CN1839308A - 晶圆检测用的方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种晶圆检测用的方法和装置。本方法包括以下各步骤:对晶圆的表面的至少一区段进行照明;以图像测定装置来测得此晶圆的表面的已照明的区段的图像;在已测得的图像中决定至少一图像区;依据上述的至少一图像区使图像测定装置的图像场的大小改变。一种图样辨认软体搜寻上述已测得的图像中各显著的结构以决定此图像区。藉由图像场大小的改变,则可选择地使晶圆检测装置的处理速率或解析度最佳化,且图像场可持续地以最佳化的方式依据晶圆的拍摄区大小来调整。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶圆检测用的方法和装置,且本发明特别是涉及一种藉由可最佳化的侦测参数以侦测巨观(macro)缺陷所用的方法和装置。
图1显示暗场配置中检测晶圆所用的晶圆检测装置。晶圆检测装置1包含一种具有一物镜3的顶部光-照明装置2,以便使照明光束37沿着照明轴9以一种角度α入射至晶圆6的表面32上。此照明光束37通常由一各别的光源11(例如,氙灯或氙闪光灯)经由一导光束12而耦合至顶部光-照明装置2中。一区域35在晶圆6的表面32上受到照明。
晶圆检测装置1另外包含一种具有物镜5的图像测定装置4,其例如可为矩阵式相机或列(row)式相机,特别是CCD-相机。本例子中此图像测定装置4沿着一垂直地与晶圆6的表面相交的成像轴10而对准。物镜8预设一种图像场8,其可由图像测定装置4所测得。本例子中,图像场8基本上完全与已照明的区域35相重迭,但图像场8当然亦可较小。晶圆6的表面32的由图像测定装置4所测得的图像的图象资料由资料读出装置14经由资料线13而读入且在适当的处理之后显示在监视器15上或显示在一种同等级的显示器上或继续进行计算以辨认各种缺陷。
晶圆6由一晶圆容纳装置7所固定着。晶圆6的平面部份或凹面部份(未显示)作为晶圆6的对准用,使晶圆6在晶圆检测装置1中保持在一可预设的习知方位(orientation)中。晶圆检测装置1可以是晶圆处理装置的一部份或配置在晶圆处理装置之后。为了达成目的,晶圆6在处理之后可在某一方位中递交给晶圆检测装置1。
背景技术
由先前技术中已为人所知的晶圆检测装置的共同点是:其图像测定装置(特别是矩阵式相机或列式相机)持续地以固定的图像场来操作。这样会使习知的晶圆检测装置有一种固定的解析度,其在操作进行期间不会改变。为了获得一种适当的像素解析度,通常使用一种像素数目较多的相机,这样会使图像测定和图像处理较昂贵。此外,传统上以固定的图像场来进行的图像测定通常不能最佳化地依据实际的晶圆处理情况来调整。具有固定的图像场的传统式晶圆检测装置可持续地只以一种固定的处理速率(例如,在已检测的晶片中或晶圆中每一单位时间所测得者)来操作,这是因为此处理速率基本上是由作为光源用的闪光灯的最大的重复频率以及晶圆经由晶圆检测装置而行进时的最大速率等来预设。
发明内容
本发明的目的是提供一种晶圆检测用的方法和装置,使晶圆检测可变化地且可弹性地进行。此外,本发明亦提供一种晶圆检测用的方法和装置,藉此可持续地达成一种最佳化的解析度或最佳化的处理速率。
上述目的以具有权利要求1特征的方法以及具有权利要求12特征的装置来达成。本发明的其它有利的实施形式描述在申请专利范围各附属项中。
在本发明的晶圆检测用的方法中,至少以区段方式来对晶圆的表面进行照明。测定此晶圆表面已照明的区段的图像,在已测定的图像中决定至少一图像区,且图像测定装置的一图像场的大小依据至少一图像区来改变。
依据本发明,图像测定装置的图像场的大小可最佳地依据晶圆处理的情况来调整。特别是在本发明的方法中可使晶圆检测装置达成一种最佳的解析度,最佳的处理速率,最佳的图像大小等等。整体而言,晶圆检测装置仍能可变地且弹性地来操作。
图像测定装置的图像场的大小较佳是每一时间都可改变,例如,可依据一种待处理的新填料中已改变的晶片大小来调整或在处理进行期间使晶圆检测装置的解析度改变。本发明因此背离一种传统原理,传统上此图像测定装置在晶圆检测装置中持续地以固定的图像场来操作。藉由上述令人惊异的简单的解法可在每一时间使图像测定装置的图像场改变,则本发明中仍能有效地且以可变化的方式对一晶圆的缺陷进行检测。
依据本发明,晶圆检测装置可在暗场配置中或亮场配置中操作或同时在此二种场配置中操作。晶圆检测装置较佳是可在此二种操作模式之间切换,这例如可藉由亮场-及/或暗场-顶部光-照明装置的选择性控制来达成。在测定此晶圆表面的已照明的区段的试样图像之后,本发明中至少须决定一种图像区,图像场的大小在下一步骤中应依据图像区来调整。图像区的决定可以人工方式例如由操作人员依据荧幕显示器来进行或以全自动方式使用一适当的图样辨认软体来进行,此软体可辨认晶圆表面上显著的结构。已决定的图像区可以是一种晶粒(Die)、包含多个晶粒的晶圆区、待制成的晶片或晶片的分区或晶圆-步进器的步进器拍摄区。本发明中当已确定:一实际上所使用的图像场大小未能最佳化地依据已决定的图像区的大小来调整时,则此图像场的大小须改变。
为了改变图像场的大小,则物镜的焦距须改变,这例如亦可藉由具有另一焦距的物镜的摆动来达成,例如,藉由旋转器-物镜支件的物镜的摆动来达成,此物镜支件中可形成一种成像光束通道。为了改变图像场的大小,则图像测定装置(例如,CCD-相机)和晶圆表面之间的距离须可改变,在此种情况下图像测定装置的物镜在图像距离改变之后须重新聚焦,或例如藉由旋转器-物镜支件来更换物镜。整体上特别有利的是以一种变焦物镜连接在图像测定装置之前,此变焦物镜以人工方式或以电子式来调整,此时晶圆的表面持续地以显著的方式成像在图像测定装置中。
较佳是改变此图像场的大小,使一种由至少一选定的图像区所导出的大小(size)具有一预定值或使此已导出的大小最佳化。利用此种由至少一选定的图像区所导出的大小,则可使用一物镜的尺寸以判定:实际的图像场的大小是否已最佳化地依据晶圆-处理的实际情况来调整。此种大小可使用在图像场大小以人工来改变时的情况中或亦可使用在以电子方式来控制或调整而使图像场大小改变时的情况中。此大小较佳是由晶圆表面的试样相片中已导出的距离或像素数目来导出。
上述的预定值较佳是等于至少一选定的图像区至已测定的图像场的边缘的距离及/或等于图像测定装置的像素解析度及/或等于每一已测定的图像场的晶粒数目及/或等于已测定的图像场的纵向-及/或横向中晶粒的数目及/或等于每单位时间中晶圆检则装置的处理速率。上述这些值可完全自动地例如藉助于图样辨认软体而在由图像测定装置所测得的列图像或矩阵图像中决定,使图像场大小亦可全自动地受到控制或调整而改变。
依据另一实施形式,图像场大小的改变可重复地进行,即,在第一步骤中,图像场大小在一方向中改变(即,放大或缩小),由图像场大小已改变时所测定的图像来重新决定图像区,由此而导出上述的值且与先前的图像场大小中所存在的值相比较。由此种比较可推知:图像场大小是否已在正确的方向中改变(即,放大或缩小)。上述各步骤一直进行,直至已导出的大小(size)具有一预定值(情况需要时须考虑最小容许度(tolerance))时为止或直至已导出的大小已依据一最佳化演算法而被最佳化时为止。
为了以全自动方式使图像场大小改变,可进行一种图样辨认以决定至少一图像区,此图样辨认过程中依据一预定的轮廓来决定晶圆表面上各种显著的结构,例如,晶圆表面上的边缘及/或角隅区及/或各预定的结构及/或各标记。在辨认这些显著的结构的位置时,可以电子方式导出其它值,例如,实际已测得的图像的距离或像素数目。
当然,亦可对各显著的结构进行学习,其例如藉由人工或半自动方式使各结构输入至一种软体中以控制本方法或本装置来达成。
整体上特别有利的是以本发明的方法以自动地决定一由图像测定装置所测得的图像的像素解析度,其中须改变图像场,以确保一预设的最小-像素解析度,以便可靠地辨认晶圆表面上的巨观缺陷。
依据另一观点,本发明亦涉及一种晶圆检测用的装置,其设计成可进行上述的方法。
本发明以下将以举例方式且参考附图来说明,以显示本发明的其它特征、优点和所欲达成的目的。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。
附图说明
图1是可用在本发明中的晶圆检测用的装置的侧视图。
图2是待检测的晶圆的俯视图。
图3a和图3b是图像场最佳化之前和之后一已测得的图像场的对比。
图4是图3中图像场最佳化时的流程图。
图5a和图5b是已测得的图像的解析度最佳化之前和之后一已测得的图像场。
图6是图5a和图5b中已测得的图像场的解析度最佳化时的流程图。
图7是图6所示方法中的步骤的一部份。
图8是图6所示方法中的步骤的另一部份。
1:晶圆检测装置 2:顶部光-照明装置
3:物镜 4:相机
5:物镜 6:晶圆
7:晶圆-摄像装置 8:相机4的图像场
9:照明轴 10:成像轴
11:光源 12:导光束
13:资料线 14:资料读出装置
15:监视器 16:步进器拍摄区
17:晶粒 18:分隔区
19,20:连接线 21:图像场未改变时的图像场
32:晶圆6的表面 35:照明区
37:照明光束 x1,x2:距离
y1,y2:距离 Nx,Ny:x-/y-方向中的像素数目
具体实施方式
各图式中相同的参考符号表示相同-或基本上作用相同的元件或元件组。
如图1所示,在晶圆检测装置1中在与先前技术相比较时本发明中另采用以下的预防措施:图像测定装置4(例如,一种列式相机或矩阵式相机,特别理想的是CCD-相机)包含一种变焦物镜5,其焦距可藉由人工方式或电子式来控制而改变,此时晶圆6的表面32持续地以显著的方式成像在图像测定装置4中。另一方式是图像测定装置4和晶圆6的表面32的间的距离可改变,这例如藉由人工或电动马达使图像测定装置4沿着成像轴10而移动来达成。在图像距离改变之后,须精确地重新调整此物镜5。另一方式是亦可使物镜5和图像测定装置4(特别是CCD-晶片(未显示))之间的距离依据图像距离的变化来改变,以便使晶圆6的表面32又精确地成像在图像测定装置4中。物镜5亦可由一种定位成可摆动的旋转器-物镜支件来固定着,此物镜支件容纳着多个具有不同焦距的物镜,使焦距亦可藉由其它适当焦距的物镜的向内摆动而快速地在成像光束通道中改变。为了控制上述各步骤,则可在图像测定装置4和资料读出装置14(例如,电脑)之间设有一种资料线19。电脑亦可在以人工使图像测定装置4移动时在显示器15上对操作人员产生一种指示:图像场最佳化所需的移动(以下将说明)是否已足够或须再作移动以使此图像场最佳化。
依据图1,晶圆检测装置1配置在暗场配置中,暗场中晶圆6的表面32的照明光束37不是直接反射回到图像测定装置4中。当然,晶圆测定装置1亦可在亮场配置中操作,亮场中照明光束直接反射到图像测定装置4中。一亮场配置中可设有另一未显示的顶部光-照明装置且可藉由选择式的接通来选取各别的顶部光-照明装置,就此目的而言照明装置11须经由资料线20而与作为控制装置用的资料读出单元14相连接。另一方式是亦可依据各别所使用的照明几何形式使顶部光-照明装置2的入射角α改变。
图2是待检测的晶圆的俯视图。晶圆6划分成多个基本上是矩形的分区16,各分区16在本例中对应于晶圆-步进器的步进器拍摄区。各别的步进器拍摄区16可包含一个或多个晶粒。如图2所示,一种基本上是平坦的区域35受到顶部光-照明装置所照射,如箭头所示,其将以放大方式显示在下述的图3和图5中。平坦的区域35可具有圆形-或矩形的形式。
图3a和图3b显示本发明中使图像场最佳化时的进行方式。于此,假设此情况是采用一种作为图像测定装置用的CCD-相机,其具有矩形的CCD-晶片。在所选取的成像比例中,一种大小如图3a所示的图像场8配属于基本上是矩形的CCD-晶片。如图3a所示,晶圆6的表面上形成多个基本上是矩形的晶粒17,其藉由分隔区18而互相分开,各分隔区基本上互相垂直而延伸且晶圆6在处理之后沿着分隔区18被切锯而分开。
黑色的粗线(其框着该图像场8)不再成像在图像测定装置的CCD-晶片上。由图3a可知,本例子中四个灰色阴影区的晶粒17(其位于图像场8中)完全成像在CCD-晶片上,但这不是唯一的方式,正好在未成像在CCD-晶片上的各晶粒区中可存在着缺陷。为了能可靠地侦测这些缺陷,先前技术中晶圆6须相对于图像测定装置而移动,使得在第二图像摄取时,晶粒17的先前未成像在CCD-晶片上的区域(即,图3a中黑的粗线下方的区域)可成像在CCD-晶片上。这需要摄取至少另外四个图像,这样会使晶圆检测装置的处理速率下降且使图像计算较昂贵,此乃因在对“一晶粒17是否具有缺陷”达成一种可靠的陈述之前,须对至少另四个图像相片进行计算。
依据本发明,图像测定装置的图像场8可在每一时间(例如,在处理过程进行时)中改变。这显示在图3b中,其中在与图3a比较时图像场8已扩大,这例如藉由变焦因数的改变或图像测定装置4的成像比例的改变来达成。虚线表示该图像场未最佳化时的图像场21以作为比较用。如图3b所示,图像场8的左边缘和一完全包含在图像场8中的晶粒17的左边缘之间的距离是×1,一完全包含在图像场8中的晶粒17的右边缘和图像场8的右边缘之间的距离是×2,图像场8的下边缘和一完全包含在图像场8中的晶粒17的下边缘之间的距离是y2,一完全包含在图像区8中的晶粒17的上边缘和图像场8的上边缘之间的距离是y1。
整体而言,各距离x1,x2,y1和y2在与一晶粒17的尺寸相比较时较小,使得几乎整个图像场8都可用来进行缺陷的侦测且因此可达成最佳化的图像场解析度。藉由图像场8的大小的改变,则摄取唯一的图像即可对灰色的阴影区中的晶粒17(即,全部共四个晶粒)的整个表面上的缺陷进行侦测,此时不需另外摄取图像。因此,晶圆检测装置的处理速率在与图3a相比较时可大大地提高,其中本例子中大约可提高4倍。
就像此行一般的专家可轻易得知者一样,图像场8的大小当然亦可改变,使得只有唯一的晶粒17完全位在图像场8的内部中。在此种情况下,所要达成的解析度仍需更高。为了此一目的,只须使晶圆6的例如可由可运行的X-/Y-桌或由步进马达所预设的位置适当地相对于图像测定装置而改变即可。
晶圆6的表面上的分隔区18可简单地藉助于图样辨认软体来辨认,使得前述的图像场最佳化亦可全自动地进行以取代人工作业方式。各分隔区18只是晶圆6的表面上的显着的结构的一种例子而已,其可由图样辨认软体或操作人员来辨认。显着的结构的其它例子是各别晶粒17的边缘、其角隅区域、晶圆6的表面32上的其它显着的结构或晶圆6的表面上的标记。这些显着的结构由图3a,3b可知能以周期性的方式在晶圆6的表面上重复。只要可依据至少二个显着的结构以沿着X-方向/或Y-方向而可靠地辨认各别的晶粒17时,则可依据本发明来进行图像场最佳化。
当然,前述的图像场最佳化过程中亦适合使各别晶粒17的分区(例如,刚处理完的集成电路的记忆体区段)完全移动至图像场8中。
图4以流程图的方式显示图3a,3b中图像场最佳化时的进行方式。首先,在步骤S1中摄取晶圆6的表面的图像,例如,摄取图3a中以灰色阴影所示的区域(其由四个各别的晶粒17所形成,但未完全包含各晶粒171的图像。然后,在步骤S2中在X-方向和Y-方向中决定各显着的结构,其例如可为图3a的分隔区18或各别晶粒17的角隅。
然后,在步骤S3中决定各显着的结构至图像场8的边缘的各别的距离。依据图3a,图样辨认软体或操作人员只需在X-方向和Y-方向中决定一分隔区18。因此,在Y-方向中延伸的分隔区18和图像场8的左边缘-或右边缘之间X-方向中的距离基本上等于各别晶粒17的长度,且在X-方向中延伸的分隔区18和图像场8的下边缘-或上边缘之间Y-方向中的距离基本上等于各别晶粒17的宽度。
在随后的步骤S4中决定:以上述方式所测得的距离x1,x2,y1和y2是否位于可预设的边界值Dxmin和Dxmax之间或Dymin和Dymax之间一预定的范围中。
上述的距离x1,x2,y1和y2以及各边界值Dxmin,Dxmax,Dymin和Dymax适当地说明在图像测定装置4的作为图像读出用的CCD-晶片的像素数目中。
在步骤S4已确定”上述的各距离x1,x2,y1和y2未位于预设的边界范围内部”时,则在步骤S5中须适当地使图像场8的大小改变。然后,回到步骤S1以摄取一试样-图像且重新进行步骤S2至步骤S5的回路(loop),直至步骤S4的条件满足为止。步骤S2至步骤S5的回路(loop)可重复地进行。步骤S5中,图像场8的大小偶然会在某一方向中放大或缩小。步骤S5中,图像场8的大小亦可有***地依据图像场8的详细的分析和步骤S3中所测得的距离x1,x2,y1和y2而在一由此分析所导出的方向中有***地放大或缩小。例如,当步骤S3中所决定的距离x1,x2,y1和y2几乎等于图像场8的宽度的一半时,则软体即可确定:此图像场应放大,使得下一次在步骤S1中摄取试样-图像时总共有四个晶粒17位于图像场8中。图像场8的大小在步骤S5中所改变的范围亦可由先前的试样-图像相片的详细的分析而导出。
当步骤S4中的条件满足时,则最后在步骤S6中由图像测定装置4测得此晶圆6的表面32的图像,已测得的图像由资料读出装置14读出且在该处适当地继续处理及计算。特别是在以上述方式所测得的图像区域中藉助于原则上已为此行的专家所知悉的软体来发现晶圆表面上的巨观缺陷。就已发现缺陷的晶粒17或晶圆6的表面上的区段而言,在下一处理步骤中即可将此晶粒或区段剔除或作适当的再加工,直至可确保此晶粒或区段有令人满意的品质为止。
就像此行的专家可轻易地辨认者一样,上述的距离x1,x2,y1和y2在与图像场8的总宽度或长度相比较时可选择成较小,以确保图3b中的灰色明影区能可靠地位于实际上所测得的图像的内部中。
图5a和图5b是图像场区域的解析度最佳化之前和之后的对比。粗黑线表示已测得的图像场8的边缘,图像场8不再成像在图像测定装置4的CCD-晶片上。图5a的例子中,所测得的图像场8的宽度(在Y方向中)稍微大于四个晶粒17的宽度。因此,依据图5a只有四个晶粒17成像在CCD-晶片上。只有对图5a中四个灰色阴影区所示的晶粒17才可依据唯一的图像相片而可靠地寻找缺陷。对其它全部的晶粒17而言,需要至少二个图像相片,这样会使晶圆检测装置的处理速率减小且使图像计算的总耗费较昂贵。就图5a中四个灰色阴影区所示的晶粒17而言,图5a中所可达成的解析度(例如,以晶圆6上每单位长度的像素数目来测量)较小,此乃因所测得的图像场8的广大区域不能用于图像计算中。
图5a中Nx或Ny表示CCD-晶片的像素数目,其在解析度已选取时可用于沿着X-方向或Y-方向的唯一的晶粒17中。如图5a中所示,X-方向中的CCD-晶片大约包含3.5×Nx个像素,且Y-方向中的CCD-晶片大约包含4×Ny个像素。依据图5a,为了可靠地侦测各缺陷,这些像素中只可使用大约2Nx×2Ny=4Nx×Ny个像素。
图5b显示本发明中在图像场最佳化之后所测得的图像场8的大小以作为比较用 图5b中虚线21表示图像场最佳化之前此图像场的大小 在与图5a比较下,图5b的图像场8较小,使图5b中四个灰色阴影区所示的晶粒17的外部边缘和所测得的图像场8的边缘之间的距离(例如,以像素数目来测量)较小。灰色阴影区所示的晶粒和实际上所测得的图像场8的边缘之间的距离可依据图4中所述的方式而调整至一可预定的最小距离。
依据图5b,在与图5a比较时,X-方向和Y-方向中有更多的像素可用来侦测各缺陷,使像素解析度整体上可提高。在与图5a相比较时,图5b的解析度大约可提高1.8倍。
图6是图5a和图5b中已测得的图像场的解析度最佳化时的流程图。首先,在步骤S10中摄取此晶圆6的表面的试样-图像。然后,在已摄取的试样-图像中辨认各显着的结构(例如,图5a中所示的分隔区18)。因此,在图5a的试样-图像中可查明:全部四个晶粒17都位于分隔区18所预设的图像场8中。
然后,在步骤S11中确定此试样-图像中实际已达成的像素解析度。为了此一目的,须决定沿着X方向的二个分隔区18之间的像素数目Nx或沿着Y方向的二个分隔区18之间的像素数目Ny。只要图5a中一各别晶粒17的尺寸已知,则亦能以每单位长度的像素数目来计算实际上所达成的像素解析度。
然后,在步骤S12中检测:实际上所达成的像素解析度Res_Pixel(IST)是否具有一预设值。依据图6,此预设值以Res_Pixel(SOLL)来表示且等于一可达成的最小解析度+/-一可预设的容许度(tolerance)。
步骤S12中若已查明:X-方向和Y-方向中实际上所达成的像素解析度Res_Pixel(IST)未达到一预设值Res_Pixel(SOLL),则在步骤S13中须使图像场8的大小改变(即,放大或缩小),且回到步骤S10中以重新摄取一试样-图像。进行步骤S10至步骤S13的回路(loop),直至步骤S12中的条件满足(例如,已达成一种所期望的最小解析度)为止。然后,在步骤S14中由晶圆6的表面32测得一种图像,由资料读出装置读出此已测得的图像,然后藉助于一已为此行的专家所知悉的适当的图像处理软体来继续处理。最后,对各种缺陷和类似物进行检测。
图7和图8显示另一种进行方式,其可在步骤S11的范围中进行以决定实际上可达成的像素解析度。
当然,步骤S10至步骤S12的回路中亦可对各显着的结构(例如,分隔区18)至实际上已测得的图像场8的边缘的最小距离进行检测且使此距离最佳化。
依据图7,晶圆检测装置在一种学习模式中操作。步骤S10中在摄取此试样-图像之后,藉由跳跃至程式步骤A使晶粒-栅格(gitter)进入学习状态 为了此一目的,须输入各别晶粒的角隅(参阅图5a),这例如可藉由一数字键盘来输入或重复地以一种软体来输入,例如,以滑鼠来标记各晶粒-角隅以进行输入。步骤S21中,使实际上所测得的图像中具体的各像素配属于已进入学习状态中的各显着的结构,且在下一步骤S11中决定X-方向和Y-方向中实际上所达成的像素解析度。图7的进行方式特别适合用来以人工方式或半自动方式使图像场最佳化。
图8显示另一种进行方式,其在与步骤S11相组合下用来使图像场最佳化,首先,在步骤S10中摄取此试样-图像且跳跃至步骤S25中的程式步骤A后,在图像场8中须在试样-图像中辨认各显着的结构。于此,一种由先前技术中已为人所知的图样辨认软体可对此试样-图像进行搜索。然后,藉助于一种X-/Y-运行桌、步进马达或类似物、晶圆-摄像装置7而使晶圆6在X-方向中及/或Y-方向中运行一可预设的路段(步骤S26),然后,摄取第二试样-图像且在步骤S27中对应于步骤S25来对相同的结构进行搜索,以便在图像场8中辨认其已改变的位置。由像素数目(其对应于步骤S26中已在X-方向及/或Y-方向中运行的路段)可得知一种实际的像素大小(以每像素的长度来表示)。
由上述方式所测得的像素大小,则可在已测得的图像场8中推知一可达成的像素解析度。图像场8的大小可依据图6来改变,直至所期望的像素解析度达到为止。
就像此行的专家可轻易得知者一样,上述方法可以人工方式,半自动方式或全自动方式来进行,以便使图像场可最佳化地依据实际晶圆-处理的各别情况来调整。特别是可设定实际的图像场,使各别的晶粒或晶粒的分区最佳化,即,具有尽可能少的未使用的图像区(其中存在着实际的图像场);且使X-方向及/或Y-方向中的解析度最佳化;在晶片大小突然改变时(例如,在制造ASICs时),此图像场可快速地调整;藉由解析度的改变,则晶圆检测装置能以不同的速率或处理速率来操作或甚至可依据唯一的图像相片来搜寻此晶圆的整个表面。当然,本发明的方法亦可藉助于电脑程式来进行,电脑程式例如储存在电脑中或储存在机器可读取的资料载体上。
就像此行的专家可轻易得知者一样,本发明可进行多种修改和变化而不会偏离一般的解决方式和保护范围,保护范围由随后的申专利范围所决定。各种修改和变化因此未详细地一起包含在本发明的说明中。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何熟习此技艺者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
Claims (22)
1.一种晶圆检测用的方法,包括以下各步骤:
对晶圆(6)的表面的至少一区段(35)进行照明;
以图像测定装置(4)来测得此晶圆(6)的表面(32)的已照明的区段(35)的图像;
在已测得的图像中决定至少一图像区(17);
依据上述的至少一图像区(17)使图像测定装置(4)的图像场(8)的大小改变。
2.根据权利要求1所述的方法,其中图像场的大小的改变是藉由一物镜(5)的焦距的变更来达成。
3.根据权利要求2所述的方法,其中此物镜的焦距的变更是藉由另一物镜的摆动来达成。
4.根据权利要求2所述的方法,其中焦距藉由一变焦物镜(5)的移位来改变。
5.根据权利要求1至4项中任一所述的方法,其中须改变此图像场(8)的大小,使由至少一选定的图像区(17)所导出的大小(size)具有一预定值或使此已导出的大小最佳化。
6.根据权利要求5所述的方法,其中此预定值包含以下各值中的一值或多个值:至少一选定的图像区(17)至已测得的图像场(8)的边缘的距离(x1,x2,y1,y2),图像测定装置(4)的像素解析度(Res_Pixel),每一已测得的图像场(8)的晶粒的数目,已测得的图像场(8)的纵向-及/或横向中晶粒的数目以及一晶圆检测装置(1)每单位时间的处理速率。
7.根据权利要求5或6所述的方法,其中重复地使图像场(8)的大小改变,直至由至少一选定的图像区(17)所导出的大小具有一预定值或被最佳化时为止。
8.根据权利要求1至7项中任一所述的方法,其中至少一选定的图像区包含一个或多个晶粒(17)或即为晶粒(17)本身。
9.根据权利要求1至8项中任一所述的方法,其中至少一图像区的决定过程另外包括以下步骤:
进行一种图样辨认(S2),以决定此晶圆(6)的表面(32)上的各边缘及/或角隅区及/或预定的各结构及/或各标记。
10.根据权利要求1至8项中任一所述的方法,其中至少一图像区的决定过程另外包括以下步骤:
输入此晶圆(6)的表面(32)上的各边缘及/或角隅区及/或预定的各结构及/或各标记。
11.根据权利要求1至10项中任一所述的方法,其中此方法另外包括以下步骤:自动地决定一种由图像测定装置(4)所测得的图像的像素解析度。
12.一种晶圆检测用的装置,包括:
一顶部光-照明装置(2),用来对晶圆(6)的表面(32)进行照明;以及
一图像测定装置(4),其具有至少一物镜(5),以测得此晶圆(6)的表面(32)上的图像;其中可对至少一物镜来调整其焦距,使图像测定装置(4)的图像场(8)的大小可改变。
13.根据权利要求12所述的装置,其中设有多个不同焦距的物镜,相对应的物镜可摆动。
14.根据权利要求13所述的装置,其中物镜(5)是一种变焦物镜。
15.根据权利要求12至14项中任一所述的装置,其中设有一种资料读出装置(14),其设计成可读出此图像测定装置(4)所测得的图像的图象资料,且在已测得的图像中决定至少一图像区(17);以及
一控制装置(14),其依据至少一由资料读出装置(14)所决定的图像区(17)使图像测定装置(4)的图像场(8)的大小改变。
16.根据权利要求15所述的装置,其中控制装置(14)改变图像场(8)的大小,使得由至少一已决定的图像区(17)所导出的大小具有一预定值或使此已导出的大小最佳化。
17.根据权利要求16所述的装置,其中此控制装置(14)设计成使上述的预定值包含以下各值中的一值或多个值:至少一选定的图像区(17)至已测得的图像场(8)的边缘的距离(x1,x2,y1,y2),图像测定装置(4)的像素解析度(Res_Pixel),每一已测得的图像场(8)的晶粒的数目,已测得的图像场(8)的纵向-及/或横向中晶粒的数目以及一晶圆检测装置(1)每单位时间的处理速率。
18.根据权利要求16或17所述的装置,其中此控制装置(14)设计成可使图像场(8)的大小重复地改变,直至由至少一已决定的图像区(17)所导出的大小具有一预定值或使此已导出的大小最佳化时为止。
19.根据权利要求12至18项中任一所述的装置,其中资料读出装置(14)设计成使至少一已决定的图像区包含一个或多个晶粒(17)或此图像区即为晶粒本身。
20.根据权利要求12至19项中任一所述的装置,其中资料读出装置(14)设计成可进行一种图样辨认,以确定此晶圆(6)的表面(32)上的各边缘及/或角隅区及/或预定的各结构及/或各标记。
21.根据权利要求12至19项中任一所述的装置,其中资料读出装置(14)中可输入此晶圆(6)的表面(32)上的各边缘及/或角隅区及/或预定的各结构及/或各标记。
22.根据权利要求12至21项中任一所述的装置,其中资料读出装置(14)设计成可自动地决定图像测定装置(4)所测得的图像的像素解析度。
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