CN1773670A - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够有效降低因含水的液体的处理引起的基板的带电量的基板处理方法。该方法包含：水供给工序，在通过基板保持旋转机构将基板保持为大致水平并使其以第一旋转速度旋转的状态下，向上述基板供给含水的液体；除电工序，在该水供给工序之后，在通过上述基板保持旋转机构将上述基板保持为大致水平并使其以比上述第一旋转速度低的第二旋转速度旋转、或者停止基板的旋转的状态下，在上述基板的表面保持规定的液体的液膜，并且以规定时间进行对该液膜不进行液体的供给的浸泡处理，从而对上述基板进行除电。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种利用基板保持旋转机构来保持基板并使其旋转、同时对该基板供给含水的液体的基板处理方法以及基板处理装置。
背景技术
在半导体装置和液晶显示装置的制造工序中使用的基板处理装置中，有一种一张张处理基板的单张型的基板处理装置。此单张型的基板处理装置，例如包含有保持基板并使其旋转的旋转卡盘、向由该旋转卡盘保持的基板供给药液的药液喷嘴、向由上述旋转卡盘保持的基板供给纯水(deionized water)的纯水喷嘴。根据该构成，进行如下工序：在使旋转卡盘旋转的同时向基板供给药液的药液处理工序；停止药液的供给、并使旋转卡盘旋转的同时向基板提供纯水来冲洗其表面的药液的冲洗工序；以及停止纯水的供给、并使旋转卡盘高速旋转来甩干基板上的纯水的干燥工序。
但是，在冲洗工序中，会产生静电，引起形成在基板上的器件的不良。基板和纯水的摩擦、纯水和空气的摩擦被认为是产生静电的原因。
因此，提出了通过使碳酸气(二氧化碳)溶解于在冲洗工序中使用的纯水中，来尝试降低基板的带电量的方案(参照JP特开平9-1093号公报)。
但是，进一步降低基板的带电量已成为市场的要求，而利用溶解了碳酸气的纯水(碳酸水)的冲洗工序已经不能满足市场的要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够有效地降低因含水的液体的处理引起的基板的带电量的基板处理方法以及基板处理装置。
本发明的基板处理方法，包括：水供给工序，在通过基板保持旋转机构将基板保持为大致水平并使其以第一旋转速度旋转的状态下，向上述基板供给含水的液体；除电工序，在该水供给工序之后，在通过上述基板保持旋转机构将上述基板保持为大致水平并使其以比上述第一旋转速度低的第二旋转速度旋转、或者停止基板的旋转的状态下，在上述基板的表面保持规定的液体的液膜，并且以规定时间进行对该液膜不进行液体的供给的浸泡(パドル)处理，从而对上述基板进行除电。
当向旋转状态的基板供给含水的液体时，产生认为以水和基板之间的摩擦为主要原因的静电。因此，在本发明中，在保持基板大致水平并使基板以第一旋转速度旋转，同时向该基板供给含水的液体的水供给工序之后，进行用于对基板进行除电的除电工序。在该除电工序中，基板以比水供给工序的旋转速度还要低的第二旋转速度旋转或者停止其旋转。在该状态下，在基板的表面保持规定的液体的液膜，进行所谓的浸泡处理。此时，不进行对液膜的液体的供给。
因此，成为基板和构成该表面的液膜的液体几乎不产生相对移动的状态，不产生静电。即，单位时间内从基板上放出的放电量超过单位时间内基板上的带电量，进行基板的除电。虽然来自基板的放电的机制并非很明确，但是可以推断：经由基板表面的液膜向空气中的放电是主要的放电机制。
上述“含水的液体”除了纯水，也可以是含有所谓的功能水的液体。作为功能水，可以例示出是碳酸水、含氢水(还原水)、臭氧水以及电解离子水等中的至少任意一个。
进行上述浸泡处理的规定时间理想的是3秒或3秒以上，更为理想的是5秒或5秒以上。由此，在水供给工序中能够从带电的基板上充分地进行除电。
上述基板保持旋转机构可以是将一张基板保持为大致水平并使该基板以垂直轴线为中心进行旋转的旋转卡盘。
上述规定的液体可以是含水的液体。此时，在除电工序中也能够使用和在水供给工序中向基板供给的液体同种类的液体。由此，通过简单的构成，就能够实现基板的除电。
更具体的说，上述水供给工序可以包含从水供给喷嘴向上述基板供给含水的液体的工序。此时，最好在上述水供给工序之后、上述除电工序之前，还包含使上述基板的旋转速度从上述第一旋转速度减速到上述第二旋转速度、或者使基板的旋转停止，同时使来自上述水供给喷嘴的液体的供给停止的工序。
另外，上述规定的液体也可以是有机溶剂。此时，与将纯水或碳酸水使用在用于浸泡处理的液膜形成中相比，能够获得高的除电效果。虽然其理由并非很明确，但是可以推断：由于有机溶剂所具有的挥发性，使液膜和周围的空气之间的接触面积实质性变大，从基板经由液膜向空气中有效地进行放电。
作为上述有机溶剂，可以例示出异丙醇(IPA)、乙醇、丙酮、甲基异丁基甲酮(MIBK)。
在上述水供给工序包含从水供给喷嘴向上述基板供给含水的液体的工序的情况下，在除电工序中使用有机溶剂时，在上述水供给工序之后、上述除电工序之前，最好包含：使来自上述水供给喷嘴的液体的供给停止的工序；从有机溶剂喷嘴向上述基板的表面供给有机溶剂的工序；将上述基板的旋转速度从上述第一旋转速度减速到上述第二旋转速度、或者使基板的旋转停止的工序；使从上述有机溶剂喷嘴向上述基板的有机溶剂的供给停止的工序。
此时，在水供给工序之后，使来自水供给喷嘴的液体的供给停止，取而代之，从有机溶剂喷嘴向基板的表面供给有机溶剂，从而基板表面的上述含水的液体被有机溶剂所置换。之后，当将基板的旋转速度从第一旋转速度减速到第二旋转速度或者停止基板的旋转，同时停止从有机溶剂喷嘴向基板供给有机溶剂时，处于在基板的表面形成并保持液膜，并且不对该液膜提供液体的状态。这样一来，能够经由形成在基板表面上的有机溶剂的液膜，来实现基板的放电。此时，因为构成液膜的有机溶剂和基板之间几乎不产生相对移动，所以处于单位时间内的放电量超过由摩擦引起的带电量的状态，从而能够有效的进行基板的除电。
上述方法最好在上述除电工序之后，还包含通过上述基板保持旋转机构使基板以比上述第一旋转速度还要高的第三旋转速度旋转，从而甩干基板表面的液体的干燥工序。由此，除电工序之后，能够利用离心力甩干基板表面的液体，使基板干燥。
本发明的基板处理装置，包括：基板保持旋转机构，其将基板保持为大致水平并使其旋转；水供给喷嘴，其用于向该基板保持旋转机构所保持的基板供给含水的液体；控制单元，其在控制上述基板保持旋转机构而使上述基板以第一旋转速度旋转的状态下，从上述水供给喷嘴向基板供给含水的液体而执行水供给工序，在该水供给工序之后，在控制上述基板保持旋转机构而使上述基板以比上述第一旋转速度低的第二旋转速度旋转、或者使基板的旋转停止的状态下，在上述基板的表面保持规定的液体的液膜，并且以规定时间进行对该液膜不进行液体的供给的浸泡处理，从而执行对上述基板进行除电的除电工序。
通过该构成，在由含水的液体处理基板之后，能够在基板的表面保持液膜，并且对该液膜进行不供给液体的浸泡处理。
本发明上述的、或者其他的目的、特征以及效果，参照附图通过下面描述的实施方式的说明可以明确。
附图说明
图1是用于说明本发明第一实施方式的基板处理装置的构成的图解图。
图2是用于说明图1的基板处理装置的基板处理工序的流程图。
图3A～图3D是用于说明上述第一实施方式的基板处理工序的流程的图解图。
图4是用于说明本发明第二实施方式的基板处理装置的构成的图解图。
图5是用于说明图4的基板处理装置的基板处理工序的流程图。
图6A～图6E是用于说明上述第二实施方式的基板处理工序的流程的图解图。
图7是表示本发明人的实验结果的图。
具体实施方式
图1是用于说明本发明第一实施方式的基板处理装置的构成的图解图。该基板处理装置是用于一张张处理半导体晶片等的基板(在本实施方式中为大致圆形的基板)W的单张型的装置。该基板处理装置具备有：将基板W保持为大致水平并使其旋转的作为基板保持旋转机构的旋转卡盘1；向该旋转卡盘1提供旋转力的旋转驱动机构2；向由旋转卡盘1保持并旋转着的基板W供给药液的药液喷嘴3；同样向由旋转卡盘1保持并旋转着的基板W供给纯水的纯水喷嘴4(水供给喷嘴)。
旋转卡盘1具备有沿着大致垂直方向配置的旋转轴6、和与该旋转轴6的上端结合的基板吸附部7，通过真空吸附来吸附并保持基板W的下表面的中央区域。向旋转轴6传递来自旋转驱动机构2的旋转力。旋转驱动机构2包含有马达等，利用控制装置10(控制单元)进行驱动控制。由此，能够使旋转卡盘1的旋转速度改变或使该旋转停止。
向药液喷嘴3经由药液阀11供给来自药液供给源的药液。从药液供给源向药液喷嘴3供给例如氟酸等的蚀刻液、除去基板W的表面的抗蚀剂残渣的聚合物除去液等这样的药液。
向纯水喷嘴4经由纯水阀12供给来自纯水供给源的纯水。但是也可以取代供给纯水，而从喷嘴4向基板W的表面供给所谓的功能水。所谓的功能水是像碳酸水、含氢水(还原水)、臭氧水以及电解离子水那样的、对纯水赋予了某种功能的水。
药液阀11的开闭以及纯水阀12的开闭由控制装置10控制。
图2是用于说明图1的基板处理装置的基板处理工序的流程图，另外，图3A～图3D是用于说明基板处理工序的流程的图解图。
当由基板搬运机械手将未处理的基板W交接到旋转卡盘1上时，由基板吸附部7吸附住基板W，从而将基板W保持在旋转卡盘1上。在该状态下，旋转驱动机构2由控制装置10控制，使得向旋转卡盘1提供旋转力，以药液处理用的基板旋转速度(药液处理旋转速度)RC旋转基板W(步骤S1)。药液处理旋转速度RC例如为500rpm。
在以药液处理旋转速度RC旋转基板W的状态下，控制装置10打开药液阀11(步骤S2)。由此，向旋转状态的基板W的表面供给来自药液喷嘴3的药液。药液喷嘴3，例如以向基板W的旋转中心供给药液的方式配置。这样一来，到达基板W的表面的药液，受到离心力而向旋转半径方向外侧扩散，遍布到整个基板W的上表面，从而处理整个基板W的上表面(参照图3A)。
该状态在仅被保持了规定时间(例如60秒)之后(步骤S3)，控制装置10关闭药液阀11(步骤S4)。由此，停止向基板W的表面供给药液。
接着，控制装置10打开纯水阀12(步骤S5)。由此，从纯水喷嘴4向基板W的上表面供给纯水。纯水喷嘴4例如以向基板W的旋转中心喷出纯水的方式配置。这样一来，到达基板W的上表面的纯水，受到离心力而向旋转半径方向外侧扩散，到达整个基板W(参照图3B)。这样，在整个基板W的上表面，药液被置换为纯水，从而进行基板W的纯水冲洗处理。来自纯水喷嘴4的纯水的喷出流量例如为800ml左右。
此时，控制装置10通过控制旋转驱动机构2，将旋转卡盘1的旋转速度(即基板W的旋转速度)控制为冲洗处理旋转速度RR(步骤S6)。冲洗处理旋转速度RR例如为500rpm。
此状态被保持规定时间(例如30秒)(步骤S7)。
之后，控制装置10通过控制旋转驱动机构2，将旋转卡盘1的旋转速度、即基板W的旋转速度减速到浸泡处理旋转速度RP(步骤S8)。浸泡处理旋转速度RP被设定为比冲洗处理旋转速度RR还要低的速度，在本实施方式中为200rpm。
控制装置10将基板W的旋转速度减速到浸泡处理旋转速度RP后，关闭纯水阀12(步骤S9)。由此，处于在以水平姿态低速旋转的基板W的表面保持纯水的液膜的状态，进行纯水浸泡处理(参照图3C)。此状态被保持规定时间(例如5秒)(步骤S10)。
之后，控制装置10将旋转卡盘1的旋转速度加速到干燥处理旋转速度RD(例如4000rpm)(步骤S11)。干燥处理旋转速度RD是比冲洗处理旋转速度RR更高的旋转速度，通过以这种干燥处理旋转速度RD使基板W高速旋转，由于离心力的作用，能够将基板W的表面的液滴甩到基板W的外侧，从而使基板W干燥(参照图3D)。这种干燥处理在进行了规定的干燥处理时间(例如15秒)  (步骤S12)之后，控制装置10控制旋转驱动机构2，使旋转卡盘1的旋转停止(步骤S13)。这样，当对一张基板W的处理结束时，由基板搬运机械手从旋转卡盘1上拿开处理后的基板W。
根据本实施方式的基板处理工序，紧接着纯水冲洗处理(步骤S5～S7)，基板W的旋转速度减速到浸泡处理旋转速度RP后，就停止纯水的供给。由此，在整个规定时间(例如5秒)内，纯水的液膜保持在基板W上，构成该液膜的纯水和基板W的相对速度几乎为零。在此状态下，因为基板W和纯水之间的摩擦造成的静电几乎不产生，所以处于与单位时间内的带电量相比单位时间内的放电量更多的状态。其结果是，能够在纯水冲洗工序中有效地将电量从带了电的基板W除去。
图4是用于说明本发明第二实施方式的基板处理装置的构成的图解图。在该图4中，在与上述图1所示的各部分相当的部分标有和图1相同的附图标记来表示。在本实施方式的基板处理装置中，在具备图1所示的构造之外，还具有对保持在旋转卡盘1上的基板W供给有机溶剂的有机溶剂喷嘴5。来自有机溶剂供给源的有机溶剂经由有机溶剂阀13被供给到有机溶剂喷嘴5。有机溶剂阀13的开闭由控制装置10控制。
有机溶剂供给源例如可以是将异丙醇(IPA)作为有机溶剂来供给的供给源。
图5是用于说明图4所示的基板处理装置的基板处理工序的流程图，图6A～图6E是用于说明该基板处理工序的流程的图解图。此外，在图5中，对进行和图2所示的各步骤相同的处理的各步骤，标有和图2情况相同的附图标记来表示。
从图2和图5的对比明显可知，在本实施方式中，药液处理工序(步骤S2～S4。图6A)之后，在纯水冲洗工序(步骤S5～S9。图6B)和旋转干燥工序(步骤S11～S13。图6E)之间，对基板W的表面供给有机溶剂的同时(图6C)，进行在该基板W上形成有机溶剂的液膜的有机溶剂浸泡处理(图6D)。
当具体说明时，控制装置10在关闭纯水阀12之后(步骤S9)，打开有机溶剂阀13(步骤S21)，在整个规定时间(例如5秒)内(步骤S22)，从有机溶剂喷嘴5向以浸泡处理旋转速度RP旋转的基板W的表面供给有机溶剂。有机溶剂喷嘴5例如以向基板W的旋转中心喷出有机溶剂的方式来供给。这样一来，到达基板W的上表面的有机溶剂在基板W上受到离心力而向整个基板扩散(参照图6C)。由此，残留在基板W上的纯水被有机溶剂置换。来自有机溶剂喷嘴5的有机溶剂的喷出流量例如为600ml左右。
之后，控制装置10关闭有机溶剂阀13(步骤S23)。由此，处于在以浸泡处理旋转速度RP旋转的基板W上形成有机溶剂的液膜，没有追加供给对应该有机溶剂膜的有机溶剂的状态(参照图6D)。其结果是，因为不产生构成基板W上的液膜的有机溶剂和基板W间的相对移动，所以不会产生起因于它们之间的摩擦的带电。即，处于与单位时间内的基板的带电量相比较，单位时间内的电量从基板W除去的量更多的状态，从而有效地将电量从基板W除去。
此状态被保持了规定时间(例如5秒)后，控制装置10执行从步骤S11开始的旋转干燥工序(参照图6E)。由此，利用离心力甩干基板W上的有机溶剂。
这样，在本实施方式中，通过形成有机溶剂的液膜来进行浸泡处理，由此对基板W进行除电。因为有机溶剂有挥发性，所以液膜和周围的空气间的接触面积实质性变大，其结果是，可以迅速进行经由有机溶剂的液膜的基板W的放电。
图7是表示本发明人的实验结果的图。此图7中表示在各种条件下经过了纯水冲洗工序和旋转干燥工序的基板的表面电荷密度的测定结果。
测定结果A表示使用溶解了碳酸气的纯水(碳酸水)来进行纯水冲洗处理，并使此时的基板旋转速度为500rpm的同时，之后不进行浸泡处理而执行旋转干燥处理的结果(即以往技术)。此时，表面电荷密度约为1.1×1012(/cm2)。对应于该表面电荷密度的基板表面电位约为5V。
测定结果B、C、D表示使用了碳酸水的纯水冲洗工序之后，接着降低基板W的旋转速度，同样进行使用了碳酸水的浸泡处理，之后执行旋转干燥工序的情况下(即上述第一实施方式)的实验结果。其中，测定结果B表示的是使浸泡处理时的基板W的旋转速度RP为200rpm时的情况，测定结果C是使浸泡处理旋转速度RP为100rpm时的情况，测定结果D表示的是使浸泡处理旋转速度RP为30rpm时的测定结果。
由这些测定结果B、C、D导出这样的结论：表面电荷密度被降低到不足1.0×1012(/cm2)，并且，使浸泡处理时的旋转速度RP越慢就越能降低表面电荷密度。在测定结果B中，表面电荷密度约为8.8×1011(/cm2)左右，在测定结果C中，表面电荷密度约为7.5×1011(/cm2)左右，在测定结果D中，表面电荷密度约为6.5×1011(/cm2)左右。当分别换算成表面电位时，测定结果B的情况为4V，测定结果C的情况为3.5V，测定结果D的情况为3V。
测定结果E、F、G表示在使用了碳酸水的纯水冲洗工序后，进行使用了作为有机溶剂的IPA的浸泡处理，之后执行了旋转干燥工序的情况下(即上述第二实施方式)的测定结果。其中，测定结果E、F、G分别表示的是使浸泡处理时的旋转速度RP为200rpm、100rpm、30rpm时的情况的结果。
在该测定结果中，与浸泡处理旋转速度RP是200rpm时(测定结果E)相比，使浸泡处理旋转速度RP为100rpm(测定结果F)时的表面电荷密度增加了，但是，当作为整个趋势来看，可以说越降低浸泡处理旋转速度RP就越能降低表面电荷密度。另外，将测定结果B、C、D和测定结果E、F、G进行比较明显可知，通过使用有机溶剂，可以更为有效的除电。
测定结果E的情况下的表面电荷密度约为4.7×1011(/cm2)左右，测定结果F的情况下的表面电荷密度约为4.9×1011(/cm2)左右，测定结果G的情况下的表面电荷密度约为3.8×1011(/cm2)左右。各自情况下的表面电位为2.1V、2.2V、1.8V。
图7所示的测定结果是用在表面形成了氧化膜(例如膜厚为100nm)的半导体晶片作为基板W来进行实验的结果。此时，当晶片上的氧化膜形成了平行平板电容器时，在电荷量Q、静电容量C、表面电位V、氧化膜的介电常数εox真空的介电常数ε0、氧化膜的厚度d以及氧化膜的面积S之间，有下式成立。
Q＝CV＝εox＝ε0SV/d
此时，因为表面电荷密度可以用电子电量e以及氧化膜的面积S来除电荷量Q，所以能用下式得出。
表面电荷密度＝εoxε0V/d/e。
对各常数分别代入实际值，如果氧化膜的厚度单位用表示，则表面电荷密度就能用下式得出。
表面电荷密度＝2.15528×1014V/d。
由此，通过测定晶片上的氧化膜的表面电位，就能够得到表面电荷密度。
以上，虽然就本发明的两个实施方式进行了说明，但本发明也能够用其他的方式来实施。例如，在上述实施方式中，在浸泡处理工序中使基板W以低速旋转，但是也可以完全停止基板W的旋转。在浸泡处理时，低速旋转基板W时的旋转速度的上限，可以基于是否能够将液膜在基板上保持规定时间(例如3秒或其以上，理想的是5秒或其以上)来决定。在浸泡处理时，与停止基板W的旋转相比，低速旋转比较好，由此，虽然从基板W溢出一些液体，但是具有抑制或防止在基板W上颗粒留在固定位置而附着在基板表面的效果。
虽然就本发明的实施方式进行了详细的说明，但是这些只不过是为了说明本发明的技术内容而使用的具体例子而已，本发明并不应该限于这些具体例子来解释，本发明的精神以及范围只由所附的权利要求书来限定。
本申请对应于2004年11月11日向日本专利局提出的专利申请特愿2004-327930号，本申请的全部公开内容通过引用而编入在本文中。

Claims (10)

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
水供给工序，在通过基板保持旋转机构将基板保持为大致水平并使其以第一旋转速度旋转的状态下，向上述基板供给含水的液体；
除电工序，在该水供给工序之后，在通过上述基板保持旋转机构将上述基板保持为大致水平并使其以比上述第一旋转速度低的第二旋转速度旋转、或者停止基板的旋转的状态下，在上述基板的表面保持规定的液体的液膜，并且以规定时间进行对该液膜不进行液体的供给的浸泡处理，从而对上述基板进行除电。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，上述规定的液体是含水的液体。
3.如权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，上述水供给工序包含从水供给喷嘴向上述基板供给含水的液体的工序，
在上述水供给工序之后、上述除电工序之前，还包含使上述基板的旋转速度从上述第一旋转速度减速到上述第二旋转速度、或者使基板的旋转停止，同时使来自上述水供给喷嘴的液体的供给停止的工序。
4.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，上述规定的液体是有机溶剂。
5.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，上述水供给工序包含从水供给喷嘴向上述基板供给含水的液体的工序，
在上述水供给工序之后、上述除电工序之前，包含：
使来自上述水供给喷嘴的液体的供给停止的工序；
从有机溶剂喷嘴向上述基板的表面供给有机溶剂的工序；
将上述基板的旋转速度从上述第一旋转速度减速到上述第二旋转速度、或者使基板的旋转停止的工序；
使从上述有机溶剂喷嘴向上述基板的有机溶剂的供给停止的工序。
6.如权利要求1至5中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在上述除电工序后，还包含通过上述基板保持旋转机构使基板以比上述第一旋转速度高的第三旋转速度旋转，从而甩干基板表面的液体的干燥工序。
7.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
基板保持旋转机构，其将基板保持为大致水平并使其旋转；
水供给喷嘴，其用于向该基板保持旋转机构所保持的基板供给含水的液体；
控制单元，其在控制上述基板保持旋转机构而使上述基板以第一旋转速度旋转的状态下，从上述水供给喷嘴向基板供给含水的液体而执行水供给工序，在该水供给工序之后，在控制上述基板保持旋转机构而使上述基板以比上述第一旋转速度低的第二旋转速度旋转、或者使基板的旋转停止的状态下，在上述基板的表面保持规定的液体的液膜，并且以规定时间进行对该液膜不进行液体的供给的浸泡处理，从而执行对上述基板进行除电的除电工序。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述规定的液体是含水的液体，
上述控制单元在上述水供给工序之后、上述除电工序之前，执行将上述基板的旋转速度从上述第一旋转速度减速到上述第二旋转速度、或者使基板的旋转停止，同时使来自上述水供给喷嘴的液体的供给停止的工序。
9.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，上述规定的液体是有机溶剂，
上述基板处理装置还包含有有机溶剂喷嘴，该有机溶剂喷嘴用于向由上述基板保持旋转机构保持的基板供给有机溶剂，
上述控制单元在上述水供给工序之后、上述除电工序之前，执行：使来自上述水供给喷嘴的液体的供给停止的工序；从上述有机溶剂喷嘴向上述基板的表面供给有机溶剂的工序；将上述基板的旋转速度从上述第一旋转速度减速到上述第二旋转速度、或者使基板的旋转停止的工序；停止从上述有机溶剂喷嘴向上述基板供给有机溶剂的工序。
10.如权利要求7至9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，上述控制单元在上述除电工序后，执行通过上述基板保持旋转机构使基板以比上述第一旋转速度高的第三旋转速度旋转，从而甩干基板表面的液体的干燥工序。
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