CN1855165A - 差分电流驱动型传送*** - Google Patents

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Abstract

提供了一种差分电流驱动电流型传送***。该***包括：传送线对，用于通过差分方案传送信号；传送单元，具有传送电路和传送控制器，该传送电路用于使传送线对具有根据传送信号的逻辑值的电流差、并以预定时序均衡传送线对，该传送控制器用于控制传送电路的信号传送和传送线对的均衡化；以及接收单元，具有I－V转换器电路和差分放大器，该I－V转换器电路用于镜像传送线对的电流差并将电流差转换成电压差，该差分放大器用于放大I－V转换器电路的电压差。

Description

差分电流驱动型传送***
技术领域
本发明涉及数据传送***；更为具体地，涉及用于通过差分电流驱动方案传送数据的差分电流驱动型数据传送***。
背景技术
通过将数据转换成电压差、并将电压差加载到在传送侧的传送线中、然后又将传送的电压差转换成在接收侧的原始数据，完成了传统的通过传送线的数据传送，诸如引线等的传送线存在于两个或更多的半导体芯片之间/之中。
在使用电压差的数据传送的情形中，存在缺乏相对长的传送线的问题，从而提出了使用电流的数据传送类型。使用电流的数据传送类型是将数据信号转换成待输出到传送线的电流的量值差的传送类型。
与串联传送/并联传送无关，根据用于传送一位数据所需的传送线的数目，使用电流的数据传送类型主要分为单电流驱动型和差分电流驱动型。在单电流驱动型中，将一根传送线分配给一个数据，从而使数据表示为传送线电流的量值。在差分电流驱动型中，通过为一个数据分配两个传送线，将数据表示为两个传送线电流的控制(dominance)。
差分电流驱动型是这种类型，即不同的电流流经两个传送线并由此将传送信号检测为在传送线的接收端子的电压差。差分电流驱动型具有这种优势，即和单电流驱动型相比，显著地降低了由噪声引起的传送信号的失真。相反地，随着在传送线之间的距离更短，在传送线之间的干扰现象变得更为明显。结果，随着寄生在传送线上的R、L及C分量增大，归因于噪声和在传送线之间的干扰的效应变得更强。这使传送信号的失真变得严重，并使信号的转变时间变长，其最终导致降低了传送速度。
为了克服现有技术的上述问题，通过将更多量的电流供给到在传送侧的传送线来放大电压差，以最小化传送信号的恶化。但是，这需要更多的功率消耗，还引起随着传送线电流增加而在传送线之间的电磁干扰(EMI)增加的问题。
同时，凭借通过将传送电流供给到传统差分电流驱动型中的终端电阻器而产生的电压差，传统差分电流驱动型的接收器恢复信号。随着终端电阻器的电阻增大，电压差增大，从而易于恢复信号。但是，由于根据用于最大功率传递的阻抗匹配关系，一般接收器的标准电阻固定在50Ω，不可能任意放大在接收器中终端电阻器的电阻。在这种情形中，唯一放大电压差的方法是放大传送电流。但是，传送电流的增加引起诸如功率消耗、EMI特性退化的问题。
归因于这些问题，如果由终端电阻器本身产生的电压差太小，信号灵敏度恶化，且在恢复信号中错误也会增加。在这种情形中，另一种提高信号恢复能力的方法是采用用于放大由终端电阻器产生的电压差的高质量的放大器。但是，不可避免的是高质量放大器使整体电路复杂，这带来的缺点是接收器整体电路的复杂性增加，并因为高质量放大器在衬底上占据大面积而使布局余量降低。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种差分电流驱动型传送***，其能降低传送单元的功率消耗。
本发明的另一个目的是提供一种差分电流驱动型传送***，其能防止归因于传送线之间的干扰的传送信号的恶化。
本发明的又一个目的是提供一种差分电流驱动型传送***，其具有能防止传送速度降低的传送单元。
本发明的进一步目的是提供一种差分电流驱动型传送***，其具有接收单元并具有关于信号的高灵敏度，在接收单元中在恢复信号中错误可能性被降低。
本发明的更进一步的目的是提供一种具有接收单元的差分电流驱动型传送***，该接收单元能确保对布局的大的余量。
根据本发明的一个方面，提供一种用于在差分电流驱动型***中使用的传送器，该传送器包括电流源块，用于响应于通过第一和第二线传送的数据的逻辑值，将不同的电流量供给到传送线对的第一和第二线；和传送控制器，用于控制电流源装置。
根据本发明的另一个方面，提供一种用于在差分电流驱动型***中使用的接收器，该接收器包括电流镜装置，用于镜像在传送线对的第一和第二线上的每个电流以产生每个镜像电流；电流电压转换装置，用于将每个镜像的电流转换为每个对应的电压；以及数据接收装置，用于比较每个对应的电压以产生对应于在第一和第二线上的每个电流的数据。
根据本发明的又一个方面，提供一种差分电流驱动型传送***，该***包括：用于通过差分方案传送信号的传送线对；包括传送电路和传送控制器的传送单元，该传送电路用于根据传送信号的逻辑值使传送线对具有电流差、并以预定时序均衡传送线对，该传送控制器用于控制传送电路的信号传送和传送线对的均衡化；以及包括I-V转换器电路和差分放大器的接收单元，该I-V转换器电路用于镜像传送线对的电流差并将电流差转换成电压差，该差分放大器用于放大I-V转换器电路的电压差。
附图说明
参考结合附图给出的优选实施例的下列描述，本发明的上述和其它目的以及特征将变得更好理解，在附图中：
图1是根据本发明的传送***的总框图；
图2是阐明图1的传送***的传送电路的电路图；
图3是阐明根据一个实施例的图2的传送电路的详细电路图；
图4是阐明根据另一个实施例的图2的传送电路的详细电路图；
图5是阐明为图2的传送电路所使用的信号的时序图；
图6是阐明根据一个实施例的图1的传送***的接收单元的详细电路图；及
图7是阐明根据另一个实施例的图1的传送***的接收单元的详细电路图。
具体实施方式
参考附图将详细描述根据本发明的示范实施例的差分电流驱动型传送***。
[实施例1]
如图1和2中所示，本发明的差分电流驱动型传送器包括：第一电流源Icc1，用于将指示基极逻辑状态的基极电流供给到传送线对的真线(trueline)Tx+；第二电流源Icc2，用于将指示基极逻辑状态的基极电流供给到传送线对的杠线(bar line)Tx-；传送电流源Idc，用于将指示传送逻辑状态的传送电流产生到传送线对中之一；均衡开关SWE，用于在传送数据前均衡传送线对的电势；转变开关SWT，用于根据待传送数据的逻辑值将转变电流供给到真线Tx+或杠线Tx-；以及传送控制器10，用于控制对应于待传送数据的转变开关SWT和均衡开关SWE的开关操作。
图3是阐明根据本发明的一个实施例的配置有多个MOS晶体管的差分电流驱动型传送电路20的详细电路图。第一电流源Icc1/第二电流源Icc2和转变电流源Idc实现为电流镜电路。均衡开关SWE-1和转变开关SWT-1中的每个配置有2-MOS开关，即一对互补的PMOS和NMOS晶体管。可替选地，均衡开关SWE和转变开关SWT中的每个可分别实现为单MOS开关SWE-2和SWT-2，如图4中所示。
为了实施电流镜，传送电路20包括参考电流流过其中的电流参考镜MOS晶体管TR1。参考镜MOS晶体管TR1的源极连接到电源电压端子VDD，漏极和栅极连接到从接收单元的外部产生的参考电流Iref的输入端子。由此，从传送单元的外部产生的参考电流Iref流过参考镜MOS晶体管TR1的源漏路径。
第一电流源Icc1配置有第一基极镜MOS晶体管TR2，第一基极镜MOS晶体管TR2的源极和漏极分别连接到电源电压VDD和真线TX+，而栅极连接到参考镜MOS晶体管TR1的栅极。第二电流源Icc2配置有第二基极镜MOS晶体管TR3，第二基极镜MOS晶体管TR3的源极和漏极分别连接到电源电压VDD和杠线TX-，栅极也连接到参考镜MOS晶体管TR1的栅极。另外，转变电流源Idc配置有转变镜MOS晶体管TR4，转变镜MOS晶体管TR4的源极和漏极分别连接到电源电压VDD和转变开关SWT，栅极也连接到参考镜MOS晶体管TR1的栅极。
由于第一基极镜MOS晶体管TR2、第二基极镜MOS晶体管TR3和转变镜MOS晶体管TR4的栅极都连接到参考镜MOS晶体管TR1的栅极，基极电流Icc1、Icc2和转变电流Idc与参考电流Iref成比例地产生。
转变开关SWT可配置有如图3中所示的一对MOS晶体管TR5至TR8，或配置有如图4中所示的单个MOS晶体管TR11和TR12。在前者的情形中，转变开关SWT-1提供有：配置有2-MOS开关的第一转变开关，通过2-MOS开关的栅极接收转变信号D+和反相转变信号D-，第一转变开关的一端连接到所述转变电流源，另一端连接到所述真线TX+；和配置有2-MOS开关的第二转变开关，通过2-MOS开关的栅极接收转变信号D+和反相转变信号D-，第二转变开关的一端连接到转变电流源Idc，另一端连接到杠线TX-。
在后者的情形中，转变开关SWT-2提供有：配置为单MOS开关的第一转变开关器件TR11，通过单MOS开关的栅极接收转变信号D+或反相转变信号D-，第一转变开关器件TR11的一端连接到转变电流源Idc，另一端连接到真线TX+；和配置为单MOS开关的第二转变开关器件TR12，通过单MOS开关的栅极接收转变信号D+或反相转变信号D-，第二转变开关器件TR12的一端连接到转变电流源Idc，另一端连接到杠线TX-。
在前者的情形中，从传送控制器10输出的转变开关控制信号具有正控制信号D+和负控制信号D-。因此，虽然有传送控制器10和转变开关SWT-1的构成复杂的缺点，但前者提供了有可能确保精确的开关操作的有利优点。
在如图4中所示后者的情形中，从传送控制器10输出的转变开关控制信号也具有正控制信号D+和负控制信号D-。但是，如果两个MOS晶体管中的一个配置为NMOS晶体管而另一个配置为PMOS晶体管，则晶体管开关控制信号可以只具有一个控制信号D。从而，有可将传送控制器10和转变开关SWT-1的构成简化的优点，但有可根据信号状态执行非对称开关操作的缺点。
类似地，均衡开关SWE可配置有一对MOS开关即2-MOS开关，如图3中所示，或配置有单MOS晶体管，如图4中所示。
在前者的情形中，均衡开关SWE配置有两个MOS开关TR9和TR10，通过两个MOS开关的栅极接收均衡信号NT+和反相均衡信号NT-，均衡开关SWE的一端连接到真线TX+，另一端连接到杠线TX-。在后者的情形中，均衡开关SWE-2配置有单MOS开关TR13，通过单MOS开关的栅极接收均衡信号NT+或反相均衡信号NT-，均衡开关SWE-2的一端连接到真线TX+，另一端连接到杠线TX-。
在如图3中所示的前者的情形中，通过传送控制器10输出的均衡控制信号具有正控制信号NT+和负控制信号NT-。因此，虽然有传送控制器10和均衡开关SWE-1的构成复杂的缺点，但前者的情形提供了有可能确保准确的开关操作的有利的优点。
在如图4中所示的后者的情形中，从传送控制器10输出的均衡开关控制信号具有一个控制信号NT。从而，有将传送控制器10和均衡开关SWE-2的构成简化的优势，但也有可根据信号状态执行非对称开关操作的缺点。
图5图示了从传送控制器10产生的用于根据数据信号的输入来控制图3的差分电流驱动型传送电路20的开关控制信号。
转变开关控制信号D+和D-根据数据的变化改变其逻辑状态，并在1PT的时间周期保持对应于一个数据的逻辑状态。同时，如果传送数据位不变化，即如果数据位与前面数据位在逻辑值方面相等，前面的逻辑状态还被保持。
在结合数据转变点的PT/2的时间周期，均衡控制信号NT+和NT-使能待输出的均衡开关SWE的接通控制信号，同时一片数据通过转变开关控制信号D+和D-输出到传送线。同时，如果传送数据位不改变，在1PT的整个时间周期期间输出均衡开关SWE的关断控制信号。
这是因为在输出逻辑值等于前面数据信号的数据位信号的情形中，由于传送线已凭借前面数据位的转变而稳定在所需的转变水平，不执行对传送线对的均衡化。但是，根据另一种实施，即使传送数据位没有变化，也可配置均衡开关SWE，使得在结合数据转变点的PT/2的时间周期，输出均衡开关SWE的接通控制信号，同时对应数据被输出到传送线。
假设当传送数据位为1时电流变得更大，且第一和第二电流源以及转变电流源中的每个电流彼此相等。当输出数据位0时，反相转变信号D-和转变信号D+分别输出为逻辑高和逻辑低。相应地，转变电流源Idc的转变电流以及第一电流源Icc1的基极电流流进真线Tx+。但这时，由于均衡信号NT+和反相均衡信号NT-分别保持在逻辑低和逻辑高，在借助于数据位的初始转变时间，真线TX+和杠线TX-不彼此连接，使得在两个传送线之间不出现电流差。在经过PT/2的时间周期后，均衡信号NT+和反相均衡信号NT-分别变为逻辑高和逻辑低。结果，和基极电流源的基极电流一样多的预定电流流经杠线TX-，且是预定电流两倍或更多的电流流经真线TX+。
[实施例2]
差分电流驱动型接收器包括：真线电流镜42，用于通过镜像流过传送对的真线TX+的数据信号电流Irx+来产生真线镜像电流M×Irx+；杠线电流镜44，用于通过镜像流过传送线对的杠线TX-的数据信号电流Irx-来产生杠线镜像电流M×Irx-；真线电流电压(I-V)转换器46，用于产生具有对应于真线镜像电流M×Irx+的水平的真线接收电压Cd+；杠线I-V转换器48，用于产生具有对应于杠线镜像电流M×Irx-的水平的杠线接收电压Cd-；以及差分放大器50，用于放大在真线接收电压Cd+和杠线接收电压Cd-之间的水平差。
真线电流镜42包括：第一输入端子MOS晶体管MT1，其栅极和源极连接到真线TX+，源极连接到接地电压端子，用于使流经真线TX+的数据信号电流Irx+流动；和第一输出端子MOS晶体管MT2，其栅极连接到第一输入端子MOS晶体管MT1的栅极，源极连接到接地电压端子，用于通过复制流经第一输入端子MOS晶体管MT1的电流使通过其的镜像电流流动。
杠线电流镜44包括：第二输入端子MOS晶体管MT3，其栅极和漏极连接到杠线TX-，源极连接到接地电压端子，用于使流经杠线TX-的数据信号电流Irx-流动；和第二输出端子MOS晶体管MT4，其栅极连接到第二输入端子MOS晶体管MT3的栅极，源极连接到接地电压端子，用于通过复制流经第二输入端子MOS晶体管MT4的电流使通过其的镜像电流流动。
这里，优选地输出端子MOS晶体管MT2和MT4的沟道宽度是输入端子MOS晶体管MT1和MT3的沟道宽度的两倍或更多，使得可将镜像电流产生为通过传送线输入的电流的两倍或更大，因为这样可改进下列I-V转换的准确性。
真线I-V转换器46包括：设置在真线镜像电流M×Irx-的电流路径上的第一电阻器R0-1，其一端连接到电源电压，另一端连接到真线转换电压的输出端子；和设置在真线镜像电流M×Irx+的电流路径上的第三电阻器R1-1，其一端连接到真线转换电压的输出端子，另一端连接到真线电流镜42。
类似地，杠线I-V转换器48包括：设置在杠线镜像电流M×Irx-的电流路径上的第二电阻器R0-2，其一端连接到电源电压，另一端连接到杠线转换电压的输出端子；和设置在杠线镜像电流M×Irx-的电流路径上的第四电阻器R1-2，其一端连接到杠线转换电压的输出端子，另一端连接到杠线电流镜44。
在图6的接收器中，由于电压降在真线镜像电流M×Irx+的电流路径中的第一电阻器R0-1、第三电阻器R1-1和第一输出端子MOS晶体管MT2上，且输入到差分放大器50中的电压的导出点50是在第一电阻器R0-1和第三电阻器R1-1之间的连接节点，第一电阻器R0-1是基本元件但第三电阻器R1-1不是基本元件，从而如果需要可将其省略。
通常，因为电阻器MOS晶体管比实际电阻器相对便宜，在可实施在半导体器件内的电路中将电阻器MOS晶体管用做电阻器元件，代替实际电阻器。因此，在本发明的实施例中，第一至第四电阻器的全部或部分可配置有MOS晶体管。
由于根据电流的量值电压降将发生在第一电阻器R0-1和第二电阻器R0-2上，优选地第一电阻器R0-1和第二电阻器R0-2配置有MOS晶体管，通过MOS晶体管的栅极将固定的偏置电压Vref施加到所述MOS晶体管。因此，第一电阻器可配置有第一电阻器MOS晶体管RT1，第一电阻器MOS晶体管RT1的源极连接到电源电压端子，漏极连接到真线转换电压的输出端子。类似地，第二电阻器R0-2可配置有第二电阻器MOS晶体管RT2，第二电阻器MOS晶体管RT2的源极连接到电源电压端子，漏极连接到杠线转换电压的输出端子。这里，偏置电压Vref施加到第一电阻器MOS晶体管RT1和第二电阻器MOS晶体管RT2的两个栅极。
偏置电压Vref使第一电阻器MOS晶体管RT1和第二电阻器MOS晶体管RT2在I-V特性曲线图中的线性区域中工作，由此第一电阻器MOS晶体管RT1和第二电阻器MOS晶体管RT2作为一种具有与穿过沟道的电流的量值成比例的沟道电压降的电阻器。由于第一电阻器MOS晶体管RT1和第二电阻器MOS晶体管RT2配置为如图7中所示的PMOS晶体管，偏置电压变成VDD-Vt(Vt≤PMOS晶体管的阈值电压)。即，PMOS晶体管的栅极电压是源极电压通过预定电压而下降的电压，预定电压略小于阈值电压。因此，有可能确保PMOS晶体管的线性工作。
相反，因为电压降基本不需根据电流的量值跨过第三电阻器R1-1和第四电阻器R1-2，所以第三电阻器R1-1和第四电阻器R1-2可实施为通过其栅极施加有固定偏置电压的MOS晶体管或二极管连接的MOS晶体管。
在前者的情形中，第三电阻器R1-1可配置有通过其栅极接收偏置电压的第三电阻器MOS晶体管(未示出)，第三电阻器MOS晶体管的源极和漏极分别连接到真线电流镜42和真线转换电压的输出端子。第四电阻器R1-2可配置有通过其栅极接收偏置电压的第四电阻器MOS晶体管(未示出)，第四电阻器MOS晶体管的源极和漏极分别连接到杠线电流镜44和杠线转换电压的输出端子。
在后者的情形中，第三电阻器R1-1可配置有第三电阻器MOS晶体管RT3，第三电阻器MOS晶体管RT3的源极连接到真线电流镜42，漏极和栅极连接到真线转换电压的输出端子。第四电阻器R1-2可配置有第四电阻器MOS晶体管RT4，第四电阻器MOS晶体管RT4的源极连接到杠线电流镜44，漏极和栅极连接到杠线转换电压的输出端子。
[实施例3]
差分电流驱动型传送***，包括：传送线对30，用于通过差分方案传送信号；传送单元200，包括传送电路20和传送控制器10，传送电路20用于使传送线对30具有根据传送信号的逻辑值的电流差、并以预定时序均衡传送线对30，传送控制器10用于控制传送电路20的信号传送和传送线对30的均衡化；及接收单元400，具有I-V转换器电路40和差分放大器50，I-V转换器电路40用于镜像传送线对30的电流差并将电流差转换成电压差，差分放大器50用于放大I-V转换器电路40的电压差。
传送电路20包括：第一电流源Icc1，用于将指示基极逻辑状态的基极电流供给到传送线对30的真线TX+；第二电流源Icc2，用于将指示基极逻辑状态的基极电流供给到传送线对30的杠线TX-；传送电流源Idc，用于将指示传送逻辑状态的传送电流产生到传送线对30中之一；均衡开关SWE，用于在传送数据前均衡传送线对30的电势；及转变开关SWT，用于根据待传送数据的逻辑值将转变电流供给到真线TX+或杠线TX-。在这种情形中，配置有传送电路20和传送控制器10的传送单元200变得和第一实施例的传送器一样。因此，这里将省略对第一电流源Icc1、第二电流源Icc2、传送电流源Idc、均衡开关SWE、转变开关SWT和传送控制器10的详细描述。
I-V转换电路40可包括：真线电流镜42，用于通过镜像流过真线TX+的数据信号电流Irx+来产生真线镜像电流M×Irx+；杠线电流镜44，用于通过镜像流过杠线TX-的数据信号电流Irx-来产生杠线镜像电流M×Irx-；真线I-V转换器46，用于产生具有对应于真线镜像电流M×Irx+水平的真线接收电压Cd+；及杠线I-V转换器48，用于产生具有对应于杠线镜像电流M×Irx-水平的杠线接收电压Cd-。在这种情形中，配置有I-V转换电路40和差分放大器50的接收单元400与第二实施例的接收器相同。因此这里将省略对真线电流镜42、杠线电流镜44、真线I-V转换器46、杠线I-V转换器48和差分放大器50的详细描述。
根据本发明的差分电流驱动型传送***，本发明的***对减少在传送数据中的功率消耗有效。
另外，本发明对防止传送信号由于传送线之间的干扰而恶化有效，并对防止传送速度降低有效。
此外，根据本发明的差分电流驱动型接收器，本发明的接收器对关于信号降低错误可能性和提高灵敏度有效。
而且，由于本发明的接收器的结构简单，有可能对部件提供大的余量。
本申请包含涉及在2005年4月26日提交到韩国专利局的韩国专利申请No.KR2005-0034614的主题，其全部内容通过引用合并与此。
尽管已关于某些优选实施例描述了本发明，对本领域的技术人员显而易见地是，在不离开所附权利要求的精神和范围内可对本发明进行各种改变和修改。

Claims (41)

1.一种在差分电流驱动型***中使用的传送器，包括：
电流源装置，用于响应通过传送线对的第一和第二线所传送的数据的逻辑值，将不同的电流量供给到所述第一和第二线；及
传送控制器，用于控制所述电流源装置。
2.如权利要求1中所述的传送器，其中所述电流源装置包括：
第一电流源，用于将第一电流供给到所述第一线；
第二电流源，用于将第二电流供给到所述第二线；
传送电流源，用于产生指示到所述传送线对中之一的逻辑状态转变的传送电流；
均衡开关，用于在数据传送前均衡在所述第一和第二线上的电势；及
转变开关，用于根据所述数据的逻辑值将转变电流供给到所述传送线对中之一。
3.如权利要求2中所述的传送器，其中所述传送控制器控制所述均衡开关，使得当每个数据位开始传送时所述均衡开关瞬时接通。
4.如权利要求2中所述的传送器，其中所述传送控制器在所述待传送的数据的逻辑值不改变的时间周期期间保持所述均衡开关接通。
5.如权利要求2中所述的传送器，还包括参考镜MOS晶体管，其漏极和源极彼此连接使得参考电流能流过其中，其中所述参考电流是用于产生基极电流和所述转变电流的基础。
6.如权利要求5中所述的传送器，其中所述第一电流源是第一基极镜MOS晶体管，其源极和漏极分别连接到电源电压和所述真线，且栅极连接到所述参考镜MOS晶体管的栅极，而所述第二电流源是第二基极镜MOS晶体管，其源极和漏极分别连接到所述电源电压和所述杠线，且栅极连接到所述参考镜MOS晶体管的栅极。
7.如权利要求5中所述的传送器，其中所述转变电流源是转变镜MOS晶体管，其源极和漏极分别连接到所述电源电压和所述转变开关，且栅极连接到所述参考镜MOS晶体管的栅极。
8.如权利要求2中所述的传送器，其中所述转变开关包括：
配置有2-MOS开关的第一转变开关，通过所述2-MOS开关的栅极接收转变信号和反相转变信号，所述第一转变开关的一端连接到所述转变电流源，而另一端连接到所述真线；及
配置有2-MOS开关的第二转变开关，通过所述2-MOS开关的栅极接收转变信号和反相转变信号，所述第二转变开关的一端连接到所述转变电流源，而另一端连接到所述杠线。
9.如权利要求2中所述的传送器，其中所述转变开关包括：
配置有单MOS开关的第一转变开关，通过所述单MOS开关的栅极接收转变信号或反相转变信号，所述第一转变开关的一端连接到所述转变电流源，而另一端连接到所述真线；及
配置有单MOS开关的第二转变开关，通过所述单MOS开关的栅极接收转变信号或反相转变信号，所述第二转变开关的一端连接到所述转变电流源，而另一端连接到所述杠线。
10.如权利要求2中所述的传送器，其中所述均衡开关配置有2MOS开关，通过所述2MOS开关的栅极接收均衡信号或反相均衡信号，所述均衡开关的一端连接到所述真线，而另一端连接到所述杠线。
11.如权利要求2中所述的传送器，其中所述均衡开关配置有单MOS开关，通过所述单MOS开关的栅极接收均衡信号或反相均衡信号，所述均衡开关的一端连接到所述真线，而另一端连接到所述杠线。
12.一种在差分电流驱动型***中使用的接收器，包括：
电流镜装置，用于镜像在传送线对的第一和第二线上的每个电流以产生每个镜像电流；
电流-电压转换装置，用于将每个镜像的电流转换为每个对应的电压；及
数据接收装置，用于比较每个对应的电压以产生对应于在所述第一和所述第二线上的每个电流的数据。
13.如权利要求12中所述的接收器，其中所述电流镜装置包括：
真线电流镜，用于通过镜像流过所述第一线的数据信号电流来产生真线镜像电流；及
杠线电流镜，用于通过镜像流过所述第二线的数据信号电流来产生杠线镜像电流。
14.如权利要求13中所述的接收器，其中所述电流-电压转换装置包括：
真线I-V转换器，用于产生具有对应于所述真线镜像电流的水平的真线接收电压；及
杠线I-V转换器，用于产生具有对应于所述杠线镜像电流的水平的杠线接收电压。
15.如权利要求14中所述的接收器，其中所述数据接收装置包括用于放大在所述真线接收电压和所述杠线接收电压之间的水平差的差分放大器。
16.如权利要求15中所述的接收器，其中所述真线电流镜和所述杠线电流镜产生是待镜像的电流的两倍或更多的镜像电流。
17.如权利要求15中所述的接收器，其中所述真线电流镜和所述杠线电流镜中的每个包括：
输入端子MOS晶体管，用于使所述待镜像电流流过其中；及
输出端子MOS晶体管，用于使所述镜像电流流过其中，
其中所述待镜像电流的输入端子连接到所述输入和输出端子MOS晶体管的栅极中的每个。
18.如权利要求15中所述的接收器，其中设置在所述真线镜像电流的电流路径上的所述真线I-V转换器包括第一电阻器，所述第一电阻器一端连接到电源电压且另一端连接到真线转换电压的输出端子，而设置在所述杠线镜像电流的电流路径上的所述杠线I-V转换器包括第二电阻器，所述第二电阻器一端连接到电源电压且另一端连接到杠线转换电压的输出端子。
19.如权利要求18中所述的接收器，其中设置在所述真线镜像电流的电流路径上的所述真线I-V转换器还包括第三电阻器，所述第三电阻器一端连接到所述真线转换电压的输出端子且另一端连接到所述真线电流镜，而设置在所述杠线镜像电流的电流路径上的所述杠线I-V转换器还包括第四电阻器，所述第四电阻器一端连接到所述杠线转换电压的输出端子且另一端连接到所述杠线镜。
20.如权利要求18中所述的接收器，其中所述第一电阻器配置有第一电阻器MOS晶体管，通过所述第一电阻器MOS晶体管的栅极接收偏置电压，所述第一电阻器MOS晶体管的源极和漏极分别连接到所述电源电压和所述真线转换电压的输出端子，而所述第二电阻器配置有第二电阻器MOS晶体管，通过所述第二电阻器MOS晶体管的栅极接收偏置电压，所述第二电阻器MOS晶体管的源极和漏极分别连接到所述电源电压和所述杠线转换电压的输出端子。
21.如权利要求19中所述的接收器，其中所述第三电阻器配置有第三电阻器MOS晶体管，通过所述第三电阻器MOS晶体管的栅极接收偏置电压，所述第三电阻器MOS晶体管的源极和漏极分别连接到所述真线电流镜和所述真线转换电压的输出端子，而所述第四电阻器配置有第四电阻器MOS晶体管，通过所述第四电阻器MOS晶体管的栅极接收偏置电压，所述第四电阻器MOS晶体管的源极和漏极分别连接到所述杠线电流镜和所述杠线转换电压的输出端子。
22.如权利要求19中所述的接收器，其中所述第三电阻器配置有第三电阻器MOS晶体管，所述第三电阻器MOS晶体管的源极连接到所述真线电流镜，且漏极和栅极连接到所述真线转换电压的输出端子，而所述第四电阻器配置有第四电阻器MOS晶体管，所述第四电阻器MOS晶体管的源极连接到所述杠线电流镜，且漏极和栅极连接到所述杠线转换电压的输出端子。
23.一种差分电流驱动型传送***，包括：
传送线对，用于通过差分方案传送信号；
传送单元，包括传送电路和传送控制器，所述传送电路用于使所述传送线对具有根据传送信号的逻辑值的电流差、并以预定时序均衡所述传送线对，而所述传送控制器用于控制所述传送电路的信号传送和所述传送线对的均衡化；及
接收单元，包括I-V转换器电路和差分放大器，所述I-V转换器电路用于镜像所述传送线对的电流差并将所述电流差转换成电压差，而所述差分放大器用于放大所述I-V转换器电路的电压差。
24.如权利要求23中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述传送电路包括：
第一电流源，用于将指示基极逻辑状态的基极电流供给到所述传送线对的真线；
第二电流源，用于将指示基极逻辑状态的基极电流供给到所述传送线对的杠线；
传送电流源，用于将指示传送逻辑状态的传送电流产生到所述传送线对中之一；
均衡开关，用于在传送数据前均衡所述传送线对的电势；及
转变开关，用于根据所述待传送数据的逻辑值将转变电流供给到所述真线或所述杠线。
25.如权利要求24中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述传送控制器控制所述均衡开关，使得当每个数据位开始传送时所述均衡开关瞬时接通。
26.如权利要求23中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述传送控制器在所述待传送的数据的逻辑值不改变的时间周期期间保持所述均衡开关接通。
27.如权利要求24中所述的差分电流驱动型传送***，还包括参考镜MOS晶体管，其漏极和源极彼此连接使得参考电流能流过其中，其中所述参考电流是用于产生所述基极电流和所述转变电流的基础。
28.如权利要求27中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述第一电流源是第一基极镜MOS晶体管，其源极和漏极分别连接到电源电压和所述真线，且栅极连接到所述参考镜MOS晶体管的栅极，而所述第二电流源是第二基极镜MOS晶体管，其源极和漏极分别连接到所述电源电压和所述杠线，且栅极连接到所述参考镜MOS晶体管的栅极。
29.如权利要求27中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述转变电流源是转变镜MOS晶体管，其源极和漏极分别连接到所述电源电压和所述转变开关，且栅极连接到所述参考镜MOS晶体管的栅极。
30.如权利要求24中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述转变开关包括：
配置有2-MOS开关的第一转变开关，通过所述2-MOS开关的栅极接收转变信号和反相转变信号，所述第一转变开关的一端连接到所述转变电流源，而另一端连接到所述真线；及
配置有2-MOS开关的第二转变开关，通过所述2-MOS开关的栅极接收转变信号和反相转变信号，所述第二转变开关的一端连接到所述转变电流源，而另一端连接到所述杠线。
31.如权利要求24中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述转变开关包括：
配置有单MOS开关的第一转变开关，通过所述单MOS开关的栅极接收转变信号或反相转变信号，所述第一转变开关的一端连接到所述转变电流源，而另一端连接到所述真线；及
配置有单MOS开关的第二转变开关，通过所述单MOS开关的栅极接收转变信号或反相转变信号，所述第二转变开关的一端连接到所述转变电流源，而另一端连接到所述杠线。
32.如权利要求24中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述均衡开关配置有2MOS开关，通过所述2MOS开关的栅极接收均衡信号或反相均衡信号，所述均衡开关的一端连接到所述真线，而另一端连接到所述杠线。
33.如权利要求24中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述均衡开关配置有单MOS开关，通过所述单MOS开关的栅极接收均衡信号或反相均衡信号，所述均衡开关的一端连接到所述真线，而另一端连接到所述杠线。
34.如权利要求24中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述I-V转换电路包括：
真线电流镜，用于通过镜像流过传送线对的真线的数据信号电流来产生真线镜像电流；
杠线电流镜，用于通过镜像流过所述传送线对的杠线的数据信号电流来产生杠线镜像电流；
真线I-V转换器，用于产生具有对应于所述真线镜像电流的水平的真线接收电压；及
杠线I-V转换器，用于产生具有对应于所述杠线镜像电流的水平的杠线接收电压。
35.如权利要求34中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述真线电流镜和所述杠线电流镜产生是待镜像的电流的两倍或更多的所述镜像电流。
36.如权利要求34中所述的差分电流驱动型接收器，其中所述真线电流镜和所述杠线电流镜中的每个包括：
输入端子MOS晶体管，用于使所述待镜像电流流过其中；及
输出端子MOS晶体管，用于使所述镜像电流流过其中，
其中所述待镜像电流的输入端子连接到所述输入和输出端子MOS晶体管的栅极中的每个。
37.如权利要求34中所述的差分电流驱动型传送***，其中设置在所述真线镜像电流的电流路径上的所述真线I-V转换器包括第一电阻器，所述第一电阻器一端连接到电源电压且另一端连接到真线转换电压的输出端子，而设置在所述杠线镜像电流的电流路径上的所述杠线I-V转换器包括第二电阻器，所述第二电阻器一端连接到电源电压且另一端连接到杠线转换电压的输出端子。
38.如权利要求34中所述的差分电流驱动型传送***，其中设置在所述真线镜像电流的电流路径上的所述真线I-V转换器还包括第三电阻器，所述第三电阻器一端连接到所述真线转换电压的输出端子且另一端连接到所述真线电流镜，而设置在所述杠线镜像电流的电流路径上的所述杠线I-V转换器还包括第四电阻器，所述第四电阻器一端连接到所述杠线转换电压的输出端子且另一端连接到所述杠线镜。
39.如权利要求37中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述第一电阻器配置有第一电阻器MOS晶体管，通过所述第一电阻器MOS晶体管的栅极接收偏置电压，所述第一电阻器MOS晶体管的源极和漏极分别连接到所述电源电压和所述真线转换电压的输出端子，而所述第二电阻器配置有第二电阻器MOS晶体管，通过所述第二电阻器MOS晶体管的栅极接收偏置电压，所述第二电阻器MOS晶体管的源极和漏极分别连接到所述电源电压和所述杠线转换电压的输出端子。
40.如权利要求38中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述第三电阻器配置有第三电阻器MOS晶体管，通过所述第三电阻器MOS晶体管的栅极接收偏置电压，所述第三电阻器MOS晶体管的源极和漏极分别连接到所述真线电流镜和所述真线转换电压的输出端子，而所述第四电阻器配置有第四电阻器MOS晶体管，通过所述第四电阻器MOS晶体管的栅极接收偏置电压，所述第四电阻器MOS晶体管的源极和漏极分别连接到所述杠线电流镜和所述杠线转换电压的输出端子。
41.如权利要求38中所述的差分电流驱动型传送***，其中所述第三电阻器配置有第三电阻器MOS晶体管，所述第三电阻器MOS晶体管的源极连接到所述真线电流镜，且漏极和栅极连接到所述真线转换电压的输出端子，而所述第四电阻器配置有第四电阻器MOS晶体管，所述第四电阻器MOS晶体管的源极连接到所述杠线电流镜，且漏极和栅极连接到所述杠线转换电压的输出端子。
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