CN1635365A - 可观测离子束造成的表面损伤的tem样片及其制备方法 - Google Patents
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100449722C (zh) * | 2005-12-08 | 2009-01-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种测定深沟槽失效深度的方法 |
CN101105463B (zh) * | 2006-07-10 | 2010-12-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem样品最小有效厚度的检测方法 |
CN101298662B (zh) * | 2007-03-12 | 2012-02-22 | 精工电子纳米科技有限公司 | 用于加工和观测样品的设备以及加工和观测截面的方法 |
CN102401758A (zh) * | 2010-09-17 | 2012-04-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem样品制造方法 |
CN102410947A (zh) * | 2010-09-19 | 2012-04-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem样品的制备方法 |
CN102495089A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-06-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法 |
CN102109425B (zh) * | 2009-12-23 | 2012-07-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 提高透射电子显微镜测试样品研磨效率的方法 |
CN103403520A (zh) * | 2011-01-28 | 2013-11-20 | Fei公司 | Tem样品制备 |
CN103698170A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem样品的制备方法 |
CN103760177A (zh) * | 2014-01-03 | 2014-04-30 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种基于三维tem样品进行缺陷分析的方法 |
CN104155156A (zh) * | 2013-05-14 | 2014-11-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem平面样品的制备方法 |
CN104155319A (zh) * | 2014-07-25 | 2014-11-19 | 胜科纳米(苏州)有限公司 | 利用fib切割以实现纳米级样品立体观测的方法 |
CN104697836A (zh) * | 2015-03-30 | 2015-06-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种tem样品制备方法 |
CN104792585A (zh) * | 2014-01-22 | 2015-07-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种tem样品的制备方法 |
CN106908290A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-06-30 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 全息观测透射电镜试样的制备方法 |
CN110954565A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-03 | 哈尔滨工业大学 | 一种利用聚焦离子束进行切割制备非均质材料透射样品的方法 |
CN114354664A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-04-15 | 长江存储科技有限责任公司 | 使用fib制备截面样品的方法和截面样品的观察方法 |
-
2003
- 2003-12-30 CN CN 200310122961 patent/CN100495001C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100449722C (zh) * | 2005-12-08 | 2009-01-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种测定深沟槽失效深度的方法 |
CN101105463B (zh) * | 2006-07-10 | 2010-12-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem样品最小有效厚度的检测方法 |
CN101298662B (zh) * | 2007-03-12 | 2012-02-22 | 精工电子纳米科技有限公司 | 用于加工和观测样品的设备以及加工和观测截面的方法 |
CN102109425B (zh) * | 2009-12-23 | 2012-07-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 提高透射电子显微镜测试样品研磨效率的方法 |
CN102401758A (zh) * | 2010-09-17 | 2012-04-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem样品制造方法 |
CN102410947A (zh) * | 2010-09-19 | 2012-04-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem样品的制备方法 |
CN102410947B (zh) * | 2010-09-19 | 2013-03-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem样品的制备方法 |
CN103403520B (zh) * | 2011-01-28 | 2015-12-23 | Fei公司 | Tem样品制备 |
CN103403520A (zh) * | 2011-01-28 | 2013-11-20 | Fei公司 | Tem样品制备 |
US9378925B2 (en) | 2011-01-28 | 2016-06-28 | Fei Company | TEM sample preparation |
CN102495089A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-06-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法 |
CN103698170A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem样品的制备方法 |
CN104155156B (zh) * | 2013-05-14 | 2017-04-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem平面样品的制备方法 |
CN104155156A (zh) * | 2013-05-14 | 2014-11-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | Tem平面样品的制备方法 |
CN103760177B (zh) * | 2014-01-03 | 2016-05-25 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种基于三维tem样品进行缺陷分析的方法 |
CN103760177A (zh) * | 2014-01-03 | 2014-04-30 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种基于三维tem样品进行缺陷分析的方法 |
CN104792585A (zh) * | 2014-01-22 | 2015-07-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种tem样品的制备方法 |
CN104792585B (zh) * | 2014-01-22 | 2017-05-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种tem样品的制备方法 |
CN104155319A (zh) * | 2014-07-25 | 2014-11-19 | 胜科纳米(苏州)有限公司 | 利用fib切割以实现纳米级样品立体观测的方法 |
CN104697836A (zh) * | 2015-03-30 | 2015-06-10 | 上海华力微电子有限公司 | 一种tem样品制备方法 |
CN106908290A (zh) * | 2017-02-16 | 2017-06-30 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 全息观测透射电镜试样的制备方法 |
CN106908290B (zh) * | 2017-02-16 | 2019-10-11 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 全息观测透射电镜试样的制备方法 |
CN110954565A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-03 | 哈尔滨工业大学 | 一种利用聚焦离子束进行切割制备非均质材料透射样品的方法 |
CN114354664A (zh) * | 2022-01-10 | 2022-04-15 | 长江存储科技有限责任公司 | 使用fib制备截面样品的方法和截面样品的观察方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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CN100495001C (zh) | 2009-06-03 |
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