CN1706986A - 钛或钛合金用蚀刻液 - Google Patents
钛或钛合金用蚀刻液 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1706986A CN1706986A CNA2005100688258A CN200510068825A CN1706986A CN 1706986 A CN1706986 A CN 1706986A CN A2005100688258 A CNA2005100688258 A CN A2005100688258A CN 200510068825 A CN200510068825 A CN 200510068825A CN 1706986 A CN1706986 A CN 1706986A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- titanium
- weight
- etching
- etching solution
- hydrogen peroxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 34
- -1 methylene phosphonic acid Chemical compound 0.000 claims description 16
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 15
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 9
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JJJOZVFVARQUJV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexylphosphonic acid Chemical compound CCCCC(CC)CP(O)(O)=O JJJOZVFVARQUJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N propylenediamine Chemical compound CC(N)CN AOHJOMMDDJHIJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229940116254 phosphonic acid Drugs 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L disodium hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].OP([O-])([O-])=O BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000397 disodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019800 disodium phosphate Nutrition 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- UEUXEKPTXMALOB-UHFFFAOYSA-J tetrasodium;2-[2-[bis(carboxylatomethyl)amino]ethyl-(carboxylatomethyl)amino]acetate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O UEUXEKPTXMALOB-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWROUVVQGRRRMF-UHFFFAOYSA-N F.O[N+]([O-])=O Chemical compound F.O[N+]([O-])=O XWROUVVQGRRRMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N copper titanium Chemical compound [Ti].[Cu] IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- LMRFGCUCLQUNCZ-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide hydrofluoride Chemical compound F.OO LMRFGCUCLQUNCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLLMDXDAVKMMEG-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide phosphoric acid Chemical compound OO.OP(O)(O)=O JLLMDXDAVKMMEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N tetraethylenepentamine Chemical compound NCCNCCNCCNCCN FAGUFWYHJQFNRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/30—Acidic compositions for etching other metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明提供一种可以不蚀刻不能蚀刻的金属，例如铜、锡、锡合金和铝，而选择性地蚀刻钛或钛合金的蚀刻液和蚀刻方法。前述蚀刻液是一种含有10～40重量％的过氧化氢、0.05～5重量％的磷酸、0.001～0.1重量％的膦酸系化合物和氨的水溶液。
Description
技术领域
本发明涉及在含有钛或钛合金及其以外的金属的蚀刻对象物上选择性地蚀刻钛或钛合金的蚀刻液以及蚀刻方法。本发明的蚀刻液和蚀刻方法用于半导体制品、印刷布线板等电子器件的制造。
背景技术
作为一般的钛或钛合金的蚀刻方法，已知的有，通过氢氟酸-硝酸混合溶液、氢氟酸-过氧化氢混合液处理的方法。前述的混合液还会同时蚀刻锡、锡合金以及铝。此外，已知的还有过氧化氢-氨水-乙二胺四乙酸(盐)混合液(参照专利文献1～3)，过氧化氢-磷酸盐混合液(参照专利文献4)，但是该混合液对钛或钛合金的蚀刻速度不充分，且由于过氧化氢的分解明显，不能稳定地进行蚀刻。因此，希望开发出一种能够选择性地蚀刻钛或钛合金的蚀刻液和蚀刻方法。
专利文献1 特开平8-13166号公报
专利文献2 特开平8-53781号公报
专利文献3 美国专利第4554050号公报
专利文献4 特开2000-311891号公报
发明内容
本发明制旨在提供一种不蚀刻钛或钛合金以外的金属，特别是不蚀刻铜、锡、锡合金和铝，而用于选择性地蚀刻钛或钛合金的蚀刻液和蚀刻方法。
本发明者们经过反复认真的研究，结果发现：含有过氧化氢、磷酸、膦酸系化合物、氨的水溶液可以不蚀刻铜、锡、锡合金和铝，而选择性地蚀刻钛或钛合金，由此完成了本发明。
即，本发明涉及下述的内容。
(1)一种用于在有不能被蚀刻的金属的存在下，可以选择性地蚀刻钛或钛合金的蚀刻液，其特征在于：其是一种含有10～40重量％的过氧化氢、0.05～5重量％的磷酸、0.001～0.1重量％的膦酸系化合物和氨的水溶液。
(2)一种选择性地蚀刻钛或钛合金的方法，其特征在于：使含有不能被蚀刻的金属以及、钛或钛合金的蚀刻对象物，与含有10～40重量％的过氧化氢、0.05～5重量％的磷酸、0.001～0.1重量％的膦酸系化合物和氨的水溶液接触。
通过本发明的蚀刻液和蚀刻方法，可以不蚀刻铜、锡、锡合金和铝，而选择性地蚀刻钛或钛合金。
具体实施方式
在本发明的蚀刻液中，过氧化氢浓度为10～40重量％，优选20～30重量％。若浓度不足10重量％，则钛或钛合金的蚀刻速度不够，若超过40重量％则具有安全性方面的问题，因此不优选。
磷酸起到过氧化氢的稳定剂的效果，还有抑制锡或锡合金的溶解(蚀刻)的效果。磷酸在蚀刻液中的浓度为0.05～5重量％，优选0.1～1重量％。若浓度不足0.05重量％则作为过氧化氢的稳定剂的效果和抑制锡或锡合金的溶解(蚀刻)的效果不充分。若浓度超过5重量％则铜、锡和锡合金会被蚀刻，因此不优选。
作为膦酸系化合物，可以列举乙二胺四(亚甲基膦酸)、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、三亚乙基四胺六(亚甲基膦酸)、丙二胺四(亚甲基膦酸)、四亚乙基五胺七(亚甲基膦酸)、六亚甲基四胺八(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五(亚甲基膦酸)、1-羟基乙叉-1，1-二膦酸。此外，这些化合物所具有的一部分膦酰基甲基可以被氢原子或甲基等其它基团取代。这些膦酸系化合物的膦酸基可以是游离酸，例如铵盐等的盐。特别优选二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、丙二胺四(亚甲基膦酸)、1-羟基乙叉-1，1-二膦酸。膦酸系化合物具有作为过氧化氢的稳定剂的效果。蚀刻液中的浓度为0.001～0.1重量％，优选0.005～0.02重量％。不足0.001重量％则作为过氧化氢的稳定剂的效果不够。若超过0.1重量％则锡或锡合金会被蚀刻，因此不优选。
混合氨的目的是调整蚀刻液的pH。本发明的蚀刻液的pH优选7～9。因此，氨的用量为，使含有过氧化氢、磷酸、膦酸系化合物的水溶液的pH调整至7～9的量。若pH不足7则钛和钛合金的蚀刻速度不够，此外若pH超过9则会促进过氧化氢的分解，且铜和铝会被蚀刻，因此不优选。
蚀刻液可以如下制成：例如在水中加入过氧化氢、磷酸、膦酸系化合物，搅拌得到水溶液，进一步加入氨水，调整水溶液的pH至7～9而制成。
本发明的蚀刻方法是通过使蚀刻对象物和蚀刻液接触而进行的。接触方法没有特别的限制，可以通过浸渍处理、喷雾处理等进行。处理温度优选30～60℃。虽然处理温度越高越可以提升钛和钛合金的蚀刻速度，但是若超过60℃则会促进过氧化氢的分解，因此不优选。此外，蚀刻处理时间可以根据蚀刻对象物的表面状态和形状而选择最适合的时间，在实际应用中优选1～10分钟。
实施例
以下通过实施例和比较例，具体地说明本发明，但是本发明不受到以下实施例的限定。
实施例1
在含有20重量％过氧化氢、0.3重量％磷酸、0.01重量％二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)和氨，pH调整至9.0的水溶液(蚀刻液)中，在40℃下浸渍下述的各基板1分钟。
(1)在硅晶片(晶片直径：5英寸)上通过溅射法形成厚2000的钛膜的基板
(2)在硅晶片(晶片直径：5英寸)上通过溅射法形成厚2000的铜膜的基板
(3)在硅晶片(晶片直径：5英寸)上通过溅射法形成厚2000的铝膜的基板
(4)在SUS304材料上形成厚10000的锡-铅(6：4)电镀膜的基板(100mm×100mm×0.5mm)
各种金属膜的溶解速度如表1所示。
实施例2
除了使用含有30重量％过氧化氢、0.2重量％膦酸、0.005重量％丙二胺四(亚甲基膦酸)和氨，pH调整至8.5的蚀刻液以外，其余按照与实施例1同样的方法进行。结果如表1所示。
实施例3
除了使用含有35重量％过氧化氢、0.1重量％膦酸、0.01重量％的1-羟基乙叉-1，1-二膦酸和氨，pH调整至8.0的蚀刻液以外，其余按照与实施例1同样的方法进行。结果如表1所示。
比较例1
除了使用含有1重量％硝酸、1重量％氢氟酸的水溶液(蚀刻液)以外，其余按照与实施例1同样的方法进行。结果如表1所示。
比较例2
除了使用含有1重量％过氧化氢、1重量％氢氟酸的水溶液(蚀刻液)以外，其余按照与实施例1同样的方法进行。结果如表1所示。
比较例3
除了使用含有20重量％过氧化氢、0.1重量％乙二胺四乙酸四钠和氨，pH调整至8.0的水溶液(蚀刻液)以外，其余按照与实施例1同样的方法进行。结果如表1所示。
比较例4
除了使用含有20重量％过氧化氢、磷酸氢二钠、pH调整至8.0的水溶液(蚀刻液)以外，其余按照与实施例1同样的方法进行。结果如表1所示。
比较例5
除了用氢氧化钾代替氨以外，其余按照与实施例1同样的方法进行。结果如表1所示。
比较例6
除了用氢氧化四甲基铵代替氨以外，其余按照与实施例1同样的方法进行。结果如表1所示。
实施例4
在含有20重量％过氧化氢、0.2重量％磷酸、0.01重量％二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)和氨，pH调整至8.0的蚀刻液中，以100mg/L溶解金属钛，液温保持在40℃放置8小时。放置前和放置后的过氧化氢的分解率如表2所示。
分解率(％)＝(放置前过氧化氢浓度-放置后过氧化氢浓度)×100/放置前过氧化氢浓度
比较例7
除了使用含有20重量％过氧化氢、0.1重量％乙二胺四乙酸四钠和氨、将pH调整至8.0的水溶液(蚀刻液)以外，其余按照与实施例4同样的方法进行。结果如表2所示。
比较例8
除了使用含有20重量％过氧化氢、磷酸氢二钠、pH调整至8.0的水溶液(蚀刻液)以外，其余按照与实施例4同样的方法进行。结果如表2所示。
[表1]
| 溶解量(/分钟) | ||||
| 钛 | 铜 | 铝 | 锡-铅 | |
| 实施例1 | 1500 | ＜10 | ＜10 | ＜10 |
| 实施例2 | 1700 | ＜10 | ＜10 | ＜10 |
| 实施例3 | 1800 | ＜10 | ＜10 | ＜10 |
| 比较例1 | 1000 | 1000 | 2000 | 3000 |
| 比较例2 | 1000 | 1000 | 2000 | 3000 |
| 比较例3 | 300 | ＜10 | ＜10 | ＜10 |
| 比较例4 | 300 | ＜10 | ＜10 | ＜10 |
| 比较例5 | 300 | ＜10 | ＜10 | ＜10 |
| 比较例6 | 200 | ＜10 | ＜10 | ＜10 |
如表1所示，本发明的蚀刻液不会蚀刻铜、锡、锡合金和铝，可以选择性地蚀刻钛或钛合金。
[表2]
| 过氧化氢分解率 | |
| 实施例4 | ＜1％ |
| 比较例7 | 20％ |
| 比较例8 | 30％ |
如表2所示，由于本发明的蚀刻液抑制了过氧化氢的分解，因此可以稳定地选择性地蚀刻钛或钛合金。
Claims (7)
1.一种蚀刻液，其是用于在有不能被蚀刻的金属的存在下，可以选择性地蚀刻钛或钛合金的蚀刻液，其特征在于：含有10～40重量％的过氧化氢、0.05～5重量％的磷酸、0.001～0.1重量％的膦酸系化合物和氨的水溶液。
2.权利要求1记载的蚀刻液，其特征在于：所述不能被蚀刻的金属为选自铜、锡、锡合金和铝中的至少1种金属。
3.权利要求1或2中记载的蚀刻液，其特征在于：pH调整为7～9。
4.权利要求1或2中记载的蚀刻液，其特征在于：含有使蚀刻液的pH调整为7～9的量的氨。
5.权利要求1或2中记载的蚀刻液，其特征在于：膦酸系化合物为选自二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、丙二胺四(亚甲基膦酸)、1-羟基乙叉-1，1-二膦酸中的至少1种。
6.一种选择性地蚀刻钛或钛合金的方法，其特征在于：使含有不能被蚀刻的金属以及、钛或钛合金的蚀刻对象物，与含有10～40重量％的过氧化氢、0.05～5重量％的磷酸、0.001～0.1重量％的膦酸系化合物和氨的水溶液接触。
7.权利要求6记载的蚀刻方法，其特征在于：所述不能被蚀刻的金属为选自铜、锡、锡合金和铝中的至少1种金属。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004141438A JP4471094B2 (ja) | 2004-05-11 | 2004-05-11 | チタンまたはチタン合金のエッチング液 |
| JP2004141438 | 2004-05-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1706986A true CN1706986A (zh) | 2005-12-14 |
| CN100526507C CN100526507C (zh) | 2009-08-12 |
Family
ID=35468080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005100688258A Active CN100526507C (zh) | 2004-05-11 | 2005-05-11 | 钛或钛合金用蚀刻液 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4471094B2 (zh) |
| KR (1) | KR101154762B1 (zh) |
| CN (1) | CN100526507C (zh) |
| TW (1) | TWI360586B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103210058A (zh) * | 2010-12-15 | 2013-07-17 | 第一毛织株式会社 | 蚀刻膏，其生产方法以及使用其形成图案的方法 |
| CN107075694A (zh) * | 2014-09-19 | 2017-08-18 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| CN110581061A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-17 | 同辉电子科技股份有限公司 | 一种氮化镓mmic功率放大器芯片的加工工艺 |
| CN114196956A (zh) * | 2020-09-18 | 2022-03-18 | 珠海市丹尼尔电子科技有限公司 | 一种用于钛的蚀刻液 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8300167B2 (en) | 2007-06-14 | 2012-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display panel, display device, and method for manufacturing display panel |
| SG186683A1 (en) * | 2007-12-21 | 2013-01-30 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Etching agent, etching method and liquid for preparing etching agent |
| JP5150401B2 (ja) * | 2008-08-04 | 2013-02-20 | 株式会社アルバック | 真空槽の構成部品の製造方法、該部品の再生方法、枠体の製造方法、及び枠体の再生方法 |
| US9845538B2 (en) | 2013-07-05 | 2017-12-19 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Etching agent, etching method and etching agent preparation liquid |
| US20150368557A1 (en) | 2014-06-23 | 2015-12-24 | Hyosan Lee | Metal etchant compositions and methods of fabricating a semiconductor device using the same |
| JP6429079B2 (ja) | 2015-02-12 | 2018-11-28 | メック株式会社 | エッチング液及びエッチング方法 |
| US10865484B2 (en) | 2016-03-29 | 2020-12-15 | Technic France | Solution and method for etching titanium based materials |
| WO2018181896A1 (ja) | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 関東化學株式会社 | チタン層またはチタン含有層のエッチング液組成物およびエッチング方法 |
| KR20200105221A (ko) | 2019-02-28 | 2020-09-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 |
| JP7500088B2 (ja) | 2022-04-11 | 2024-06-17 | 奥野製薬工業株式会社 | 金属剥離剤 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100497835B1 (ko) * | 1997-01-27 | 2005-09-08 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 표면처리조성물및이를이용한기판의표면처리방법 |
| WO2003031688A1 (fr) * | 2001-10-09 | 2003-04-17 | Nagase Chemtex Corporation | Composition de produit d'attaque |
| TWI245071B (en) * | 2002-04-24 | 2005-12-11 | Mitsubishi Chem Corp | Etchant and method of etching |
| JP2003328159A (ja) | 2002-05-02 | 2003-11-19 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 表面処理剤 |
-
2004
- 2004-05-11 JP JP2004141438A patent/JP4471094B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-05-06 TW TW094114625A patent/TWI360586B/zh active
- 2005-05-10 KR KR1020050038699A patent/KR101154762B1/ko active IP Right Grant
- 2005-05-11 CN CNB2005100688258A patent/CN100526507C/zh active Active
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103210058A (zh) * | 2010-12-15 | 2013-07-17 | 第一毛织株式会社 | 蚀刻膏，其生产方法以及使用其形成图案的方法 |
| CN107075694A (zh) * | 2014-09-19 | 2017-08-18 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| CN110581061A (zh) * | 2019-09-25 | 2019-12-17 | 同辉电子科技股份有限公司 | 一种氮化镓mmic功率放大器芯片的加工工艺 |
| CN114196956A (zh) * | 2020-09-18 | 2022-03-18 | 珠海市丹尼尔电子科技有限公司 | 一种用于钛的蚀刻液 |
| CN114196956B (zh) * | 2020-09-18 | 2024-03-12 | 珠海市丹尼尔电子科技有限公司 | 一种用于钛的蚀刻液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101154762B1 (ko) | 2012-06-18 |
| JP2005320608A (ja) | 2005-11-17 |
| JP4471094B2 (ja) | 2010-06-02 |
| KR20060045996A (ko) | 2006-05-17 |
| CN100526507C (zh) | 2009-08-12 |
| TWI360586B (en) | 2012-03-21 |
| TW200606280A (en) | 2006-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1706986A (zh) | 钛或钛合金用蚀刻液 | |
| JP4116718B2 (ja) | 無電解金めっき方法及びそれに使用する無電解金めっき液 | |
| EP0528053B1 (en) | Cleaning liquid for semiconductor substrate | |
| CN101868428A (zh) | 玻璃基板的蚀刻处理方法 | |
| JP2003013248A (ja) | 無電解金めっき液および無電解金めっき方法 | |
| CN1270993C (zh) | 含有多成分的玻璃基板用的微细加工表面处理液 | |
| US6991675B2 (en) | Electroless displacement gold plating solution and additive for use in preparing plating solution | |
| CN1057800C (zh) | 铜蚀刻液用添加剂 | |
| CN1225415C (zh) | 蒸气锅炉装置用水处理剂 | |
| CN1819748A (zh) | 蚀刻液和补给液以及使用它们的导体图案的形成方法 | |
| CN1222636C (zh) | 化学镀镍的预处理溶液及预处理方法 | |
| CN114875406A (zh) | 一种铜钼金属蚀刻液组合物及其制备方法 | |
| CN1132963C (zh) | 一种化学镀镍液及其应用 | |
| WO2017031490A1 (en) | Electroless silver plating bath and method of using the same | |
| CN1592548A (zh) | 印制电路板的制造方法 | |
| JP4535232B2 (ja) | チタンまたはチタン合金のエッチング液 | |
| CN1626699A (zh) | 钨金属去除液以及使用了该去除液的钨金属的去除方法 | |
| CN1993499A (zh) | 无电解镀金液 | |
| CN1174119C (zh) | 用于还原铜氧化物的处理液及其处理方法 | |
| CN1238771C (zh) | 抗蚀剂剥离剂 | |
| CN1229518C (zh) | 铝或铝合金的表面处理方法及为此使用的处理液 | |
| CN1645574A (zh) | 蚀刻液回收***与方法 | |
| TWI831869B (zh) | 用以選擇性蝕刻銅及銅合金之蝕刻液及使用此蝕刻液之半導體基板之製造方法 | |
| CN113005438B (zh) | 一种银离子促进剂作为提高化学镀钯液中镀钯速率的添加剂的方法 | |
| CN117926258A (zh) | 一种可用于高铜离子浓度的蚀刻组合物、制备方法及其应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |