CN1722209A - 半导体装置及显示装置及显示装置的驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明以最小限度的电路组件，来实现可驱动被驱动组件的构成。在本发明中，配置为矩阵状的各像素，具备：被驱动组件50、切换用TFT、组件驱动用TFT、以及保持电容Cs。保持电容Cs连接在组件驱动用TFT的栅极与源极之间，在数据信号输出前，将导通组件驱动用TFT的预充电信号输出至数据线DL，并经由导通的组件驱动用TFT，输出设定电位至用来将电力供应到被驱动组件50的电源线VL，在将数据信号施加至保持电容Cs的一边的电极之前，通过设定信号使组件驱动用TFT的源极及保持电容Cs的另一边的电极放电，而固定于固定的电位。通过如此的控制，可用最小限度的电路组件来驱动被驱动组件50。

Description

半导体装置及显示装置及显示装置的驱动方法

技术领域

本发明涉及用于控制电激发光(Electroluminescence：以下简称为EL)显示组件等被驱动组件的电路构成。

背景技术

在各像素中采用自发光组件的电激发光组件来作为发光组件的EL显示装置，为自发光型，并且具有薄型且消耗电力较小等的优点，因此作为用来取代液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)及阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)等显示装置而受到瞩目。

在这当中，在各像素设置用于个别控制EL组件的薄膜晶体管(Thin-film Transistor，TFT)等开关组件，而在每个像素控制EL组件的有源矩阵型EL显示装置，被期待可成为高精细的显示装置。

图6显示了n行m列的有源矩阵型EL显示装置的各像素的电路构成。在此EL显示装置中，在基板上，多条的栅极线GL往行方向延伸，多条的数据线DL及驱动电源线VL往列方向延伸。此外，各像素具备，有机EL组件50、切换用TFT(第一TFT)10、EL组件驱动用TFT(第二TFT)21及保持电容Cs。

第一TFT10连接到栅极线GL及数据线DL，在栅极接收栅极信号(选择信号)而导通。此时，供应到数据线DL的数据信号，贝保持在连接在第一TFT10及第二TFT21之间的保持电容Cs。在第二TFT21的栅极经由上述第一TFT10接受对应于所供应的数据信号的电压，第二TFT21从电源线VL将对应该电压值的电流供应至有机EL组件50。有机EL组件50在发光层中再次结合从阳极所注入的空穴以及从阴极所注入的电子，而激起发光分子，此发光分子从激起状态回复至基底状态时产生发光。有机EL组件50的发光亮度几乎与供应至有机EL组件50的电流成正比，因此如上述，在每个像素当中，通过控制对应数据信号而流通于有机EL组件50中的电流，从而以对应该数据信号的亮度使有机EL组件发光，而在整个显示装置进行期望的影像显示。

在有机EL显示装置中，为了实现高质量的显示，有必要以对应数据信号的亮度，而确实的使有机EL组件50发光。因此，在有源矩阵型中，对于配置于驱动电源线VL及有机EL组件50之间的第二TFT21，要求即使电流在有机EL组件50流通而使该EL组件50的阳极电位产生变动，其漏极电流也不会产生变动。

因此，如图6所示，第二TFT21通常采用：源极连接到驱动电源线VL，漏极连接到有机EL组件50的阳极侧，并通过被施加有对应数据信号的电压的栅极与上述源极之间的电位差Vgs，而可控制源极漏极间的电流的p沟道型TFT。

然而，在采用p沟道型TFT作为第二TFT21时，由于如上述，源极连接到驱动电源线VL，并通过该源极与栅极的电位差来控制漏极电流，即，控制供应至有机EL组件50的电流，因此若驱动电源线VL的电压产生变动，则各个组件50的发光亮度产生变动的可能性很高。

例如在某帧期间所显示的影像为高亮度的情况等(例如为全面白色等)，一旦有较多的电流一下子从单一的驱动电源Pvdd，经由各条驱动电源线VL而流通至基板上的多个有机EL组件50时，则驱动电源线VL的电位可能产生变动。因此，在此情况下，容易引起发光亮度的变动。

因此，本申请人提出，如图7所示的采用n沟道型TFT作为组件驱动用的第二TFT20的像素电路(参照下列专利文献1)。在此电路中，不仅在驱动电源线VL及有机EL组件50之间设置n沟道型TFT的第二TFT20，并且为了将第二TFT20的栅极源极间保持在对应数据信号的电位差Vgs，而在该栅极源极间设置保持电容Cs。此外，用于复位(放电)第二TFT20的源极电位(有机EL组件50的阳极)的复位用TFT30，连接在保持电容Cs及第二TFT20的源极，以及低电位的电源Vss之间，此TFT30在栅极接受复位用脉冲。

在如此的构成中，有必要对应数据信号，同时设定保持电容Cs的第一电极及第二电极的电位，即第二TFT20的栅极电位及源极电位。因此，在将H电平的选择信号输出至选择线GL，且将数据信号输出至数据线DL的同时，通过将复位用脉冲输出至复位线RSL而导通TFT30。由此，将第二TFT20的栅极设定为对应数据信号的电位，并将源极降低至电源Vss电位。再者，若不导通第一TFT10及第三TFT30，则可在保持电容Cs中保持对应数据信号的电位差，并对应此电位差，从驱动电源线VL经由第二TFT20将电流供应至有机EL组件50。

(专利文献1)日本专利公开2003-173154号公报

发明内容

(发明所欲解决的问题)

通过上述图7所示的电路构成，可采用n沟道TFT作为设置在1个像素中的所有晶体管。然而，为了设定第二TFT20的源极电位，也需要放电用的第三TFT30，因此在每1个像素中必须设置3个晶体管。此外，也必需具备复位用电源Vss，此外，除了选择线GL、数据线DL及电源线VL之外，还需要用来将电源Vss供应至各像素的复位用电源线及复位线RSL。因此，对于降低每一个像素的面积仍存在着限制，而难以适用于一个像素的面积较小的EVF(Electronic View Finder，电子取景器)等小型且高精细的显示装置。

本发明用来实现一种显示装置，供应至被驱动组件的供应电力不易受到驱动电源的电压变动的影响，且容易达到小型化。

(用以解决问题的手段)

本发明具备：在栅极接收选择信号而动作，并撷取数据信号的切换用晶体管；漏极连接于电源线，源极连接于被驱动组件，并在栅极接收由上述切换用晶体管所供应的数据信号，而控制从上述电源线供应至上述被驱动组件的电力的组件驱动用晶体管；以及连接于上述组件驱动用晶体管的上述栅极与源极之间，而保持对应上述数据信号的栅极源极间电压的保持电容；在上述电源线，周期性的施加可使上述被驱动组件动作的电源信号，以及用来设定上述组件驱动用晶体管的源极电位的设定信号。

本发明的其它方面为，具备配置为矩阵状的多个像素的显示装置，各像素具备：被驱动组件；连接于选择线且在栅极接收选择信号而动作，并撷取数据信号的切换用晶体管；漏极连接于电源线，源极连接于上述被驱动组件，并在栅极接收由上述切换用晶体管所供应的数据信号，而控制从上述电源线供应至上述被驱动组件的电力的组件驱动用晶体管；以及连接在上述组件驱动用晶体管的上述栅极与上述源极之间，而保持对应上述数据信号的电压的保持电容；上述电源线，可在每一条中输出用来设定上述组件驱动用晶体管的源极电位的设定信号，并且与矩阵的每一行或是每一列所邻接的电源线独立设置。

此外，在利用保持电容的同时，也可积极地利用电位偏移用电容，该电位偏移用电容将第一电极连接在上述组件驱动用晶体管的上述栅极，在第二电极施加上述选择信号，并对应该选择信号的电平而偏移上述组件驱动用晶体管的栅极电位。

如此，采用上述构成作为控制被驱动组件的电路组件，由此，在1个像素区域内，通常可将无法用作显示区域的这些电路组件的面积缩小至最小限度。此外，设定为在形成为矩阵状的每一行及每一列可独立控制电源线，以n沟道型薄膜晶体管来构成2个晶体管，并将连接于组件驱动用晶体管的被驱动组件的源极电位(保持电容的一边的电极电位)设定为充分低的电位，而可将数据信号施加在此组件驱动用晶体管的栅极。因此，可对应数据信号来对保持电容(组件驱动用晶体管的栅极—源极之间)进行充电，并确实予以保持。

本发明的其它方面为，关于驱动各像素的被驱动组件而进行显示的显示装置的驱动方法，在将对应显示内容的数据信号输出到数据线之前，将该数据线设定为特定的预充电电位，并将上述电源线设定为，用来将上述组件驱动用晶体管的源极设定为上述被驱动组件的非动作电位的设定电位；并且，通过将选择信号输出至上述选择线而控制为导通的上述切换用晶体管，而使上述组件驱动用晶体管动作；在通过上述电源线而将上述组件驱动用晶体管的上述源极设定为上述被驱动组件的非动作电位之后，将数据信号输出至上述数据线。

本发明的其它方面为，在上述驱动方法中，降低输出至上述选择线的上述选择信号，而不导通上述切换用晶体管，并通过设置在组件驱动用晶体管的栅极以及上述栅极线之间的电位偏移用电容，而将上述组件驱动用晶体管的栅极电位偏移至该晶体管的非导通方向，之后，将上述电源线提高至上述被驱动组件的动作电位，上述组件驱动用晶体管被对应设定在上述保持电容的电位差，而将来自于上述电源线的电力供应至上述被驱动组件。

(发明的效果)

在本发明中，可通过最小限度的电路组件数及配线数，而确实的驱动被驱动组件。因此，可将1个像素区域内的电路组件数所占的面积缩小至最小限度，即使用在1个像素面积较小的小型显示装置及高精细显示装置，也可达到高开口率，并容易实现显示质量极为优良的显示装置。

此外，可由例如为相同的n沟道型晶体管来构成所有的晶体管，可在相同工艺形成1个像素电路的晶体管，而可降低工艺数目。因此，也具备降低特性变动的效果。

附图说明

图1显示了驱动本发明实施例的有机EL组件的1单位像素的电路构成图；

图2显示了本发明实施例的有源矩阵型有机EL显示装置的电路构成图；

图3显示了图1的电路动作的时序图；

图4显示了Cp/Cs的Cv-Ioled特性图；

图5显示了本发明实施例的有机EL显示装置的全体动作的时序图；

图6显示了传统的有源矩阵型有机EL显示装置的电路构成图；

图7显示了传统的有源矩阵型有机EL显示装置的其它电路构成图。

具体实施方式

以下利用附图来说明本发明的较佳实施例(以下称为实施例)。

图1显示了有关本发明实施例的半导体装置的1单位的电路构成，图2显示了在各像素采用图1的电路构成的显示装置的全体构成的概略图。在本实施例中的显示装置，具体而言是有源矩阵型有机EL显示装置，在面板基板上，以矩阵状配置多个像素。在此面板基板的矩阵的行方向，形成依序输出选择信号的选择线GL，并用来周期性的将动作电源Pvdd提供到被驱动组件的电源线VL，在列方向则形成输出数据信号的数据线DL。

各像素大致设置在由这些线所区隔的区域，并具备有机EL组件50作为被驱动组件，此外，具备均以n沟道TFT所构成的切换用薄膜晶体管(第一TFT)10，和组件驱动用薄膜晶体管(第二TFT)12，作为用来控制此组件的发光动作的2个晶体管。此外，还具备用来保持对应数据信号的电压的保持电容Cs，以及用来偏移第二TFT12的栅极电位的电位偏移用电容Cp。

第一TFT10及第二TFT12均可通过在有源层采用例如通过激光退火等而成为多晶化的多晶硅等的结晶硅，并且掺杂n型杂质的n沟道型薄膜晶体管来构成。由于是相同的导电型，因此2个TFT可通过相同工艺(至少相同的杂质掺杂工艺)来形成。

第一TFT10的栅极连接到选择线GL，漏极连接到数据线DL，并在栅极接收选择信号而导通，该源极则成为对应数据线DL电位的电位。

第二TFT12的漏极连接到电源线VL，源极则连接到有机EL组件50的阳极侧。此外，栅极则与上述第一TFT10的源极、保持电容Cs、及电位偏移用电容Cp连接。

保持电容Cs连接在第二TFT12的栅极及源极之间，并对应数据信号而保持栅极—源极间电压。具体而言，具备连接于第二TFT12的栅极的第一电极，以及连接于第二TFT12的源极(有机EL组件50的阳极)的第二电极，并在第一电极及第二电极之间，保持对应数据信号的电压Vsig。

电位偏移用电容Cp连接在第二TFT12的栅极与选择线GL之间，并对应选择信号的下降而降低第二TFT12的栅极电位。具体而言，该第一电极连接到选择线GL，第二电极连接到第二TFT12的栅极及保持电容Cs的第一电极。

如第二图所示，在面板基板上具备显示部100及驱动部200。在显示部100，上述构成的多个像素被配置为矩阵状。驱动部200设置在该显示部100的周边，而输出用以驱动显示部100的各像素的驱动信号及电源。具体而言，驱动部200具备，H驱动器(水平方向驱动部)210，V驱动器(垂直方向驱动部)220，H驱动器210对延伸于矩阵的列方向的多条数据线DL输出对应的数据信号及之后所述的预充电信号。V驱动器220则具备，在每1个水平扫描期间，对延伸于矩阵的行方向的多条选择线GL依序输出用来导通第一TFT10的选择信号的输出部。此外，在本实施例中，该V驱动器220具备，对在矩阵的行方向与选择线GL一同设置的电源线VL输出电源信号及设定信号的输出部。电源信号是在有机EL组件的发光动作期间中被输出的而使该有机EL组件动作的电位Pvdd。设定信号是在上述发光动作期间之前的1个水平扫描期间中的数据设定期间中所输出的，为使有机EL组件50的阳极及第二TFT12的源极放电，并将有机EL组件50的阳极电位设定在非动作电位用的较低的固定电位(例如为0V)。

接下来，参照3来说明上述电路构成的驱动方法及动作。图3说明了在1个水平扫描期间，1个像素的动作时序(Timing)的附图。

在本实施例中，在图3(b)所示的选择信号从非选择电位(L电平)变成选择电位(H电平)的时序t2还要往前的期间P1，如图3(a)所示将高电位的预充电信号输出至对应像素的数据线DL。

如图3(c)所示，在时序t1将设定信号输出到电源线VL。具体而言，例如从9V的较高的动作电位(电源信号电平)，降低至与有机EL组件50的阴极大约相同的例如0V的较低设定电位。由此，在期间P2中，电源线VL进行放电。

当成为时序t2时，则选择信号从非选择电位上升至选择电位，而导通第一TFT10。如此，在选择信号成为H电平而导通第一TFT10时(t2)，预充电信号已输出至数据线DL。此预充电信号的电位为，可使第二TFT12达到全导通(在三极管区域，即线形区域的导通动作)的充分高的电位。即，不会依据源极。漏极间电压VSD，而能够使漏极电流Id固定的高电位。

因此，在期间P3，预充电信号经由第一TFT10的漏极—源极之间而施加到第二TFT12的栅极，而导通第二TFT12。此时，将L电平的设定信号输出至电源线VL。

因此，第二TFT12的源极，经由导通状态的第二TFT12的漏极—源极之间而放电，并成为与设定信号相等的低电位(例如为0V)。如上述，在第二TFT12的源极连接有有机EL组件50的阳极，而设定信号的电位被设定成二极管构造的有机EL组件50不会产生动作的L电平。因此，与到目前为止的有机EL组件50的动作状况(导通非导通状态以及流入于组件的电流量)无关，阳极(第二TFT12的源极)的电荷经由第二TFT12而放电，有机EL组件50则处于非动作状态。此外，在第二TFT12的源极连接有保持电容Cs的第二电极，而保持电容Cs的第二电极的电位(第二TFT12的源极电位)固定在对应此设定信号的设定电位。

保持电容Cs的第一电极连接在第二TFT12的栅极，由于在选择信号成为H电平的期间，第一TFT10为导通，因此经由数据线DL将固定电位的预充电信号施加至此保持电容Cs的第一电极。因此，将对应于预充电信号及设定信号的电位差的电荷预设定在保持电容Cs。

一旦预设定保持电容Cs，且成为预定时序t3时，则将对应实际的显示内容的数据信号Vsig输出至数据线DL。因此，在时序t3至时序t4为止的数据写入期间P4，将此数据信号Vsig施加到第二电极被固定为设定电位的保持电容Cs的第一电极，而在保持电容Cs保持对应于数据信号的电压。

在期间P4结束之后，在时序t4，选择信号从H电平下降至L电平，第一TFT10成为非导通，而结束对保持电容Cs的对应数据信号的电压的写入(Vsig的设定)。

在时序t4，在选择信号降低至非选择电平而不导通第一TFT10之后，考虑数据的撷取宽裕度，即为了在确实地撷取数据之后使第一TFT10不导通，而设定特定长度的期间P5。在经过此期间P5之后，在时序t5，如图3(a)所示，将预充电信号输出至数据线DL。换言之，从数据信号电位Vsig变更至预充电电位。此外，将电源线VL的电源信号从设定电位提高至H电平的动作电位。由此，在保持电容Cs保持电压Vgs的状态下，电源线VL切换至动作电位，并且电流对应所保持的电压Vgs，从电源线VL流通至第二TFT12的漏极源极之间，此电流被供应至有机EL组件50的阳极。如此，在有机EL组件50，到下一个视场再次选择像素为止，对应保持在保持电容Cs的数据电压(第二TFT12的栅极—源极间电压)的电流流通，而持续进行对应电流量的亮度的发光。

在此，由于电位偏移用电容Cp连接到第二TFT12的栅极，并将选择信号供应至此像素的选择线GL之间，因此在时序t4，当选择信号下降至L电平，则电容Cp对应其下降，而产生要降低第二TFT12的栅极电位的动作。例如在显示内容为“黑”，而不导通第二TFT12而设定有机EL组件50为非发光时，只要保持电容Cs的保持电位差低于第二TFT12的动作阈值即可。在预充电期间，由于第二TFT12为全导通，因此在选择信号的下降时序，可向降低的方向来偏移第二TFT12的栅极电位，因此，可更迅速的关闭第二TFT12。因此可迅速且确实的实现黑色电平。

另外，电位偏移用电容Cp可以利用形成在第二TFT12的栅极与漏极间的所谓寄生电容。当然，也可在此寄生电容之外，另外形成与寄生电容电气并联的电容。此寄生电容的电容值并非0，而电位偏移用电容Cp和保持电容Cs的电容比rc(＝Cp/Cs)为0＜rc，且为了充分地发挥上述电位偏移用电容Cp的偏移功能，rc被设定为0.3以上，例如0.3左右或0.5左右。

当数据信号的黑色电平受到限制时，即，当由于数据信号处理侧的电路的动作范围等的要求而使黑色电平无法低于某程度以上时，则较宜提高电位偏移用电容Cp的电容值，如上述使rc为0.3左右以上(例如0.5左右)。相反地，当能够降低数据信号的黑色电平电位时，或是当如后述重视EL组件的寿命时，则较宜将电位偏移用电容Cp的电容值缩小，例如设定成rc为0.1左右。当rc成为0.1左右时，虽然电位偏移用电容Cp的偏移功能变得非常小，但能够将数据信号的黑色电平电位设定成较低，从而谋求迅速且确实的黑色电平的实现。当电位偏移用电容Cp较大时，虽然能够在时序t4将第二TFT12确实地切断不导通，但当EL组件的阴极电压Cv相对于选择信号相对较低时，会因为Cp的存在，(特别是在选择信号的H电平期间)第二TFT12的栅极电位相对于阴极电压Cv会相对变高，而有流通于EL组件50的电流量变多的倾向。图4针对当变化阴极电压Cv时流通在EL组件的电流Ioled的特性，而分别显示当Cp/Cs(rc)设为1/10时，以及当设为3/10时，阴极电压Cv与流通于EL组件的电流(动作电流)Ioled的特定的变化。如图4所示，当CV变低时，在Cp/Cs为3/10的一方，动作电流Ioled相对于CV的电压变化的变化较大。例如，由于EL组件的经年变化，其动作阈值会有变化，而EL组件的动作阈值的变化可以视同由第二TFT12的栅极观察的在图4中的CV的变化。即，在图4中，当EL组件的动作阈值有了变化时，驱动电流Ioled的变化会变大。当优先延长会随着供给电流量变多而加速劣化的EL组件50的寿命的必要性较高时，期望缩小相对于此CV变化的驱动电流Ioled的变化，而较宜将Cp设定成较小。

接下来参照图5，来说明依序驱动多个像素而使组件发光用的显示装置的全体动作。

各行的像素的动作如上述所述，在将H电平的选择信号输出至第一列的选择线GL之前，将预充电信号输出至各条数据线DL，并且将设定信号输出至第一行的电源线VL。接下来将对应第一行的显示内容的电位的数据信号输出至数据线DL(在图5中以第m列的数据线DL为例)，并在保持电容Cs中保持对应数据信号的电压。接下来，在将第一行的选择线GL的选择信号设定为L电平之后，将数据线DL设定为预充电电位，同时将第一行的电源线VL设定为H电平的动作电位。在此，1个水平扫描(1H)期间例如是在数据线DL成为预充电电位之后，到再次成为预充电电位为止的期间。为了说明的缘故，图中的预充电期间占有1H期间当中相对较长的期间，但是实际上例如也可设定为水平回描期间的较短期间。并以(1H-预充电期间)作为可充分进行对保持电容Cs的数据信号Vsig的写入期间的方式，来设定该预充电期间。

在此，第一行的选择线GL在第一行的水平扫描期间结束之后，至下一个视场再次选择第一行的选择线GL为止，成为非选择电位。另一方面，第一行的电源线VL在第一行的水平扫描期间结束之后，至下一个视场再次选择第一行为止，一直维持在可使EL组件发光的H电平的动作电位。

一旦第一行的水平扫描期间结束而到达第二行的水平扫描期间，则首先如图5(a)所示，数据线DL再次成为预充电电位，然后如图5(e)所示，将L电平的设定信号输出至第二行的电源线VL。之后，如图5(d)所示，将H电平的选择信号输出至第二行的选择线GL，使第二行的像素的第二TFT12的源极(有机EL组件50的阳极)放电。接下来如图5(a)所示，从预充电电位，将对应第二行的各像素的显示内容的电位的数据信号输出至数据线DL，并写入在第二行的像素的保持电容Cs。一旦第二行的选择线GL成为L电平而结束写入时，则数据线DL上升至预充电电位，且第二行的电源线VL成为动作电位时，结束第二次的水平扫描期间。

接下来的第三行的水平扫描期间，也与上述第一行、第二行相同，控制数据线DL、第三行的电源线VL(参照图5(g))、及第三行的选择线GL(参照图5(f))，而进行数据线DL的预充电、电源线VL的朝设定电位的切换(电源线VL的放电)、第二TFT的源极的放电及保持电容的预充电、数据写入、第一TFT的非导通控制及有机EL组件50的开始发光(电源线VL的往动作电位的下降)，之后，进行相同的驱动至m列n行的矩阵的第n行为止，而进行1个视场的量的数据的写入，从而达成对应任意影像的发光显示。

如上所述，本实施例中虽然是在每一行控制电源线VL，但电源线VL周期性输出的电源信号及设定信号也可例如在依序输出选择信号的V驱动器220中，除了垂直起始脉冲STV及垂直偏移频率CKV之外，通过利用用来将各个水平回描期间等设定为数据输出禁止时间的使能信号等，而组合逻辑门以及反相器等而制作出。此外，也可由设置在面板外部的控制显示用的驱动器IC等来制作，并从V驱动器220将其输出。

在此，若显示各个信号的电位的一例，则可设定为：电源信号的动作电位为7V，设定电位为0V，而数据信号的预充电电位为7V，信号电位的最小电位(黑电位)为1V。此外，此时的选择信号的非选择电位及选择电位的电位差被设定为，第一TFT10的栅极—源极电位差Vgs必须充分大于该TFT的动作阈值，例如设定为12.5V(8.5V至-4V)。有机EL组件50的阴极电位Cv，例如设定为大约-3V至-2V。通过设定各个信号的电位及电位差为如此的关系，并以上述的时序输出，可确实的驱动本实施例的像素电路。

电源线VL并不限定为在每一行进行控制的构成，也可将列方向设定为共通。不过，在设定各列为共通时，则并非如上述图3、图4所示的驱动方法，而是在1个视场期间中设置依序选择各像素而写入数据的期间(地址期间)，以及在此期间之后的组件发光期间。然后，较理想的控制为，在地址期间之前，将所有电源线VL设定为设定电位后并写入数据，并在组件发光期间控制为提高至动作电位。如此的驱动方法，也可采用上述的在行方向共通连接电源线VL的电路构成。

如上所述，根据本实施例，在组件发光期间中，即使电流在有机EL组件50流通而使第二TFT12的源极电位上升，也可通过保持电容Cs的功能，而稳定的将对应数据信号Vsig的电流供应到有机EL组件50。此外，由于采用n沟道TFT为第二TFT12，因此可利用与视频信号为相同极性的数据信号。

再者，在对保持电容Cs的数据信号的写入期间中，通过将充分低的固定电位的设定信号输出至电源线VL，可确实的将数据信号写到保持电容Cs。

在此，均以n沟道型而构成的第一TFT10及第二TFT12，均可采用在沟道以及源极。漏极之间具备低浓度杂质注入区域的所谓的LD构造。此外，第一TFT10及第二TFT12均可采用，对源极漏极间的载体移动路径串联设置多个沟道区域的所谓的双栅极构造。尤其是，为了防止写在保持电容Cs的数据信号的泄漏，第一TFT10较理想为采用双栅极构造。

在从形成有有机EL组件的面板基板(组件基板)侧射出来自于有机EL组件的光的底放射型显示装置中，一般而言，当遮旋光性的上述电路组件数较多时，则无法避免发光面积的降低。然而，若将本实施例的显示装置用在该底放射型显示装置，则可通过在1个像素设置2个晶体管及2个电容器而驱动有机EL组件，即可将1个像素区域内的电路组件数及配线数降至最小限度。因此可将1个像素区域内的发光面积扩大至最大限度，而可实现开口率高的显示装置。因此，对于要求小型且高精细的一单位像素的面积较小的面板，例如数字相机、小型数字摄影机等的取景器等，本实施例的显示装置是极为有利的。由于是小型面板，因此可缩短绝对的配线长度，即使在进行电源线VL的电位的所谓的导通及非导通的控制时，也可将此所造成的波形钝化抑止为最小限度。因此，可通过配线数较少且缩小至最低限度的像素电路组件，而实现显示质量不会下降的小型且高精细的开口率极高的显示装置。此外，也可采用从与上述面板基板为相反的侧往外部射出光线的顶放射型显示装置。在此情况，也可有效率的在相同工艺形成2个TFT，而实现亮度变动极小，且为小型且高精细的显示装置。

Claims (13)

1.一种半导体装置，具备：

在栅极接收选择信号而动作，并撷取数据信号的切换用晶体管；

漏极连接于电源线，源极连接于被驱动组件，并在栅极接收由上述切换用晶体管所供应的数据信号，而控制从上述电源线供应至上述被驱动组件的电力的组件驱动用晶体管；以及

连接于上述组件驱动用晶体管的上述栅极及源极之间，而保持对应上述数据信号的栅极源极间电压的保持电容，

在上述电源线，周期性的施加可使上述被驱动组件动作的电源信号、以及用来设定上述组件驱动用晶体管的源极电位的设定信号。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还具备第一电极连接于上述组件驱动用晶体管的上述栅极，在第二电极施加上述选择信号，并对应该选择信号的电平而偏移上述组件驱动用晶体管的栅极电位的电位偏移用电容。

3.一种显示装置，具备配置为矩阵状的多个像素，其中，各像素具备：

被驱动组件；

连接于选择线且在栅极接收选择信号而动作，并撷取数据信号的切换用晶体管；

漏极连接于电源线，源极连接于上述被驱动组件，并在栅极接收由上述切换用晶体管所供应的数据信号，而控制从上述电源线供应至上述被驱动组件的电力的组件驱动用晶体管；以及

连接于上述组件驱动用晶体管的上述栅极及上述源极之间，而保持对应上述数据信号的电压的保持电容，

而上述电源线，可在每一条线输出用来设定上述组件驱动用晶体管的源极电位的设定信号，并且与矩阵上的每一列或是每一行所邻接的电源线独立设置。

4.如权利要求3所述的显示装置，其中，

在基板上设置：将上述多个像素配置为矩阵状的显示部；以及在该显示部的周边，用以控制上述显示部的各像素的动作的驱动部，

而上述驱动部具备：对上述选择线的选择信号输出部、对数据线的数据信号输出部、以及对上述电源线供给上述设定信号以及可使上述被驱动组件动作的电源信号的输出部。

5.如权利要求3或4所述的半导体装置，其中上述选择线以及上述电源线在矩阵的行方向配置在每行，且将数据信号供应至所对应的上述切换用晶体管的数据线在矩阵的列方向配置在每列。

6.如权利要求3至4任一项所述的半导体装置，其中，上述像素还具备连接在上述组件驱动用晶体管的上述栅极及上述选择线之间，并对应所供应的选择信号的电平而偏移上述组件驱动用晶体管的栅极电位的电位偏移用电容。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中上述切换用晶体管及上述组件驱动用晶体管是在有源层中采用结晶硅的n沟道型薄膜晶体管。

8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中上述设定信号是将上述组件驱动用晶体管的源极电位设定成上述被驱动组件的非动作电位的电位。

9.一种显示装置的驱动方法，该显示装置具备配置成矩阵状的多个像素，且各像素具备：栅极连接于选择线且漏极连接于数据线的切换用晶体管；

漏极连接于电源线且源极连接于被驱动组件，并且栅极连接于上述切换用晶体管的源极，而控制从上述电源线供应至上述被驱动组件的电力的组件驱动用晶体管；以及

连接于上述组件驱动用晶体管的栅极及源极之间的保持电容，

该驱动方法的特征为：

在将对应显示内容的数据信号输出到上述数据线之前，将该数据线设定在特定的预充电电位，并将上述电源线的电位设定为，用来将上述组件驱动用晶体管的源极设定为上述被驱动组件的非动作电位的设定电位；并且，通过将选择信号输出至上述选择线而控制为导通的上述切换用晶体管，而使上述组件驱动用晶体管动作；

在通过上述电源线而设定上述组件驱动用晶体管的上述源极为上述被驱动组件的非动作电位之后，将数据信号输出至上述数据线。

10.如权利要求9所述的显示装置的驱动方法，其中，

还具有连接于上述选择线及上述组件驱动用晶体管的上述栅极之间的电位偏移用电容，

降低输出至上述选择线的上述选择信号，而不导通上述切换用晶体管，并通过上述电位偏移用电容，而在将上述组件驱动用晶体管的栅极电位偏移至该晶体管的非导通方向之后，

将上述电源线提高至上述被驱动组件的动作电位，上述组件驱动用晶体管对应于设定在上述保持电容的电位差，而将来自上述电源线的电力供应至上述被驱动组件。

11.如权利要求9或10所述的半导体装置的驱动方法，其中上述预充电电位被设定成可使上述组件驱动用晶体管在其线性区域中动作的电位。

12.如权利要求3或4所述的显示装置，其中上述切换用晶体管及上述组件驱动用晶体管是在有源层中采用结晶硅的n沟道型薄膜晶体管。

13.如权利要求3或4所述的显示装置，其中上述设定信号是将上述组件驱动用晶体管的源极电位设定成上述被驱动组件的非动作电位的电位。

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