，所述数据电压具有彼此不同的幅值。
5.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中第二漏极电极与存储电极的主体重叠。
6.根据权利要求5所述的液晶显示器，其中第二漏极电极不与存储电极的延伸部重叠。
7.根据权利要求5所述的液晶显示器，其中第二漏极电极和存储电极的主体的重叠面积小于第一漏极电极和存储电极的主体的重叠面积。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中存储电极的主体和第二漏极电极的重叠部分的宽度窄于存储电极的主体和第一漏极电极的重叠部分的宽度。
9.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中存储电极的主体和第二漏极电极的重叠部分的长度短于存储电极的主体和第一漏极电极的重叠部分的长度。
10.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中相对于公共电压施加给第一电场生成电极的电压小于相对于所述公共电压施加给第二电场生成电极的电压。
11.根据权利要求4所述的液晶显示器，其中第一电场生成电极的面积大于第二电场生成电极的面积。
12.根据权利要求4所述的液晶显示器，还包括：
连接到第一栅极电极的第一栅极线；
连接到第二栅极电极的第二栅极线；以及
连接到第一和第二源极电极的数据线。
13.根据权利要求4所述的液晶显示器，还包括：
连接到第一和第二栅极电极的栅极线；
连接到第一源极电极的第一数据线；以及
连接到第二源极电极的第二数据线。
14.根据权利要求1所述的液晶显示器，还包括沿第一方向延伸的存储电极线，所述存储电极从存储电极线开始展开，其中存储电极的延伸部垂直于第一方向延伸。
15.一种液晶显示器包括：
形成在基板上的存储电极，所述存储电极具有主体和延伸部；
具有末端部分、与存储电极的主体重叠的展开部、以及连接末端部分和展开部的连接部的第一漏极电极，所述连接部与存储电极的延伸部重叠，
第一子像素电极，连接到第一漏极电极；以及
第二子像素电极，施加一电压，所述施加给第二子像素电极的电压与施加给第一子像素电极的电压从相同的图像信息获得，所述施加给第二子像素电极的电压基于与用于第一子像素电极的伽玛曲线不同的伽马曲线，
其中所述延伸部的宽度宽于所述连接部的宽度。
16.根据权利要求15所述的液晶显示器，还包括存储电极线，存储电极从存储电极线开始展开，存储电极的延伸部和第一漏极电极的连接部垂直于存储电极线延伸。
17.权利要求15所述的液晶显示器，还包括具有末端部分、与存储电极的主体重叠的展开部、以及连接末端部分和展开部的连接部的第二漏极电极，其中第二漏极电极的连接部不与存储电极的延伸部重叠。
18.根据权利要求17所述的液晶显示器，其中第二漏极电极的展开部小于第一漏极电极的展开部。
19.根据权利要求17所述的液晶显示器，其中第二漏极电极被连接到第二子像素电极，第一子像素电极具有大于第二子像素电极的面积。
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