CN1639857A - 半导体处理装置中的端口结构 - Google Patents
半导体处理装置中的端口结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1639857A CN1639857A CNA03804921XA CN03804921A CN1639857A CN 1639857 A CN1639857 A CN 1639857A CN A03804921X A CNA03804921X A CN A03804921XA CN 03804921 A CN03804921 A CN 03804921A CN 1639857 A CN1639857 A CN 1639857A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- carrying container
- port
- door
- giving
- configuration according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 30
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000009183 running Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67775—Docking arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/07—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for semiconductor wafers Not used, see H01L21/677
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供一种半导体处理装置内的端口结构。该半导体处理装置具有搬入搬出被处理基板(W)的端口构造。在把装置分为外部侧区域(S1)与内部侧区域(S2)的隔壁(4)上，形成使被处理基板(W)通过的端口(41)。在隔壁(4)上设置门(43)以打开或关闭端口(41)。在外部侧区域(S1)内，与端口(41)相邻而设置载放部(61)。在载放部(61)的上方设置按押构件(72)。按押构件(72)从被处理基板(W)的运载容器(2)的上方，把运载容器(2)押至载放部(61)上。按押构件(72)移动在与运载容器(2)接合的下侧位置及不影响运载容器(2)移动的上侧位置之间。
Description
技术领域
本发明涉及把被处理基板搬入搬出半导体处理装置内的端口结构。此外，这里所说的半导体处理是指，通过在半导体晶片或LCD基板等被处理基板上，以规定图形形成半导体层、绝缘层、导电层等，从而在该被处理基板上进行各种处理，以制造半导体器件或包括与半导体器件连接的配线、电极等组件。
背景技术
作为半导体处理装置中的一个，有对多个半导体晶片成批(Batch)进行热处理的立式热处理装置。这种立式热处理装置是将外部侧区域与内部侧区域分开，同时，还包括一个具有可通过晶片的端口的隔壁。其典型的结构在于，外部侧区域是容纳若干片晶片的运载容器通过自动搬运机器人或者操作员搬入搬出的大气侧的I/O区域。而内部侧区域是把运载容器内的晶片移动装载在作为基板夹具的晶舟上，然后加载在热处理炉及从热处理炉上卸载的负载区域。
在这种立式热处理装置中，需要使负载区域具有比I/O区域洁净度高的气体，同时还要防止晶片自然氧化膜的产生等。此外也要避免晶片被颗粒污染。因此，通过隔壁使I/O区域与负载区域分开，希望做成为负载区域内充满如氮气(N2)这样的洁净气体的洁净气体环境。此外，为了搬运晶片，希望使用前面的口部(晶片取出口)被盖体密闭的密闭型运载容器(也称关闭型运载容器)。
图10是在现有的立式热处理装置中，在上述隔壁的端口上设置密闭型的运载容器的状态图。I/O区域S1与负载区域S2被隔壁4分开。隔壁4上形成端口11，端口11通过门12打开或关闭。I/O区域S1内设置载放运载容器2的载放台13。门12上设置使运载容器2的盖体21从运载容器2上拆卸用的拆卸器件14。
载放台13上如果载放运载容器2，则载放台13前进至运载容器2前面的边缘部与端口11的周围(即规定端口11的隔壁4的边缘部)接触的位置。然后，门12处于被关闭的状态，通过拆卸器件14，运载容器2的盖体21被取下。之后，运载容器2内通过置换装置(未图示)利用氮气进行置换。接着，门12及盖体21从端口11退出。这样，运载容器2内的晶片W就可以搬入负载区域S2侧。根据这种操作方法，在控制负载区域S2内的氧浓度上升这一点上是所希望的。这种技术记载在特开平11-274267号中。
另一方面，由于晶片的大口径化，运载容器内的容积也随之变大。因此，通过氮气对运载容器2内进行置换时，为防止处理能力下降，希望使氮气的供给流量增加。但是，如果向运载容器2内供给大流量的氮气，则运载容器内的内压上升，同时，由于它产生的冲击，运载容器2会发生摇动。在这种情况下，运载容器2底面与载放台接触的部位，从载放台上浮(晃动)，运载容器2与隔壁4的气密性降低。于是，运载容器2内的气体没有被充分置换就流入负载区域S2内，从而影响负载区域S2内的环境。例如可认为氧、水分、有机物成分等流入负载区域S2内。此外，由于运载容器2内的晶片W出现偏差，可能成为之后错误传递晶片的主要原因。
发明内容
本发明的目的在于，在用于把被处理基板搬入搬出半导体处理装置的端口构造中，确保运载容器稳定的载放状态。
根据本发明的观点，提供一种用于把被处理基板搬入搬出半导体处理装置的端口构造，这种端口构造包括：隔壁，具有使上述装置的外部侧区域与内部侧区域分开，同时使上述被处理基板通过的端口；门，用以打开关闭上述端口而设置在上述隔壁上；在上述外部侧区域内与上述端口相邻而设置的载放部，上述载放部形成为在上述运载容器的口部与上述端口呈相对的状态之下，载放将多片被处理基板多层收存的运载容器；设置在上述载放部上方的按押构件，上述按押构件从上述运载容器的上方使上述运载容器押至上述载放部；驱动部，在与上述运载容器接合的下侧位置及不影响上述运载容器移动的上侧位置之间，使上述按押构件移动。
上述端口构造还可以具有：在上述运载容器的上述口部被设置在上述端口上的状态下，向上述运载容器供给和排出洁净气体的气体供给部及排气部。
上述端口构造还可以具有：控制上述门、上述气体供给部以及上述排气部的控制部，上述控制部在关闭上述门的状态之下，通过上述气体供给部与上述排气部，利用上述洁净气体置换上述运载容器内的气体。
附图说明
图1是本发明的实施方式中立式热处理装置概观的立体图。
图2是图1所示的立式热处理装置内部大致的纵断侧面图。
图3是图1所示的立式热处理装置内部大致的横断平面图。
图4是一例密闭型运载容器的立体图。
图5是图1所示的立式热处理装置中隔壁的端口及其周边的纵断面图。
图6是表示图1所示的立式热处理装置中，运载容器的底部与设置在载放台上的接合构件接合在一起的情况的断面图。
图7是图1所示的立式热处理装置的按押机构的立体图。
图8A、B是表示在图1所示的立式热处理装置中，在隔壁的端口上设置运载容器的状态的纵断侧面图及横断平面图。
图9A、B是其它按押机构例子的说明图。
图10是表示在现有的立式热处理装置中，在隔壁的端口上设置运载容器的状态的纵断侧面图。
具体实施方式
下面参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，在以下的说明中，对于功能及构造大体相同的构成部件，标注相同的符号，只在必要时进行重复说明。
图1是本发明的实施方式中，立式热处理装置概观的立体图。图2及图3分别是图1所示的立式热处理装置内部大致的纵断侧面图及横断平面图。
如图1至图3所示，该立式热处理装置的外廓由筐体3所形成。筐体3内形成I/O区域(外部侧区域)S1和负载区域(内部侧区域)S2。I/O区域S1用于自动搬运机器人或者操作员搬入搬出容纳若干片晶片(被处理基板)的运载容器2。而负载区域S2用于把运载容器2内的晶片移载至作为基板夹具的晶舟92内，并加载及卸载至热处理炉91上。
I/O区域S1与负载区域S2被隔壁4隔开。隔壁4上形成端口41，端口41由门43打开或关闭。I/O区域S1被设定为大气环境(洁净室内的环境)。负载区域S2被设定为惰性气体环境、例如氮气(N2)环境或者洁净干燥气体(颗粒及有机成分小且露点在-60℃以下的空气)。
图4是一例密闭型运载容器的立体图。运载容器2由树脂制成的，并且由其前面的口部(晶片取出口)20被盖体21所打开或关闭的密闭型容器构成。在运载容器2内，例如直径为300mm的若干片晶片W、例如25片，被排列成搁板式并容纳在其中。在运载容器2的上面，四边形的凸缘部22通过该上面与缝隙而被固定。在凸缘部22的中央部形成圆形的凹部23。
运载容器2的盖体21上设置着闩锁机构(未图示)，它用来把盖体21固定在运载容器2的口部20。通过后述的拆卸器件而解除该闩锁机构，就可以使盖体21从口部20取下。盖体21上形成锁孔21a，拆卸器件侧的钥匙被***锁孔21a内，大致旋转90°，这样，闩锁机构就被解除。
从装置的正面一侧观看，I/O区域S1由位于其面前一侧的第1区域5与位于里侧的第2区域6组成。在第1区域5内，为了分别载放运载容器2而在其左右设置了第1载放台51、52。第1载放台51、52的载放面上，为了对运载容器2进行定位，如在三处配置与设置在运载容器2底部的凹部嵌合的销(定位构件)53(参照图1)。
第1区域5的上方，即第1载放台51、52的上方空间，被U字型的仪器面板部54所包围。被仪器面板部54包围的空间，沿着洁净室内的顶棚部(未图示)而移动的自动搬运机器人，一边支持着向第1载放台51、52搬入搬出的运载容器2，一边为通过而进行准备。
I/O区域S1的第2区域6内配置第2载放台(载放部)61、62。第2载放台61、62的载放面内，如在三处配置与设置在运载容器2底部的凹部嵌合的销(定位构件)63(参照图1)。运载容器2在第2载放台61(62)上处于被销63所定位的状态下，运载容器2的口部20与隔壁4的端口41相对并且相互匹配。
图5是图1所示的立式热处理装置中隔壁4的端口41及其周边的纵断面图。图6是图1所示的立式热处理装置中，运载容器2的底部与设置在载放台61(62)上的接合构件接合在一起的断面图。
如图5所示，在运载容器2通过后述的容器搬运装置而被放置的位置及运载容器2与隔壁4的端口4 1的周围接触的位置之间，载放台61、62通过驱动部63a、例如气缸，可以前后移动。如图6所示，在载放台61、62上，设置着与运载容器2底部的接合凹部24相接合的锁型接合构件60。接合构件60可以构成为通过驱动部60a围绕水平轴旋转，在与接合凹部24接合的位置以及与其接合被解除的位置之间旋转。
另一方面，第2区域6的上侧设置保管运载容器2的保管部64。在本例中，保管部64由2层2列的搁板构成。在第2区域6内设置着容器搬运装置65，它在第1载放台51、52与第2载放台61、62以及保管部64之间搬运运载容器2。容器搬运装置65具有，水平延伸并且可自如升降的引导部66以及被引导至引导部66的同时而移动的移动部67。移动部67上安装着多关节手臂68，它抓住运载容器2上面的凸缘部22，沿着水平方向搬运运载容器2。
图8A、B是图1所示的立式热处理装置中，在隔壁4的端口41上设置运载容器2时的纵断侧面图及横断平面图。
已经向前移动的第2载放台61(62)上的运载容器2，以其口部20与端口41匹配的方式与隔壁4接触。因此，在此状态之下，如果取下运载容器2的盖体21，则运载容器2内与负载区域S2通过隔壁4的端口41而相互连通。I/O区域S1一侧的端口41的边缘部上，设置有使运载容器2与之接触(即运载容器2的口部20的边缘部与之接触)的密封构件42。密封构件42是作为规定端口41的开口的隔壁4的一部分而起作用。
隔壁4的负载区域S2一侧设置着打开与关闭端口41的门43。门43在负载区域S2一侧呈凹陷形状，因此，运载容器2处于配置在端口41上的状态下，门43与运载容器2的口部20之间形成缓冲空间BS。在缓冲空间BS内，门43上设置着使运载容器2的盖体21安装在运载容器2上或从其上卸下的拆卸器件44。门43通过驱动部(未图示)而被驱动，当打开时，它支承从运载容器2上取下的盖体21，同时沿隔壁4向上方侧或下方侧退避，直至不影响搬运晶片W的位置。
缓冲空间BS内，进行洁净空气的供给与排出的气体供给部GS及排气部ES与运载容器2连接。其具体情况在于，如图5及图8A、B所示，隔壁4的端口41中的侧缘部侧上安装着2个与气体供给部GS连接的多孔过滤器45，从过滤器45至缓冲空间BS内，作为洁净气体供给例如氮气的惰性气体。此外，端口41的下端部，形成一个从正面看横长形状的排气口46，它与排气部ES连接，以确保进行排气时不会有大的偏差。如后所述，气体供给部GS与排气部ES，在控制部的控制下，关闭门43并且在取下运载容器2的盖体21的状态之下运行，通过洁净气体置换缓冲空间BS及运载容器2内的气体。
隔壁4的I/O区域S1一侧内，左右两侧并列设置着2个按押机构7，用来分别按押载放在第2载放台61、62上的运载容器2的上面。图7是图1所示的立式热处理装置的按押设备的立体图。
按押机构7具有沿隔壁4水平延伸的被轴固定的旋转轴71、基端一侧被固定在旋转轴71上的按押构件72。按押构件72由倒Y字型的平板73构成，其两个脚部73a、73b被固定在旋转轴71上。在平板73的头部74上，水平姿势时朝下侧的表面上形成圆形的突起部75。当按押构件72向前倾倒大致呈水平姿势时，突起部75与设置在运载容器2上面的突缘部22的圆形凹部23接合。
按押机构7具有作为驱动源的气缸81a、81b。气缸81a、81b被安装在隔壁4上，使得这些活塞杆80a、80b在按押构件72的上方并且其两侧垂直进退。活塞杆80a、80b的下端一侧分别安装轴固定构件82a、82b。轴固定构件82a、82b上分别轴支操作手臂83a、83b的一端。操作手臂83a、83b的另一端以自如旋转的方式安装在按押构件72的两侧边缘。
因此，通过气缸81a、81b拉动活塞杆80a、80b时，如虚线所示，按押构件72沿隔壁4呈立起姿势(上侧位置)。此外，当活塞杆80a、80b向下方一侧伸出时，如实线所示，按押构件72大致呈水平方向倒下的姿势(下侧位置)。在该下侧位置，突起部75被***运载容器2的凹部23内，把运载容器2押放在载放台61(62)上。
门43、拆卸器件44、第2载放台61(62)、按押构件72、气体供给部GS、排气部ES等根据存储在控制部8(参照图5)中的程序进行操作。概括地讲就是，控制部8检测出运载容器2被载放在第2载放台61(62)之上，并使第2载放台61(62)向前推进，直至运载容器2与隔壁4的端口41的周围接触的位置。然后，驱动按押机构7的气缸81a、81b，通过按押构件72使运载容器2押放在第2载放台61(62)上。之后，使拆卸器件44运作，从运载容器2上取下盖体21。接着，使门43处于关闭状态，使气体供给部GS与排气部ES运作，用洁净气体置换缓冲空间BS及运载容器2内的气体。然后，使门43及盖体21从端口41上退出。这样，运载容器2内的晶片就可以搬入负载区域S2一侧。
返回图2及图3，对负载区域S2内的情况进行说明。在负载区域S2内，设置立式热处理炉91，下端具有通过盖体94而打开关闭的炉口。立式热处理炉91的下方一侧，作为使若干晶片W以搁架形状固定的夹具晶舟92被载放在盖体94的上面。此外，盖体94的上面，在晶舟92与盖体94之间设置隔热部93。盖体94被固定在升降装置95的上面，通过升降装置95使晶舟92装载在热处理炉91上或者从其上拆卸。
晶舟92与隔壁4的端口41之间设置有晶片搬运装置96。晶片搬运装置96在晶舟92、第2载放台61、62上的运载容器2之间搬运晶片W。晶片搬运装置96具有移动体98，它可以沿左右延伸的引导装置97进行移动，同时围绕垂直轴旋转。移动体98上设置有若干、例如5个可自如伸缩的手臂99。
下面，对上述实施方式的操作进行说明。此外，下述的操作根据存储在控制部8(参照图5)中的程序进行。
首先，利用沿洁净室的顶棚部移动的自动搬运机器人(未图示)，运载容器2经过仪器面板部54的内部空间下降而被载放在第1载放台51(52)上。然后，通过容器搬运装置65，运载容器2被搬运至第2载放台61(62)上。此外，有时通过容器搬运装置65，运载容器2被保管部64暂时保管，之后再被搬运至第2载放台61(62)上。如果运载容器2被搬运至载放台61(62)上，首先，图6所示的接合构件60旋转，与运载容器2底部的接合凹部24接合。接着，第2载放台61(62)移动至隔壁4一侧，运载容器2的口部的边缘部与隔壁4的端口41周围的密封构件42气密地接触。
接着，通过按押机构7的气缸81a、81b，活塞杆80a、80b向下方一侧伸出，操作手臂83a、83b被按押构件72限制而向下押。这样，按押构件72在旋转轴71的周围旋转，从而形成水平倒下的状态。其结果如图8A所示，按押构件72的突起部75被***运载容器2的突缘部22的凹部23内，从而把运载容器2押入第2载放台61(62)。之后，拆卸器件44的钥匙(未图示)被***运载容器2的盖体21的钥匙孔21a内(参照图4)，大约旋转90°，盖体21就从运载容器2上取下(参照图8A、B的状态)。
然后，洁净气体、例如氮气从多孔质过滤器45沿水平方向，以50～200l/min的流量被吹向运载容器2内。该氮气沿晶片W之间及运载容器2的内壁流动，返回口部20一侧而从下方一侧的排气口46排出。这样，运载容器2内及运载容器2与门43之间的缓冲空间BS通过氮气而被置换。此时，由于大流量的氮气被导入运载容器2内，运载容器2内的内压上升，同时气体导入时对运载容器2产生冲击。但是，因为运载容器2通过按押构件72而从上按押，所以不会产生位置偏离。因此，不会影响运载容器2的口部20与密封构件42之间的气密性。
之后，门43、拆卸器件44及盖体21例如上升并从端口41退出，运载容器2内与负载区域S2处于连通状态。接着，通过晶片搬运装置96运载容器2内的晶片W依次被取出，并被移动装载在晶舟92上。如果运载容器2内的晶片W被全部取出，通过与上述相反的操作，运载容器2的盖体21被关闭。
按押机构7解除下押压力的时间、即在本实施方式中，按押构件72返回立起状态的时间，是例如在运载容器2的口部20通过盖体21被关闭之后。接着，第2载放台61(62)退后，于是运载容器2从隔壁4上分离。之后，运载容器2通过容器搬运装置65被搬运至保管部64而暂时保管。
另一方面，如果规定数目的晶片W被装载至晶舟92上，则晶舟92被装载至热处理炉91内。接着，在热处理炉91内，对晶舟92上的晶片W进行热处理，例如CVD、退火处理、氧化处理处理等。如果热处理结束，则按照与上述相反的操作，晶片W返回运载容器2内。
如果根据上述实施方式，则被载放在第2载放台61(62)上，并与隔壁4接触的运载容器2，通过按押构件72被从上按押。因此，通过洁净气体置换运载容器2内的气体时，增加洁净气体的流量，即便由于吹出气体对运载容器2产生的冲击增大，运载容器2也会保持其稳定姿势而不摇晃。此外，即便打开或关闭运载容器2的盖体21时的冲击增大，通过从上按押运载容器2，运载容器2的姿势也稳定。
因此，由于运载容器2与隔壁4之间的气密状态没有被破坏，因此可以防止从大气侧的I/O区域S1一侧流入负载区域S2一侧。此外，由于不会产生晶片W的位置偏离或者挤出，因此，在之后通过晶片搬运装置96取出晶片W的操作中也不会出现故障。此外，由于可以增加供给运载容器2内洁净气体的流量，因此，不仅可以缩短通过洁净气体进行置换所需的时间，还可以提高处理能力。
按押机构7的按押构件72，在沿着隔壁立起的状态(上侧位置)与水平倒下的状态(下侧位置)之间旋转。因此，当解除运载容器2的按押时，按押构件72不会影响运载容器2的搬运。此外还可以使整个按押机构7的构造简单化。
在上述的实施方式中，列举了从上方按押运载容器2的按押构件的例子。除此之外，按押机构还可以从横向按押运载容器2。图9A、B是按押机构其它例子的说明图。
图9A所示的按押机构具有按押构件92，它从背面一侧按押载放在第2载放台61(62)上的运载容器2并使其固定在隔壁4上。按押构件92例如可以前后移动，并且例如可以降至第2载放台61(62)的载放面以下的下侧。
图9B所示的按押机构具有一对按押构件95、96，它从两侧夹着载放在第2载放台61(62)上的运载容器2并使其固定。在这种情况下，通过按押机构使运载容器2固定在第2载放台61(62)的时间，也可以是在运载容器2与隔壁接触之前。
此外，本发明并非限定于上述实施方式，只要在不脱离本发明要点的范围之内，其它各种设计变更等都是可以的。例如，负载区域S2的气体并不局限于惰性气体，它也可以是洁净干燥的空气。此时，可以在运载容器2与隔壁3接触之后，向运载容器2内供给洁净干燥空气，置换运载容器2内的空气。此外，本发明也能适用于搬入运载容器2的I区域与O区域被设置在不同位置的装置。另外，本发明并非局限于立式热处理装置，它也可以适用于例如片式热处理装置、涂敷抗蚀剂及显影装置、离子注入装置以及其它类型的半导体处理装置。
Claims (11)
1.一种用于把被处理基板搬入搬出半导体处理装置的端口构造，其特征在于，包括：
隔壁，具有使所述装置的外部侧区域与内部侧区域分开，同时使所述被处理基板通过的端口；
门，用以打开关闭所述端口而设置在所述隔壁上；
在所述外部侧区域内与所述端口相邻而设置的载放部，所述载放部形成为在所述运载容器的口部与所述端口呈相对的状态之下，载放将多片被处理基板多层收存的运载容器；
设置在所述载放部上方的按押构件，所述按押构件从所述运载容器的上方使所述运载容器押至所述载放部；
驱动部，在与所述运载容器接合的下侧位置及不影响所述运载容器移动的上侧位置之间，使所述按押构件移动。
2.根据权利要求1所述的端口构造，其特征在于，
通过使所述按押构件围绕水平轴旋转，使所述驱动部在所述下侧位置及所述上侧位置之间移动。
3.根据权利要求1所述的端口构造，其特征在于，
在所述上侧位置，所述按押构件沿着所述隔壁立起。
4.根据权利要求1所述的端口构造，其特征在于，
所述运载容器具有形成于其上部的凹部，而所述按押构件具有与所述凹部接合的凸部。
5.根据权利要求1所述的端口构造，其特征在于，
在所述载放部上设置有定位构件，它与所述运载容器接合并对所述运载容器进行定位。
6.根据权利要求1所述的端口构造，其特征在于，
所述运载容器具有形成于底部的接合凹部，在所述载放部上设置有接合构件，它通过向所述载放部移动，而选择性地与所述接合凹部相接合。
7.根据权利要求1所述的端口构造，其特征在于，
它还具有在所述运载容器的所述口部被设置在所述端口上的状态下，向所述运载容器供给洁净气体和排气的气体供给部及排气部。
8.根据权利要求7所述的端口构造，其特征在于，
所述隔壁及所述门设置为，在所述运载容器的所述口部被设置在所述端口上的状态下，在所述门与所述口部之间形成缓冲空间，所述缓冲空间连接着所述气体供给部及所述排气部。
9.根据权利要求7所述的端口构造，其特征在于，
它还具有控制所述门、所述气体供给部以及所述排气部的控制部，所述控制部在关闭所述门的状态之下，通过所述气体供给部与所述排气部，利用所述洁净气体置换所述运载容器内的气体。
10.根据权利要求9所述的端口构造，其特征在于，
所述运载容器还具有打开关闭所述口部的盖体，所述门具有拆卸器件，在以气密方式划分所述外部侧区域与所述内部侧区域的状态下，它使所述盖体安装在所述运载容器上或从其上拆卸下来。
11.根据权利要求10所述的端口构造，其特征在于，
所述拆卸器件与所述门、所述气体供给部以及所述排气部一起通过所述控制部得到控制。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP111114/2002 | 2002-04-12 | ||
| JP2002111114 | 2002-04-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1639857A true CN1639857A (zh) | 2005-07-13 |
| CN1307706C CN1307706C (zh) | 2007-03-28 |
Family
ID=29243258
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB03804921XA Expired - Fee Related CN1307706C (zh) | 2002-04-12 | 2003-03-28 | 半导体处理装置中的端口结构 |
| CNU03243278XU Expired - Fee Related CN2795158Y (zh) | 2002-04-12 | 2003-04-14 | 半导体处理设备中的出入口结构 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNU03243278XU Expired - Fee Related CN2795158Y (zh) | 2002-04-12 | 2003-04-14 | 半导体处理设备中的出入口结构 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100922051B1 (zh) |
| CN (2) | CN1307706C (zh) |
| TW (1) | TWI270955B (zh) |
| WO (1) | WO2003088351A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101728238A (zh) * | 2008-10-16 | 2010-06-09 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置及处理方法 |
| CN101447404B (zh) * | 2007-11-30 | 2011-03-23 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体制造装置中的地震受害扩散减轻方法和*** |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101258350B1 (ko) * | 2010-06-07 | 2013-04-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
| KR101283312B1 (ko) * | 2011-12-29 | 2013-07-09 | 로체 시스템즈(주) | Ｆｏｓｂ 오토 로딩 시스템 |
| JP6204226B2 (ja) * | 2014-02-24 | 2017-09-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法 |
| JP7422577B2 (ja) * | 2020-03-23 | 2024-01-26 | 平田機工株式会社 | ロードポート及び制御方法 |
| KR102372514B1 (ko) * | 2021-05-10 | 2022-03-10 | 주식회사 위존 | Fims 시스템의 풉 고정장치 |
| KR102372513B1 (ko) * | 2021-05-10 | 2022-03-10 | 주식회사 위존 | Fims 시스템 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0821610B2 (ja) * | 1990-11-20 | 1996-03-04 | 株式会社荏原製作所 | キャリヤボックス内容物の収容取出方法及び装置 |
| JP3500455B2 (ja) * | 1993-12-10 | 2004-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP2850279B2 (ja) * | 1994-02-22 | 1999-01-27 | ティーディーケイ株式会社 | クリーン搬送方法及び装置 |
| US6447232B1 (en) * | 1994-04-28 | 2002-09-10 | Semitool, Inc. | Semiconductor wafer processing apparatus having improved wafer input/output handling system |
| JPH0846005A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-16 | Takenaka Komuten Co Ltd | ウエーハ移載装置 |
| JP3656701B2 (ja) | 1998-03-23 | 2005-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US6501070B1 (en) * | 1998-07-13 | 2002-12-31 | Newport Corporation | Pod load interface equipment adapted for implementation in a fims system |
-
2003
- 2003-03-28 KR KR1020047010060A patent/KR100922051B1/ko active IP Right Grant
- 2003-03-28 WO PCT/JP2003/003997 patent/WO2003088351A1/ja active Application Filing
- 2003-03-28 CN CNB03804921XA patent/CN1307706C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-11 TW TW092108580A patent/TWI270955B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-14 CN CNU03243278XU patent/CN2795158Y/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101447404B (zh) * | 2007-11-30 | 2011-03-23 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体制造装置中的地震受害扩散减轻方法和*** |
| CN101728238A (zh) * | 2008-10-16 | 2010-06-09 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置及处理方法 |
| US8414242B2 (en) | 2008-10-16 | 2013-04-09 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and processing method |
| CN101728238B (zh) * | 2008-10-16 | 2013-04-10 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置及处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200402822A (en) | 2004-02-16 |
| KR20040099260A (ko) | 2004-11-26 |
| KR100922051B1 (ko) | 2009-10-19 |
| CN1307706C (zh) | 2007-03-28 |
| CN2795158Y (zh) | 2006-07-12 |
| TWI270955B (en) | 2007-01-11 |
| WO2003088351A1 (fr) | 2003-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6556148B2 (ja) | ロードポート及びロードポートの雰囲気置換方法 | |
| KR100310249B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| USRE43023E1 (en) | Dual loading port semiconductor processing equipment | |
| JP4541232B2 (ja) | 処理システム及び処理方法 | |
| US20090092468A1 (en) | Inlet port mechanism for introducing object and treatment system | |
| TWI776016B (zh) | 薄板狀基板保持裝置及具備保持裝置之搬送機器人 | |
| TW200811926A (en) | Batch processing platform for ALD and CVD | |
| TWI765025B (zh) | 薄板狀基板保持用指板及具備此指板的搬送機器人 | |
| JP2003517724A (ja) | 垂直方向に重ねられたロードロック部及び移送ロボット | |
| CN1255235A (zh) | 多个单片晶片气塞晶片处理装置及其装卸方法 | |
| CN1941314A (zh) | 基板处理装置以及基板搬送方法 | |
| CN101042995A (zh) | 立式热处理装置及立式热处理装置中移载机构的控制方法 | |
| CN1639857A (zh) | 半导体处理装置中的端口结构 | |
| CN1134057C (zh) | 半导体晶片贮存夹具、操作方法及生产*** | |
| KR20210093911A (ko) | 웨이퍼 스토커 | |
| US20150179489A1 (en) | Substrate Processing Module, Substrate Processing Apparatus Including the same, and Substrate Transferring Method | |
| CN1574272A (zh) | 基板输送装置和基板输送方法及真空处理装置 | |
| JPH10256346A (ja) | カセット搬出入機構及び半導体製造装置 | |
| KR20140021832A (ko) | 기판이송모듈 | |
| CN101140893A (zh) | 处理装置和处理方法 | |
| JP3082389B2 (ja) | クリーンルーム用保管庫 | |
| TW201212147A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing system | |
| JP4778546B2 (ja) | 半導体製造装置における地震被害拡散低減方法及び地震被害拡散低減システム | |
| KR100852468B1 (ko) | 로드락 챔버 직결식 로드포트 | |
| KR101927938B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070328 Termination date: 20210328 |