CN1692467A - 偏转线圈及阴极射线管装置 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种偏转线圈及具有该偏转线圈的阴极射线管装置，该偏转线圈能够补正永久磁铁的个体差所引起的磁化强度偏差，并且即使对装置的温度变化也能够持续地进行适当的光栅失真补正。为实现该目的，在本发明的CRT装置(1)的偏转线圈(30)中的补正单元(340)中，在永久磁体(341)的两端面(341a、341b)中的至少一个面上以对其进行覆盖的方式装配有磁性体(342)，该磁性体(342)具有导磁率以负温度特性变化的特性。而且，在偏转线圈(30)中，以相对于CRT(10)的管轴对称的状态设有上下一对补正单元(340)。

Description

偏转线圈及阴极射线管装置

技术领域

本发明涉及偏转线圈及阴极射线管装置，特别涉及用于补正光栅失真的技术。

背景技术

电视机等中所使用的阴极射线管(以下称为“CRT”)装置中，通过使从电子枪射出的电子束在设于CRT的管锥部的外周的偏转线圈所产生的磁场的作用下偏转、并使之扫描屏板部，来显示图像。在此，具有作为电子束照射面的荧光面的屏板部不具有以电子束的偏转点为中心的球面，其形状为：从偏转点到电子束照射点的距离越向荧光面周边越大。因此，电子束的偏移在荧光面的四角变得最大，产生如图9(a)所示的那种作为光栅失真的一种的枕形失真。

图9(a)所示的枕形失真中的X方向的失真(左右枕形失真)通常利用左右枕形失真补正电路进行补正。而Y方向的失真(上下枕形失真)通过在偏转线圈的框体上的屏板侧的前缘上下配置一对永久磁铁来进行消除或降低(参照例如，特公昭58-20455号公报、特公昭63-18836号公报)。利用图9(b)说明其补正原理。图9(b)是表示比CRT的管轴靠上的部分处的、永久磁铁对电子束产生的影响的示意图。

如图9(b)所示，永久磁铁配置成，向着附图X方向右侧为N极、左侧为S极。相对于沿管轴方向(朝向附图跟前的方向)飞来的对应于R、G、B的各电子束，永久磁铁在其飞行区域上产生与管轴方向正交的向左的磁场。受该磁场的影响，电子束受到向上的洛伦兹力的作用。而且，由于磁铁设置在CRT装置的Y轴上，所以，越扫描屏板部荧光面的左右方向(相当于X方向)的中央部的电子束越受到大的洛伦兹力的作用，从而能够补正枕形失真。

另外，尽管未图示，但是永久磁铁还以相对于管轴与配置在偏转线圈上侧的永久磁铁磁极呈对称的状态配置在偏转线圈的前缘下侧，荧光面下侧的枕形失真由该配置在下侧的永久磁铁补正。

CRT装置在受到驱动时，装置温度从启动时点开始上升。其温度差虽然也受到CRT装置所处的环境温度的影响，但是有时能达到例如数十(℃)。这样，在装置的温度因驱动而上升时，永久磁铁的磁化强度以负温度特性发生变化，如果这样永久磁铁的磁化强度以负的温度特性发生变化，则不能维持适当的枕形失真的补正。

相对于此，开发出了下述技术：通过在装配于偏转线圈的框体上的永久磁铁的外侧侧面上、装配由具有导磁率以负温度特性变化的特性的合金形成的磁性体，即使装置发生温度变化，也能够维持枕形失真的补正(参照特开2001-126642号公报)。

但是，近年来，CRT装置在其屏板部的平面化方面得到了进一步发展，为了对具有这种平面屏板部的CRT装置进行枕形失真补正，需要装配磁化强度更大的永久磁铁。例如，在具有这种屏板的CRT装置中，与以往类型的CRT装置相比，需要将永久磁铁的磁化强度增大3～5倍。因而，在这种CRT装置中，由于伴随温度变化所产生的永久磁铁的磁化强度变化也增大，如果利用上述特开2001-126642号公报的失真补正方法，则还产生相对于装置的温度变化不能充分地进行枕形失真的补正的问题。即，磁化强度大的永久磁铁，伴随着温度变化所产生的磁化强度的变化也大，如上所述，即使装配由具有导磁率以负温度特性变化的特性的合金形成的磁性体，也不能足以补正永久磁铁磁化强度变化所伴随的光栅失真补正能力的变化。

而且，作为别的课题，永久磁铁的磁化强度越大其偏差也增大。因而，将其用于CRT装置时，产生不能进行适当的枕形失真的补正的问题，针对这种永久磁铁的磁化强度的偏差的问题，如果在CRT装置的制造阶段采用下述花费工时的方法：即进行永久磁铁的筛选、而仅使用最佳的永久磁铁，尽管从理论上可以解决，但是考虑到成本方面等原因时，采用这种方法并不现实。

发明内容

本发明是为解决上述问题而作出的，目的在于提供一种偏转线圈及具有该偏转线圈的CRT装置，该偏转线圈能够补正永久磁铁的个体差所引起的磁化强度偏差，并且即使对装置的温度变化也能够维持适当的光栅失真补正。

为了实现上述目的，本发明的偏转线圈及CRT装置具有以下特征。

(1)偏转线圈配置在CRT的外周，并对从收纳于CRT的管颈部的电子枪向荧光面射出的电子束施加偏转磁场，而使该电子束在荧光面上扫描，其特征在于，具有用于补正电子束在荧光面上的照射位置的磁铁，该磁铁在S极及N极的两端面中的至少一个面上装配着导磁率以负温度特性变化的磁性体。

在本发明的偏转线圈中，由于形成的结构是，相对于为补正枕形失真而设置的磁铁，在其磁极(S极、N极)即端面上装配具有导磁率以负温度特性变化的特性的磁性体，所以，在该磁性体与磁铁的另一个磁极之间形成了磁力线的旁路，通过使来自于磁铁的磁力线向上述旁路集中，而有效地对影响电子束的磁力线进行补正。因而，在该偏转线圈中，尽管磁铁的磁化强度因温度上升而降低，从而减少了来自于磁铁的总的磁力线，但是，由于通过因装配磁性体而形成的旁路的磁力线的比例也降低，所以维持了光栅失真补正的功能，而且，如上所述，通过在磁铁的端面上装配磁性体，伴随着温度上升，通过旁路的磁力线的比例所下降的程度也变大，所以对来自于磁铁的磁力线的温度变化进行补正的效果大。

因此，在本发明的偏转线圈中，能够进行不受周围温度影响的总是稳定的光栅失真补正。

此外，在本发明的偏转线圈中，为了对具有平面屏板部的CRT装置的枕形失真进行补正而即使在偏转线圈上装配具有大的磁化强度的磁铁时，也能够有效地降低由磁铁的个体差所引起的磁化强度的偏差。即，预先准备多种导磁率及其温度特性不同的磁性体，根据磁铁的磁化强度选择具有最合适特性的磁性体来进行装配，可降低偏差。

此时，与为降低偏差而进行磁铁的选择的情况相比，能够抑制制作偏转线圈时的工时的上升，起到降低成本的效果。

此外，本发明的偏转线圈通过在相当于磁铁的磁极的端面上装配磁性体，能够有效地补正温度变化所引起的磁铁的磁化强度的变化。即，与象上述特开2001-126642公报的偏转线圈那样在磁铁的非磁极的侧面上装配磁性体的情况相比，能够在磁通密度高的部分中进行磁化强度的补正。因而，为了对应具有平面屏板部的CRT装置而采用具有大的磁化强度的磁铁的情况下，也能够充分地补正温度变化所伴随的磁化强度的变化。

因此，本发明的偏转线圈在构成能够补正永久磁铁的个体差所引起的磁化强度偏差、并且即使对装置的温度变化也能够持续地进行适当的光栅失真补正的CRT装置方面，发挥了效果。

(2)的特征在于，在上述(1)的偏转线圈中，磁铁是具有连接其两端面外缘间的侧面的柱状体，俯视磁铁的侧面时，磁性体呈大致コ字状，并覆盖着磁铁的夹着外缘的端面和侧面的局部区域。

(3)的特征在于，在上述(2)的偏转线圈中，磁铁具有矩形截面，磁性体相对于磁铁的所有四个侧面，以覆盖其局部区域的状态装配着。

(4)的特征在于，在上述(1)的偏转线圈中，磁性体由含有Fe、Ni、Cr的至少一种的合金形成。具体地是Fe-Ni系合金及Fe-Ni-Cr系合金等。

(5)的特征在于，在上述(1)的偏转线圈中，装配有磁性体而成的磁铁配置在该偏转线圈的靠CRT的荧光面侧的缘部上。

(6)的特征在于，在上述(5)的偏转线圈中，成对地设置有装配了磁性体而成的磁铁，成对的磁铁配置成相对于CRT的管轴相互为线对称。

(7)的特征在于，在上述(6)的偏转线圈中，装配在一对磁铁上的磁性体相对于温度变化具有大致相同的导磁率变化特性。

另外，在这里所说的大致相同是在能够实质补正磁铁所具有的温度特性的范围内的相同。

(8)是一种CRT装置，包括：CRT和偏转线圈，其中，CRT包括：在内面具有荧光面的屏板部，收纳配置在与该屏板部对置的位置上的电子枪的管颈部，连接屏板部和管颈部的管锥部，并且从电子枪向荧光面射出电子束；偏转线圈配置在CRT的外周，并对从收纳于管颈部的电子枪向荧光面射出的电子束施加偏转磁场，而使该电子束在荧光面上扫描；其特征在于，偏转线圈具有用于补正电子束在荧光面上的照射位置的磁铁，该磁铁在S极及N极的两端面中的至少一个面上装配着导磁率以负温度特性变化的磁性体。

本发明的CRT装置中，如上所述，由于具有下述结构的偏转线圈：相对于为了补正枕形失真而设置的磁铁，在磁铁的磁极(S极、N极)即端面上装配具有导磁率以负温度特性变化的特性的磁性体，所以，在该磁性体与磁铁的另一个磁极之间形成了磁力线的旁路，相对于来自于磁铁的磁力线，能够以大的影响程度对温度变化所伴随的磁铁的磁化强度的变化进行补正。因而，在本发明的CRT装置中，能够与温度无关地良好地进行光栅失真的补正。

此外，如上所述，通过在磁铁的端面上装配磁性体，从而磁性体对来自于磁铁的磁力线具有大的影响，所以，即使相对于磁化强度偏差大的磁铁也能够良好地进行其磁化强度的补正。

因此，在本发明的CRT装置中，能够补正永久磁体的个体差所引起的磁化强度偏差，并且，相对于装置的温度变化也能够持续地进行适当的光栅失真补正，而具有高的质量性能。

(9)的特征在于，在上述(8)的CRT装置中，磁铁是具有连接其两端面外缘间的侧面的柱状体，俯视磁铁的侧面时，磁性体呈大致コ字状，并覆盖着磁铁的夹着外缘的端面和侧面的局部区域。

(10)的特征在于，在上述(9)的CRT装置中，磁铁具有矩形截面，磁性体相对于磁铁的所有四个侧面，以覆盖其局部区域的状态装配着。

(11)的特征在于，在上述(8)的CRT装置中，磁性体由含有Fe、Ni、Cr的至少一种的合金形成。具体地是Fe-Ni系合金及Fe-Ni-Cr系合金等。

(12)的特征在于，在上述(8)的CRT装置中，装配有磁性体而成的磁铁配置在该偏转线圈的靠上述CRT的荧光面侧的缘部上。

(13)的特征在于，在上述(12)的CRT装置中，成对地设置有装配了磁性体而成的磁铁，该成对的磁铁配置成相对于CRT的管轴相互为线对称。

(14)的特征在于，在上述(13)的CRT装置中，装配在一对磁铁上的磁性体相对于温度变化具有大致相同的导磁率变化特性。

另外，在这里所说的大致相同是在能够实质补正磁铁所具有的温度特性的范围内的相同。

(15)的特征在于，是上述(8)的CRT装置，靠近配置在屏板部上的荧光面地设有荫罩，该荫罩以被施加有张力的状态得到保持。即，本发明即使对于具有平面屏板的CRT装置也是有效的。

附图说明

图1是本发明的实施形式的CRT装置1的主要部分侧视图；

图2是表示CRT装置1中的偏转线圈30的立体图；

图3是从正面方向观察偏转线圈30时的主视图；

图4(a)是表示偏转线圈30所具有的补正单元340的立体图；图4(b)是其侧视图；

图5(a)是表示以往的补正单元840所起作用的磁场分布的示意图；图5(b)是偏转线圈30的补正单元340所起作用的磁场分布的示意图；

图6(a)是表示永久磁铁341的饱和磁通密度的偏差的分布图，图6(b)是表示在永久磁铁341上装配有磁性体342而成的补正单元340的饱和磁通密度的偏差的分布图；

图7是表示永久磁铁341及补正单元340的各自的与温度变化相对应的饱和磁通密度变化的特性图；

图8(a)～图8(c)表示变形例的补正单元440、540、640的各种形式的立体图；

图9(a)是表示CRT装置中所产生的枕形失真的形式的示意图，图9(b)是表示偏转线圈所具有的永久磁铁对电子束产生的影响的示意图；

具体实施形式

以下，作为用于实施发明的优选形式，以CRT装置1为例进行说明。

(1)CRT装置1的整体结构

用图1说明CRT装置1的整体结构。图1是将CRT装置1的主要部分抽出而示的主要部分侧视图。

如图1所示，CRT装置1具有作为密闭容器的CRT10和配置在其外周的偏转线圈30。其中，CRT10由内侧设有荧光屏(未图示)的屏板部11、收纳电子枪20的管颈部13、连接屏板部11和管颈部13的管锥部12构成。

电子枪20为一列型电子枪，由与蓝(B)、绿(G)、红(R)相对应的3个电子束射出部构成。

后面将描述偏转线圈30的结构，其在从CRT10的管锥部12至管颈部13的区域沿着其外周地配置着。

(2)偏转线圈30的结构

关于构成上述CRT装置的元件中的、作为本实施形式的特征部分的偏转线圈30的结构，利用图2及图3进行说明。图2是偏转线圈30的立体图，图3是从屏板部11侧观察偏转线圈30的主视图。

如图2所示，偏转线圈30包括：以从上述图1所示的CRT10的管锥部12沿着管颈部13的外周形状的方式形成为漏斗状的框体300，沿着框体300的内侧面配置的鞍型的水平偏转线圈310，沿着框体300的外侧面配置的鞍型的垂直偏转线圈320，配置成覆盖垂直偏转线圈320外侧的铁氧体磁芯330。

另外，铁氧体磁芯330通过组合一对对称的半环状的磁芯部件331、332而构成。

偏转线圈30的构成元件中的框体300，整体地由大致均一厚度的板状绝缘体(树脂成型品)构成，接着上述形成为漏斗状的部分的荧光面侧部分形成大致呈方形的框缘状。以下，将该形成为框缘状的部分称为前面框架部300a。

以从该前面框架300a的Y方向的上下端部向Z方向前方(朝向上述图1中的屏板部11的方向)突出的方式形成有架部分300b，从各架部分300b分别向Y方向延伸设置有4个爪部300c。并且，柱状的补正单元340以由各爪部300c夹持的状态载置于各架部分300b的面上，并由粘接剂等接合。

如图3所示，补正单元340在前面框架300a的上下分别各装配一个。各补正单元340包括：配置在长度方向中部的永久磁铁341，和接合在其两端面341a、341b上并且从上述图2的Y轴方向看时呈大致コ字状的磁性体342。永久磁铁341和磁性体342利用粘接剂等接合。在此，如图2、图3所示，磁性体342以覆盖永久磁铁341的端面341a、341b和侧面341c这各个面的局部区域的状态进行接合。

接合了磁性体342的永久磁铁341的端面341a、341b分别成为N极和S极。

成对地装配在前面框架300a的上下的两个补正单元340以相对于CRT10的管轴线对称地配置着。即，如图3所示，装配在前面框架300a的上侧的补正单元340和装配在下侧的补正单元340的配置关系为，各永久磁铁341的磁性在图纸的左右方向上是相反的。

另外，在本实施形式的CRT装置1中，各补正单元340的永久磁铁341上的端面341a为N极、端面341b为S极。

(3)补正单元340的结构

利用图4稍微详细地说明补正单元340。图4(a)是表示补正单元340的结构的立体图，图4(b)是从A方向观察图4(a)所示的补正单元340的端面图。

如图4(a)所示，补正单元340包括呈棱柱状的永久磁铁341和磁性体342，而其中，磁性体342如上所述俯视时为コ字状。即，各磁性体342包括：覆盖永久磁铁341的两端面341a、341b的局部区域的第一部分342a、342b，和覆盖侧面341c的局部区域的第二部分342c。由此，形成下述状态：磁性体342在相互的第二部分342c之间形成了来自于永久磁铁341的磁力线旁路。

此外，磁性体342具有导磁率以负的温度特性变化的特性。作为具有这种特性的磁性体，可以采用由包含Ni、Fe、Cr的合金构成的合金所形成的物质。具体地可以采用：Fe-Ni系合金、Fe-Ni-Cr系合金(例如，住友特殊金属株式会社，商品名：整磁合金，件号：MS-1，MS-2，MS-3)。

此外，虽然对永久磁铁341的种类没有限制，但可以采用例如以BaO·6Fe₂O₃为主要原料的物质等。

如图4(a)、图4(b)所示，需要根据永久磁铁341的磁化强度来设定所接合的磁性体342的尺寸。例如，当磁性体342的厚度设定为T＝1.0(mm)、永久磁铁341的端面341a的尺寸设定为H1＝W1＝9(mm)时，磁性体342的高度H2设定为4.0(mm)。

如图4(b)所示，与永久磁铁341的宽度W1对应的磁性体342的宽度设定为例如(W1+2T)。

另外，关于磁性体342并不一定必须设定成俯视コ字状，只要能够接合到形成永久磁铁341磁极的端面341a、341b的表面上就可以用。这将在后面描述。

(4)补正单元340的磁场补正

接着，用图5对CRT装置1的偏转线圈30所具备的补正单元340所产生的磁场进行说明。图5(a)是表示上述特开2001-126642号公报(以下称为“现有技术”)的偏转线圈所具备的形式的补正单元840所产生的磁场的示意图，图5(b)是表示本实施形式的偏转线圈30所具备的补正单元340所产生的磁场的示意图。

如图5(a)所示，现有技术的补正单元840在永久磁铁841的一个侧面上接合有磁性体842，对该补正单元840中的来自于永久磁铁841的磁力线进行分析，在概念上主要分路成：永久磁铁841的磁极面以以外的部分、即、来自于永久磁铁841的侧面的磁力线成分501，和从N极朝向S极的磁力线成分502。而且，磁力线成分501比磁力线成分502小，在CRT装置中实际上对电子束产生影响大的是磁力线成分502。

因此，如图5(a)所示，在现有技术的补正单元840中，由于在永久磁铁841的侧面接合了磁性体842，所以，通过向对电子束影响小的磁力线成分501施加影响，而补正磁场的强度。

与此相对，如图5(b)所示，在本实施形式的偏转线圈30所具备的补正单元340中，由于对磁性体342以覆盖永久磁铁341的相当于两磁极(N极、S极)的两端面341a、341b和侧面341c的局部区域的方式进行接合，所以具有在两磁性体342之间形成了来自于永久磁铁341的磁力线的旁路的状态。因而，来自于永久磁铁341的磁力线在两个磁性体342的作用下分路成：集中于旁路的磁力线成分501和对电子束产生实质影响的磁力线成分502，其中磁性体342覆盖作为两个磁极的端面341a、341b以及侧面341c地装配着。

在本实施形式的补正单元340中，如图5(b)所示，由于覆盖了永久磁铁341的两端面341a、341b，所以能够对来自于永久磁铁341的磁力线产生大的影响。因而，在补正单元340中，使来自于永久磁铁341的磁力线暂时由磁性体342吸收，并将其中的磁力线成分501导向形成于磁性体342的第二部分342c之间的旁路，能够以大的影响对实质有效地补正电子束的磁场进行有效地补正。

因此，在本实施形式的补正单元340中，即使伴随着屏板部的平面化而使用了具有大的磁化力的永久磁铁341，也能够补正永久磁铁341的磁化强度的偏差，并能够有效地补正温度变化所伴随的永久磁铁341的磁化强度的变化。

另外，如上述图3所示，在以一对的形式将补正单元340装配在偏转线圈30的上下时，希望采用包括永久磁铁341的磁化强度、磁性体342的特性等在内的特性大致相同的补正单元340。

(5)补正单元340的磁化强度的偏差补正方法

如上所述，在永久磁铁中，通常越要增大其磁化强度，个体差所引起的磁化强度的偏差也大。将其直接用于偏转线圈时，就不能象设计的那样进行枕形失真的补正。此时，预先准备多个永久磁铁并筛选使用具有所希望的磁化强度的永久磁铁这种方法，由于制造工时等原因，实际上并不能采用。

于是，在本实施形式中，采用的方法是：预先准备多种导磁率不同的磁性体342，并根据永久磁铁341的磁化强度，装配具有最佳导磁率的磁性体342。用图6说明补正磁化强度偏差的方法的一例。图6(a)是表示永久磁铁341单独情况下的饱和磁通密度的偏差的分布图，图6(b)是表示作为在永久磁铁341上装配了磁性体342的补正单元340的饱和磁通密度的偏差的分布图。这里，采用了饱和磁通密度来作为衡量磁化强度偏差的指标。

另外，永久磁铁341及磁性体342的使用材料与上述的一样，是以BaO·6Fe₂O₃为主的材料和由Fe-Ni系合金、Fe-Ni-Cr系合金所形成的合金。

如图6(a)所示，在永久磁铁341的单独情况下，由于其制造时的个体差等原因，具有±6000(μT)、即、±10(％)的饱和磁通密度的偏差。

与此相对，在本实施形式中，在考虑了上述图6(a)的永久磁铁341的饱和磁通密度及其偏差的基础上，将最合适的磁性体342装配在两端面341a、341b上。其结果，如图6(b)所示，在补正单元340中，能够将所述偏差降低到±1000(μT)、即、±2.5(％)。

通过如上所述，能够对制造阶段中的永久磁铁341的个体差所引起的磁化强度(饱和磁通密度)的偏差进行补正，通过将达到具有所希望的饱和磁通密度的补正单元340装备在偏转线圈30上，能够可靠地实施CRT装置1中的枕形失真补正。

另外，在补正单元340的实际制作中，不仅只补正上述的由永久磁铁341的个体差所引起的磁化强度的偏差，而且，在装置温度产生变化时补正永久磁铁341的磁化强度的变化也是选择磁性体342时的重要因素。

(6)装置温度变化时的补正单元340的饱和磁通密度的变化

接着，用图7来说明在装置的温度产生变化时、永久磁铁341单独情况下的饱和磁通密度的变化与补正单元340的饱和磁通密度的变化的差异。

如上所述，在以Ba0·6Fe₂O₃为主原料的永久磁铁341中，通常磁化强度(饱和磁通密度)具有-0.2(％/℃)的温度特性。因此，如图7所示，在使装置的温度上升时，永久磁铁341所具有的磁化强度与温度相应地减小。

与此相对，由于磁性体342由上述合金构成，所以具有导磁率以负温度特性变化的特性。因而，在通过覆盖永久磁铁341的两端面341a、341b及侧面341c的各局部区域地装配磁性体342而形成的补正单元中，即使温度产生变化，其饱和磁通密度也几乎不变，稳定在45000(μT)。

即，如图7所示，在温度为0(℃)的状态下，永久磁铁341单独情况下的饱和磁通密度约55000(μT)，与之相对，补正单元340的饱和磁通密度因受到磁性体342所形成的磁通抵消的影响而约为45000(μT)。而且，如上所述，如果温度上升，永久磁铁341单独情况下的饱和磁通密度以-0.2(％/℃)的比例变化。

而具有导磁率以负温度特性变化的特性的磁性体342随着温度的上升，导磁率下降，磁通抵消的程度变小。在本实施形式中，如图7所示，通过使温度上升所伴随的永久磁铁341的饱和磁通密度的减小与磁性体342的导磁率的减小达成平衡，作为补正单元340能够维持稳定的饱和磁通密度而与温度变化无关。

如上所述，在具有补正单元340的CRT装置1中，即使在装置温度从驱动开始时就上升，也能够持续地并且可靠地进行枕形失真补正。因而，CRT装置1总是维持高的图像质量而不受温度变化的影响。

另外，在具有平面屏板部的CRT装置中，通常是在荫罩上作用有张力的状态，在这种情况下，为了对枕形失真进行补正，作为偏转线圈30所使用的补正单元340的永久磁铁341，就需要使用磁化强度大的永久磁铁。即使在这种情况下，如果采用上述本实施形式的补正单元340的结构，也能够得到上述效果。

(7)变形例

在上述CRT装置1中，尽管使用了具有上述图4所示形式的补正单元340，但是通过使用图8(a)～图8(c)所示的形式的补正单元440、540、640等，也可以发挥上述效果。

如图8(a)所示，补正单元440在永久磁铁441的磁极即两端面441a、441b上分别装配着磁性体442。即，本变形例的补正单元440与所示实施形式的补正单元340的相异点在于，磁性体442没有覆盖永久磁铁441的侧面441c的局部区域地装配着。

关于补正单元440中的磁性体442的尺寸，将所希望的尺寸的一例示于表1。不过，表1是永久磁铁441的端面441a、441b的尺寸为H1＝9.0(mm)、W1＝9.0(mm)、磁性体442的厚度为1(mm)时的磁性体的尺寸。

【表1】

永久磁铁的磁化强度(μT)	50000	60000	70000
				H2(mm)	4.0	4.0	4.0
W2(mm)	5.0	7.0	9.0

如上述表1所述，磁性体342的截面尺寸(H2×W2)希望与永久磁铁341的磁化强度成比例地大地设定。不过，在上述表1所述的一例中，尽管使磁性体342的厚度T和高度H2分别不变定为1.0(mm)和4.0(mm)，而改变了宽度W2，但是也可以改变厚度T和高度H2。此时，可以考虑着所使用的磁性体342所具有的导磁率与永久磁铁341所具有的磁化强度的关系、以及相对于温度变化的关系的变化等来进行设定。

此外，如图8(b)所示，第二个变形例的补正单元540中，磁性体542以覆盖着永久磁铁541的磁极即两端面541a、541b和四个侧面541c、541e、......的各面的局部区域的状态装配着。即，俯视永久磁铁541的端面541a、541b时，磁性体542呈大致十字状。

而且，如图8(c)所示，补正单元640中，コ字状的磁性体642以偏向永久磁铁641的两端面的Y方向下侧的状态装配着。在此，图8(c)的Y方向下侧相当于装配着偏转线圈上时的管轴侧。通过采用该结构，在CRT装置中，在采用于靠近电子束侧的永久磁铁641的端面上装配了磁性体642的补正单元640时，也可以利用磁性体642有效地补正通过端面的下侧的磁束，该端面对电子束的影响大。

另外，以上的变形例是本发明的一例，磁性体相对于永久磁铁的装配状态可以采用各种类型。此时，需要注意的是，如上所述，为了提高磁性体对永久磁铁的影响程度，需要以覆盖形成永久磁铁的磁极的端面的状态装配磁性体。

(8)其他事项

另外，在上述实施形式中，尽管在偏转线圈30的前面框架300a上装备了上下一对补正单元340，但并不一定必须是一对，也可以装配一个补正单元，而且也可以装配2对以上的补正单元。不过，从枕形失真补正的平衡性观点出发，希望成对装配。另外，在上述实施形式中，尽管为了补正上述枕形失真补正中的屏板部的上下方向的失真，而设置了补正单元340，但为了补正左右方向的失真也可以采用本发明的补正单元340。

此外，补正单元中的磁性体如果是具有导磁率以负温度特性变化的特性的磁性体，则不受由上述材料构成的限制。

此外，上述图4或图8中尽管列举了补正单元的形式的一例，但是可以根据永久磁铁的磁化强度及其温度特性，来改变设定面积、厚度、形状和装配位置。

而且，在本实施形式中，尽管将偏转线圈30内的补正单元340的装配部位设定在了上述图2、图3所示的位置上，但是，装配位置并不受此限制。例如，可以配置在比前面框架300a靠CRT10的管颈部13一侧，相反，也可以比前面框架300a靠屏板部11一侧。不过，为了提高补正单元340的影响度，希望配置在偏转线圈30的最靠屏板部11侧。

而且，明显的是，关于上述实施形式中的CRT装置1中所使用的各元件，示出了一个例子，本发明并不受此限。此外，在上述变形例中，表1所示的数值等也是示出了一例，本发明当然也并不受此限。

工业实用性

本发明的偏转线圈及CRT装置在实现计算机及电视等显示装置、特别是具有平面屏板部的显示装置方面是有效的。

Claims (15)

1.一种偏转线圈，配置在阴极射线管的外周，并对从收纳于上述阴极射线管的管颈部的电子枪向荧光面射出的电子束施加偏转磁场，而使该电子束在荧光面上扫描，其特征在于，

具有用于补正电子束在上述荧光面上的照射位置的磁铁，该磁铁在S极及N极的两端面中的至少一个面上装配着导磁率以负温度特性变化的磁性体。

2.如权利要求1所述的偏转线圈，其特征在于，

上述磁铁是具有连接上述两端面外缘间的侧面的柱状体，

俯视上述磁铁的侧面时，上述磁性体呈大致コ字状，并覆盖着上述磁铁的夹着上述外缘的端面和侧面的局部区域。

3.如权利要求2所述的偏转线圈，其特征在于，

上述磁铁具有矩形截面，

上述磁性体相对于上述磁铁的所有四个侧面，以覆盖其局部区域的状态装配着。

4.如权利要求1所述的偏转线圈，其特征在于，

上述磁性体由含有Fe、Ni、Cr的至少一种的合金形成。

5.如权利要求1所述的偏转线圈，其特征在于，

装配有上述磁性体而成的磁铁配置在该偏转线圈的靠上述阴极射线管的荧光面侧的缘部上。

6.如权利要求5所述的偏转线圈，其特征在于，

成对地设置有装配了上述磁性体而成的磁铁，

上述成对的磁铁配置成相对于上述阴极射线管的管轴相互为线对称。

7.如权利要求6所述的偏转线圈，其特征在于，

装配在上述一对磁铁上的磁性体相对于温度变化具有大致相同的导磁率变化特性。

8.一种阴极射线管装置，包括：阴极射线管和偏转线圈，其中，阴极射线管包括：在内面具有荧光面的屏板部，收纳配置在与该屏板部对置的位置上的电子枪的管颈部，连接上述屏板部和管颈部的管锥部，并且从上述电子枪向荧光面射出电子束；偏转线圈配置在上述阴极射线管的外周，并对从收纳于上述管颈部的电子枪向荧光面射出的电子束施加偏转磁场，而使该电子束在荧光面上扫描；其特征在于，

上述偏转线圈具有用于补正电子束在上述荧光面上的照射位置的磁铁，该磁铁在S极及N极的两端面中的至少一个面上装配着导磁率以负温度特性变化的磁性体。

9.如权利要求8所述的阴极射线管装置，其特征在于，

上述磁铁是具有连接上述两端面外缘间的侧面的柱状体，

俯视上述磁铁的侧面时，上述磁性体呈大致コ字状，并覆盖着上述磁铁的夹着上述外缘的端面和侧面的局部区域。

10.如权利要求9所述的阴极射线管装置，其特征在于，

上述磁铁具有矩形截面，

上述磁性体相对于上述磁铁的所有四个侧面，以覆盖其局部区域的状态装配着。

11.如权利要求8所述的阴极射线管装置，其特征在于，

上述磁性体由含有Fe、Ni、Cr的至少一种的合金形成。

12.如权利要求8所述的阴极射线管装置，其特征在于，

装配有上述磁性体而成的磁铁配置在该偏转线圈的靠上述阴极射线管的荧光面侧的缘部上。

13.如权利要求12所述的阴极射线管装置，其特征在于，

成对地设置有装配了上述磁性体而成的磁铁，

上述成对的磁铁配置成相对于上述阴极射线管的管轴相互为线对称。

14.如权利要求13所述的阴极射线管装置，其特征在于，

装配在上述一对磁铁上的磁性体相对于温度变化具有大致相同的导磁率变化特性。

15.如权利要求8所述的阴极射线管装置，其特征在于，

靠近配置在上述屏板部上的荧光面地设有荫罩，该荫罩以被施加有张力的状态得到保持。

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