KR101321085B1 - 제어가능 타깃 냉각 - Google Patents

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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 발명은 이동형 마그네트론(30)을 수용하는 진공 펌프 챔버(32) 및 주 처리 챔버(14) 둘 다에 실링(sealing)되는 타깃 어셈블리를 가진 대형 패널 플라즈마 스퍼터 반응기에 특히 유용한 스퍼터 타깃 어셈블리(18, 20)에 관한 것이다. 타깃 타일들이 접합되는 타깃 어셈블리는 주 표면들에 평행하게 드릴링된 평행한 냉각 홀들(64)을 가진 일체형 플레이트(62)를 포함한다. 홀들의 단부들은 실링(74)될 수 있으며, 수직으로 연장하는 슬롯들(66, 68, 70, 72)이 각각의 면에 두 개의 스태거링된 그룹들로 배열되며 배킹 플레이트의 대향 면들에서 냉각 홀들의 각각의 쌍들까지 쌍으로 기계 가공(machining)된다. 4개의 매니폴드 튜브들(104, 106)이 슬롯들의 4개의 그룹들에 실링되며 대향 흐름 냉각 경로들을 제공한다.

Description

제어가능 타깃 냉각{CONTROLLABLE TARGET COOLING}
도 1은 종래의 평판 스퍼터링 챔버의 개략적 단면도.
도 2는 냉각 채널들을 가진 배킹 플레이트 및 배킹 플레이트(backing plate)에 접합된 타깃 타일을 포함하는 종래의 타깃의 단면도.
도 3은 본 발명의 배킹 플레이트의 단순화된 실시예의 개략적인 정사영도.
도 4는 수평으로 연장하는 냉각 홀에 대한 인입구 또는 수직으로 연장하는 냉각 인입구에 대한 단면도.
도 5는 타깃 배킹 플레이트에 형성된 다수의 수평으로 연장하는 냉각 홀들의 단면도.
도 6은 냉각 인입구들 및 배출구들의 4개의 열들을 포함하는 본 발명의 다중-타일 타깃 및 배킹 플레이트의 하부 평면도.
도 7은 도 6의 타깃 배킹 플레이트의 코너에 대한 확대 정사영도.
도 8은 도 6의 배킹 플레이트에 부착될 두 개의 냉각 매니폴드(manifold)들 중 하나의 매니폴드의 실시예에 대한 정사영도.
도 9는 도 8의 매니폴드의 일부를 형성하는 매니폴드 플레이트의 평면 측의 평면도.
도 10은 도 8의 두 개의 매니폴드들에 부착된 도 6의 배킹 플레이트에 대한 정사영도.
본 발명은 일반적으로 스퍼터링 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 스퍼터링 타깃의 냉각에 관한 것이다.
스퍼터링은 실리콘 웨이퍼 상에 타깃 재료를 증착시키기 위하여 금속 타깃이 스퍼터링되는 실리콘 집적회로들의 제조에 있어서 확립된(well established) 기술이다. 스퍼터링은 또한 윈도우 코팅들과 같은 다른 용도들에도 적용되어 왔다. 최근 몇 년 동안, 스퍼터링은 또한 평면 컴퓨터 디스플레이들 및 대형 평면 텔레비전들 등과 같은 평판 디스플레이들의 제조시에 실리콘 집적회로들에 대해서도 유사한 목적들로 적용되어 왔다. 종종 패널들로 불리는 대형의 얇은 절연 직사각형 기판들 상에 형성된 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)들을 통상적으로 포함하고, 또한 액정 디스플레이(LCD: liquid crystal display)들, 플라즈마 디스플레이들, 필드 이미터들, 및 유기 발광 다이오드(OLED: organic light emitting diode)들을 포함하는 다양한 타입들의 평판 디스플레이들이 제조될 수 있다.
종래의 평판 스퍼터 반응기(10)가 도 1의 단면도에 개략적으로 도시된다. Demaray 등(이후 Demaray)은 본원에 참조로 통합된 미국특허 제5,565,071호에서 이러한 반응기의 보다 세부적인 사항들을 개시하고 있다. 주(main) 진공 챔버(14) 내의 페디스털(pedestal)(12)은, 주 챔버(14)에 실링(sealing)되지만 절연체(22)에 의하여 주 챔버(14)로부터 전기적으로 절연되는 배킹 플레이트(backing plate)(20)에 접합된, 일반적으로 직사각형인 타깃 타일(18)에 대향하여 스퍼터 코팅될 직사각형 패널(16)을 지지한다. 패널(16)은 유리, 중합체 재료 또는 다른 재료로 구성될 수 있다. 패널(16) 상에 형성되길 원하는 층의 타입에 따라 다른 금속들이 자유롭게 대체될 수 있다고 하더라도, 타깃 재료는 전형적으로 대부분 알루미늄, 몰리브덴 또는 인듐 주석 산화물(ITO)과 같은 금속이다. 더 큰 타깃들은 다수의 타깃 타일들을 1차원 또는 2차원 어레이들로 배킹 플레이트에 접합하는 것을 필요로 할 수 있다. 도시되지 않은 진공 펌프 시스템은 주 챔버(14)의 내부를 10-6 내지 10-7 토르(Torr) 또는 이하의 기저 압력(base pressure)으로 펌핑한다. 가스 소스(24)는 질량 흐름 제어기(26)를 통해 아르곤과 같은 스퍼터 작용 가스를 챔버(14)에 공급하며, 주 챔버 압력은 스퍼터링 동안 전형적으로 단지 몇 밀리토르로 유지된다. DC 전원 공급기(28)는 아르곤이 플라즈마로 여기(excite)되게 하도록, 도시되지 않은 챔버 실드 및 접지된 페디스털(12)에 대향하는 타깃(18)에 수백 볼트의 음의 DC 바이어스를 공급한다. 양으로 하전된 아르곤 이온들은 타깃 재료로부터 타깃 재료의 원자들을 스퍼터링하기에 충분한 에너지를 갖는, 음으로 바이어스된 타깃(18)에 의하여 유인되어 가속된다. 스퍼터링된 재료의 일부분은 패널(16)에 충돌하여 패널(16)을 타깃 재료의 박막층으로 코팅한다. 선택적으로, 스퍼터링된 금속이 질소와 같은 반응성 가스와 반응하게 하여 패널 표면 상에 금속 질화물과 같은 금속 화합물을 형성하도록, 이러한 반응성 가스가 챔버에 부가적으로 제공(admit)될 수 있다.
반대 자극(magnetic pole)들을 가진 마그네트론(30)이 배킹 플레이트(20)의 후면에 배치되어 타깃(18) 전면에서 주 챔버에 자기장(B)을 투사한다면, 스퍼터링은 현저하게 강화된다. 자기장은 전자들을 포획하여 타깃(18)에 인접한 플라즈마의 밀도를 증가시키며, 이는 스퍼터링 속도를 현저하게 증가시킨다. 타깃(18)의 균일한 부식 및 패널(16) 상에서의 균일한 증착을 달성하기 위하여, 마그네트론(30)은 배킹 플레이트(20)의 후면 전반에 걸쳐 1차원 또는 2차원 패턴으로 스캐닝된다. 마그네트론(30)의 형태는 도시된 것보다 훨씬 더 복잡할 수 있다.
거의 모든 패널 제조 장비는 장비의 큰 크기로 구별된다. 최초(original) 세대는 500mm 정도의 측면 치수들을 가진 패널들에 기초하였다. 다양한 경제 및 생산 요인들은 계속해서 증가하는 크기들의 평판 제조장비의 거듭된 세대들을 유도하였다. 2m보다 큰 면들을 가진 패널들 상에 스퍼터 증착하기 위하여 다음 세대가 개발되고 있다. 이러한 대규모 크기는 대부분의 최근(most recent) 장비에서 약 300mm의 크기들로 제한된 웨이퍼 제조장비에서 경험하지 않는 여러 문제점들을 유발하였다.
타깃(18) 및 더욱 특정하게 타깃의 배킹 플레이트(20)는 마그네트론(30)이 이를 통과하여 실질적인 자기장을 투사할 수 있도록 비교적 얇아야 한다. 그러나, 다른 수단이 존재하지 않으면, 배킹 플레이트(20)는 그 후면과 주 챔버(14)의 높은 진공 간의 상당한 힘(압력차 × 면적)에 견딜 필요성이 있으며, 또한 배킹 플레이트(20)는 이러한 압력차들 하에서 현저하게 구부러지지 않아야 한다. 이러한 크고 얇은 타깃들을 제공하기 위하여, Demaray는 배킹 플레이트(20)의 후면에 실링되고 기계적 진공 펌프의 제한치인 서브-토르(sub-Torr) 범위의 비교적 낮은 압력으로 펌핑되는 마그네트론 챔버(32) 내에 마그네트론(30)을 배치하는 것을 제안하였다. 이러한 후면 펌핑은 배킹 플레이트(20) 상에 가해진 힘을 약 1000배만큼 감소시킨다.
이러한 구조는 타깃 배킹 플레이트(20)의 후면의 대응하는 챔버가 스퍼터링 동안 타깃을 냉각시키는 냉각수로 채워지는 종래의 웨이퍼 스퍼터 반응기와는 대조적이다. 대신에, Demaray는 배킹 플레이트(32) 내에 형성된 냉각 채널들을 통해 냉각기(34)로부터의 냉각액을 재순환시킨다. 도 2의 단면도에 도시된 바와 같이, 실질적으로 직사각형인 종래의 타깃(40)은 상부 플레이트 및 하부 플레이트(44, 46)로 형성된 배킹 플레이트(42)를 포함한다. 공통 냉각액 인입구(inlet) 및 공통 냉각액 배출구(outlet)에 냉각 채널들(48)을 연결하기 위하여 더 큰 수평 분포 매니폴드(manifold)들이 배킹 플레이트(42)의 두 개의 측면들 근처에 형성될 수 있지만, 일반적으로 직사각형의 단면을 가진 냉각 채널들(48)이 일반적으로 배킹 플레이트(42)의 두 측면들 사이에서 연장하도록 상부 플레이트(44)의 표면에 기계 가공(machine)된다. 그 다음에, 하부 플레이트(46)가 상부 플레이트(44)에 접합되어 냉각 채널들(48) 및 매니폴드들을 둘러싸고 실링한다. 그 다음에, 타깃 타일(50)이 배킹 플레이트(42)에 접합된다. 과거에는, 인듐 결합(bonding)이 가장 흔하게 사용되었으나, 도전성 중합체 접착제 접합이 선호되고 있다.
배킹 플레이트(42)의 두 개의 플레이트들(46, 48)의 접합은 특히 더 큰 패널 크기들에서 기술적 난점들을 나타낸다. 스퍼터링이 타깃 타일(50)을 사실상 부식시켰을 때 배킹 플레이트(42)를 재사용하는 것이 바람직하다. 즉, 이전 타깃 타일(50)을 제거하고 이를 새로운 타깃 타일로 교환하는 것이 바람직하다. 배킹 플레이트(42)는 사용된 타깃 타일이 배킹 플레이트로부터 박리(delaminate)되고 새로운 타깃 타일이 적층(laminate)될 때 재연마(refurbishment)를 견디도록 견고할 필요가 있다. 타깃들 및 이들의 배킹 플레이트들은 패널들의 더 큰 크기들로 인하여 비용이 점점 더 증가해왔다. 따라서, 이들의 견고성이 유지되고 바람직하게는 증가되어야 하는 동시에, 이들의 비용은 감소되어야 한다. 두 개의 플레이트들(44, 46)은 함께 용접될 수 있으나, 용접은 박판들을 변형시키는 경향이 있다. 두 개의 플레이트들(44, 46)은 접촉면에 배치되는 실란트(sealant)와 함께 나사 결합될 수 있다. 그러나, 2.5m×2.5m 타깃에 필요한 나사들의 수는 매우 많아진다. 인듐 결합이 사용될 수 있으나, 그 견고성은 의심스럽다. 고압 살균(autoclaving)이 제안되었으나 이는 복잡하고 고가의 프로세스이다.
더 큰 타깃 크기들은 또한 타깃 어셈블리의 두께를 과도하게 증가시키지 않고 더 넓은 영역을 균일하게 냉각시키는데 있어서 도전과제를 제시하여왔다.
본 발명의 일 양상은 하나 이상의 타깃 타일들이 접합되고 냉각수 또는 다른 액체의 흐름을 위하여 배킹 플레이트의 주 표면에 평행하게 형성된, 측면으로 평행하게 연장하는 냉각 홀(hole)들을 구비한 스퍼터링 타깃 배킹 플레이트를 포함한다. 배킹 플레이트는 바람직하게 일체형이며, 원통형 냉각 홀들이 예컨대, 건 드릴링(gun drilling)에 의하여 배킹 플레이트의 측면 치수에 걸쳐 천공(bore)될 수 있다.
본 발명의 다른 양상은 냉각 홀들을 두 개의 인터리빙된 그룹들로 분할하는 단계, 및 냉각 홀들의 두 개의 그룹들에서 냉각액을 대향하여 흐르게(counter-flowing), 즉 역평행(anti-parallel) 방향들로 흐르게 함으로써 타깃 및 타깃의 배킹 플레이트에 걸친 온도차를 감소시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 추가 양상은 두 개의 대향하는 주변 측면들 상에 배킹 플레이트의 주 표면으로부터 형성되고 냉각 홀들 중 하나 이상의 냉각 홀들에 각각 결합되어, 수평으로 연장하는 냉각 홀들로부터의 냉각액을 공급 및 배출(drain)시키기 위한 수직 인입 및 배출 홀들 또는 슬롯들을 포함한다. 슬롯들은 2개 내지 6개의 인접한 냉각 홀들에 유리하게 결합된다. 수직 인입 및 배출 홀들 바깥쪽의 냉각 홀들의 단부들은 막힌다(plugged). 유리하게, 각각의 주변 측면 상의 홀들 또는 슬롯들은 교번하는 인입 및 배출 홀들 또는 슬롯들을 제공하기 위하여 냉각 홀들의 축 방향을 따라 오프셋되어 교번된다. 그 다음, 공급 및 배출 매니폴드들이 평행하게 배열되어 각각의 인입 및 배출 홀들 또는 슬롯들에 실링될 수 있다.
하부로부터의 도 3의 정사영도로 매우 개략적으로 도시된 본 발명의 일 실시예의 배킹 플레이트(60)는 배킹 플레이트(60)의 원하는 크기에 대응하는, 예컨대 예정된 다음 세대를 위해 측면 상에 2m보다 큰 측면 치수들을 가진 일체형 금속 플레이트(62)로 형성된다. 일련의 평행한 원통형 냉각 홀들(64)이 금속 플레이트(62)의 한 측면으로부터 다른 측면으로 연장하도록 그리고 금속 플레이트(62)의 주 표면들에 대하여 평행하게 천공된다. 예시적인 치수들은 12mm의 홀 직경 및 33mm의 알루미늄 플레이트에 대한 두께이다. 이와 같이 긴 거리에 걸친 홀 천공은 건 드릴링에 의하여, 즉 매우 긴 드릴 비트를 사용함으로써 달성될 수 있다. 긴 길이들을 고려하여, 양 측면들로부터 중간에서 만나는 홀들을 드릴링하는 것이 유리하다. 냉각수 또는 다른 액체가 홀들(64)을 통해 흘러 배킹 플레이트(60)를 냉각시키고 그에 따라 배킹 플레이트(60)에 부착된(affixed) 타깃 타일을 냉각시킨다.
기술된 실시예에서, 냉각수는 금속 플레이트(62)의 주 표면으로부터 금속 플레이트(62)의 반대편 측면까지는 아니지만, 바람직하게는 홀들(64)의 적어도 중간 깊이까지 밀링(mill)된 가늘고 긴 또는 장방형 홀들 또는 슬롯들(66, 68, 70, 72)로부터 공급 및 배출된다. 그 결과, 냉각 홀들(64)은 슬롯들(66, 68, 70, 72)의 각각의 쌍들에 노출된다. 슬롯들(66, 68, 70, 72)은 배킹 플레이트(60)가 실링될 마그네트론 챔버(32) 및 진공 챔버(14) 외부의 위치들에 있는 금속 플레이트(62)의 대향되는 측면들 상에 두 세트로 배치된다. 배관 연결들을 편리하게 하기 위하여, 슬롯들은 타깃 타일이 접합될 배킹 플레이트(60)의 도시된 하부면 상에 바람직하게 배치된다. 슬롯들(66, 68, 70, 72)이 냉각 홀들(64)의 쌍들을 노출시킨다면, 기계 가공 및 실링은 단순화된다. 슬롯들은 특히 슬롯들이 단 하나의 각각의 냉각 홀만을 노출시키는 경우에는 원형 홀들로서 형성될 수 있으나, 다수의 냉각 홀들(64)에 링크되는 가늘고 긴 슬롯들이 유리하다. 슬롯당 3개 이상의 냉각 홀들(64)이 기계 가공 및 실링을 보다 단순화시킬 것이지만, 냉각 균일성은 저하될 것이다. 일반적으로, 슬롯당 6개의 냉각 홀들(64)이 적당한 상한치이다. 도 4의 단면도에 기술된 바와 같이, 슬롯들(66, 68, 70, 72) 바깥쪽 측면에 있는 냉각 홀들(64)의 단부들은, 냉각 홀들(64)의 중간 부분을 통해 배킹 플레이트(60)의 대향 측면들 상에서 슬롯 사이로 물이 흐르도록, 플러그들(74)에 의하여 방수 처리(water sealed)된다.
배킹 플레이트(60)의 재료는 알루미늄 또는 알루미늄 합금들로 제한되지 않지만, 건 드릴링을 고려하여 알루미늄 또는 황동처럼 재료가 용이하게 기계 가공될 수 있는 것이 바람직하다.
냉각수 또는 다른 액체 냉각제는 대향 흐름형(counter flowing) 냉각제를 셋업하도록 슬롯들에 공급되고 슬롯들로부터 배출되는 것이 바람직하다. 예컨대, 냉각제가 우측으로 흐르게 하기 위해 슬롯(66)이 인입구로서 사용될 수 있고 슬롯(68)이 배출구로서 사용될 수 있으며, 냉각제가 좌측으로 흐르게 하기 위해 슬롯(72)이 인입구로서 사용될 수 있고 슬롯(70)이 배출구로서 사용될 수 있다. 냉각 홀들(64)의 보다 많은 역평행 흐름 그룹들이 존재하는 경우, 대향 흐름은 배킹 플레이트(60) 전역의 온도차를 현저하게 감소시킨다. 냉각수는 정상적인 스퍼터링 조건들 하에서 배킹 플레이트(60)를 가로질러 한 번의 통과시 약 20℃로부터 약 25℃로 온도가 상승하는 것이 전형적이다. 단방향 흐름의 경우, 배킹 플레이트(60)는 한 측면으로부터 다른 측면으로 유사한 5℃의 온도차를 갖는데, 이는 알루미늄의 약 1mm의 열팽창 차이량에 해당하며, 이 값은 감소해야 한다. 다른 한편으로, 대향 흐름형 냉각제의 경우, 냉각 홀들(64)의 인접 쌍들은 반대 온도 경사도를 가지며 이들은 배킹 플레이트(60)가 두 흐름들의 평균으로, 즉 더욱 국소화된 그러나 상보적인 온도 변화들이 발생할지라도 대향 흐름 홀들 사이의 영역에 걸쳐 평균인, 거의 일정한 22.5℃로 실질적으로 냉각될 만큼 충분히 가깝다.
도 5의 단면도에 도시된 바와 같이, 냉각 홀들에 냉각제를 제공하는 슬롯들(66, 68, 70, 72) 사이에 그리고 냉각 홀들(64)에 인접하게 도 3의 타깃 영역(78) 내에서 배킹 플레이트(60)의 하부면(상부 면으로 도시됨)에 하나 이상의 타깃 타일들(76)이 접합된다.
도 3의 배킹 플레이트(60)에 대한 설명은 매우 단순화된다. 도 6의 하부 평면도에 도시된 보다 실제적인 타깃 및 배킹 플레이트 어셈블리(80)는 도 7의 확대된 정사영도에 보다 상세히 도시되는 각진 코너들(84)을 가진 일체형 배킹 플레이트(82)를 포함한다. 이는 대향 흐름을 위한 교번 쌍들로 42개의 평행한 냉각 홀들(86)을 포함한다. 냉각 홀들(86)은 각진 코너들(84)을 포함하는 배킹 플레이트(82)의 대향 에지들로부터 건 드릴링될 수 있다. 예시적인 치수들은 33mm의 알루미늄 또는 알루미늄 합금 플레이트(82)에 대한 두께 및 12mm의 홀 직경, 즉 플레이트 두께의 25%보다 바람직하게 더 크고 75%보다 작고, 또한 바람직하게는 50%보다 작은 홀 직경이다. 플레이트 두께는 예컨대 20 내지 60mm 사이로 변화될 수 있다. 슬롯들(88, 90)은 냉각 홀들(86)의 쌍들을 노출시키기 위하여 각각의 측면 상에서 두 개의 스태거링된 열들로 배킹 플레이트(82)의 하부 동작 표면으로부터 기계 가공된다. 결합되는 슬롯들(88)의 다수, 예컨대 10개의 세트들 및 결합되는 슬롯들(90)의 다수, 예를 들어, 11개의 세트들은 냉각 홀들(86)에 대한 슬롯들(88, 90)의 쌍 결합을 제공한다. 앞서 기술된 바와 같이, 단일 슬롯(88, 90)에 의하여 노출되는 냉각 홀들(86)의 수는 변화할 수 있다. 또한, 슬롯 세트들의 수는 변화될 수 있으나, 세트들의 수를 증가시킴으로써 냉각 균일성이 개선된다. 플러그들(92)은 모든 냉각제가 슬롯들(88, 90)을 통해 흐르도록 홀들(88, 90)의 양 단부들에 나사 결합되거나 아니면 실링된다. 플러그들(92)은 다양한 상업적으로 이용가능한 타입들, 예컨대 Swagelokes, Farmington 플러그들, SAE 플러그들로부터 선택될 수도 있거나, 또는 특별하게 제조될 수도 있다. 휨(warpage)이 방지되어야 하지만 용접된 로드 플러그(rod plug)도 가능하다.
기술된 실시예는 배킹 플레이트(82)를 가로지르는 냉각 홀들(86) 및 슬롯들(88, 90)을 균일하게 이격시킨다. 그러나, 냉각에 맞추기 위하여 불균등한 분포들이 사용될 수 있는데, 예컨대 배킹 플레이트(82)의 중심에 더 많은 냉각 홀들을 배치하여 결과적으로 배킹 플레이트(82)의 중심을 더 많이 냉각시킬 수 있다.
측면에 냉각 홀들이 천공된 일체형 배킹 플레이트에 대해 기술된 제조 기법은 여러 장점들을 제공한다. 대부분 기계 가공에 기반하는 제조는 다수의 플레이트들의 이전에 실시된 접합보다 비용이 훨씬 덜 든다. 홀들의 직경이 플레이트 두께의 상당한 부분일지라도, 홀들은 플레이트의 강도를 크게 감소시키지는 않는다. 게다가, 결과적인 배킹 플레이트는 사용 또는 타깃 재연마 동안 쉽게 박리되지 않는다.
배킹 플레이트(82)의 제조 후에, 종래의 인듐 결합 또는 다른 방법이 사용될 수도 있지만, 타깃 타일들(94)은 캘리포니아 산호세에 위치한 TCB로부터 이용가능한 프로세스에서 바람직하게 도전성 중합체 접착제를 사용하여 배킹 플레이트(82)에 접합된다. 도면은 큰 타깃 타일들이 용이하게 이용가능하지 않을 경우 유용한 배열인, 타일들(94) 간에 약 0.5mm의 미리 결정된 갭들을 갖는 2차원 어레이의 다수의 타일들(94)을 도시한다. 그러나, 단일의 대형 타일 또는 다수의 타일들의 1차원 배열과 같이 다른 타일 배열들이 사용될 수 있다.
두 개의 매니폴드들(100)이 슬롯들(88, 90)의 오프셋 행들을 커버하고 또한 오프셋 행들에 결합하도록 배킹 플레이트의 동작 하부면 상에서 배킹 플레이트(82)의 대향 면들에 부착되는데, 이러한 두 개의 매니폴드들(100) 중 하나는 그들의 동작 위치에서 일반적으로 하부로부터의 도 8의 정사영도로 도시된다. 유리하게, 매니폴드들(100)은 스퍼터링 챔버 내에서의 청정도(cleanliness)에 영향을 미치지 않고 스테인리스 스틸로 용이하게 형성될 수 있다. 각각의 매니폴드(100)는 매니폴드 플레이트(102), 짧은 직사각형 매니폴드 튜브(104) 및 긴 직사각형 매니폴드 튜브(106)를 포함하며, 각각의 튜브는 냉각기(34)까지의 도시되지 않은 호스들을 통해 냉각수 또는 다른 액체 냉각제를 공급 및 배출하기 위한 호스 피팅(fitting)들(108, 110)의 각각의 쌍들을 가진다. 각각의 매니폴드 튜브(104, 106)들 상에 장착되고 그 내부에 결합되는 다수의 호스 피팅들(108, 110)은 많은 수의 슬롯들(88, 90) 및 연관된 냉각 홀들(86) 각각으로의 냉각제의 보다 균일한 흐름을 제공한다. 두 개의 매니폴드 튜브들(104, 106)은 슬롯 주변과 매니폴드 플레이트(102) 사이에서 매니폴드 플레이트 슬롯(112, 114) 각각의 내부에서부터 용접된다. 용접될 때, 매니폴드 튜브들(104, 106) 사이의 영역에서 매니폴드 플레이트(102)와 배킹 플레이트(82) 사이에 파스너들의 나사 고정이 가능하도록 두 개의 매니폴드 튜브들(104, 106)은 이들 사이가 약 1cm만큼 분리된다.
도 9의 평면도에 도시된 것과 같은 매니폴드 플레이트(102)는 배킹 플레이트(82)의 슬롯들(88, 90)에 일치하도록 매니폴드 슬롯들(112, 114)의 두 개의 스태거링된 행들을 포함한다. 배킹 플레이트의 슬롯들(88, 90) 둘레에서 배킹 플레이트(82)에 매니폴드(100) 및 그 슬롯들(112, 114)을 실링하기 위하여 사용되는 각각의 O-링들을 수용하도록 O-링 홈들(116)이 매니폴드 슬롯들(112, 114) 각각을 둘러싼다. 매니폴드 튜브들(104, 106)의 베이스들은 매니폴드 튜브들(104, 106)과 냉각 홀들(86)의 대응 그룹들 사이에서 냉각액이 자유롭게 순환하게 허용하도록 베이스들에 기계 가공된 대응 슬롯들을 가진다. 매니폴드 플레이트(102)를 관통하여 천공된 3개의 행들의 도시되지 않은 관통 홀들은 배킹 플레이트(82)에 매니폴드(100)를 나사 결합(screw attachment) 및 실링하기 위하여 배킹 플레이트(82)의 대응하는 도시되지 않은 나사 홀(tapped hole)들과 매칭된다. O-링들(116)을 균일하게 실링하기 위하여 매니폴드 슬롯들(112, 114) 각각의 주위에 4개의 나사들이 직사각형 패턴으로 고정되도록 관통 홀들 및 나사 홀들이 배열된다.
가동(operational) 타깃 어셈블리(120)가 그 동작 방향에서 일반적으로 하부로부터의 도 10의 부분 정사영도로 도시된다. 가동 타깃 어셈블리(120)는 주 챔버 및 마그네트론 챔버(14, 32)로의 자신의 진공 실링들의 외부에 있는 배킹 플레이트(82)의 두 개의 대향하는 주변 측면들에 고정 및 실링된 도 8의 두 개의 매니폴드들(단지 둘 중 하나만 도시됨) 및 도 8의 타깃 및 배킹 플레이트 어셈블리(80)를 포함한다. 가동 타깃 어셈블리(120)는 배킹 플레이트(82)의 양 측면들 상에서 냉각기(118)와 호스 피팅들(108, 110) 사이에 연결된 다중-브랜치 배출 호스(124) 및 다중-브랜치 공급 호스(122)를 부가적으로 포함한다. 도시된 매니폴드(100) 상에서, 공급 호스(122)는 짧은 매니폴드 튜브(104)에 냉각된 냉각제를 공급하는 반면에, 배출 호스(124)는 타깃에 의해 데워진(warm) 냉각제를 긴 매니폴드 튜브(106)로부터 배출한다. 각각의 매니폴드 튜브(104, 106)에 대한 이중 호스 연결은 많은 수의 냉각 홀들 사이에서 흐름을 균일하게 한다. 대조적으로, 유사한 호스 피팅들(108, 110)을 갖는, 타깃(80)의 도시되지 않은 다른 측면에 고정된 도시되지 않은 매니폴드(100) 상에서, 공급 호스(122)는 두 개의 호스 피팅들(110)을 통해 긴 튜브 매니폴드 튜브(106)에 냉각된 냉각제를 공급하며, 배출 호스(124)는 두 개의 호스 피팅들(108)을 통해 짧은 매니폴드 튜브(104)로부터 데워진 냉각제를 배출한다. 그 결과, 제 1 냉각제 흐름은 두 개의 짧은 매니폴드 튜브들(104) 사이에서 한 방향으로 셋업되며, 제 2 냉각제 흐름은 두 개의 긴 매니폴드 튜브들(106) 사이에서 반대 방향으로 셋업된다.
외부 매니폴드들은 그들 자체로 여러 장점들을 제공한다. 외부 매니폴드들은 타깃 어셈블리로부터 개별적으로 제조될 수 있으며 용이하게 재사용될 수 있다. 게다가, 많은 수의 평행한 냉각 홀들과 결합하여, 외부 매니폴드들은 타깃의 보다 균일한 냉각을 가능케 한다.
대안적인 실시예는 배킹 플레이트(82)의 양쪽 두 주 표면들 상에 그리고 냉각 홀들(64)의 서로 다른 홀들에 연결되는 배킹 플레이트(82)의 두 측면들 양쪽에 단일 행의 배킹 플레이트 슬롯들(88, 90)을 포함시킨다. 개별 액체 매니폴드들이 배킹 플레이트(82)의 상부 및 하부에 부착될 수 있다. 이러한 구성은 배킹 플레이트의 길이를 감소시킨다. 매니폴드들의 또 다른 형태들이 본 발명 내에 포함된다.
비록 앞의 실시예들이 도 1의 스퍼터 챔버의 배향들과 관련하여 기술되었을지라도, 본 발명의 사상을 벗어나지 않고 배향이 반전되거나, 그 측면으로 옮겨지거나 또는 다른 각도로 배열될 수 있음이 명백하다. 청구항들에서 열거되는 방향들은 단지 편리함을 위한 것이며 중력과 관련하여 다른 배향들로 변경될 수 있다.
본 발명은 디스플레이들을 위하여 의도된 패널들 상으로의 스퍼터링에 제한되지 않고 다른 응용들에 적용될 수 있다.
본 발명의 여러 특징들은 개별적으로 또는 결합하여 실시될 수 있으며 단지 청구항들에 의해서만 제한된다.
따라서, 본 발명은 덜 비싸고 더욱 견고한 타깃 어셈블리, 및 개선된 열 제어를 제공하는 재사용가능 배킹 플레이트를 제공한다.

Claims (29)

  1. 스퍼터링 타깃으로서,
    상면 및 하면인 2개의 주(principal) 표면들을 갖는 배킹 플레이트(backing plate)―상기 배킹 플레이트는 상기 배킹 플레이트의 제1 측면으로부터 상기 배킹 플레이트의 반대편의 제2 측면으로의 공통 축에 평행하게 연장하는 다수의 원통형 냉각 홀들을 포함함―; 및
    상기 배킹 플레이트의 타깃 영역에서 상기 2개의 주 표면들 중 하나에 본딩된 하나 이상의 스퍼터링 타깃 타일들을 포함하고,
    상기 배킹 플레이트는 상기 냉각 홀들의 대향하는 단부들에 인접하여 기계 가공되고, 상기 냉각 홀들의 부분들과 연결하도록 상기 주 표면들 중 적어도 하나로부터 기계 가공되는, 복수의 인입구(inlet hole) 및 배출구(outlet hole)를 포함하는,
    스퍼터링 타깃.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 배킹 플레이트는 일체형(integral) 플레이트인,
    스퍼터링 타깃.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 냉각 홀들의 측 단부들을 밀봉하는 플러그들을 더 포함하는,
    스퍼터링 타깃.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 인입구 및 배출구는 다수의 상기 냉각 홀들을 노출하기 위해 두 개의 엇갈린 열들로 교번되는 홀들인,
    스퍼터링 타깃.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 다수는 2개 내지 6개인,
    스퍼터링 타깃.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 인입구 및 배출구는 세장형(elongate) 홀들인,
    스퍼터링 타깃.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 배킹 플레이트의 대향 측면들 상에서 상기 인입구 및 배출구 홀들에 결합되는 매니폴드(manifold)들을 더 포함하는,
    스퍼터링 타깃.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 매니폴드들의 각 쌍들이 고정되는 두 개의 매니폴드 플레이트들을 더 포함하며, 상기 매니폴드 플레이트들은 상기 배킹 플레이트에 착탈식으로 부착가능한,
    스퍼터링 타깃.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 타깃 배킹 플레이트를 제조하는 방법으로서,
    상면 및 하면인 2개의 주(principal) 면들을 갖는 부재의 한 측면 부분과 다른 측면 부분 사이에 다수의 평행한 냉각 홀들을 드릴링(drilling)하는 단계;
    상기 냉각 홀들의 대향 단부들에 인접하여, 상기 냉각 홀들의 부분들과 연결시키기 위하여 상기 부재의 상기 주 면들 중 적어도 하나의 주 면으로부터 다수의 슬롯들을 기계 가공하는(machining) 단계; 및
    상기 부재의 에지들 상의 상기 냉각 홀들의 단부들을 실링하는 단계를 포함하는,
    타깃 배킹 플레이트를 제조하는 방법.
  25. 제 24항에 있어서,
    상기 냉각 홀들 위에 놓이도록 상기 부재의 주 면들 중 하나의 주 면에 적어도 하나의 타깃 타일을 부착하는 단계를 더 포함하는,
    타깃 배킹 플레이트를 제조하는 방법.
  26. 제 24항에 있어서,
    상기 슬롯들은 세장형 슬롯들이고, 상기 세장형 슬롯들 각각은 상기 냉각 홀들 중 2개 내지 6개의 냉각 홀들과 연결되는,
    타깃 배킹 플레이트를 제조하는 방법.
  27. 스퍼터링 타깃으로서,
    배킹 플레이트―상기 배킹 플레이트는 하나 이상의 스퍼터링 타깃 타일들의 본딩을 위해 상기 배킹 플레이트의 상면 및 하면인 2 개의 주 표면들 중 하나의 주 표면상의 타깃 영역과, 상기 배킹 플레이트 내에 형성되며 상기 배킹 플레이트의 제1 측면 에지로부터 반대편의 제2 측면 에지로의 공통 축에 평행하게 연장하는 다수의 평행한 원통형 홀들을 포함함―;
    상기 공통 축에 평행한 각각의 축들에 대해 원통형인 원통형 부분들을 갖고, 상기 배킹 플레이트의 측면 에지들에서 상기 원통형 홀들의 단부들의 안 또는 밖의 홀들에서의 유체의 흐름을 방지하기 위해 상기 제1 및 제2 측면 에지들 각각에서 상기 원통형 홀들 내에 삽입되고 상기 원통형 홀들을 유체 실링 및 플러깅하는 플러그들; 및
    상기 타깃 영역의 양 측부 상에 상기 배킹 플레이트의 주 표면들 중 하나에 형성되고, 2개의 엇갈린 열로 상기 타깃 영역의 각 측부 상에 배열되고, 상기 타깃 영역 아래의 상기 배킹 플레이트 내에 각각의 냉각 채널을 형성하기 위해 상기 원통형 홀들 각각과 연결되는 슬롯들을 포함하고,
    상기 슬롯들은 두 개의 엇갈린 열로 상기 타깃 영역의 각각의 측부들 상에 배열되며, 각각의 측부들 상의 상기 엇갈린 열들 중 서로 다른 열의 슬롯들은 상기 원통형 홀들 중 서로 다른 원통형 홀과 연결되는,
    스퍼터링 타깃.
  28. 드릴링 프로세스에 의해 부분적으로 형성된 스퍼터링 타깃 배킹 플레이트로서,
    일체형 금속 플레이트;
    상기 플레이트의 주 표면에 평행하게 연장하는 원통형 제1 홀들 내에 형성되는 다수의 냉각 채널들―상기 제1 홀들 각각은 상기 플레이트의 제1 측면으로부터 상기 제1 측면에 대향하는 상기 플레이트의 제2 측면으로 드릴링함에 의해 제조됨―;
    상기 제1 및 제2 측면들에 인접하는 상기 제1 홀들의 단부들 내에 삽입되어 상기 단부들을 채우고, 유체 밀봉하는 플러그들; 및
    상기 플러그들 사이에 배치되고, 두 개의 엇갈린 열로 상기 배킹 플레이트의 중앙 영역의 각각의 측부 상에 배열된, 각각의 상기 제1 홀들의 부분들과 상기 주 표면 사이에 연장하는 제2 홀들을 포함하며,
    상기 각 측부 상의 엇갈린 열들 중 서로 다른 열의 제2 홀들은 상기 제1 홀들 중 서로 다른 홀과 연결되는,
    스퍼터링 타깃 배킹 플레이트.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 제2 홀들 각각은 다수의 상기 제1 홀들로 연장하고,
    상기 플러그들은 상기 냉각 채널들 내부의 액체들을 상기 제1 홀들의 단부들로부터 상기 제2 홀들로 흐르게 하는,
    스퍼터링 타깃 배킹 플레이트.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021256607A1 (ko) * 2020-06-16 2021-12-23 주식회사 뉴파워 프라즈마 냉각 블록 및 이를 갖는 플라즈마 반응 장치

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9793523B2 (en) 2002-08-09 2017-10-17 Sapurast Research Llc Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8236443B2 (en) 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8021778B2 (en) * 2002-08-09 2011-09-20 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8404376B2 (en) 2002-08-09 2013-03-26 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US20070264564A1 (en) * 2006-03-16 2007-11-15 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8394522B2 (en) * 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US8728285B2 (en) 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
US8636876B2 (en) 2004-12-08 2014-01-28 R. Ernest Demaray Deposition of LiCoO2
DE102006008973B4 (de) * 2006-02-23 2014-09-11 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Kühlbare Trägerplatte für Targets in Vakuumzerstäubungsanlagen
US20080006523A1 (en) 2006-06-26 2008-01-10 Akihiro Hosokawa Cooled pvd shield
EP2067163A4 (en) 2006-09-29 2009-12-02 Infinite Power Solutions Inc MASKING FLEXIBLE SUBSTRATES AND RESTRICTING MATERIALS TO APPLY BATTERY LAYERS TO THESE
US8197781B2 (en) 2006-11-07 2012-06-12 Infinite Power Solutions, Inc. Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same
US20090023056A1 (en) * 2007-07-18 2009-01-22 Tesla Motors, Inc. Battery pack thermal management system
US8268488B2 (en) * 2007-12-21 2012-09-18 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film electrolyte for thin film batteries
CN101903560B (zh) * 2007-12-21 2014-08-06 无穷动力解决方案股份有限公司 用于电解质膜的溅射靶的方法
WO2009089417A1 (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film encapsulation for thin film batteries and other devices
EP2266183B1 (en) 2008-04-02 2018-12-12 Sapurast Research LLC Passive over/under voltage control and protection for energy storage devices associated with energy harvesting
CN102119454B (zh) 2008-08-11 2014-07-30 无穷动力解决方案股份有限公司 具有用于电磁能量收集的一体收集器表面的能量设备及其方法
US8260203B2 (en) 2008-09-12 2012-09-04 Infinite Power Solutions, Inc. Energy device with integral conductive surface for data communication via electromagnetic energy and method thereof
WO2010042594A1 (en) 2008-10-08 2010-04-15 Infinite Power Solutions, Inc. Environmentally-powered wireless sensor module
JP5492998B2 (ja) 2009-09-01 2014-05-14 インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド 薄膜バッテリを組み込んだプリント回路基板
US20110300432A1 (en) 2010-06-07 2011-12-08 Snyder Shawn W Rechargeable, High-Density Electrochemical Device
US9334563B2 (en) 2010-07-12 2016-05-10 Materion Corporation Direct cooled rotary sputtering target
US9011652B2 (en) 2010-07-12 2015-04-21 Materion Advanced Material Technologies And Services Inc. Rotary target backing tube bonding assembly
JP5423998B2 (ja) * 2011-08-31 2014-02-19 株式会社安川電機 電子部品冷却ユニット及び電力変換装置
US9434029B2 (en) * 2011-12-20 2016-09-06 Intel Corporation High performance transient uniform cooling solution for thermal compression bonding process
US20140061039A1 (en) * 2012-09-05 2014-03-06 Applied Materials, Inc. Target cooling for physical vapor deposition (pvd) processing systems
US20140069130A1 (en) * 2012-09-10 2014-03-13 Semicat, Inc. Temperature control of semiconductor processing chambers
US10060023B2 (en) 2012-10-19 2018-08-28 Infineon Technologies Ag Backing plate for a sputter target, sputter target, and sputter device
CN103313503B (zh) * 2013-05-19 2016-12-28 中国科学院近代物理研究所 用于加速器驱动次临界核能***的固体散裂靶
CN104668897B (zh) * 2013-12-03 2017-06-30 宁波江丰电子材料股份有限公司 背板的形成方法
US9282650B2 (en) * 2013-12-18 2016-03-08 Intel Corporation Thermal compression bonding process cooling manifold
US10192847B2 (en) * 2014-06-12 2019-01-29 Asm Technology Singapore Pte Ltd Rapid cooling system for a bond head heater
WO2016109881A1 (en) 2015-01-09 2016-07-14 Dana Canada Corporation Counter-flow heat exchanger for battery thermal management applications
WO2016168932A1 (en) 2015-04-21 2016-10-27 Dana Canada Corporation Counter-flow heat exchanger for battery thermal management applications
WO2017083113A1 (en) * 2015-11-12 2017-05-18 Honeywell International Inc. Sputter target backing plate assemblies with cooling structures
CA3023150A1 (en) 2016-05-06 2017-11-09 Dana Canada Corporation Heat exchangers for battery thermal management applications with integrated bypass
JP6916413B2 (ja) * 2017-04-25 2021-08-11 株式会社島津製作所 電源一体型真空ポンプ
US11699634B2 (en) * 2019-05-03 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Water cooled plate for heat management in power amplifiers
CN110828021A (zh) * 2019-11-04 2020-02-21 中国原子能科学研究院 一种用于医用同位素生产靶的水冷机构
CN114959601B (zh) * 2022-06-09 2023-09-29 先导薄膜材料(安徽)有限公司 一种平面靶材的绑定方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4361749A (en) * 1980-02-04 1982-11-30 Western Electric Co., Inc. Uniformly cooled plasma etching electrode
US5328585A (en) * 1992-12-11 1994-07-12 Photran Corporation Linear planar-magnetron sputtering apparatus with reciprocating magnet-array
JP2002220661A (ja) * 2001-01-29 2002-08-09 Sharp Corp スパッタリング装置に用いられるバッキングプレートおよびスパッタリング方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5271625A (en) * 1975-12-10 1977-06-15 Semikron Gleichrichterbau Semiconductor rectifier device
US5487822A (en) 1993-11-24 1996-01-30 Applied Materials, Inc. Integrated sputtering target assembly
US6264812B1 (en) 1995-11-15 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating a plasma
US5873989A (en) * 1997-02-06 1999-02-23 Intevac, Inc. Methods and apparatus for linear scan magnetron sputtering
US5985115A (en) * 1997-04-11 1999-11-16 Novellus Systems, Inc. Internally cooled target assembly for magnetron sputtering
US6340415B1 (en) 1998-01-05 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing a sputtering target's lifetime
KR100291330B1 (ko) * 1998-07-02 2001-07-12 윤종용 반도체장치제조용스퍼터링설비및이를이용한스퍼터링방법
JP2000073164A (ja) 1998-08-28 2000-03-07 Showa Alum Corp スパッタリング用バッキングプレート
IT1310518B1 (it) * 1999-01-13 2002-02-18 Danieli Off Mecc Dispositivo per colata continua ad alta velocita' e relativoprocedimento
JP3940521B2 (ja) * 1999-04-07 2007-07-04 株式会社東芝 イオン源電極板の製造方法
EP1322444A4 (en) * 2000-09-11 2008-01-23 Tosoh Smd Inc METHOD FOR MANUFACTURING CATHODIC SPUTTER TARGETS WITH INTERNAL COOLING CHANNELS
US7017656B2 (en) * 2001-05-24 2006-03-28 Honeywell International, Inc. Heat exchanger with manifold tubes for stiffening and load bearing
US6708870B2 (en) * 2002-05-24 2004-03-23 Praxair S.T. Technology, Inc. Method for forming sputter target assemblies
CN2565842Y (zh) * 2002-07-11 2003-08-13 中国科学院物理研究所 一种平面磁控溅射靶

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4361749A (en) * 1980-02-04 1982-11-30 Western Electric Co., Inc. Uniformly cooled plasma etching electrode
US5328585A (en) * 1992-12-11 1994-07-12 Photran Corporation Linear planar-magnetron sputtering apparatus with reciprocating magnet-array
JP2002220661A (ja) * 2001-01-29 2002-08-09 Sharp Corp スパッタリング装置に用いられるバッキングプレートおよびスパッタリング方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021256607A1 (ko) * 2020-06-16 2021-12-23 주식회사 뉴파워 프라즈마 냉각 블록 및 이를 갖는 플라즈마 반응 장치

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