CN1794323A - 电流驱动器、数据驱动器、显示设备和电流驱动方法 - Google Patents

Abstract

一种电流驱动器包括具有第一和第二节点的栅极线、K个驱动晶体管、一个端子和一个电压生成部分。该端子接收第一电流。该电压生成部分根据第一电流的电流值生成偏置电压。该栅极线在第一和第二节点之一处接收由电压生成部分生成的偏置电压。该K个晶体管的栅极连接在栅极线的第一和第二节点之间。在电压生成部分中，在第一模式下，根据在K个驱动晶体管的第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节第一电流和偏置电压之间的关系，并且在第二模式下，根据在K个驱动晶体管的第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节第一电流和偏置电压之间的关系。

Description

电流驱动器、数据驱动器、显示设备和电流驱动方法

相关申请的交叉引用

在此通过参考引入2004年12月24日提交的日本专利申请No.2004-373076的全部公开内容，包括说明书、附图和权利要求书。

技术领域

本发明涉及一种电流驱动器和一种电流驱动方法，用于生成多个电流。

背景技术

为了驱动其中形成了诸如有机EL(电致发光)元件等的显示元件的大屏幕显示面板，需求一种能够生成多个驱动电流的电流驱动设备。因此，有了这样的情况，即，使用两个分离的半导体芯片来形成电流驱动设备，其中在每一个半导体芯片上包括一个电流驱动设备，并且这两个分离的半导体芯片彼此相邻地放置。

通常，形成在半导体芯片上的晶体管的特性随不同的半导体芯片而变化。例如，当提供多个半导体芯片时，即使向形成在该多个半导体芯片之一上的晶体管的栅极和形成在该多个半导体芯片之另一个上的晶体管的栅极都施加相同电压，从晶体管输出的漏极电流的相应电流值可能也是彼此不同的。而且，在使用不同制造工艺形成的半导体芯片之间，形成在半导体芯片上的相应晶体管的特性差异较大。

此外，即使在形成在单一半导体芯片上的晶体管之间，晶体管的特性也可能变化。例如，连续形成的多个晶体管的特性存在变化，并且因此，即使向多个晶体管中的每一个晶体管的栅极施加相同的栅极电压，在晶体管中流动的漏极电流的相应电流值也是不相同的。但是，彼此靠近地设置的晶体管的特性变化较小。也就是说，在连续形成的多个晶体管中流动的漏极电流的相应电流值呈现出一定的倾斜(slope)。

以下，将描述这样的情况，即，其中将在分开的半导体芯片上分别形成的电流驱动器A和电流驱动器B彼此相邻地放置，以形成电流驱动设备。该每一个电流驱动器A和B都包括连续设置成串联连接的多个晶体管(例如，图20中的驱动晶体管T104A-1至T104A-K)。

在这种情况下，每一个电流驱动器A和B中，来自形成在同一芯片上的且彼此相邻设置的多个晶体管中的两个晶体管(例如图20中的驱动晶体管T104A-1和T104A-2)的相应输出电流的电流值之间没有大的差异。

然而，如果电流驱动器A的晶体管和电流驱动器B的晶体管彼此相邻地设置，则来自相邻两个晶体管的输出电流的相应电流值之间存在大的差异(例如，图20中的驱动晶体管T104A-K和驱动晶体管T104B-1)。

如上所述，对于来自电流驱动设备的输出电流，在电流驱动器A和电流驱动器B之间的边界线周围的输出电流的电流值相差很大，并因此来自电流驱动设备的输出电流的相应电流值不一致(或没有显示出一定的倾斜)。因此，当使用这种输出电流驱动显示面板时，显示面板的亮度在边界线周围发生变化。

为了抑制这种输出电流的电流值之间的较大差异，常规地提出了一种电流驱动设备。

<已知的电流驱动设备>

在图20中示出了一种已知的电流驱动设备的整体配置(具有两芯片配置)。该电流驱动设备包括电流驱动器20A和20B。

下面将描述图20的电流驱动器20A和20B的相应配置。应注意到，电流驱动器20A和20B具有同样的配置，并因此将代表性地描述电流驱动器20A的配置。

电流驱动设备20A包括输入端子101LA和101RA、偏置电压生成部分202LA和202RA、驱动晶体管T104A-1至T104A-K、输出端子105A-1至105A-K以及控制部分206LA和206RA。

输入端子101LA和101RA从外部接收参考电流Iref。每一个偏置电压生成部分202LA和202RA向栅极线G203A输出偏置电压VbiasA，其电压值对应于供给到输入端子101LA和101RA的参考电流Iref的电流值。而且，根据控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P，调节输入到偏置电压生成部分202LA和202RA的参考电流Iref的电流值和从偏置电压生成部分202LA和202RA输出的偏置电压VbiasA的电压值之间的关系(也称为电流-电压转换能力)。每一个驱动晶体管T104A-1至T104A-K连接在接地节点和关联的输出端子105A-1至105A-K之一之间，并且每一个驱动晶体管T104A-1至T104A-K的栅极连接到栅极线G203A。因而，输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)分别在驱动晶体管T104A-1至T104A-K中流动。输出端子105A-1至105A-K将驱动晶体管T104A-1至T104A-K中流动的输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)输出到外部。根据来自外部的操作状态指令信号SA-B，将每一个控制部分206LA和206RA置于停止状态或驱动状态。在停止状态下，控制部分206LA(或控制部分206RA)不输出控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1和CTb-P。在驱动状态下，根据至偏置电压生成部分202LA(或偏置电压生成部分202RA)的数据信号DATA-A(1)(或栅极信号DATA-A(K))，控制部分206LA(或控制部分206RA)输出控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1和CTb-P。数据信号DATA-A(1)对应于从输出端子105A-1输出的输出电流Iout-A(1)的电流值。数据信号DATA-A(K)对应于从输出端子105A-K输出的输出电流Iout-A(K)的电流值。

<偏置电压生成部分的内部配置>

下面将描述图20的偏置电压生成部分202LA和202RA的内部配置。偏置电压生成部分202LA和202RA具有相同的内部配置，并因此将参照图21代表性地描述偏置电压生成部分202LA的内部配置。

偏置电压生成部分202LA包括P个电压生成晶体管T110-1至T110-P、P个选择晶体管Sa110-1至Sa110-P和P个选择晶体管Sb110-1至Sb110-P(其中P为自然数)。

控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P处于高(H)电平时，分别为激活选择晶体管Sa110-1至Sa110-P和选择晶体管Sb110-1至Sb110-P(即，N沟道晶体管)的电压，而其处于低(L)电平时，分别为去激活(negate)选择晶体管Sa110-1至Sa110-P和选择晶体管Sb110-1至Sb110-P(即，N沟道晶体管)的电压。

此外，控制信号CTa-1至CTa-P与控制信号CTb-1至CTb-P是一一对应的关系，并且当一个控制信号为H电平时，与其对应的另一个控制信号为L电平。

如上所述，可以增加/减少位于电流镜电路的输入端处的电压生成晶体管T110-1至T110-P中的电压生成晶体管的数目(即，其中栅极和漏极彼此连接且有参考电流Iref流动的电压生成晶体管的数目)，由此调节偏置电压生成部分的电流-电压转换能力。

<操作>

接下来，将描述图20的已知电流驱动设备(具有两芯片配置)的操作。

[电流驱动器20A]

在电流驱动器20A中，控制部分206LA接收指示“停止”的操作状态指令信号SA-B，控制部分206RA接收指示“驱动”的操作状态指令信号SA-B。因而，控制部分206LA置于停止状态。另一方面，控制部分206RA置于驱动状态，其中将对应于数据信号DATA-A(K)的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P输出到偏置电压生成部分202RA。

[电流驱动器20B]

在电流驱动器20B中，控制部分206LB接收指示“驱动”的操作状态指令信号SA-B，控制部分206RB接收指示“停止”的操作状态指令信号SA-B。因而，控制部分206LB置于驱动状态，其中将对应于数据信号DATA-B(1)的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P输出到偏置电压生成部分202LB。另一方面，控制部分206RB置于停止状态。

[驱动处理]

接下来，电流驱动器20A的输入端子101RA接收参考电流Iref。

然后，偏置电压生成部分202RA向栅极线G203A输出偏置电压VbiasA，其对应于供给到输入端子101RA的参考电流Iref的电流值。从而，输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)分别在驱动晶体管T104A-1至T104A-K中流动。

接着，输出端子105A-1至105A-K输出分别在驱动晶体管T104A-1至T104A-K中流动的输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)。

另一方面，电流驱动器20B的输入端子101LB接收参考电流Iref。

然后，偏置电压生成部分202LB向栅极线G203B输出偏置电压，其电压值对应于供给到输入端子101LB的参考电流Iref的电流值。从而，输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K)分别在驱动晶体管T104B-1至T104B-K中流动。

接着，输出端子105B-1至105B-K输出分别在驱动晶体管T104B-1至T104B-K中流动的输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K)。

[电流值测量处理]

接下来，测量从电流驱动器20A的输出端子105A-K输出的输出电流Iout-A(K)的电流值。同时，测量从电流驱动器20B的输出端子105B-1输出的输出电流Iout-B(1)的电流值。

[特性调节处理]

接下来，偏置电压生成部分202RA接收对应于输出电流Iout-A(K)的测量电流值的数据信号DATA-A(K)。因而，调节偏置电压生成部分202RA的电流-电压转换能力，使得改变输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)的电流值。

偏置电压生成部分202LB接收对应于测量的输出电流Iout-B(1)的电流值的数据信号DATA-B(1)。因而，调节偏置电压生成部分202LB的电流-电压转换能力，使得改变输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K)的电流值。

如上所述，利用分别设置在驱动晶体管T104A-1至T104A-K(或T104B-1至T104B-K)的第一个驱动晶体管和最后一个驱动晶体管处的偏置电压生成部分202LA和202RA(或202LB和202RB)，可以调节输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)(或Iout-B(1)至Iout-B(K))。而且，将对应于输出电流Iout-A(K)的电流值的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P供给到偏置电压生成部分202RA。从而，可以将输出电流Iout-A(K)的电流值设定为合适的值。另一方面，将对应于输出电流Iout-B(1)的电流值的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P供给到偏置电压生成部分202LB，并且可以将输出电流Iout-B(1)的电流值设定为合适的值。因而，可以使离电流驱动器20A和电流驱动器20B间的边界线最近的输出电流Iout-A(K)和Iout-B(1)的电流值彼此匹配。

然而，在图20的已知电流驱动器20A中，输入端子101LA、偏置电压生成部分202LA和控制部分206LA不是必需的。在图20的已知电流驱动器20B中，输入端子101RB、偏置电压生成部分202RB和控制部分206RB不是必需的。在每个已知的电流驱动器20A和20B中，不得不设置这些在操作中不是必需的部件，因此增加了电流驱动器的电路尺寸。

发明内容

根据本发明的第一方面，本发明的电流驱动器具有第一模式和第二模式。电流驱动器包括第一栅极线、K个驱动晶体管、第一输入端子和偏置电压生成部分(其中K为自然数)。该第一栅极线包括第一节点和第二节点。该K个驱动晶体管的每一个驱动晶体管连接在从其输出输出电流的输出节点和指示第一电压值的第一参考节点之间。该第一输入端子接收具有第一电流值的第一电流。该偏置电压生成部分生成其电流值对应于供给到第一输入端子的第一电流的电流值的偏置电压。第一栅极线在第一和第二节点中的任一个节点处接收由偏置电压生成部分生成的偏置电压。K个驱动晶体管的相应栅极连接在第一栅极线上的第一节点和第二节点之间。在偏置电压生成部分中，在第一模式下，根据在该K个驱动晶体管的第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节由偏置电压生成部分接收的电流的电流值和由偏置电压生成部分生成的偏置电压的电压值之间的关系，也称为电流-电压转换能力。而且，在第二模式下，根据在不同于第一驱动晶体管的该K个驱动晶体管的第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节电流-电压转换能力。

在本发明的电流驱动器中，在第一模式下，可以将第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值设定为希望的值，并且在第二模式下，可以将第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值设定为希望的值。假设使用分别设定为第一模式和第二模式的且彼此相邻布置的电流驱动器(即，电流驱动器A)和电流驱动器(即，电流驱动器B)。而且，假设设置在电流驱动器A中的第一驱动晶体管和设置在电流驱动器B中的第二驱动晶体管彼此靠近地设置。在这样的情况下，如果使设置在电流驱动器A中的第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值和设置在电流驱动器B中的第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值彼此匹配，则可以使来自电流驱动器A的输出电流的电流值和来自电流驱动器B的输出电流的电流值一致(或呈现一定的倾斜)。也就是说，在电流驱动器A和电流驱动器B之间的边界线周围的输出电流的相应电流值间没有大的差异。而且，与已知的电流驱动器不同，用于调节输出电流的电流值的分离部件没有必需设置在第一和第二驱动晶体管的每一个驱动晶体管中。因此，可以减小电流驱动器的电路尺寸。

优选地，使第一驱动晶体管的栅极位于第一栅极线的第一节点附近，并且使第二驱动晶体管的栅极位于第一栅极线的第二节点附近。

在本发明的电流驱动器中，K个驱动晶体管的相应栅极串联连接在第一和第二节点之间。假设使用分别设定为第一模式和第二模式的且彼此相邻布置的电流驱动器(即，电流驱动器A)和电流驱动器(即，电流驱动器B)。而且，假设在电流驱动器A的第一栅极线上设置的第一节点和在电流驱动器B的第一栅极线上设置的第二节点彼此靠近地设置。在这样的情况下，如果使设置在电流驱动器A中的第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值和设置在电流驱动器B中的第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值彼此匹配，则可以使从电流驱动器A输出的输出电流的电流值和从电流驱动器B输出的输出电流的电流值一致(或呈现一定的倾斜)。

优选地，偏置电压生成部分包括P个电压生成晶体管(其中P为自然数)。该P个电压生成晶体管并联连接在第一输入端子和第一参考节点之间。该P个电压生成晶体管的每一个电压生成晶体管具有彼此连接的栅极和漏极。第一栅极线在第一和第二节点中的任一个节点处接收在P个电压生成晶体管的每一个电压生成晶体管中生成的栅极电压。在第一模式下，根据在第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节电压生成晶体管的数目P。而且，在第二模式下，根据在第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节电压生成晶体管的数目P。

在本发明的电流驱动器中，可以增加/减少电压生成晶体管的数目，由此调节偏置电压生成部分的电流-电压转换能力。

优选地，本发明的电流驱动器还包括连接部分。在P个电压生成晶体管中的X个电压生成晶体管的每一个中，连接部分连接其栅极和漏极，其中X为自然数且X≤P。在第一模式下，根据在第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节其中栅极和漏极通过连接部分彼此连接的电压生成晶体管的数目X。而且，在第二模式下，根据在第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节其中栅极和漏极通过连接部分彼此连接的电压生成晶体管的数目X。第一栅极线在第一和第二节点中的任一个节点处接收在其中栅极和漏极通过连接部分彼此连接的X个电压生成晶体管的每一个栅极中生成的栅极电压。

在本发明的电流驱动器中，连接部分连接电压生成晶体管的栅极和漏极。因此，如果从外部控制连接部分的操作，则可以从外部调节偏置电压生成部分的电流-电压转换能力。例如，即使在将电流驱动器安装在显示面板等上之后，也可以适当地调节偏置电压生成部分的电流-电压转换能力。

优选地，本发明的电流驱动器还包括控制部分。该控制部分从P个电压生成晶体管中选择X个电压生成晶体管，其中X是自然数且X≤P。而且，在第一模式下，根据在第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，控制部分从P个电压生成晶体管中选择X个电压生成晶体管。在第二模式下，根据在第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，控制部分从P个电压生成晶体管中选择X个电压生成晶体管。在由控制部分选择的X个电压生成晶体管的每一个中，连接部分连接其栅极和漏极。

在本发明的电流驱动器中，控制部分调节其中栅极和漏极通过连接部分连接的电压生成晶体管的数目。因此，如果从外部控制控制部分的操作，则可以从外部调节偏置电压生成部分的电流-电压转换能力。例如，即使在将电流驱动器安装在显示面板等上之后，也可以适当地调节偏置电压生成部分的电流-电压转换能力。

优选地，本发明的电流驱动器还包括存储部分。该存储部分存储指示要由控制部分从P个电压生成晶体管中选择的电压生成晶体管的信息。控制部分从P个电压生成晶体管中选择由存储在存储部分中的信息指示的X个电压生成晶体管。

在本发明的电流驱动器中，根据存储部分中存储的信息，控制部分调节其中栅极和漏极通过连接部分被连接的电压生成晶体管的数目。因此，从外部控制控制部分不是必需的。例如，在将电流驱动器安装在显示面板等上之后，从外部控制控制部分是不必要的。而且，通过适当地重写存储在存储部分中的信息，可以适当地调节偏置电压生成部分的电流-电压转换能力。

优选地，存储部分包括多个熔断器。控制部分具有条件固定模式和模拟模式。在条件固定模式下，根据关于熔断器是熔断还是未熔断的熔断器的状态，控制部分从P个电压生成晶体管中选择X个电压生成晶体管。而且，在模拟模式下，控制部分模拟关于熔断器是熔断还是未熔断的熔断器的状态，由此从P个电压生成晶体管中选择X个电压生成晶体管。

优选地，本发明的电流驱动器还包括电流供给部分。在第一模式下，电流供给部分供给第一电流。偏置电压生成部分生成其电压值对应于从电流供给部分供给的第一电流的电流值的偏置电压。在第二模式下，第一输入端子从外部接收电流。偏置电压生成部分生成其电压值对应于供给到第一输入端子的电流的电流值的偏置电压。

在本发明的电流驱动器中，当使用分别设定为第一模式和第二模式的且彼此相邻布置的电流驱动器(即，电流驱动器A和电流驱动器B)时，电流驱动器B的第一输入端子可以接收从电流驱动器A的电流供给部分供给的第一电流。也就是说，电流驱动器A操作为主驱动器，电流驱动器B操作为从驱动器。以此方式，本发明的电流驱动器可以作为主驱动器和从驱动器中的每一个执行操作。也就是说，可以按一系列制造工艺步骤形成主驱动器和从驱动器。从而，可以使用通过同一工艺形成的两个电流驱动器，以便可以减小半导体芯片之间的晶体管特性的变化。

优选地，电流供给部分包括第二输入端子、电压-电流转换部分、输出端子、设定晶体管、第一供给晶体管、第二供给晶体管和第二栅极线。该设定晶体管连接在指示第二电压值的第二参考节点和电压-电流转换部分之间，并具有彼此连接的栅极和漏极。该第一供给晶体管连接在第二参考节点和输出端子之间。该第二供给晶体管连接在第二参考节点和偏置电压生成部分之间。设定晶体管的栅极、第一供给晶体管的栅极和第二供给晶体管的栅极连接到该第二栅极线。在第一模式下，第二输入端子接收具有预定电压值的参考电压。电压-电流转换部分生成其电流值对应于供给到第二输入端子的参考电压的电压值的第一电流。输出端子输出在第一供给晶体管中流动的第一电流。偏置电压生成部分生成其电压值对应于在第二供给晶体管中流动的第一电流的电流值的偏置电压。在第二模式下，第一输入端子从外部接收电流。偏置电压生成部分生成其电压值对应于供给到第一输入端子的电流的电流值的偏置电压。

在本发明的电流驱动器中，当使用分别设定为第一模式和第二模式的且彼此相邻布置的电流驱动器(即，电流驱动器A和电流驱动器B)时，电流驱动器A中设置的偏置电压生成部分接收在第二供给晶体管中流动的电流(即，第一电流)，并生成其电压值对应于第一电流的电流值的偏置电压。而且，在电流驱动器A中设置的输出端子输出第一供给晶体管中流动的电流(即，第一电流)。另一方面，在电流驱动器B中设置的偏置电压生成部分接收供给到第一输入端子的电流，并生成其电压值对应于电流的电流值的偏置电压。在这种情况下，电流驱动器B中设置的第一输入端子可以接收从电流驱动器A的输出端子输出的第一电流。

优选地，本发明的电流驱动器还包括切换元件。该切换元件连接在第二栅极线和第二参考节点之间。而且，该切换元件在第一模式下截止，而在第二模式下导通。

在本发明的电流驱动器中，在第一模式下，第二栅极线的电压的电压值等于设定晶体管的栅极中生成的栅极电压的电压值。另一方面，在第二模式下，第二栅极线的电压的电压值等于第二参考节点的电压值。从而，在第一模式下，设定晶体管和第一及第二供给晶体管一起操作为电流镜电路，而在第二模式下，不操作为电流镜电路。因此，在第二模式下，偏置电压生成部分可以避开接收第二供给晶体管中流动的电流。

优选地，本发明的电流驱动器还包括切换元件。该切换元件连接在第二供给晶体管和偏置电压生成部分之间。而且，切换元件在第一模式下导通，而在第二模式下截止。

在本发明的电流驱动器中，在第一模式下，偏置电压生成部分连接到第二供给晶体管。另一方面，偏置电压生成部分不连接到第二供给晶体管。因此，在第二模式下，偏置电压生成部分可以避开接收第二供给晶体管中流动的电流。

优选地，第二栅极线包括第三节点、第四节点、第五节点和第六节点。第五节点设置在第三节点和第四节点之间。第六节点设置在第四节点和第五节点之间。设定晶体管的栅极连接到第三节点。第一供给晶体管的栅极连接到第五节点。第二供给晶体管的栅极连接到第四节点。本发明的电流驱动器还包括漏极电流生成部分、第一切换元件、第二切换元件、第三切换元件和第四切换元件。该漏极电流生成部分生成第二电流，其电流值对应于由偏置电压生成部分生成的偏置电压的电压值。第一切换元件连接在第二栅极线上的第三节点和第五节点之间。第二切换元件连接在第七节点和偏置电压生成部分之间。第七节点设置在第二供给晶体管和偏置电压生成部分之间。第三切换元件连接在第六节点和第七节点之间。第四切换元件连接在第七节点和漏极电流生成部分之间。在第一模式下，第一和第二切换元件导通，且第三和第四切换元件截止。在第二模式下，第一和第二切换元件截止，且第三和第四切换元件导通。在漏极电流生成部分中，调节由漏极电流生成部分本身接收的偏置电压的电压值和由漏极电流生成部分本身生成的第二电流的电流值之间的关系。

在本发明的电流驱动器中，当将电流驱动器设定为第一模式时，第一和第二供给晶体管的每一个栅极连接到设定晶体管的栅极。从而，电流镜由设定晶体管和第一及第二供给晶体管形成，使得输出端子接收第一电流。偏置电压生成部分连接到第二供给晶体管的漏极。从而，偏置电压生成部分接收第二供给晶体管中流动的第一电流，并生成其电压值对应于第一电流的电流值的偏置电压。而且，当将驱动电流器设定为第二模式时，偏置电压生成部分接收供给到第一输入端子的电流，并生成其电压值对应于电流的电流值的偏置电压。漏极电流生成部分生成其电流值对应于偏置电压的电压值的第二电流。第二供给晶体管的漏极连接到漏极电流生成部分。从而，由漏极电流生成部分生成的第二电流在第一供给晶体管中流动。而且，第二供给晶体管的栅极和漏极彼此连接，电流镜电路由第一和第二供给晶体管形成。因而，输出端子输出第一供给晶体管中流动的第二电流。

优选地，漏极电流生成部分包括Q个电流生成晶体管(其中Q为自然数)。该Q个电流生成晶体管并联连接在第四切换元件和第一参考节点之间。该Q个电流生成晶体管的每一个电流生成晶体管在其栅极处接收由偏置电压生成部分生成的偏置电压。根据在第一和第二驱动晶体管的每一个中流动的输出电流的电流值，调节电流生成晶体管的数目Q。

在本发明的电流驱动器中，可以增加/减少电流生成晶体管的数目，由此调节漏极电流生成部分的电流-电压特性。

根据本发明的第二方面，一种数据驱动器包括设定为第一模式的本发明的电流驱动器、设定为第二模式的本发明的电流驱动器、选择部分和驱动电流输出端子。该选择部分从由设定为第一模式的电流驱动器输出的K个输出电流和由设定为第二模式的电流驱动器输出的K个输出电流中选择N个输出电流(其中N为自然数且N≤2K)。该输出端子将通过对选择部分所选择的N个输出电流求和所得到的电流作为驱动电流输出。显示数据指示灰度级。

在本发明的数据驱动器中，设定为第一模式的电流驱动器和设定为第二模式的电流驱动器输出具有一致电流值的输出电流。从而，选择部分可以以高精度生成其电流值对应于由显示数据表示的灰度级的驱动电流。

根据本发明的第三方面，一种显示设备包括本发明的数据驱动器和显示面板。该显示面板由数据驱动器输出的驱动电流来驱动。

在本发明的显示设备中，数据驱动器输出其电流值对应于由显示数据表示的灰度级的驱动电流。从而可以以高精度驱动显示面板。

根据本发明的第四方面，提供一种用于驱动电流驱动器的电流驱动方法。该电流驱动器包括第一栅极线、K个驱动晶体管(其中K为自然数)、第一输入端子和偏置电压生成部分。该第一栅极线包括第一节点和第二节点。该K个驱动晶体管连接在从其供给输出电流的输出节点和指示第一电压值的第一参考节点之间。该第一输入端子接收具有预定电流值的第一电流。该偏置电压生成部分生成其电压值对应于供给到第一输入端子的第一电流的电流值的偏置电压。该第一栅极线在第一和第二节点中的任一个节点处接收由偏置电压生成部分生成的偏置电压。该K个驱动晶体管的相应栅极连接在第一节点和第二节点之间。本发明方法具有第一模式和第二模式。该方法包括步骤a)和步骤b)。在步骤a)中，在第一模式下，测量在K个驱动晶体管的第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值。而且，在步骤a)中，在第二模式下，测量在不同于第一驱动晶体管的K个驱动晶体管中的第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值。此外，在步骤b)中，根据步骤a)中的输出电流的测量电流值，调节由偏置电压生成部分接收的第一电流值和由偏置电压生成部分生成的偏置电压的电压值之间的关系(也称为电流-电压转换能力)。

根据本发明方法，在第一模式下，可以将第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值设定为希望的值，以及在第二模式下，可以将第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值设定为希望的值。现在，假设使用分别设定为第一模式和第二模式的且彼此相邻布置的电流驱动器(即，电流驱动器A和电流驱动器B)。而且，假设在电流驱动器A中设置的第一驱动晶体管和在电流驱动器B中设置的第二驱动晶体管彼此靠近地设置。在这样的情况下，如果使在电流驱动器A中设置的第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值和在电流驱动器B中设置的第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值彼此匹配，则可以使从电流驱动器A输出的输出电流的电流值与从电流驱动器B输出的输出电流的电流值一致(或呈现一定的倾斜)。也就是说，在电流驱动器A和电流驱动器B之间的边界线周围，输出电流的电流值彼此没有大的差异。此外，与已知的电流驱动器不同，用于调节输出电流的电流值的分离部件不是必须设置在第一和第二驱动晶体管的每一个驱动晶体管中。因此，可以减小电流驱动器的电路尺寸。

优选地，偏置电压生成部分包括P个电压生成晶体管，其中P为自然数。该P个电压生成晶体管并联连接在第一输入端子和第一参考节点之间。该P个电压生成晶体管的每一个的栅极和漏极彼此连接。第一栅极线在第一和第二节点中的任一个节点处接收在P个电压生成晶体管的每一个电压生成晶体管中生成的栅极电压。在步骤b)中，在第一模式下，根据在第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，优选地调节电压生成晶体管的数目P。而且，在步骤b)中，在第二模式下，根据在第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，优选地调节电压生成晶体管的数目P。

优选地，本发明方法还包括步骤c)。在该步骤c)中，将从P个电压生成晶体管中选择的X个电压生成晶体管的每一个的栅极和漏极进行连接，其中X为自然数且X≤P。而且，在步骤c)中，在第一模式下，根据在第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节其中栅极和漏极彼此连接的电压生成晶体管的数目X。此外，在步骤c)中，在第二模式下，根据在第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节该数目X。另外，该第一栅极线在第一和第二节点中的任一个节点处，接收在步骤c)中其栅极和漏极被彼此连接的X个电压生成晶体管的每一个相应栅极中生成的栅极电压。

优选地，本发明方法还包括步骤d)。在步骤d)中，在第一模式下，根据在第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，从P个电压生成晶体管中选择X个电压生成晶体管，其中X为自然数且X≤P。而且，在步骤d)中，在第二模式下，根据在第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，从P个电压生成晶体管中选择X个电压生成晶体管。在步骤c)中，在步骤d)中选择的X个电压生成晶体管的每一个中，优选地将该X个电压生成晶体管的每一个的栅极和漏极彼此连接。

优选地，本发明方法还包括步骤e)。在步骤e)中，在存储介质中，存储指示要在步骤d)中从P个电压生成晶体管中选择出的电压生成晶体管的信息。在步骤d)中，优选地根据在步骤e)中存储在存储介质中的信息，从P个电压生成晶体管中选择X个电压生成晶体管。

附图说明

图1是说明根据本发明第一实施例的电流驱动器的整体配置的示图。

图2说明根据本发明第一实施例的驱动设备的整体配置的示图。

图3A和图3B是表示驱动晶体管和其输出电流的电流值之间的关系的曲线。

图4是说明偏置电压生成部分102的示例性内部配置的示图。

图5是说明根据本发明第二实施例的电流驱动器的整体配置的示图。

图6是说明根据本发明第二实施例的电流驱动设备的整体配置的示图。

图7是说明根据本发明的第三实施例的电流驱动器的整体配置的示图。

图8是说明根据本发明的第四实施例的电流驱动器的整体配置的示图。

图9是说明根据本发明的第四实施例的电流驱动设备的整体配置的示图。

图10是说明根据本发明的第五实施例的电流驱动器的整体配置的示图。

图11是说明根据本发明第六实施例的电流驱动器的整体配置的示图。

图12是说明根据本发明第六实施例的改进示例的电流驱动器的整体配置的示图。

图13是说明根据本发明第七实施例的电流驱动器的整体配置的示图。

图14是说明图13所示的漏极电流生成部分的内部配置的示图。

图15是说明根据本发明第七实施例的电流驱动设备的整体配置的示图。

图16A和图16B是示出了驱动晶体管和其输出电流的电流值之间的关系的曲线。

图17是说明根据本发明第七实施例的改进示例的电流驱动器的整体配置的示图。

图18是说明图17所示的漏极电流调节部分的内部配置的示图。

图19是说明根据本发明的第八实施例的电流驱动器的整体配置的示图。

图20是说明一种已知电流驱动器的整体配置的示图。

图21是说明图20所示的偏置电压生成部分的内部配置的示图。

具体实施方式

以下，将参照附图详细地描述本发明的实施例。在附图中用相同的参考标号表示相同或相似的部件，并且不再重复其描述。

(第一实施例)

<整体配置>

下面将描述根据本发明的第一实施例的电流驱动器1的整体配置。电流驱动器1生成输出电流Iout-(1)至Iout-(K)，其电流值对应于来自外部的参考电流Iref。电流驱动器1包括输入端子101、偏置电压生成部分102、K个驱动晶体管T104-1至T104-K和输出端子105-1至105-K(其中K为自然数)。

输入端子101从外部接收参考电流Iref。偏置电压生成部分102输出偏置电压Vbias，其电压值对应于供给到输入端子101的参考电流Iref的电流值。此外，在偏置电压生成部分102中，根据控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P(其中P为自然数)，设定在由偏置电压生成部分102接收的参考电流Iref的电流值和从偏置电压生成部分102输出的偏置电压Vbias的电压值之间的关系(电流-电压转换能力)。驱动晶体管T104-1连接在输出端子105-1和接地节点之间，并且其栅极连接到栅极线G103。因而，其电流值对应于偏置电压Vbias的输出电流Iout-(1)在驱动晶体管T104-1中流动。以同样的方式，每一个驱动晶体管T104-2至T104-K连接在接地节点和关联的输出端子105-2至105-K之一之间，并且其栅极连接到栅极线G103。因而，其电流值对应于偏置电压Vbias的电压值的输出电流Iout-(2)至Iout-(K)分别在驱动晶体管T104-2至T104-K中流动。输出端子105-1将驱动晶体管T104-1中流动的输出电流Iout-(1)输出到外部。以与输出端子105-1相同的方式，输出端子105-2至105-K将驱动晶体管T104-2至T104-K中流动的输出电流Iout-(2)至Iout-(K)输出到外部。

在这种情况下，假设电流驱动器1形成在单一半导体芯片上。

<偏置电压生成部分102>

图1的偏置电压生成部分102包括P个电压生成晶体管T110-1至T110-P、P个选择晶体管Sa110-1至Sa110-P、和P个选择晶体管Sb110-1至Sb110-P(其中P为自然数)。

选择晶体管Sa110-1至Sa110-P串联连接在栅极线G103和接地节点之间。选择晶体管Sa110-1连接在栅极线G103和节点N110-1之间，并且在其栅极处接收来自外部的控制信号CTa-1。选择晶体管Sb110-1连接在节点N110-1和接地节点之间，并且在其栅极处接收来自外部的控制信号CTb-1。每一个选择晶体管Sa110-2至Sa110-P和关联的选择晶体管Sb110-2至Sb110-P之一，以与选择晶体管Sa110-1和Sb110-1相同的方式，串联连接在栅极线G103和接地节点之间。每一个选择晶体管Sa110-2至Sa110-P，以与选择晶体管Sa110-1相同的方式，连接在栅极线G103和关联的节点N110-2至N110-P之一之间，并且在其栅极处接收关联的控制信号CTa-2至CTa-P之一。每一个选择晶体管Sb110-2至Sb110-P，以与选择晶体管Sb110-1相同的方式，在其栅极处接收关联的来自外部的控制信号CTb-2至CTb-P之一。

电压生成晶体管T110-1连接在栅极线G103和接地节点之间，并且其栅极连接到节点N110-1。每一个电压生成晶体管T110-2至T110-P，以与电压生成晶体管T110-1相同的方式，连接在栅极线G103和接地节点之间并且其栅极连接到关联的节点N110-2至N110-P之一。

当控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P处于H电平时，分别为激活选择晶体管Sa110-1至Sa110-P和选择晶体管Sb110-1至Sb110-P(即，N沟道晶体管)的电压，而当其处于L电平时，分别为去激活选择晶体管Sa110-1至Sa110-P和选择晶体管Sb110-1至Sb110-P的电压。

控制信号CTa-1至CTa-P与控制信号CTb-1至CTb-P为一一对应的关系，并且当一个控制信号为H电平时，与其对应的另一个控制信号为L电平。

在偏置电压生成部分102中，通过控制信号CTa-1至CTa-P与控制信号CTb-1至CTb-P，调节电压生成晶体管T110-1至T110-P中其栅极和漏极彼此连接并且有参考电流Iref流动的电压生成晶体管的数目。

<操作>

下面将描述图1的电流驱动器1的操作。由电流驱动器1执行的操作包括：设定处理，在其中设定电流驱动器1的操作状态；驱动处理，在其中驱动电流驱动器1；电流值测量处理，在其中测量一定输出电流的电流值；和特性调节处理，在其中调节偏置电压生成部分102的电流-电压(I-V)特性。

[设定处理]

首先，将电流驱动器1设定为操作状态A和操作状态B中任一个状态。

《操作状态A》

首先，将描述其中将电流驱动器1设定为操作状态A的情况。

当将电流驱动器1设定为操作状态A时，设置在电流驱动器1中的偏置电压生成部分102被置于这样的状态，即，其中电流驱动器1接收与输出电流Iout-(K)的电流值对应的控制信号CTa-1至CTa-P与控制信号CTb-1至CTb-P。

[驱动处理]

其次，输出端子101接收参考电流Iref。

接着，偏置电压生成部分102接收控制信号CTa-1至CTa-P与控制信号CTb-1至CTb-P。在这种情况下，假设控制信号CTa-1至CTa-5与控制信号CTb-6至CTb-P处于H电平，并且控制信号CTa-6至CTa-P与控制信号CTb-1至CTb-5处于L电平。

接下来，偏置电压生成部分102生成偏置电压Vbias，其具有自身电流-电压转换能力以及与参考电流Iref的电流值对应的电压值。在这种情况下，选择晶体管Sa110-1至Sa110-5和选择晶体管Sb110-6至Sb110-P变为激活(active)，且选择晶体管Sa110-6至Sa110-P和选择晶体管Sb110-1至Sb110-5变为去激活(inactive)。从而，每一个电压生成晶体管T110-1至T110-5的相应栅极连接到栅极线G103。此外，每一个电压生成晶体管T110-6至T110-P的相应栅极连接到接地节点。因而，在电压生成晶体管T110-1至T110-5中，有供给到输出端子101的参考电流Iref流动，并且在电压生成晶体管T110-1至T110-5的相应栅极处生成其电压值对应于参考电流Iref的栅极电压。

接着，栅极线G103接收在电压生成晶体管T110-1至T110-5的相应栅极处生成的栅极电压的总电压作为偏置电压Vbias。在驱动晶体管T104-1至T104-K中，分别有输出电流Iout-(1)至Iout-(K)流动，其电流值对应于供给到栅极线G103的偏置电压Vbias。

因而，输出端子105-1至105-K分别输出驱动晶体管T104-1至T104-(K)中流动的输出电流Iout-(1)至Iout-(K)。

[电流值测量处理]

下面，测量从输出端子105-K输出的输出电流Iout-(K)的电流值。例如，利用测试器等测量输出电流Iout-(K)的电流值。

[特性调节处理]

下面，偏置电压生成部分102接收与从输出端子105-K输出的输出电流Iout-(K)的电流值相对应的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。在这种情况下，当输出电流Iout-(K)的电流值小于希望的电流值时，向偏置电压生成部分102供给控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P，以用于减少电压生成晶体管T110-1至T110-P中其栅极和漏极彼此连接并且有参考电流Iref流动的电压生成晶体管的数目。例如，在这种情况下，控制信号CTa-1至CTa-3和控制信号CTb-4至CTb-P呈现H电平，并且控制信号CTa-4至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-3呈现L电平。另一方面，当输出电流Iout-(K)的电流值大于参考值时，向偏置电压生成部分102供给控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P，以用于增加电压生成晶体管T110-1至T110-P中其栅极和漏极彼此连接并且有参考电流Iref流动的电压生成晶体管的数目。

如上所述，调节电压生成晶体管T110-1至T110-P中在栅极处生成栅极电压的电压生成晶体管的数目，由此提高/降低从偏置电压生成部分102输出的偏置电压Vbias的电压值。具体地说，当输出电流Iout-(K)的电流值小于参考值时，提高偏置电压Vbias的电压值。当输出电流Iout-(K)的电流值大于参考值时，降低偏置电压的电压值。

因而，当将电流驱动器1设定为操作状态A时，可以将从输出端子105-K输出的输出电流Iout-(K)的电流值设定为参考值。

《操作状态B》

接下来，将描述其中将电流驱动器1设定为操作状态B的情况。

当把电流驱动器1设定为操作状态B时，偏置电压生成部分102变为这样的状态，即，其中偏置电压生成部分102接收对应于输出电流Iout-(1)的电流值的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。

[驱动处理]

接下来，执行与操作状态A中的处理相同的处理，并且输出端子105-1至105-K分别输出驱动晶体管T104-1至T104-K中流动的输出电流Iout-(1)至Iout-(K)。

[电流值测量处理]

接下来，测量从输出端子105-1输出的输出电流Iout-(1)的电流值。

[特性调节处理]

接下来，偏置电压生成部分102接收与从输出端子105-1输出的输出电流Iout-(1)的电流值对应的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。当输出电流Iout-(1)的电流值小于希望的电流值(参考值)时，向偏置电压生成部分102供给控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P，以用于减少电压生成晶体管T110-1至T110-P中其栅极和漏极彼此连接并且有参考电流Iref流动的电压生成晶体管的数目。另一方面，当输出电流Iout-(1)的电流值大于参考值时，向偏置电压生成部分102供给控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P，以用于增加电压生成晶体管T110-1至T110-P中其栅极和漏极彼此连接并且有参考电流Iref流动的电压生成晶体管的数目。

因而，当把电流驱动器1设定为操作状态B时，可以将从输出端子105-1输出的输出电流Iout-(1)的电流值设定为参考值。

<电流驱动设备>

在图2中示出了根据本发明的第一实施例的电流驱动设备11的整体配置。驱动设备2包括参考电流供给部分1C和两个电流驱动器1A和1B。参考电流供给部分1C将参考电流Iref供给到每一个电流驱动器1A和1B。每一个电流驱动器1A和1B具有与图1的电流驱动器1的配置相同的配置。电流驱动器1A设定为操作状态A。电流驱动器1B设定为操作状态B。

<参考电流供给部分1C的内部配置>

参考电流供给部分1C包括输入端子121、差分放大器电路D122、设定晶体管T123L、供给晶体管T123RA和T123RB、调节晶体管T124以及负载电阻R125。

内部端子121接收来自外部的参考电压Vref。供给晶体管T123L、调节晶体管T124和负载电阻R125串联连接在电源节点和接地节点之间。供给晶体管T123L连接在电源节点和调节晶体管T124之间，并且供给晶体管T123L的栅极和漏极彼此连接。调节晶体管T124连接在供给晶体管T123L和负载电阻R125之间，并且调节晶体管T124的栅极连接到差分放大器电路D122的输出端子。负载电阻R125具有预定电阻值，并且连接在调节晶体管T124和接地节点之间。差分放大器电路D122的一个输入端子连接到输入端子121，另一个输入端子连接到节点N124，该节点N124设置在调节晶体管T124和负载电阻R125之间，差分放大器电路D122的输出端子连接到调节晶体管T124的栅极。差分放大器电路D122、调节晶体管T124和负载电阻R125一起形成电压-电流转换电路，并生成参考电流Iref，其电流值对应于输入到输入端子121的参考电压Vref的电压值。由电压-电流转换电路生产的参考电流Iref在设定晶体管T123L中流动。从而，在设定晶体管T123L的栅极中生成其电压值对应于参考电流Iref的电流值的栅极电压。

供给晶体管T123RA连接在电源节点和电流驱动器1A的输入端子101A之间，并且在其栅极处接收设定晶体管T123L的栅极中生成的栅极电压。供给晶体管T123RB连接在电源节点和电流驱动器1B的输入端子101B之间，并且在其栅极处接收设定晶体管T123L的栅极中生成的栅极电压。

在这种情况下，假设供给晶体管T123RA和T123RB具有与设定晶体管T123L相同或基本相同的晶体管特性(即，在晶体管的栅极处接收的电压的电压值和在晶体管中流动的漏极电流的电流值之间的关系相同)。因此，参考电流Iref(具有与参考电流Iref相等或基本相等的电流值的漏极电流)在每一个供给晶体管T123RA和T123RB中流动。

<大型电流驱动设备的操作>

接下来，将描述图2的电流驱动设备11的操作。

[参考电流供给部分1C]

首先，输入端子121接收来自外部的参考电压Vref。由差分放大器电路D122、调节晶体管T124和负载电阻R125形成的电压-电流转换电路生成参考电流Iref，其电流值对应于参考电压Vref的电压值。由电压-电流转换电路生成的参考电流Iref在设定晶体管T123L中流动。

接着，由设定晶体管T123L和供给晶体管T123RA和T123RB形成的电流镜电路将参考电流Iref供给到电流驱动器1A的输入端子101A和电流驱动器1B的输入端子101B的每一个中。

[电流驱动器1A]

接下来，电流驱动器1A执行与图1的电流驱动器1相同的处理(即，驱动处理(操作状态A))。因此，偏置电压生成部分102A生成偏置电压VbiasA，其电压值对应于供给到输入端子101A的参考电流Iref的电流值。输出端子105A-1至105A-K输出输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)，其电流值对应于偏置电压VbiasA的电压值。

接下来，在电流驱动器1A中，执行与图1的电流驱动器1相同的操作(即，电流值测量处理(操作状态A))。因而，测量输出电流Iout-A(K)的电流值。

[电流驱动器1B]

电流驱动器1B执行与图1的电流驱动器1相同的处理(即，驱动处理(操作状态B))。因而，偏置电压生成部分102B生成偏置电压VbiasB，其电压值对应于供给到输入端子101B的参考电流Iref的电流值。输出端子105B-1至105B-K分别输出对应于偏置电压VbiasB的电压值的输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K)。

接下来，在电流驱动器1B中，执行与图1的电流驱动器1相同的操作(即，电流值测量处理(操作状态B))。因而，测量输出电流Iout-B(1)的电流值。

在这种情况下，假设每一个驱动晶体管T104A-1至T104A-K和驱动晶体管T104B-1至T104B-K与关联的在驱动晶体管中流动的输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)和Iout-B(1)至Iout-B(K)的相应电流值之一之间的关系如图3A所示。在这种情况下，在驱动晶体管T104A-K中流动的输出电流Iout-A(K)的电流值和在电流驱动器1B的驱动晶体管T104B-1中流动的输出电流Iout-B(1)的电流值之间存在大的差异。

[电流驱动器1A]

接下来，电流驱动器1A执行与图1的电流驱动器1相同的操作(即，特性调节处理(操作状态A))。具体地说，电流驱动器1A的偏置电压生成部分102A重新接收对应于与测量的输出电流Iout-A(K)的电流值对应的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。在这种情况(即，图3A的情况)下，重新向电流驱动器1A的偏置电压生成部分102A供给控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P，以用于增加电压生成晶体管T110-1至T110-P中其栅极和漏极彼此连接并且有参考电流Iref流动的电压生成晶体管的数目。从而，降低了从偏置电压生成部分102A输出到栅极线G103A的偏置电压VbiasA的电压值。因而，如图3B所示，降低了在驱动晶体管T104A-1至T104A-K中流动的输出电流Iout-(1)至Iout-(K)的相应电流值。

[电流驱动器1B]

电流驱动器1B执行与图1的电流驱动器1相同的操作(即，特性调节处理(操作状态B))。具体地说，电流驱动器1B的偏置电压生成部分102B重新接收与测量的输出电流Iout-B(1)的电流值对应的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。在这种情况(即，图3A的情况)下，向电流驱动器1B的偏置电压生成部分102B重新供给控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P，以用于减少晶体管T110-1至T110-P中其栅极和漏极彼此连接并且有参考电流Iref流动的晶体管的数目。从而，提高了从偏置电压生成部分102B输出到栅极线G103的偏置电压VbiasB的电压值。因而，如图3B所示，提高了在驱动晶体管T104B-1至T104B-K中流动的输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K)的相应电流值。

如上所述，根据驱动晶体管T104A-K中流动的输出电流Iout-A(K)的电流值(或驱动晶体管T104B-1中流动的输出电流Iout-B(1)的电流值)，调节供给到每一个偏置电压生成部分102A和102B的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。因而，如图3B所示，可以使电流驱动器1A的输出电流Iout-A(K)的电流值和电流驱动器1B的输出电流Iout-B(1)的电流值彼此相匹配。

<效果>

如以上所述，电流驱动器1设定为两个操作状态(即操作状态A和操作状态B)中的任一个状态，并且供给对应于操作状态的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。因而，可以将输出电流Iout-(1)和Iout-(K)的每一个相应电流值设定为希望的值。

而且，如果使输出电流Iout-(1)的电流值和输出电流Iout-(K)的电流值彼此匹配，则可以使来自驱动设备11的输出电流(即，输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)和输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K))的相应电流值一致(或具有一定倾斜)。也就是说，可以消除在电流驱动器1A和电流驱动器1B之间边界线周围的输出电流的相应电流值之间大的差异。

而且，与已知技术相比，可以减少由用于调节输出电流Iout-(1)至Iout-(K)的电流值的部件所占据的一部分电路面积。

此外，通过控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P，可以从外部控制电压生成晶体管T110-1至T110-P的连接状态。从而，例如，即使在电流驱动器已被安装到显示面板上之后，也可以适当地调节偏置电压生成部分102的电流-电压转换能力，并且可以调节输出电流Iout-(1)至Iout-(K)的电流值。

在使电流驱动器1A的输出电流Iout-A(K)的电流值和电流驱动器1B的输出电流Iout-B(1)的电流值彼此相匹配中，根据电流驱动器1A的输出电流Iout-A(K)的电流值和电流驱动器1B的输出电流Iout-B(1)的电流值之间的差异，可以调节供给到偏置电压生成部分102A的控制信号CTa-1至CTa-P和供给到偏置电压生成部分102B的控制信号CTb-1至CTb-P。

此外，根据电流驱动器的布置，可以设定各电流驱动器的操作状态。具体地说，当设置一个电流驱动器(即电流驱动器A)和另一个电流驱动器(即电流驱动器B)依次布置在从驱动晶体管T104-1至驱动晶体管T104-K的方向上时，电流驱动器A设定为操作状态A，电流驱动器B设定为操作状态B。

另外，尽管在本实施例中，输出电流Iout-(1)和Iout-(K)为测量目标，但测量目标并不限于此。优选地，测量目标为位于电流驱动器两端周围的驱动晶体管。

而且，电压生成晶体管T110-1至T110-P不必呈现相同的晶体管特性。

<第一实施例的修改示例>

当图1的电流驱动器1包括图4的偏置电压生成部分102-1，而不是图1的偏置电压生成部分102，则可以实现相同的效果。图4的偏置电压生成部分102-1包括图1的电压生成晶体管T110-1至T110-P和选择晶体管Sc110-1至Sc110-P。电压生成晶体管T110-1和选择晶体管Sc110-1串联连接在输入端子101和接地节点之间。选择晶体管Sc110-1连接在输入端子101和电压生成晶体管T110-1之间，并且在其栅极处接收来自外部的控制信号CTc-1。电压生成晶体管T110-1连接在选择晶体管Sc110-1和接地节点之间，并且其栅极连接到栅极线G103。每一个电压生成晶体管T110-2至T110-P和关联的选择晶体管Sc110-2至Sc110-P之一，以与电压生成晶体管T110-1和选择晶体管Sc110-1相同的方式，串联连接在输入端子101和接地节点之间。每一个选择晶体管Sc110-2至Sc110-P，以与选择晶体管Sc110-1相同的方式，连接在输入端子101和关联的电压生成晶体管T110-2至T110-P之一之间，并且在其栅极处接收关联的控制信号CTc-2至CTc-P之一。

当控制信号CTc-1至CTc-P处于H电平时，它们分别为激活选择晶体管Sc110-1至Sc110-P(即，N沟道晶体管)的电压，并且当控制信号CTc-1至CTc-P处于L电平时，它们分别为去激活选择晶体管Sc110-1至Sc110-P(即，N沟道晶体管)的电压。

在图4的偏置电压生成部分102-1中，通过控制信号CTc-1至CTc-P，调节电压生成晶体管T110-1至T110-P中其栅极和漏极彼此连接并且有参考电流Iref流动的电压生成晶体管的数目。

(第二实施例)

<整体配置>

在图5中示出了根据本发明第二实施例的电流驱动器的整体配置。根据本实施例的电流驱动器2除了包括图1的电流驱动器1的部件之外，还包括供给电源201、条件存储部分202和控制部分203。

供给电源201将读取电压供给到条件存储部分202。该读取电压是表明条件存储部分202的连接状态的电压。控制部分203参考该读取电压来检查条件存储部分202的连接状态。

条件存储部分202包括F个熔断器h2-1至h2-F(其中F为自然数)。每一个熔断器h2-1至h2-F由这样的材料制成，即当通过施加激光或大电流熔断该材料时，该材料能够从导电状态变为非导电状态。利用按照二进制表达的每一个熔断器h2-1至h2-F的状态(即熔断或未熔断)，条件存储部分202存储F位二进制数据。在这种情况下，条件存储部分202存储表明电压生成晶体管T110-1至T110-P中要被使用的晶体管的数目的二进制数据。例如，当熔断器h2-1熔断且其他的熔断器h2-2至h2-F未熔断时，条件存储部分202存储要被使用的晶体管的数目为“一”。此外，当熔断器h2-1和h2-2熔断且其他的熔断器h2-3至h2-F未熔断时，条件存储部分202存储要被使用的晶体管的数目为“三”。

根据来自外部的控制信号CONT，将控制部分203置为条件固定模式或模拟模式。

当控制部分203进入条件固定模式时，控制部分203将每一个熔断器h2-1至h2-F的一个端子连接到控制部分203本身，并读出由熔断器h2-1至h2-F表明的相应电压电平。因而，读出由熔断器的状态(即，熔断或未熔断)表达的二进制数据。此外，控制部分203对读出的二进制数据进行译码并输出控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。例如，当条件存储部分202中熔断器h2-1和h2-2熔断(即，在条件存储部分202中存储了表明要使用的晶体管的数目为“三”的二进制数据)时，由熔断器h2-1至h2-F表明的电压电平为L、L、H、...和H。在这种情况下，控制部分203将控制信号CTa-1至CTa-3和控制信号CTb-4至CTb-P设定为H电平，且将其他控制信号即控制信号CTa-4至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-3设定为L电平。

当控制部分203进入模拟模式时，控制部分203根据来自外部的数据信号DATA在条件存储部分202中模拟熔断器h2-1至h2-F的状态(即，熔断或未熔断)，并且输出控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。数据信号DATA是用于使控制部分203在条件存储部分202中模拟熔断器的状态(即，熔断或未熔断)的信号(即，存储在条件存储部分202中的信息)，并且表明对应于熔断器的状态(即，熔断或未熔断)的F个电压电平。例如，当数据信号DATA用于模拟其中熔断器h2-1熔断的状态(即，其中在条件存储部分202中存储表明要被使用的晶体管的数目为“一”的信息的状态)时，由数据信号DATA表明的F个电压电平为L、H、H、...和H。在这种情况下，控制部分203将控制信号CTa-1和控制信号CTb-2至CTb-P设定为H电平，并且将其他控制信号即控制信号CTa-2至CTa-P和控制信号CTb-1设定为L电平。此外，当数据信号DATA用于模拟其中熔断器h2-1和h2-2熔断的状态时，由数据信号DATA表明的F个电平电压为L、L、H、...和H。在这种情况下，控制部分203将控制信号CTa-1至CTa-3和控制信号CTb-4至CTb-P设定为H电平，并且将其他控制信号即控制信号CTa-4至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-3设定为L电平。

<操作>

下面将描述图5的电流驱动器2的操作。

[设定处理]

首先，以与图1的电流驱动器1相同的方式，将电流驱动器2设定为操作状态A和操作状态B中的任一个状态。

接着，根据来自外部的控制信号CONT，操作设置在电流驱动器2中的控制部分203。

<模拟模式>

当控制部分203接收到指示模拟模式的控制信号CONT时，控制部分203变为这样的状态，即，其中根据来自外部的数据信号DATA来操作控制部分203。

《(操作状态A》

首先，将描述其中电流驱动器2设定为操作状态A的情况。

[驱动处理]

当电流驱动器2设定为操作状态A时，电流驱动器2执行与图1的电流驱动器1相同的处理(即，驱动处理(操作状态A))。从而，偏置电压生成部分102生成偏置电压Vbias，其电压电平对应于供给到输入端子101的参考电流Iref的电流值。输出端子105-1至105-K分别输出其电流值对应于偏置电压Vbias的电压值的输出电流Iout-(1)至Iout-(K)。假设控制部分203接收表明其中熔断器h2-1和h2-2熔断的状态的数据信号DATA，并且向偏置电压生成部分102输出控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。因而，在这种情况下，控制信号CTa-1至CTa-3和控制信号CTb-4至CTb-P指示H电平，并且控制信号CTa-4至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-3指示L电平。

[电流值测量处理]

接下来，在电流驱动器2中，执行与图1的电流驱动器1相同的操作(即，电流值测量处理(操作状态A))。因而，测量从输出端子105-K输出的输出电流Iout-(K)的电流值。

[特性调节处理]

接下来，控制部分203接收对应于从输出端子105-K输出的输出电流Iout-(K)的电流值。当输出电流Iout-(K)的电流值小于希望的电流值(即，参考值)时，向控制部分203供给数据信号DATA，以用于减少要使用的电压生成晶体管的数目。例如，在这种情况下，供给表明其中熔断器h2-1熔断的状态(即，其中在条件存储部分202中存储表明要使用的电压生成晶体管的数目为“一”的信息的状态)的数据信号DATA。此外，当输出电流Iout-(K)的电流值大于希望的电流值(即参考值)时，向控制部分203供给用于增加要使用的电压生成晶体管的数目的数据信号DATA。

接着，控制部分203将对应于数据信号DATA的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P输出到偏置电压生成部分102。例如，当供给表明其中熔断器b2-1熔断的状态的数据信号DATA时，控制部分203将控制信号CTa-1和控制信号CTb-2至CTb-P设定为H电平，并且将控制信号CTa-2至CTa-P和控制信号CTb-1设定为L电平。

如上所述，调节电压生成晶体管T110-1至T110-P中其生成栅极电压的电压生成晶体管的数目。因而，提高/降低从偏置电压生成部分102输出的偏置电压Vbias的电压值。具体地说，当输出电流Iout-(K)的值小于参考值时，提高偏置电压Vbias的电压值。当输出电流Iout-(K)的值大于参考值时，降低偏置电压Vbias的电压值。

因而，当电流驱动器2设定为操作状态A时，可以将从输出端子105-K输出的输出电流Iout-(K)的电流值设定为参考值。

《操作状态B》

接下来，将描述其中电流驱动器2设定为操作状态B的情况。

[驱动处理]

当电流驱动器2设定为操作状态B时，电流驱动器2执行与电流驱动器1相同的操作(即驱动处理(操作状态B))。从而，偏置电压生成部分102生成偏置电压Vbias，其电压值对应于供给到输入端子101的参考电流Iref的电流值。输出端子105-1至105-K分别输出其电流值对应于偏置电压Vbias的电压值的输出电流Iout-(1)至Iout-(K)。

[电流值测量处理]

接着，在电流驱动器2中，执行与图1的电流驱动器1相同的操作(即电流值测量处理(操作状态B))。因而，测量从输出端子105-1输出的输出电流Iout-(1)的电流值。

[特性调节处理]

接下来，控制部分203接收对应于从输出端子105-1输出的输出电流Iout-(1)的电流值的数据信号DATA。当输出电流Iout-(1)的电流值小于希望的电流值(即，参考值)时，向控制部分203供给数据信号DATA，以用于减少要使用的电压生成晶体管的数目。此外，当输出电流Iout-(1)的电流值大于希望的电流值(即参考值)时，向控制部分203供给用于减少要使用的电压生成晶体管的数目的数据信号DATA。

因而，当电流驱动器2设定为操作状态B时，可以将从输出端子105-1输出的输出电流Iout-(1)的电流值设定为参考值。

<条件固定模式>

当控制部分203接收到用于指示条件固定模式的控制信号CONT时，控制部分203变为这样的状态，即，其中控制部分203基于存储在条件存储部分202中的信息执行操作。

其次，控制部分203将设置在条件存储部分202中的每一个熔断器h2-1至h2-F的一个端子连接到控制部分本身，并读出由熔断器的状态(即熔断或未熔断)代表的二进制数据。

接着，控制部分203对读出的二进制数据进行译码，并向偏置电压生成部分102输出控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。

因而，再生了存储在条件存储部分202中的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P的相应输出状态。而且，保持了输出状态。

<用于大屏幕显示面板的电流驱动设备>

在图6中示出了根据本发明第二实施例的电流驱动设备21的整体配置。电流驱动设备21包括电流驱动器2A和2B，而不是图2的电流驱动器1A和1B。除此之外，其配置与图2的配置相同。每一个电流驱动器2A和2B具有与图5的电流驱动器2相同的配置。

<电流驱动设备的操作>

接下来，将描述图6的电流驱动设备21的操作。在这种情况下，将电流驱动器2A设定为操作状态A，并将电流驱动器2B设定为操作状态B。

<模拟模式>

将控制信号CONT供给到电流驱动器2A和2B。从而，每一个电流驱动器2A和2B进入模拟模式。

[电流驱动器2A]

接下来，电流驱动器2A执行与图2的电流驱动器1A相同的处理(即驱动处理)。从而，偏置电压生成部分102A生成偏置电压VbiasA，其电压值对应于供给到输入端子101A的参考电流Iref的电流值。输出端子105A-1至105A-K输出其电流值对应于偏置电压VbiasA的电压值的输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)。

接着，在电流驱动器2A中，执行与图2的电流驱动器1A相同的操作(即电流值测量处理)。因而，测量输出电流Iout-A(K)的电流值。

[电流驱动器2B]

电流驱动器2B执行与图2的电流驱动器1B相同的处理(即驱动处理)。从而，偏置电压生成部分102B生成偏置电压VbiasB，其电压值对应于供给到输入端子101B的参考电流Iref的电流值。输出端子105B-1至105B-K分别输出其电流值对应于偏置电压VbiasB的电压值的输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K)。

接着，在电流驱动器2B中，执行与图2的电流驱动器1B相同的操作(即电流值测量处理)。因而，测量输出电流Iout-B(1)的电流值。

[电流驱动器2A]

接下来，电流驱动器2A执行与图2的电流驱动器1A相同的操作(即特性调节处理)。具体地说，电流驱动器2A的控制部分203A重新接收对应于输出电流Iout-A(K)的测量电流值的数据信号DATA-(A)。因而，提高/降低从偏置电压生成部分102A输出到栅极线G103A的偏置电压VbiasA的电压值，以便调节在驱动晶体管T104A-1至T104A-K中流动的输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)的相应电流值。

[电流驱动器2B]

电流驱动器2B执行与图2的电流驱动器1B相同的操作(即，特性调节处理)。具体地说，电流驱动器2B的控制部分203B重新接收对应于输出电流Iout-B(1)的测量电流值的数据信号DATA-(B)。因而，提高/降低从偏置电压生成部分102B输出到栅极线G103B的偏置电压VbiasB的电压值，以便调节在驱动晶体管T104B-1至T104B-K中流动的输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K)的相应电流值。

如上所述，根据在驱动晶体管T104A-K中流动的输出电流Iout-A(K)的电流值(或在驱动晶体管T104B-1中流动的输出电流Iout-B(1)的电流值)，调节分别由控制部分203A和203B接收的数据信号DATA-(A)和DATA-(B)。因而，如图3B中所示，可以使电流驱动器2A的输出电流Iout-A(K)的电流值和电流驱动器2B的输出电流Iout-B(1)的电流值彼此相匹配。

<条件固定模式>

将用于指示条件固定模式的控制信号CONT供给到每一个电流驱动器2A和2B。从而，每一个电流驱动器2A和2B变为条件固定模式。

接下来，设置在电流驱动器2A中的控制部分203A读取与存储在条件存储部分202A中的信息对应的数据信号DATA-(A)。接着，控制部分203A向偏置电压生成部分102A输出与读出的数据信号DATA-(A)对应的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。

设置在电流驱动器2B中的控制部分203B读取与存储在条件存储部分202B中的信息对应的数据信号DATA-(B)。接着，控制部分203B向偏置电压生成部分102B输出与读出的数据信号DATA-(B)对应的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。

因而，可以将偏置电压生成部分102A和102B的相应电流-电压转换能力设定为分别对应于存储在条件存储部分202A和202B中的信息。

<效果>

如以上所述的那样，在模拟模式下，通过控制部分203调节偏置电压生成部分102的性能(即，电流-电压转换能力)，从而在其中优化驱动晶体管T104-1至T104-K中流动的输出电流Iout-(1)至Iout-(K)的相应状态的条件下，可以操作电流驱动器。

此外，在条件固定模式下，控制部分203读出存储在条件存储部分202中的信息。因此，不必从外部供给控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。从而，例如，在把电流驱动器2安装到显示面板等上之后，从外部向控制部分203供给数据信号DATA变得不必要。

另外，如果基于模拟的结果，设置在条件存储部分202中的熔断器h2-1至h2-F熔断，并由此存储控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P的相应输出状态，则可以保持当输出电流Iout处于最佳状态下的条件。

作为选择，可以以条件固定模式用作默认值来操作控制部分203。也就是说，控制部分203除了当它处于模拟模式时之外，可以始终都是条件固定模式。

作为选择，为了减少实际熔断的熔断器的数目，可以使用这样的设定，即，利用该设定，要被熔断的熔断器的数目基于在输出电流Iout-(1)至Iout-(K)处于最佳状态时的条件增加。例如，假设当使用电压生成晶体管T110-1至T110-P中的三个时，输出电流Iout-(1)至Iout-(K)处于最佳状态。条件控制部分203对条件存储部分202中存储的二进制数据进行译码，使得当由熔断器h2-1至h2-F表明的相应电压电平为H、H、H、...和H时，控制信号CTa-1至CTa-3和控制信号CTb-4至CTb-P变为H电平，并且控制信号CTa-4至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-3变为L电平。

(第三实施例)

<整体配置>

在图7中示出了根据本发明第三实施例的电流驱动器3的整体配置。电流驱动器3除了包括图1的电流驱动器1的部件之外，还包括存储部分301和控制部分302。存储部分301是可重写存储器，诸如DRAM(动态随机访问存储器)和SRAM(静态随机访问存储器)。来自外部的数据信号DATA可写入存储部分301中。控制部分302读出写入在存储部分301中的数据信号DATA，并向偏置电压生成部分102输出与读出的数据信号DATA对应的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。

<操作>

下面，将描述图7的电流驱动器3的操作。除了存储部分301和控制部分302的操作外，电流驱动器3的操作与图5的电流驱动器2的操作相同。

[模拟模式]

在模拟模式下，控制部分302输出与从外部输入的数据信号DATA对应的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。

[条件固定模式]

在条件固定模式中，控制部分302输出与存储在存储部分301中的数据信号DATA对应的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。

[效果]

如以上所述，可以适当地重写存储在存储部分301中的数据信号DATA，使得可以保持输出电流Iout-(1)至Iout-(K)处于最佳状态时的条件。例如，当由于驱动晶体管T104-1至T104-K的晶体管特性的改变引起输出电流Iout-(1)至Iout-(K)的相应电流值改变时，可以再次执行模拟，并根据模拟的结果，重写存储在存储部分301中的信息。因而，可以保持输出电流Iout-(1)至Iout-(K)处于最佳状态时的条件。

(第四实施例)

<整体配置>

在图8中示出了根据本发明第四实施例的电流驱动器4的整体配置。电流驱动器4除了包括电流驱动器1的部件之外，还包括输出端子401、输入端子121、差分放大器电路D122、设定晶体管T123L、供给晶体管T123RA和T123RB、调节晶体管T124和负载电阻R125。输入端子121、差分放大器电路D122、设定晶体管T123L、调节晶体管T124和负载电阻R125之间的连接关系和图2的连接关系相同。供给晶体管T123RA连接在电源节点和输出端子401之间。供给晶体管T123RB连接在电源节点和偏置电压生成部分102之间。设定晶体管T123L的栅极以及供给晶体管T123RA和T123RB的相应栅极中的每一个栅极连接到栅极线G402。

<操作>

接着，将描述图8的电流驱动器4的操作。

[设定处理]

首先，将电流驱动器4设定为主驱动器或从驱动器中的任一个。

《主驱动器》

当将电流驱动器4设定为主驱动器时，输入端子121从外部接收参考电压Vref。由差分放大器电路D122、调节晶体管T124和负载电阻R125形成的电压-电流转换电路生成参考电流Iref，其电流值对应于供给到输入端子121的参考电压Vref的电压值。从而，参考电流Iref在设定晶体管T123L中流动。

接着，由设定晶体管T123L和供给晶体管T123RB形成的电流反射电路将参考电流Iref供给到偏置电压生成部分102。从而，偏置电压生成部分102将偏置电压Vbias输出到栅极线G103，该偏置电压Vbias对应于从供给晶体管T123L供给的参考电流Iref的电流值。因此，与偏置电压Vbias的电压值对应的输出电流Iout-(1)至Iout-(K)分别在驱动晶体管T104-1至T104-K中流动。接着，输出端子105-1至105-K分别输出驱动晶体管T104-1至T104-K中流动的输出电流Iout(1)-Iout(K)。

接着，执行和图1的电流驱动器1(在操作状态A下)同样的处理(即，电流值测量处理和特性调节处理)。

由设定晶体管T123L和供给晶体管T123RA形成的电流镜电路将参考电流Iref供给到输出端子401。

《从驱动器》

当将电流驱动器4设定为从驱动器时，输入端子101从外部接收参考电流Iref。偏置电压生成部分102接收供给到输入端子101的参考电流Iref。从而，偏置电压生成部分102将偏置电压Vbias输出到栅极线G103，该偏置电压Vbias对应于供给到输入端子101的参考电流Iref的电流值。因此，对应于偏置电压Vbias的电压值的输出电流Iout-(1)至Iout-(K)分别在驱动晶体管T104-1至T104-K中流动。接着，输出端子105-1至105-K输出在驱动晶体管T104-1至T104-K中流动的输出电流1out(1)-Iout(K)。

接着，执行和图1的电流驱动器1(在操作状态B下)同样的处理(即，电流值测量处理和特性调节处理)。

<用于大规模显示面板的电流驱动设备>

在图9中示出了根据本发明第四实施例的电流驱动设备41的整体配置。电流驱动设备41包括电流驱动器4A和4B。每个电流驱动器4A和4B具有和图8的电流驱动器4相同的配置。将电流驱动器4A设定为主驱动器。在电流驱动器4A中，将参考电压Vref从外部供给到输入端子121A。另一方面，将电流驱动器4B设定为从驱动器。在电流驱动器4B中，将输入端子101B连接到电流驱动器4A的输出端子401A。在图9中，省略了供给到每个电流驱动器4A和4B的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。

<操作>

接着，将描述图9的电流驱动设备41的操作。

[电流驱动器4A]

将电流驱动器4A设定为主驱动器。从而，输入端子121A从外部接收参考电压Vref。参考电流Iref没有供给到输入端子101A。

接着，在电流驱动器4A中，执行和图4的电流驱动器4(作为主驱动器)同样的处理(即，驱动处理、电流值测量处理和特性调节处理)。从而，设置在电流驱动器4A中的偏置电压生成部分102接收与从供给晶体管T123RB供给到输入端子121A的参考电压Vref的电压值对应的参考电流Iref，并将偏置电压Vbias输出到栅极线G103，该偏置电压Vbias对应于参考电流Iref的电流值。此外，输入端子105A-1至105A-K分别输出输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)，该输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)对应于由设置在电流驱动器4A中的偏置电压生成部分102生成的偏置电压Vbias的电压值。此外，设置在电流驱动器4A中的偏置电压生成部分102接收与输出电流Iout-A(K)的电流值对应的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。

此外，输出端子401A将参考电流Iref输出到电流驱动器4B的输入端子101B，该参考电流Iref对应于供给到输入端子121A的参考电压Vref的电压值。

[电流驱动设备4B]

将电流驱动器4B设定为从驱动器。从而，输入端子121B没有接收参考电压Vref。输入端子101B接收从电流驱动器4A的输出端子401输出的参考电流Iref。

接着，在电流驱动器4B中，执行和图4的电流驱动器4(作为从驱动器)相同的处理(即，驱动处理、电流值测量处理和特性调节处理)。从而，设置在电流驱动器4B中的偏置电压生成部分102接收从电流驱动器4B的输出端子401B输出的参考电流Iref，并将对应于参考电流Iref的电流值的偏置电压Vbias输出到栅极线G103。此外，输出端子105B-1至105B-K分别输出输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K)，该输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K)对应于由设置在电流驱动器4B中的偏置电压生成部分102生成的偏置电压Vbias的电压值。此外，设置在电流驱动器4B中的偏置电压生成部分102接收与输出电流Iout-B(1)的电流值对应的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。

<效果>

如上所述，电流驱动器4可以作为主驱动器操作，还可以作为从驱动器操作。即，主驱动器和从驱动器可以在单一制造工艺中形成。因此，可以减少在制造中引起的芯片间的特性变化。

(第五实施例)

<整体配置>

在图10中示出了根据本发明第五实施例的电流驱动器5的整体配置。电流驱动器5除了包括图8的电流驱动器4的部件之外，还包括开关S501。开关S501连接在电源节点和节点N501之间。节点N501设置在栅极线G402上的任意一点中。

<操作>

接着，将描述图10的电流驱动器5的操作。除了开关S501的操作之外，电流驱动器5的操作和图8的电流驱动器4的操作相同。

《主驱动器》

当把电流驱动器5设为主驱动器时，使开关S501截止。从而，栅极线G402的电位变为与设定晶体管T123L的栅极相同的电位，并且每个供给晶体管T123RA和T123RB在其栅极处接收在设定晶体管T123L的栅极中生成的栅极电压。因而，参考电流Iref在每个供给晶体管T123RA和T123RB中流动。即，设定晶体管T123L和供给晶体管T123RA、T123RB一起用作电流镜电路。

《从驱动器》

当把电流驱动器5设为从驱动器时，使开关S501导通。从而，栅极线G402的电位变为与电源节点相同的电位。因此，设定晶体管T123L的栅极和源极的电位变为与每个供给晶体管T123RA和T123RB的栅极和源极的电位相同。因而，设定晶体管T123L和供给晶体管T123RA、T123RB没有用作电流镜电路。

<效果>

如上所述，当把电流驱动器5设为从驱动器时，可以防止不必要的电流在供给晶体管T123RA和T123RB中流动。因此，当把电流驱动器5设为从驱动器时，可以防止由从供给晶体管T123RB流动的不需要电流引起的偏置电压生成部分102的误操作。

(第六实施例)

<整体配置>

在图11中示出了根据本发明第六实施例的电流驱动器6的整体配置。电流驱动器6除了包括图8的电流驱动器4的部件之外，还包括开关S601。开关S601连接在供给晶体管T123RB和节点N601之间。节点N601设置在设定晶体管T123L和偏置电压生成部分102之间。输入端子101连接到节点N601。

<操作>

接着，将描述图11的电流驱动器6的操作。除了开关S601的操作之外，电流驱动器6的操作和图8的电流驱动器4的操作相同。

《主驱动器》

当把电流驱动器6设为主驱动器时，将开关S601导通。从而，将供给晶体管T123RB的漏极和偏置电压生成部分102彼此连接。此外，输入端子101没有接收参考电流Iref。因此，偏置电压生成部分102接收从供给晶体管T123RB供给的参考电流Iref。

《从驱动器》

当把电流驱动器6设为从驱动器时，使开关S601截止。从而，没有将供给晶体管T123RB的漏极和偏置电压生成部分102彼此连接。此外，输入端子101从外部(主驱动器)接收参考电流Iref。因此，偏置电压生成部分102接收供给到输入端子101的参考电流Iref。

<效果>

如所述，当把电流驱动器6设为从驱动器时，将供给晶体管T123RB和偏置电压生成部分102的连接切断。因此，当把电流驱动器6设为从驱动器时，能防止由从供给晶体管T123RB流动的不必要电流引起的偏置电压生成部分102的误操作。

可以将图10的开关S501添加到图11的电流驱动器6。根据本发明第六实施例的修改示例的电流驱动器6-1的整体配置如图12中所示。电流驱动器6-1除了包括图8的电流驱动器4的部件之外，还包括图10的开关S501和图11的开关S601。利用以上述方式配置的电流驱动器6-1，能执行可靠的切换处理。

(第七实施例)

<整体配置>

在图13中示出了根据本发明第七实施例的电流驱动器7的整体配置。电流驱动器7除了包括图8的电流驱动器4的部件之外，还包括漏极电流生成部分701和开关S702-1至S702-4。

漏极电流生成部分701生成漏极电流Id，其电流值对应于从偏置电压生成部分102输出的偏置电压Vbias的电压值。此外，漏极电流生成部分701可以任意地设定由漏极电流生成部分701本身接收的偏置电压的电压值和由漏极电流生成部分701本身生成的漏极电流Id的电流值之间的关系(电压-电流转换能力)。

开关S702-1连接在设定晶体管T123L和供给晶体管T123RA的栅极之间。开关S702-2连接在节点N701和节点N702之间。节点N701设置在供给晶体管T123RB和偏置电压生成部分102之间，并连接到输入端子101。节点N702设置在供给晶体管T123RB和节点N701之间。开关S702-3连接在节点N702和节点N703之间。节点N703设置在开关S702-1和供给晶体管T123RB之间的栅极线G402上的任意位置。开关S702-4连接在节点N702和漏极电流生成部分701之间。

<漏极电流生成部分701的内部配置>

在图14中示出了图13的漏极电流生成部分701的内部配置。漏极电流生成部分701包括Q个电流生成晶体管T710-1至T710-Q和Q个选择晶体管Sd710-1至Sd710-Q(其中Q为自然数)。选择晶体管Sd710-1和电流生成晶体管T710-1串联连接在开关S702-4和接地节点之间。选择晶体管Sd710-1连接在开关S702-4和电流生成晶体管T710-1之间，并且选择晶体管Sd710-1在其栅极处接收来自外部的控制信号CTd-1。电流生成晶体管T710-1连接在选择晶体管Sd710-1和接地节点之间，并且其栅极连接到栅极线G103。以与选择晶体管Sd710-1和电流生成晶体管T710-1相同的方式，将每个选择晶体管Sd710-2至Sd710-Q和关联的电流生成晶体管T710-2至T710-Q之一串联连接在开关S702-4和接地节点之间。以与选择晶体管Sd710-1相同的方式，每个选择晶体管Sd710-2至Sd710-Q连接在开关S702-4和关联的电流生成晶体管T710-2至T710-Q之一之间，并且在其栅极处接收来自外部的控制信号CTd-2至CTd-Q。以与电流生成晶体管T710-1同样的方式，每个电流生成晶体管T710-2至T710-Q连接在关联的选择晶体管Sd710-2至Sd710-Q之一和接地节点之间，并且其栅极连接到栅极线G103。

当控制信号CTd-1至CTd-Q处于H电平时，它们分别为激活选择晶体管Sd710-1至Sd710-Q(即，N沟道晶体管)的电压，当处于L电平时，它们分别为去激活选择晶体管Sd710-1至Sd710-Q(即N沟道晶体管)的电压。

如上所述，偏置电压生成部分102和漏极电流生成部分701一起形成了镜比(mirror ratio)可任意设定的电流镜电路。

在这种情况下，假设设置在偏置电压生成部分102中的电流生成晶体管T110-1至T110-Q呈现相同或基本相同的晶体管特性，并且设置在漏极电流生成部分701中的电流生成晶体管T710-1至T710-Q呈现相同或基本相同的晶体管特性。

<操作>

接下来，将描述图13的电流驱动器7的操作。

[设定处理]

首先，将电流驱动器7设定为主驱动器、从驱动器(1)和从驱动器(2)中之一。

《主驱动器》

当把电流驱动器7设定为主驱动器时，使开关S702-1和S702-2导通，且使开关S702-3和S702-4截止。此外，输入端子121从外部接收参考电压Vref。输入端子101没有从外部接收参考电流Iref。

在开关S702-1导通情况下，设定晶体管T123L的栅极连接到供给晶体管T123RA和T123RB的每个相应栅极。此外，关于供给到输入端子121的参考电压Vref，参考电流Iref在设定晶体管T123L以及供给晶体管T123RA和T123RB中流动。从而，输出端子401输出在供给晶体管T123RA中流动的参考电流Iref。

此外，在开关S702-2导通情况下，供给晶体管T123RB和偏置电压生成部分102彼此连接。从而，偏置电压生成部分102输出偏置电压Vbias，该偏置电压Vbias对应于从供给晶体管T123RB供给到栅极线G103的参考电流Iref的电流值。因而，与偏置电压Vbias的电压值对应的输出电流Iout-(1)至Iout(K)分别在驱动晶体管T104-1至T104-K中流动。接着，输出端子105-1至105-K分别输出在驱动晶体管T104-1至104-K中流动的输出电流Iout-(1)至Iout-(K)。

接着，执行了和图8的电流驱动器4(作为主驱动器)同样的处理(即电流值测量处理和特性调节处理)。

如上所述，将输出电流Iout-(K)的电流值调节为参考值。

《从驱动器(1)》

当把电流驱动器7设定为从驱动器时，使开关S702-1和S702-2截止，且使开关S702-3和S702-4导通。此外，输入端子121没有接收参考电压Vref。输入端子101从外部接收参考电流Iref。

关于供给到输入端子101的参考电流Iref，偏置电压生成部分102将与供给到输入端子101的参考电流Iref的电流值对应的偏置电压输出到栅极线G103。因而，与偏置电压Vbias的电压值对应的输出电流Iout-(1)至Iout-(K)分别在驱动晶体管T104-1至T104-K中流动。接着，输出端子105-1至105-K分别输出输出电流Iout-(1)至Iout-(K)。

此外，在开关S702-3导通情况下，将漏极电流生成部分701和供给晶体管T123RB彼此连接。从而，由漏极电流生成部分701生成的漏极电流Id在供给晶体管T123RB中流动。

在开关S702-4导通情况下，将供给晶体管T123RB的栅极和漏极彼此连接。因此，供给晶体管T123RB和供给晶体管T123RA一起形成了电流镜电路。此外，供给晶体管T123RA和T123RB呈现相同或基本相同的晶体管特性。因此，漏极电流Id(其电流值和在供给晶体管T123RB中流动的漏极电流Id相同或基本相同的漏极电流)在供给晶体管T123RA中流动。从而，输出端子401输出在供给晶体管T123RA中流动的漏极电流Id。

接着，执行和图8的电流驱动器4(作为从驱动器)同样的处理(即电流值测量处理和特性调节处理)，并且偏置电压生成部分102接收控制信号CTa-1至CTa-P和CTba-1至CTb-P。

《从驱动器(2)》

此外，当电流驱动器7设定为从驱动器(2)时，执行与设为从驱动器(1)的电流驱动器7同样的操作。从而，使开关S702-1和S702-2截止并使开关S702-3和S702-4导通。此外，输入端子121没有接收参考电压Vref。输入端子101从外部接收参考电流Iref。此外，当把电流驱动器7设定为从驱动器(2)时，电流驱动器7执行漏极电流控制，用于控制从输出端子401输出的漏极电流Id的电流值。

[漏极电流调节处理]

接着，调节电流生成晶体管T710-1至T710-Q中其设置在漏极电流生成部分701中且其漏极连接到节点N701的电流生成晶体管的数目，使得由偏置电压生成部分102和漏极电流生成部分701形成的电流镜电路的镜比变为1∶1。例如，电压生成晶体管T110-1至T110-P中其设置在偏置电压生成部分102中且其中栅极和漏极连接且有参考电流Iref流动的电压生成晶体管的数目为“五”，则将电流生成晶体管T710-1至T710-Q中其设置在漏极电流生成部分701中且其漏极连接到节点N701的电流生成晶体管的数目设定为“五”。

接着，测量从输出端子105-K输出的输出电流Iout-(K)的输出值。

然后，漏极电流生成部分701接收控制信号CTd-1至CTd-Q，该控制信号CTd-1至CTd-Q对应于输出电流Iout-(1)的电流值和输出电流Iout-(K)的电流值之间的差。在这种情况中，当输出电流Iout-(K)的电流值是输出电流Iout-(1)的电流值的两倍时，供给控制信号CTd-1至CTd-Q，以用于指示电流生成晶体管T710-1至T710-Q中其连接到节点N701的电流生成晶体管的数目，是电压生成晶体管T110-1至T110-P中其栅极和漏极连接的电压生成晶体管的数目的两倍。例如，供给到偏置电压生成部分102的控制信号CTa-1至CTa-5和控制信号CTb-6至CTb-P为H电平并且控制信号CTa-6至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-5为L电平，则供给到漏极电流生成部分701的控制信号CTd-1至CTd-10为H电平并且控制信号CTd-11至CTd-Q为L电平。

如上所述，将输出电流Iout-(1)的电流值调节为参考值。此外，将从输出端子401输出的漏极电流Id的电流值调节为输出电流Iout-(K)的电流值。

<电流驱动设备>

根据本发明第七实施例的电流驱动设备71的整体配置如图15中所示。电流驱动设备71包括电流驱动器7A、7B和7C。每个电流驱动器7A、7B和7C具有和图13的电流驱动器7同样的配置。将电流驱动器7A设定为主驱动器。在电流驱动器7A中，将参考电压Vref从外部供给到输入端子121A。将电流驱动器7B设为从驱动器(2)。在电流驱动器7B中，将输入端子101B连接到电流驱动器7A的输出端子401A。将电流驱动器7C设为从驱动器(1)。在电流驱动器7C中，将输入端子101C连接到电流驱动器7B的输出端子401B。

<操作>

接着，将描述图15的驱动设备71的操作。

[电流驱动器7A]

将电流驱动器7A设为主驱动器。因此，输入端子121从外部接收参考电压Vref。参考电流Iref没有供给到输入端子101A。

接着，在电流驱动器7A中，执行和图13的电流驱动器7(作为主驱动器)同样的处理(即驱动处理、电流值测量处理和特性调节处理)。从而，设置在电流驱动器7A中的偏置电压生成部分102接收与从供给晶体管T123RB供给到输入端子121A的参考电压Vref的电压值对应的参考电流Iref，并将偏置电压Vbias输出到栅极线G103，该偏置电压Vbias对应于参考电流Iref的电流值。此外，输出端子105A-1至105A-K分别输出输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)，该输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)对应于由设置在电流驱动器7A中的偏置电压生成部件102生成的偏置电压Vbias的电压值。此外，设置在电流驱动器7A中的偏置电压生成部分102接收与输出电流Iout-A(K)的电流值对应的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。

此外，输出端子401A将参考电流Iref输出到电流驱动器7B的输入端子101B，该参考电流Iref对应于供给到输入端子121A的参考电压Vref的电压值。

[电流驱动器7B]

将电流驱动器7B设定为从驱动器(2)。从而，输入端子121B不接收参考电压Vref。输入端子101B接收从电流驱动器7A的输出端子401输出的参考电流Iref。

接着，在电流驱动器7B中，执行和图13的电流驱动器7(作为从驱动器(2))同样的处理(即驱动处理、电流值测量处理和特性调节处理)。从而，设置在电流驱动器7B中的偏置电压生成部分102接收从电流驱动器7A的输入端子401A输出的参考电流Iref，并将对应于参考电流Iref的电流值的偏置电压Vbias输出到栅极线G103。此外，输出端子105B-1至105B-K分别输出输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K)，该输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K)对应于由设置在电流驱动器7B中的偏置电压生成部件102生成的偏置电压Vbias的电压值。此外，设置在电流驱动器7B中的偏置电压生成部分102接收控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。

此外，在电流驱动器7B中，执行和图13的电流驱动器7(作为从驱动器(2))同样的处理(即，漏极电流调节处理)。从而，设置在电流驱动器7B中的漏极电流生成部分701接收控制信号CTd-1至CTd-Q，该控制信号CTd-1至CTd-Q对应于输出电流Iout-(1)的电流值和输出电流Iout-(K)的电流值之间的差。此外，输出端子401B输出漏极电流Id-(B)，其具有与输出电流Iout-B(K)的电流值相等的电流值。

[电流驱动器7C]

将电流驱动器7C设定为从驱动器(1)。因此，输入端子121C不接收参考电压Vref。输入端子101C接收从电流驱动器7B的输出端子401B输出的漏极电流Id-(B)。

接着，在电流驱动器7C中，执行和图13的电流驱动器7(作为从驱动器(1))同样的处理(即驱动处理、电流值测量处理和特性调节处理)。从而，设置在电流驱动器7C中的偏置电压生成部分102接收从电流驱动器7B的输出端子401B输出的漏极电流Id-(B)，并将与漏极电流Id-(B)的电流值对应的偏置电压Vbias输出到栅极线G103。此外，输出端子105C-1至105C-K分别输出输出电流Iout-C(l)至Iout-C(K)，该输出电流Iout-C(1)至Iout-C(K)对应于由设置在电流驱动设备7C中的偏置电压生成部分102生成的偏置电压Vbias的电压值。此外，设置在电流驱动器7C中的偏置电压生成部分102接收与输出电流Iout-C(1)的电流值对应的控制信号CTa-1至CTa-P和控制信号CTb-1至CTb-P。

现在，假设驱动晶体管T104A-1至T104A-K、驱动晶体管T104B-1至T104B-K和驱动晶体管T104C-1至T104C-K中的每一个与关联的分别在驱动晶体管中流动的输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)、输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K)和输出电流Iout-C(1)至Iout-C(K)的相应输出电流之一，最初具有图16A中所示的关系。在这种情况下，电流驱动器1A的驱动晶体管T104A-K中流动的输出电流Iout-A(K)的电流值和电流驱动器1B的驱动晶体管T104B-1中流动的输出电流Iout-B(1)的电流值之间有大的差异。电流驱动器1B的驱动晶体管T104B-K中流动的输出电流Iout-B(K)的电流值和电流驱动器1C的驱动晶体管T104C-1中流动的输出电流Iout-C(1)的电流值之间也有大的差异。

通过上述的操作，将电流驱动器1A的驱动晶体管T104A-K中流动的输出电流Iout-A(K)的电流值和电流驱动器1B的驱动晶体管T104B-1中流动的输出电流Iout-B(1)的电流值调节为彼此匹配。此外，从电流驱动器7B的输出端子输出的漏极电流Id-(B)的电流值等于输出电流Iout-B(K)的电流值。因而，从电流驱动器7C的输出端子105C-1输出的输出电流Iout-C(1)的电流值变为等于输出电流Iout-B(K)的电流值。从而，如图16B所示，可以调节驱动晶体管T104A-1至T104A-K、驱动晶体管T104B-1至T104B-K和驱动晶体管T104C-1和T104C-K中的每一个与关联的输出电流Iout-A(1)至Iout-A(K)、输出电流Iout-B(1)至Iout-B(K)和输出电流Iout-C(1)至Iout-C(K)的相应电流值之一的关系。

<效果>

如上所述，可以形成使用三个或更多电流驱动器的电流驱动设备。

<改进示例>

根据本发明第七实施例的改进示例的电流驱动器7-1的整体配置如图17中所示。电流驱动器7-1包括图17的电流生成晶体管T701-1和漏极电流调节部分701-2，分别代替图13的漏极电流生成部分701和图13的供给晶体管T123RA。除了这些，电流驱动设备7-1具有和图13的配置相同的配置。电流生成晶体管T701-1生成漏极电流Id，其电流值对应于由偏置电压生成部分102生成的偏置电压Vbias的电压值。根据控制信号CTe-1至CTe-Q，漏极电流调节部分701-2调节由电流生成晶体管T701-1生成的漏极电流的电流值。

在图18中示出了图17的漏极电流调节部分701-2的内部配置。漏极电流调节部分701-2包括Q个调节晶体管T720-1至T720-Q和Q个选择晶体管Se720-1至Se720-Q。调节晶体管T720-1和选择晶体管Se720-1串联连接在电源节点和输出端子401之间。调节晶体管T720-1连接在电源节点和选择晶体管Se720-1之间，并且其栅极连接到栅极线G402。选择晶体管Se720-1连接在调节晶体管T720-1和输出端子401之间，并且在其栅极处接收控制信号CTe-1。以与调节晶体管T720-1和选择晶体管Se720-1相同的方式，每个调节晶体管T720-2至T720-Q和关联的选择晶体管Se720-2至Se720-Q之一串联连接在电源节点和输出端子401之间。以与调节晶体管T720-1相同的方式，每个调节晶体管T720-2至T720-Q连接在电源节点和关联的选择晶体管Se720-2至Se720-Q之一之间，并且每个选择晶体管Se720-2至Se720-Q的栅极连接到栅极线G402。以与选择晶体管Se720-1相同的方式，每个选择晶体管Se720-2至Se720-Q连接在关联的调节晶体管T720-2至T720-Q之一和输出端子401之间，并且在其栅极处接收关联的控制信号CTe-2至CTe-Q之一。

在控制信号CTe-1至CTe-Q处于L电平时，它们分别为激活选择晶体管Se720-1至Se720-Q的(即P沟道晶体管)的电压，在处于H电平时，它们分别为去激活选择晶体管Se720-1至Se720-Q(即P沟道晶体管)的电压。

使用上述配置，可以调节从输出端子401输出的漏极电流Id的电流值。

(第八实施例)

在图19中示出了根据本发明第八实施例的显示设备8的整体配置。显示设备8包括显示面板801、控制部分802、数据驱动器803和栅极驱动器804。显示设备8将从外部输入的显示数据(在这种情况中为使用8级灰度的3位数据)显示在显示面板801上。

显示面板801包括M×N个有机EL单元，即M个数据线和N个栅极线(其中M和N为自然数)。在显示面板801中，将M×N个有机EL单元布置成矩阵，M个数据线在垂直方向中延伸而N个栅极线在水平方向中延伸。经由切换元件将每个有机EL单元连接到关联的数据线之一，并将切换元件的栅极连接到关联的栅极线之一(即，所谓的有源矩阵配置)。当激活栅极线之一时，连接到激活的栅极线的M个切换元件(即，在水平方向中串联布置的有机EL单元)分别将与切换元件关联的有机EL单元之一和与切换元件关联的数据线之一相连接。

当控制部分802从外部接收显示数据D800和控制信息CTRL时，控制部分802将显示数据D800、开始信号START和负载信号LOAD输出到数据驱动器803，并还将扫描控制信号LINE输出到栅极驱动器804。显示数据D800(在这种情况中为显示面板801的一个水平行的数据)包括多个显示数据D800-1至D800-M，其中每个显示数据表明一个用于像素的灰度级。控制信息CTRL包含了例如显示定时的各种信息。开始信号START是表示由数据驱动器803对显示数据D800进行数据保持的定时的信号，负载信号LOAD是用于表示由数据驱动器803生成驱动电流I8-1至I8-M的定时的信号。

根据从控制部分802输出的显示数据D800，数据驱动器803向设置在显示面板801中的M个数据线输出驱动电流I8-1至I8-M，用于驱动显示面板801的有机EL单元。

根据来自控制部分802的扫描控制信号LINE，栅极驱动器804将扫描信号SL-1至SL-N输出到设置在显示面板801中的N个栅极线(其中N为自然数)。在这种情况中，栅极驱动器804将扫描信号SL-1至SL-N从最上方的一个栅极线起以降序输出给N个栅极(即，所谓的行序(line-sequential)驱动方法)。

<数据驱动器803的内部配置>

图19的数据驱动器803包括数据锁存部分811、参考电压源812、图2的数据驱动设备11和M个选择部分813-1至813-M。

根据从控制部分802输出的开始信号START，数据锁存部分811将从控制部分802输出的显示数据D800保持为多个显示数据D800-1至D800-M，其中的每一个显示数据对应于一个像素。此外，根据从控制部分802输出的负载信号LOAD，数据锁存部分811将保持的每个对应于一个像素的显示数据D800-1至D800-M分别输出到选择部分813-1至813-M。

参考电压源812将参考电压Vref供给到电流驱动设备11。

使用由参考电压源812供给的参考电压Vref，驱动设备11将多个输出电流Iout输出到选择部分813-1至813-M(例如，在这种情况中，设置在电流驱动设备11中的每个电流驱动器1A和1B包括(8x M)/2个驱动晶体管，并将八个输出电流Iout输出到每个选择部分813-1至813-M)。

每个选择部分813-1至813-M，从由大电流驱动设备11输出的八个输出电流Iout中，选择一定数量的输出电流，该数量对应于由关联的显示数据D800-1至D800-M之一表示的灰度级，该显示数据D800-1至D800-M从数据锁存部分811输出且其中的每个显示数据对应于一个像素。此外，选择部分813-1至813-M与设置在显示面板801中的M个数据线一一对应，并且分别输出通过对所有选择到数据线的输出电流Iout求和而获得的电流，作为驱动电流I8-1至I8-M。

<操作>

接着，在图19的显示设备8的操作中，将描述从通过电流驱动设备11输出输出电流Iout的工序步骤至驱动显示面板801的有机EL单元的工序步骤的流程。

首先，电流驱动设备11将八个输出电流Iout输出到每个选择部分813-1至813-M。

根据从数据锁存部分811输出的显示数据D800-1至D800-M，每个选择部分813-1至813-M从由电流驱动设备11输出的八个输出电流Iout中，选择与灰度级对应数量的输出电流Iout，该灰度级由关联的显示数据D800-1至D800-M之一表示。例如，如果显示数据D800-1表示“灰度＝7”，则选择部分813-1从八个输出电流Iout中选择七个输出电流Iout。在每个选择部分813-2至813-M中执行同样的操作，并且M个数据线中的每一个数据线从关联的选择部分813-1至813-M之一接收关联的驱动电流I8-1至I8-M之一。

根据从控制部分802输出的扫描控制信号LINE，栅极驱动器804输出扫描信号SL-1至SL-N。在这种情况中，如果栅极驱动器804将扫描信号SL-1输出到设置在最高一级的显示面板801中的栅极线之一，则激活连接到最高栅极线的M个切换元件。因此，分别将设置在显示面板801中的最高一级的M个有机EL单元连接到对应的数据线，并分别接收通过对应数据线流动的驱动电流I8-1至I8-M。

接着，设置在显示面板801的最高一级中的M个有机EL单元分别对应于驱动电流I8-1至I8-M的电流值发光。每个驱动电流I8-1至I8-M的电流值对应于由关联的显示数据D800-1至D800-M之一表示的灰度级。从而，M个有机EL单元中每一个的亮度变为由关联的显示数据D800-1至D800-M之一表示的灰度级。因此，在设置在最高级中的水平行中显示了用于水平行的显示数据D800。

对所有的水平行执行同样的处理，由此在显示面板801上显示了3位(＝8个灰度级)。

<效果>

从电流驱动设备11输出的输出电流的相应电流值是一致的(或呈现出一定的倾斜)。因此，选择部分813-1至813-M可以以高精度分别生成与由显示数据D800-1至D800-M指示的灰度级对应的驱动电流I8-1至I8-M。从而，可以减少显示面板801中的发光变化。

此外，在本实施例中，设置了第一实施例的电流驱动设备11。然而，即使利用其中设置使用第二至第七实施例中之一的电流驱动器的电流驱动设备的配置，也能达到同样的效果。

此外，在本实施例中，使用了这样的配置，其中在显示面板801的单个水平行中设置M个像素，并为每个像素设置一个有机EL单元。然而，也可以使用这样的配置，其中为每个像素设置三个有机EL单元(即，对应于R个部件的有机EL单元，对应于G个部件的有机EL单元和对应于B个部件的有机EL单元)。在这种情况中，显示数据D800包括(M×3)个显示数据D800-1至D800-(M×3)。此外，数据驱动器803包括三个驱动设备和(M×3)个选择部分813-1至813-(M×3)。三个电流驱动设备中的每一个输出其电流值适于R个部件、G个部件或B个部件的输出电流Iout。在选择部分813-1至813-(M×3)中，选择部分813-(3X-2)(其中X为自然数，1≤X≤M)从对应于R个部件的电流驱动设备之一接收输出电流Iout，选择部分813-(3X-1)从对应于G个部件的电流驱动设备之一接收输出电流Iout，并且选择部分813-(3X)从对应于B个部件的电流驱动设备之一接收输出电流Iout。此外，数据锁存部分811将对应于R个部件的显示数据D800-(3X-2)输出到选择部分813-(3X-2)，将对应于G个部件的显示数据D800-(3X-1)输出到选择部分813-(3X-1)，并将对应于B个部件的显示数据D800-(3X)输出到选择部分813-(3X)。因而，对应于R个部件、G个部件和B个部件的有机EL单元分别具有与对应于R个部件的显示数据D800-(3X-2)相应的亮度、和与对应于G个部件的显示数据D800-(3X-1)相应的亮度以及与对应于B个部件的显示数据D800-(3X)相应的亮度。如上所述，在电流驱动设备中，为R个部件、G个部件和B个部件分别设置的有机EL单元的相应亮度，可以通过调节输出电流Iout的电流值独立地进行调节。因此，能以高精度控制每个像素的亮度。

根据本发明的电流驱动器对于用在例如有机EL面板中的电流驱动的显示驱动器等是有用的。而且，本发明的驱动器可应用于例如这样的打印机驱动器中，即，该打印机驱动器包括多个分离的电路模块，且该打印机驱动器以高精度输出具有调节电流值的、分离电路模块的电流。

Claims (20)

1.一种电流驱动器，具有第一模式和第二模式，所述电流驱动器包括：

第一栅极线，包括第一节点和第二节点；

K个驱动晶体管，每个驱动晶体管连接在输出节点和第一参考节点之间，输出电流从所述输出节点输出，所述第一参考节点指示第一电压值，其中K为自然数；

第一输入端子，用于接收具有第一电流值的第一电流；和

偏置电压生成部分，用于生成偏置电压，该偏置电压的电压值对应于供给到所述第一输入端子的所述第一电流的电流值，

其中，所述第一栅极线在所述第一和第二节点中的任一个节点处接收由所述偏置电压生成部分生成的所述偏置电压，

其中，所述K个驱动晶体管的相应栅极连接在所述第一栅极线上的所述第一和第二节点之间，

其中，在所述偏置电压生成部分中，在所述第一模式下，根据在所述K个驱动晶体管的第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节由所述偏置电压生成部分接收的电流的电流值和由所述偏置电压生成部分生成的所述偏置电压的电压值之间的关系，也称为电流-电压转换能力，

在所述第二模式下，根据在所述K个驱动晶体管的第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节所述电流-电压转换能力。

2.根据权利要求1所述的电流驱动器，其中，所述第一驱动晶体管的栅极位于所述第一栅极线的所述第一节点的附近，

其中，所述第二驱动晶体管的栅极位于所述第一栅极线的所述第二节点的附近。

3.根据权利要求1所述的电流驱动器，其中，所述偏置电压生成部分包括并联连接在所述第一输入端子和所述第一参考节点之间的P个电压生成晶体管，其中P为自然数，

其中，所述P个电压生成晶体管的每一个电压生成晶体管具有彼此连接的栅极和漏极，

其中，所述第一栅极线在所述第一和第二节点中的任一个节点处，接收在所述P个电压生成晶体管的每一个电压生成晶体管中生成的栅极电压，

其中，在所述第一模式下，根据在所述第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节所述电压生成晶体管的数目P，

在所述第二模式下，根据在所述第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，调节所述电压生成晶体管的数目P。

4.根据权利要求3所述的电流驱动器，还包括连接部分，用于连接所述P个电压生成晶体管中的X个电压生成晶体管的每一个的栅极和漏极，其中X为自然数且X≤P，

其中，在所述第一模式下，根据在所述第一驱动晶体管中流动的所述输出电流的所述电流值，调节其中栅极和漏极通过所述连接部分彼此连接的所述电压生成晶体管的数目X，

在所述第二模式下，根据在所述第二驱动晶体管中流动的所述输出电流的所述电流值，调节其中栅极和漏极通过所述连接部分彼此连接的所述电压生成晶体管的数目X，

其中，所述第一栅极线在所述第一和第二节点中的任一个节点处，接收在其中栅极和漏极通过所述连接部分彼此连接的所述X个电压生成晶体管的每一个相应栅极中生成的栅极电压。

5.根据权利要求4所述的电流驱动器，还包括控制部分，用于从所述P个电压生成晶体管中选择X个电压生成晶体管，其中X是自然数且X≤P，

其中，在所述第一模式下，根据在所述第一驱动晶体管中流动的所述输出电流的所述电流值，所述控制部分从所述P个电压生成晶体管中选择X个电压生成晶体管，

在所述第二模式下，根据在所述第二驱动晶体管中流动的所述输出电流的所述电流值，所述控制部分从所述P个电压生成晶体管中选择X个电压生成晶体管，

其中，在由所述控制部分选择的所述X个电压生成晶体管的每一个电压生成晶体管中，所述连接部分连接其栅极和漏极。

6.根据权利要求5所述的电流驱动器，还包括存储部分，用于存储指示要由所述控制部分从所述P个电压生成晶体管中选择的电压生成晶体管的信息，

其中，所述控制部分从所述P个电压生成晶体管中选择由存储在所述存储部分中的所述信息指示的所述X个电压生成晶体管。

7.根据权利要求6所述的电流驱动器，其中，所述存储部分包括多个熔断器，

其中，所述控制部分具有条件固定模式和模拟模式，

其中，在所述条件固定模式下，根据关于所述熔断器是熔断还是未熔断的所述熔断器的状态，所述控制部分从所述P个电压生成晶体管中选择X个电压生成晶体管，

在所述模拟模式下，所述控制部分模拟关于所述熔断器是熔断还是未熔断的所述熔断器的所述状态，由此从所述P个电压生成晶体管中选择X个电压生成晶体管。

8.根据权利要求1所述的电流驱动器，还包括电流供给部分，

其中，在所述第一模式下，所述电流供给部分供给所述第一电流，并且

所述偏置电压生成部分生成偏置电压，该偏置电压的电压值对应于从所述电流供给部分供给的所述第一电流的电流值，

其中，在所述第二模式下，所述第一输入端子从外部接收电流，并且所述偏置电压生成部分生成偏置电压，该偏置电压的电压值对应于供给到所述第一输入端子的电流的电流值。

9.根据权利要求8所述的电流驱动器，其中，所述电流供给部分包括：

第二输入端子，

电压-电流转换部分，

输出端于，

设定晶体管，连接在指示第二电压值的第二参考节点和所述电压-电流转换部分之间，并具有彼此连接的栅极和漏极，

第一供给晶体管，连接在所述第二参考节点和所述输出端子之间，

第二供给晶体管，连接在所述第二参考节点和所述偏置电压生成部分之间，和

第二栅极线，所述设定晶体管的栅极、所述第一供给晶体管的栅极和所述第二供给晶体管的栅极连接到所述第二栅极线，

其中，在所述第一模式下，所述第二输入端子接收具有预定电压值的参考电压，

所述电压-电流转换部分生成所述第一电流，该第一电流的电流值对应于供给到所述第二输入端子的所述参考电压的电压值，

所述输出端子输出在所述第一供给晶体管中流动的所述第一电流，

所述偏置电压生成部分生成偏置电压，该偏置电压的电压值对应于在所述第二供给晶体管中流动的所述第一电流的所述电流值，

其中，在所述第二模式下，所述第一输入端子从外部接收电流，

所述偏置电压生成部分生成偏置电压，该偏置电压的电压值对应于供给到所述第一输入端子的电流的电流值。

10.根据权利要求9所述的电流驱动器，还包括连接在所述第二栅极线和所述第二参考节点之间的切换元件，

其中，所述切换元件在所述第一模式下截止，且在所述第二模式下导通。

11.根据权利要求9所述的电流驱动器，还包括连接在所述第二供给晶体管和所述偏置电压生成部分之间的切换元件，

其中，所述切换元件在所述第一模式下导通，且在所述第二模式下截止。

12.根据权利要求9所述的电流驱动器，其中，所述第二栅极线包括第三节点、第四节点、第五节点和第六节点，所述第五节点设置在所述第三节点和所述第四节点之间，所述第六节点设置在所述第四节点和所述第五节点之间，

所述设定晶体管的所述栅极连接到所述第三节点，

所述第一供给晶体管的所述栅极连接到所述第五节点，

所述第二供给晶体管的所述栅极连接到所述第四节点，

其中，所述电流驱动器还包括：

漏极电流生成部分，用于生成第二电流，该第二电流的电流值对应于由所述偏置电压生成部分生成的所述偏置电压的电压值，

第一切换元件，连接到所述第三节点和所述第五节点之间的所述第二栅极线，

第二切换元件，连接在第七节点和所述偏置电压生成部分之间，所述第七节点设置在所述第二供给晶体管和所述偏置电压生成部分之间，

第三切换元件，连接在所述第六节点和所述第七节点之间，

第四切换元件，连接在所述第七节点和所述漏极电流生成部分之间，

其中，在所述第一模式下，所述第一和第二切换元件导通，且所述第三和第四切换元件截止，

其中，在所述第二模式下，所述第一和第二切换元件截止，且所述第三和第四切换元件导通，

在所述漏极电流生成部分中，根据在所述第一和第二驱动晶体管中流动的所述输出电流的相应电流值，调节由所述漏极电流生成部分本身接收的偏置电压的电压值和由所述漏极电流生成部分本身生成的所述第二电流的电流值之间的关系。

13.根据权利要求12所述的电流驱动器，其中，所述漏极电流生成部分包括Q个电流生成晶体管，其并联连接在所述第四切换元件和所述第一参考节点之间，其中Q是自然数，

其中，所述Q个电流生成晶体管中的每一个电流生成晶体管在其栅极处接收由所述偏置电压生成部分生成的所述偏置电压，

根据在所述第一和第二驱动晶体管中流动的所述输出电流的相应电流值，调节所述电流生成晶体管的数目Q。

14.一种数据驱动器，包括：

设定为所述第一模式的根据权利要求1所述的电流驱动器；

设定为所述第二模式的根据权利要求1所述的电流驱动器；

选择部分，用于根据从外部输入的显示数据，从由设定在所述第一模式下的所述电流驱动器输出的K个输出电流和由设定在所述第二模式下的所述电流驱动器输出的K个输出电流中，选择N个输出电流，其中N为自然数且N≤2K；和

驱动电流输出端子，从中把通过对所述选择部分选择的所述N个输出电流求和所得到的电流作为驱动电流输出，

其中，所述显示数据指示灰度级。

15.一种显示设备，包括：

根据权利要求14所述的数据驱动器；和

显示面板，由从所述数据驱动器输出的驱动电流驱动。

16.一种用于驱动电流驱动器的方法，所述电流驱动器包括具有第一节点和第二节点的第一栅极线、K个驱动晶体管、第一输入端子和偏置电压生成部分，所述K个驱动晶体管的每个驱动晶体管连接在从其输出输出电流的输出节点和指示第一电压值的第一参考节点之间，其中K为自然数，所述第一输入端子用于接收具有预定电流值的第一电流，所述偏置电压生成部分用于生成其电压值对应于供给到所述第一输入端子的所述第一电流的电流值的偏置电压，并且其中所述第一栅极线在所述第一和第二节点中的任一个节点处接收由所述偏置电压生成部分生成的所述偏置电压，所述K个驱动晶体管的相应栅极连接在所述第一栅极线上的所述第一节点和所述第二节点之间，

所述方法具有第一模式和第二模式，

所述方法包括以下步骤：

a)在所述第一模式下，测量在所述K个驱动晶体管的第一驱动晶体管中流动的输出电流的电流值，并且在所述第二模式下，测量在不同于所述第一晶体管的所述K个驱动晶体管的第二驱动晶体管中流动的输出电流的电流值；以及

b)根据所述步骤a)中的输出电流的测量电流值，调节由所述偏置电压生成部分接收的电流的电流值和由所述偏置电压生成部分生成的所述偏置电压的电压值之间的关系，也称为电流-电压转换能力。

17.根据权利要求16所述的方法，其中当所述偏置电压生成部分包括并联连接在所述第一输入端子和所述第一参考节点之间的P个电压生成晶体管，其中P为自然数，所述P个电压生成晶体管的每一个电压生成晶体管具有彼此连接的栅极和漏极，并且所述第一栅极线在所述第一和第二节点中的任一个节点处接收在所述P个电压生成晶体管的每一个电压生成晶体管中生成的栅极电压时，

在所述步骤b)中，在所述第一模式下，根据在所述第一驱动晶体管中流动的所述输出电流的所述电流值，调节所述电压生成晶体管的数目P，

在所述第二模式下，根据在所述第二驱动晶体管中流动的所述输出电流的所述电流值，调节所述电压生成晶体管的数目P。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括步骤c)，将从所述P个电压生成晶体管中选择的X个电压生成晶体管的每一个的栅极和漏极进行连接，其中X为自然数且X≤P，

其中，在所述步骤c)中，在所述第一模式下，根据在所述第一驱动晶体管中流动的所述输出电流的所述电流值，调节其中栅极和漏极彼此连接的所述电压生成晶体管的数目X，

在所述第二模式下，根据在所述第二驱动晶体管中流动的所述输出电流的所述电流值，调节所述数目X，

所述栅极线在所述第一和第二节点中的任一个节点处，接收在步骤c)中其栅极和漏极被彼此连接的所述X个电压生成晶体管的每一个相应栅极中生成的所述栅极电压。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括步骤d)，在所述第一模式下，根据在所述第一驱动晶体管中流动的所述输出电流的所述电流值，从所述P个电压生成晶体管中选择所述X个电压生成晶体管，以及在所述第二模式下，根据在所述第二驱动晶体管中流动的所述输出电流的所述电流值，从所述P个电压生成晶体管中选择所述X个电压生成晶体管，其中X为自然数且X≤P，

其中，在所述步骤c)中，在所述步骤d)中选择的所述X个电压生成晶体管的每一个的栅极和漏极彼此连接。

20.根据权利要求19所述的方法，还包括步骤e)，在存储介质中，存储指示要在所述步骤d)中从所述P个电压生成晶体管中选择的电压生成晶体管的信息，

其中，在所述步骤d)中，根据在所述步骤e)中存储在所述存储介质中的所述信息，从所述P个电压生成晶体管中选择所述X个电压生成晶体管。

Images