CN1846254A - 光学记录介质及其制造方法、以及用于光学记录介质的数据记录方法和数据读取方法 - Google Patents

光学记录介质及其制造方法、以及用于光学记录介质的数据记录方法和数据读取方法 Download PDF

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Abstract

根据本发明的一种光学记录介质(10)，包括：其上形成有凹槽(11a)的支撑基板(11)、透光层(12)，在支撑基板(11)与透光层(12)之间设置的贵金属氧化物层(23)，其中，凹槽(11a)的深度设定为大于λ/8n但小于等于60nm，此处，n是透光层(12)对波长为λ的光的折射率。因此，通过将激光束照射在贵金属氧化物层(23)上，在进行超分辨率记录和超分辨率读取时，可获得良好的信号特性，尤其是有足够幅值的推挽信号。此外，因为凹槽的深度设定为60nm或更小，在生产用于制造基板的模片时不会出现较大的困难。

Description

光学记录介质及其制造方法、以及用于光学记录 介质的数据记录方法和数据读取方法
技术领域
本发明涉及一种光学记录介质及其制造方法，以及，更具体地，涉及一类通过放出气体形成记录标记的光学记录介质及其制造方法。此外，本发明涉及用于光学记录介质的数据记录方法和数据读取方法，以及，更具体地，涉及用于一类通过放出气体形成记录标记的光学记录介质的数据记录方法和数据读取方法。
背景技术
近年来，作为用于记录高容量数字数据的记录介质，广泛使用以CD(Compact Disc)和DVD(Digital Versatile Disc)为代表的光学记录介质。
CD中既不能添加数据也不能重写数据的一类(CD-ROM)具有这样一种结构，使得反射层和保护层叠放在厚度为大约1.2mm的透光基板上。然后，通过将波长约780nm的激光束从透光基板侧照射在反射层上，可以进行数据的读出。另一方面，CD中数据可记录的一类(CD-R)或者数据可重写的一类(CD-RW)具有这样一种结构，使得在透光基板和反射层之间增加记录层。然后，通过将波长约780nm的激光束从透光基板侧照射在记录层上，可进行数据的记录和读出。
在CD中，使用数值孔径约0.45的物镜会聚激光束，使得反射层或者记录层上激光束的光束点直径可缩小为约1.6μm。结果，在CD中可以获得约700MB的存储容量，以及在标准线速度(约1.2m/sec)下约1Mbps的数据传输速率。
同样地，DVD中，既不能添加数据也不能改写数据的一类(DVD-ROM)具有这样一种结构，使得通过在具有约0.6mm厚度的透光基板上堆叠反射层和保护层而构成的多层体，与具有约0.6mm厚度的虚设基板(dummy substrate)经粘合层粘贴在一起。然后，通过将约635nm波长的激光束从透光基板侧照射在反射层上，可以执行数据的读出。另一方面，DVD中，数据可记录的一类(DVD-R等)或者数据可重写的一类(DVD-RW等)具有这样一种结构，使得在透光基板和反射层之间增加记录层。然后，通过将约635nm波长的激光束从透光基板侧照射在记录层上，可以执行数据的记录和读出。
在DVD中，使用数值孔径约0.6的物镜会聚激光束，使得反射层或者记录层上激光束的光束点直径可缩小为约0.93μm。按这种方式，在DVD中的记录和读出中，不仅使用比CD中具有更短波长的激光束，而且使用具有更大数值孔径的物镜。因此，可以实现比CD更小的光束点直径。结果，在DVD中可以获得约4.7GB/面的存储容量，以及在标准线速度(约3.5m/sec)下约11Mbps的数据传输速率。
最近，已经提出了一种光学记录介质，其具有超过DVD的数据存储容量，并且实现了超过DVD的数据传输速率。在这种次世代光学记录介质中，使用约405nm波长的激光束和数值孔径约0.85的物镜，以达到大容量/高数据传输速率。因此，可以使激光束的光束点直径缩小为约0.43μm。结果，可以实现约25GB/面的存储容量以及标准线速度(约4.9m/sec)下约36Mbps的数据传输速率。
以这种方式，因为在次世代光学记录介质中使用的物镜的数值孔径非常高，所以，不仅可以充分保证翘曲裕度(tilt margin)，而且可以抑制彗差的产生，使得作为激光束光路的透光层的厚度，可以非常薄地设定在大约100μm。因而，与现有的光学记录介质如CD、DVD等不同，在次世代光学记录介质中，难以在透光基板上形成各种功能层如记录层等。因此，现在研究一种方法，其中在支撑基板上形成反射层和记录层，然后，通过旋转涂敷方法在其上形成薄树脂层用作透光层。换而言之，现有光学记录介质从光入射平面侧开始相继形成各膜层，与现有光学记录介质不同，在次世代光学记录介质的生产中，从与光入射平面的相对侧开始相继形成各膜层。
如上所述，光学记录介质较大的容量和较高的数据传输速率，主要通过缩小激光束的光束点直径达到。因此，为了达到较大容量和较高数据传输速率的进一步提高，必须进一步缩小光束点直径。然而，当进一步缩短激光束的波长时，不仅使透光层中激光束的吸收急剧增加，而且使透光层的长期劣化增加，因此，难以进一步缩短波长。此外，考虑到透镜设计的困难、翘曲裕度的保证等，也很难进一步提高物镜的数值孔径。亦即，可以说，进一步缩小激光束的光束点直径是非常困难的。
在这种情况下，作为获得更大容量和更高数据传输速率的另一尝试，最近提出了超分辨率光学记录介质。超分辨率光学记录介质表示一种光学记录介质，在其中可以形成小于分辨率极限的微小记录标记，然后能实现根据这种记录标记的数据读出。当使用这种光学记录介质时，不要求光束点直径的缩小，就可获得更大的容量和更高的数据传输速率。
当具体解释时，衍射极限d1由下式给出，
d1＝λ/2NA此处，λ是激光束的波长，而NA是物镜的数值孔径。因此，在这种类型的光学记录介质中，其中数据可以通过记录标记和空白区的长度亦即边缘间的距离表示，与CD和DVD中的情况一样，单频信号的读取极限d2由下式给出：
d2＝λ/4NA就是说，在不是超分辨率类型的普通的光学记录介质中，当最短的记录标记和最短长度的空白区低于读取极限时，不能互相区分记录标记和空白区。与此不同，在超分辨率光学记录介质中，可以使用长度各自低于读取极限的记录标记和空白区。因此，能实现更大的容量和更高的数据传输速率而不用缩小光束点直径。
作为现有技术中的超分辨率光学记录介质，已经提出了称为“散射超分辨近场结构(Scattering Super Resolution Near-field Structure)”的超分辨率光学记录介质(参见非专利文献1)。在这种光学记录介质中，使用了相变材料层和金属氧化物构成的读取层。其中假定：当照射激光束时，在光束点的中心的高能区中，使构成读取层的金属氧化物分解，然后，通过由此产生的金属微粒使激光束散射而产生近场光(near-field light)。这样解释：因为使近场光局部照射在相变材料层上，所以，利用相变，可实现超分辨率记录和超分辨率读出。此外，这样解释：当激光束移开时，因为使通过读取层的分解产生的金属和氧再次结合而恢复原来的金属氧化物，所以，可达到反复改写。
然而，根据本发明发明人的研究表明：在称作“散射超分辨近场结构”的超分辨率光学记录介质中，相变材料层中的相变很难以信号形式出现，而且，读取层中的分解也是不可逆的。换而言之，显然，称为“散射超分辨近场结构”的超分辨率光学记录介质，不能实现为在其中的相变材料层上形成可逆记录标记的可改写光学记录介质，但能实现为在其中的读取层(贵金属氧化物层)上形成不可逆的记录标记的可记录光学记录介质(参见非专利文献2)。
这里，在贵金属氧化物层中可以形成尺寸低于读取极限的精细记录标记的原因在于：在光束点的中心的高能区中，使贵金属氧化物层局部分解，然后，通过产生的气泡坑，使此区域塑性变形。经过塑性变形的部分用作记录标记，而未经塑性变形的部分则用作空白区。同时，目前还不清楚根据以这种方式形成的精细记录标记可以读取数据的原因。
[非专利文献1]“A near-field recording and readout technologyusing a metallic probe in an optical disk”，Jap.J.Appl.Phys.，edited byJapan Society of Applied Physics，2000，Volume 39，Pages 980-981
[非专利文献2]“Rigid bubble pit formation and huge signalenhancement in super-resolution near-field structure disk withplatinum-oxide layer”，Applied Physics Letters，American Institute ofPhysics，December 16，2002，Volume 81，Number 25，p.4697-4699
在这种方式中，已经发现，在现有技术中认为是“记录层”的相变材料层，实际上并没有起到记录层的作用，而是使用由于贵金属氧化物层的局部分解所产生的气泡作为记录标记。因此，可以预期到，在考虑由气泡的产生导致的变形等，对在其上形成贵金属氧化物层的基板上的凹槽的深度、宽度等进行设定，可使信号特性得到改善。
发明内容
因此，本发明的目的是，提供一种在超分辨率记录和超分辨率读取时的信号特性得到改善的光学记录介质，以及，提供该光学记录介质的制造方法。
此外，本发明的另一目的是，提供一种在超分辨率记录和超分辨率读取时的信号特性得到改善的光学记录介质上记录数据的方法，以及一种从这种光学记录介质上读取该数据的方法，在该记录数据的方法和读取数据的方法中，使用较短波长的激光束和具有较大数值孔径的物镜。
根据本发明的一种光学记录介质，包括：基板，在其上形成凹槽；贵金属氧化物层，设置在基板上；第一电介质层，当从贵金属氧化物层观看，第一电介质层设置在光入射平面侧；以及，第二电介质层，当从贵金属氧化物层观看，第二电介质层设置在光入射平面的相对侧；其中，通过沿凹槽在贵金属氧化物层上照射波长为λ的激光束，该光学记录介质能记录数据，以及，将凹槽的深度设定为大于λ/8n但小于等于60nm，此处n是激光束的光路对波长为λ的光的折射率。
根据本发明，因为将凹槽的深度设定为大于λ/8n，所以，当通过在贵金属氧化物层上照射激光束，进行超分辨率记录和超分辨率读取时，可获得良好的信号特性，尤其是带有足够幅值的推挽信号。此外，因为将凹槽的深度设定为小于等于60nm，所以，生产在制造基板时所使用的模片不至于困难。
优选的是，凹槽的深度设定应为大于等于λ/7n但小于等于50nm。根据这种设定，不仅能获得更佳的信号特性，而且能容易生产模片。
此外，优选的是，根据本发明的光学记录介质，当从第二电介质层观看，在光入射平面的相对侧，进一步包括按次序布置的光吸收层和第三电介质层。采用这种结构，可将记录时照射的激光束的能量高效率地转化为热量，因而，可获得良好的记录特性。
此外，优选的是，根据本发明的光学记录介质，进一步包括设置在基板和第三电介质层之间的反射层。当设置这种反射层时，不仅能增强读取信号的幅值，而且能极大地改善读取稳定性。这里术语“读取稳定性(重放稳定性)”表示抵抗读取劣化现象的稳定性，读取劣化现象是由于读取时照射的激光束能量，使贵金属氧化物层的状态改变，并因此导致噪声增加和载波降低，而使CNR降低的现象。优选地，反射层的厚度应当设定为大于等于5nm但小于等于200nm，更优选地，反射层的厚度应当设定为大于等于10nm但小于等于150nm。当以这种方式设定反射层的厚度时，可获得足够的重放稳定性增强效果，而不会很大程度降低生产率。
此外，优选的是，在贵金属氧化物层中应当包含铂氧化物(PtOx)。在这种情况下，最优选的是，基本上整个贵金属氧化物层应当由铂氧化物(PtOx)构成。但如果包含其他材料或者不可避免混入的杂质也没有问题。当使用铂氧化物(PtOx)作为贵金属氧化物层的材料时，可获得良好的信号特性和足够的稳定性。
此外，优选的是，根据本发明的光学记录介质，进一步包括透光层，当从第一电介质层观看，透光层设置在基板的相对侧，作为激光束的光路；以及，其中，基板的厚度设定为大于等于0.6mm但小于等于2.0mm，而透光层的厚度设定为大于等于10μm但小于等于200μm。据此，通过使用具有波长(λ)短于约635nm的激光束和具有数值孔径(NA)大于约0.6的物镜，可将λ/NA设定为小于等于640nm，因此，可实现超分辨率记录和超分辨率读取。尤其是，使用具有约405nm波长的激光束和具有约0.85数值孔径的物镜，两者都是在次世代光学记录介质中使用的，在超分辨率记录和超分辨率读取中，可获得极好的特性。
一种制造根据本发明的光学记录介质的方法，包括：第一步骤，在形成凹槽的基板上，按次序形成反射层、第三电介质层、光吸收层、第二电介质层、贵金属氧化物层和第一电介质层；以及第二步骤，在第一电介质层上形成透光层；其中，凹槽的深度设定为大于λ/8n但小于等于60nm，此处λ是用于记录或者读取数据的激光束的波长，而n是透光层对波长为λ的光的折射率。
根据本发明，因为使用具有波长(λ)低于约635nm的激光束和具有数值孔径(NA)大于约0.6的物镜，所以，可以制造一种光学记录介质，通过设定λ/NA为小于等于640nm，可使该光学记录介质能进行超分辨率记录和超分辨率读取。另外，因为凹槽的深度Gd设定为大于λ/8n但小于等于60nm，所以，当进行超分辨率记录和超分辨率读取时，可获得良好的信号特性，并且，生产在制造基板中所使用的模片不再引起太大的困难。此外，优选的是，应当通过物理汽相沉积执行第一步骤，以及，应当通过旋转涂敷法执行第二步骤。
此外，根据本发明的一种数据记录方法，通过将激光束从光入射平面侧照射在权利要求1至5中任一项所述的光学记录介质上，来记录数据，λ/NA值设定为小于等于640nm以及对包括长度小于等于λ/4NA的记录标记的记录标记串进行记录，此处，λ是激光束的波长，而NA是用以会聚激光束的物镜的数值孔径。此外，根据本发明的一种数据读取方法，通过将激光束从光入射平面侧照射在权利要求1至5中任一项所述的光学记录介质上，来读取数据，λ/NA值设定为小于等于640nm以及根据包括长度小于等于λ/4NA的记录标记的记录标记串读取数据，此处，λ是激光束的波长，而NA是用以会聚激光束的物镜的数值孔径。在两种情况下，最有利的是，不仅激光束的波长应当设定为大约405nm，而且物镜的数值孔径应当设定为大约0.85。根据这种设定，可以使用和用于次世代光学记录介质的记录/读取***相同的记录/读取***，所以，可减小用于记录/读取***所需要的开发成本和生产成本。
根据本发明，因为在基板上设定相对较深的凹槽，所以，在进行超分辨率记录和超分辨率读取中，可获得良好的信号特性。另外，当在基板上设定相对较窄的凹槽时，可获得更好的信号特性。
具体而言，在根据本实施方式的光学记录介质中，因为使用波长低于约635nm的激光束和数值孔径超过约0.6的物镜，所以，在设定λ/NA小于等于640nm时，可进行超分辨率记录和超分辨率读取。尤其是，使用具有大约405nm波长的激光束和具有大约0.85数值孔径的物镜，两者都用于次世代光学记录介质，在超分辨率记录和超分辨率读取中可获得优良特性。结果，因为能使用与用于次世代光学记录介质的记录/读取***相似的记录/读取***，所以，可减小用于记录/读取***所需要的开发成本和生产成本。
附图说明
图1(a)是切口透视图，图示根据本发明优选实施方式光学记录介质10的外观，以及，图1(b)是图1(a)中所示A部分放大的断片剖视图。
图2图示说明凹槽11a的深度Gd和宽度Gw的定义。
图3是示意性图示将激光束40照射在光学记录介质10上的状态图。
图4(a)是图示激光束40在贵金属氧化物层23上的光束点的平面图，以及，图4(b)是图示光束点强度分布的图。
图5图示说明气泡坑23a(记录标记)的尺寸。
图6是图示在记录操作中激光束40强度调制样式实例的波形图。
图7是图示在记录操作中激光束40强度调制样式另一实例的波形图。
图8是示意性图示激光束40的记录功率和通过随后的读出所获得的读取信号的CNR之间关系的曲线图。
图9是示意性图示激光束40的读取功率和CNR之间关系的曲线图。
图10是图示特性评测1中的测量结果的曲线图。
图11是图示特性评测2中的测量结果的曲线图。
图12是图示特性评测3中的测量结果的曲线图。
图13是图示特性评测4中的测量结果的曲线图。
图14是图示特性评测5中的测量结果的曲线图。
图15是图示特性评测6中的测量结果的曲线图。
图16是图示特性评测7中的测量结果的曲线图。
图17是图示特性评测8中的测量结果的曲线图。
具体实施方式
参照附图，下面说明本发明的优选实施方式。
图1(a)是切口透视图，图示根据本发明优选实施方式光学记录介质10的外观，而图1(b)是图1(a)中所示A部分放大的断片剖视图。
如图1(a)所示，根据本发明实施方式的光学记录介质10形成如圆盘。如图1(b)所示，光学记录介质10构造成具有如下结构：支撑基板11、透光层12，以及在支撑基板11和透光层12之间按次序设置的反射层21、光吸收层22和贵金属氧化物层23，以及，在反射层21与光吸收层22之间、光吸收层22和贵金属氧化物层23之间、以及贵金属氧化物层23与透光层12之间分别设置的电介质层33、32和31。在使光学记录介质10旋转时，通过从光入射平面12a侧照射激光束40，可以进行数据的记录和读出。激光束40的波长可设定为低于635nm。尤其，最有利的是，激光束40的波长，应当设定为次世代光学记录介质所使用的约405nm。此外，用于会聚激光束40的物镜的数值孔径，可设定为大于等于0.6。尤其，数值孔径可设定为次世代光学记录介质中所使用的大约0.85。在本说明书和权利要求中，有些情况下也将支撑基板11简称为“基板”。
支撑基板11是圆盘状的基板，用于保证光学记录介质10所需要的机械强度。以螺旋方式在其一面上形成用于引导激光束40的凹槽11a和岸台11b，以使其从接近于中心部分指向(direct)外周部分，或者从外周部分指向接近于中心部分。只要能保证机械强度，不具体限制支撑基板11的材料和厚度。作为支撑基板11的材料，可使用例如玻璃、陶瓷、树脂等。如果考虑成型性，优选应当使用树脂。作为这种树脂，可以列出聚碳酸酯树脂、烯烃树脂、丙烯酸树酯、环氧树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、硅树脂、氟树脂、ABS树脂和聚氨酯树脂等。它们之中，考虑到可加工性，尤其优选的是，应当使用聚碳酸酯树脂或者烯烃树脂。在这种情况下，因为支撑基板11不充当激光束40的光路，所以，无需选择在一定波长范围内有高透光率的材料。
相对而言，优选的是，支撑基板11应当设定为必需且充裕的厚度，以保证机械强度，例如，大于等于0.6mm但小于等于2.0mm。在考虑这种介质与现有光学记录介质或者次世代光学记录介质的兼容性的情况下，有利的是，厚度应当设定为小于等于1.2mm，尤其是约1.1mm。此外，不具体限制支撑基板11的直径。在考虑这种介质与现有光学记录介质或者次世代光学记录介质的兼容性的情况下，有利的是，直径应当设定为约120mm。
凹槽11a的深度设定为大于λ/8n，优选的是，应当设定为大于等于λ/7n，此处，λ是激光束40的波长，而n是在相关波长范围中透光层12的折射率。因此，当激光束40的波长设定为大约405nm，是适用于次世代光学记录介质的波长，以及，透光层12在相关波长范围中的折射率为大约1.5，凹槽11a的深度可设定为大约34nm，优选的是，大约39nm或者更多。如果凹槽11a的深度设定为大于λ/8n，当执行超分辨率记录和超分辨率读取时，可获得良好的信号特性，尤其有足够幅值的推挽信号，但如果凹槽11a的深度设定为大于等于λ/7n，执行超分辨率记录和超分辨率读取时，可获得更好的信号特性。在这种情况下，在具有其上形成有凹槽和岸台的基板的光学记录介质中，已知通过设定凹槽的深度为λ/8n，可使推挽信号幅值最大化。考虑到这一方面，可以说，与普通光学记录介质中凹槽的深度相比，本实施方式中的光学记录介质10的凹槽11a设定得更深。
通过设定凹槽11a的深度大于λ/8n，使其比普通的凹槽更深，能获得具有足够幅值的推挽信号，其原因可能是，在本发明的光学记录介质中，因为使用通过贵金属氧化物层23的局部分解产生的气泡作为记录标记，所以，可以使记录光道的实际凹槽深度减小，而不是未记录光道的凹槽深度减少。因此，可以得出结论：这样一种现象，即通过设定凹槽11a超过λ/8n的深度，可获得有足够幅值的推挽信号的现象，是可以被施加超分辨率记录和超分辨率读取的光学记录介质所特有的。
在这种情况下，当使凹槽11a的深度增大时，生产模片逐渐变得困难。根据这种考虑，较好的是，凹槽11a的深度应当设定为小于等于60nm，以及，优选的是，凹槽11a的深度应当设定为小于等于50nm。
此外，优选的是，凹槽11a的宽度应当设定成比普通的凹槽更窄。例如，有利的是，当光道间距为大约320nm时，凹槽的宽度应当设定为小于等于200nm，尤其是小于等于170nm。不很清楚设定狭窄的凹槽11a宽度为何有利。但推测当凹槽11a宽度变窄时，由位于岸台11b上的透光层12，可以抑制贵金属氧化物层23在水平方向的变形，以及，结果使垂直方向的变形增大，从而改善信号特性。
这里，如图2所示，凹槽11a的深度，定义为在垂直方向上从凹槽11a的平面到岸台11b的平面的距离(＝Gd)。此外，凹槽11a的宽度，定义为将凹槽11a具有Gd/2深度的斜面部分互相连接时所获得在水平方向的距离(＝Gw)，亦即半宽度。
透光层12是用作记录和读取时所照射激光束40的光路的层。不具体限制材料，只要这种材料在所使用激光束40的波长范围内具有足够高的透光率。例如，可使用透光的树脂等。在本实施方式的光学记录介质10中，透光层12的厚度设定为大于等于10μm但小于等于200μm。这是因为，当将透光层12的厚度设定为低于10μm时，在光入射平面12a上的光束直径变得非常小，于是，使光入射平面12a上的擦痕和灰尘对记录和读取操作的影响极大增加，以及因为，当设定透光层的厚度超过200μm时，难以保证翘曲裕度和抑制彗差。此外，考虑到与次世代光学记录介质的兼容性时，透光层的厚度较好应当设定为大于等于50μm但小于等于250μm，以及，优选的是大于等于70μm但小于等于120μm。
反射层21是起到不仅增强读取信号电平而且改善重放稳定性作用的层。作为反射层21的材料，可以使用诸如金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铂(Pt)、铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、镁(Mg)、锌(Zn)和锗(Ge)等单金属或者它们的合金。对反射层21的厚度没有具体限制。但较好厚度应当设定为大于等于5nm但小于等于200nm，更好的厚度应当设定为大于等于10nm但小于等于100nm，以及，优选的厚度应当设定为大于等于10nm但小于等于50nm。这是因为，当反射层21的厚度低于5nm时，不能充分达到改善重放稳定性的效果；而当反射层21的厚度超过200nm时，需要太多的时间来形成膜层，并因此使生产效率降低，而且也很难达到超过上述改善重放稳定性的效果。另一方面，如果将反射层21的厚度设定为大于等于10nm但小于等于100nm，尤其是大于等于10nm但小于等于50nm，可获得满意的改善重放稳定性的效果，而且也不会明显降低生产率。在本发明中，给光学记录介质设置反射层21不是绝对必要的，但通过设置此层可达到前述效果。
光吸收层22是现有技术中认为起到“记录层”作用的层。事实上，这种光吸收层22主要担负吸收激光束40的能量并将此能量转换为热量的任务。作为用于光吸收层22的材料，优选使用的材料，在所使用的激光束40的波长范围内应当具有较大的吸收，并且具有的硬度不应当妨碍贵金属氧化物层23在记录操作中的变形。作为满足波长低于635nm的激光束40的这种条件的材料，可以列出在可重写光学记录介质中用作记录层材料的相变材料。作为相变材料，优选应当使用以下材料之一作为主要成分：锑(Sb)和碲(Te)构成的合金或通过向这种合金添加添加剂获得的材料，或者锑(Sb)、碲(Te)和锗(Ge)构成的合金或通过向这种合金添加添加剂获得的材料。术语“作为主要成分”意指如果包含少量(摩尔百分比小于等于15％)的其他材料或不可避免混入的杂质没有问题。这类材料可以表示为：
(SbaTe1-a)1-bMAb此处，MA是除了锑(Sb)和碲(Te)之外的元素，0≤a≤1，且0≤b＜1；或者是由
{(GeTe)c(Sb2Te3)1-c}dMB1-d表示的金属互化物基的相变材料，此处，MB是除了锑(Sb)、碲(Te)和锗(Ge)之外的元素，c＝1/3、1/2或者2/3，0＜d≤1。这里，当用最简整数比表示原子数比时，由c＝1/3、1/2或2/3所表示的金属互化物基的相变材料，分别可以表示为Ge1Sb4Te7、Ge1Sb2Te4及Ge2Sb2Te5。
在这种情况下，更优选地，应当设定
0≤a≤1且0≤b≤0.15，或者
1/3≤c≤2/3且0.9≤d。
具体地，当b的值超过0.15时，可能使光吸收系数降低到低于对光吸收层22要求的值，并且可能使热传导率降低到低于对光吸收层22要求的值。因此，该数值是不适宜的。
对元素MA的种类没有具体限制。但优选的是，应当选择从锗(Ge)、铟(In)、银(Ag)、金(Au)、铋(Bi)、硒(Se)、铝(Al)、磷(P)、氢(H)、硅(Si)、碳(C)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、锌(Zn)、锰(Mn)、钛(Ti)、锡(Sn)、钯(Pd)、铅(Pb)、氮(N)、氧(O)和稀土元素(钪(Sc)、钇(Y)和镧系元素)构成的组中选择的一种或两种或更多的元素。尤其是，当使用具有390nm至420nm波长的激光束时，优选的是，应当选择从银(Ag)、锗(Ge)、铟(In)和稀土元素构成的组中选择的一种或两种或更多的元素作为元素MA。从而，当使用具有390nm至420nm波长的激光束，尤其具有大约405nm波长的激光束时，可获得良好的信号特性。
对元素MB的种类也没有具体限制。但优选的是，应当选择从铟(In)、银(Ag)、金(Au)、铋(Bi)、硒(Se)、铝(Al)、磷(P)、氢(H)、硅(Si)、碳(C)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、锌(Zn)、锰(Mn)、钛(Ti)、锡(Sn)、钯(Pd)、铅(Pb)、氮(N)、氧(O)和稀土元素(钪(Sc)、钇(Y)和镧系元素)构成的组中选择的一种或两种或更多的元素。尤其是，使用具有390nm至420nm波长的激光束时，优选的是，应当选择从银(Ag)、铟(In)和稀土元素构成的组中选择的一种或两种或更多的元素作为元素MB。从而，当使用具有390nm至420nm波长的激光束，尤其具有大约405nm波长的激光束时，可获得良好的信号特性。
作为光吸收层22的主要成分，较好的是，应当从上述相变材料中选择由
         (SbaTe1-a)1-bMAb表示且满足0＜a＜1的相变材料，优选的是，应当选择满足0＜a＜1且0≤b≤0.15的材料。这是因为，与由
  {(GeTe)c(Sb2Te3)1-c}dMB1-d表示的金属互化物基的相变材料相比，满足前述条件的材料具有较高的展延性。因此，如果使用前述的相变材料作为光吸收层22的主要成分，不会妨碍贵金属氧化物层23中的局部变形。结果，即使当形成较小的记录标记时，也可获得良好的信号特性。
在这种情况下，即使使用相变材料作为光吸收层22的材料，由于记录操作导致的相变也很难以信号形式出现。正是因为这种原因，不必一定使用相变材料作为光吸收层22的材料。然而，现在发明人已经确认：当使用相变材料尤其是具有前述组成的相变材料作为光吸收层22的材料时，可以获得最好的信号特性。
较好的是，光吸收层22的厚度应当设定为大于等于5nm但小于等于100nm，更好的是，厚度应当设定为大于等于10nm但小于等于80nm，优选的是，厚度应当设定为大于等于10nm但小于等于60nm。这是因为，当设定光吸收层22的厚度低于5nm时，担心此层不能充分吸收激光束40的能量，并且因为，当厚度超过100nm时，形成该层耗费大量时间，并使生产率降低。比较而言，当将光吸收层22的厚度设定为大于等于10nm但小于等于80nm，尤其大于等于10nm但小于等于60nm时，此层可充分地吸收激光束40的能量，同时保持较高的生产率。
在本发明中，在光学记录介质上设置光吸收层22不是必须的。然而，如上所述，当设置这种层时，可将激光束40的能量有效地转换为热量。
贵金属氧化物层23是通过激光束40的照射在其上形成记录标记的层，并且包含贵金属氧化物作为主要成分。对贵金属的种类没有具体限制。但铂(Pt)、银(Ag)及钯(Pd)中的至少一种是优选的，并且，铂(Pt)尤其首选。也就是说，尤其优选的是，应当选择铂氧化物(PtOx)作为贵金属氧化物层23的材料。当使用铂氧化物(PtOx)作为贵金属氧化物层23的材料时，可获得满意的信号特性和足够的耐用性。优选的是，当使用铂氧化物(PtOx)作为用于贵金属氧化物层23的材料时，应当对x的值进行设定，使得消光系数(k)在所使用激光束40的波长范围内低于3(k＜3)。
贵金属氧化物层23的厚度对信号特性有重大影响。为了获得良好的信号特性，较好的是，应当设定厚度为大于等于2nm但小于等于50nm，以及优选的是，应当设定厚度为大于等于2nm但小于等于30nm。为了获得特别优良的信号特性，较好的是，应当设定厚度为大于等于2nm但小于等于8nm，更好的是，应当设定厚度为大于等于3nm但小于等于6nm，以及，优选的是，应当设定厚度为约4nm。这是因为，当设定贵金属氧化物层23的厚度低于2nm或者超过50nm时，担心当照射激光束40时不能形成有良好外形的记录标记，并因此不能获得足够的载噪比(CNR)。比较而言，当将贵金属氧化物层23的厚度设定为大于等于3nm但小于等于30nm，尤其是大约4nm时，不但能形成具有良好外形的记录标记，而且也能获得较高的CNR。
电介质层31、32和33，主要任务是以物理方式和化学方式保护与这些层相邻的各层以及调整光学特性。在本说明书和权利要求中，有时也将电介质层31、32和33分别称为第一、第二和第三电介质层。作为电介质层31、32和33的材料，可使用氧化物、硫化物、氮化物或者它们的组合作为主要成份。更具体地，优选的是，应当使用铝(Al)、硅(Si)、铈(Ce)、钛(Ti)、锌(Zn)、钽(Ta)等的氧化物、氮化物、硫化物、碳化物，或者其混合物等，诸如Al2O3、AlN、ZnO、ZnS、GeN、GeCrN、CeO2、SiO、SiO2、Si3N4、SiC、La2O3、TaO、TiO2、SiAlON(SiO2、Al2O3、Si3N4和AlN的混合物)、和LaSiON(La2O3、SiO2和Si3N4的混合物)等。优选的是，应使用ZnS和SiO2的混合物。在这种情况下，优选的是，应当设定ZnS的比例为摩尔百分比大于等于70％但小于等于90％，以及，应当设定SiO2的比例为摩尔百分比大于等于10％但小于等于30％，以及，最优选的是，应当设定ZnS和SiO2的摩尔比为接近80∶20。
电介质层31、32和33可由彼此相同的材料构成，或者，这些层的部分或者全部也可由不同的材料构成。此外，电介质层31、32和33中的至少一个可以形成为由多个层构成的多层结构。
较好的是，电介质层33的厚度应当设定为大于等于10nm但小于等于140nm，以及，优选的是，厚度应当设定为大于等于20nm但小于等于120nm。这是因为，当电介质层33的厚度低于10nm时，有可能不能充分保护光吸收层22，而当电介质层33的厚度超过140nm时，需要太长的时间形成该层，并使生产率降低。比较而言，当将电介质层33的厚度设定为大于等于20nm但小于等于120nm，可有效保护光吸收层22，同时保证较高的生产率。
优选地，电介质层32的厚度应当设定为大于等于5nm但小于等于100nm，以及，更优选地，厚度应当设定为大于等于20nm但小于等于100nm。这是因为，当电介质层32的厚度小于5nm时，在贵金属氧化物层23的分解期间，可能使这种电介质层毁坏，并因此不能保护贵金属氧化物层23，以及因为，当电介质层32的厚度超过100nm时，在记录时可能使贵金属氧化物层23不能充分变形。比较起来，当将电介质层32的厚度设定为大于等于20nm但小于等于100nm时，在充分保护贵金属氧化物层23的同时，也不过多地妨碍记录操作中的变形。此外，在读取时电介质层32的厚度对信号特性有影响。当将电介质层32的厚度设定为大于等于50nm但小于等于70nm，尤其是约60nm时，可获得较高的CNR。
电介质层31的厚度可以根据要求的反射率确定，要求这种层可以充分保护贵金属氧化物层23。例如，较好的是，厚度应当设定为大于等于30nm但小于等于120nm，更好的是，厚度应当设定为大于等于50nm但小于等于100nm，以及，优选的是，厚度应当设定为大约70nm。这是因为，当电介质层31的厚度小于30nm时，这种电介质层有可能不能够充分保护贵金属氧化物层23，以及因为，当电介质层31的厚度超过120nm时，可能需要很长的时间来形成该层，并因此使生产率降低。比较起来，当电介质层31的厚度设定为大于等于50nm但小于等于100nm，尤其是大约70nm时，这种电介质层能充分保护贵金属氧化物层23，同时保证较高的生产率。
以上所述，说明了光学记录介质10的结构。
在制造具有这种结构的光学记录介质10时，首先制备支撑基板11，然后，在形成凹槽11a及岸台11b侧的表面上，相继形成反射层21、电介质层33、光吸收层22、电介质层32、贵金属氧化物层23、电介质层31和透光层12。也就是说，与次世代光学记录介质一样，在光学记录介质10的制造中，从光入射平面12a的对侧开始相继形成各膜层。
在形成反射层21、电介质层33、光吸收层22、电介质层32、贵金属氧化物层23和电介质层31时，可以采用其中使用包含这些构成元素化学物类的化学汽相沉积，例如溅射法和真空蒸镀法。这些方法中，优选的是采用溅射法。同时，在形成透光层12时，利用旋转涂覆法，涂敷粘度经过调整的紫外光固化树脂，例如丙烯酸类或环氧类紫外固化树脂，然后，通过在氮气气氛中照射紫外光使树脂固化。在这种情况下，代替旋转涂覆法，使用透光片也可以形成透光层12，该透光片包含透光树脂作为主要成分以及各种粘合剂和胶合剂。
这里，在透光层12的表面上可以设置硬涂层，并因此可以通过此层保护透光层12的表面。在这种情况下，硬涂层表面构成光入射平面12a。举例说明，可以使用下述材料作为硬涂层的材料：包含环氧丙烯酸酯低聚体(双官能度低聚体)、多官能度低聚体、单官能度丙烯酸单体和光聚作用引发剂的紫外光固化树脂；或者铝(Al)、硅(Si)、铈(Ce)、钛(Ti)、锌(Zn)及钽(Ta)的氧化物、氮化物、硫化物和碳化物，或者它们的混合物等。在使用紫外固化树脂作为硬涂层材料的情况下，优选的是，此树脂应当利用旋转涂覆法形成在透光层12上。在使用前述氧化物、氮化物、硫化物和碳化物或者它们的混合物时，可以采用使用包含这些构成元素的化学物类的化学汽相沉积，诸如溅射法或真空蒸镀法。这些方法中，优选使用溅射法。
此外，优选的是，应当通过为硬涂层设置润滑性来增强防污功能，防止污物的粘附。为给硬涂层设置润滑性，向作为硬涂层母料的材料中放入润滑剂是有效的。作为润滑剂，优选应当选择硅树脂基润滑剂、氟基润滑剂或者脂肪酸酯基润滑剂。含量应当设定为大于等于质量的0.1％但小于等于质量的5.0％。
接着，下面说明在根据本发明实施方式的光学记录介质10上记录数据的方法以及记录原理。
在使光学记录介质10旋转的同时，将具有波长短于635nm，尤其是次世代光学记录介质中所使用的大约405nm波长的激光束40，从光入射平面12a侧照射到贵金属氧化物层23上，执行数据在光学记录介质10上的记录。在这种情况下，可使用具有超过0.6的数值孔径，尤其是次世代光学记录介质中所使用的大约0.85的数值孔径的物镜，对激光束40进行会聚。就是说，可以利用与次世代光学记录介质中所使用的相似的光学***，执行数据记录。
图3是概略剖视图，示意性图示将激光束40沿凹槽11a照射到光学记录介质10上的状态。
如图3所示，当用具有上述数值孔径的物镜50，对具有上述波长的激光束40进行会聚，并将激光束40照射到光学记录介质10上时，使在光束点的中心部分的贵金属氧化物层23分解，于是形成在其中充满氧气(O2)的气泡坑23a。原料金属的微粒23b被散布在气泡坑23a内部。此时，因为存在于气泡坑23a周围的各层因其压力而塑性变形，所以，可使用此气泡坑23a作为不可逆的记录标记。例如，在贵金属氧化物层23的材料是铂氧化物(PtOx)的情况下，在光束点的中心部分，使该铂氧化物(PtOx)分解为铂(Pt)和氧气(O2)，于是使铂(Pt)的微粒散布在气泡坑23a中。在贵金属氧化物层23中没有形成气泡坑23a的部分，则作为空白区域。
当通过贵金属氧化物层23的分解产生气泡坑23a时，如图3所示，在支撑基板11侧，亦即光吸收层22上，在水平方向产生塑性变形，但在透光层12侧几乎不产生塑性变形。这是因为，光吸收层22吸收光，并将光转换为热量，然后，热量导致贵金属氧化物层23的分解反应。当将凹槽11a的宽度设定较窄时，在水平方向的变形受到透光层12的壁面部分12b的抑制，结果，可使在垂直方向的变形增加。因为使垂直方向的变形增加较大时，在根据本发明的超分辨率光学记录介质中的信号特性变得更好，所以，通过狭窄方式设定凹槽11a的宽度，可改进这种信号特性。
如上所述，贵金属氧化物层23的分解，并不在整个光束点中而是仅仅在光束点的中心部分产生。因此，形成的气泡坑23a(记录标记)与光束点直径相比较小，并因此可实现超分辨率记录。下文给出为什么能够进行这种超分辨率记录的原因。
图4(a)是图示激光束40在贵金属氧化物层23上的光束点的平面图，以及，图4(b)是图示光束点的强度分布的曲线。
如图4(a)所示，光束点41的平面形状几乎为圆形，但在光束点41中，激光束40的强度分布是不均匀的，具有如图4(b)中所示的高斯分布。就是说，光束点41朝向其中心部分具有较高的能量。因此，如果设定远超过最大强度1/e2的预定的门限值A，具有高于门限值A强度的区域42的直径W2，会远远小于光束点41的直径W1。这意味着，假如贵金属氧化物层23具有这种特性，当照射具有高于门限值A强度的激光束40时，该区域分解，可使气泡坑23a(记录标记)仅仅选择性地形成在照射激光束40并与光束点41的区域42相对应的部分中。
因此，如图5中沿凹槽11a和岸台11b所取的概略剖视所示，在贵金属氧化物层23中，可以形成远远小于光束点直径W1的气泡坑23a(记录标记)，并且其直径成为接近W2。也就是说，表观(apparent)光束点直径W2与实际光束点直径W1之间的关系由下式给出：
W1＞W2并且可实现超分辨率记录。这里，因为铂氧化物(PtOx)，其是作为贵金属氧化物层23材料的最适合的材料，具有这样一种特性，即当将铂氧化物(PtOx)加热到580℃时，该氧化物分解，所以，通过照射使贵金属氧化物层23加热到大于等于580℃的强度，给出了门限值A。在本发明中，因为选择热传导率高达一定程度的材料作为电介质层32的材料，所以，不会使温度超过580℃的区域过分扩大。结果，可形成具有良好形状的较小的记录标记。
因此，在使光学记录介质10旋转的同时，当沿凹槽11a和/或岸台11b照射经调制强度的激光束40时，在贵金属氧化物层23的期望部分，可形成尺寸低于读取极限的精细的记录标记。
图6是图示在记录时激光束40强度调制样式实例的波形图。如图6所示，作为记录时激光束40的强度40a，在要形成记录标记M1、M2、M3...的区域中，可将功率设定为记录功率(Pw)，而在不要形成记录标记的区域(空白区域)，可将功率设定为基本功率(＝Pb)。这样，由于在贵金属氧化物层23中照射到具有记录功率Pw的激光束40的区域上因分解而形成气泡坑23a，可形成各具有期望长度的记录标记M1、M2、M3...。这里，激光束40在记录时的强度调制样式不局限于图6中所示的样式。例如，如图7所示，利用离散脉冲(多脉冲)串，也可形成记录标记M1、M2、M3...。
图8是示意性图示激光束40的记录功率和通过随后的读出所获得的读取信号的CNR之间关系的曲线图。
如图8所示，当激光束40的记录功率低于Pw1时，在光盘记录介质10中，由随后的读出不能获得有效的读取信号。推测其原因，当激光束40的记录功率低于Pw1时，基本上没有使贵金属氧化物层23分解。此外，在激光束40的记录功率为大于等于Pw1但小于Pw2(＞Pw1)的区域中，记录功率越高，在随后的读出中可给出越高的CNR。关于此的原因可以认为是这样的：在激光束40的记录功率为大于等于Pw1但小于Pw2(＞Pw1)的区域中，使贵金属氧化物层23中部分地发生分解，因而，随着记录功率越高，分解量变得越大。此外，在激光束40的记录功率为大于等于Pw2的区域中，即使进一步提高记录功率时，也很少使通过随后读出所获得的CNR改变。推测其原因为：当将激光束40的记录功率设定为大于等于Pw2时，使贵金属氧化物层23基本完全分解了。考虑到上述因素，可以说，优选的是，激光束40的记录功率应当设定为大于等于Pw2。
根据光学记录介质10的结构(各层的材料、各层的厚度等)和记录条件(记录的线速度、激光束40的波长等)，Pw2的值是不同的。在记录的线速度是大约6.0m/s，激光束40的波长是大约405nm，而物镜50的数值孔径是大约0.85时，5.0mW≤Pw2≤9.0mW。此外，给出与Pw1之间的关系为Pw1×1.4≤Pw2≤Pw1×2.0。
优选的是，考虑到有关光学记录介质10的生产、激光束40的功率起伏等变化，实际的记录功率应当设定为比Pw2高0.3mW或更多。这是因为，即使设定实际的记录功率为比Pw2高也不会导致实质性损害，而且，必须为Pw2设置适当的裕度。在这种情况下，因为设定高于需要的记录功率是无益的，所以，也没有必要设定实际记录功率为比Pw2高2.0mW或者更多。根据以上所述，可以说，实际记录功率应当设定为大于等于5.3mW(＝5.0mW+0.3mW)但小于等于11.0mW(＝9.0mW+2.0mW)。
以上所述，说明了在光盘记录介质10上记录数据的方法及记录原理。
当要读取以这种方式记录的数据时，在使光盘记录介质10旋转的同时，以强度固定在预定值(读取功率＝Pr)的激光束40，沿着凹槽11a和/或岸台11b进行照射。然后，通过对所获得的反射光进行光电转换，可获得响应于记录标记串的电信号。尽管不很清楚如何实现这种超分辨率读取的原因，但可以推断，当照射设定为读取功率的激光束40时，在激光束40和存在于气泡坑23a中的金属微粒23b之间导致某些相互作用，从而使超分辨率读取成为可能。
图9是示意性图示激光束40的读取功率和CNR之间关系的曲线图。
如图9所示，当激光束40的读取功率低于Pr1时，难于获得有效的读取信号，但当读取功率设定为大于等于Pr1时，使CNR快速提高，以及，当使读取功率增加到Pr2(＞Pr1)时，使CNR饱和。尽管关于这种现象的原因不很清楚，但可以推断，通过照射设定为Pr1或更高的激光束40时，在金属微粒23b和光之间产生相互作用或者这种作用变得显著。因此，必须将激光束40的读取功率设定为大于等于Pr1，以及，优选的是，读取功率应当设定为大于等于Pr2。
然而，当设定过高的读取功率时，在空白区中可能发生贵金属氧化物层23的分解。由于这种分解会导致读出的严重劣化，并且，这种情况下可能出现数据消失。考虑到这一方面，优选的是，激光束40的读取功率应当设定为大于等于Pr2但小于Pw1。
依据光学记录介质10的结构(各层的材料、各层的厚度等)和读取条件(读取的线速度、激光束40的波长等)，Pr2的值是不同的。在读取的线速度是大约6.0m/s，激光束40的波长是大约405nm，而物镜50的数值孔径是大约0.85时，1.0mW≤Pr2≤3.0mW。此外，给出与Pr1之间的关系Pr1×1.05≤Pr2≤Pr1×1.6。
优选的是，实际重放功率应当设定为比Pr2高0.1至0.3mW。这是因为，当这种读取功率超过Pr2之后再进一步增加读取功率时，不能获得CNR的改善，反而容易发生在读出方面的劣化，因而必须将实际的读取功率设定为稍高于Pr2，以抑制在读取方面的劣化。因为输出在1mW至3mW的范围内的激光束40，在功率方面的变化一般而言低于0.1mW，所以，可以推断：即使在考虑光学记录介质10生产中的变化等之后，将实际读取功率设定为比Pr2高0.1至0.3mW也是足够的。根据以上所述，可以说实际读取功率应当设定为大于等于1.1mW(＝1.0mW+0.1mW)但小于等于3.3mW(＝3.0mW+0.3mW)。
通常，在现有技术的光学记录介质中的读取功率大约为0.1mW至0.5mW，而且，在每面具有两个记录面的次世代光学记录介质中，也较少出现将读取功率设定为超过约0.8mW的状况。考虑到这些事实，可以理解：与现有技术中的光学记录介质相比，在本实施方式中的读取功率水平是相当高的。
此外，较好的是，与实际记录功率的关系是，实际读取功率应当设定为Pw×0.1≤Pr≤Pw×0.5，以及优选的是，实际读取功率应当设定为Pw×0.1≤Pr≤Pw×0.4。根据这种关系，同样可以理解：与现有技术中的光学记录介质相比，在本实施方式中的读取功率水平也是相当高的。
优选的是，实际上设定为记录功率和读取功率的各值，应当保存在有关的光学记录介质10中作为“设定信息”。如果将设定信息保存在光学记录介质10中，当用户实际记录或者读取数据时，通过光学记录/读取***读取这种设定信息，然后可以根据设定信息来确定记录功率和读取功率。
更为优选的是，不仅记录功率和读取功率，而且指明在光盘记录介质10上记录数据或者从光盘记录介质10上读取数据时所需的各种条件(线速度等)的各种信息，都应当包括作为设定信息。这种设定信息可以记录成沟道(wobble)或者预制凹坑(pre-pit)，或者，可以记录成贵金属氧化物层23上的数据。此外，不仅可以设置直接指出记录或读取数据所需的各种条件的信息，而且可以设置通过任何预先存储在光学记录/读取***中的各种条件而间接指出记录功率和读取功率等信息。
如上述说明，根据本实施方式，通过使用具有波长小于大约635nm的激光束和具有数值孔径超过大约0.6的物镜，可将λ/NA设定为小于等于640nm，因此，能实现超分辨率记录和超分辨率读取。尤其是，使用具有约405nm波长的激光束和具有约0.85数值孔径的物镜，两者都是次世代光学记录介质中所使用的，在超分辨率记录和超分辨率读取中能获得优良特性。因此，由于可以使用与次世代光学记录介质所使用相似的记录/读取***，所以，可降低记录/读取***的开发成本和生产成本。另外，因为将形成在支撑基板11上的凹槽11a的深度Gd设定为大于λ/8n，优选地设定为大于等于λ/7n，所以，在超分辨率记录和超分辨率读取中可获得良好的信号特性，尤其是具有足够幅值的推挽信号。光学记录介质失道(out of tracking)的可能性可以极大减小。另外，如果将凹槽11a的宽度Gw设定的比常规宽度更窄，可以使通过记录在垂直方向导致的贵金属氧化物层23的变形增加，并因此进一步改善信号特性。
本发明不局限于以上所述说明的实施方式，而是在所附权利要求阐明的范围内可进行各种修改。毋庸置言，这些变化同样包括在本
发明的范围内。
例如，图1中所示的光学记录介质10的结构，仅仅图示根据本发明的光学记录介质的优选结构，但根据本发明的光学记录介质的结构不局限于上述结构。例如，可向从光吸收层22观看的支撑基板11侧添加一层或更多的贵金属氧化物层，除此之外，可向从贵金属氧化物层23观看的透光层12侧上添加一层或更多的相变材料层。
另外，通过在支撑基板11的两面都分别设置各种功能层，诸如光吸收层22、贵金属氧化物层23等，可形成在两侧都具有记录面的结构，除此之外，经由透明隔层，在支撑基板11的一个表面上，通过叠置两层或更多的各种功能层，可形成在一侧具有两层或更多记录层的结构。此外，图1中所示的光学记录介质10具有的结构与所谓的次世代光学记录介质具有高度的兼容性。有可能将其结构设置为与所谓的DVD光学记录介质或CD光学记录介质具有高度的兼容性。
此外，在前述的实施方式中，尽管使用贵金属氧化物层23作为起到气泡坑23a产生源作用的记录层，但也可以使用贵金属氮化物层取代贵金属氧化物层。在这种情况下，至少铂(Pt)、银(Ag)和钯(Pd)中的一种，尤其是铂(Pt)优选作为贵金属的种类。就是说，尤其优选的是，应当选择氮化铂(PtNx)。当使用贵金属氮化物层时，气泡坑23a由通过分解产生的氮气(N2)形成。因为氮气(N2)是化学性质上非常稳定的气体，该气体不会使其他层氧化或腐蚀，因此，可获得较高的存储可靠性。
此外，在前述实施方式中，贵金属氧化物层23夹在电介质层31和32之间。当可以抑制通过贵金属氧化物层23的分解而形成标记部分的过变形时，也可以省掉电介质层31。
[实施例]
下面说明本发明的实施例，但本发明并不局限于这些实施例。
[样品制造]
实施例1
按照以下方法，制造光学记录介质的样品，其具有与图1中所示的光学记录介质10相同的结构。
首先，通过注射成型法制造支撑基板11，其由聚碳酸酯制成为盘形，具有大约1.1mm的厚度和大约120mm的直径，并且在其表面上形成有凹槽11a和岸台11b。凹槽11a的深度Gd设定为大约41nm，而凹槽11a的宽度Gw设定为大约169nm。光道间距设定为大约320nm。
之后，将支撑基板11装入溅射装置中。然后，通过溅射法，在形成凹槽11a和岸台11b侧的表面上，下列层依次形成：基本上由铂(Pt)构成并具有大约20nm厚度的反射层21，基本上由ZnS和SiO2的混合物(摩尔数比＝大约80∶20)构成并具有大约100nm厚度的电介质层33，基本上由Sb74.1Te25.9(其中，下标值是百分数表示法，下文中同此，原子数比表示为最简整数比的情况除外)表示的相变材料构成并具有大约20nm厚度的光吸收层22，基本上由ZnS和SiO2的混合物(摩尔数比＝大约80∶20)构成并具有大约60nm厚度的电介质层32，基本上由铂氧化物(PtOx)构成并具有大约4nm厚度的贵金属氧化物层23，以及基本上由ZnS和SiO2的混合物(摩尔数比＝大约80∶20)构成并具有大约70nm厚度的电介质层31。
这里，在形成贵金属氧化物层23时，使用铂(Pt)作为靶材，使用氧气(O2)和氩气(Ar)(流动速率比＝1∶3)作为溅射气体，设定涂覆室中的压力为0.14Pa，以及，设定溅射功率为100W。据此，形成的铂氧化物(PtOx)的消光系数(k)为大约1.69。
然后，通过旋转涂覆法，在电介质层31上涂覆丙烯酸紫外固化树脂，接着，通过在此树脂上照射紫外线，形成具有大约100μm厚度的透光层12。这样，就完成了根据实施例1的光学记录介质样品。
在本实施例中使用的透光层12的材料，对波长为405nm的光具有1.5的折射率。因此，当使用具有λ＝405nm的激光束时，在本实施例中，凹槽11a的深度Gd基本上用Gd＝λ/6.5n表示。
实施例2
除了使用在其上将凹槽11a的宽度Gw设定为大约181nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据实施例1的光学记录介质样品相似的方式，制造根据实施例2的光学记录介质的样品。
实施例3
除了使用在其上将凹槽11a的宽度Gw设定为大约197nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据实施例1的光学记录介质样品相似的方式，制造根据实施例3的光学记录介质的样品。
实施例4
除了使用在其上将凹槽11a的宽度Gw设定为大约208nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据实施例1的光学记录介质样品相似的方式，制造根据实施例4的光学记录介质的样品。
实施例5
除了使用在其上将凹槽11a的宽度Gw设定为大约214nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据实施例1的光学记录介质样品相似的方式，制造根据实施例5的光学记录介质的样品。
实施例6
除了使用在其上将凹槽11a的深度Gd设定为大约37nm，并且将凹槽11a的宽度Gw设定为大约161nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据实施例1的光学记录介质样品相似的方式，制造根据实施例6的光学记录介质的样品。因此，当使用具有λ＝405nm的激光束时，在本实施例中，凹槽11a的深度Gd基本上表示为Gd＝λ/7n。
实施例7
除了使用在其上将凹槽11a的宽度Gw设定为大约181nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据实施例6的光学记录介质样品相似的方式，制造根据实施例7的光学记录介质的样品。
实施例8
除了使用在其上将凹槽11a的宽度Gw设定为大约191nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据实施例6的光学记录介质样品相似的方式，制造根据实施例8的光学记录介质的样品。
实施例9
除了使用在其上将凹槽11a的宽度Gw设定为大约201nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据实施例6的光学记录介质样品相似的方式，制造根据实施例9的光学记录介质的样品。
实施例10
除了使用在其上将凹槽11a的宽度Gw设定为大约212nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据实施例6的光学记录介质样品相似的方式，制造根据实施例10的光学记录介质的样品。
比较例1
除了使用在其上将凹槽11a的深度Gd设定为大约33nm，并且将凹槽11a的宽度Gw设定为大约172nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据实施例1的光学记录介质样品相似的方式，制造根据比较例1的光学记录介质的样品。因此，当使用具有λ＝405nm的激光束时，在本比较例中，凹槽11a的深度Gd基本上用Gd＝λ/8n表示。
比较例2
除了使用在其上凹槽11a的宽度Gw设定为大约193nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据比较例1的光学记录介质样品相似的方式，制造根据比较例2的光学记录介质的样品。
比较例3
除了使用在其上凹槽11a的宽度Gw设定为大约200nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据比较例1的光学记录介质样品相似的方式，制造根据比较例3的光学记录介质的样品。
比较例4
除了使用在其上凹槽11a的宽度Gw设定为大约208nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据比较例1的光学记录介质样品相似的方式，制造根据比较例4的光学记录介质的样品。
比较例5
除了使用在其上凹槽11a的宽度Gw设定为大约209nm的基板作为支撑基板11外，通过与根据比较例1的光学记录介质样品相似的方式，制造根据比较例5的光学记录介质的样品。
将实施例1至10和比较例1至5中的凹槽11a的深度Gd和凹槽11a的宽度Gw列于下表中。
[表1]
  深度(Gd)   宽度(Gw)
  实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5实施例6实施例7实施例8实施例9实施例10   41nm41nm41nm41nm41nm37nm37nm37nm37nm37nm   169nm181nm197nm208nm214nm161nm181nm191nm201nm212nm
  比较例1比较例2比较例3比较例4比较例5   33nm33nm33nm33nm33nm   172nm193nm200nm208nm209nm
[特性评测1]
首先，将根据实施例1、实施例3和实施例5的光学记录介质的样品置于光盘评测***(DDU1000，Pulse Tech Co.，Ltd.制造)上。然后，当使样品以大约4.9m/s的线速度旋转时，经由具有大约0.85数值孔径的物镜，从光入射平面12a，将波长为大约405nm的激光束照射在贵金属氧化物层23上，对记录标记长度和空白长度上为75nm的单频信号进行记录。当使用上述的光学***时，由d2＝λ/4NA给出的读取极限为大约120nm。另外，在实施例1、实施例3和实施例5的光学记录介质的所有样品中，凹槽11a的深度Gd为大约41nm，并且，基本上表示为Gd＝λ/6.5n。
关于在记录时的激光束40的功率，对记录功率(Pw)进行不同设定，而基本功率(Pb)则设定为将近0mW。此外，使用图6中所示的样式作为激光束40的脉冲样式。
然后，读取所记录的单频信号，此外，对其CNR值进行测量。在实施例1、实施例3和实施例5的光学记录介质的样品中，将激光束40的读取功率(Pr)分别设定为2.6mW、2.8mW和2.8mW。CNR的测量结果示于图10中。
如图10所示，在光学记录介质的所有样品中，记录功率(Pw)的余裕度(tolerance)(记录功率裕度)是足够宽的，并且，在其最大值处可获得超过39dB的CNR。凹槽11a的宽度Gw设定越窄的样品中，CNR的最大值越好。此外，在实施例1的光学记录介质的样品中，在其中凹槽11a的宽度Gw设定得最窄，记录功率的裕度也最宽。
[特性评测2]
其次，将根据实施例6、实施例8和实施例10的光学记录介质的样品置于上述的光盘评测***上。然后，在与“特性评测1”相同的条件下，对记录标记长度和空白长度上为75nm的单频信号进行记录。在实施例6、实施例8和实施例10的光学记录介质的所有样品中，凹槽11a的深度Gd为大约37nm，并且，基本上表示为Gd＝λ/7n。
关于在记录时的激光束40的功率，对记录功率(Pw)进行不同设定，而基本功率(Pb)则设定为将近0mW。此外，也使用图6中所示的样式作为激光束40的脉冲样式。
然后，读取所记录的单频信号，接着，对其CNR值进行测量。在实施例6、实施例8和实施例10的光学记录介质的样品中，将激光束40的读取功率(Pr)分别设定为2.6mW、2.8mW和3.0mW。CNR的测量结果示于图11中。
如图11所示，在光学记录介质的所有样品中，记录功率的余裕度(记录功率裕度)相对较宽，并且，在其最大值处可获得超过37dB的CNR。在设定越窄的凹槽11a宽度Gw的样品中，CNR的最大值越好。此外，在其中凹槽11a的宽度Gw设定得较窄的样品中，记录功率的裕度也较宽。
[特性评测3]
再次，将根据比较例1、比较例2和比较例4的光学记录介质的样品置于上述的光盘评测***上。然后，在与“特性评测1”相同的条件下，对记录标记长度和空白长度上都为75nm的单频信号进行记录。在比较例1、比较例2和比较例4的光学记录介质的所有样品中，凹槽11a的深度Gd为大约33nm，并且，基本上可表示为Gd＝λ/8n。
关于在记录时的激光束40的功率，对记录功率(Pw)进行不同设定，而基本功率(Pb)则设定为将近0mW。此外，也使用图6中所示的样式作为激光束40的脉冲样式。
然后，读取所记录的单频信号，此外，对其CNR值进行测量。在比较例1、比较例2和比较例4的光学记录介质的样品中，将激光束40的读取功率(Pr)分别设定为2.6mW、2.8mW和2.6mW。CNR的测量结果示于图12中。
如图12所示，在光学记录介质的所有样品中，作为最大值，可获得较高的CNR。然而，当增加记录功率(Pw)时，光学记录介质容易失道(out of tracking)，而不能进行记录。因为此原因，记录功率的裕度极窄，并且，难以将这些样品投入实际使用。
[特性评测4]
再次，在“特性评测1”记录的单频信号中，在实施例1、实施例3和实施例5的光学记录介质的样品中，通过分别设定记录功率(Pw)为6.0mW、6.5mW、6.5mW所记录的单频信号，利用不同的读取功率进行读取，并对其CNR值进行测量。测量的结果示于图13中。
如图13所示，在光学记录介质的所有样品中，读取的功率(Pr)余裕度(读取功率裕度)都足够宽，并且在其最大值处可获得超过40dB的CNR。此外，在其中的凹槽11a的宽度Gw设定越窄的样品中，CNR的最大值也越好。
[特性评测5]
再次，在“特性评测2”记录的单频信号中，在实施例6、实施例8和实施例10的光学记录介质的样品中，通过分别设定记录功率(Pw)为6.0mW、6.5mW、7.0mW所记录的单频信号，利用不同的读取功率进行读取，并对它们的CNR值进行测量。测量的结果示于图14中。
如图14所示，在光学记录介质的所有样品中，读取的功率裕度都足够宽，并且在其最大值处可获得超过39dB的CNR。此外，在其中的凹槽11a的宽度Gw设定越窄的样品中，CNR的最大值也越好。
[特性评测6]
再次，在“特性评测3”记录的单频信号中，在比较例1、比较例2和比较例4的光学记录介质的全部样品中，通过设定记录功率(Pw)为6.0mW所记录的单频信号，利用不同的读取功率Pr进行读取，并对它们的CNR值进行测量。测量的结果示于图15中。
如图15所示，在光学记录介质的所有样品中，作为最大值可获得较高的CNR。然而，当增加读取功率(Pr)时，光学记录介质容易失道，而不能进行读取。因为此原因，记录功率的裕度极窄，并且，难以将这些样品投入实际使用。
[特性评测7]
再次，将根据实施例1至10以及比较例1至5的光学记录介质的样品置于上述的光盘评测***上。然后，在使样品以大约4.9m/s的线速度旋转时，经由具有大约0.85数值孔径的物镜，从光入射平面12a，将波长为大约405nm的激光束照射在未记录的光道上，然后，对所获的推挽信号进行测量，此外，还对此信号的规格化值(normalized value，NPP)进行计算。在光学记录介质的所有样品中，将激光束的功率设定为0.4mW。
当光电检测器在光道方向分出的一个输出为I1，而另外的输出为I2时，推挽信号的规格化值(NPP)定义为
(I1-I2)/(I1+I2)给出的值的最大值和最小值之间的差。
测量结果示于图16中。
如图16所示，清楚地显示了这样一种趋势，随着凹槽11a的深度Gd变深以及凹槽11a的宽度Gw变窄，使推挽信号的规格化值(NPP)提高。
[特性评测8]
再次，将根据实施例1至10以及比较例1至5的光学记录介质的样品置于上述的光盘评测***上。然后，在与“特性评测1”相同的条件下，对记录标记长度和空白长度上为75nm的单频信号进行记录。在光学记录介质的所有样品中，将记录时激光束40的记录功率(Pw)和基本功率(Pb)分别设定为8.0mW和接近0mW。此外，使用图6中所示的样式作为激光束40的脉冲样式。
然后，将激光束照射在其上记录了单频信号的光道上，接着，对所获的推挽信号进行测量，此外，对此信号的规格化值进行计算。在光学记录介质的所有样品中，与在“特性评测7”中一样，将记录时激光束的功率设定为0.4mW。
测量结果示于图17中。
如图17所示，在记录之后呈现这样一种趋势，随着凹槽11a的深度Gd变深，以及进一步地，凹槽11a的宽度Gw变窄，使推挽信号的规格化值(NPP)提高。在比较例1至比较例5的光学记录介质的样品中，不能进行循迹。
<工业适用性>
根据本发明，提供一种在超分辨率记录和超分辨率读取时的信号特性得到改善的光学记录介质，并提供了该光学记录介质的制造方法。此外，提供了一种在超分辨率记录和超分辨率读取时的信号特性得到改善的光学记录介质上记录数据的方法，以及一种从这种光学记录介质上读取该数据的方法，在该记录数据的方法和该读取数据的方法中，都使用具有较短波长的激光束和具有较大数值孔径的物镜。

Claims (10)

1.一种光学记录介质，包括：
其上形成有凹槽的基板；
设置在所述基板上的贵金属氧化物层；
第一电介质层，当从所述贵金属氧化物层观看，该第一电介质层设置在光入射平面侧；以及
第二电介质层，当从所述贵金属氧化物层观看，该第二电介质层设置在所述光入射平面的相对侧；
其中，通过将波长为λ的激光束沿着所述凹槽照射在所述贵金属氧化物层上，所述光学记录介质能记录数据，以及
所述凹槽的深度设定为大于λ/8n但小于等于60nm，此处，n是所述激光束的光路对波长为λ的光的折射率。
2.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述凹槽的深度设定为大于等于λ/7n但小于等于50nm。
3.根据权利要求1所述的光学记录介质，进一步包括：
当从第二电介质层观看，在所述光入射平面的相对侧，按次序布置的光吸收层和第三电介质层。
4.根据权利要求3所述的光学记录介质，进一步包括：
设置在所述基板和所述第三电介质层之间的反射层。
5.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，在所述贵金属氧化物层中包含铂氧化物(PtOx)。
6.根据权利要求1至权利要求5中任一项权利要求所述的光学记录介质，进一步包括：
透光层，当从所述第一电介质层观看，该透光层设置在所述基板的相对侧上，作为所述激光束的所述光路；以及
其中，所述基板的厚度设定为大于等于0.6mm但小于等于2.0mm，而所述透光层的厚度设定为大于等于10μm但小于等于200μm。
7.一种光学记录介质的制造方法，包括：
第一步骤，在其上形成有凹槽的基板上，按次序形成反射层、第三电介质层、光吸收层、第二电介质层、贵金属氧化物层和第一电介质层；以及
第二步骤，在所述第一电介质层上形成透光层；
其中，所述凹槽的深度设定为大于λ/8n但小于等于60nm，此处，λ是用以记录或者读取数据的激光束的波长，而n是所述透光层对波长为λ的光的折射率。
8.根据权利要求7所述的光学记录介质的制造方法，其中，通过化学汽相沉积执行所述第一步骤，以及，通过旋转涂敷法执行所述第二步骤。
9.一种数据记录方法，通过从所述光入射平面侧，将激光束照射在根据权利要求1至权利要求5中任一项权利要求所述的光学记录介质上，进行数据记录，
λ/NA设定为小于等于640nm，以及，对包括长度为λ/4NA或更小的记录标记的记录标记串进行记录，此处，λ是所述激光束的波长，以及NA是用于会聚所述激光束的物镜的数值孔径。
10.一种数据读取方法，通过从所述光入射平面侧，将激光束照射在根据权利要求1至权利要求5中任一项权利要求所述的光学记录介质上，进行数据读取，
λ/NA设定为小于等于640nm，并且，根据包括长度为λ/4NA或更小的记录标记的记录标记串读取数据，此处，λ是所述激光束的波长，而NA是用以会聚所述激光束的物镜的数值孔径。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103608862A (zh) * 2012-04-26 2014-02-26 索尼公司 光学信息记录介质

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005025841A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Tdk Corp 光記録ディスク
JP2005025842A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Tdk Corp 光記録ディスク
JP2005022196A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Tdk Corp 光記録ディスク
JP2005044438A (ja) * 2003-07-22 2005-02-17 Tdk Corp 光記録ディスク
JP2005129181A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 光記録ディスク
US7235501B2 (en) 2004-12-13 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Lanthanum hafnium oxide dielectrics
US7560395B2 (en) 2005-01-05 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics
US8859184B2 (en) * 2005-07-28 2014-10-14 Ricoh Company, Ltd. Write-once-read-many optical disk having low-to-high recording property accommodating short wavelength recording
KR20070017759A (ko) * 2005-08-08 2007-02-13 삼성전자주식회사 초해상 정보 저장 매체, 기록/재생 장치 및 기록/재생 방법
US7410910B2 (en) * 2005-08-31 2008-08-12 Micron Technology, Inc. Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films
JP4782189B2 (ja) * 2006-03-03 2011-09-28 シャープ株式会社 光情報記録媒体及び再生装置
US7759747B2 (en) 2006-08-31 2010-07-20 Micron Technology, Inc. Tantalum aluminum oxynitride high-κ dielectric
US7544604B2 (en) * 2006-08-31 2009-06-09 Micron Technology, Inc. Tantalum lanthanide oxynitride films
US7605030B2 (en) 2006-08-31 2009-10-20 Micron Technology, Inc. Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates
US7432548B2 (en) * 2006-08-31 2008-10-07 Micron Technology, Inc. Silicon lanthanide oxynitride films
US7563730B2 (en) * 2006-08-31 2009-07-21 Micron Technology, Inc. Hafnium lanthanide oxynitride films
US7776765B2 (en) * 2006-08-31 2010-08-17 Micron Technology, Inc. Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates
US20080057659A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Micron Technology, Inc. Hafnium aluminium oxynitride high-K dielectric and metal gates
JP2008142895A (ja) * 2006-12-05 2008-06-26 Fujifilm Corp モールド構造体
US20080170485A1 (en) * 2007-01-15 2008-07-17 Tdk Corporation Optical recording medium
JP4903081B2 (ja) * 2007-05-17 2012-03-21 株式会社日立製作所 光ディスク媒体及びトラッキング方法
WO2009028593A1 (ja) 2007-08-30 2009-03-05 Sharp Kabushiki Kaisha 超解像光記録媒体、光記録媒体再生装置、光記録媒体再生装置の制御方法、光記録媒体再生装置制御プログラム、並びにそれを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP5968472B2 (ja) * 2013-02-04 2016-08-10 三菱電機株式会社 光情報記録媒体及び記録再生装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63299984A (ja) * 1987-05-30 1988-12-07 Kuraray Co Ltd 光記録媒体及びその製造法
JPH06262854A (ja) * 1993-03-15 1994-09-20 Konica Corp 光記録媒体
JP2001357534A (ja) * 2000-04-10 2001-12-26 Victor Co Of Japan Ltd 情報記録媒体
JP2002008269A (ja) * 2000-06-22 2002-01-11 Sony Corp 光学記録媒体およびその製造方法
JP4265861B2 (ja) * 2000-06-30 2009-05-20 独立行政法人産業技術総合研究所 光学読み取り・書き込み方法、情報記録媒体、及び光学装置
JP2002150614A (ja) * 2000-11-10 2002-05-24 Pioneer Electronic Corp 光ディスク
US7133331B2 (en) * 2000-12-28 2006-11-07 Victor Company Of Japan, Limited Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor
JP2003085778A (ja) * 2001-06-29 2003-03-20 Sony Corp 光学記録再生媒体、光学記録再生媒体製造用マザースタンパ及び光学記録再生装置
JP4582755B2 (ja) * 2002-06-24 2010-11-17 Ｔｄｋ株式会社 光記録／再生方法および光記録媒体
JP2005025899A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Tdk Corp 光記録媒体及びその製造方法、並びに、光記録媒体に対するデータ記録方法及びデータ再生方法
JP2005025900A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Tdk Corp 光記録媒体、光記録再生装置、光記録装置及び光再生装置、並びに、光記録媒体に対するデータ記録再生方法、データ記録方法及びデータ再生方法
JP2005044450A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Tdk Corp 光記録媒体及びその製造方法、並びに、光記録媒体に対するデータ記録方法及びデータ再生方法
JP4167146B2 (ja) * 2003-08-19 2008-10-15 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体及びその製造方法、並びに、光記録媒体に対するデータ記録方法及びデータ再生方法
JP2005071450A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Tdk Corp 光記録媒体及びその製造方法、並びに、光記録媒体に対するデータ記録方法及びデータ再生方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103608862A (zh) * 2012-04-26 2014-02-26 索尼公司 光学信息记录介质
CN103608862B (zh) * 2012-04-26 2018-01-26 索尼公司 光学信息记录介质

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