CN1770628A - 双工器 - Google Patents

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Abstract

一种双工器，包括：与公共端子连接的发送滤波器和接收滤波器；以及电抗电路，与所述发送滤波器和接收滤波器至少其中之一相连接。所述电抗电路包括绝缘基板、集总常数电感和至少一个电容，所述集总常数电感和所述至少一个电容直接形成在所述绝缘基板的表面上。

Description

双工器
技术领域
本发明一般涉及一种双工器，更具体地，涉及一种使用表面声波(SAW)的双工器。
背景技术
为了将发送信号和接收信号与其他信号相分离，目前大多数移动电话手机上都安装了带有表面声波(SAW)滤波器的天线双工器。各SAW双工器包括发送SAW滤波器、接收SAW滤波器、以及***在所述接收滤波器与发送滤波器和接收滤波器的连接点之间的匹配电路。提供该匹配电路用于将来自发送滤波器的各发送信号引向天线端子，并用于防止各发送信号流入接收滤波器。通常，如图1所示，匹配电路由分布常数线(例如微波传输带状线或带状线)形成。微波传输带状线或带状线可以被并入待安装SAW滤波器的封装中，或可以形成在待安装SAW滤波器的印刷板上。随着移动电话手机变得越来越尖端，对尺寸小且高度小的器件的需求不断增加。然而，常规的具有分布常数线的双工器不能制造得更短或更小，这是因为需要很长的线作为分布常数线。
为解决该问题，日本专利第3487692号和日本未审专利公开第2004-228911公开了用集总常数电路替换分布常数线作为匹配电路的技术。如图2所示，由并联电容、串联电感和并联电容形成的π型电路代替该线，***在接收滤波器与发送滤波器和接收滤波器的连接点之间。利用这种结构，无需长线，因而该设备可以制造得更小和更短。
然而，利用该使用常规集总常数电路作为匹配电路的技术，电抗元件(例如电感和电容)是利用较大的元件(芯片电感或芯片电容)形成的，或者被并入到含有SAW滤波器的封装中。利用这种结构，该器件在尺寸和高度上不能最小。另一方面，美国专利5175518公开了一种集总常数电感，其具有：形成在绝缘基板(如氧化铝)上的介电膜；以及形成在该介电膜上的图案。美国专利5175518还公开了如下一种电容，其具有***在绝缘基板上的电极之间的介电膜。然而，利用形成在绝缘基板上的介电膜，耦合在介电膜上的相邻电感之间的电容因为介电膜的大介电常数而变大。结果，损耗因相邻电感之间的谐振而增加，并因相邻电感之间的耦合而使绝缘特性劣化。为此，在美国专利5175518中公开的集总常数电感和电容不适于需要表现出低的带内***损耗和高绝缘特性的SAW滤波器的相位匹配电路。这就出现了如何制造具有良好滤波特性的双工器的问题。
发明内容
因而，本发明的目的是提供一种消除了上述缺点的双工器。
本发明更具体的目的是提供一种具有良好滤波特性的双工器，尽管其尺寸小，但表现出低的带内***损耗和高的绝缘特性。
根据本发明的一个方面，提供了一种双工器，包括：与公共端子连接的发送滤波器和接收滤波器；以及电抗电路，与所述发送滤波器和接收滤波器至少其中之一相连接，所述电抗电路包括绝缘基板、多个集总常数电感和至少一个电容，所述多个集总常数电感和所述至少一个电容直接形成在绝缘基板的表面上。
根据本发明的另一方面，提供了一种双工器，包括：与公共端子连接的发送滤波器和接收滤波器；以及电抗电路，被设计用于相位匹配，并与所述发送滤波器和接收滤波器至少其中之一相连接，所述电抗电路包括绝缘基板、以及集总常数电感和电容的至少其中之一，所述集总常数电感和所述电容直接形成在绝缘基板的表面上，与所述发送滤波器和接收滤波器至少其中之一相连接的电感直接形成在所述绝缘基板的表面上。
根据本发明的又一方面，提供了一种双工器，包括：与公共端子连接的发送滤波器和接收滤波器；以及电抗电路，与所述发送滤波器和接收滤波器至少其中之一相连接，所述发送滤波器、接收滤波器和所述电抗电路形成在压电基板的表面上。
本发明可以提供一种具有良好滤波特性的双工器，尽管其尺寸小，但表现出低的带内***损耗和高的绝缘特性。
附图说明
当结合附图阅读下面的详细说明时，本发明的其他目的、特征和优点将变得更显而易见。在附图中：
图1示出了常规表面声波双工器的示例；
图2示出了常规表面声波双工器的另一示例；
图3示出了根据本发明第一实施例的双工器结构；
图4A到图4D示出了用于图3所示的匹配电路的集总常数电路的示例结构；
图5A是在本发明的双工器中采用的集总常数匹配电路的平面图；
图5B是集总常数匹配电路的前视图；
图6是在本发明的双工器中采用的集总常数匹配电路的另一示例结构的平面图；
图7A到图7F示出了用于图3所示的匹配电路的集总常数电路的结构示例；
图8是在本发明的双工器中采用的集总常数匹配电路的另一示例结构的平面图；
图9示出了仅包括图3所示的匹配电路之一的本发明的双工器的示例结构；
图10是根据本发明的双工器的分解立体图；
图11A是根据本发明第二实施例的双工器的电路图；
图11B是双工器的集总常数匹配电路的前视图；
图12是根据第二实施例的双工器的分解立体图；
图13是根据本发明第三实施例的双工器中采用的芯片的平面图；
图14是根据第三实施例的双工器的分解立体图；
图15是在第三实施例的变型例中采用的压电基板芯片的平面图；
图16是在第三实施例的另一变型例中采用的压电基板芯片的平面图；
图17是在根据本发明第四实施例的双工器中采用的压电基板芯片的平面图；
图18示出了附加的电抗元件可能布置的位置；
图19是根据本发明第五实施例的双工器的电路图；
图20示出了图19中所示的在绝缘基板的表面上形成有附加电抗元件的示例结构；以及
图21是在根据本发明第六实施例的双工器中采用的压电基板芯片的平面图。
具体实施方式
下面参照附图详细描述本发明的实施例。
(第一实施例)
图3是根据本发明第一实施例的双工器结构的方框图。该双工器包括发送滤波器10、接收滤波器11、天线端子(公共端子)12、发送端子13和接收端子14。发送滤波器10和接收滤波器11都是表面声波(SAW)滤波器。下面，发送滤波器10和接收滤波器11还可被称为发送SAW滤波器10和接收SAW滤波器11。双工器还包括相位匹配电路15到19。然而，本发明的双工器不是必须要包括相位匹配电路15到19。而是可以有选择地使用相位匹配电路15到19，从而获得期望的特征。例如，可以只采用匹配电路18。该双工器中的匹配电路是由集总常数电抗元件形成的电抗电路。
匹配电路15布置在天线端子12与发送滤波器10和接收滤波器11的连接点20之间。匹配电路16布置在发送端子13与发送滤波器10之间。匹配电路17布置在发送滤波器10与连接点20之间。匹配电路18布置在连接点20与接收滤波器11之间。匹配电路19布置在接收滤波器11与接收端子14之间。提供匹配电路15用于天线端子12的阻抗匹配。提供匹配电路16用于发送端子13的阻抗匹配。提供匹配电路17用于防止接收信号流入发送滤波器10。此处，接收信号通过天线端子12输入的。提供匹配电路18用于防止发送信号流入接收滤波器11。提供匹配电路19用于接收端子14的电抗匹配。这些匹配电路是改变信号相位的相位匹配电抗电路。
图4A到图4D示出了匹配电路17和18的示例结构。虽然图4A到图4D所示的各结构包括三个电抗元件(电感和电容)，但电抗元件的数目不限于三个，可以多于三个或少于三个。更具体地，图4A示出了由两个并联电容和一个串联电感形成的π型集总常数匹配电路。图4B示出了由一个串联电容和两个并联电感形成的π型集总常数匹配电路。图4C示出了由一个并联电容和两个串联电感形成的T型集总常数匹配电路。图4D示出了由两个串联电容和一个并联电感形成的T型集总常数匹配电路。
通过直接在例如由玻璃或石英制成的高电阻芯片(绝缘基板)的表面上形成以上集总常数匹配电路来具体实现本发明。图5A和图5B示出了通过直接在石英芯片21(下文称为石英基板21)的表面上布置图4B的电路结构形成的示例结构。图5A是集总常数匹配电路的平面图；图5B是集总常数匹配电路的前视图。电感(图4B结构中的并联电感)是直接形成在石英基板21上的螺旋线圈22和23。螺旋线圈22和23由经构图的导电材料(如金属材料)形成。螺旋线圈22和23不是必须采用圆形，而是可以呈现出各种形状，如椭圆形或矩形。电容(图4B结构中的串联电容)24具有***在上电极24a与下电极24c之间的介电膜24b。该介电膜24b例如可以由SiO2形成。电容24不是必须具有这种结构，而可以如图6所示采用具有梳状电极的IDF(叉指式换能器)电容24A。再次参照图5A和图5B，信号焊盘25和26以及接地焊盘27和28形成在石英基板21上。螺旋线圈22和23的引出线经过形成在螺旋线圈22和23上的绝缘膜(未示出)，并分别与接地焊盘27和28相连接。
石英基板21或由绝缘体形成的绝缘基板的介电常数很小。因而，耦合在螺旋线圈22与23(它们是直接形成在石英基板21表面上的电感)之间的电容很小，并且因螺旋线圈22和23而引起的干涉很小。结果，可以实现具有低***损耗和高绝缘性的集总常数匹配电路，并且可以改善双工器的特性。由于一个双工器包括多于一个的电感，在限制集成在一个基板上的集总常数电感之间的干涉的能力方面尤其有优势。此外，通过在类芯片的石英基板21的表面上形成匹配电路，双工器可以制造得小得多和短得多。
图7A到图7F示出了匹配电路15、16和17的结构示例。图7A到图7D各示出了具有一个电抗元件的结构。图7E和图7F各示出了具有两个电抗元件的结构。然而，各匹配电路15、16和17不限于这些结构，而是可以包括三个或更多个电抗元件。当图7E或图7F中所示的匹配电路被添加到双工器中时，可以任意设置电路连接的方向。
图8示出了在石英基板31的表面上形成有图7E的电路结构的结构示例。串联电感32是螺旋线圈。螺旋线圈32不是必须采用圆形，而可以任何形状，如椭圆形或矩形。与图5B中所示的电容24类似，并联电容34具有***在上电极与下电极之间的介电膜。并联电容34不是必须具有这种结构，而是可以与图6所示的电容24A一样，为具有梳状电极的IDF型。螺旋线圈32的两端与形成在石英基板31上的信号焊盘35和36相连接。并联电容34的一端与同样形成在石英基板31上的接地焊盘38相连接。利用如图8所示的形成在一个芯片的表面上的该匹配电路，可以实现比常规双工器小得多、低得多的双工器。
图9示出了仅包括以上匹配电路15到19中的匹配电路18的双工器的结构。匹配电路18具有图4B所示的电路结构(为便于说明，在图9中，串联电容由C1指示，两个并联电感由L1和L2指示)。图5A和5B更详细地示出了匹配电路18的结构。
图10是包括如图9所示的匹配电路18的本实施例的双工器的分解立体图。在图10所示的结构中，发送滤波器10(参见图3)和接收滤波器11由相互独立的SAW滤波器芯片形成。如图10所示，发送滤波器10的芯片(发送SAW滤波器芯片)、接收滤波器11的芯片(接收SAW滤波器芯片)以及匹配电路18的芯片(匹配电路芯片)通过倒装芯片结合安装在陶瓷封装41的腔42中。在陶瓷封装41的腔42的底面上形成包括焊盘的布线图案，从而图5A所示的信号焊盘25和26以及接地焊盘27和28与相应的焊盘相结合。因而，由陶瓷封装的底面上提供的图案形成的天线端子12、发送端子13、接收端子14和接地端子与形成在发送滤波器10和接收滤波器11的芯片上的电路以及形成在匹配电路18的芯片上的电路电连接。腔42被金属盖43气密密封。利用本发明的这种结构，可以实现比常规双工器小得多和短得多的表面声波双工器，并且由于耦合在相邻电感之间的电容较小，因而可以实现性能的改善。此外，可以利用与上述相同的结构形成包括另一匹配电路而不是匹配电路18的双工器。
(第二实施例)
图11A示出了第二实施例的双工器，其包括在接收滤波器11的输入侧的匹配电路18和在接收滤波器11的输出侧的匹配电路19。如图11B所示，在石英基板21(其为绝缘基板)上形成该两个匹配电路18和19。具有图11B所示的石英基板21的滤波器芯片44不仅包括图5A所示的部件，还包括形成匹配电路19的电感L3，以及与电感L3的两端连接的接收端子连接焊盘45和接收滤波器连接焊盘46。与电感22和23类似，电感L3为螺旋型，并直接形成在石英基板21的表面上。因而，不仅耦合在形成匹配电路18的电感L1与L2之间的电容减少，而且耦合在匹配电路19的电感L3与匹配电路18的电感L1与L2之间的电容也减少。因而，不仅一个匹配电路中的干涉可以被限制，而且不同匹配电路之间的干涉也可以被限制。通过这种方式，可以实现小并表现出高性能的双工器。在图11A所示的双工器中，接收滤波器11具有这样的结构，其中两个多模式SAW滤波器并联连接，而发送滤波器10是梯形SAW滤波器。然而，发送滤波器10和接收滤波器11不限于这些结构，而可以由其他类型的SAW滤波器形成。
图12是图11A和图11B所示的双工器的分解立体图。SAW滤波器芯片47具有形成在单个压电基板上的图11B的发送滤波器10和接收滤波器11的IDT图案。SAW滤波器芯片47和匹配电路芯片44通过倒装芯片结合安装在陶瓷封装41的腔42中，腔42由金属盖43密封。发送滤波器10和接收滤波器11可以由相互独立的SAW滤波器芯片形成。
(第三实施例)
图13是本发明第三实施例的双工器的平面图。该双工器具有这样的结构，其中在单个压电基板51上形成了由SAW滤波器形成的发送滤波器10和接收滤波器11、并联电感62和63以及串联电容64。并联电感62和63以及串联电容64形成了具有图4B所示的电路结构的匹配电路18(参见图3)。并联电感62和63是螺旋线圈，串联电容64具有例如图5B所示的结构。天线端子连接焊盘52、发送端子连接焊盘53、接收端子连接焊盘54以及接地焊盘55和56也形成在压电基板51上。因为发送滤波器10、接收滤波器11以及匹配电路18形成在单个压电基板51上，所以所需部件的数目减少，因而双工器可以制造得更小和更短。形成在压电基板51上的匹配电路不限于匹配电路18，而可以是不同类型的匹配电路。
图14是将具有图13所示的压电基板51的双工器倒装芯片结合到陶瓷封装41的腔42中，并用金属盖43密封了腔42的情况的分解立体图。
图15示出了第三实施例的变型例。在该变型例中，发送滤波器10和接收滤波器11分别形成在压电基板51B和51A上，匹配电路18形成在压电基板51A上。在该结构中，在两个压电基板51A和51B之一上提供匹配电路18。在压电基板51A上形成接收SAW滤波器11、由螺旋线圈形成的两个并联电感62和63、串联电容64、天线端子连接焊盘52A、接收端子连接焊盘54以及接地焊盘57。在压电基板51B上形成发送SAW滤波器10、天线端子连接焊盘52B以及发送端子连接焊盘53。形成在压电基板51A上的匹配电路不限于匹配电路18，而可以是不同类型的匹配电路。根据匹配电路的类型，其可以形成在压电基板51B上，而不形成在压电基板51A上。
图16示出了第三实施例的另一变型例。在该变型例中，发送滤波器10和接收滤波器11分别形成在独立的压电基板51B和51A上，匹配电路18被分开并布置在压电基板51A和51B上。更具体地，在匹配电路18的部件中，并联电感62形成在压电基板51B上，而并联电感63和电容64形成在压电基板51A上。与并联电感62的一端连接的焊盘58B布置在压电基板51B上，与电容64的一端以及并联电感63的一端相连接的焊盘58A布置在压电基板51A上。这些焊盘与形成在陶瓷封装上的布线图案相连接，从而形成匹配电路18。另外，与并联电感62的另一端相连接的接地焊盘57B形成在压电基板51B上，将与并联电感63的另一端相连接的接地焊盘57A形成在压电基板51A上。虽然在图15所示的结构中，压电基板51A和51B的尺寸不同，但在图16所示的结构中，压电基板51A和51B的尺寸基本相同。划分匹配电路18的方法不限于图16中所示的示例，而可以以不同的方式划分匹配电路18。此外，可以划分匹配电路18以外的匹配电路并将其布置在压电基板51A和51B上。如从图15和16所示的结构中可以看出，匹配电路(其为电抗电路)可以形成在两个压电基板的至少其中之一上。图15和16所示的结构中的任意一种以及这些结构的所有变型都可以如上所述地气密密封在封装中。
(第四实施例)
图17是具有在单个压电基板51上形成的图11A的电路结构的双工器的平面图。在图17所示的双工器中，形成匹配电路19的串联电感65布置在图13所示的压电基板51上。串联电感65是螺旋线圈。串联电感65的一端与接收端子连接焊盘66相连接，串联电感65的另一端与接收SAW滤波器11相连接。发送SAW滤波器10和接收SAW滤波器11形成在单个压电基板51上，并且在该单个压电基板51上还形成了多于一个的匹配电路。因而，双工器可以制造得小得多短得多。除匹配电路18和19之外，还可以在压电基板51上形成其他匹配电路，或者用其他匹配电路取代匹配电路18和19。
(第五实施例)
图18示出了具有可以布置匹配电路15至19之外的附加电抗元件的位置的双工器。发送滤波器添加电路71***在发送滤波器10的输入端子与输出端子之间。发送滤波器接地电感电路72***在发送滤波器10的接地侧处的电极与地之间。接收滤波器添加电路73***在接收滤波器11的输入端子与输出端子之间。接收滤波器接地电感电路74***在接收滤波器11的接地侧处的电极与地之间。
图19示出了包括上面描述的可被添加到双工器上的电抗元件中的发送滤波器接地电感电路72、接收滤波器添加电路73和接收滤波器接地电感电路74的双工器。该双工器包括匹配电路18和19。发送滤波器接地电感电路72包括电感Lt1、Lt2和Lt3。电感Lt1和Lt2与发送滤波器10中提供的两个并联支路谐振器的接地电极相连接。电感Lt1和Lt2通过电感Lt3接地。接收滤波器添加电路73包括电容Cr1和Cr2。在图19所示的结构中，接收滤波器11是示意性示出的，实际上具有图11A所示的结构。电容Cr1连接在前一级IDT的输入端子与输出端子之间，电容Cr2连接在后一级IDT的输入端子与输出端子之间。此外，电感Lr1和Lr2与前一级和后一级的IDT的接地电极相连接。电感Lr1和Lr2通过电感Lr3接地。
在第五实施例中，上述附加电抗元件由集总常数电路元件形成。这种结构的一个示例在图20中示出。该结构是一种芯片，其中电感Lt1到Lt3和Lr1到Lr3、以及电容Cr1和Cr2形成在例如由石英玻璃制成的绝缘基板81的表面上。为建立与外部的连接，在绝缘基板81上形成焊盘82。这种附加电路的芯片以及SAW滤波器芯片和匹配电路芯片都被气密密封在封装中。
(第六实施例)
图21示出了在一个绝缘基板的表面上直接形成有附加电抗元件以及匹配电路的芯片。在根据本发明的第六实施例的双工器的绝缘基板91上形成图11B所示的电抗元件和图20所示的电抗元件。使用该芯片，可以实现更小的双工器，并可降低生产成本。
虽然已经示出并描述了几个优选实施例，但本领域技术人员应该意识到，可以在不脱离本发明的原理和精神的情况下对这些实施例进行修改，本发明的范围由权利要求书及其等同物来限定。

Claims (14)

1、一种双工器，包括：
与公共端子连接的发送滤波器和接收滤波器；以及
电抗电路，与所述发送滤波器和接收滤波器至少其中之一相连接，
所述电抗电路包括绝缘基板、多个集总常数电感和至少一个电容，所述多个集总常数电感和所述至少一个电容直接形成在所述绝缘基板的表面上。
2、一种双工器，包括：
与公共端子连接的发送滤波器和接收滤波器；以及
电抗电路，被设计用于相位匹配，并与所述发送滤波器和接收滤波器至少其中之一相连接，
所述电抗电路包括绝缘基板，以及集总常数电感和电容至少其中之一，所述集总常数电感和所述电容直接形成在所述绝缘基板的表面上，
与所述发送滤波器和接收滤波器至少其中之一相连接的电感直接形成在所述绝缘基板的表面上。
3、一种双工器，包括：
与公共端子连接的发送滤波器和接收滤波器；以及
电抗电路，与所述发送滤波器和接收滤波器至少其中之一相连接，
所述发送滤波器、所述接收滤波器和所述电抗电路形成在所述压电基板上。
4、根据权利要求1所述的双工器，其中，所述电感包括形成在所述绝缘基板表面上的电感图案。
5、根据权利要求1所述的双工器，其中，所述电抗电路布置在所述公共端子与所述接收滤波器之间，和/或布置在所述接收滤波器与所述接收端子之间。
6、根据权利要求1所述的双工器，其中，所述电抗电路包括第一电路和第二电路，
所述第一电路布置在所述公共端子与所述接收滤波器之间，和/或布置在所述接收滤波器与所述接收端子之间，所述第一电路包括所述电感和所述电容，
所述第二电路至少布置在所述公共端子和所述发送与接收滤波器之间，或至少布置在所述接收滤波器与所述接收端子之间，或至少布置在所述发送滤波器与发送端子之间，所述第二电路包括所述电感和电容的至少其中之一。
7、根据权利要求1所述的双工器，还包括：
封装，其在腔中包含所述发送滤波器、所述接收滤波器以及所述绝缘基板；以及
盖，其密封所述腔。
8、根据权利要求1所述的双工器，其中：
所述发送滤波器包括第一压电基板和形成在所述第一压电基板上的叉指式换能器；并且
所述接收滤波器包括第二压电基板和形成在所述第二压电基板上的叉指式换能器。
9、根据权利要求1所述的双工器，其中：
所述发送滤波器包括压电基板和形成在所述压电基板上的叉指式换能器；并且
所述接收滤波器包括所述压电基板和形成在所述压电基板上的叉指式换能器。
10、根据权利要求3所述的双工器，其中：
所述压电基板包括：第一压电基板，在所述第一压电基板上形成有所述发送滤波器；以及第二压电基板，在所述第二压电基板上形成有所述接收滤波器；并且
所述电抗电路形成在所述第一压电基板和所述第二压电基板至少其中之一上。
11、根据权利要求3所述的双工器，其中：
所述压电基板是单个压电基板；并且
所述发送滤波器、所述接收滤波器以及所述电抗电路形成在所述单个基板上。
12、根据权利要求3所述的双工器，还包括：
封装，其在腔中包含所述压电基板；以及
盖，其密封所述腔。
13、根据权利要求1所述的双工器，其中，所述发送滤波器和所述接收滤波器是表面声波滤波器。
14、根据权利要求1所述的双工器，其中，所述发送滤波器是梯形表面声波滤波器，所述接收滤波器是多模式表面声波滤波器。
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