CN114354664A - 使用fib制备截面样品的方法和截面样品的观察方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种使用FIB束制备截面样品的方法和截面样品的观察方法。该使用FIB束制备截面样品的方法包括：提供半导体结构，在半导体结构的表面选择目标区域；在目标区域上形成保护层；在目标区域周围选择第一区域，第一区域包括除所述目标区域之外的部分区域或全部区域；沿第一方向减薄第一区域对应的第一半导体结构，使第一半导体结构与目标区域对应的第二半导体结构沿第一方向具有一高度差；减薄目标区域对应的第二半导体结构，使第二半导体结构沿第二方向具有一目标厚度，其中，第二方向垂直于第一方向。该方法可以缩短使用FIB制备截面样品的时间，同时获得完整且方便观察的截面样品，提高对样品观察的准确性。
Description
技术领域
本申请主要涉及材料微观观察用样品的制备，具体地涉及一种使用FIB制备截面样品的方法和截面样品的观察方法。
背景技术
在现代半导体制造业中，经常需要对薄片样品进行观察或测试。聚焦离子束(Focused ion beam，FIB)已经被广泛应用于透射薄片样品的制备。传统的样品制备方法包括手工研磨-凹坑-离子减薄法、FIBH-bar样品制备方法等。近年来，FIB去除(liftout)方法已经被证明在对于微小感兴趣区域的准确定位和减小样品损伤方面都具有无法比拟的优势。
发明内容
本申请要解决的技术问题是提供一种使用FIB制备截面样品的方法以及截面样品的观察方法，该方法可以缩短使用FIB制备截面样品的时间，同时获得完整且方便观察的截面样品，提高对截面样品观察的准确性。
本申请为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种使用聚焦离子束制备截面样品的方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构的表面选择目标区域；在所述目标区域上保护层；在所述半导体结构的表面选择第一区域，所述第一区域包括除所述目标区域之外的部分区域或全部区域；沿第一方向减薄所述第一区域对应的第一半导体结构，使所述第一半导体结构第一区域与所述目标区域对应的第二半导体结构沿所述第一方向具有一高度差；沿第二方向减薄所述目标区域对应的第二半导体结构，使所述第二半导体结构沿第二方向具有一目标厚度，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
在本申请的一实施例中，所述保护层包括第一保护层和第二保护层。
在本申请的一实施例中，所述第一保护层包括氧化物层。
在本申请的一实施例中，所述第二保护层包括金属。
在本申请的一实施例中，所述第一保护层形成在所述第二保护层之前。
在本申请的一实施例中，形成所述第一保护层的方法包括使用电子束或离子束沉积所述第一保护层。
在本申请的一实施例中，形成所述第二保护层的方法包括使用电子束或离子束沉积所述第二保护层。
在本申请的一实施例中，所述高度差小于或等于2μm。
在本申请的一实施例中，所述目标厚度的范围为50-100nm。
在本申请的一实施例中，沿第一方向减薄所述第一区域对应的第一半导体结构之后，所述第二半导体结构通过至少一个连接部与所述半导体结构的其他部分相连。
在本申请的一实施例中，所述半导体结构包括3D NAND。
本申请为解决上述技术问题还提出一种截面样品的观察方法，所述截面样品为使用前述任一项方法制备的截面样品，使用透射电子显微镜观察所述截面样品。
在本申请的一实施例中，还包括：获得所述目标区域的特征信息，所述特征信息包括晶粒尺寸、晶粒取向、晶界中的一个或任意个的组合。
本申请的使用FIB制备截面样品的方法通过推空目标区域周围的第一区域的半导体材料，保持截面样品与半导体结构相连，不需要对截面样品进行提离、粘连等操作，可以缩短截面样品的制备时间以及获得完整且方便观察的截面样品，有助于提高对截面样品的观察分析结果的准确性。
附图说明
为让本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本申请的具体实施方式作详细说明，其中：
图1是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法的示例性流程图；
图2A是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中半导体结构的俯视图；
图2B是图2A沿A-A线的剖视图；
图2C是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中间步骤的半导体结构的截面图；
图2D是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中间步骤的半导体结构的俯视图；
图2E是图2D沿A-A线的剖视图；
图2F是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中间步骤的半导体结构的俯视图；
图2G是图2F沿A-A线的剖视图；
图3A是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中间步骤的半导体结构的俯视图；
图3B是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中间步骤的半导体结构的俯视图；
图3C是图3B沿B-B线的剖视图；
图4A是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中间步骤的半导体结构的俯视图；
图4B是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中间步骤的半导体结构的俯视图；
图4C是图4B沿A-A线的剖视图。
具体实施方式
为让本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本申请的具体实施方式作详细说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
如本申请和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。
此外，需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本申请保护范围的限制。此外，尽管本申请中所使用的术语是从公知公用的术语中选择的，但是本申请说明书中所提及的一些术语可能是申请人按他或她的判断来选择的，其详细含义在本文的描述的相关部分中说明。此外，要求不仅仅通过所使用的实际术语，而是还要通过每个术语所蕴含的意义来理解本申请。
本申请中使用了流程图用来说明根据本申请的实施例的***所执行的操作。应当理解的是，前面或下面操作不一定按照顺序来精确地执行。相反，可以按照倒序或同时处理各种步骤。同时，或将其他操作添加到这些过程中，或从这些过程移除某一步或数步操作。
透射菊池衍射技术(Transmission Kikuchi Diffraction,TKD)可以表征具有几纳米的空间分辨率的材料，是研究半导体器件微观组织的关键技术手段，随着半导体关键尺寸的持续缩小，其重要性更加突出。透射菊池衍射技术测试中所用到的截面(Cross-Section)样品通常是通过FIB制备薄片样品而来。本申请的截面样品的制备方法可以用于制备TKD薄片样品，该薄片样品可用于TKD测试。
样品制备是TKD分析技术中重要的一环，一种实施方式通过两种方法进行样品制备，其中一种方法通过切割将初级样品从晶圆中截取出来，将初级样品经机械研磨(polishing)之后粘在铜网上，再放入PIPS机台(Precision Ion Polishing System)，对初级样品进行离子减薄(ion milling)形成截面样品，该截面样品通常是薄片状，也被称为薄片样品。但是，该方法耗时较长，并且在样品提离过程中以及在样品粘连过程中容易因人为操作导致样品破损、固定角度偏差等缺陷，在后续修样时需要频繁调整角度，并且在后续的TKD测试中很可能对样品的真实取向产生误判。此外，在制备截面样品时，由于需要保证薄片样品与铜网的粘连，往往需要留薄片两边的“墩子”，极易造成TKD测试时衍射花样遮挡，影响标定率。
针对以上的问题，本申请的以下实施例提出一种使用聚焦离子束(FIB)制备截面样品的方法，该方法可以缩短使用FIB制备截面样品的时间，同时获得完整且方便观察的截面样品，提高对样品观察的准确性。
图1是本申请一实施例的一种使用聚焦离子束制备截面样品的方法的示例性流程图。参考图1所示，该实施例的使用聚焦离子束制备截面样品的方法包括以下步骤：
步骤S110：提供半导体结构，在半导体结构的表面选择目标区域。
步骤S120：在目标区域上形成保护层。
步骤S130：在半导体结构的表面选择第一区域，第一区域包括除目标区域之外的部分区域或全部区域。
步骤S140：沿第一方向减薄第一区域对应的第一半导体结构，使第一半导体结构与目标区域对应的第二半导体结构沿第一方向具有一高度差。
步骤S150：沿第二方向减薄目标区域对应的第二半导体结构，使第二半导体结构沿第二方向具有一目标厚度，其中，第二方向垂直于第一方向。
以下具体说明上述的步骤S110-S150。
在步骤S110中，提供半导体结构，在半导体结构的表面选择目标区域。本方法是用于制备截面样品，目标区域对应于所要制备的截面样品所在的区域。
图2A是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中半导体结构的俯视图，图2B是图2A沿A-A线的剖视图。参考图1、图2A和图2B所示，在本申请一实施例中，提供半导体结构210，并在半导体结构210中选择需要进行观察的目标区域220，目标区域220下方覆盖的半导体结构将用于后续观察，例如使用透射显微镜对目标区域覆盖的半导体结构进行观察。在该实施例中，该目标区域220大致呈长方形，该形状有利于在后续步骤中形成薄片状的截面样品。
参考图2A所示，半导体结构210可以包括块状半导体衬底、绝缘体上半导体(SOI)衬底或3D NAND。半导体结构210的半导体材料可以是选自硅、硅锗、锗、砷化镍或其他半导体材料的至少一种的材料。半导体材料可以是掺杂或未掺杂的，诸如掺杂有p型或n型掺杂剂。在一些实施例中，半导体结构210可以包括设置在绝缘层上的半导体材料，绝缘层可以是设置在半导体衬底中的掩埋绝缘体，或可以是玻璃或蓝宝石衬底。在本文所示的实施例中，半导体结构210是含硅材料，例如晶体硅衬底。此外，半导体结构210不限于任何特定的尺寸、形状或材料。根据需要，半导体结构210也可以是任何多边形、正方形、矩形、弯曲或其他非圆形工件。
参考图2B所示，在本实施例中，将目标区域220下方所覆盖的半导体结构定义为第二半导体结构221。该第二半导体结构221具有在图2A中沿x、y方向上的长度以及在图2B中沿z方向的深度。如图2B所示，第二半导体结构221在z方向的深度可以调整。本申请实施例不构成对上述尺寸的限定。可以理解的是，第二半导体结构221在半导体结构210中的位置、其自身的尺寸可根据需要观察的区域进行调整。
在步骤S120中，在目标区域上形成保护层。图2C是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中间步骤的半导体结构的截面图。
在本申请的一实施例中，保护层包括第一保护层和第二保护层。
参考图2C所示，在本申请的一实施例中，形成覆盖在目标区域220上的第一保护层230和第二保护层240。可以理解，第一保护层230和第二保护层240也覆盖在第二半导体结构221上方。
在本申请一些实施例中，第一保护层230包括氧化物层，其材料可以包括氧化物。在一实施例中，第一保护层230由正硅酸乙酯(TEOS)氧化后形成。
在本申请一些实施例中，第二保护层240包括金属，例如钨。
在本申请一些实施例中，形成第一保护层230和第二保护层240的方法均包括使用电子束(E-beam)和/或离子束(I-beam)沉积上述保护层。
在本申请一些实施例中，第一保护层230形成在第二保护层240之前，如图2C所示，第一保护层230位于第二保护层240的下方。可通过机台控制电子束的发射枪移动，在一定的区域内形成上述保护层。其中，第一保护层230和第二保护层240完全覆盖目标区域220，在图2C所示的实施例中，第一保护层230和第二保护层240沿x方向的宽度大于目标区域220沿x方向的宽度，沿z方向的厚度应大于目标区域220不受到离子束损伤的最小厚度，从而避免在对第一区域进行减薄时对目标区域220所对应的第二半导体结构221的损伤；此外，第一保护层230的宽度和第二保护层240的宽度可以不相同，例如，第一保护层230的宽度大于目标区域220的宽度，第二保护层240大于等于第一保护层230宽度。通过形成上述保护层，可以避免在后续步骤中FIB机台的离子束对目标区域220的损伤。
在步骤S130中，在半导体结构的表面选择第一区域，第一区域包括除目标区域之外的部分区域或全部区域。
图2D是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中间步骤的半导体结构的俯视图。结合图2D，第一区域250用于标识在后续步骤中将会除去其覆盖的半导体材料的一部分或全部的区域，这部分区域也被称为信号遮挡区域，在对目标区域220的第二半导体结构221进行观察时，第一区域250的半导体材料会对观察信号产生遮挡，因此，需要去除第一区域250中的半导体材料。参考图2D所示，从图2D的俯视角度来看，第一区域250在半导体结构210的表面上包括分别位于目标区域220的两侧的部分区域。
图2D不用于限制第一区域250的具体形状。第一区域250可以是在半导体结构210的表面上除目标区域220之外的部分区域或全部区域。在一些实施例中，以目标区域220的俯视图为长方形为例，如图2D所示，该长方形包括上下左右四条边，第一区域250可以与该四条边中的任意条边邻接，在第一区域250的半导体材料经过减薄之后，会使这些相邻边所在位置对应的第二半导体结构221全部或部分暴露出来。在第一区域250与目标区域220的四条边都邻接的实施例中，第一区域250的半导体材料经过减薄之后，使目标区域220的第二半导体结构221成为孤岛，该孤岛的底部与半导体结构的主体部分相连接。
在步骤S140中，沿第一方向减薄第一区域对应的第一半导体结构，使第一半导体结构与目标区域对应的第二半导体结构沿第一方向具有一高度差。其中，第一半导体结构指第一区域250所覆盖的半导体结构。
图2E是图2D中沿A-A线的剖视图，图2E所示为第一半导体结构已经被减薄之后的状态。参考图2D和图2E所示，在本申请的一实施例中，第一方向为图2E所示的z方向，沿第一方向z减薄第一区域250对应的第一半导体结构，使剩余的第一半导体结构与第二半导体结构221在第一方向z上具有一高度差h。需要说明，由于第二半导体结构221受到保护层的保护，因此在步骤S140的减薄过程中，第二半导体结构221沿第一方向z的高度不受影响。该高度差h指第二半导体结构221的顶部222与第一半导体结构的顶部251沿第一方向z的高度差，可以理解，第二半导体结构221的顶部222是步骤S110中半导体结构210的表面。第一半导体结构的顶面251本来也是半导体结构210的表面，经过减薄之后，第一半导体结构的顶面251下降至图2E中所示的顶面251处。
在本申请一些实施例中，使用FIB离子束对第一区域250进行减薄的具体方法如下。首先，将半导体结构放置在FIB机台的样品台上；然后，由于FIB机台自身结构的设置，FIB产生的离子束的运动方向是固定的，在对样品进行减薄时，调整样品台角度(stagetilt)使得第一区域250与FIB离子束方向近乎垂直；最后，从FIB机台的液态金属离子源(一般为镓Ga)中抽取的离子束经过加速、质量分析、整形等处理之后形成具有一定束流和离子束斑直径的聚焦离子束(I beam)，聚焦在第一区域250表面轰击第一半导体结构，从而对第一区域250的第一半导体结构进行减薄。可以通过调节产生离子束的电压、电流、样品台角度来改变减薄速度。此外，可使用具有聚焦离子束和扫描电子显微镜的聚焦离子束-电子束(FIB-SEM)双束***的FIB机台进行减薄。如此，可以在减薄时对样品进行实时的高分辨观察，同时还可以中和离子电荷的积累。
在本申请一些实施例中，第一区域250与目标区域220在第一方向z上的高度差h小于或等于2μm，例如高度差可以是0.1μm、1μm或2μm，具体的数值大小与需要观察的范围相关。
在本申请一些实施例中，沿第一方向z减薄第一半导体结构之后，第二半导体结构221通过至少一个连接部与半导体结构210的其他部分相连。
可以理解的是，第一半导体结构减薄的厚度可以小于等于半导体结构210沿第一方向z的厚度。例如，参考图2D和2E所示，第一半导体结构减薄的厚度小于半导体结构210的厚度，第二半导体结构221通过连接部261、262、263与半导体结构210相连，其中，连接部261在图2D中位于第二半导体结构221的上边，连接部262在图2D中位于第二半导体结构221的下边，连接部263在图2E中位于第二半导体结构221的底部。
连接部可以是第二半导体结构221的一部分，也可以是半导体结构210中除第二半导体结构221以外的部分。图2F是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中间步骤的半导体结构的俯视图，图2G是图2F沿A-A线的剖视图。在该实施例中，第一半导体结构减薄的厚度等于半导体结构210的厚度，也就是说，第一区域250中的半导体结构全部被推空，如图2F和2G所示，第二半导体结构221通过连接部264、265与半导体结构210相连，其中，连接部264在图2F中位于第二半导体结构221的上边，连接部265在图2G中位于第二半导体结构221的下边。
通过连接部将第二半导体结构221与半导体结构210连接在一起，省去了对第二半导体结构221进行提离以及将第二半导体结构221与铜网粘连的步骤，缩短了使用FIB制备截面样品的时间，同时，也避免了因提离和粘连步骤导致的截面样品破损、角度差问题。此外，在铜网粘连步骤中，为将截面样品与铜网粘连在一起，需要在截面样品上预留一定尺寸的半导体结构用于与铜网粘连，该预留的半导体结构容易导致目标区域的衍射斑点被遮挡，从而影响标定率。本申请通过连接部将第二半导体结构221与半导体结构210相连，不需要预留半导体结构，从而解决了上述问题。
在步骤S150中，沿第二方向减薄目标区域对应的第二半导体结构，使第二半导体结构沿第二方向具有一目标厚度，其中，第二方向垂直于第一方向。在本实施例中第一方向是z方向，第二方向为x方向。
参考图2G所示，在本申请一些实施例中，使用FIB对目标区域220对应的第二半导体结构221进行减薄的具体方法如下：首先，将半导体结构210放置在FIB机台中的样品台上；然后，调整样品台角度，使FIB离子束轰击目标区域220对应的第二半导体结构221的一个侧面，例如图2G中的侧面221a，使其厚度在第二方向x上减薄至目标厚度T；最后，使用FIB机台自带的SEM测量目标区域220沿第二方向x的厚度，若大于目标厚度T则再次执行前一步骤，直至厚度满足要求。其中，第二方向x垂直于第一方向z。可以理解的是，在对第二半导体结构221减薄时，本申请不对FIB离子束与第二半导体结构221侧面221a之间的角度做限定，其可以是任意角度。
在本申请一些实施例中，目标厚度为50-100nm。例如在一些实施例中目标厚度T为50nm，而在另外一些实施例中目标厚度T为100nm，还可以为75nm，具体厚度与需要观察的信息有关。
为清楚地说明本申请的技术方案，现提供另一实施例。该实施例除对第一区域的选择外，其他与前文描述类似，在此不再赘述。
图3A和图3B是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中间步骤的半导体结构的俯视图，图3C是图3B中沿B-B线的剖视图。需要注意的是，图3A至图3C未示出第一保护层和第二保护层。
参考图3A所示，在本申请的一实施例中，第一区域330包围目标区域320的三个边，即图3A中所示的第一边320a、第二边320b和第三边320c。目标区域320的上边320d与半导体结构310相连接。与图2D中的第一区域250相比，图3A中第一区域330面积更大，其下边延伸到与半导体结构310的边缘齐平。对第一区域330对应的第一半导体结构进行减薄，假设减薄厚度为半导体结构的厚度，即去除第一区域250下所有的第一半导体结构，得到图3B和图3C所示的结构。经减薄之后，目标区域320对应的第二半导体结构321通过连接部341、342和半导体结构310保持连接，其中，连接部341在图3B中位于第二半导体结构321的上边，连接部342在图3C中位于第二半导体结构321的底部。随后再对第二半导体结构321进行减薄。
图4A和图4B是本申请一实施例的一种使用FIB制备截面样品的方法中间步骤的半导体结构的俯视图，图4C是图4B中沿A-A线的剖视图。需要注意的是，图4A至图4C未示出第一保护层和第二保护层。
如图4A至4C所示，在本申请一些实施例中，可以将第一区域430的上下侧边和左右侧边延伸到与半导体结构的边缘齐平，对第一区域430进行减薄，减薄厚度为半导体结构的厚度，即去除第一区域430下所有的半导体结构，得到图4B和图4C所示的结构。目标区域420对应的第二半导体结构421通过位于其底部的连接部441和半导体结构保持连接。随后再对第二半导体结构321进行减薄。根据图4A-4C所示的实施例，第一区域430是半导体结构表面除目标区域420之外的全部区域。
本申请并未对第一区域和目标区域的具***置、形状、大小进行穷举，本领域技术人员在本申请的思想的基础上，可以根据需要设置各种不同的第一区域和目标区域。
根据本申请的方法所制备的截面样品即为具有目标厚度的第二半导体结构221。观察目标区域的方法包括前文所述的TKD方法，所使用的机台包括但不限于透射电子显微镜、扫描电子显微镜等。
本申请还提供一种截面样品的观察方法。该截面样品为使用上文所述方法制造的截面样品。该观察方法包括：使用透射电子显微镜观察制截面样品。
在本申请一实施例中，使用透射电子显微镜观察截面样品以获得目标区域的特征信息，该特征信息包括目标区域的晶粒尺寸、晶粒取向、晶界中的一个或任意个的组合。根据本申请的方法所制备的截面样品的特点，提供了完整且方便观察的截面样品，采用本申请的观察方法可以获得更加准确的观察分析结果。
上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述发明披露仅仅作为示例，而并不构成对本申请的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本申请进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本申请中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本申请示范实施例的精神和范围。
同时，本申请使用了特定词语来描述本申请的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本申请至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本申请的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明所述数字允许有±20％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本申请一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。
Claims (13)
1.一种使用FIB制备截面样品的方法，其特征在于，包括：
提供半导体结构，在所述半导体结构的表面选择目标区域；
在所述目标区域上形成保护层；
在所述半导体结构的表面选择第一区域，所述第一区域包括除所述目标区域之外的部分区域或全部区域；
沿第一方向减薄所述第一区域对应的第一半导体结构，使所述第一半导体结构与所述目标区域对应的第二半导体结构沿所述第一方向具有一高度差；以及
沿第二方向减薄所述目标区域对应的第二半导体结构，使所述第二半导体结构沿所述第二方向具有一目标厚度，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括第一保护层和第二保护层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一保护层包括氧化物层。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二保护层包括金属。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一保护层形成在所述第二保护层之前。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述第一保护层的方法包括使用电子束和/或离子束沉积所述第一保护层。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述第二保护层的方法包括使用电子束和/或离子束沉积所述第二保护层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高度差小于或等于2μm。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标厚度的范围为50-100nm。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沿第一方向减薄所述第一区域对应的第一半导体结构之后，所述第二半导体结构通过至少一个连接部与所述半导体结构的其他部分相连。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体结构包括3D NAND。
12.一种截面样品的观察方法，所述截面样品为使用前述权利要求1-11中任一项方法制备的截面样品，其特征在于，使用透射电子显微镜观察所述截面样品。
13.根据权利要求12所述的观察方法，其特征在于，还包括：获得所述目标区域的特征信息，所述特征信息包括晶粒尺寸、晶粒取向、晶界中的一个或任意个的组合。
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