CN1606248A - 天线开关电路 - Google Patents
天线开关电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1606248A CN1606248A CN200410057564.5A CN200410057564A CN1606248A CN 1606248 A CN1606248 A CN 1606248A CN 200410057564 A CN200410057564 A CN 200410057564A CN 1606248 A CN1606248 A CN 1606248A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- switch
- mentioned
- antenna
- terminal
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 86
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000008676 import Effects 0.000 claims 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/44—Transmit/receive switching
- H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
本发明可提供构成简单并且在接收发送间可得到高隔离的天线开关电路。本发明的天线开关电路的构成包括连接在发送端子(31)和天线端子(4)之间的第1开关(5)；一端与上述天线端子(4)相连接，在使用的频率上使发送信号的相位旋转90°的传输电路(9)；一端与上述传输电路(9)的另一端相连接，而另一端接地的第2开关(6)；以及上述传输电路(9)的另一端和多个接收端子(32)、(33)之间相连接的第3开关(7)、(8)。
Description
技术领域
本发明涉及对与多个接收发送电路及其共用的天线的连接进行切换的天线开关电路。
背景技术
对于切换处理超过1瓦的高输出的发送信号的接收发送电路和天线的连接的天线开关电路，除了耐高压之外，为了使发送时发送信号不会泄漏到接收电路，力求接收发送之间的隔离。
在专利文献1(日本专利特开2002-111301号公报)中揭示了对应这种要求的天线开关电路的例子。下面利用图10对该文献中揭示的电路予以说明。带有输入端子101的功率放大电路102，经过输入该输出信号的发送端子112及使用场效应晶体管的1个输入1个输出的开关元件103，与天线端子104相连接。另外，传输电路105，一端与天线端子104相连接，而另一端与使用场效应晶体管的1个输入1个输出的开关元件107和接收端子106相连接。开关元件107的一端接地，传输电路105的长度是有效波长的1/4。
使用场效应晶体管的开关元件的导通状态，由晶体管的漏极(D)和源极(S)之间的导通电阻为主的低阻抗成分构成。另一方面，非导通状态，由晶体管的漏极和源极之间的耗尽层产生的高阻抗成分构成。对这些的控制，由来自连接栅极(G)的栅极端子Tg的施加电压进行。
在将来自功率放大电路102的高功率信号输出到天线端子104时，开关元件103、107为导通状态，接收端子106接地。此时，由于传输电路105的长度为有效波长的1/4，阻抗发生变换，从天线端子104观察的接收端子106的阻抗变大。因此，发送信号不向接收端子106传输。另外，在开关元件103、107两端施加的电压由于是在导通状态而为低电压。
接收时，因为开关元件103、107为非导通状态，从天线接收的信号不向发送端子112传输，而传输到接收端子106。
根据此构成的发送时的接收发送间的隔离与频率之间的相互关系示于图11。比如，除了可以得到20dB的隔离频率范围限于2.0±0.2GHz的窄带之外，隔离的最大值也低，大约为23dB。
下面，图12示出非专利文献1(美国IEEE学会2003年微波国际会议预印稿集(2003 IEEE MTT-S International MicrowaveSymposium Digest)卷1，第1FTU-50号，第A5页～第A8页(H.Tosaka等，“An Antenna Switch MMIC Using E/D Mode p-HEMT forGSM/DCS/PCS/WCDMA Applicaation”))。揭示的电路的一部分。在同图的电路是利用耐高压开关116进行天线端子111和发送端子112及接收端子113、114、115的连接切换的天线切换电路。在高输出信号的发送时，与发送端子112相连接的开关成为导通状态。于是，与接收端子113～115相连接的开关成为非导通，施加有高电压。
此开关电路的耐压，由于是取决于用作开关的晶体管的耗尽层电容的耐压，为确保耐压，晶体管必须多级连接。在非专利文献1的场合，耐高压开关116，如图13所示，必须根据单栅构成在i、j间连接4级。
发明内容
在将图10所示的天线开关电路扩展为对1个发送电路和2个接收电路和1个天线的连接进行切换的天线开关电路的构成时，如图14所示。由于隔离特性是窄带，在接收端子109和天线端子104之间，对每种电路的工作频率还需要与有效波长的1/4相当的传输电路108和开关110。随着工作频率的种类的增加，增添的传输电路增加，天线开关电路的构成变得复杂。
另外，即使是图12的电路，每个接收电路也都需要开关，随着接收电路的增加，增添的耐高压开关增加，天线开关电路的构成变得复杂。此外，对于耐高压开关，为了防止在多级连接中的***损耗(介入损耗)的增大，需要栅宽大的晶体管。因此，元件面积增大，芯片面积增大。
本发明的主要目的是提供构成简单并且在接收发送间可以得到高隔离的天线开关电路。
另外，其附加的目的是提供可以防止开关的元件面积增加的天线开关电路。
为达到上述主要目的的本发明的天线开关电路，是用来将输入发送信号的发送端子及输出接收信号的多个接收端子中的任意一个与天线端子连接的天线开关电路，其特征在于其构成包括连接在上述发送端子和上述天线端子之间的第1开关；一端与上述天线端子相连接，在使用的频率上使发送信号的相位旋转90°的传输电路；一端与上述传输电路的另一端相连接，而另一端接地的第2开关；以及上述传输电路的另一端和上述多个接收端子各个之间相连接的第3开关。
因为上述传输电路是由多个接收端子共用的，构成简单，并且因为接收发送间的隔离是利用上述传输电路和上述第2开关的组合及第3开关以2级进行的，所以可以得到高隔离。
为达到上述附加目的的本发明的天线开关电路，是用来将输入发送信号的发送端子及输出接收信号的多个接收端子中的任意一个与天线端子连接的天线开关电路，其特征在于其构成包括连接在上述发送端子和上述天线端子之间的第1开关；一端与上述天线端子相连接的第2开关；以及上述第2开关的另一端与上述多个接收端子各个之间相连接的第3开关。
因为上述第2开关是由多个接收端子共用的，构成简单，并且因为接收发送间的隔离是以上述第2开关和第3开关的2级进行的，所以在可以得到高隔离之外，由于第3开关可以比第2开关耐压低，可以抑制开关的元件面积随着接收端子的增加而增加。
根据本发明，在切换多个接收发送端子和天线端子的连接的天线开关电路中，可以在很宽的频带范围上实现高隔离及低损耗。
附图说明
图1为用来说明涉及本发明的天线开关电路的实施方式1的电路图。
图2为示出实施方式1的接收发送间隔离特性的曲线图。
图3为用来说明本发明的实施方式2的电路图。
图4为用来说明本发明的实施方式3的电路图。
图5为用来说明本发明的实施方式4的电路图。
图6为示出在实施方式4中使用的开关的示例的电路图。
图7为示出在实施方式4中使用的开关的另一示例的电路图。
图8为示出在实施方式4中使用的开关的又一示例的电路图。
图9为用来说明本发明的实施方式5的电路图。
图10为用来说明现有的天线开关电路的示例的电路图。
图11为用来说明图10的天线开关电路的接收发送间隔离特性的曲线图。
图12为用来说明现有的天线开关电路的另一示例的电路图。
图13为示出在图12的天线开关电路中使用的开关的电路图。
图14为用来说明以现有技术为基础构成的天线开关电路的示例的电路图。
图15为来说明本发明的实施方式6的电路图。
具体实施方式
以下参照附图所示的实施方式对本发明的天线开关电路予以更详细的说明。另外，图1、图3～图5及图9中的同一标号系表示同一物体或类似物体，其说明不赘述。
下面利用图1对实施方式1进行说明。在该图中，示出对处理高输出的发送信号的1个发送电路1及2个接收电路2、3以及1个天线端子4的连接进行切换的天线开关电路。
在输入发送电路1的输出信号的发送端子31和天线端子4之间连接有1输入1输出的开关元件5。另外，传输电路9的一端与天线端子4相连接，传输电路9的另一端与1输入1输出的开关元件6的一端相连接。开关6的另一端接地。传输电路9的长度为有效波长的1/4。传输电路9，在使用的频率上使发送信号的相位旋转90°。在将接收号传送给接收电路2、3的接收端子32、33和开关6的一端之间分别连接有1输入1输出的开关元件7、8。
开关5～8，由HEMT(高电子迁移率晶体管)构成。端子14～17，分别是控制开关5～8的导通状态、非导通状态的控制端子。另外，电阻元件10～13系用于将端子14～17分别与开关5～8进行高频分离。
发送时，开关5、6变为导通状态，而开关7、8变为非导通状态。此时，从天线端子4和开关元件5与传输电路9的连接点a观察开关元件6和传输电路9的连接点b的阻抗由于连接点b经开关元件6以低阻抗接地并且传输电路的相位旋转90°而变高。
在连接点a和连接点b之间的间隔量，由开关元件6的导通状态的阻抗决定。在本实施方式中，由于使用HEMT元件，与其他场效应型的晶体管的JFET(结型场效应晶体管)元件及MESFET(金属半导体场效应晶体管)元件相比较，可以实现高隔离。
之后，在连接点a和接收电路2、3之间，在连接点a和连接点b之间的上述隔离上加上由非导通的开关7、8产生的隔离。由于非导通的开关7、8是电容性的，频率越低，可得到的隔离越高。
这样得到的本实施方式的隔离特性如图2所示。在2.7GHz以下的宽带中可得到20dB的隔离。就是说，在本实施方式中，连接点a和接收电路2及接收电路3之间的隔离，由于传输电路9和开关6的隔离及开关7、8的隔离这双方的原因，可以在很宽的频带范围上实现高隔离。所以，从连接点a向接收电路2、3的信号泄漏变小，从发送电路1所输出的高输出的发送信号，以低损耗传输到天线端子4。
另外，开关5、6，由于在发送时为导通状态，故不要求耐压。对于开关7、8也由于传输电路9和开关6的隔离使发送信号充分衰减而不要求耐压。另外，由于发送信号充分衰减，开关7、8，对发送信号不会造成损耗及畸变的影响。就是说，可以为发送信号提供低损耗、低畸变的开关。
接着，就通过接收电路2接收的场合对接收时的动作予以说明。开关5、6为非导通状态，开关7为导通状态，而开关8为非导通状态。从天线端子4接收的信号，经传输电路9、开关7传输到接收电路2。由于开关5和开关8为非导通状态， 不向发送电路1和接收电路3传输。另外，由于接收信号微弱，不存在畸变问题。
另外，因为在发送频率相同时可以共用传输电路，所以接收电路可以不像本实施方式这样限于2个，而可以更多。
图3示出本发明的实施方式2。在本实施方式中，为使发送时的接收发送间的隔离和接收间的隔离更进一步提高，在开关7和接收电路2之间，连接有一端接地的开关18，并且，在开关8和接收电路3之间，连接有一端接地的开关21。开关18、21由HEMT元件构成。
端子20、23是分别控制开关18、21的导通状态和非导通状态的控制端子。电阻元件19、22系用于将端子20、23分别与HEMT开关18、21进行高频分离。
通过在发送时使开关18、21为导通状态，可提高发送时的隔离。另外，通过使在接收时与接收的电路相连接的开关变成非导通状态，并且使与不接收的电路相连接的开关成为导通状态使不接收的电路接地，来提高接收电路间的隔离。
图4示出本发明的实施方式3。本实施方式是与便携电话的多个通信标准相对应而构成的天线开关电路，可进行现行的GSM(全球移动通信***)、PCS(个人通信服务)及DCS(数字通信***)的连接切换。GSM是对应1个发送***接收为2个***，PCS及DCS通过共用发送电路，成为两者具有1个发送***，利用PCS的1个接收***，利用DCS的1个接收***。
由于GSM频带为900MHz，PCS和DCS频带为1800MHz，相位旋转90°的传输电路的长度差很大。为此，GSM和PCS及DCS，使用具有天线端子4和GSM端子27和PCS/DCS端子44的双工器(diplexer)58进行分离。除此之外，在GSM端子27、PCS/DCS端子44上分别连接有图1的开关电路。
就是说，本实施方式是在天线端子4和发送端子31a及接收端子32a、33a以及发送端子31b及接收端子32b、33b之间构成的天线开关电路。另外，将GSM端子27、PCS/DCS端子44分别称为副天线端子，并将GSM侧的图1的开关电路及PCS/DCS侧的开关电路分别称为副天线开关电路。对于各个副天线开关电路的标号，采用在图1的标号上添加a、b进行表示。
另外，传输电路9a的长度，设定为在GSM的发送侧频率中，发送信号的相位旋转90°的长度，传输电路9b的长度，设定为在PCS/DCS的发送侧频率中，发送信号的相位旋转90°的长度。
在GSM发送时，开关5a、6a为导通状态，开关7a、8a为非导通状态。此时，由于传输电路9a和开关6a，从连接点c观察的连接点d为高阻抗，并且从连接点d观察的接收电路2a、3a也为高阻抗。由此，可以在很宽的频带范围上实现接收发送间的高隔离。因此，从发送电路1a输出的发送信号，几乎***漏到接收电路而经开关5a、端子27、双工器58传输到天线端子4。
高输出的发送信号最大达到4W，但因为开关5a、6a为导通状态，施加到开关5a、6a上的电压大约为连1V都不到。因为非导通状态的开关7a、8a上也仅施加有相同程度的电压，对发送信号的畸变的影响很小。
接着，以接收电路2a进行接收的场合为例对GSM接收时的动作予以说明。由于开关5a、6a、8a为非导通状态，而开关7a为导通状态，所以从天线端子4输入的GSM接收信号，经双工器58输出到端子27，经开关7a传输到接收电路2a。由于接收信号的强度微弱，不存在对接收信号给予畸变的问题。另外，在接收电路3a进行接收时，开关5a、6a、7a为非导通状态，而8a为导通状态。
之后，在PCS/DCS发送时，开关5b、6b为导通状态，而开关7b、8b为非导通状态。此时，由于传输电路9b和开关6b，从连接点e观察的连接点f为高阻抗，并且从连接点f观察的接收电路2b、3b也为高阻抗，所以可以在很宽的频带范围上实现接收发送间的高隔离。为此，从发送电路1b输出的高输出的发送信号，几乎***漏到接收电路而经开关5b、端子44、双工器58传输到天线端子4。高输出的发送信号最大达到2～3W，但因为开关5b、6b为导通状态，施加到开关5b、6b上的电压大约为连1V都不到。因为非导通状态的开关7b、8b也仅施加有相同程度的电压，对发送信号的畸变的影响很小。
在PCS接收时，由于开关5b、6b、8b为非导通状态，而开关7b为导通状态，从天线端子4输入的PCS接收信号，经双工器58输出到端子44，经开关7b传输到接收电路2b。由于接收信号的强度微弱，不存在对接收信号给予畸变的问题。
在DCS接收时，由于开关5b、6b、7b为非导通状态，而开关8b为导通状态，向接收电路3b传输。
端子14a～17a、14b～17b是分别控制开关的导通状态、非导通状态的控制端子，电阻元件10a～13a、10b～13b系用于将各控制端子分别与各个开关进行高频分离。
根据本实施方式，可以实现在对应多个通信标准的同时，可以在很宽的频带范围上实现在接收发送间及接收之间保持高隔离及天线开关电路之间低损耗的天线开关电路。
图5示出本发明的实施方式4。在本实施方式中，采用开关68来代替传输电路。本实施方式是对处理高输出的发送信号的1个发送电路1及2个接收电路2、3以及1个天线端子4的连接不使用传输电路进行切换的天线开关电路。开关5、7、8是由HEMT构成的。
发送时，开关5为导通状态，开关7、8、68为非导通状态。开关68，为了使从发送电路1输出的高输出的发送信号以低损耗、低畸变传输到天线端子4，要求在非导通状态下充分耐压。在天线端子4上的发送输出信号达到最大4W，在高耐压开关68上施加的电压为27V左右。
作为确保对此电压的耐压的开关元件，在高耐压开关68中可使用多级连接的HEMT。在使夹断电压为-0.5～-1.0V，控制电压为-2.8V时，高耐压开关68，如图6所示，需要4～6级单栅构成，如图7所示，需要2～3级双栅构成，如图8所示，需要2级三栅构成。
利用开关68的隔离，为使发送信号的功率充分衰减，开关7、8可以由单栅构成。另外，在必须补充开关68的隔离时，高耐压开关68和开关7、8的连接部分与一端接地的开关6相连接。通过使开关6和开关5变成同样的动作状态，可以进一步提高隔离，使开关7、8的畸变更加缓和。开关6也由HEMT构成。
根据本实施方式，可以使现有的每个接收电路所必需的高耐压开关只成为共用的高耐压开关68，可以防止开关元件面积的增加。
图9示出本发明的实施方式5。本实施方式，是使便携电话可以进行GSM和PCS和DCS连接切换的天线开关电路。GSM是对应1个发送***接收为2个***，PCS/DCS因为可以共用发送电路，故发送为1个***，接收为利用PCS的1个***，利用DCS的1个***。
在天线端子4和与发送电路1a相连接的发送端子31a之间以及在天线端子4和与发送电路1b相连接的发送端子31b之间分别连接高耐压开关83、84，在天线端子4上连接有高耐压开关68。此外，在高耐压开关68和接收电路78～81之间分别连接有开关87～90。端子96～99是分别控制开关87～90的导通状态和非导通状态的控制端子，电阻元件92～95系用于将各控制端子分别与各个开关进行高频分离。
为了使在GSM的场合最大输出电压达到4W时也不发生畸变，对开关83、84、68分别使用高耐压开关。另外，在必须对开关68补充隔离时，设置开关6。
在GSM发送时，开关83、6为导通状态，而开关84、68、87～90为非导通状态。从发送电路1a输出的高输出信号，传输到天线端子4。
在PCS/DCS发送时，开关84、6为导通状态，而开关83、68、87～90为非导通状态。从发送电路1b输出的高输出的发送信号传输到天线端子4。
接收时，开关83、84、6为非导通状态，而开关68为导通状态。在开关87～90之中，只有与接收的接收电路相连接的开关为导通状态，其他为非导通状态。因此，从天线端子4输入的接收信号，经过成为导通状态的开关传输到接收电路。端子96～99是分别控制开关87～90的导通状态和非导通状态的控制端子，电阻元件92～95系用于将各控制端子分别与各个开关进行高频分离。
根据本实施方式，可以与多个通信标准相对应的同时，防止开关元件面积的增加。
图15示出本发明的实施方式6。本实施方式是利用实施方式5的天线开关电路构成的高频模块，与便携电话的GSM、PCS和DCS相对应。GSM是对应1个发送***接收为2个***(GSM 1，GSM 2)，PCS/DCS因为可以共用发送电路，发送为1个***，接收为利用PCS的1个***，利用DCS的1个***。
在本实施方式的高频模块111中，装载有GSM用的功率放大电路112；去除GSM用的功率放大电路112的高频波的低通滤波器113；PCS/DCS用的功率放大电路114；去除PCS/DCS用的功率放大电路114的高频波的低通滤波器115；本发明的实施方式5示出的天线开关电路116；控制功率放大电路112、114的输出功率及控制天线开关电路116的连接切换的控制电路117；与开关的各接收端子相连接的去除对接收信号具有干扰的噪声的SAW滤波器118、134、135、136以及接收电路119。另外，高频模块111具有用来向天线端子121、GSM用调制信号端子122、PCS/DCS用调制信号端子123、向控制电路输入偏压、控制信号的端子124、解调信号端子125。
开关电路116是与图9同等的开关电路，其耐高压开关部分的开关126、127、128的每一个都是由双栅3级构成的，也可以由图6所示的单栅6级、图8所示的三栅2级构成。集成化的本电路的芯片尺寸约为1mm2。
下面以PCS接收时的场合为例对本实施方式的动作予以说明。在PCS接收时，由于功率放大电路112、114为非动作状态，开关126、127、129、130、132、133为非导通状态，开关128、131为导通状态，所以从端子121输入的接收信号经过开关128、131、SAW滤波器135输入到接收电路119解调而输出到端子125。
之后，在PCS发送时，由于PCS发送频率和DCS接收频率之中从1850MHz至1875MHz工作频率重叠，在输出此频带的PCS的发送信号时，输入到SAW滤波器136的功率由PCS发送和DCS接收之间的隔离决定。如果隔离不足，SAW滤波器136，由于PCS的发送信号的功率的过输入，导致SAW滤波器136的破坏，并进一步导致接收电路119的破坏。在本实施方式中，由于利用开关128、132、133可得到高隔离，可以避免该种破坏。
在PCS发送时，由于控制电路117，GSM用的功率放大电路112为非动作状态，开关126、128、129、130、131、132为非导通状态，PCS/DCS用的功率放大电路114为动作状态，开关127、133为导通状态。输入到端子123的信号，由PCS/DCS用的功率放大电路114放大，经开关127输出到端子121。此时，由于开关128、129、130、131、132为非导通状态，开关133为导通状态，所以可以在很宽的频带范围上得到高隔离。因此，可以防止接收侧的SAW滤波器136、接收电路119受到破坏。
另外，高耐压开关在与开关相连接的高频传输通路的长度小于等于开关的动作频率的传输通路内波长的1/10的场合，在向开关输入超过1W的高频功率时，即使是该高频传输通路的长度发生变化，也需要可以保持断开状态的开关。因此，在本实施方式中，开关126、127、128可使用单栅多级连接及双栅、三栅等的多栅单体或其多级连接。单栅1级的开关，由于仅仅可以保持断开的状态的功率不满1W，不能用作高耐压开关。
由于本发明的天线开关电路适用于进行接收发送的高频模块，利用开关的高耐压特性可以处理高发送功率，并且通过利用高耐压开关和模式切换开关的串联可以在接收发送间实现高隔离，所以可以在不需要双工器(天线共用开关)等大型从动部件的同时，可以实现模块薄层化、小型化的高频模块。
Claims (18)
1.一种天线开关电路，是用于选择输入发送信号的发送端子及输出接收信号的多个接收端子中的任意一个与天线端子耦合的天线开关电路，其特征在于包括：
连接在上述发送端子和上述天线端子之间的第1开关；
一端与上述天线端子相连接、由另一端得到在使用的频率上使相位旋转到所希望的值的发送信号的传输电路；
一端与上述传输电路的上述另一端相连接、而另一端交流接地的第2开关；以及
与上述传输电路的上述另一端和上述多个接收端子各个之间相连接的多个第3开关。
2.根据权利要求1所述的天线开关电路，其特征在于：
上述第1至第3开关是由HEMT元件构成的。
3.根据权利要求1所述的天线开关电路，其特征在于还包括：
一端与上述多个接收端子各个之间相连接，另一端接地的第4开关。
4.一种天线开关电路，其特征在于包括：
用来选择输入发送信号的发送端子及输出接收信号的多个接收端子的任何一个与副天线端子耦合的两个副天线开关电路和在天线端子和上述两个副天线端子间相连接的双工器，
上述副天线开关电路具有：
连接在上述发送端子和上述副天线端子之间的第1开关；
一端与上述副天线端子相连接、由另一端得到在使用的频率上使相位旋转到所希望的值的发送信号的传输电路；
一端与上述传输电路的上述另一端相连接、而另一端交流接地的第2开关；以及
与上述传输电路的上述另一端和上述多个接收端子各个之间相连接的多个第3开关。
5.一种天线开关电路，是用于选择输入发送信号的发送端子及输出接收信号的多个接收端子中的任意一个与天线端子相连接的天线开关电路，其特征在于包括：
连接在上述发送端子和上述天线端子之间的第1开关；
一端与上述天线端子相连接、选择上述多个接收端子中的任意一个与另一端进行耦合的第2开关；以及
与上述第2开关的上述另一端和上述多个接收端子各个之间的耦合通路相连接的多个第3开关。
6.根据权利要求5所述的天线开关电路，其特征在于：
上述第1至第3开关是由HEMT元件构成的。
7.根据权利要求6所述的天线开关电路，其特征在于：
上述第2开关的耐压比上述第3开关的耐压高。
8.根据权利要求5所述的天线开关电路，其特征在于还包括：
一端与上述第2开关的上述另一端相连接，另一端交流接地的第4开关。
9.根据权利要求5所述的天线开关电路，其特征在于还包括：
与另一发送端子和上述天线端子之间相连接的第5开关。
10.根据权利要求9所述的天线开关电路，其特征在于：
上述第1至第3及第5开关是由HEMT元件构成的，上述第1、第2及第5开关的耐压比上述第3开关的耐压高。
11.根据权利要求5所述的天线开关电路，其特征在于：
上述第2开关是由开关电流通路串联的多个晶体管组成的高耐压开关。
12.一种高频模块，具有：
天线开关电路；
发送电路及接收电路中的至少一个；
上述天线开关电路，是用来选择输入发送信号的发送端子及输出接收信号的多个接收端子中的任意一个与天线端子相连接的天线开关电路，其特征在于包括：
连接在上述发送端子和上述天线端子之间的第1开关；
一端与上述天线端子相连接、选择上述多个接收端子中的任意一个与另一端进行耦合的第2开关；以及
与上述第2开关的上述另一端与上述多个接收端子各个之间的耦合通路相连接的多个第3开关。
13.根据权利要求12所述的高频模块，其特征在于：
上述第1至第3开关是由HEMT元件构成的。
14.根据权利要求13所述的高频模块，其特征在于：
上述第2开关的耐压比上述第3开关的耐压高。
15.根据权利要求12所述的高频模块，其特征在于还包括：
一端与上述第2开关的上述另一端相连接，另一端交流接地的第4开关。
16.根据权利要求12所述的高频模块，其特征在于还包括：
与另一发送端子和上述天线端子之间相连接的第5开关。
17.根据权利要求16所述的高频模块，其特征在于：
上述第1至第3及第5开关是由HEMT元件构成的，上述第1、第2及第5开关的耐压比上述第3开关的耐压高。
18.根据权利要求12所述的高频模块，其特征在于：
上述第2开关是由开关电流通路串联的多个晶体管组成的高耐压开关。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003348990 | 2003-10-08 | ||
| JP348990/2003 | 2003-10-08 | ||
| JP2004189257A JP2005136948A (ja) | 2003-10-08 | 2004-06-28 | アンテナスイッチ回路 |
| JP189257/2004 | 2004-06-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1606248A true CN1606248A (zh) | 2005-04-13 |
Family
ID=34425367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200410057564.5A Pending CN1606248A (zh) | 2003-10-08 | 2004-08-20 | 天线开关电路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050079829A1 (zh) |
| JP (1) | JP2005136948A (zh) |
| CN (1) | CN1606248A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1925326B (zh) * | 2005-08-31 | 2010-06-16 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体集成电路器件和高频功率放大器模块 |
| CN1925325B (zh) * | 2005-08-30 | 2010-12-08 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体集成电路设备和高频功率放大器模块 |
| CN101098135B (zh) * | 2006-06-29 | 2011-12-14 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体集成电路器件和射频模块 |
| CN113206360A (zh) * | 2015-08-10 | 2021-08-03 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6804502B2 (en) | 2001-10-10 | 2004-10-12 | Peregrine Semiconductor Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
| EP3570374B1 (en) | 2004-06-23 | 2022-04-20 | pSemi Corporation | Integrated rf front end |
| US7400862B2 (en) * | 2004-10-25 | 2008-07-15 | Skyworks Solutions, Inc. | Transmit-receive switch architecture providing pre-transmit isolation |
| USRE48965E1 (en) | 2005-07-11 | 2022-03-08 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
| US7890891B2 (en) | 2005-07-11 | 2011-02-15 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
| US7910993B2 (en) | 2005-07-11 | 2011-03-22 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink |
| US9653601B2 (en) | 2005-07-11 | 2017-05-16 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
| US20080076371A1 (en) * | 2005-07-11 | 2008-03-27 | Alexander Dribinsky | Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches |
| US8742502B2 (en) | 2005-07-11 | 2014-06-03 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
| GB2439622B (en) * | 2006-06-28 | 2011-03-30 | Filtronic Compound Semiconductors Ltd | A linear antenna switch arm |
| US7960772B2 (en) | 2007-04-26 | 2011-06-14 | Peregrine Semiconductor Corporation | Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand |
| JP5108410B2 (ja) | 2007-07-31 | 2012-12-26 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | スイッチ回路 |
| EP3346611B1 (en) | 2008-02-28 | 2021-09-22 | pSemi Corporation | Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device |
| US8723260B1 (en) | 2009-03-12 | 2014-05-13 | Rf Micro Devices, Inc. | Semiconductor radio frequency switch with body contact |
| JP5790852B2 (ja) * | 2009-05-26 | 2015-10-07 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチモジュール |
| JP5625453B2 (ja) * | 2009-05-26 | 2014-11-19 | 株式会社村田製作所 | 高周波スイッチモジュール |
| JP5648901B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2015-01-07 | 日立金属株式会社 | 高周波回路、高周波部品及び通信装置 |
| JP5251953B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2013-07-31 | 株式会社村田製作所 | スイッチ回路、半導体装置及び携帯無線機 |
| US20130015501A1 (en) * | 2011-07-11 | 2013-01-17 | International Rectifier Corporation | Nested Composite Diode |
| KR20130127782A (ko) * | 2012-05-15 | 2013-11-25 | 삼성전기주식회사 | 스위칭 회로 및 이를 포함하는 무선통신 시스템 |
| US9024838B2 (en) * | 2012-08-09 | 2015-05-05 | Qualcomm Incorporated | Multi-throw antenna switch with off-state capacitance reduction |
| US9590674B2 (en) | 2012-12-14 | 2017-03-07 | Peregrine Semiconductor Corporation | Semiconductor devices with switchable ground-body connection |
| US20150236798A1 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-20 | Peregrine Semiconductor Corporation | Methods for Increasing RF Throughput Via Usage of Tunable Filters |
| US9406695B2 (en) | 2013-11-20 | 2016-08-02 | Peregrine Semiconductor Corporation | Circuit and method for improving ESD tolerance and switching speed |
| US9831857B2 (en) | 2015-03-11 | 2017-11-28 | Peregrine Semiconductor Corporation | Power splitter with programmable output phase shift |
| KR102594543B1 (ko) | 2015-11-13 | 2023-10-26 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | 통합 스위치-필터 네트워크 |
| US10298187B2 (en) | 2016-08-12 | 2019-05-21 | Qualcomm Incorporated | Selective high and low power amplifier switch architecture |
| US9948281B2 (en) | 2016-09-02 | 2018-04-17 | Peregrine Semiconductor Corporation | Positive logic digitally tunable capacitor |
| US10886911B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-01-05 | Psemi Corporation | Stacked FET switch bias ladders |
| US10505530B2 (en) | 2018-03-28 | 2019-12-10 | Psemi Corporation | Positive logic switch with selectable DC blocking circuit |
| US10236872B1 (en) | 2018-03-28 | 2019-03-19 | Psemi Corporation | AC coupling modules for bias ladders |
| US11476849B2 (en) | 2020-01-06 | 2022-10-18 | Psemi Corporation | High power positive logic switch |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5477184A (en) * | 1992-04-15 | 1995-12-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Fet switching circuit for switching between a high power transmitting signal and a lower power receiving signal |
| JPH11239048A (ja) * | 1998-02-20 | 1999-08-31 | Sony Corp | アンテナスイッチ回路 |
| DE19842706A1 (de) * | 1998-09-17 | 2000-03-23 | Siemens Ag | Mehrband-Antennenschalter |
| SE518416C2 (sv) * | 1998-12-22 | 2002-10-08 | Ericsson Telefon Ab L M | Antenn-switch-modul |
| US6552626B2 (en) * | 2000-01-12 | 2003-04-22 | Raytheon Company | High power pin diode switch |
| EP1237222B1 (en) * | 2001-02-27 | 2006-01-18 | Telefonaktiebolaget LM Ericsson (publ) | Multiband transformation stage for a multiband r.f. switching device |
| JP3772771B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2006-05-10 | 松下電器産業株式会社 | マルチバンド高周波スイッチ |
| GB2376384B (en) * | 2001-06-08 | 2005-03-16 | Sony Uk Ltd | Antenna switch |
| WO2003065604A1 (fr) * | 2002-01-31 | 2003-08-07 | Hitachi Metals, Ltd. | Circuit de commutation et partie haute frequence composite |
| US6882829B2 (en) * | 2002-04-02 | 2005-04-19 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit incorporating RF antenna switch and power amplifier |
| US6882836B2 (en) * | 2002-07-16 | 2005-04-19 | Ericsson, Inc. | GAIT antenna interface with special isolation mode |
| US6987950B2 (en) * | 2002-07-25 | 2006-01-17 | Qualcomm, Incorporated | Radio with duplexer bypass capability |
| CN100379163C (zh) * | 2002-10-14 | 2008-04-02 | Nxp股份有限公司 | 发送和接收天线开关 |
| JP3902111B2 (ja) * | 2002-10-21 | 2007-04-04 | 新日本無線株式会社 | スイッチ半導体集積回路 |
| US20040259505A1 (en) * | 2003-06-19 | 2004-12-23 | Karthik Vasanth | Switch circuit especially suitable for use in wireless LAN applications |
| US7098755B2 (en) * | 2003-07-16 | 2006-08-29 | Analog Devices, Inc. | High power, high linearity and low insertion loss single pole double throw transmitter/receiver switch |
| DE102004040967B4 (de) * | 2004-08-24 | 2019-02-21 | Snaptrack, Inc. | Schaltung mit hoher Isolation zwischen Sende- und Empfangspfad und Bauelement mit der Schaltung |
-
2004
- 2004-06-28 JP JP2004189257A patent/JP2005136948A/ja not_active Withdrawn
- 2004-08-20 US US10/921,815 patent/US20050079829A1/en not_active Abandoned
- 2004-08-20 CN CN200410057564.5A patent/CN1606248A/zh active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1925325B (zh) * | 2005-08-30 | 2010-12-08 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体集成电路设备和高频功率放大器模块 |
| CN1925326B (zh) * | 2005-08-31 | 2010-06-16 | 株式会社瑞萨科技 | 半导体集成电路器件和高频功率放大器模块 |
| CN101098135B (zh) * | 2006-06-29 | 2011-12-14 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体集成电路器件和射频模块 |
| US8824974B2 (en) | 2006-06-29 | 2014-09-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and radio frequency module |
| CN113206360A (zh) * | 2015-08-10 | 2021-08-03 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
| CN113206360B (zh) * | 2015-08-10 | 2022-08-30 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005136948A (ja) | 2005-05-26 |
| US20050079829A1 (en) | 2005-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1606248A (zh) | 天线开关电路 | |
| CN1149748C (zh) | 用于双频段移动电话中的谐波抑制的功率放大器输出电路和相关运行方法 | |
| CN1050249C (zh) | 信号转换开关 | |
| CN100341252C (zh) | 射频前端和提高射频前端的使用灵活性的方法 | |
| CN1204698C (zh) | 开关装置和移动通信终端装置 | |
| CN1188005C (zh) | 半导体集成转换电路 | |
| CN1689241A (zh) | 发送和接收天线开关 | |
| CN1192660C (zh) | 多频带高频开关 | |
| CN1134117C (zh) | 双频带天线开关 | |
| CN1225751A (zh) | 双频带开关、双频带天线共用器及其双频带移动通信装置 | |
| CN1839555A (zh) | 无线信号切换电路和无线通信设备 | |
| CN1324514A (zh) | 带有减小功率损耗的双频带、双重模式功率放大器 | |
| KR101428003B1 (ko) | 트랜스포머 기반 ｒｆ 스위치 및 그 스위칭 방법 | |
| CN1866735A (zh) | 匹配电路 | |
| CN1638186A (zh) | 高频开关装置 | |
| CN1592088A (zh) | 用于通信器件的电子元件以及用于转换发射和接收的半导体器件 | |
| CN1148087C (zh) | 双工器和通信设备 | |
| CN102185594A (zh) | 单极多掷开关 | |
| CN1868132A (zh) | 用于多频段多模式通信机的前端装置 | |
| CN1762097A (zh) | 匹配电路 | |
| CN1809970A (zh) | 包括场效应晶体管的天线开关 | |
| CN100361398C (zh) | 用于多频带射频装置的阻抗匹配电路 | |
| CN1176527A (zh) | 用于移动无线电收发机的接收混频器电路 | |
| CN1367952A (zh) | 双频带、双模式功率放大器 | |
| CN1407828A (zh) | 高频电路装置及移动式通信装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |