CN112992075A - 像素驱动电路及像素驱动方法、像素结构、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种像素驱动电路及像素驱动方法、像素结构、显示装置。所述像素驱动电路包括:采样单元,适于在所述扫描信号输出端输出的扫描信号的控制下,对所述图像信号输出端输出的图像信号进行采样;第一电容,具有第一端及第二端,适于驱动像素单元发光;校准单元,适于对驱动MOS管进行校准并探测得到所述驱动MOS管的阈值电压,以及将所述驱动MOS管的阈值电压存储至所述第一电容;控制单元,适于在保持所述第一电容存储电荷不变的情况下,调整所述第一电容第一端的电压,并控制所述像素单元的发光状态。采用上述方案,能够提高AM‑OLED的像素结构中发光二极管发光强度的均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种像素驱动电路及像素驱动方法、像素结构、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic-Light-Emitting Diode,OLED)显示技术,与目前主流的液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)相比,具有主动发光、发光效率高、对比度高、响应速度快、分辨率高、功耗低、柔性显示等优势。
随着技术的不断发展,OLED显示技术正在逐步取代传统的LCD显示技术,尤其在微型显示领域,OLED正显示出蓬勃的生命力。OLED显示器的每个像素是一个个的发光二极管。当有电流通过时,这些由有机材料制作的二极管便会发光,电流越大,发光的强度越高,所以OLED显示器不需要背光,且可以做的很轻薄、分辨率很高。
OLED的驱动方式主要分为被动式驱动OLED(Passive Matrix OLED,PM-OLED)和主动式驱动OLED(Active Matrix OLED,AM-OLED)。PM-OLED单纯地以二极管构成像素阵列,以扫描方式点亮阵列中的像素。其中,每个像素以短脉冲模式工作,因此其工作为瞬间高亮度发光。PM-OLED的优点是结构简单、成本低,缺点是驱动电压高、功耗高、寿命低、不适合大尺寸与高分辨率应用。
AM-OLED则是使用额外的晶体管去控制每个像素发光,每个像素都可以独立且连续发光,因此其具有驱动电压低、功耗低、寿命长等优点,AM-OLED逐渐成为主流驱动方式。
然而,现有AM-OLED的像素结构中,发光二极管的发光强度的均匀性较差。
发明内容
本发明解决的技术问题是:提高AM-OLED的像素结构中发光二极管发光强度的均匀性。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种像素驱动电路,所述像素驱动电路包括:
采样单元,与图像信号输出端及扫描信号输出端耦接,适于在所述扫描信号输出端输出的扫描信号的控制下,对所述图像信号输出端输出的图像信号进行采样;
第一电容,具有第一端及第二端,所述第一电容的第一端与所述采样单元耦接;
驱动MOS管,与所述第一电容的第二端耦接,适于驱动像素单元发光;
校准单元,与所述第一电容的第二端及所述驱动MOS管耦接,适于对驱动MOS管进行校准并探测得到所述驱动MOS管的阈值电压,以及将所述驱动MOS管的阈值电压存储至所述第一电容;
控制单元,与所述第一电容的第一端、所述驱动MOS管及所述像素单元耦接,适于在保持所述第一电容存储电荷不变的情况下,调整所述第一电容第一端的电压,并控制所述像素单元的发光状态。
可选地,所述校准单元包括:至少一个第一开关管;所述第一开关管的控制端与校准信号输出端耦接,所述第一开关管的第一端与所述驱动MOS管的控制端耦接,所述第一开关管的第二端与所述驱动MOS管的第二端耦接。
可选地,所述控制单元包括:电容电压调整子单元及发光控制子单元,其中:
所述电容电压调整子单元的控制端与发光控制信号输出端耦接;所述电容电压调整子单元的第一端与所述第一电容的第一端耦接;所述电容电压调整子单元的第二端接地;
所述发光控制子单元的控制端与所述发光控制信号输出端耦接;所述发光控制子单元的第一端与所述驱动MOS管的第二端耦接;所述发光控制子单元的第二端与所述像素单元耦接。
可选地,所述电容电压调整子单元包括:至少一个第二开关管。
可选地,所述发光控制子单元包括:至少一个第三开关管。
可选地,所述像素驱动电路还包括:复位单元,与所述驱动MOS管的第二端耦接,适于对所述驱动MOS管进行复位。
可选地,所述复位单元包括:至少一个第四开关管;所述第四开关管的控制端与复位信号输出端耦接。
本发明实施例还提供了一种像素结构,所述像素结构包括上述的像素驱动电路及像素单元。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括像素阵列,所述像素阵列由若干上述的像素结构组成,所述像素结构呈阵列分布。
本发明实施例还提供了一种上述的像素驱动电路的像素驱动方法,所述方法包括:
校准阶段,控制流经所述驱动MOS管的电流逐渐减小,使得所述驱动MOS管由导通状态转变为截止状态,探测得到所述驱动MOS管的阈值电压,并将所述驱动MOS管的阈值电压存储至所述第一电容;
发光阶段,保持所述第一电容上存储的电荷不变,调整所述第一电容第一端的电压,使得所述像素单元发光。
与现有技术相比,本发明实施例的技术方案具有以下有益效果:
采用上述方案,校准单元在像素单元发光前,可以探测得到所述驱动MOS管的阈值电压,并将所述驱动MOS管的阈值电压存储至所述第一电容,发光阶段,控制单元可以在保持第一电容存储电荷不变的情况下,调整所述第一电容第一端的电压,并控制所述像素单元的发光状态。由于整个发光阶段,第一电容存储电荷不变,可以使得该过程中流经第一电容的电路与驱动MOS管的阈值电压无关,进而驱动MOS管的阈值电压的偏移不会带来发光亮度的差异,由此可以提高发光二极管亮度的均匀性。
附图说明
图1是像素结构的电路图;
图2是本发明实施例中一种像素结构的示意图;
图3是本发明实施例中一种像素结构的电路图;
图4是本发明实施例中一种像素驱动方法的流程图;
图5是图3中像素结构的工作时序示意图。
具体实施方式
图1为一种AM-OLED像素驱动电路的电路结构示意图。
参照图1,所述像素驱动电路可以包括2个晶体管及1个电容C。其中,该2个晶体管分别为第一晶体管M1及第二晶体管Md。第一晶体管M1的控制端接入扫描信号SCAN,第一晶体管M1的第一端接入图像信号DATA连接,第一晶体管M1的第二端与第二晶体管Md的控制端连接。第二晶体管Md的第一端接入电源电压VDD,第二晶体管Md的第一端与发光二极管D连接。发光二极管D1的另一端接地。电容C的一端与第二晶体管Md的控制端连接,另一端接地。
当扫描信号SCAN为低电平时时,发光二极管D1被选中,图像信号DATA通过第一晶体管M1写到电容C的上极板、即第二晶体管Md的栅极。
VANODE为发光二极管阳极电压。当图像信号DATA的电压VDATA与发光二极管阳极电压VANODE之差,大于第二晶体管Md的阈值电压Vth时,发光二极管D1开始有电流流过,发光二极管D1开始发光,其发光强度与流经的电流成正比。
发光阶段,第二晶体管Md工作在饱和区,此时发光二极管D1内流经的电流Id可以采用如下公式计算得到:
其中,μ为第二晶体管Md的迁移率,Cox为第二晶体管Md单位面积的栅氧化层电容,W为第二晶体管Md的栅宽度,L为第二晶体管Md的栅长度。
当扫描信号SCAN为高电平时,第一晶体管M1管断开,图像信号DATA的电压VDATA保存在电容C上面,发光二极管D1持续发光,直到第一晶体管M1再次打开,刷新VDATA的值。
由公式1所示,流经发光二极管D1的电流不仅与图像信号DATA的电压VDATA的电压值有关,还与第二晶体管Md的阈值电压有关,因此阈值电压的偏移会造成发光二极管亮度的差异,导致发光二极管发光强度的均匀性较差。
针对上述问题,本发明实施例提供了一种像素驱动电路,在所述像素驱动电路中,在像素单元发光前,探测得到驱动MOS管的阈值电压,并将驱动MOS管的阈值电压存储至第一电容,在像素单元发光过程中,控制单元可以在保持第一电容存储电荷不变的情况下,调整第一电容第一端的电压,并控制像素单元的发光状态。由于整个发光阶段,第一电容存储电荷不变,可以使得该过程中流经第一电容的电路与驱动MOS管的阈值电压无关,进而驱动MOS管的阈值电压的偏移不会带来发光亮度的差异,由此可以提高发光二极管亮度的均匀性。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。
参照图2,本发明实施例提供了一种像素驱动电路,所述像素驱动电路可以包括:采样单元21,第一电容C1、驱动MOS管Md、校准单元22及控制单元23。其中:
所述采样单元21,与图像信号输出端及扫描信号输出端耦接,适于在所述扫描信号输出端输出的扫描信号SCAN的控制下,对所述图像信号输出端输出的图像信号DATA进行采样;
所述第一电容C1,具有第一端及第二端,所述第一电容C1的第一端与所述采样单元21耦接;
驱动MOS管Md,与所述第一电容C1的第二端耦接,适于驱动像素单元30发光;
校准单元22,与所述第一电容C1的第二端及所述驱动MOS管Md耦接,适于对驱动MOS管Md进行校准并探测得到所述驱动MOS管Md的阈值电压Vth,以及将所述驱动MOS管Md的阈值电压Vth存储至所述第一电容C1;
控制单元23,与所述第一电容C1的第一端、所述驱动MOS管Md及所述像素单元30耦接,适于在保持所述第一电容C1存储电荷不变的情况下,调整所述第一电容C1第一端的电压,并控制所述像素单元30的发光状态。
校准单元22在像素单元30发光前,能够探测得到驱动MOS管Md的阈值电压Vth,并将阈值电压Vth存储至第一电容C1上。在像素单元30发光时,控制单元23能够在保持第一电容C1存储电荷不变的情况下,调整第一电容C1第一端的电压,使得流经像素单元30的电流与阈值电压Vth无关,由此可以补偿驱动MOS管Md的阈值电压偏移,有效提升像素单元30发光强度的均匀性。
在具体实施中,校准单元22可以采用多种电路结构实现,具体不作限制,只要能够对驱动MOS管Md进行校准,探测驱动MOS管Md的阈值电压Vth并将阈值电压Vth写入至第一电容C1即可。
在一实施例中,所述校准单元22可以包括至少一个第一开关管M1。所述第一开关管M1的控制端与校准信号输出端耦接。
在具体实施中,所述第一开关管M1的数量可以根据芯片面积进行设置。当所述校准单元22包括多个第一开关管M1时,多个第一开关管M1之间可以依次串联连接,且该多个第一开关管M1的控制端均与校准信号输出端耦接。
可以理解的是,所述第一开关管M1可以为PMOS管,也可以为NMOS管,具体不作限定,只要能够实现校准单元22的功能即可。
例如,参照图3,所述校准单元22仅由一个第一开关管M1组成。所述第一开关管M1为PMOS管。所述第一开关管M1的第一端与所述驱动MOS管Md的控制端耦接,所述第一开关管M1的第二端与所述驱动MOS管Md的第二端耦接。第一开关管M1的控制端接入校准信号CAL,在校准信号CAL的控制下导通或截止。
在具体实施中,所述控制单元23可以采用多种电路结构实现,具体不作限制,只要能够在像素单元30的发光阶段,保持所述第一电容C1存储电荷不变的情况下,调整所述第一电容C1第一端的电压,并控制所述像素单元30的发光状态。
在具体实施中,参照图2,所述控制单元23与发光控制信号输出端耦接,适于在控制信号输出端输出的发光控制信号EM的控制下,执行相应的功能。
在一实施例中,参照图3,所述控制单元23可以包括电容电压调整子单元231及发光控制子单元232。其中:
所述电容电压调整子单元231的控制端与发光控制信号232输出端耦接;所述电容电压调整子单元231的第一端与所述第一电容C1的第一端耦接;所述电容电压调整子单元232的第二端接地。
所述发光控制子单元232的控制端与所述发光控制信号输出端耦接;所述发光控制子单元232的第一端与所述驱动MOS管Md的第二端耦接;所述发光控制子单元232的第二端与所述像素单元30耦接。
在具体实施中,所述电容电压调整子单元231可以采用多种电路结构实现,具体不作限制,只要能够对第一电容C1第一端的电压进行调整即可,也即对Vx值进行调整。
在一实施例中,所述电容电压调整子单元231,可以包括至少一个第二开关管M2。所述第二开关管M2的控制端接入发光控制信号EM,在发光控制信号EM的控制下,第二开关管M2可以导通或者截止,由此改变Vx值。
在具体实施中,所述第二开关管M2的数量可以根据芯片面积及Vx值的调整需求进行设置。当电容电压调整子单元231包括多个第二开关管M2时,多个第二开关管M2之间可以依次串联连接,且该多个第二开关管M2的控制端均接入发光控制信号EM。
可以理解的是,所述第二开关管M2可以为PMOS管,也可以为NMOS管,具体不作限定,只要能够实现电容电压调整子单元的功能即可。
在一实施例中,参照图3,电容电压调整子单元231仅由一个第二开关管M2组成。第二开关管M2为PMOS管。所述第二开关管M2的第一端与第一电容C1的第一端耦接,第二端接地。在发光控制信号EM的控制下,第二开关管M2导通或者截止,从而改变Vx值。
在具体实施中,所述发光控制子单元232可以采用多种电路结构实现,具体不作限制在,只要能够切断流过像素单元30的电流,以决定像素单元30是否发光即可。
在一实施例中,所述发光控制子单元232可以包括至少一个第三开关管M3。第三开关管M3的控制端接入发光控制信号EM,在发光控制信号EM的控制下,第三开关管M3可以导通或者截止,由此使得像素单元30发光或不发光。
在具体实施中,发光控制子单元232中第三开关管M3的数量可以根据芯片面积及像素单元30实际需要的驱动电压大小进行设置。当发光控制子单元232包括多个第三开关管M3时,多个第三开关管M3之间可以依次串联连接,且该多个第三开关管M3的控制端均接入发光控制信号EM。
可以理解的是,所述第三开关管M3可以为PMOS管,也可以为NMOS管,具体不作限定,只要能够实现发光控制子单元的功能即可。
例如,参照图3,发光控制子单元232仅由一个第三开关管M3组成。第三开关管M3为PMOS管。所述第三开关管M3的第一端与驱动MOS管Md的第二端耦接,所述第三开关管M3的第二端与像素单元30耦接。
在本发明的一实施例中,参照图2,所述像素驱动电路还可以包括复位单元24,所述复位单元24与驱动MOS管Md的第二端耦接,适于对驱动MOS管Md进行复位。所述复位单元24的控制端与复位信号输出端耦接。
在具体实施中,所述复位单元24可以采用多种电路结构实现,具体不作限制,只要能够对驱动MOS管Md进行复位即可。
在一实施例中,所述复位单元24可以包括至少一个第四开关管M4。所述第四开关管M4的控制端接入复位信号输出端输出的复位信号RST。在复位信号RST的控制下,第四开关管M4导通或截止,从而实现对驱动MOS管Md的复位。
在具体实施中,复位单元24中第四开关管M4的数量可以根据芯片面积进行设置。当复位单元24包括多个第四开关管M4时,多个第四开关管M4之间可以依次串联连接,且该多个第四开关管M4的控制端均接入复位信号RST。
可以理解的是,第四开关管M4可以为PMOS管,也可以为NMOS管,具体不作限定,只要能够实现复位功能即可。
例如,参照图3,复位单元24仅由一个第四开关管M4组成。第四开关管M4为PMOS管。所述第四开关管M4的第一端与驱动MOS管Md的第二端耦接,所述第四开关管M4的第二端接地。
在其它实施例中,本发明实施例中的像素驱动电路,也可以不包括复位单元24,只要使得像素驱动电路在校准前保持为复位后的状态即可,即使得驱动MOS管处于二极管连接状态,此时,流过驱动MOS管的电流为复位电流Irst,像素单元30不发光。
在具体实施中,所述采样单元21可以采用多种电路结构实现,此处不作限制。
例如,参照图3,所述采样单元21仅由一个第五开关管M5组成。第五开关管M5为PMOS管。第五开关管M5的控制端接入扫描信号输出端输出的扫描信号SCAN,第五开关管M5的第一端接入图像信号DATA,第五开关管M5的第二端与第一电容C1连接。
当扫描信号SCAN为低电平时,第五开关管M5导通,对图像信号DATA进行采样。当扫描信号SCAN为高电平时,第五开关管M5截止,结束对图像信号DATA的采样。
可以理解的是,所述第五开关管M5可以为PMOS管,也可以为NMOS管,具体不作限制。所述采样单元21也可以包括多个第五开关管M5,多个第五开关管M5之间依次串联连接,且各第五开关管M5的控制端均接入扫描信号SCAN。
在具体实施中,参照图3,所述像素单元30可以为发光二极管D,当然也可以为其它器件构成的像素单元,此处不作限制。
本发明实施例还提供了一种像素驱动方法,参照图4,所述方法可以包括如下步骤:
步骤41,校准阶段,控制流经所述驱动MOS管Md的电路逐渐减小,使得所述驱动MOS管由导通状态转变为截止状态,探测得到所述第一MOS管Md的阈值电压Vth,并将所述第一MOS管的阈值电压Vth存储至所述第一电容C1。
步骤42,发光阶段,保持所述第一电容C1上存储的电荷不变,调整所述第一电容C1第一端的电压,使得所述像素单元30发光。
在具体实施中,所述驱动方法还可以包括:在执行步骤41前,对驱动MOS管Md进行复位。
图5为图3中像素驱动电路的时序示意图。下面结合图3至图5,对步骤41及42详细描述如下:
参照图3至图5,Tem(n-1)表示像素单元30第(n-1)次发光过程,Tem(n)表示像素单元30第n次发光过程,n为大于等于1的正整数。在第(n-1)次发光过程结束后,像素驱动电路依次经历复位阶段、校准阶段后进入第n次发光过程。其中,Trst表示像素驱动电路复位阶段的时长,Tcal表示像素驱动电路校准阶段的时长。
复位阶段中,扫描信号SCAN、校准信号CAL、复位信号RST均为低电平,发光控制信号EM为高电平,此时,第五开关管M5、第一开关管M1及第四开关管M4导通,第三开关管M3、第二开关管M2截止,第一电容C1第一端的电压Vx与图像信号DATA的电压VDATA相等,第一电容C1第二端的电压Vg=Vd,且Vg处于一个较低电平,由此使得驱动MOS管Md处于二极管连接状态,电源电压VDD与Vg之间的差值(即VDD-Vg)大于驱动MOS管Md的阈值电压绝对值Vth,驱动MOS管Md打开并流过复位电流Irst。由于此时发光控制信号EM为高电平,因此二极管不发光。
对驱动MOS管Md复位后,对驱动MOS管进行校准,进入校准阶段。此时,扫描信号SCAN、校准信号CAL仍然为低电平,发光控制信号EM为高电平,复位信号RST由低电平转变为高电平,第四开关管M4截止,流经驱动MOS管Md的电流逐渐由Irst转变为0。相应地,电源电压VDD与Vg之间的差值(即VDD-Vg)从大于Vth转变为等于Vth,即VDD-Vg=Vth,驱动MOS管Md由导通状态转变为截止状态。在驱动MOS管Md转变为截止状态后,完成对驱动MOS管的校准。之后,校准信号CAL由低电平转变为高电平,第一开关管M1断开,Vg成为浮空节点,此时第一电容C1存储的电荷Q=(Vg-Vx)*C1=(VDD-Vth-VDATA)*C1,完成驱动MOS管Md阈值电压Vth的写入。
在第一电容C1中写入驱动MOS管Md阈值电压Vth后,扫描信号SCAN由低电平转变为高电平,发光控制信号EM由高电平转变为低电平,校准信号CAL和复位信号RST一直保持高电平,第一开关管M5、第一开关管M1、第四开关管M4断开,第三开关管M3及第二开关管M2闭合,使得第一电容C1第一端的电压Vx从VDATA转变为0。
在具体实施中,也可以将第一电容C1第一端的电压Vx从VDATA转变为其它值,这与电容电压调整子单元231的具体结构相关。本实施例为了便于计算,将第一电容C1第一端的电压Vx从VDATA转变为0。
由于Vg节点依然是浮空的,存储在电容C1的电荷不变,Q=(VDD-Vth-VDATA)*C1=(Vg-0)*C1,Vg=VDD-Vth-VDATA。
此时,驱动MOS管Md工作在饱和区,流经驱动MOS管Md的电流Id可以采用如下公式计算得到:
其中,μ为第二晶体管Md的迁移率,Cox为第二晶体管Md单位面积的栅氧化层电容,W为第二晶体管Md的栅宽度,L为第二晶体管Md的栅长度。
将Vg=VDD-Vth-VDATA,代入公式(2),可以得到流经驱动MOS管Md的电流Id:
由于,此时发光控制信号EM为低电平,电流流过发光二极管D,开始发光。
从公式(3)可以看出,流过发光二极管的电流Id与驱动MOS管Md的阈值电压无关,因此,采用本发明实施例中的像素驱动电路,驱动MOS管Md阈值电压的偏移不会带来发光亮度的差异,提高了发光二极管亮度的均匀性。
本发明实施例还提供了一种像素结构,所述像素结构包括上述实施例中的像素驱动电路及像素单元。具体所述像素结构的电路图可以参照图2及图3,像素驱动电路驱动像素单元进行发光。
本发明实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括像素阵列,所述像素阵列由若干像素结构组成,所述像素结构呈阵列分布。
采用本发明的方案,可以补偿驱动MOS管阈值电压偏移对发光强度均匀性的影响,有效提升发光二极管发光强度的均匀性。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (10)
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:
采样单元,与图像信号输出端及扫描信号输出端耦接,适于在所述扫描信号输出端输出的扫描信号的控制下,对所述图像信号输出端输出的图像信号进行采样;
第一电容,具有第一端及第二端,所述第一电容的第一端与所述采样单元耦接;
驱动MOS管,与所述第一电容的第二端耦接,适于驱动像素单元发光;
校准单元,与所述第一电容的第二端及所述驱动MOS管耦接,适于对驱动MOS管进行校准并探测得到所述驱动MOS管的阈值电压,以及将所述驱动MOS管的阈值电压存储至所述第一电容;
控制单元,与所述第一电容的第一端、所述驱动MOS管及所述像素单元耦接,适于在保持所述第一电容存储电荷不变的情况下,调整所述第一电容第一端的电压,并控制所述像素单元的发光状态。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述校准单元包括:至少一个第一开关管;所述第一开关管的控制端与校准信号输出端耦接,所述第一开关管的第一端与所述驱动MOS管的控制端耦接,所述第一开关管的第二端与所述驱动MOS管的第二端耦接。
3.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述控制单元包括:电容电压调整子单元及发光控制子单元,其中:
所述电容电压调整子单元的控制端与发光控制信号输出端耦接;所述电容电压调整子单元的第一端与所述第一电容的第一端耦接;所述电容电压调整子单元的第二端接地;
所述发光控制子单元的控制端与所述发光控制信号输出端耦接;所述发光控制子单元的第一端与所述驱动MOS管的第二端耦接;所述发光控制子单元的第二端与所述像素单元耦接。
4.如权利要求3所述的像素驱动电路,其特征在于,所述电容电压调整子单元包括:至少一个第二开关管。
5.如权利要求3所述的像素驱动电路,其特征在于,所述发光控制子单元包括:至少一个第三开关管。
6.如权利要求1至5任一项所述的像素驱动电路,其特征在于,还包括:复位单元,与所述驱动MOS管的第二端耦接,适于对所述驱动MOS管进行复位。
7.如权利要求6所述的像素驱动电路,其特征在于,所述复位单元包括:至少一个第四开关管;所述第四开关管的控制端与复位信号输出端耦接。
8.一种像素结构,其特征在于,包括像素单元,以及权利要求1至7任一项所述的像素驱动电路。
9.一种显示装置,其特征在于,包括像素阵列,所述像素阵列由若干权利要求8所述的像素结构组成,所述像素结构呈阵列分布。
10.一种权利要求1至7任一项所述的像素驱动电路的像素驱动方法,其特征在于,包括:
校准阶段,控制流经所述驱动MOS管的电流逐渐减小,使得所述驱动MOS管由导通状态转变为截止状态,探测得到所述驱动MOS管的阈值电压,并将所述驱动MOS管的阈值电压存储至所述第一电容;
发光阶段,保持所述第一电容上存储的电荷不变,调整所述第一电容第一端的电压,使得所述像素单元发光。
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
CN113920938A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-01-11 | 锐芯微电子股份有限公司 | 校准装置、显示芯片和显示器 |
US20230066613A1 (en) * | 2021-08-31 | 2023-03-02 | Seeya Optronics Co., Ltd. | Pixel driving circuit, method for driving the pixel driving circuit, silicon-based display panel and display device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104050917A (zh) * | 2014-06-09 | 2014-09-17 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种像素电路、有机电致发光显示面板及显示装置 |
CN109801596A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素电路、显示面板及其驱动方法 |
CN110517639A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素补偿电路、像素电路、显示装置及像素补偿方法 |
-
2021
- 2021-03-01 CN CN202110224133.7A patent/CN112992075A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104050917A (zh) * | 2014-06-09 | 2014-09-17 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种像素电路、有机电致发光显示面板及显示装置 |
CN109801596A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素电路、显示面板及其驱动方法 |
CN110517639A (zh) * | 2019-08-29 | 2019-11-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素补偿电路、像素电路、显示装置及像素补偿方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230066613A1 (en) * | 2021-08-31 | 2023-03-02 | Seeya Optronics Co., Ltd. | Pixel driving circuit, method for driving the pixel driving circuit, silicon-based display panel and display device |
US11967279B2 (en) * | 2021-08-31 | 2024-04-23 | Seeya Optronics Co., Ltd. | Pixel driving circuit, method for driving the pixel driving circuit, silicon-based display panel and display device |
CN113920938A (zh) * | 2021-10-27 | 2022-01-11 | 锐芯微电子股份有限公司 | 校准装置、显示芯片和显示器 |
CN113920938B (zh) * | 2021-10-27 | 2022-08-19 | 锐芯微电子股份有限公司 | 校准装置、显示芯片和显示器 |
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