CN1873049A - 弹性连接一大面积靶的方法 - Google Patents

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CN1873049A CN 200510127176 CN200510127176A CN1873049A CN 1873049 A CN1873049 A CN 1873049A CN 200510127176 CN200510127176 CN 200510127176 CN 200510127176 A CN200510127176 A CN 200510127176A CN 1873049 A CN1873049 A CN 1873049A
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希恩明·H·礼
细川昭博
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Abstract

本发明的实施例大体上涉及用于半导体制造的溅镀靶,特别是涉及将该溅镀靶连接至在一淀积腔中用以支撑该溅镀靶的背板。在一实施例中,一种将至少一溅镀靶砖连接至一背板的方法,包括在至少一溅镀靶砖与该背板之间设置一弹性粘着层,及在该弹性粘着层内设置至少一金属网,其中该至少一金属网中的至少部分与该至少一溅镀靶砖及该背板接触,及该至少一金属网中的至少部分是以直径大于0.5mm的金属丝制成。

Description

弹性连接一大面积靶的方法
技术领域
本发明涉及用于电子装置制造中的溅镀靶,特别是涉及将该溅镀靶连接至一背板(backing plate)的方法,在淀积腔中由该背板支撑该溅镀靶。
背景技术
物理气相淀积(PVD)是电子装置制造中最常用的制程之一。PVD是在一个真空腔中进行的等离子制程,在该真空腔中,负偏压的靶曝露在包含具有较重原子(例如,氩气)的惰性气体的等离子中,或曝露在包含这类惰性气体的混合气体中。通过惰性气体对靶的轰击(或溅镀)会造成靶材料的原子的发射。射出的原子会在真空腔内的基板上累积为一层淀积膜,该基板位于真空腔内的靶下方所淀积的基板晶片座上。平板显示器溅镀与已知晶片溅镀技术的主要差异在于平板显示器溅镀使用大面积基板及其矩形形状。
图1(现有技术)显示一种典型DC磁电管PVD反应器10,其包括一接地真空腔12,一靶14通过一电隔离器16而真空密封于该接地真空腔12。一个DC电源供应器18使该靶14相对于该真空腔12而成负偏压,以使一氩气溅镀工作气体激发成为一等离子。然而,应注意,射频磁控溅镀法(RFsputting)也属于已知技术。带正电的氩气离子为该偏压的靶14所吸引,及由该靶14将材料溅镀至一基板20上,该基板20由一晶片座支撑而位于该靶14的对面。一位于该靶背面的磁电管24给予一平行于该靶14前表面的磁场,以拦截电子,以增加等离子密度及增进溅镀速率。在现代的溅镀反应器中,该磁电管会比较小,而且可在该靶14背面附近扫描。为了增进侵蚀及淀积的均匀度,即使是一大型的磁电管也可进行扫描。铝、钛及铜靶典型地是以一溅镀层形式被溅镀涂布或连接至一靶背板上,该靶背板是由较不昂贵和更易于接受机器加工的材料所形成。
溅镀反应器过去主要开发为用于在实质上为圆形的硅晶片上进行溅镀。这几年来,硅晶片的尺寸已由直径50mm增加到300mm。需要溅镀靶多少大于晶片尺寸,以在晶片上产生较均匀的淀积。典型地,对某些材料而言,晶片溅镀靶会以单一圆型构件形成,如,铝及铜,而对难度较高的材料而言,单一连续溅镀层则形成于一背板上。
在九十年代早期,溅镀反应器的开发是针对用在大型显示器(如,作为计算机屏幕或电视屏幕的液晶显示器(LCD))而形成于玻璃面板上的薄膜晶体管(TFT)电路。这项技术稍晚应用在其它类型的显示器,如,等离子显示器,及太阳能面板,及应用在其它的面板零件,如,塑料制品及聚合物。某些早期的反应器设计为用在大小约为400mm×600mm的面板。因为制成的平面显示器尺寸的增加,及当在单一玻璃面板上制成多显示器及稍后进行分割时大规模量产的实现,面板的尺寸已呈连续增加。平坦面板的制造设备可在商业用途上,用于在最小为1.8m的大小的面板上进行溅镀,而且该设备的设计预期为用在尺寸不小于2m×2m的面板。
由于面板尺寸的增加,常规的通过铟连结而将溅镀靶连结到背板的方式,随着溅镀靶尺寸渐增,也变得非常昂贵。因此,需要更经济和耐用的方法,以将溅镀靶连结至用于大面积基板处理***的背板。
发明内容
本发明实施例提供一种将溅镀靶砖连接至背板的方法。本发明实施例会再提供一溅镀靶组件,其在一溅镀靶砖与一背板之间,包括一弹性粘着层。在一实施例中,将至少一溅镀靶砖连接至一背板的方法,包括在至少一溅镀靶砖与该背板之间,设置一弹性粘着层,及在该弹性粘着层内设置至少一金属网,其中该至少一金属网中至少部分,会与该至少一溅镀靶砖及与该背板两者接触,及该至少一金属网中至少部分是以直径大于0.5mm的金属丝制成。
在另一实施例中,一种将至少一溅镀靶砖连接至一背板的方法,包括在至少一溅镀靶砖与该背板之间设置至少一弹性粘着层,及在至少一弹性粘着层内设置至少一金属网,其中该至少一金属网中至少部分,会与至少一溅镀靶砖及与该背板两者接触,及该至少一金属网的开口总表面积是该至少一个溅镀靶砖的总连接表面积的40%至70%。
在另一实施例中,一溅镀靶组件包括至少一溅镀靶砖,一用于该至少一溅镀靶砖的背板,一弹性粘着层位于该至少一溅镀靶砖与该背板之间,其中该弹性粘着层将该至少一溅镀靶与该背板连接在一起,及至少一金属网位于该弹性粘着层之内,其中该至少一金属网中至少部分会与该至少一溅镀靶砖与该背板两者接触,及该至少一金属网中至少部分是以直径大于0.5mm的金属丝制成。
在另一实施例中,一种溅镀靶组件包括至少一溅镀靶砖,一用于该至少一溅镀靶砖的背板,至少一弹性粘着层位于该至少一溅镀靶砖与该背板之间,其中该至少一弹性粘着层将该至少一溅镀靶与该背板连接在一起,及至少一金属网位于该至少一弹性粘着层之内,其中该至少一金属网中至少部分会与该至少一溅镀靶砖及与该背板两者接触,及该至少一金属网的开口总表面积是该至少一溅镀靶砖的总连接表面积的40%至70%。
在另一实施例中,一溅镀靶组件包括至少一溅镀靶砖,一用于该至少一溅镀靶砖的背板,一弹性粘着层位于该至少一溅镀靶砖与该背板之间,其中该弹性粘着层将该至少一溅镀靶及与该背板连接在一起,及该弹性粘着层包括金属粉末,其重量范围为约0%至约80%,以增加热传导性,及至少一金属网位于该弹性粘着层之内,其中该至少一金属网中至少部分会与该至少一溅镀靶砖与该背板两者接触,及该至少一金属网中至少部分是以直径大于0.5mm的金属丝制成。
附图说明
为更详细说明本发明的上述特征,在此通过参考实施例和附图进行进一步的说明。其中部分实施例结合附图说明。然而,应注意的是,附图仅表示本发明的典型实施例,因此不应认为是对本发明范围的限制,因为本发明也可允许其它等效实施例。
图1(现有技术)是已知的等离子溅镀反应器的剖面示意图。
图2是靶砖的二维阵列所形成的矩形靶平面图。
图3A是连接至一背板的靶砖常规构成的剖面图,该背板包括冷却通道。
图3B是四个靶砖之间的角落区域平面图。
图4(现有技术)表示将靶砖连接至一背板的常规方法的示意图。
图5是本发明的连接至背板的溅镀靶实施例的剖面图。
图6是本发明所用的金属网的实施例的透视图。
图7显示使用图6的金属网,而将一溅镀靶连接至一背板的流程图。
图8A显示靶砖的3×2阵列所形成的矩形靶的平面图。
图8B显示连接至图8A的背板的靶砖830C,830E的剖面图。
图8C显示靶砖的3×1阵列所形成的矩形靶的平面图。
图8D显示由一片靶所形成的矩形靶的平面图。
附图标记说明
10    DC磁电管或PVD反应器        12    真空腔
14    靶                         16    电隔离器
18    DC电源供应器               20    基板
22    基板                       24    磁电管
30    矩形靶                     32    矩形靶砖
34    靶背板                     36    角
38    延长物                     40    矩形轮廓
42    金属平板                   44    金属平板
46    线状冷却通道               48    沟隙
60    加热台                     62    加热台
64    粘着涂层                   66    铟涂层
70    角区域                     72    间隙
110   背板                       120   弹性粘接剂
120A  弹性层                     120B  弹性层
125   金属网                     126   开口
130   靶                         810   背板
820   连接层                     825   金属网
830A  砖                         830B  砖
830C  砖                         830D  砖
830E  砖                         830F  砖
830G  砖                      830H  砖
830I  砖                      830J  单片靶
850  最宽空隙
具体实施方式
对于大型溅镀靶而言,二维的靶砖配置(如,图2所示)有时候是必要的。矩形的靶砖32会排列于矩形阵列中,而且连接至一靶背板34。如图2的平面图中所示,通常,矩形靶30包括排列为矩形阵列而且连接至一靶背板34的多个矩形靶砖32。该靶砖尺寸取决于包括砖制造的容易度等多个因素,而且其数目可以是3×1、3×3、4×5(如图2所示),或其它适用的组合。这些砖32的基本尺寸可以(例如)是750mm×900mm,因而一个3×3的阵列即为大型面板所必须。若靶材料难以使用,如,铬或钼,则砖阵列中的砖的数目甚至更多。图示的靶背板34大体上呈矩形,以符合待溅镀涂布的面板的形状及大小,但其棱角典型地是圆形,以符合支撑该背板34的腔体,而且该背板34可包括一来自该腔体的延长物38,该腔体含有一电性端子及多个管状连结器,前者用来供给该靶电力,后者用于冷却该靶30的冷却液。如图3A所示,用于平坦面板溅镀的该靶背板34典型地是由二金属平板42,44所形成,该二金属平板(例如)则由钛焊接或以其它方式连接。该二平板42,44中之一以线形冷却通道46形成,该冷却通道46内流动着冷却液。该背板34较一般用于晶片加工的背板更为复杂,因为对极大型的面板尺寸而言,与其设置冷却浴,不如设置一背侧真空腔,以便将极大型靶30间的压差最小化。
这些砖32会以一间隙48连接至其腔侧上的背板34,该间隙48也许形成于这些砖32之间。典型地,这些砖32的形状为具有直角的平行管状,而存在砖阵列的周围可能形成斜角的例外。该间隙48欲满足制造变化及砖的热膨胀,而且其距离为0至0.5mm。相邻的砖32可以是直接紧靠的,但不可彼此挤压。在另一方面,该间隙48的宽度不可大于等离子暗区,而这通常与等离子鞘层的厚度相对应,而且一般而言,由于氩气工作气体的平常压力,该间隙48应稍微宽于0.5mm。等离子无法在小于等离子暗区的最小距离的空间中形成。此外,如图3B的平面图所示,对于四个砖32间的角落区70而言,排列为矩形阵列的四个砖32易于沿着彼此而滑动,而且因砖间的间隙48的不同宽度而不当对齐。一间隙即意指在至少三个砖间的接口的点或空间,因而该专有名词不包括二个砖间的线。即使是良好限定的间隙72,也会在这些砖32之间出现最大的间隙。故将间隙72的最大宽度维持为低于该等离子暗区是很重要的,这可避免在该间隙72中形成等离子。因此,当溅镀这些砖时,下垫的钛背板34不会产生溅镀。
回到图2,这些砖32会排列在一矩形轮廓40内,以大略符合或稍大于欲进行溅镀的靶30的面积。图1的磁电管24会在该轮廓40内进行扫描。档板或其它方式会用以避免背板34的未铺砖表面曝露于高密度等离子而被溅镀。并不要求进行清晰溅镀的背板34(如,以钛等材料制成且支撑钼或其它砖)。即使该背板34由与该靶砖32相同的材料构成,也不要求该背板产生溅镀。该背板34是一个复杂的结构,而且在一组砖32耗尽后和将用于新的一组砖32时,即应进行再磨光。该背板34的任何溅镀都应避免。
有多个过程及连接材料可用于将靶砖连接至该背板。图4表示一种常见制程(现有技术),包括一设备,其包括二个加热台60、62。这些砖32会以一粘着涂层64(如,铟)涂布于其背侧。该加热台60会将该涂层的砖32加热至约200℃,远高于铟的熔点156℃,所以铟会濡湿这些砖32而且形成一均匀的熔化层。同样地,该背板34会置于另一加热台62上,且会以铟涂层66涂布而加热至约200℃。因熔化态的铟涂层64、66的使用,这些砖32会由该第一台60移除,倒转,而放置于具有该熔化的铟涂层64、66的背板34顶部,这些涂层64、66彼此面对且其溅镀面朝上。冷却时,铟会固化且将这些砖32连接至该背板34。
随着铟将靶砖连接至该背板,因为该靶砖与该背板的材料间的不同的热膨胀,例如,钼靶连接至铝背板,会产生一个问题。当该连接组件由约200℃的铟的连接温度,冷却至室温时,该不同的热膨胀很容易使该组件弯曲。因为固态铟的柔软度,这个弯曲度可由该连接组件压回。然而,这样的压挤通常是不可控制的程序,且这些砖可能会在压挤期间彼此滑动,而产生不理想的未对齐,如,大于等离子暗区的间隙(例如,1mm)。
此外,这样大型的机械结构不易操控为提供理想的对齐程度,具体而言,即使连接的多个砖的相距皆不大于0.5mm。因此,未对齐砖32最宽的间隙会变得大于等离子暗区,例如,1mm,则等离子会向该背板23而传播。若该间隙仅稍宽于该等离子暗区,该间隙中的等离子状态即会不稳定,且易于使该靶材料的粒子而非原子产生剥落,因而产生会造成污染的粒子。若等离子达到该背板,即会进行溅镀。若这些砖与该背板的材料不同,则该背板的溅镀会导致材料的污染。再者,该背板的溅镀会使得用于一再磨光靶的背板的再使用变得更为困难。
本发明的实施例提供一种使用弹性粘着剂而将溅镀靶或靶砖连接至该背板的方法。具有连接的靶砖的背板会在较低温(如,低于100至150℃)时固化,而降低了该背板及多个连接靶砖产生弯曲的风险。本发明的概念可应用在连接所有任何大小的溅镀靶或靶砖,其用在处理任何类型的基板。本发明的概念可应用在大于750cm2的靶,较佳为应用在大于2000cm2的靶,更佳为应用在大于15000cm2的靶,及最佳用于大于40000cm2的靶。图5显示通过使用至少一金属网125而以一弹性粘着层120将一靶(或靶砖)130连接至一背板110的剖面图。该靶130可以是单片靶,焊接成一片的多个靶砖,彼此紧邻放置的多个靶砖,或彼此紧邻放置而焊接的多个靶砖。该靶可以任何类型的溅镀材料制成,该材料含有如铝、铜、金、镍、锡、钼、铬、锌、钯、不锈钢、铟、钛、钨、钕等元素,及其组合。以溅镀靶所淀积而成的薄膜例子包括:铝、钕化铝、铝合金、铜、铜合金、金、镍、锡、锡合金、钼、氮化钼、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨、铬、锌、氧化锌、钯、钯合金、不锈钢、及氧化铟锡(ITO)。
用以制造平面显示器的靶材料的范例是钼。该背板为溅镀靶提供支撑,而且也对电源提供了电连接。该背板110可由传导材料制成,如,铝、铜、金、镍、锡、钼、铬、锌、钕、不锈钢、钕合金、锡合金、铝合金、及铜合金。用于平面显示器制造的PVD腔的背板材料例如是铝。
弹性粘着剂120可以是任何以弹性体制成的粘着剂。适用于连接该靶(或多个靶砖)与该背板的弹性体在固化过程前后都具有较低的应力,该固化程度可在该靶与该背板之间以该弹性粘着剂120挤压在一起之后而进行。用以连接该靶130与该背板110的弹性体120的热系数也应接近该靶130及该背板110。St.Paul,Minnesota,Dow Chemicals of Midland,Michigan,及GE Consumer Electrics of Oklahoma City,Oklahoma的3M会提供许多类型的商业弹性体,用以连接金属。可用以连接金属与金属的弹性粘着剂的例子是AF 30/EC 1660粘着剂,可由3M取得。
该金属网125可由具有良好电及/或热传导性质的任何金属制成,如,铜、铝、铜合金、铝合金。在该靶130与该背板110之间存在至少一金属网125。该金属网125可提供该靶130及该背板110之间的电及/或热传导路径,其连接至电源。图6显示该金属网125的实施例的透视图,该金属网125以重迭的金属丝制成。该金属网125的金属丝可配置为多个型式。该金属网125的开口126应该够大,足以使该弹性粘着剂120通过,而确保该金属网与该靶130及该背板110的接触良好,且避免该弹性粘着剂120在该靶130与该背板110间的某部份(如,在靠近该靶中央的区域)累积。这些开口126的总表面积对总连接表面积的百分比在约40%至约70%之间,及最佳为约55%至约65%之间。若这些开口126的总表面积的百分比太低,该弹性粘着剂会无法通过该金属网,且该金属网会无法与该靶及/或该背板接触。此外,为了确保该金属网125提供了该靶130与该背板110之间的良好接触,以使PVD腔处理大型区域基板时对靶进行溅镀,用以制造该金属网的金属丝的直径应至少为0.5mm,较佳为大于0.8mm,以提供充分的电及/或热接触。
弹性粘着剂120会与该金属网125结合,以在该靶130与该背板110之间提供良好的导热性,及确保该靶130可通过在溅镀过制程期间流经该背板110的冷却介质(未示)恰当地冷却。导热性可由该金属网125提供,或该弹性粘着剂可随机地包括金属粉末,如,银粉,其重量范围在约0%至约80%之间,以增加热传导性。因为该溅镀制程会在高度真空下操作,如小于10-4Torr,该靶130与该背板110间的弹性体必须在制程腔使用前先行固化,以避免气漏。
图7显示将该靶130与该背板110以弹性粘着剂120与至少一金属网125连接的制程的实施例。在步骤(1),该靶120及该背板会经历多个表面预备子步骤,如,磨光该靶边缘及洗净该靶及该背板的表面,这些表面随后会接受该连接材料(或粘着剂),且在这些表面预备子步骤之后,该靶及该背板会放置于支持结构(未示)上。用于该靶130的支持结构包括多个机械装置,其可支撑或抓取该靶130且在稍后步骤中令其移动。这些预备子步骤的进行可确保该靶130及该背板110的就绪及牢架于这些支持结构。该靶130可由焊接为一片或数片的多个砖制成,或也可以是未经焊接的单一片。该靶130也可用于针对大于300mm的基板的半导体晶片加工。在这样的状况中,该靶是圆形。
在步骤(2),弹性体(或弹性粘着剂)120A所形成的层会涂布在该靶130远离该支持结构的表面(或面对该背板的表面)。弹性体(或弹性体粘着剂)120B所形成的层也会涂布在该背板110远离该支持结构的表面(或面对该标栘的表面)。
在步骤(3),一金属网125(或一电及/或热传导物)会置于该弹性层上,该弹性层在步骤(2)涂布于该背板上,在步骤(2)中涂有该弹性层120A的靶130会翻转,以允许该弹性层120A向下面对该背板110。接着,该靶130会定位于该背板110上方,以将该靶130与该背板110连接在一起。该金属网125应置于预设连接位置,以在该靶130与该背板110一起挤压之后,允许该金属网置于该靶130与该背板110之间。该靶130可以手动或通过机械装置而翻转且定位于该背板110上方。对于较大的靶而言,如,表面积大于20m2,因该靶的尺寸及重量,手动的翻转及靶支持会较为困难,故需要机械结构来执行这项任务。
在步骤(4),该靶130会缓慢降低到该背板110,以允许该靶130上的弹性层120A与该金属网125及与该背板110上的弹性层120B接触。该弹性层120可通过将该弹性层120A与该弹性层120B挤压在一起而形成,且接着进行固化。该靶130上的弹性层120A及该背板110上的弹性层120B,会填补该金属网中的空间及成为弹性层120,且该金属网125会与该靶130及与该背板110产生接触,而提供电与热传导性。在一实施例中,静力重量会置于该溅镀靶顶端上,以将该溅镀靶推压该背板。在另一实施例中,该溅镀靶与该背板会以钳合物挤压在一起。加热的液体(如,水)或加热的气体(如,氮气)会接着通过该背板110中的加热通道,而固化该弹性体。该弹性体的固化可避免在PVD处理期间的气漏,该PVD处理在高度真空(10-4Torr)之下操作。为了避免该靶及/或背板的弯曲,期望是在低温固化。温度范围在约25℃至约100℃,及较佳为约45℃至约70℃,且更佳为约45℃至约55℃。弹性体的固化可在室温下进行,而这会相对地需要较长的时间,例如,1天。高温固化可缩短固化时间,例如,在50℃下为8小时。相对于铟连接的处理温度(约200℃),弹性连接具有低制程温度(30℃至100℃)的优点。低制程温度降低了靶及背板在连接制程之后产生弯曲的风险。
图7所描述的制程的实施例显示,置于该背板上方的溅镀靶,推压该背板。该溅镀靶及该背板的位置可翻转为,该溅镀靶位于该背板下方。在这个状况中,在该背板降低为推压该金属网与该溅镀靶之前,该金属网会先置于该溅镀靶上的弹性层上。
该靶130可以是一片的靶材料,或由多片的靶材料构成。在一实施例中,多个靶砖会连接至该背板。这些砖一起紧邻置放,且这些砖间的空隙较佳维持为低于等离子暗区(例,1mm)。图8A显示连接至一背板810的六个砖830A、830B、830C、830D、830E,及830F的顶视示意图。该六个砖830A、830B、830C、830D、830E,及830F可以具有相同或不同的尺寸。图8B显示在该背板810上方的二个砖830C及830E的部分剖面示意图。在该背板810与这些靶砖830C、830E之间,有层中具有金属网的连接层820,及该金属网与该靶砖830C、830E及该背板810接触。这些靶砖830C、830E之间最宽的空隙850应维持为低于等离子暗区。图8C显示连接至该背板的多砖的另一例子。该三个砖830G、830H、830I会连接至该背板810。这些砖在连接至该背板之前,也可先焊接在一起而成为一大片。这些靶砖在连接至该背板之前,可先通过激光焊接,电子束焊接,或FSW等方式连接。图8D显示连接至该背板810的单片靶830J。
使用金属网作为一电及/或热传导物的原理也可应用在其它类型的连接。例如,一金属网也可使用铟作为连接材料,而置于该二个传导层之间。使用由直径大于0.5mm的金属丝制成的金属网的原理也可用于针对在PVD腔中半导体晶片加工的靶连接。本发明的原理可应用在连接多个溅镀靶,以制造平面显示器,太阳能面板,或电子装置。
上文是针对本发明的实施例,然而在背离本发明的基本范围之下,也可作出本发明的其它更多实施例,而且本发明的范围是由权利要求书的范围所判定。

Claims (47)

1.一种将至少一溅镀靶砖连接至一背板的方法,其至少包括:
在至少一溅镀靶砖与所述背板之间,设置一弹性粘着层;及
在所述弹性粘着层内设置至少一金属网;
其特征在于,所述至少一金属网的至少一部分,既与所述至少一溅镀靶砖又于所述背板接触,及所述至少一金属网的所述至少一部分是以直径大于0.5mm的金属丝制成。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
将填充在所述至少一溅镀靶砖与所述背板间的弹性粘着层加以固化。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,将所述弹性粘着层固化的步骤是在低于100℃的温度进行。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,将所述弹性粘着层固化的步骤是通过在所述背板的多个加热通道内通入温度约45℃至约70℃的热水来完成。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,存在至少三个溅镀靶砖,所述至少三个溅镀靶砖彼此并列,而且所述至少三个溅镀靶砖之间最宽的间隙比所述等离子暗区窄。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少一溅镀靶砖是由多个溅镀靶砖制成,这些溅镀靶砖在连接之前先焊接在一起。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述弹性粘着层包括金属粉末,其重量范围为约0%至约80%之间,以增加导热性。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属网的多个开口总表面积,是所述至少一溅镀靶砖的总连接表面积的40%至70%。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少一溅镀靶砖的总连接表面积大于750cm2
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少一溅镀靶砖是非圆形。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述至少一溅镀靶的构成材料含有由以下金属所组成的群组中选出的元素,所述群组的组成是:铝、铜、金、镍、锡、钼、铬、锌、钯、不锈钢、铟、钛、钨、钕及其组合。
12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述背板是由传导材料制成,所述传导材料是由以下金属所组成的群组中选出,所述群组的组成是:铝、铜、金、镍、锡、钼、铬、锌、钯、不锈钢、钯合金、锡合金、铝合金、铜合金、及其组合。
13.一种将至少一溅镀靶砖连接至一背板的方法,其至少包括:
在至少一溅镀靶砖与所述背板之间,设置至少一弹性粘着层;及
在至少一弹性粘着层内设置至少一金属网,其特征在于,至少部分的所述至少一金属网,是与至少一溅镀靶砖及所述背板两者接触,及所述至少一金属网的多个开口总表面积是所述至少一溅镀靶砖的总连接表面积的40%至70%。
14.根据权利要求13所述的方法,进一步包括:
将填充在所述至少一溅镀靶砖与所述背板间的至少一弹性粘着层加以固化。
15.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,存在至少三个溅镀靶砖,且所述至少三个溅镀靶砖是彼此并列,且所述至少三个溅镀靶砖之间最宽的间隙比所述等离子暗区窄。
16.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述至少一金属网中的至少部分是以直径大于0.5mm的金属丝制成。
17.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述至少一溅镀靶砖是非圆形。
18.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述至少一溅镀靶砖的总连接表面积是大于750cm2
19.一种溅镀靶组件,其至少包含:
至少一溅镀靶砖;
一用于所述至少一溅镀靶砖的背板;
一种弹性粘着层位于所述至少一溅镀靶砖与所述背板之间,其中所述弹性粘着层将所述至少一溅镀靶与所述背板连接在一起;及
至少一金属网位于所述弹性粘着层之内,其特征在于,所述至少一金属网的至少一部分,是与所述至少一溅镀靶砖及与所述背板两者接触,且所述至少一金属网的所述至少一部分是以直径大于0.5mm的金属丝制成。
20.根据权利要求19所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述至少一金属网的多个开口总表面积,是所述溅镀靶砖的总表面积的40%至70%。
21.根据权利要求19所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述至少一溅镀靶砖是非圆形。
22.根据权利要求19所述的溅镀靶组件,其特征在于,存在至少三个溅镀靶砖,而且所述至少三溅镀靶砖是彼此并列,而且所述至少三溅镀靶砖之间最宽的沟隙比所述等离子暗区窄。
23.根据权利要求19所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述至少一溅镀靶砖中至少一是由多个溅镀靶砖制成,在这些溅镀靶砖连接至所述背板之前,这些溅镀靶砖会先焊接在一起。
24.根据权利要求19所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述弹性粘着层包括金属粉末,其重量范围为约0%至约80%,以增加热传导性。
25.根据权利要求19所述的溅镀靶组件,其特征在于,仅存在单一溅镀靶砖。
26.根据权利要求19所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述背板中有多个加热槽,及令所述至少一弹性粘着层固化,以避免气漏,及将所述弹性粘着层固化的步骤是通过在所述背板的多个加热槽内通入温度约45℃至约70℃的热水来完成。
27.根据权利要求19所述的溅镀靶组件,其特征在于所述至少一溅镀靶砖的总连接表面积是大于750cm2
28.根据权利要求19所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述溅镀靶组件是用于制造平面显示器及太阳能面板的PVD溅镀靶组件。
29.一种溅镀靶组件,其至少包括:
至少一溅镀靶砖;
一用于所述至少一溅镀靶砖的背板;
至少一弹性粘着层,位于所述至少一溅镀靶砖与所述背板之间,其特征在于,所述至少一弹性粘着层将所述至少一溅镀靶与所述背板连接在一起;及
至少一金属网位于所述至少一弹性粘着层之内,其特征在于,所述至少一金属网的至少一部分与所述至少一溅镀靶砖及所述背板两者接触,及所述至少一金属网的开口总表面积是所述至少一溅镀靶砖的总连接表面积的40%至70%。
30.根据权利要求29所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述至少一金属网的所述至少一部分是以直径大于0.5mm的金属丝制成。
31.根据权利要求29所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述至少一溅镀靶砖是非圆形。
32.根据权利要求29所述的溅镀靶组件,其特征在于,存在至少三个溅镀靶砖,且所述至少三个溅镀靶砖是彼此并列,且所述至少三个溅镀靶砖之间最宽的沟隙比所述等离子暗区窄。
33.根据权利要求29所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述至少一溅镀靶砖中至少一是由多个溅镀靶砖制成,在这些溅镀靶砖连接至所述背板之前,这些溅镀靶砖先焊接在一起。
34.根据权利要求29所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述至少一弹性粘着层包括金属粉末,其重量范围为约0%至约80%,以增加热传导性。
35.根据权利要求29所述的溅镀靶组件,其特征在于,仅存在单一溅镀靶砖。
36.根据权利要求29所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述背板中有多个加热槽,及令所述弹性粘着层固化,以避免漏气,且将所述弹性粘着层固化的步骤是通过在所述背板的多个加热槽内通入温度约45℃至约70℃的热水来完成。
37.根据权利要求29所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述至少一溅镀靶砖的总连接表面积是大于750cm2
38.根据权利要求29所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述溅镀靶组件是用于制造平面显示器及太阳能面板的PVD溅镀靶组件。
39.一种溅镀靶组件,其至少包括:
至少一溅镀靶砖;
一个用于所述至少一溅镀靶砖的背板;
一种弹性粘着层位于所述至少一溅镀靶砖与所述背板之间,其特征在于,所述弹性粘着层将所述至少一溅镀靶与所述背板连接在一起,及所述弹性粘着层包括金属粉末,其重量范围为约0%至约80%,以增加热传导性;及
至少一金属网位于所述弹性粘着层之内,其特征在于,所述至少一金属网的至少一部分与所述至少一溅镀靶砖及与所述背板两者接触,且所述至少一金属网的所述至少一部分是以直径大于0.5mm的金属丝制成。
40.根据权利要求39所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述至少一金属网的多个开口总表面积,是所述溅镀靶砖的总表面积的40%至70%。
41.根据权利要求39所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述至少一溅镀靶砖是非圆形。
42.根据权利要求39所述的溅镀靶组件,其特征在于,存在至少三个溅镀靶砖,且所述至少三个溅镀靶砖是彼此并列,且所述至少三个溅镀靶砖之间最宽的间隙比所述等离子暗区窄。
43.根据权利要求39所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述至少一溅镀靶砖中至少一是由多个溅镀靶砖制成,在这些溅镀靶砖连接至所述背板之前,这些溅镀靶砖先焊接在一起。
44.根据权利要求39所述的溅镀靶组件,其特征在于,仅存在单一溅镀靶砖。
45.根据权利要求39所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述背板中有多个加热槽,及令所述弹性粘着层固化,以避免漏气,及将所述弹性粘着层固化的步骤是通过在所述背板的多个加热槽内通入温度约45℃至约70℃的热水来完成。
46.根据权利要求39所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述至少一溅镀靶砖的总连接表面积是大于750cm2
47.根据权利要求39所述的溅镀靶组件,其特征在于,所述溅镀靶组件是用于制造平面显示器及太阳能面板的PVD溅镀靶组件。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7550055B2 (en) 2005-05-31 2009-06-23 Applied Materials, Inc. Elastomer bonding of large area sputtering target
CN102299161A (zh) * 2010-06-24 2011-12-28 佳能株式会社 放射线检测装置和放射线成像***
WO2012065471A1 (zh) * 2010-11-18 2012-05-24 宁波江丰电子材料有限公司 一种靶材焊接方法
CN104928633A (zh) * 2014-03-18 2015-09-23 汉能新材料科技有限公司 一种靶材绑定方法
CN105849633A (zh) * 2013-12-20 2016-08-10 攀时奥地利公司 W-Ni溅镀靶
CN106032568A (zh) * 2015-03-19 2016-10-19 汉能新材料科技有限公司 一种溅射靶及其绑定方法
CN106555161A (zh) * 2015-09-29 2017-04-05 宁波江丰电子材料股份有限公司 靶材组件及其制造方法
CN108570652A (zh) * 2018-07-24 2018-09-25 江苏迪丞光电材料有限公司 一种可承受高功率溅射的旋转靶材及其制备方法
CN110017318A (zh) * 2019-03-27 2019-07-16 先导薄膜材料(广东)有限公司 弹性绑定靶材的装置及方法
CN110846627A (zh) * 2019-11-14 2020-02-28 张俊杰 一种旋转靶材冷绑定工艺

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7550055B2 (en) 2005-05-31 2009-06-23 Applied Materials, Inc. Elastomer bonding of large area sputtering target
CN102299161A (zh) * 2010-06-24 2011-12-28 佳能株式会社 放射线检测装置和放射线成像***
US8653463B2 (en) 2010-06-24 2014-02-18 Canon Kabushiki Kaisha Radiation detection apparatus and radiation imaging system
CN102299161B (zh) * 2010-06-24 2014-05-07 佳能株式会社 放射线检测装置和放射线成像***
WO2012065471A1 (zh) * 2010-11-18 2012-05-24 宁波江丰电子材料有限公司 一种靶材焊接方法
CN105849633A (zh) * 2013-12-20 2016-08-10 攀时奥地利公司 W-Ni溅镀靶
CN104928633A (zh) * 2014-03-18 2015-09-23 汉能新材料科技有限公司 一种靶材绑定方法
CN106032568A (zh) * 2015-03-19 2016-10-19 汉能新材料科技有限公司 一种溅射靶及其绑定方法
CN106555161A (zh) * 2015-09-29 2017-04-05 宁波江丰电子材料股份有限公司 靶材组件及其制造方法
CN106555161B (zh) * 2015-09-29 2021-04-27 合肥江丰电子材料有限公司 靶材组件及其制造方法
CN108570652A (zh) * 2018-07-24 2018-09-25 江苏迪丞光电材料有限公司 一种可承受高功率溅射的旋转靶材及其制备方法
CN108570652B (zh) * 2018-07-24 2019-04-12 江苏迪丞光电材料有限公司 一种可承受高功率溅射的旋转靶材及其制备方法
CN110017318A (zh) * 2019-03-27 2019-07-16 先导薄膜材料(广东)有限公司 弹性绑定靶材的装置及方法
CN110846627A (zh) * 2019-11-14 2020-02-28 张俊杰 一种旋转靶材冷绑定工艺

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