JP2005044438A - 光記録ディスク - Google Patents

光記録ディスク Download PDF

Info

Publication number
JP2005044438A
JP2005044438A JP2003277571A JP2003277571A JP2005044438A JP 2005044438 A JP2005044438 A JP 2005044438A JP 2003277571 A JP2003277571 A JP 2003277571A JP 2003277571 A JP2003277571 A JP 2003277571A JP 2005044438 A JP2005044438 A JP 2005044438A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
decomposition reaction
optical recording
reaction layer
recording disk
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003277571A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Kikukawa
隆 菊川
Shigetoshi Fukuzawa
成敏 福澤
Tatsuhiro Kobayashi
龍弘 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2003277571A priority Critical patent/JP2005044438A/ja
Priority to PCT/JP2004/009185 priority patent/WO2005008650A1/ja
Priority to EP04746654A priority patent/EP1657717A4/en
Priority to US10/565,351 priority patent/US7573803B2/en
Priority to KR1020067000809A priority patent/KR100710131B1/ko
Priority to CNA2004800240777A priority patent/CN1839432A/zh
Priority to TW093119945A priority patent/TW200506930A/zh
Publication of JP2005044438A publication Critical patent/JP2005044438A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24065—Layers assisting in recording or reproduction below the optical diffraction limit, e.g. non-linear optical layers or structures
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0045—Recording
    • G11B7/00452—Recording involving bubble or bump forming

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Abstract

【課題】 記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることができる光記録ディスクを提供する。
【解決手段】 基板２と、第三の誘電体層３と、光吸収層４と、第二の誘電体層５と、白金酸化物を主成分として含む分解反応層６と、第一の誘電体層７と、光透過層８とを備え、分解反応層６が、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有し、光透過層８を介して、レーザ光２０が照射されたときに、分解反応層６に主成分として含まれている白金属酸化物が白金と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、空洞が形成されるとともに、白金の微粒子が空洞内に析出することによって、分解反応層６に記録マークが形成されるように構成されたことを特徴とする光記録ディスク。
【選択図】 図２

Description

本発明は、光記録ディスクに関するものであり、さらに詳細には、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることができる光記録ディスクに関するものである。
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録ディスクが広く利用されているが、近年においては、より大容量で、かつ、高いデータ転送レートを有する光記録ディスクの開発が盛んに行われている。
こうした光記録ディスクにおいては、データの記録・再生に用いるレーザ光の波長λを小さくするとともに、対物レンズの開口数ＮＡを大きくして、レーザ光のビームスポット径を小さく絞ることにより、光記録ディスクの記録容量の増大が図られている。
光記録ディスクにおいては、光記録ディスクに記録された記録マークの長さ、および、隣り合う記録マーク間の長さ、すなわち、記録マークが形成されていない領域（以下、「ブランク領域」という。）の長さが解像限界未満になると、光記録ディスクからデータを再生することが不可能になる。
解像限界は、レーザ光の波長λと、レーザ光を集束するための対物レンズの開口数ＮＡによって決定され、記録マークとブランク領域との繰り返しの周波数、すなわち、空間周波数が２ＮＡ／λ以上の場合に、記録マークおよびブランク領域に記録されたデータの読み取りが不可能になる。
したがって、読み取り可能な空間周波数に対応する記録マークおよびブランクの長さは、それぞれ、λ／４ＮＡ以上となり、波長λのレーザ光を、開口数ＮＡの対物レンズによって、光記録ディスクの表面に集光させるときは、λ／４ＮＡの長さの記録マークおよびブランク領域が、読み取ることができる最短の記録マークおよびブランク領域となる。
このように、データを再生する場合には、データの再生が可能な解像限界が存在し、再生することができる記録マークの長さおよびブランク領域の長さに制限がある。したがって、解像限界未満の長さの記録マークおよびブランク領域を形成して、データを記録しても、記録されたデータを再生することができないので、光記録ディスクに、データを記録するときに形成可能な記録マークの長さおよびブランク領域の長さが必然的に制限されるから、通常は、解像限界未満になるような長さの記録マークおよびブランク領域を形成して、光記録ディスクにデータを記録することがない。
したがって、光記録ディスクの記録容量を増大させるためには、データの再生に用いるレーザ光の波長λを短くし、あるいは、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることによって、解像限界を小さくし、より短い記録マークとブランク領域よりなるデータを再生することができるようにすることが要求される。
しかしながら、データの再生に用いるレーザ光の波長λを短くし、あるいは、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることには限界があり、したがって、解像限界を小さくすることによって、光記録ディスクの記録容量を増大させることには限界があった。
また、何らかの方法で、光記録ディスクの記録容量を増大させる場合にも、本来の再生特性が低下しないように、光記録ディスクに記録されたデータを再生したときに、高いＣ／Ｎ比を有する再生信号を得ることができることが必要である。
したがって、本発明の目的は、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることができる光記録ディスクを提供することにある。
本発明のかかる目的は、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光が、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、集光されて、データが記録され、再生されるように構成された光記録ディスクであって、基板と、前記基板上に設けられ、１０ｎｍないし１４０ｎｍの厚さを有する第三の誘電体層と、前記第三の誘電体層上に設けられ、５ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有する光吸収層と、前記光吸収層上に設けられ、５ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有する第二の誘電体層と、前記第二の誘電体層上に設けられ、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有し、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層と、前記分解反応層上に設けられる第一の誘電体層と、前記第一の誘電体層上に設けられ、１０μｍないし２００μｍの厚さを有する光透過層とを備え、前記光透過層を介して、前記レーザ光が照射されたときに、前記分解反応層に主成分として含まれている前記貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、空洞が形成されるとともに、前記貴金属の微粒子が前記空洞内に析出することによって、前記分解反応層に記録マークが形成されるように構成されたことを特徴とする光記録ディスクによって達成される。
本発明者の研究によれば、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層を備えた光記録ディスクに、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、光透過層を介して、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光を集光すると、分解反応層に主成分として含まれている貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、分解反応層内に空洞が形成されるとともに、貴金属の微粒子が空洞内に析出し、分解反応層に記録マークが形成されて、データが記録され、こうして、データが光記録ディスクに記録された場合には、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときにも、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光を、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズを用いて、光透過層を介して、光記録ディスクに集光することによって、データが再生可能であることが見出されている。
分解反応層に主成分として含まれている貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、分解反応層内に空洞が形成されるとともに、貴金属の微粒子が空洞内に析出し、分解反応層に記録マークが形成されて、データが記録された場合に、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときでも、データを再生することができるという理由は必ずしも明らかではないが、空洞内に析出した貴金属の微粒子に、再生用のレーザ光が照射されることにより、近接場光が発生し、解像限界がなくなったためか、あるいは、空洞内に析出した貴金属の微粒子と照射されたレーザ光との相互作用によって、解像限界が小さくなったためではないかと推測される。
さらに、本発明においては、分解反応層が、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有しており、本発明者の研究によれば、分解反応層の厚さを変化させた場合に、分解反応性に形成された記録マークを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が大きく変化することが見出され、さらに、分解反応層が、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有している場合に、分解反応層に形成された記録マークを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比を向上できることが見出されている。
分解反応層が、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有している場合に、分解反応層に形成された記録マークを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が向上する理由は、必ずしも明らかではないが、分解反応層の厚さが薄すぎる場合には、分解反応層を連続膜として形成できないことがあり、逆に、分解反応層の厚さが厚すぎる場合には、分解反応層が変形し難くなり、形成すべき記録マークの長さが短くなるほど、空洞の形状が所望の形状に形成され難くなると考えられるので、分解反応層が、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有している場合が、分解反応層を連続膜として形成し易く、また、所望の形状の空洞を形成することも容易となり、この結果、分解反応層に記録マークを形成するときに、形成すべき記録マークの長さが短い場合にも、所望の形状の空洞が形成されたためではないかと推測される。
したがって、本発明によれば、分解反応層に空洞を形成するとともに、貴金属の微粒子を空洞内に析出させて、分解反応層に記録マークを形成することによって、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときでも、データの再生が可能になるから、光記録ディスクに、より高密度に、データを記録することができ、したがって、光記録ディスクの記憶容量を大幅に増大させることが可能となり、さらに、分解反応層が２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有しているので、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるような短いものを含む記録マーク列を分解反応層に形成した場合にも、分解反応層に形成された記録マークを再生したときに、高いＣ／Ｎ比の再生信号を得ることができる。
本発明において、分解反応層は、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するように形成され、好ましくは、４ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するように形成される。
本発明において、分解反応層に主成分として含まれる貴金属酸化物は、とくに限定されるものではないが、酸化物の形成し易さ、近接場光の発生効率の観点から、銀、白金およびパラジウムよりなる群から選ばれる一種の貴金属を含む酸化物が好ましく、とくに、白金酸化物ＰｔＯｘが、分解温度が高いため、好ましい。
白金酸化物ＰｔＯｘは、他の貴金属酸化物に比べて、分解温度が高く、したがって、記録用のパワーに設定されたレーザ光を照射して、記録マークを形成する際に、レーザ光が照射された領域から、周囲の分解反応層に、熱が拡散しても、レーザ光が照射された領域以外の領域で、白金酸化物ＰｔＯｘの分解反応が生じることが防止されるから、分解反応層の所望の領域に、空洞を形成して、記録マークを形成することが可能になる。
また、高いパワーの再生用レーザ光が照射されて、データが再生される場合においても、白金酸化物ＰｔＯｘは、他の貴金属酸化物に比べて、分解温度が高いから、白金酸化物が白金と酸素に分解されるおそれがなく、したがって、繰り返し、光記録ディスクに記録されたデータを再生しても、記録マークの形状が変化することはなく、空洞が形成され、また、記録マークが形成された領域以外の領域に、新たに空洞が形成されることもないから、光記録ディスクの再生耐久性を向上させることが可能になる。
本発明において、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、高いＣ／Ｎ比を有する再生信号を得るためには、白金酸化物の一般式ＰｔＯｘにおいて、ｘが０．５以上、４．０以下であることが好ましく、１．０以上、３未満であることがより好ましい。
本発明において、貴金属酸化物として、酸化銀ＡｇＯｙを用いる場合には、ｙが０．５以上、１．５以下であることが好ましく、０．５以上、１．０以下であることがより好ましい。
本発明において、好ましくは、白金酸化物が分解して、形成される白金の微粒子は、分解反応層に形成すべき空洞の大きさよりも小さい粒径を有しており、白金酸化物が分解して、形成される白金の微粒子が、通常、形成される空洞の大きさに比べて十分に小さい場合には、空洞内に析出した白金の微粒子によって、空洞の形状が悪影響を受け、記録マークの形状に、望ましくない変化が生じることを効果的に防止することが可能になる。
本発明において、光記録ディスクは、第二の誘電体層を介して、分解反応層の下に、５ｎｍないし１００ｎｍの層厚を有する光吸収層を備えている。
本発明において、光吸収層は、光透過層を介して、レーザ光が照射されたときに、レーザ光を吸収して、発熱するように構成されている。
光透過層を介して、レーザ光が照射されたときに、光吸収層がレーザ光を吸収して、発熱するように構成されている場合には、レーザ光が照射されたときに、分解反応層自身が発熱し難くても、光吸収層から伝達される熱によって、分解反応層に主成分として含まれている貴金属酸化物を貴金属と酸素に分解させることができ、したがって、分解反応層が容易に変形しやすくなるように、分解反応層を薄層化しても、また、分解反応層が、レーザ光の透過性の高い貴金属酸化物を含んでいても、光記録ディスクに、レーザ光を照射することにより、所望のように、貴金属酸化物を分解させて、記録マークを形成することが可能になる。
本発明において、光吸収層は、レーザ光の吸収率が高く、熱伝導率の低い材料を含んでいることが好ましく、ＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含んでいることが好ましい。
本発明において、光吸収層に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金としては、（ＳｂａＴｅ１ーａ）１ーｂＭｂ、または｛（ＧｅＴｅ）ｃ（Ｓｂ２Ｔｅ３）１−ｃ｝ｄＸ１−ｄで表わされる組成を有するものがとくに好ましい。ここに、元素Ｍは、ＳｂおよびＴｅを除く元素を表わし、元素Ｘは、Ｓｂ、ＴｅおよびＧｅを除く元素を表す。
光吸収層に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金が、（ＳｂａＴｅ１ーａ）１ーｂＭｂで表される組成を有するもののときは、ａおよびｂは、０≦ａ≦１、かつ、０≦ｂ≦０．２５であることが好ましい。ｂが０．２５を越えているときは、光の吸収係数が光吸収層に要求される値よりも低くなり、また、熱伝導性が光吸収層に要求される値よりも低くなり、好ましくない。
元素Ｍは、とくに限定されるものではないが、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｐ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｎ、Ｏおよび希土類元素（Ｓｃ、Ｙおよびランタノイド）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として含むことが好ましい。
一方、光吸収層に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金が、｛（ＧｅＴｅ）ｃ（Ｓｂ２Ｔｅ３）１−ｃ｝ｄＸ１−ｄで表される組成を有するもののときは、１／３≦ｃ≦２／３、かつ、０．９≦ｄに設定することが好ましい。
元素Ｘは、とくに限定されるものではないが、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｎ、Ｏおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として含むことが好ましい。
３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光を用いる場合には、元素Ｍとしては、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を主成分として含むことが、とくに好ましく、元素Ｘとしては、Ａｇ、Ｉｎおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を主成分として含むことが、とくに好ましい。
本発明においては、レーザ光が照射されて、分解反応層が、貴金属と酸素に分解し、空洞が形成される際に、第二の誘電体層および光吸収層が変形することが好ましい。
第二の誘電体層および光吸収層が変形した領域は、第二の誘電体層および光吸収層が変形しない領域と、光学特性が異なるので、再生信号のＣ／Ｎ比をより一層向上させることができる。
本発明によれば、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、これらの記録マークおよびブランク領域を含む記録マーク列により構成されたデータを記録し、再生することができ、記録容量を大幅に増大させることが可能になるとともに、再生信号のＣ／Ｎ比を向上させることができる光記録ディスクを提供することが可能となる。
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録ディスクの略斜視図であり、図２は、図１に示された光記録ディスクのトラックに沿った断面のうち、Ａで示される部分の略拡大断面図である。
図１および図２に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１は、基板２を備え、基板２上に、第三の誘電体層３と、光吸収層４と、第二の誘電体層５と、分解反応層６と、第一の誘電体層７と、光透過層８が、この順に、積層されている。
本実施態様においては、図１に示されるように、光記録ディスク１は、光透過層８側から、レーザ光２０が照射されて、データが記録され、記録されたデータが再生されるように構成されている。レーザ光２０は、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有し、開口数ＮＡが０．７ないし０．９の対物レンズによって、光記録ディスク１に集光される。
基板２は、光記録ディスク１に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。
基板２を形成するための材料は、光記録ディスク１の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではない。基板２は、たとえば、ガラス、セラミックス、樹脂などによって、形成することができる。これらのうち、成形の容易性の観点から、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂がとくに好ましい。
本実施態様においては、基板２は、ポリカーボネート樹脂によって形成され、約１．１ｍｍの厚さを有している。
図２に示されるように、基板２の表面には、第三の誘電体層３が形成されている。
本実施態様においては、第三の誘電体層３は、基板２を保護するとともに、その上に形成される光吸収層４を、機能的、化学的に保護する機能を有している。
第三の誘電体層３を形成するための誘電体材料は、とくに限定されるものではなく、たとえば、酸化物、硫化物、窒化物またはこれらの組み合わせを主成分とする誘電体材料によって、第三の誘電体層３を形成することができ、第三の誘電体層３は、好ましくは、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物によって形成される。
第三の誘電体層３は、たとえば、第三の誘電体層３の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、基板２の表面上に形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
第三の誘電体層３の厚さは、とくに限定されるものではないが、１０ｎｍないし１４０ｎｍが好ましい。
図２に示されるように、第三の誘電体層３の表面上には、光吸収層４が形成されている。
本実施態様において、光吸収層４は、光記録ディスク１に、記録用のパワーに設定されたレーザ光２０が照射されたときに、レーザ光２０を吸収して、発熱し、生成した熱を、後述する分解反応層６に伝達する機能を有している。
本実施態様においては、光吸収層４は、光の吸収係数が高く、熱伝導率の低いＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金によって形成されている。
光吸収層４に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金としては、（ＳｂａＴｅ１ーａ）１ーｂＭｂ、または｛（ＧｅＴｅ）ｃ（Ｓｂ２Ｔｅ３）１−ｃ｝ｄＸ１−ｄで表わされる組成を有するものがとくに好ましい。ここに、元素Ｍは、ＳｂおよびＴｅを除く元素を表わし、元素Ｘは、Ｓｂ、ＴｅおよびＧｅを除く元素を表す。
光吸収層４に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金が、（ＳｂａＴｅ１ーａ）１ーｂＭｂで表される組成を有するもののときは、ａおよびｂは、０≦ａ≦１、かつ、０≦ｂ≦０．２５であることが好ましい。ｂが０．２５を越えているときは、光の吸収係数が光吸収層に要求される値よりも低くなり、また、熱伝導性が光吸収層４に要求される値よりも低くなり、好ましくない。
元素Ｍは、とくに限定されるものではないが、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｐ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｎ、Ｏおよび希土類元素（Ｓｃ、Ｙおよびランタノイド）よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として含むことが好ましい。
一方、光吸収層４に含まれるＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金が、｛（ＧｅＴｅ）ｃ（Ｓｂ２Ｔｅ３）１−ｃ｝ｄＸ１−ｄで表される組成を有するもののときは、１／３≦ｃ≦２／３、かつ、０．９≦ｄに設定することが好ましい。
元素Ｘは、とくに限定されるものではないが、Ｉｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ａｌ、Ｐ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｎ、Ｏおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として含むことが好ましい。
３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光を用いる場合には、元素Ｍとしては、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を主成分として含むことが、とくに好ましく、元素Ｘとしては、Ａｇ、Ｉｎおよび希土類元素よりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を主成分として含むことが、とくに好ましい。
光吸収層４は、光吸収層４の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、第三の誘電体層３の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
光吸収層４は、５ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有していることが好ましい。光吸収層４の厚さが、５ｎｍ未満である場合には、光吸収率が低すぎ、一方、光吸収層４の厚さが、１００ｎｍを越えると、後述のように、分解反応層６に空洞が形成される際に、光吸収層４が変形し難くなり、好ましくない。
図２に示されるように、光吸収層４の表面上には、第二の誘電体層５が形成されている。
本実施態様において、第二の誘電体層５は、後述する第一の誘電体層７とともに、後述する分解反応層６を、機械的、化学的に保護する機能を有している。
第二の誘電体層５を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、たとえば、酸化物、硫化物、窒化物またはこれらの組み合わせを主成分とする誘電体材料によって、第二の誘電体層５を形成することができ、第二の誘電体層５は、好ましくは、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物によって形成される。
第二の誘電体層５は、第二の誘電体層５の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、光吸収層４の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
第二の誘電体層５は、好ましくは、５ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有するように形成される。
図２に示されるように、第二の誘電体層５の表面上には、分解反応層６が形成されている。
本実施態様においては、分解反応層６は、記録層の一部として用いられ、光記録ディスク１にデータが記録される際に、分解反応層６に、記録マークが形成される。
本実施態様において、分解反応層６は、白金酸化物ＰｔＯｘを主成分として含んでいる。
本実施態様において、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満である場合にも、高いＣ／Ｎ比を有する再生信号を得るためには、１．０≦ｘ＜３．０であることがより好ましい。
分解反応層６は、分解反応層６に主成分として含まれる構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、第二の誘電体層５の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
分解反応層６は、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するように形成され、４ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するように形成されるのが好ましく、この範囲内であれば、分解反応層６の厚さは格別限定されるものではない。
分解反応層６の厚さが薄すぎる場合には、分解反応層６を連続膜として形成できないことがあり、逆に、分解反応層６の厚さが厚すぎる場合には、分解反応層６が変形し難くなり、形成すべき記録マークの長さが短くなるほど、所望の形状の空洞が形成され難くなると考えられるので、これらを考慮すると、分解反応層の厚さは、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するのが、好ましく、４ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するのが、より好ましい。
図２に示されるように、分解反応層６の表面上には、第一の誘電体層７が形成されている。
本実施態様において、第一の誘電体層７は、分解反応層６を機械的、化学的に保護する機能を有している。
第一の誘電体層７を形成するための材料はとくに限定されるものではないが、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物から形成されることが好ましい。
第一の誘電体層７は、第一の誘電体層７の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、分解反応層６の表面上に形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。
図２に示されるように、第一の誘電体層７の表面上には、光透過層８が形成されている。
光透過層８は、レーザ光２０が透過する層であり、その表面は、レーザ光２０の入射面を形成している。
光透過層８は、１０μｍないし２００μｍの厚さを有していることが好ましく、より好ましくは、光透過層８は、５０μｍないし１５０μｍの厚さを有している。
光透過層８を形成するための材料は、光学的に透明で、使用されるレーザ光２０の波長領域である３９０ｎｍないし４２０ｎｍでの光学吸収および反射が少なく、複屈折が小さい材料であれば、とくに限定されるものではなく、スピンコーティング法などによって、光透過層８が形成される場合には、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂などが、光透過層８を形成するために用いられ、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などの活性エネルギー線硬化型樹脂が、光透過層８を形成するために、とくに好ましく使用される。
光透過層８は、第一の誘電体層７の表面に、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、接着することによって、形成されてもよい。
光透過層８の膜厚は、スピンコーティング法により、光透過層８を形成する場合には、１０μｍないし２００μｍが好ましく、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、第一の誘電体層７の表面に接着して、光透過層８を形成する場合には５０μｍないし１５０μｍが好ましい。
以上のように構成された光記録ディスク１には、次のようにして、データが記録され、データが再生される。
図３（ａ）は、データが記録される前の光記録ディスク１の一部拡大略断面図であり、図３（ｂ）は、データが記録された後の光記録ディスク１の一部拡大略断面図である。
光記録ディスク１にデータを記録するに際しては、光透過層８を介して、光記録ディスク１にレーザ光２０が照射される。
本実施態様においては、データを高い記録密度で記録するため、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光２０を、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、光記録ディスク１に集光するように構成されている。
また、レーザ光２０のパワーは、４ｍＷより高く、１２ｍＷ以下に設定される。ここに、レーザ光２０のパワーは、光記録ディスク１の表面におけるレーザ光２０のパワーとして、定義される。
記録用のパワーに設定されたレーザ光２０が、光記録ディスク１に照射されると、光吸収層４が光の吸収係数が高いＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金によって形成されているため、レーザ光２０が照射された光吸収層４の領域が加熱される。
光吸収層４で生成された熱は、分解反応層６に伝達され、分解反応層６の温度が上昇する。
分解反応層６に主成分として含まれる白金酸化物は、レーザ光２０に対する透過性が高いため、レーザ光２０が照射されても、分解反応層６自体は発熱し難く、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有する分解反応層６の温度を、白金酸化物の分解温度以上に上昇させることは困難であるが、本実施態様においては、光の吸収係数が高いＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含む合金によって形成された光吸収層４が設けられているから、光吸収層４が発熱し、光吸収層４で生成された熱が、分解反応層６に伝達され、分解反応層６の温度が上昇する。
こうして、分解反応層６が、白金酸化物の分解温度以上に加熱され、分解反応層６に主成分として含まれている白金酸化物が、白金と酸素に分解される。
その結果、図３（ｂ）に示されるように、白金酸化物が分解して、生成された酸素ガスによって、分解反応層６中に、空洞６ａが形成され、白金の微粒子６ｂが空洞６ａ内に析出する。
同時に、図３（ｂ）に示されるように、酸素ガスの圧力によって、第二の誘電体層５とともに、分解反応層６が変形する。
こうして、空洞６ａが形成され、第二の誘電体層５および分解反応層６が変形した領域は、他の領域とは異なる光学特性を有するため、空洞６ａが形成され、第二の誘電体層５および分解反応層６が変形した領域によって、記録マークが形成される。
本実施態様においては、こうして形成される記録マークおよび隣り合った記録マーク間のブランク領域の中には、λ／４ＮＡよりも長さが短いものが含まれ、解像限界未満の記録マーク列が形成される。
また、本実施態様においては、分解反応層６が、分解温度が高い白金酸化物を主成分として含んでいるから、記録用のパワーに設定されたレーザ光２０を照射して、記録マークを形成する際に、レーザ光２０が照射された領域から、熱が周囲の分解反応層６に拡散した場合にも、レーザ光が照射された領域以外の領域で、白金酸化物の分解反応が生じることが防止され、したがって、分解反応層６の所望の領域に、空洞６ａを形成して、記録マークを形成することが可能になる。
さらに、本実施態様においては、白金酸化物が分解して、白金の微粒子６ｂが、空洞６ａ内に、析出して、記録マークが形成されるが、白金の微粒子６ｂの粒径は、分解反応層６に形成すべき空洞６ａの大きさよりも小さいから、空洞６ａ内に析出した白金の微粒子６ｂによって、空洞６ａの形状が悪影響を受け、記録マークの形状に、望ましくない変化が生じることを効果的に防止することが可能になる。
こうして、光記録ディスク１にデータが記録され、光記録ディスク１に記録されたデータは、以下のようにして、再生される。
光記録ディスク１に記録されたデータを再生するに際しては、まず、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光２０を、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、光記録ディスク１に集光させる。
本実施態様においては、データを再生するために光記録ディスク１に照射されるレーザ光２０のパワーは、通常よりも高く、１ｍＷないし４ｍＷに設定される。
本発明者の研究によれば、こうして、３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光２０を、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズを用いて、光透過層８を介して、光記録ディスク１に集光することによって、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときにも、データが再生可能であることが見出されている。
分解反応層６に主成分として含まれている白金酸化物が白金と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、分解反応層６内に空洞６ａが形成されるとともに、白金の微粒子６ｂが空洞６ａ内に析出し、分解反応層６に記録マークが形成されて、データが記録された場合に、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときでも、データを再生することができるという理由は必ずしも明らかではないが、空洞６ａ内に析出した白金の微粒子６ｂに、再生用のレーザ光２０が照射されることにより、近接場光が発生し、解像限界がなくなったためか、あるいは、空洞６ａ内に析出した白金の微粒子６ｂと照射されたレーザ光２０との相互作用によって、解像限界が小さくなったためではないかと推測される。
本実施態様においては、分解反応層６は、分解温度が高い白金酸化物を主成分として含んでいるから、高いパワーの再生用レーザ光が照射されて、データが再生される場合においても、白金酸化物が白金と酸素に分解されるおそれがなく、したがって、繰り返し、光記録ディスク１に記録されたデータを再生しても、記録マークの形状が変化することはなく、空洞６ａが形成され、また、記録マークが形成された領域以外の領域に、新たに空洞が形成されることもないから、光記録ディスク１の再生耐久性を向上させることが可能になる。
また、本実施形態においては、分解反応層６が２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するように形成されており、本発明者の研究によれば、こうして、分解反応層６が２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有するように形成された光記録ディスク１に、レーザ光２０を照射して、分解反応層６に形成された記録マークを再生したときには、高いＣ／Ｎ比の再生信号を得られることが見出されている。
分解反応層６が、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有している場合に、分解反応層６に形成された記録マークを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比が向上する理由は、必ずしも明らかではないが、分解反応層６の厚さが薄すぎる場合には、分解反応層６を連続膜として形成できないことがあり、逆に、分解反応層６の厚さが厚すぎる場合には、分解反応層６が変形し難くなり、形成すべき記録マークの長さが短くなるほど、空洞の形状が所望の形状に形成され難くなると考えられるので、分解反応層６が、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有している場合が、分解反応層６を連続膜として形成し易く、また、所望の形状の空洞を形成することも容易となり、この結果、分解反応層６に記録マークを形成するときに、形成すべき記録マークの長さが短い場合にも、所望の形状の空洞が形成されたためではないかと推測される。
以上のとおり、本実施態様によれば、分解反応層６に空洞６ａを形成するとともに、白金の微粒子６ｂを空洞６ａ内に析出させて、分解反応層６に記録マークを形成することにより、記録マーク列を構成する記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるときでも、データの再生が可能になるから、光記録ディスク１に、より高密度に、データを記録することができ、したがって、光記録ディスク１の記憶容量を大幅に増大させることが可能になり、さらに、分解反応層６が２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有しているので、記録マークの長さや、隣り合う記録マーク間のブランク領域の長さが、解像限界未満であるような短いものを含む記録マーク列を分解反応層６に形成した場合にも、分解反応層６に形成された記録マークを再生したときに、高いＣ／Ｎ比の再生信号を得ることができる。
以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。
１．１ｍｍの厚さと１２０ｍｍの直径を有するポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ポリカーボネート基板上に、Ａｇ、ＰｄおよびＣｕを含み、２０ｎｍの厚さを有する反射層を、スパッタリング法により形成した。
次いで、反射層の表面に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物をターゲットとして、スパッタリング法により、１００ｎｍの厚さを有する第三の誘電体層を形成した。ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、８０：２０であった。
次いで、第三の誘電体層の表面に、Ｓｂ、Ｔｅをターゲットとして、スパッタリング法により、２０ｎｍの厚さを有する光吸収層を形成した。光吸収層の組成は、原子比で、Ｓｂ７５Ｔｅ２５とした。
さらに、光吸収層の表面に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物よりなるターゲットを用いて、スパッタリング法により、６０ｎｍの厚さを有する第二の誘電体層を形成した。ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、８０：２０であった。
次いで、第二の誘電体層の表面に、ＡｒとＯ２との混合ガス雰囲気中で、Ｐｔターゲットを、スパッタリングすることにより、ＰｔＯｘを主成分として含み、４ｎｍの厚さを有する分解反応層を形成した。形成されたＰｔＯｘにおけるｘは１．５であった。
さらに、分解反応層の表面に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物よりなるターゲットを用いて、スパッタリング法により、７０ｎｍの厚さを有する第一の誘電体層を形成した。ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、８０：２０であった。
最後に、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、溶剤に溶解して、調整した樹脂溶液を、第一の誘電体層の表面に、スピンコーティング法によって、塗布して、塗布層を形成し、塗布層に紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの層厚を有する光透過層を形成した。
こうして、分解反応層および光吸収層が形成された光記録ディスクサンプル＃１を作製した。
分解反応層の厚さを２０ｎｍにする点、および第一の誘電体層の厚さを４０ｎｍにする点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２を作製した。
分解反応層の厚さを３０ｎｍにする点、および第一の誘電体層の厚さを５０ｎｍにする点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３を作製した。
光記録ディスクサンプル＃１を、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、波長が４０５ｎｍの青色レーザ光を、記録用レーザ光として用い、ＮＡ（開口数）が０．８５の対物レンズを用いて、レーザ光を、光透過層を介して、集光し、記録マークの長さが、それぞれ、５０ｎｍ、７５ｎｍ、１１２．５ｎｍ、１５０ｎｍ、２２５ｎｍおよび３００ｎｍとなるように、以下の条件で、光記録ディスクサンプル＃１の分解反応層に、記録マークを形成した。ここに、記録パワーは８．０ｍＷに設定した。このとき、光記録ディスクサンプル＃１の光吸収層の相状態に変化は認められなかった。
記録線速度：４．９ｍ／ｓ
記録方式：オングルーブ記録
記録マークの形成後、同じ光記録媒体評価装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃１に記録されたデータを再生し、再生信号のＣ／Ｎ比を測定した。ここに、レーザ光の再生パワーは２．６ｍＷに設定し、再生線速度は４．９ｍ／ｓに設定した。
測定結果は、表１に示されている。
次いで、光記録ディスクサンプル＃２および＃３を、同じ光記録媒体評価装置に、順次、セットし、光記録ディスクサンプル＃１と同様に、分解反応層に、記録マークを形成した。ここに、記録パワーは、光記録ディスクサンプル＃２および＃３のいずれにおいても、５．０ｍＷに設定した。このとき、光記録ディスクサンプル＃２および＃３の光吸収層の相状態に変化は認められなかった。
記録マークの形成後、同じ光記録媒体評価装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃２および＃３に記録されたデータを再生し、再生信号のＣ／Ｎ比を測定した。ここに、レーザ光の再生パワーは、光記録ディスクサンプル＃２からデータを再生するときに、２．６ｍＷに設定し、光記録ディスクサンプル＃３からデータを再生するときに、２．８ｍＷに設定した。
測定結果は、表１に示されている。
Figure 2005044438
 表１に示されるように、４ｎｍの厚さの分解反応層が形成された光記録ディスクサンプル＃１および２０ｎｍの厚さの分解反応層が形成された光記録ディスクサンプル＃２においては、３０ｎｍの厚さの分解反応層が形成された光記録ディスクサンプル＃３に比して、より高いＣ／Ｎ比の再生信号を得られることが認められ、とくに、４ｎｍの厚さの分解反応層が形成された光記録ディスクサンプル＃１においては、再生信号のＣ／Ｎ比が大幅に向上することが認められた。
一方、２０ｎｍの厚さの分解反応層が形成された光記録ディスクサンプル＃２においては、分解反応層に形成された記録マークの長さが２２５ｎｍを越えると、再生信号のＣ／Ｎ比が、３０ｎｍの厚さの分解反応層が形成された光記録ディスクサンプル＃３よりも低くなることが認められたが、再生信号のＣ／Ｎ比は十分に高く、再生信号のＣ／Ｎ比が低下しても、実用上、データの再生に問題が生じることはない。
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録ディスクの略断面図である。
図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。
図３（ａ）は、データが記録される前の光記録ディスクの一部拡大略断面図であり、図３（ｂ）は、データが記録された後の光記録ディスクの一部拡大略断面図である。
符号の説明
１ 光記録ディスク
２ 基板
３ 第三の誘電体層
４ 光吸収層
５ 第二の誘電体層
６ 分解反応層
７ 第一の誘電体層
８ 光透過層
２０ レーザ光

Claims (6)

  1. ３９０ｎｍないし４２０ｎｍの波長λを有するレーザ光が、０．７ないし０．９の開口数ＮＡを有する対物レンズによって、集光されて、データが記録され、再生されるように構成された光記録ディスクであって、基板と、前記基板上に設けられ、１０ｎｍないし１４０ｎｍの厚さを有する第三の誘電体層と、前記第三の誘電体層上に設けられ、５ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有する光吸収層と、前記光吸収層上に設けられ、５ｎｍないし１００ｎｍの厚さを有する第二の誘電体層と、前記第二の誘電体層上に設けられ、２ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有し、貴金属酸化物を主成分として含む分解反応層と、前記分解反応層上に設けられる第一の誘電体層と、前記第一の誘電体層上に設けられ、１０μｍないし２００μｍの厚さを有する光透過層とを備え、前記光透過層を介して、前記レーザ光が照射されたときに、前記分解反応層に主成分として含まれている前記貴金属酸化物が貴金属と酸素に分解され、生成された酸素ガスによって、空洞が形成されるとともに、前記貴金属の微粒子が前記空洞内に析出することによって、前記分解反応層に記録マークが形成されるように構成されたことを特徴とする光記録ディスク。
  2. 前記分解反応層が、４ｎｍないし２０ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の光記録ディスク。
  3. 前記貴金属酸化物が、白金酸化物によって構成され、前記光透過層を介して、前記レーザ光が照射されたときに、白金と酸素に分解されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光記録ディスク。
  4. 前記白金の微粒子が、前記分解反応層に形成すべき空洞の大きさより小さい粒径（前記白金の微粒子の粒径は、前記白金の微粒子が球形であるときの直径として定義される）を有することを特徴とする請求項３に記載の光記録ディスク。
  5. 前記光吸収層が、ＳｂおよびＴｅの少なくとも一方を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の光記録ディスク。
  6. 前記第二の誘電体層および前記光吸収層が、前記分解反応層に前記空洞が形成されるのに伴って、変形するように構成されたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光記録ディスク。
JP2003277571A 2003-07-22 2003-07-22 光記録ディスク Pending JP2005044438A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003277571A JP2005044438A (ja) 2003-07-22 2003-07-22 光記録ディスク
PCT/JP2004/009185 WO2005008650A1 (ja) 2003-07-22 2004-06-30 光記録ディスク
EP04746654A EP1657717A4 (en) 2003-07-22 2004-06-30 OPTICAL RECORDING DATA CARRIER
US10/565,351 US7573803B2 (en) 2003-07-22 2004-06-30 Optical recording disc
KR1020067000809A KR100710131B1 (ko) 2003-07-22 2004-06-30 광 기록 디스크
CNA2004800240777A CN1839432A (zh) 2003-07-22 2004-06-30 光记录盘
TW093119945A TW200506930A (en) 2003-07-22 2004-07-01 Optical recording disk

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003277571A JP2005044438A (ja) 2003-07-22 2003-07-22 光記録ディスク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005044438A true JP2005044438A (ja) 2005-02-17

Family

ID=34074646

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003277571A Pending JP2005044438A (ja) 2003-07-22 2003-07-22 光記録ディスク

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7573803B2 (ja)
EP (1) EP1657717A4 (ja)
JP (1) JP2005044438A (ja)
KR (1) KR100710131B1 (ja)
CN (1) CN1839432A (ja)
TW (1) TW200506930A (ja)
WO (1) WO2005008650A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7573803B2 (en) 2003-07-22 2009-08-11 Tdk Corporation Optical recording disc

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005025842A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Tdk Corp 光記録ディスク
JP2005025841A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Tdk Corp 光記録ディスク
JP2005022196A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Tdk Corp 光記録ディスク
JP4167146B2 (ja) * 2003-08-19 2008-10-15 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体及びその製造方法、並びに、光記録媒体に対するデータ記録方法及びデータ再生方法
JP2005071450A (ja) * 2003-08-22 2005-03-17 Tdk Corp 光記録媒体及びその製造方法、並びに、光記録媒体に対するデータ記録方法及びデータ再生方法
JP2005129181A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 光記録ディスク
KR101244908B1 (ko) 2005-12-20 2013-03-18 티디케이가부시기가이샤 광기록 매체에 대한 최적 재생 파워를 결정하는 방법 및 장치
JP2009146465A (ja) * 2007-12-11 2009-07-02 Sony Corp 再生専用型光ディスク媒体

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4357616A (en) * 1979-03-26 1982-11-02 Hitachi, Ltd. Recording medium
DE3364607D1 (en) * 1982-03-15 1986-08-28 Toshiba Kk Optical type information recording medium
JPS60187933A (ja) * 1984-03-07 1985-09-25 Toshiba Corp 光学的記録再生装置
JPS60208289A (ja) 1984-03-31 1985-10-19 Dainippon Printing Co Ltd 光記録材料
JPH0737180B2 (ja) 1985-07-15 1995-04-26 松下電器産業株式会社 光学情報記録部材
DE3751348T2 (de) * 1986-10-29 1996-01-04 Dainippon Printing Co Ltd Aufzeichnungsmedium vom draw-typ.
JPS63299984A (ja) 1987-05-30 1988-12-07 Kuraray Co Ltd 光記録媒体及びその製造法
EP0474311A1 (en) 1990-09-06 1992-03-11 Hitachi Maxell Ltd. Optical data recording medium, method for writing and reading data and apparatus for recording data
JP3071243B2 (ja) 1991-02-06 2000-07-31 ティーディーケイ株式会社 光記録媒体およびその製造方法
US5252370A (en) * 1991-04-23 1993-10-12 Tdk Corporation Optical recording medium and method for making
JP3266627B2 (ja) * 1991-10-11 2002-03-18 株式会社日立製作所 情報再生装置
US5328813A (en) * 1992-06-30 1994-07-12 The Dow Chemical Company Method for the preparation of optical recording media containing overcoat
SG52438A1 (en) 1993-02-18 1998-09-28 Philips Electronics Nv Optical information carrier
JPH06262854A (ja) * 1993-03-15 1994-09-20 Konica Corp 光記録媒体
JP3584472B2 (ja) 1997-10-17 2004-11-04 株式会社豊田中央研究所 光記憶媒体
JPH11227334A (ja) 1998-02-17 1999-08-24 Sony Corp 光記録媒体
JP2000182274A (ja) * 1998-10-06 2000-06-30 Tdk Corp 光記録媒体および光記録方法
JP2000235732A (ja) 1999-02-12 2000-08-29 Sony Corp 多層光ディスク
US6410115B1 (en) * 1999-02-26 2002-06-25 Ritek Corporation Multi-rewritable optical recording medium with surface plasmon super-resolution layer
JP4230087B2 (ja) 1999-03-29 2009-02-25 独立行政法人産業技術総合研究所 光学再生記録方法および光学装置
JP2000285509A (ja) 1999-04-01 2000-10-13 Ricoh Co Ltd 追記型光記録媒体
CN1202521C (zh) * 1999-07-22 2005-05-18 索尼株式会社 光记录媒体、光记录及再生方法、光记录及再生装置
TW527585B (en) * 2000-02-21 2003-04-11 Ind Tech Res Inst Compact disk device, access method of compact disk, and the compact disk
FR2809856B1 (fr) 2000-05-30 2002-07-12 Commissariat Energie Atomique Supports d'enregistrement optique irreversible
EP1467351B1 (en) * 2000-09-28 2007-01-10 Ricoh Company, Ltd. Optical information recording medium and method for recording/reproducing optical information
JP2003331461A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Pioneer Electronic Corp 追記型光記録媒体
US6896946B2 (en) * 2002-06-06 2005-05-24 Ritek Corporation Initiation-free super-resolution optical medium
JP3837508B2 (ja) 2002-06-14 2006-10-25 独立行政法人産業技術総合研究所 表面プラズモン励起性貴金属微粒子状薄膜
JP4582755B2 (ja) * 2002-06-24 2010-11-17 Ｔｄｋ株式会社 光記録／再生方法および光記録媒体
JP4326757B2 (ja) 2002-07-05 2009-09-09 独立行政法人産業技術総合研究所 光記録再生装置
JP2004111004A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 光記録再生方法、光再生方法、光記録再生装置および光再生装置
KR100922870B1 (ko) * 2002-09-28 2009-10-20 삼성전자주식회사 고밀도 재생전용 광디스크
JP2004158134A (ja) 2002-11-07 2004-06-03 Ricoh Co Ltd 光記録媒体、光記録方法及び光記録装置
JP3840493B2 (ja) 2003-01-14 2006-11-01 日本サムスン株式会社 超解像度近接場構造の記録媒体、記録方法及び再生方法、及び記録装置及び再生装置
JP2004310803A (ja) * 2003-04-01 2004-11-04 Samsung Electronics Co Ltd 超解像近接場構造の記録媒体、その再生方法及び再生装置
JP2005078782A (ja) * 2003-09-04 2005-03-24 Tdk Corp 光記録媒体及びその製造方法、並びに、光記録媒体に対するデータ記録方法及びデータ再生方法
JP2005025899A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Tdk Corp 光記録媒体及びその製造方法、並びに、光記録媒体に対するデータ記録方法及びデータ再生方法
JP2005022196A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Tdk Corp 光記録ディスク
JP2005025841A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Tdk Corp 光記録ディスク
JP2005025842A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Tdk Corp 光記録ディスク
JP2005025900A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Tdk Corp 光記録媒体、光記録再生装置、光記録装置及び光再生装置、並びに、光記録媒体に対するデータ記録再生方法、データ記録方法及びデータ再生方法
JP2005044438A (ja) 2003-07-22 2005-02-17 Tdk Corp 光記録ディスク
JP2005044450A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Tdk Corp 光記録媒体及びその製造方法、並びに、光記録媒体に対するデータ記録方法及びデータ再生方法
JP4167146B2 (ja) * 2003-08-19 2008-10-15 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体及びその製造方法、並びに、光記録媒体に対するデータ記録方法及びデータ再生方法
JP2005161738A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 光記録ディスクおよびその製造方法
JP2005285204A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Tdk Corp 光記録媒体
JP2006073120A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Tdk Corp データ記録再生システム
JP2006209813A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Tdk Corp 光記録媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7573803B2 (en) 2003-07-22 2009-08-11 Tdk Corporation Optical recording disc

Also Published As

Publication number Publication date
EP1657717A4 (en) 2008-01-09
WO2005008650A1 (ja) 2005-01-27
EP1657717A1 (en) 2006-05-17
TW200506930A (en) 2005-02-16
US20060245338A1 (en) 2006-11-02
KR20060033012A (ko) 2006-04-18
US7573803B2 (en) 2009-08-11
KR100710131B1 (ko) 2007-04-20
CN1839432A (zh) 2006-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060250916A1 (en) Optical recording/reproducing method and optical recording medium
KR20060033027A (ko) 광기록매체 및 이를 생산하기 위한 제조방법, 및광기록매체에 대한 데이터 기록방법 및 데이터 재생방법
JP2004296055A (ja) 光記録再生方法及び光記録媒体
JP2005044438A (ja) 光記録ディスク
JP2005285204A (ja) 光記録媒体
JP4253724B2 (ja) レーザビームの再生パワーの決定方法およびデータ記録再生装置
JP2006209813A (ja) 光記録媒体
KR100710316B1 (ko) 광 기록 디스크
JP2005025842A (ja) 光記録ディスク
JP2005025841A (ja) 光記録ディスク
JP2005161738A (ja) 光記録ディスクおよびその製造方法
JP2005158110A (ja) 光記録ディスク
JP2004284018A (ja) 光記録媒体
JP2005129181A (ja) 光記録ディスク
JP2005322276A (ja) 光記録媒体
JP2005216372A (ja) 光記録媒体
US7132148B2 (en) Optical recording disk
JP2003263776A (ja) 光記録媒体
JP2005129159A (ja) 光記録ディスク
JPH07169095A (ja) 情報記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060629

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080819

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090310