CN1603898A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于克服在减少现有制造步骤数的制造方法中，通道长度变短时，制造宽裕度变小并导致良率降低的问题。本发明通过：由半色调曝光技术的导入而使信号线的形成步骤及像素电极的形成步骤合理化的新技术、将半色调曝光技术导入作为公知技术的源极·漏极布线的阳极氧化步骤而使电极端子的保护层形成步骤合理化的新技术、以及利用半色调曝光技术的导入而使扫描线的形成步骤及半导体层的形成步骤、扫描线的形成步骤及蚀刻终止层的形成步骤、以及扫描线的形成步骤及触点形成步骤合理化的新技术的组合而实现TN型液晶显示装置的4片光掩模处理及3片光掩模处理方案。

Description

液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及具有彩色图像显示功能的液晶显示装置，即尤其涉及有源型(active)液晶显示装置。
背景技术
因为近年来的微细加工技术、液晶材料技术、以及高密度安装技术等的进步，采用5～50cm对角的液晶显示装置的电视图像及各种图像显示机器大量提供于商业用途。另外，构成液晶面板的2片玻璃基板的一方形成RGB的着色层，而使彩色显示更容易实现。尤其是，各像素内置开关元件的所谓有源型液晶面板可以保证串音(cross-talk)较少、响应速度较快、以及具有高对比值的图像。
一般而言，这些液晶显示装置(液晶面板)是由200～1200条左右的扫描线，300～1600条左右的信号线的矩阵所编成的，然而，最近可对应显示容量的增大的大画面化及高精细化正同时进行中。
图54是显示液晶显示面板的安装状态，利用COG(Chip-On-Glass)方式或TCP(Tape-Carrier-Package)方式等安装手段，将电性信号供给至图像显示部。该COG方式，是使用导电性粘着剂，连接用以将驱动信号供给至扫描线电极端子群5的半导体集成电路晶片3，而该扫描线电极端子群5形成于构成液晶面板1一边的透明性绝缘基板例如玻璃基板2上。该TCP方式，是以聚酰亚胺类树脂薄膜为基底，利用含导电性媒介的适当粘着剂，将具有金或镀焊锡铜箔端子的TCP薄膜4，压接于信号线的电极端子群6而固定。此处，为了方便说明，同时图示了两种安装方式，而实际上适当选择任一种方式即可。
用来连接位于液晶面板1大致中央部的图像显示部内的像素、和扫描线及信号线的电极端子5、6间的布线路是7、8，不一定要使用与电极端子群5、6相同的导电材来构成。9是相对玻璃基板或滤色片，即在相对面上具有与所有液晶单元共通的透明导电性对向电极的另一片透明性绝缘基板。
图55是表示将绝缘栅极型晶体管10配置于各像素作为开关元件的有源型液晶显示装置的等效电路图，11(图54是7)是扫描线、12(图54是8)是信号线、13是液晶单元，而液晶单元13是作为电性的电容元件来处理。实线所描绘的元件类是形成于构成液晶面板的一边的玻璃基板2上，点线所描绘的所有液晶单元13共用的对向电极14则形成于另一边玻璃基板9的相对主面上。在绝缘栅极型晶体管10的OFF电阻或液晶单元13的电阻较低时、或重视显示图像的灰阶性时，可设法增加电路设置，即将辅助储存电容15与液晶单元13并联而增设，而该辅助储存电容15可增加作为负载的液晶单元13的时间常定数。此外，16是储存电容15的共母线。
图56是液晶显示装置的图像显示部的主要部位剖视图，构成液晶面板1的两片玻璃基板2、9，是通过形成于树脂性纤维(fiber)、珠粒(beads)或滤色片9上支柱状间隔件等间隔材(未图示)，隔着数μm左右的预定间隔而形成，并且，其间隙(gap)在玻璃基板9的周缘部，形成被有机性树脂所构成的密封材和封口材(任一者都未图示)密封的密闭空间，而在该密闭空间中充填液晶17。
因为彩色显示进行时，是在玻璃基板9的密闭空间侧，被覆含有称为着色层18的染料或颜料的任一者或两者，而形成厚度1至2μm左右的有机薄膜，以赋予颜色显示的功能，所以此时，玻璃基板9的别名又称为滤色片(Color Filter略语为CF)。接着，按液晶材料17的性质，而在玻璃基板9的上面或玻璃基板2的下面的任一面或两面上粘贴偏光板19，使液晶面板1具有电性光学元件的功能。目前，市售的大部分液晶面板，都是在液晶材料上使用TN(twist nematic)类的构造，因此一般需要两片偏光板。虽然图中并未显示，然而在透过型液晶面板中，配置有背面光源作为光源，由下方照射白色光。
与液晶17相连而形成于两片玻璃基板2、9上的例如厚度0.1μm左右的聚酰亚胺类树脂薄膜20，是用以令液晶分子取向于定向的取向膜。21是用以连接绝缘栅极型晶体管10的漏极、和透明导电性像素电极22的漏极电极(布线)，通常与信号线(源极线)12同时形成。位于信号线12和漏极电极21之间的是半导体层23，而该半导体层23稍后会详细说明。在滤色片9上，形成于着色层18交界的厚度0.1μm左右的Cr薄膜层24，是用来防止外部光入射至半导体层23和扫描线11及信号线12的光遮蔽构件，这就是所谓黑色矩阵(Black Matrix，略语BM)的惯用技术。
于此，说明作为开关元件的绝缘栅极型晶体管的构造和制造方法。目前，常用的绝缘栅极型晶体管有两种，其中一种称为蚀刻终止(etch-stop)型，这在现有例中介绍过。图57是构成已有液晶面板的有源型基板(显示装置用半导体装置)的单位像素平面图。图58是表示图57(e)的A-A’、B-B’及C-C’线的剖视图，以下简单说明其制造步骤。
首先，如图57(a)和图58(a)所示，在厚度0.5至1.1μm左右的玻璃基板2，例如康宁公司制·商品名1737的一主面上，使用SPT(溅镀)等真空制膜装置，被覆膜厚0.1至0.3μm左右的第1金属层，作为耐热性、耐药品性和透明性高的绝缘性基板，并且，利用微细加工技术，选择性地形成兼具栅极电极11A的扫描线11和储存电容线16。就扫描线材质而言，综合考虑耐热性、耐药品性、耐氢氟酸性和导电性后，一般选择使用Cr、Ta、MoW合金等耐热性高的金属或合金。
为了因应液晶面板的大画面化和高精细化，降低扫描线的电阻值，使用AL(铝)作为扫描线的材料是合理的，但由于AL是单体且耐热性低，所以目前采用的技术是层积上述耐热金属的Cr、Ta、Mo或这些的硅化物，或者，在AL表面，利用阳极氧化附加氧化层(Al2O3)。也就是说，扫描线11是由一层以上的金属层所构成。
接着，在玻璃基板2的整面上，使用PCVD(等离子体化学气相淀积)装置，以例如0.3-0.05-0.1μm左右的膜厚，依次被覆三种薄膜层：作为栅极绝缘层的第1 SiNx(氮化硅)层30；和作为几乎不含杂质的绝缘栅极型晶体管的沟道的第1非晶硅(a-Si)层31；和作为保护沟道的绝缘层的第2 SiNx层32，并且如图57(b)和图58(b)所示，利用微细加工技术，选择性地残留栅极电极11A上的第2 SiNx层32，使其宽度比栅极电极11A更细而形成32D，露出第1非晶硅层31。
接着，同样使用PCVD装置，以例如0.05μm左右的膜厚，整面被覆例如含磷的第2非晶硅层33作为杂质后，如图57(c)和图58(c)所示，使用SPT等真空制膜装置，依次被覆：膜厚0.1μm左右的例如Ti、Cr、Mo等薄膜层34，作为耐热金属层；和膜厚0.3μm左右的例如Al薄膜层35，作为低电阻布线层；和膜厚0.1μm左右的例如Ti薄膜层36，作为中间导电层，接着，利用微细加工技术，选择性地形成：由作为源极·漏极布线材的这三种薄膜层34A、35A、36A层积所构成的绝缘栅极型晶体管的漏极电极21、和兼具源极电极的信号线12。该选择性图形的形成方式，是以源极·漏极布线形成时所使用的感光性树脂图形作为掩模，依次蚀刻Ti薄膜层36、Al薄膜层35、Ti薄膜层34后，再去除源极·漏极电极1 2、21间的第2非晶硅层33，而露出第2 SiNx层32D，同时也于其他区域去除第1非晶硅层31，而露出栅极绝缘层30。如上所述，因为具有作为沟道保护层的第2 SiNx层32D，因此第2非晶硅层33的蚀刻会自动终止，所以该制法即称为蚀刻终止。
以绝缘栅极型晶体管不会形成偏置(offset)构造的方式，使源极·漏极电极12、21与蚀刻终止层32D在平面上呈部分(数μm)重叠。由于该重叠部分在电性上具有寄生电容的作用，因此小构造即可，但因为是由曝光机的对准精度、光掩模的精度和玻璃基板的膨胀是数及曝光时的玻璃基板温度所决定，因此实际的数值顶多2μm左右。
再者，去除上述感光性树脂图形后，与栅极绝缘层同样地，使用PCVD装置，在玻璃基板2的整面，被覆膜厚0.3μm左右的SiNx层作为透明性绝缘层，而形成钝化绝缘层37，然后，如图57(d)和图58(d)所示，利用微细加工技术，选择性地去除钝化绝缘层37，形成：开口部62，其位于漏极电极21上；和开口部63，其位于图像显示部以外的区域且形成有扫描线11的电极端子5的部位；和开口部64，其位于形成有信号线12的电极端子6的部位，而露出漏极电极21、扫描线11和部分信号线12。在储存电容线16(平行绑束的图形电极)上形成开口部65，而露出部分储存电容线16。
最后，使用SPT等真空制膜装置，被覆例如ITO(Indium-Tin-Oxide)或IZO(Indium-Zinc-Oxide)，如图57(e)和图58(e)所示，利用微细加工技术，含开口部62地在钝化绝缘层37上选择性地形成像素电极22，而完成有源型基板2。也可将开口部63内露出的部分扫描线11设为电极端子5，将开口部64内露出的部分信号线12设为电极端子6，也可如图示那样，含开口部63、64地在钝化绝缘层37上，选择性地形成由ITO所构成的电极端子5A、6A，一般，连接电极端子5A、6A间的透明导电性短路线40也会同时形成。此处虽未图示，然而，的所以如此是因为将电极端子5A、6A和短路线40间形成细长的线(stripe)状，可高电阻化而形成防静电措施用高电阻。同样地，可含开口部65地形成储存电容线16的电极端子。
信号线12的布线电阻不会造成问题时，就不一定要使用由Al构成的低电阻布线层35，此时，若选择Cr、Ta、Mo等耐热金属材料的话，可将源极·漏极布线12、21单层化、简化。通过该结构，源极·漏极布线使用耐热金属层，来确保与第2非晶硅层电性连接是很重要的，另外，关于绝缘栅极型晶体管的耐热性，则详细记载于已有例的日本特开平7-74368号公报。此外，图57(c)中，储存电容线16和漏极电极21，介着栅极绝缘层30呈平面重叠的区域50(右下斜线部)，是形成有储存电容15，但是，在此省略其详细的说明。
[考利文献1]日本特开平7-74368号公报
上述5片掩模制程(mask·process)是半导体层的岛化(islanding)步骤的合理化、和触点形成步骤减少一次所获得的结果，此处省略说明其详细的原委。当初，需要使用7至8片左右的光掩模通过干蚀刻技术的导入，目前减少为5片，这对于制程成本(process cost)的降低有相当大的助益。为了降低液晶显示装置的生产成本，有效的方式是降低有源型基板的制作步骤中的制程成本(process cost)，再者，降低面板组装步骤和模组安装步骤中的构件成本，此为众所周知的开发目标。此外，为了降低制程成本，具有：使制程缩短的步骤数削减、和廉价制程开发或制程的置换等方式，此处例举以4片光掩模，制得有源型基板的4片掩模制程，来说明步骤的减少。4片掩模制程是通过半色调曝光技术的导入，来减少照相蚀刻步骤，图59是对应于4片掩模制程的有源型基板的单位像素平面图，图60是表示图59(e)的A-A’、B-B’及C-C’线的剖视图。如上所述，目前较常使用的绝缘型晶体管有2种，在此使用的是沟道型的绝缘栅极型晶体管。
首先，与5片掩模制程(mask·process)同样地，在玻璃基板2的一主面上，使用SPT等真空制膜装置，被覆膜厚0.1至0.3μm左右的第1金属层，接着，如图59(a)和图60(a)所示地，利用微细加工技术，选择性地形成兼具栅极电极11A的扫描线11和储存电容线16。
接着，在玻璃基板2的整面，使用PCVD(等离子体化学气相淀积)装置，以例如0.3-0.2-0.05μm左右的膜厚，依次被覆三种薄膜层：作为栅极绝缘层的SiNx层30；和作为几乎不含杂质的绝缘栅极型晶体管沟道的第1非晶硅层31；和作为含杂质的绝缘栅极型晶体管的源极·漏极的第2非晶硅层33。接着，使用SPT等真空制膜装置，依次被覆：膜厚0.1μm左右的例如Ti薄膜层34，作为耐热金属层；和膜厚0.3μm左右的Al薄膜层35，作为低电阻布线层；和膜厚0.1μm左右的例如Ti薄膜层36，作为中间导电层，即，依次被覆源极·漏极布线材。利用微细加工技术，选择性地形成绝缘栅极型晶体管的漏极电极21、和兼具源极电极的信号线12，而该选择图形形成时，最大特征是如图59(b)和图60(b)所示地，形成厚度比源极·漏极间的沟道形成区域80B(斜线部)的膜厚例如形成为1.5μm，比源极·漏极布线形成区域80A(12)、80A(21)的膜厚3μm更薄的感光性树脂图形80A、80B。
由于此种感光性树脂图形80A、80B在液晶显示装置用基板的制作中，通常使用正性感光性树脂，所以源极·漏极布线形成区域80A为黑色，即形成Cr薄膜；沟道区域80B为灰色，即形成例如宽度0.5至1μm左右的线/空行间距(line and space)的Cr图形；其他区域为白色，即使用去除Cr薄膜的光掩模即可。由于灰色区域，曝光机的解析度不足，因此线/空行间距(line and space)无法被解析，可使发自光源的掩模照射光透过一半左右，因此依据正感光性树脂的残膜特性，可获致具有图60(b)所示的剖面形状的感光性树脂图形80A、80B。
以上述感光性树脂图形80A、80B作为掩模，如图60(b)所示地依次蚀刻：Ti薄膜层36、AL薄膜层35、Ti薄膜层34、第2非晶硅层33及第1非晶硅层31，而露出栅极绝缘层30后，如图59(c)和图60(c)所示，利用氧等离子体等灰化(ashing)手段，令感光性树脂图形80A、80B的膜厚，减少例如3μm至1.5μm以上时，感光性树脂图形80B消失，而露出沟道区域，同时仅可在源极·漏极布线形成区域上残留80C(12)、80C(21)。在此，以膜厚减少的感光性树脂图形80C(12)、80C(21)作为掩模，再依次蚀刻源极·漏极布线间(沟道形成区域)的Ti薄膜层、AL薄膜层、Ti薄膜层、第2非晶硅层33A及第1非晶硅层31A，使第1非晶硅层31A残留约0.05至0.1μm左右。由于源极·漏极布线是通过蚀刻金属层后，残留0.05至0.1μm左右的第1非晶硅层31A而制成者，因此以此制法获致的绝缘栅极型晶体管称为沟道·蚀刻。此外，为了抑制上述氧等离子体处理时图形尺寸产生变化，因此以加强各向异性为佳，其理由后续会阐述。
再者，去除上述感光性树脂图形80C(12)、80C(21)后，与5片掩模制程同样地，如图59(d)和图60(d)所示地，在玻璃基板2整面，被覆0.3μm左右膜厚的SiNx层作为透明性绝缘层，而形成钝化绝缘层37，在形成漏极电极21和扫描线11和信号线12的电极端子的区域上，分别形成开口部62、63、64，接着，去除开口部63内的钝化绝缘层37和栅极绝缘层30，而露出部分扫描线11，同时去除开口部62、64内的钝化绝缘层37，而露出部分漏极电极21和部分信号线11。
最后，使用SPT等真空制膜装置，被覆例如ITO或IZO，作为膜厚0.1至0.2μm左右的透明导电层，如图59(e)和图60(e)所示，利用微细加工技术，在钝化绝缘层37上，含开口部62地选择性形成透明导电性像素电极22，而完成有源型基板2。关于电极端子，在此是于钝化绝缘层37上，含开口部63、64而选择性地形成由ITO构成的透明导电性电极端子5A、6A。
通过该结构，由于在5片掩模制程和4片掩模制程中，对于漏极电极21和扫描线11的触点形成步骤是同时完成的，因此与此等对应的开口部62、63内的绝缘层厚度和种类是不同的。钝化绝缘层37相较于栅极绝缘层30，制膜温度较低且膜质较低劣，利用氢氟酸是蚀刻液施行蚀刻时，两者的蚀刻速度分别为数1000/分、数100/分，相差一位数，而且，基于漏极电极21上的开口部62的剖面形状上部，发生过度蚀刻而无法控制孔径的理由，所以采用使用氟是气体的干式蚀刻(dry-etch)。
即使采用干蚀刻时，由于漏极电极21上的开口部62仅为钝化绝缘层37，所以与扫描线11上的开口部63相比较，无法避免过度蚀刻，而依照材质的不同，有时会有中间导电层36A因蚀刻气体而导致膜厚减少的情形。另外，一般，蚀刻结束后，欲去除感光性树脂图形时，首先为了去除氟化表面的聚合物，因此利用氧等离子体灰化，将感光性树脂图形的表面，减少0.1至0.3μm左右，然后，再使用有机剥离液，例如东京应化工业株氏会社制的剥离液106，进行药液处理。而当中间导电层36A的膜厚减少，呈露出基底铝层35A的状态时，利用氧等离子体灰化处理，在铝层35A的表面形成作为绝缘体的AL2O3，致使其与像素电极22间无法获得欧姆触点。在此，也可将膜厚设为例如0.2μm，使中间导电层36A膜厚减少，即可避免此问题发生。或者，开口部62至65形成时，去除铝层35A，露出作为基底耐热金属层的Ti薄膜层34A后，再形成像素电极22也是解决对策，而此时具有从最初即不需要中间导电层36A的优点。
然而，以前者的对策而言，当这些薄膜的膜厚的面内均匀性不良时，此配合不一定可有效地发挥作用，此外，当蚀刻速度的面内均匀性不良时，也是完全同样的情形。后者的对策虽可不需要中间导电层36A，但是，会增加铝层35A的去除步骤，此外，当开口部62的剖面控制不充足时，恐怕会有像素电极22发生断裂的疑虑。
再加上，沟道蚀刻型的绝缘栅极型晶体管中，沟道区域的不含杂质的第1非晶硅层31，没有事先被覆某程度的厚度(通常为0.2μm以上)时，会对玻璃基板的面内的均匀性产生很大的影响，晶体管特性，特别是OFF电流容易发生不一致的现象。这点对PCVD的运转率和粒子发生状况有很大的影响，从生产成本观点来看，是非常重要的事项。
再者，由于适用于4片掩模制程的沟道形成步骤，是选择性地去除源极·漏极布线12、21间的源极·漏极布线材和含杂质的半导体层，所以是用来决定大幅左右绝缘栅极型晶体管的ON特性的沟道长度(目前的量产品是4至6μm)的步骤。由于该沟道长度的变动会使绝缘栅极型晶体管的ON电流值产生大幅变化，所以一般都会要求严谨的制造管理。然而，现状，沟道长度即半色调曝光区域的图形尺寸，受到曝光量(光源强度和光掩模的图形精度，尤其是线/空行间距尺寸)、感光性树脂的涂布厚度、感光性树脂的显影处理、以及该蚀刻步骤的感光性树脂膜厚减少量等诸多参数的影响，再加上此等诸量的面内均匀性，所以不一定可以在良率高且稳定的状态生产，必须有较以往的制造管理，更加严格的制造管理，因此不敢说一定会有高水准的产出。特别是沟道长度为6μm以下时，随着蚀刻图形膜厚的减少，对图形尺寸产生的影响很大，该倾向很明显。
发明内容
本发明是有鉴于此现状而开发的，其目的不仅在于避免以往5片掩模制程或4片掩模制程，共同在触点形成时产生的不良情况，还在于通过采用制造余裕度(margin)较大的半色调曝光技术，来实现制造步骤的减少。另外，要实现液晶面板的低价格化，因应需求的增加，必须锐意追求更少的制造步骤数，而通过将其他主要制造步骤简略化或低成本化的技术，可以进一步提升本发明的价值。
本发明中，首先通过将半色调曝光技术应用于像素电极的形成步骤及信号线的步骤而达到减少制造步骤的目的。其次，为了实现只针对源极·漏极布线的有效钝化，融合现有技术的日本特开平2-216129号公报所示的由铝制成的源极·漏极布线的表面形成绝缘层的阳极氧化技术，而实现处理的合理化及低温化。或者，利用半色调曝光技术而只在信号线上选择性地残留感光性有机绝缘层，从而实现无需形成钝化绝缘层的合理化。又，为了进一步减少步骤，也组合了利用半色调曝光技术以同一光掩模实施触点的形成步骤及半导体层或蚀刻终止层的形成步骤、扫描线的形成步骤及半导体层或蚀刻终止层的形成步骤、或扫描线的形成步骤及触点形成步骤的处理的技术。
本发明第1方面的液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于：
由透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的绝缘栅极型晶体管的源极布线经由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层连结于作为通道的不含杂质的第1半导体层，
且透明导电性的像素电极经由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层连结于所述第1半导体层。
利用该结构，信号线是由透明导电层及低电阻金属的叠层所构成，很容易即可降低信号线的电阻值。这是本发明的液晶显示装置的共同结构特征。如前面说明所述，绝缘栅极型晶体管有蚀刻终止型及通道蚀刻型的2种，因为可对应其型式来构成各种液晶显示装置的实施形态，因此在本发明第2方面至本发明第21方面中进行具体说明。
本发明第2方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线，
在栅电极上隔着1层以上的栅极绝缘层形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分上及第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上与栅极绝缘层上形成由透明导电层及表面上具有感光性有机绝缘层的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏电极上与栅极绝缘层上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部的透明导电性的扫描线的电极端子，
在图像显示部以外的区域内，除去所述信号线上的感光性有机绝缘层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因而可形成于栅极绝缘层上，然而，源极·漏极间的通道上形成用以保护通道的保护绝缘层且信号线的表面形成感光性有机绝缘层而提供最低限的钝化功能，因此无需在玻璃基板的整个表面上覆盖钝化绝缘层，即可解决绝缘栅极型晶体管的耐热性问题。此外，可得到具有透明导电性电极端子的TN型液晶显示装置，这是本发明的液晶显示装置的共有特征。
本发明第3方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线，
在栅电极上隔着1层以上的栅极绝缘层形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分及第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层、及同样具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上与栅极绝缘层上形成透明导电层及表面上具有阳极氧化层并可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏电极上与栅极绝缘层上形成透明导电性的像素电极、以及含有所述开口部的透明导电性的扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内除去所述信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因而可形成于栅极绝缘层上，然而，源极·漏极间的通道上形成保护绝缘层以保护通道，并且信号线的表面形成作为绝缘性阳极氧化层的例如氧化铝(AL2O3)从而提供钝化功能，而可得到和本发明第2方面记载的液晶显示装置相同的效果，除了信号线上的绝缘层的结构以外，和本发明第2方面记载的液晶显示装置十分酷似。
本发明第4方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线，
在栅电极上隔着1层以上的栅极绝缘层形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分及第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上与栅极绝缘层上形成由透明导电层及表面上具有感光性有机绝缘层的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏电极上与栅极绝缘层上形成透明导电性像素电极，并在由含有并形成所述开口部及开口部周围的第1半导体层的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的中间电极上形成透明导电性的扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内除去所述信号线上的感光性有机绝缘层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因而可形成于栅极绝缘层上，然而，源极·漏极间的通道上形成保护绝缘层以保护通道，并且信号线的表面形成感光性有机绝缘层从而提供最低限的钝化功能，因而可得到和本发明第2方面记载的液晶显示装置相同的效果，除了扫描线的电极端子部的结构以外，和本发明第2方面记载的液晶显示装置十分酷似。
本发明第5方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线，
在栅电极上隔着1层以上的栅极绝缘层形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分上及第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层、及同样具有阳极氧化层并可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上与栅极绝缘层上形成透明导电层及表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏极上与栅极绝缘层上形成透明导电性像素电极，并在由含有并形成所述开口部及开口部周围的第1半导体层的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的中间电极上形成透明导电性的扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去所述信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因而可形成于栅极绝缘层上，然而，源极·漏极间的通道上形成保护绝缘层以保护通道，并且信号线的表面形成作为绝缘性阳极氧化层的例如氧化铝(AL2O3)从而提供钝化功能，除了扫描线的电极端子部的结构以外，和本发明第3方面记载的液晶显示装置十分酷似。
本发明第6方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分、第1半导体层、及第1透明性绝缘基板上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电层及表面上具有感光性有机绝缘层的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极，并在由含有并形成所述开口部、开口部周围的保护绝缘层、及第1半导体层的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的中间电极上形成透明导电性的扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去所述信号线上的感光性有机绝缘层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，触点是以和扫描线为自我整合的方式形成且栅极绝缘层是以和扫描线相同的图形宽度形成的，对扫描线的侧面给予和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因此会形成于玻璃基板上。此外，源极·漏极间的通道上会形成用以保护通道的保护绝缘层且在信号线的表面形成感光性有机绝缘层而提供最低限的钝化功能，而得到和本发明第2方面记载的液晶显示装置相同的效果。
本发明第7方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分、第1半导体层、及第1透明性绝缘基板上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层并含有杂质的第2半导体层及同样具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极，并在由含有并形成所述开口部、开口部周围的保护绝缘层、及第1半导体层的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的中间电极上形成透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去所述信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，触点是以和扫描线为自我整合的方式形成且栅极绝缘层是以和扫描线相同的图形宽度形成的，对扫描线的侧面给予和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性像素电极是和信号线同时形成而形成于玻璃基板上。此外，源极·漏极间的通道上会形成保护绝缘层以保护通道，并且在信号线的表面形成作为绝缘性阳极氧化层的例如氧化铝(AL2O3)从而提供钝化功能，即可得到和本发明第3方面记载的液晶显示装置相同的效果。
本发明第8方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分、第1半导体层、及第1透明性绝缘基板上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及表面上具有感光性有机绝缘层的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部的透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去所述信号线上的感光性有机绝缘层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，通道的保护绝缘层是以和扫描线为自我整合的方式形成且栅极绝缘层是以和扫描线相同的图形宽度形成的，对扫描线的侧面给予和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因此会形成于玻璃基板上。此外，源极·漏极间的通道上会形成保护绝缘层以保护通道，并且在信号线的表面形成感光性有机绝缘层而提供最低限的钝化功能，即可得到和本发明第2方面记载的液晶显示装置相同的效果。
本发明第9方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分、第1半导体层、及第1透明性绝缘基板上，像素电极及信号线的重叠区域，从而形成由其侧面具有氧化硅层并含有杂质的第2半导体层及同样具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层并可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部的透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去所述信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，通道的保护绝缘层是以和扫描线为自我整合的方式形成且栅极绝缘层是以和扫描线相同的图形宽度形成的，对扫描线的侧面给予和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因此会形成于玻璃基板上。此外，源极·漏极间的通道上会形成保护绝缘层以保护通道，并且信号线的表面形成作为绝缘性阳极氧化层的例如氧化铝(AL2O3)从而提供钝化功能，即可得到和本发明第3方面记载的液晶显示装置相同的效果。
本发明第10方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分及第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及表面上具有感光性有机绝缘层的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极，以及含有所述开口部、开口部周围的耐热金属层、第2半导体层、及第1半导体层的透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去所述信号线上的感光性有机绝缘层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，源极·漏极是形成于栅极上且栅极绝缘层是以和扫描线相同的图形宽度形成的，对扫描线的侧面给予和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因此会形成于玻璃基板上。此外，源极·漏极间的通道上会形成保护绝缘层以保护通道，并且在信号线的表面形成感光性有机绝缘层从而提供最低限的钝化功能，即可得到和本发明第2方面记载的液晶显示装置相同的效果。
本发明第11方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域的扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分及第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层及同样具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部、开口部周围的(其侧面分别含有阳极氧化层及氧化硅层)耐热金属层、第2半导体层、及第1半导体层的透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，源极·漏极是形成于栅极上且栅极绝缘层是以和扫描线相同的图形宽度形成的，对扫描线的侧面给予和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因此会形成于玻璃基板上。此外，源极·漏极间的通道上会形成保护绝缘层以保护通道，并且在信号线的表面形成作为绝缘性阳极氧化层的例如铝(AL2O3)从而提供钝化功能，即可得到和本发明第3方面记载的液晶显示装置相同的效果。
本发明第12方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线，
在栅电极上隔着1层以上的栅极绝缘层形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在图像显示部外的区域的扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源电极上与栅极绝缘层上形成透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏电极上与栅极绝缘层上形成透明导电性像素电极、含有所述开口部并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的扫描线的电极端子、以及在图像显示部外的区域内由部分信号线所构成并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线的电极端子，
在所述第1透明性绝缘基板上形成在所述像素电极上、所述扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层。
利用该结构，透明导电性像素电极因和信号线同时形成，因而可形成于栅极绝缘层上，然而，有源基板上形成现有的钝化绝缘层从而可以保护绝缘栅极型晶体管的通道及源极·漏极布线。又，扫描线及信号线的电极端子可以选择透明导电层及低电阻金属层的其中之一。
本发明第13方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线，
在栅电极上隔着1层以上的栅极绝缘层形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，从而形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层及同样其侧面具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极·漏电极间的第1半导体层上形成氧化硅层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源极上与栅极绝缘层上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上与栅极绝缘层上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部的透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因而可形成于栅极绝缘层上，然而，源极·漏极间的通道上形成氧化硅层从而可保护绝缘栅极型晶体管的通道且信号线及漏极布线的表面形成作为绝缘性阳极氧化层的例如氧化铝(AL2O3)从而提供钝化功能，因此可得到和本发明第3方面记载的TN型液晶显示装置相同的效果。
本发明第14方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在图像显示部外的区域的扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、含有所述开口部、开口部周围的耐热金属层、第2半导体层、及第1半导体层并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的扫描线的电极端子、以及在图像显示部外的区域内由部分信号线所构成并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线的电极端子，
在所述第1透明性绝缘基板上形成在所述像素电极上、及所述扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层。利用该结构，触点是以和扫描线为自我整合的方式形成且栅极绝缘层是以和栅极相同的图形宽度形成的，对栅极(扫描线)的侧面提供和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性图素像素电极和信号线同时形成，因此会形成于玻璃基板上。此外，透明导电性有源基板上形成现有的钝化绝缘层而可以保护绝缘栅极型晶体管的通道及源极·漏极配线布线。又，扫描线及信号线的电极端子可以选择透明导电层及低电阻金属层的其中之一。
本发明第15方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层及同样其侧面具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极·漏电极间的第1半导体层上形成氧化硅层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部、开口部***的耐热金属层、第2半导体层、及第1半导体层的透明导电层所构成的扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内除去信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，触点是以和扫描线为自我整合的方式形成且栅极绝缘层是以和栅极相同的图形宽度形成的，对栅极(扫描线)的侧面提供和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因此会形成于玻璃基板上。此外，源极·漏极间的通道上形成氧化硅层而可保护绝缘栅极型晶体管的通道且信号线及漏极布线的表面形成例如氧化铝(AL2O3)的绝缘性阳极氧化层而提供钝化功能，因此可得到和本发明第3方面记载的TN型液晶显示装置相同的效果。
本发明第16方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、含有所述开口部并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的扫描线的电极端子、以及在图像显示部外的区域内，由部分信号线所构成并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线的电极端子，
在所述第1透明性绝缘基板上形成在所述像素电极上、及所述扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层。
利用该结构，半导体层是以和扫描线为自我整合的方式形成且栅极绝缘层是以和栅极相同的图形宽度形成的，对栅极(扫描线)的侧面提供和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因此会形成于玻璃基板上。此外，有源基板上形成现有的钝化绝缘层从而可以保护绝缘栅极型晶体管的通道及源极·漏极布线。又，扫描线及信号线的电极端子可以选择透明导电层及低电阻金属层的其中之一。
本发明第17方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层及同样其侧面具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极·漏电极间的第1半导体层上形成氧化硅层，
在图像显示部外的区域的扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部的透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内除去信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，半导体层是以和扫描线为自我整合的方式形成且栅极绝缘层是以和栅极相同的图形宽度形成的，对栅极(扫描线)的侧面给予和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因此会形成于玻璃基板上。此外，源极·漏极间的通道上形成氧化硅层而可保护绝缘栅极型晶体管的通道且信号线及漏极布线的表面形成作为绝缘性阳极氧化层的例如氧化铝(AL2O3)从而提供钝化功能，因此可得到和本发明第3方面记载的TN型液晶显示装置相同的效果。
本发明第18方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的稍小于所述栅极绝缘层的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、含有所述开口部并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的扫描线的电极端子、以及在图像显示部外的区域内由部分信号线所构成并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线的电极端子，
在所述第1透明性绝缘基板上形成在所述像素电极上、及所述扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层。
利用该结构，半导体层是以宽度稍小于栅极的方式形成于栅极上，且栅极绝缘层是以和栅极相同的图形宽度形成的，对栅极(扫描线)的侧面提供和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因此会形成于玻璃基板上。此外，有源基板上形成现有的钝化绝缘层而可以保护绝缘栅极型晶体管的通道及源极·漏极布线。又，扫描线及信号线的电极端子可以选择透明导电层及低电阻金属层的其中之一。
本发明第19方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的稍小于所述栅极绝缘层的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层及同样其侧面具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极·漏电极间的第1半导体层上形成氧化硅层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部并由透明导电层所构成的扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内除去信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，半导体层是以宽度稍小于栅极的方式形成于栅极上，栅极绝缘层是以和栅极相同的图形宽度形成的，对栅极(扫描线)的侧面给予和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因此会形成于玻璃基板上。此外，源极·漏极间的通道上形成氧化硅层而可保护绝缘栅极型晶体管的通道且信号线及漏极布线的表面形成例如作为绝缘性阳极氧化层的氧化铝(AL2O3)从而提供钝化功能，因此可得到和本发明第3方面记载的TN型液晶显示装置相同的效果。
本发明第20方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在栅电极上、及扫描线及信号线的交叉点附近形成岛状的栅极绝缘层、及不含杂质的第1半导体层，
在栅电极上的第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在扫描线及信号线的交叉点上的第1半导体层上形成含有杂质的第2半导体层及耐热金属层，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上及扫描线和信号线的交叉点上的耐热金属层上形成由透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极，在图像显示部外的区域内在部分扫描线上形成由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的扫描线的电极端子、以及由在图像显示部外的区域内的部分信号线所构成的由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线的电极端子，
在所述第1透明性绝缘基板上形成在所述像素电极上、及所述扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层。
利用该结构，半导体层是以和扫描线为自我整合的方式形成且栅极绝缘层是以和栅极相同的图形宽度只形成于栅极上及扫描线及信号线的交叉点附近，对栅极(扫描线)的侧面给予和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因此会形成于玻璃基板上。此外，有源基板上形成现有的钝化绝缘层而可以保护绝缘栅极型晶体管的通道及源极·漏极布线。又，扫描线及信号线的电极端子可以选择透明导电层及低电阻金属层的其中之一。
本发明第21方面的液晶显示装置同样如上所述，其特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的可阳极氧化的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在栅电极上、及扫描线及信号线的交叉点附近形成岛状的栅极绝缘层、及不含杂质的第1半导体层，
在栅电极上的第1半导体层上，除了像素电极及信号线及重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层及同样其侧面具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在除了扫描线及信号线的交叉点以外的扫描线及信号线的交叉点附近的第1半导体层上形成氧化硅层，
在扫描线及信号线的交叉点上的第1半导体层上形成其侧面具有氧化硅层的第2半导体层及其侧面具有阳极氧化层的耐热金属层，
在所述源电极·漏电极间的第1半导体层上形成氧化硅层，
在所述源极、第1透明性绝缘基板、以及所述扫描线及信号线的交叉点上的耐热金属层上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极，并在图像显示部外的区域内的部分扫描线上形成由透明导电层所构成的扫描线的电极端子，
在所述扫描线的电极端子以外的扫描线上形成阳极氧化层，
在图像显示部外的区域内除去信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
利用该结构，半导体层是以和扫描线为自我整合的方式形成且栅极绝缘层是以和栅极相同的图形宽度只形成于栅极上及扫描线及信号线的交叉点附近，而在扫描线及信号线的交叉区域附近以外的扫描线上形成扫描线的阳极氧化层，对栅极(扫描线)的侧面提供和栅极绝缘层不同的绝缘层，而使扫描线及信号线形成交叉。又，透明导电性像素电极和信号线同时形成，因此会形成于玻璃基板上。此外，源极·漏极间的通道上形成氧化硅层而可保护绝缘栅极型晶体管的通道且信号线及漏极布线的表面形成作为绝缘性阳极氧化层的例如氧化铝(AL2O3)从而提供钝化功能，因此可得到和本发明第3方面记载的TN型液晶显示装置相同的效果。
本发明第22方面的液晶显示装置是如本发明第6方面、本发明第7方面、本发明第8方面、本发明第9方面、本发明第10方面、本发明第11方面、本发明第14方面、本发明第15方面、本发明第16方面、本发明第17方面、本发明第18方面、本发明第19方面、本发明第20方面及本发明第21方面所记载的液晶显示装置，其特征在于，形成于扫描线的侧面的绝缘层是有机绝缘层。利用该结构，可以不受扫描线的材质及构成的影响，而在扫描线的侧面利用电沉积法形成有机绝缘层，并以半色调曝光技术利用1片光掩模连续实施扫描线的形成步骤、触点的形成步骤、扫描线的形成步骤、蚀刻终止层、或半导体层的形成步骤的处理。
本发明第23方面记载的液晶图像显示装置是如本发明第6方面、本发明第7方面、本发明第8方面、本发明第9方面、本发明第10方面、本发明第11方面、本发明第14方面、本发明第15方面、本发明第16方面、本发明第17方面、本发明第18方面、本发明第19方面、本发明第20方面及本发明第21方面所记载的液晶显示装置，其特征在于，第1金属层是由可阳极氧化的金属层构成的，形成于扫描线的侧面的绝缘层是阳极氧化层。利用该结构，可在扫描线的侧面利用阳极氧化形成阳极氧化层，并以半色调曝光技术利用1片光掩模连续实施扫描线的形成步骤、触点的形成步骤、扫描线的形成步骤、蚀刻终止层、或半导体层的形成步骤的处理。
本发明第24方面是如本发明第2方面所记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，其具有：用以形成扫描线的步骤、用以形成蚀刻终止层的步骤、用以形成半导体层的步骤、用以形成触点的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及用以选择性地只在信号线上残留感光性有机绝缘层的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可以选择性地只在信号线上残留感光性有机绝缘层，而实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，结果，可利用5片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第25方面是如本发明第3方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：用以形成扫描线的步骤、用以形成蚀刻终止层的步骤、用以形成半导体层的步骤、用以形成触点的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及针对阳极氧化而用以保护信号线以外的元件的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可以选择性地在信号线上形成阳极氧化层，而实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，结果，可利用5片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第26方面是如本发明第2方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：用以形成扫描线的步骤、用以形成蚀刻终止层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成触点及半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及用以选择性地只在信号线上残留感光性有机绝缘层的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可选择性地只在信号线上残留感光性有机绝缘层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成触点及半导体层实现制造步骤的减少，而可以4片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第27方面也是如本发明第3方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：用以形成扫描线的步骤、用以形成蚀刻终止层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成触点及半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及针对阳极氧化而用以保护信号线以外的元件的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可以选择性地只在信号线上形成阳极氧化层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成触点及半导体层实现制造步骤的减少，而可以4片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第28方面是如本发明第4方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：用以形成扫描线的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成蚀刻终止层及触点的步骤、用以形成半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及用以选择性地只在信号线上残留感光性有机绝缘层的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可选择性地只在信号线上残留感光性有机绝缘层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，同时实现以1片光掩模形成蚀刻终止层及触点的制造步骤的减少，而可以4片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第29方面是如本发明第5方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：用以形成扫描线的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成蚀刻终止层及触点的步骤、用以形成半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及针对阳极氧化而用以保护信号线以外的元件的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可以选择性地只在信号线上形成阳极氧化层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，同时实现以1片光掩模形成蚀刻终止层及触点的制造步骤的减少，而可以4片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第30方面是如本发明第6方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及触点的步骤、用以形成蚀刻终止层的步骤、用以形成半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及用以选择性地只在信号线上残留感光性有机绝缘层的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可选择性地只在信号线上残留感光性有机绝缘层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成扫描线及触点实现制造步骤的减少，而可以4片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第31方面是如本发明第7方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及触点的步骤、用以形成蚀刻终止层的步骤、用以形成半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及针对阳极氧化而用以保护信号线以外的元件的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可以选择性地只在信号线上形成阳极氧化层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成扫描线及触点实现制造步骤的减少，而可以4片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第32方面是如本发明第8方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及蚀刻终止层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成触点及半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及用以选择性地只在信号线上残留感光性有机绝缘层的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可选择性地只在信号线上残留感光性有机绝缘层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少、实现以1片光掩模形成扫描线及蚀刻终止层的制造步骤的减少、及以1片光掩模形成触点及半导体层实现制造步骤的减少，而可以3片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第33方面是如本发明第9方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及蚀刻终止层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成触点及半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及针对阳极氧化而用以保护信号线以外的元件的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可以选择性地只在信号线上形成阳极氧化层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少、实现以1片光掩模形成扫描线及蚀刻终止层的制造步骤的减少、及以1片光掩模形成触点及半导体层实现制造步骤的减少，而可以3片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第34方面是如本发明第10方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：用以形成蚀刻终止层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及触点的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及用以选择性地只在信号线上残留感光性有机绝缘层的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可选择性地只在信号线上残留感光性有机绝缘层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成扫描线及触点实现制造步骤的减少，而可以3片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第35方面是如本发明第11方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：用以形成蚀刻终止层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及触点的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及针对阳极氧化而用以保护信号线以外的元件的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可以选择性地只在信号线上形成阳极氧化层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成扫描线及触点实现制造步骤的减少，而可以3片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第36方面是如本发明第12方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：用以形成扫描线的步骤、用以形成半导体层的步骤、用以形成触点的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及用以形成钝化绝缘层的步骤。
利用该结构，可以1片光掩模形成像素电极及信号线而实现制造步骤的减少，结果，可利用5片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第37方面是如本发明第13方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：用以形成扫描线的步骤、用以形成半导体层的步骤、用以形成触点的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及针对阳极氧化而用以保护通道及信号线以外的元件的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可以选择性地在通道上及信号线上形成阳极氧化层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，而可以4片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第38方面也是如本发明第12方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：用以形成扫描线的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成触点及半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及用以形成钝化绝缘层的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线而实现制造步骤的减少、同时以1片光掩模形成触点及半导体层而实现制造步骤的减少，而可以4片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第39方面也是如本发明第13方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：用以形成扫描线的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成触点及半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及针对阳极氧化而用以保护通道及信号线以外的元件的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可以选择性地在通道上及信号线上形成阳极氧化层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成触点及半导体层实现制造步骤的减少，而可以3片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第40方面是如本发明第14方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及触点的步骤、用以形成半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及用以形成钝化绝缘层的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线而实现制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成扫描线及触点实现制造步骤的减少，而可以4片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第41方面是如本发明第15方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及触点的步骤、用以形成半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及针对阳极氧化而用以保护通道及信号线以外的元件的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可以选择性地在通道上及信号线上形成阳极氧化层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成扫描线及触点实现制造步骤的减少，而可以3片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第42方面是如本发明第16方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及半导体层的步骤、用以形成触点的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及用以形成钝化绝缘层的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线而实现制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成扫描线及半导体层实现制造步骤的减少，而可以4片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第43方面是如本发明第17方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及半导体层的步骤、用以形成触点的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及针对阳极氧化而用以保护通道及信号线以外的元件的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可以选择性地在通道上及信号线上形成阳极氧化层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成扫描线及半导体层实现制造步骤的减少，而可以3片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第44方面是如本发明第18方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：用以形成半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及触点的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及用以形成钝化绝缘层的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线而实现制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成扫描线及触点实现制造步骤的减少，而可以4片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第45方面是如本发明第19方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：用以形成半导体层的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及触点的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及针对阳极氧化而用以保护通道及信号线以外的元件的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可以选择性地在通道上及信号线上形成阳极氧化层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成扫描线及触点实现制造步骤的减少，而可利用3片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第46方面是如本发明第20方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及半导体层的步骤、用以使扫描线露出的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及用以形成钝化绝缘层的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线而实现制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成扫描线及半导体层并使扫描线露出而实现无需形成触点的制造步骤的减少，而可以3片光掩模制造TN型液晶显示装置。
本发明第47方面是如本发明第21方面记载的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具有：以半色调曝光技术利用1片光掩模形成扫描线及半导体层的步骤、用以使扫描线露出的步骤、以半色调曝光技术利用1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以1片光掩模形成像素电极及信号线的步骤、以及针对阳极氧化而用以保护通道及信号线以外的元件的步骤。
利用该结构，以1片光掩模形成像素电极及信号线时，可以选择性地在通道上及信号线上形成阳极氧化层，实现无需形成钝化绝缘层的制造步骤的减少，同时以1片光掩模形成扫描线及半导体层并使扫描线露出而实现无需形成触点的制造步骤的减少，而可以2片光掩模制造TN型液晶显示装置。
发明效果
本发明的效果如下所示。
本发明记载的液晶显示装置的一部分中，因为绝缘栅极型晶体管在通道上具有保护绝缘层，因而可以只在由图像显示部内的透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线上选择性地形成感光性有机绝缘层、或对由透明导电层及阳极可氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线实施阳极氧化而使其表面形成绝缘层，来对有源基板提供钝化功能。同样的，本发明记载的液晶显示装置的其它部分中，因为在通道上利用阳极氧化形成氧化硅层，因此可以对由透明导电层及可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，和通道同时实施阳极氧化，从而在其表面形成绝缘层，而对有源基板提供钝化功能。因此，制造构成前述液晶显示装置的有源基板时，不但不需要形成钝化绝缘层的步骤，也无需特别的加热步骤，因此以非晶硅层作为半导体层的绝缘栅极型晶体管无需过高的耐热性。换言之，可进一步具有不会因为形成钝化而导致电性性能变差的效果。又，只在信号线上形成感光性有机绝缘层或阳极氧化层时，因为导入半色调曝光技术而可选择性地保护扫描线或信号线的电极端子，而可以得到防止光蚀刻步骤数增加的特别效果。
利用半色调曝光技术的导入，可在形成由透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的源极·漏极布线后，选择性地除去漏极布线上的低电阻金属层而形成像素电极，利用此方式减少步骤是本发明的着眼点，因而产生扫描线及信号线的电极端子由透明导电层所构成的构造特征。
此外，利用以1片光掩模形成触点及蚀刻终止层或半导体层的合理化技术、以1片光掩模形成扫描线及触点的合理化技术、以及以1片光掩模形成扫描线及蚀刻终止层或半导体层的合理化技术的组合，可以使光蚀刻步骤数少于现有的5道，从而利用4道或3片光掩模即可制造液晶显示装置，从液晶显示装置的成本降低的观点来看，具有极大的工业价值。而且，这些步骤对图形精度的要求并不高，因此对良率及品质不会造成太大影响，也使生产管理更为容易。
又，由上述的说明可知，本发明的要件是在制造有源基板时，可以通过在信号线及像素电极的形成步骤中导入半色调曝光技术，在形成由透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的源极·漏极布线后，选择性地除去漏极布线上的低电阻金属层而形成像素电极这一点，其它结构方面，扫描线与栅极绝缘层等材质或膜厚等不同的显示装置用半导体装置、或其制造方法的差异也当然属于本发明的范畴，对于利用垂直定向的液晶显示装置及反射型液晶显示装置，本发明仍具有其有效性，又，绝缘栅极型晶体管的半导体层当然也未限定为非晶硅。
附图说明
图1是本发明实施例1的显示装置用半导体装置的平面图；
图2是本发明实施例1的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图3是本发明实施例2的显示装置用半导体装置的平面图；
图4是本发明实施例2的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图5是本发明实施例3的显示装置用半导体装置的平面图；
图6是本发明实施例3的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图7是本发明实施例4的显示装置用半导体装置的平面图；
图8是本发明实施例4的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图9是本发明实施例5的显示装置用半导体装置的平面图；
图10是本发明实施例5的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图11是本发明实施例6的显示装置用半导体装置的平面图；
图12是本发明实施例6的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图13是本发明实施例7的显示装置用半导体装置的平面图；
图14是本发明实施例7的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图15是本发明实施例8的显示装置用半导体装置的平面图；
图16是本发明实施例8的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图17是本发明实施例9的显示装置用半导体装置的平面图；
图18是本发明实施例9的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图19是本发明实施例10的显示装置用半导体装置的平面图；
图20是本发明实施例10的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图21是本发明实施例11的显示装置用半导体装置的平面图；
图22是本发明实施例11的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图23是本发明实施例12的显示装置用半导体装置的平面图；
图24是本发明实施例12的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图25是本发明实施例13的显示装置用半导体装置的平面图；
图26是本发明实施例13的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图27是本发明实施例14的显示装置用半导体装置的平面图；
图28是本发明实施例14的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图29是本发明实施例15的显示装置用半导体装置的平面图；
图30是本发明实施例15的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图31是本发明实施例16的显示装置用半导体装置的平面图；
图32是本发明实施例16的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图33是本发明实施例17的显示装置用半导体装置的平面图；
图34是本发明实施例17的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图35是本发明实施例18的显示装置用半导体装置的平面图；
图36是本发明实施例18的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图37是本发明实施例19的显示装置用半导体装置的平面图；
图38是本发明实施例19的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图39是本发明实施例20的显示装置用半导体装置的平面图；
图40是本发明实施例20的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图41是本发明实施例21的显示装置用半导体装置的平面图；
图42是本发明实施例21的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图43是本发明实施例22的显示装置用半导体装置的平面图；
图44是本发明实施例22的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图45是本发明实施例23的显示装置用半导体装置的平面图；
图46是本发明实施例23的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图47是本发明实施例24的显示装置用半导体装置的平面图；
图48是本发明实施例24的显示装置用半导体装置的制造步骤剖面图；
图49是实施例7、实施例8、实施例11、实施例12、实施例17、实施例18、实施例21、以及实施例22的以形成绝缘层为目的的连结图形的配置图；
图50是实施例9及实施例10的以形成绝缘层为目的的连结图形的配置图；
图51本发明的实施例的接绕图形的参考配置图；
图52是实施例19及实施例10的以形成绝缘层为目的的连结图形的配置图；
图53是实施例23及实施例24的以形成绝缘层为目的的连结图形的配置图；
图54是液晶面板的安装状态的斜视图；
图55是液晶面板的等效电路图；
图56是液晶面板的剖面图；
图57是现有例的有源基板的平面图；
图58是现有例的有源基板的制造步骤剖面图；
图59是合理化的有源基板的平面图；
图60是合理化的有源基板的制造步骤剖面图。
具体实施方式
参照图1～图53，针对本发明实施例进行说明。图1是本发明实施例1的显示装置用半导体装置(有源基板)的平面图，图2是图1的A-A’线、B-B’线、及C-C’线的制造步骤的剖面图。同样的图3及图4是实施例2、图5及图6是实施例3、图7及图8是实施例4、图9及图10是实施例5、图11及图12是实施例6、图13及图14是实施例7、图15及图16是实施例8、图17及图1 8是实施例9、图19及图20是实施例10、图21及图22是实施例11、图23及图24是实施例12、图25及图26是实施例13、图27及图28是实施例14、图29及图30是实施例15、图31及图32是实施例16、图33及图34是实施例17、图35及图36是实施例18、图37及图38是实施例19、图39及图40是实施例20、图41及图42是实施例21、图43及图44是实施例22、图45及图46是实施例23、图47及图48是实施例24的各自的有源基板的平面图及制造步骤的剖面图。又，和现有例相同的部位标以相同符号并省略详细说明。
[实施例1]
实施例1和现有例相同，先在玻璃基板2一主面上以SPT等真空制膜装置覆盖膜厚为0.1～0.3μm左右的例如Cr、Ta、Mo等、或其合金或者硅化物的第1金属层。为了实现低电阻化，必要时，当然也可以为AL(铝)或AL合金、及高耐热性的这些金属的叠层。其次，如图1(a)及图2(a)所示，利用微细加工技术选择性地形成兼用作栅电极11A的扫描线11及储存电容线16。
其次，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上依次覆盖分别为0.3μm、0.05μm、0.1μm左右膜厚的作为栅极绝缘层的第1 SiNx(氮化硅)层30、几乎不含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第1非晶硅(a-Si)层31、以及用作保护通道的绝缘层的第2 SiNx层32的3种薄膜层，如图1(b)及图2(b)所示，利用微细加工技术以宽度小于栅电极11A的方式选择性地残留栅电极11A上的第2 SiNx层并将其作为通道保护层(或者蚀刻终止层或保护绝缘层)32D，而使第1非晶硅层31露出。
接着，同样利用PCVD装置在整个表面上覆盖例如0.05μm左右的膜厚的含有例如磷的杂质的第2非晶硅层33，并在利用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚为0.1μm左右的例如Ti、Cr、Mo等的薄膜层34的耐热金属层后，如图1(c)及图2(c)所示，利用微细加工技术在栅电极11A上形成由宽度大于栅电极11A的耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A叠层而构成的半导体层区域，而使栅极绝缘层30露出。
接着，如图1(d)及图2(d)所示，利用微细加工技术选择性地在图像显示部外的区域的扫描线11上及储存电容线16上形成开口部63A、65A，对前述开口部63A、65A内的栅极绝缘层30实施蚀刻而分别使扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75露出。
其次，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，并在依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的低电阻金属层后，以微细加工技术利用感光性树脂图形86A、86B除去AL薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A，如图1(e)及图2(e)所示，以和通道保护层32D部分重叠的方式选择性地形成：含有部分半导体层区域34A并由透明导电层91A及低电阻金属层35A的叠层构成的兼用作源极布线的信号线12、及由透明导电层91B及低电阻金属层35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，还同时形成含有在源极·漏极布线12、21形成的同时露出的扫描线的一部分73的扫描线的电极端子5及由信号线的一部分所构成的电极端子6。如此，耐热金属层34A在此步骤被分割成一对电极34A1、34A2(图上都未标示)，信号线12是以含有一方的电极34A1的方式形成的，另外，像素电极22是以含有另一方的电极34A2的方式形成的，因此分别具有绝缘栅极型晶体管的源电极、漏电极的功能。省略其后的说明，然而，同样，虽然含有储存电容线16的一部分75而未标以号码，但还会形成储存电容线16的电极端子。
此时，利用半色调曝光技术在信号线12上的区域86A(黑区域)上形成例如膜厚为3μm的感光性树脂图形86A，其厚度大于利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的区域86B(中间色调区域)上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形86B是第1实施例的重要特征。对应电极端子5、6的86B的最小尺寸为较大的数10μm，不论光掩模的制作或是其完成尺寸的管理都极为容易，然而，因为对应信号线12的区域86A的最小尺寸为4～8μm，尺寸精度相对较高，因而黑区域需要较精细的图形。然而，和如合理化的现有例中所说明的以1次曝光处理及2次蚀刻处理形成的源极·漏极布线12、21相比，因为本发明的源极·漏极布线12、21是以1次曝光处理及1.5次蚀刻处理(如后面所述，第2次蚀刻只针对低电阻金属层35A、35B)而形成的，不但图形宽度的变动要因较少，源极·漏极布线12、21的尺寸管理、及源极·漏极布线12、21间、即通道长度的尺寸管理上，图形精度的管理都比现有半色调曝光技术更为容易。另外，和通道蚀刻型的绝缘栅极晶体管相比，决定蚀刻终止型绝缘栅极型晶体管的ON电流的是通道保护绝缘层32D的尺寸而非源极·漏极布线12、21间的尺寸，因而可以理解，步骤管理将更为容易是。
形成源极·漏极布线12、22后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形86A、86B减少1.5μm以上的膜厚时，不但会使感光性树脂图形86B消失并使像素电极(漏极)22及电极端子5、6上的低电阻金属层35A～35C露出，同时还会可以使只在信号线12上减少膜厚的感光性树脂图形86C残留下来，然而，如果上述氧等离子处理使感光性树脂图形86C在各方向上相同地减少膜厚而使感光性树脂图形86C的图形宽度变窄，则信号线12的上面露出，会降低液晶显示装置的可信度，因此期望氧等离子处理采用RIE(Reactive Ion Etching)方式、具有高密度等离子源的ICP(Inductive Coupled Plasama)方式、及TCP(Transfer Coupled Plasama)方式的氧等离子处理来强化异向性从而抑制图形尺寸的变化。其次，将膜厚减少的感光性树脂图形86C作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C时，如图1(f)及图2(f)所示，使透明导电性电极91A～91C露出，而分别得到电极端子6A、像素电极22、及电极端子5A。
将以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合从而液晶面板化，即可完成本发明实施例1。实施例1中，因为感光性树脂图形86C接触液晶，因此感光性树脂图形86C不采用以酚醛清漆类树脂为主要成分的通常的感光性树脂，而采用纯度较高的主要成分包含丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的高耐热性的感光性有机绝缘层是极为重要的一点，也可以是以依据感光性有机绝缘层的材质实施加热使其流动化，从而覆盖于信号线12的侧面的方式构成的，此时，可进一步提高液晶面板的可信度。关于储存电容15的结构，如图1(f)所示，是以像素电极22及储存电容线16隔着栅极绝缘层30而形成平面重叠的区域51(右下斜线部)构成储存电容15的情况为例，然而，储存电容15的结构并未局限于此，也可以是在前段的扫描线11及像素电极22间隔着含有栅极绝缘层30A的绝缘层而构成的。如图1(f)所示，防静电措施也可以是，在有源基板2的外周配置防静电措施用透明导电层图形40并将透明导电层图形40连结至透明导电性电极端子5A、6A而构成的现有例的防静电措施，然而，因为增加针对栅极绝缘层30的开口部形成步骤，因此其它防静电措施也很容易实现。
实施例1是只在信号线12上形成有机绝缘层而使像素电极22保持导电性地露出，然而，此方式仍可获得充分可信度的理由是因为基本上对液晶单元施加的驱动信号是交流的，在形成于彩色滤光片的相对面上的对向电极14及像素电极22间，为了减少直流电压成分而在图像检查时会调整对向电极14的电压(闪烁减少调整)，因此，只要在信号线12上形成绝缘层以使直流成分不会流过即可。
这样，实施例1是利用感光性有机绝缘层形成源极·漏极布线，且只在信号线12上一直保留感光性有机绝缘层，和现有制造方法相比，可以推进用于形成源极·漏极布线的感光性树脂图形的除去步骤、钝化绝缘层的形成步骤、以及用以对钝化绝缘层形成开口部的步骤的制造步骤的减少。然而，因为有机绝缘层的厚度通常为1μm以上，在高精细面板的像素较小时，利用摩擦布实施定向膜的定向处理时，其层差可能会导致非定向状态、或妨碍液晶单元的间隙精度的确保。因此，实施例2具有追加最小限度的步骤数并用以取代有机绝缘层的钝化技术。
[实施例2]
实施例2如图3(d)及图4(d)所示，直到对扫描线11及储存电容线16形成触点63A、65A的步骤为止，是通过和实施例1相同的制造步骤进行的。然而，耐热金属层34必须为阳极可氧化的金属，Cr、Mo、W等不适用，因此至少应选择Ti、最好选择Ta或高熔点金属的硅化物。
其后，在利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，并且，依次覆盖作为阳极可氧化的低电阻金属层的膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35之后，以微细加工技术利用感光性树脂图形87A、87B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A，如图3(e)及图4(e)所示，以和通道保护层32D部分重叠的方式选择性地形成：含有部分半导体层区域34A并由透明导电层91A及低电阻金属层35A的叠层构成且兼用作源极布线的信号线12、及由透明导电层91B及低电阻金属层35B的叠层构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，并且，还同时形成含有在形成源极·漏极布线12、21的同时露出的扫描线的一部分73并由扫描线的电极端子5及信号线的一部分构成的电极端子6。这时，利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的区域87A(黑区域)上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形87A，其厚度大于利用半色调曝光技术在信号线12上的区域87B(中间色调区域)中形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形87B是实施例2的重要特征。
形成源极·漏极布线12、22后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形87A、87B减少1.5μm以上的膜厚时，感光性树脂图形87B消失并露出信号线12(35A)，同时可以保留兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的膜厚已减少的感光性树脂图形87C。即使上述氧等离子处理使感光性树脂图形87C的图形宽度变窄，只会在具有较大图形尺寸的像素电极22及电极端子5、6的周围形成阳极氧化层，而几乎不会对电性特性、良率、及品质造成影响，这是值得特别一提的特征。其次，将感光性树脂图形87C作为掩模，如图3(f)及图4(f)所示，将信号线12阳极氧化而在其表面形成氧化层。信号线12的上面露出低电阻金属层的AL或AL合金薄膜层35A，另外，在通道侧的一方的侧面露出AL或AL合金薄膜层35A、透明导电层91A、及作为耐热金属层的Ti薄膜层34A1(未图示)以及第2非晶硅层33A的叠层，其次，在通道的相反侧的另一方的侧面则露出AL或AL合金薄膜层35A及透明导电层91A的叠层，通过阳极氧化，AL或AL合金薄膜层35A变质成作为绝缘层的氧化铝(AL2O3)69(12)，未图示的Ti薄膜层34A1变质成作为半导体的氧化钛(TiO2)68(12)，其次，同样未图示的第2非晶硅层33A则变质成含有杂质的氧化硅层(SiO2)66。像素电极22的上面覆盖着感光性树脂图形87C，另外，通道侧的一方的侧面露出AL或AL合金薄膜层35B、透明导电层91B、及作为耐热金属层的Ti薄膜层34A2(未图示)及第2非晶硅层33A的叠层，通道的相反侧的另一方的侧面则露出AL或AL合金薄膜层35B及透明导电层91B的叠层，同样形成这些薄膜的阳极氧化层。氧化钛层68虽然不是绝缘层，但是，其膜厚极薄且露出面积也较小，因此钝化上不会有问题，但是，耐热金属薄膜层34A最好应选择Ta。但是，必须注意到Ta不同于Ti的特性，即，欠缺吸收基底的表面氧化层而容易形成欧姆触点的功能的特性。即使对由IZO或ITO构成的透明导电层91A实施阳极氧化也不会形成绝缘性氧化层。
信号线12阳极氧化时，像素电极91B上的低电阻金属层35B的侧面会形成作为绝缘层的氧化铝69(35B)，若采取以导电性媒体连结扫描线及信号线的电极端子5、6间的防静电措施，则化成电流会从信号线12经由导电性媒体流过，由低电阻金属层35C所构成的电极端子5的侧面也同样会形成69(35C)。然而，一般而言，因为导电性媒体的电阻值较高，因此69(35C)的膜厚通常会比69(35B)的膜厚更薄。
利用阳极氧化形成的氧化铝69、氧化钛68、氧化硅层66的各氧化层的膜厚，以布线的钝化而言，0.1～0.2μm左右即已足够，利用乙二醇等化成液以同样为100V以上的施加电压即可实现。因为阳极氧化层69(12)的膜厚为0.1～0.2μm左右即可得到充分钝化性能，定向处理不会导致任何问题。虽然未图示，但源极·漏极布线12、21的阳极氧化时应注意的事项是，全部信号线12应以电性并联或串联方式形成，然而，若未在后续的某制造步骤中解除此并串联，则不但在有源基板2的电性检查时会出现障，也会妨碍液晶显示装置的实际动作。这一点在后面的实施例中也相同，作为解除手段，由激光照射引起蒸散、或由划线器机械切除均较简便，省略其详细说明。
阳极氧化结束后，在除去感光性树脂图形87C时，如图3(g)及图4(g)所示，露出由侧面形成阳极氧化层的低电阻金属层35B所构成的漏电极(像素电极)、及由低电阻金属层35A、35C所构成的电极端子6、5。
进而，以信号线12上的阳极氧化层69(12)作为掩模除去低电阻金属层35A～35C时，如图3(h)及图4(h)所示，使透明导电层91A～91C露出，而分别具有信号线的电极端子6A、像素电极22、及扫描线的电极端子5A的功能。另外，像素电极22(35B)侧面及扫描线的电极端子5侧面的阳极氧化层69(35B)及69(35C)因其存在母体(35B、35C)消失而消失。针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明的实施例2完成。储存电容15的结构和实施例1相同。
实施例2中只在信号线12上形成阳极氧化层而使像素电极22在保持导电性地露出，然而，此方式仍可获得充分可信度的理由是因为基本上对液晶单元施加的驱动信号是交流的，在形成于彩色滤光片的相对面上的对向电极14及像素电极22间，为了减少直流电压成分而在图像检查时会调整对向电极14的电压(闪烁减少调整)，因此，只要在信号线12上形成绝缘层以使直流成分不会流过即可。严格而言，信号线12的下侧面会露出透明导电层91A，但是其露出量最多为很小的0.1μm的宽度，例如，信号线12的图形宽度若为4μm，则只有大约1/40，因此，若在信号线12的上面形成绝缘层，则来自露出的透明导电层91A的直流成分所导致的液晶劣化是可以忽略的。
实施例1及实施例2中，可以同时形成像素电极及信号线且无需钝化绝缘层而实现步骤减少，然而，有源基板的制作上，仍然需要5片光掩模。本发明的主题在于实现其它主要步骤的合理化并进一步实现低成本化，以下的实施例是针对维持同时形成像素电极及信号线且无需钝化绝缘层而实现的步骤减少，实现其它主要步骤的合理化并实现4片光掩模处理、甚至3片光掩模处理的创意·发明进行说明。
[实施例3]
实施例3中，如图5(b)及图6(b)所示，至利用微细加工技术以宽度小于栅电极11A的方式选择性地残留栅电极11A上的第2 SiNx层并将其作为32D(蚀刻终止层、通道保护层、保护绝缘层)而使第1非晶硅层31露出为止，是以和实施例1相同的制造步骤进行的。
接着，同样利用PCVD装置在整个表面覆盖例如0.05μm左右膜厚的含有例如磷的杂质的第2非晶硅层33，并在利用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚为0.1μm左右的例如Ti、Cr、Mo等的薄膜层34的耐热金属层后，在图像显示部以外的区域内，在扫描线11及储存电容线16的触点形成区域上具有开口部63A、65A，并且利用半色调曝光技术在绝缘栅极型晶体管的半导体层形成区域、即栅电极11A上的区域81A上形成膜厚为例如2μm的感光性树脂图形81A，其厚度大于利用半色调曝光技术在其它区域81B上形成的膜厚1μm的感光性树脂图形81B。其次，如图5(c)及图6(c)所示，将感光性树脂图形81A、81B作为掩模，依次依次蚀刻开口部63A、65A内露出的耐热金属层34、第2非晶硅层33、及第1非晶硅层31，使开口部63A、65A内露出栅极绝缘层30。扫描线11的电极端子最大为驱动用LSI的电极间距的一半左右，通常具有20μm以上的大小，因此用以形成开口部63A、65A(白区域)的光掩模制作及其完成尺寸的精度管理都极为容易。
接着，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形81A、81B减少1μm以上的膜厚时，如图5(d)及图6(d)所示，感光性树脂图形81B会消失而使耐热金属层34露出且只在栅电极11A上保留膜厚减少的感光性树脂图形81C。图形宽度会依蚀刻终止层32D、栅电极11A、岛状半导体层形成区域(81C)的顺序而分别增加掩模校准精度(通常为2～3μm)份，因为源极·漏极布线12、21的掩模校准是以蚀刻终止层32D为基准来实施的，即使半导体层形成区域稍小，因为绝缘栅极型晶体管偏置而无法动作、或不会出现使绝缘栅极型晶体管的电性特性产生较大变化的影响，因此无需特别在意半导体层形成区域，即81C的尺寸变化。
接着，如图5(e)及图6(e)所示，将膜厚已减少的感光性树脂图形81C作为掩模，在栅电极11A上以宽度大于栅电极11A的方式选择性地保留耐热金属层34、第2非晶硅层33、及第1非晶硅层31并分别成为岛状34A、33A、31A而使栅极绝缘层30露出。感光性树脂图形81C(黑区域)，即半导体层形成区域34A的大小即使是最小尺寸也有16μm的大小，不但以白区域及黑区域以外的区域作为半色调曝光区域的光掩模的制作较为容易，即使半导体层形成区域34A的尺寸精度出现变动，也几乎不会导致绝缘栅极型晶体管的电性特性的变动，因此可以理解，步骤管理将十分容易。
此时，开口部63A、65A的蚀刻状况如下所示，最后，开口部63A、65A内分别露出扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75。耐热金属层34的蚀刻一般是采用使用氯气体的干蚀刻(干式蚀刻)，但是，此时，因为由SiNx所构成的栅极绝缘层30具有耐蚀性而几乎不会发生膜厚减少，因此先除去耐热金属层34而使玻璃基板2的整个表面上露出第2非晶硅层33。其次，虽然第2非晶硅层33及第1非晶硅层31的蚀刻是采用使用氟气体的干蚀刻，但是，此时，通过适当选择处理条件而使对由SiNx所构成的栅极绝缘层30的蚀刻速度快于(3倍左右)非晶硅层33、31，在完成第2非晶硅层33(膜厚为0.05μm)及第1非晶硅层31(膜厚为0.05μm)的蚀刻时，也完成开口部63A、65A内的由SiNx所构成的栅极绝缘层30(膜厚为0.3μm)的蚀刻，而使开口部63A、65A内分别露出扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75。
以快于此适当的蚀刻速度的速度结束第2非晶硅层33及第1非晶硅层31的蚀刻时，必须以过蚀刻除去开口部63A、65A内的栅极绝缘层30，然而，此时的玻璃基板2的整个表面上已经露出栅极绝缘层30，整体而言，栅极绝缘层30的膜厚会减少，很容易发生后续的制造步骤所形成的源极·漏极布线12、21及扫描线11的层间短路、及像素电极22及储存电容线16的层间短路而导致良率降低，其对策是，虽然未图示，但是可在信号线12及扫描线11的交点附近、及储存电容线16上保留和半导体层形成区域同样由耐热金属层34、第2非晶硅层33、及第1非晶硅层31所构成的叠层，来防止栅极绝缘层30的膜厚减少。即，可利用图形设计来确保良率。
半导体层形成区域的蚀刻时，若耐热金属层34的蚀刻气体或蚀刻液对露出的扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75的蚀刻速度极慢，例如，耐热金属层34为Cr、Mo(Cr的蚀刻液采用过氯酸及硝酸铈的混合液，Mo的蚀刻液采用在过氧化氢水添加微量氨的蚀刻液)、扫描线11为AL合金的情况下，如图5(c)及图6(c)所示，也会连续蚀刻栅极绝缘层30而使开口部63A、65A内分别露出扫描线11及储存电容线16的一部分73及75，其后，实施氧等离子处理，以膜厚已减少的感光性树脂图形81C作为掩模，利用上述蚀刻液除去耐热金属层34(Cr、Mo)，其次，利用干蚀刻实施第2非晶硅层33及第1非晶硅层31的蚀刻而使栅极绝缘层30可以露出，然而，一般而言，因为干蚀刻无法得到蚀刻液的选择比，此时，应采用前面记载的蚀刻方法。
除去前述感光性树脂图形81C后，和实施例1相同，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如1ZO或ITO的透明导电层91，并在依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在信号线12上的86A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形86A，其厚度大于利用半色调曝光技术在兼用作漏电极21的像素电极22上及电极端子5、6上形成的膜厚为1.5μm的感光性树脂图形86B，利用感光性树脂图形86A、86B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A，从而如图5(f)及图6(f)所示，选择性地形成和通道保护层32D形成重叠地含有部分半导体层区域34A并由91A及35A的叠层所构成且兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成并兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，也同时形成含有在源极·漏极布线12、21形成的同时露出的扫描线的一部分73并由扫描线的电极端子5和信号线的一部分所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形86A、86B减少1.5μm以上的膜厚时，感光性树脂图形86B会消失而可以使兼用作漏电极的像素电极22上及电极端子5、6上的低电阻金属层35A～35C露出，且只有信号线12上保留膜厚已减少的感光性树脂图形86C，以膜厚减少的感光性树脂图形86C作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，从而如图5(g)及图6(g)所示，形成透明导电性像素电极22及透明导电性电极端子5A、6A。
将以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合而实现液晶面板化，从而完成本发明实施例3。实施例3中，感光性树脂图形86C也接触液晶，因此感光性树脂图形86C不采用以酚醛清漆类树脂为主要成分的通常的感光性树脂，而采用高纯度的主要成分为丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的高耐热性的感光性有机绝缘层是极为重要的一点。储存电容15的结构如图5(g)所示，和实施例1相同，是以像素电极22及储存电容线16隔着栅极绝缘层30形成平面重叠的区域51(右下斜线部)构成储存电容15时为例，但是如前面说明所述，除了栅极绝缘层30以外，也很容易隔着耐热金属层34、第2非晶硅层33、及第1非晶硅层31的叠层。
[实施例4]
和实施例1及实施例2的关系相同，实施例4是针对实施例3追加最小限度的步骤数并具有用以取代有机绝缘层的钝化技术。实施例4如图7(e)及图8(e)所示，直到在栅电极11A上形成由耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A的叠层所构成的半导体层区域及图像显示外的区域的扫描线11上及储存电容线16上形成触点63A、65A为止，是和实施例3相同的制造步骤。然而，因为耐热金属层34必须为可阳极氧化的金属因此无法采用Cr、Mo、W等，因此至少应选择Ti、最好选择Ta或高熔点金属的硅化物。又，因为版面的关系，而省略图7(d)及图8(d)的记载。
其后，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面，覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，进一步覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的阳极可氧化的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在漏电极21上及电极端子5、6上的87A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形87A，其厚度大于利用半色调曝光技术在信号线12上的87B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形87B，利用感光性树脂图形87A、87B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A，如图7(f)及图8(f)所示，以和通道保护层32D部分重叠的方式选择性地形成含有部分半导体区域34A并由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，也同时形成含有因为源极·漏极布线12、21的形成而露出的扫描线的一部分73的扫描线的电极端子5、及由信号线的一部分所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形87A、87B减少1.5μm以上的膜厚，使感光性树脂图形87B消失并使信号线12(35A)露出且在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上保留膜厚已减少的感光性树脂图形87C。其次，将膜厚已减少的感光性树脂图形87C作为掩模，如图7(g)及图8(g)所示，对信号线12实施阳极氧化而在其表面形成氧化层69(12)。
阳极氧化结束后，除去感光性树脂图形87C，如图7(h)及图8(h)所示，使由其侧面形成阳极氧化层69(35B)的低电阻金属层35B所构成的像素电极、及由低电阻金属层35A、35C所构成的电极端子6、5露出。
将信号线12上的阳极氧化层69(12)作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图7(i)及图8(i)所示，使透明导电层91A～91C露出，并使其分别具有信号线的电极端子6A、像素电极22、及扫描线的电极端子5A的功能。针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合而实现液晶面板化，本发明实施例4完成。储存电容15的结构和实施例3相同。
如此，实施例3及实施例4是利用半色调曝光技术以同一光掩模处理半导体层的形成步骤及触点的形成步骤，达到制造步骤的减少，以4片光掩模得到液晶显示装置，然而，将半色调曝光技术应用于其它主要步骤也可实现不同内容的4片光掩模处理，以下针对其进行说明。
[实施例5]
实施例5是先利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的一主面上覆盖膜厚为0.1～0.3μm左右的例如Cr、Ta、Mo等、或其合金或硅化物的第1金属层。其次，如图9(a)及图9(a)所示，利用微细加工技术选择性地形成兼用作栅电极11A的扫描线11及储存电容线16。
其次，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上，以例如0.3-0.05-0.1μm左右的膜厚依次覆盖：作为栅极绝缘层的第1 SiNx层30、几乎未含有杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第1非晶硅层31、及作为用以保护通道的绝缘层的第2 SiNx层32的3种薄膜层，其次，如图9(b)及图10(b)所示，图像显示部外的区域的扫描线11及储存电容线16的触点形成区域上具有开口部63A、65A，并且利用半色调曝光技术在保护绝缘层形成区域，即栅电极11A上的区域85A上形成膜厚为例如2μm的感光性树脂图形85A，其厚度大于利用半色调曝光技术在其它区域85B上形成的膜厚1μm的感光性树脂图形85B，以感光性树脂图形85A、85B作为掩模，选择性地除去开口部63A、以及开口部65A内的第2 SiNx层32、第1非晶硅层31、与栅极绝缘层的第1 SiNx层30，而使扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75露出。即，在扫描线11及储存电容线16上形成触点。因为扫描线11的电极端子最大为驱动用LSI的电极间距的一半程度而通常为20μm以上的大小，因此以形成开口部63A、65B(白区域)为目的的光掩模制作及其完成尺寸的精度管理都极为容易。
接着，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形85A、85B减少1μm以上的膜厚，使感光性树脂图形85B消失，可使第2 SiNx层32露出且只在保护绝缘层形成区域上保留膜厚已减少的感光性树脂图形85C。感光性树脂图形85C的宽度，即，蚀刻终止层的图形宽度，是在源极·漏极布线间的尺寸加上掩模校准精度，因此，若源极·漏极布线间为4～6μm，校准精度为±3μm，则为10～12μm，是不严格的尺寸精度。然而，从抗蚀层图形85A转换成85C时，抗蚀层图形会呈现等向的1μm的膜厚减少，不但尺寸缩小2μm，源极·漏极布线形成时的掩模校准精度也会缩小1μm而成为±2μm，向比前者，后者对处理的影响更严格。因此，上述氧等离子处理时，为了抑制图形尺寸的变化，应强化异向性。具体而言，期望是RIE方式、具有更高密度的等离子源的ICP方式、及TCP方式的氧等离子处理。或者，如前所述，通过预估抗蚀层图形的尺寸变化量而预先放大设计抗蚀层图形85A的图形尺寸从而实现对应处理等处置。
接着，如图9(c)及图10(c)所示，将感光性树脂图形85C作为掩模，选择性地以宽度小于栅电极11A的方式实施第2 SiNx层32的蚀刻并将其作为蚀刻终止层32D，且使第1非晶硅层31露出。保护绝缘层形成区域，即感光性树脂图形85C(黑区域)的大小是，即使最小尺寸也具有10μm的大小，不但将白区域及黑区域以外的区域作为半色调曝光区域的光掩模的制作十分容易，和通道蚀刻型绝缘栅极型晶体管相比，决定绝缘栅极型晶体管的ON电流的是通道保护绝缘层32D的尺寸，因为并非源极·漏极布线12、21间的尺寸，因此可以理解，处理管理将更为容易。具体而言，例如通道蚀刻型中，源极·漏极布线间的尺寸为5±1μm、蚀刻终止型的保护绝缘层的尺寸为10±1μm的同一显像条件下，ON电流的变动量大致减半。
除去前述感光性树脂图形85C，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖例如0.05μm左右的膜厚的含有杂质例如磷的第2非晶硅层33后，进一步在利用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚为0.1μm左右的作为耐热金属层的例如Ti、Cr、Mo等薄膜层34后，如图9(d)及图10(d)所示，利用微细加工技术在栅电极11A上形成由宽度大于栅电极11A的耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A的叠层所构成的半导体层区域，而使栅极绝缘层30露出。此时，一般也会形成由含有开口部63A内露出的扫描线的一部分73的耐热金属层34C及第2非晶硅层33C的叠层所构成的中间电极。结果，中间电极下的开口部63A的周围会形成部分第1非晶硅层31C并残留下来。
如果是在形成第2非晶硅层33C及第1非晶硅层31C时不会生成提高扫描线的一部分73上的触点电阻的反应性生成物的扫描线材料或蚀刻方式，也可不形成上述中间电极而直接露出扫描线的一部分73，此时的有源基板2的结构和实施例1及实施例2相同，没有结构上的差异。
源极·漏极布线及像素电极的形成步骤和实施例1相同，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，并在依次覆盖作为低电阻金属层的膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35后，以微细加工技术利用感光性树脂图形86A、86B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A，如图9(e)及图10(e)所示，通过通道保护层32D部分重叠的方式选择性地形成含有部分半导体区域34A的由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、以及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，也会形成含有和源极·漏极布线12、21形成的同时露出的中间电极的扫描线的电极端子5、及由部分信号线所构成的电极端子6。
此时，利用半色调曝光技术在信号线12上的86A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形86A，其厚度大于利用半色调曝光技术在兼用作漏电极21的像素电极22上及电极端子5、6上的86B上形成的膜厚为1.5μm的感光性树脂图形86B是实施例5的重要特征。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形86A、86B减少1.5μm以上的膜厚，则感光性树脂图形86B会消失而使兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的低电阻金属层35A～35C露出且只在信号线12上残留膜厚已减少的感光性树脂图形86C。因此，以膜厚减少的感光性树脂图形86C作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图9(f)及图10(f)所示，可得到透明导电性像素电极22及透明导电性电极端子5A、6A。
针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合而实现液晶面板化，本发明实施例5完成。实施例5中，感光性树脂图形86C也接触液晶，因此，感光性树脂图形86C不采用以酚醛清漆类树脂为主要成分的通常的感光性树脂，而采用高纯度的主要成分为丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的高耐热性感光性有机绝缘层是极为重要的。储存电容15的结构如图9(f)所示，是以像素电极22及储存电容线16隔着栅极绝缘层30形成平面重叠的区域51(右下斜线部)构成储存电容15时为例，和实施例1相同。
[实施例6]
和实施例1及实施例2的关系相同，实施例6是针对实施例5追加最小限度的步骤数并具有用以取代有机绝缘层的钝化技术。实施例6如图11(d)及图12(d)所示，至以微细加工技术在栅电极11A上形成由宽度大于栅电极11A的可阳极氧化的耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A的叠层所构成的半导体层区域、含有开口部63A、65A的耐热金属层34C、以及第2非晶硅层33C的叠层所构成的中间电极而使栅极绝缘层30露出为止，是和实施例5相同的制造步骤。
其后，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，并依次覆盖作为可阳极氧化的低电阻金属层的膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35后，利用半色调曝光技术在漏电极21上及电极端子5、6上的87A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形87A，其厚度大于利用半色调曝光技术在信号线12上的87B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形87B，利用感光性树脂图形87A、87B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A，如图11(e)及图12(e)所示，由和通道保护层32D部分重叠的方式选择性地形成含有部分半导体区域34A的由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、以及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，也会形成含有因为形成源极·漏极布线12、21而露出的中间电极的扫描线的电极端子5、及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段针对上述感光性树脂图形87A、87B实施1.5μm以上的膜厚减少，感光性树脂图形87B会消失而使信号线12(35A)露出且兼用作漏电极21的像素电极22上及电极端子5、6上会残留膜厚已减少的感光性树脂图形87C。其次，将膜厚已减少的感光性树脂图形87C作为掩模，如图11(f)及图12(f)所示，对信号线12实施阳极氧化而在其表面形成氧化层69(12)。
阳极氧化结束后，除去感光性树脂图形87C，如图11(g)及图12(g)所示，使由其侧面形成阳极氧化层69(35B)的低电阻金属层35B所构成的像素电极、及由低电阻金属层35A、35C所构成的电极端子6、5露出。
以信号线12上的阳极氧化层69(12)作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图11(h)及图12(h)所示，使透明导电层91A～91C露出，使其分别具有信号线的电极端子6A、像素电极22、及扫描线的电极端子5A的功能。针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例6完成。储存电容15的结构和实施例5相同。
如此，实施例5及实施例6中，利用半色调曝光技术以同一光掩模来处理蚀刻终止层的形成步骤及触点的形成步骤，而达成制造步骤的减少，并以4片光掩模得到液晶显示装置，此外，因为还可实现不同内容的4片光掩模处理，因此以下针对其进行说明。
[实施例7]
实施例7是先利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的一主面上覆盖作为第1金属层的膜厚为0.1～0.3μm左右的例如Cr、Ta、Mo等、或其合金或硅化物。由以下的说明中可以更明确了解，实施例7中，形成于扫描线的侧面的绝缘层若选择有机绝缘层时，扫描线材料几乎没有任何限制，然而，形成于扫描线的侧面的绝缘层若选择阳极氧化层时，则必须使该阳极氧化层具有绝缘性，此时，若考虑Ta单体的高电阻、及AL单体的低耐热性，为了获得扫描线的低电阻化，扫描线的结构应选择由高耐热性的AL(Zr、Ta、Nd)合金等的单层构成、或AL/Ta、Ta/AL/Ta、及AL/AL(Ta、Zr、Nd)合金等的叠层构成。
其次，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上分别以例如0.3μm、0.05μm、0.1μm左右的膜厚依次覆盖：作为栅极绝缘层的第1SiNx层30、几乎不含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第1非晶硅层31、及作为用以保护通道的绝缘层的第2 SiNx层32的3种薄膜层，其次，如图13(a)及图14(a)所示，利用半色调曝光技术在对应开口部63A、65A的触点形成区域82B上形成膜厚为例如1μm的感光性树脂图形82B，其厚度小于利用半色调曝光技术在对应扫描线11及储存电容线16的区域82A上形成的膜厚2μm的感光性树脂图形82A，以感光性树脂图形82A、82B作为掩模，选择性地除去第2 SiNx层32、第1非晶硅层31、栅极绝缘层30、及第1金属层，使玻璃基板2露出。因为触点的大小是和电极端子相当的通常为10μm以上的大小，以形成82B(中间色调区域)为目的的光掩模的制作及其完成尺寸的精度管理都较为容易。
接着，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形82A、82B减少1μm以上的膜厚，如图13(b)及图14(b)所示，感光性树脂图形82B会消失而使开口部63A、65A内的第2 SiNx层32A、32B露出并在扫描线11上及储存电容线16上一直保留膜厚已减少的感光性树脂图形82C。感光性树脂图形82C(黑区域)，即栅电极11A的图形宽度是在保护绝缘层的尺寸中加上掩模校准精度，若通道的保护绝缘层为10～12μm、校准精度为±3μm，则最小也为16～18μm，因此为不严格的尺寸精度。又，扫描线11及储存电容线16的图形宽度也因为电阻值的关系而通常设定成10μm以上。然而，从抗蚀层图形82A转换成82C时，抗蚀层图形会呈现等向的1μm的膜厚减少，不但尺寸缩小2μm，后续的保护绝缘层形成时的掩模校准精度也会缩小1μm而成为±2μm，与前者相比，后者对处理的影响更严格。因此，上述氧等离子处理时，为了抑制图形尺寸的变化，应强化异向性。具体而言，应为RIE方式、具有更高密度等离子源的ICP方式、及TCP方式的氧等离子处理。或者，预估抗蚀层图形的尺寸变化量而预先放大设计抗蚀层图形82A的图形尺寸从而实现对应处理等处置。
接着，如图14(b)所示，在栅电极11A(扫描线11)的侧面形成绝缘层76。因此，如图49所示，需要并联着扫描线11(储存电容线16也相同，此处省略图标)的布线77、及在玻璃基板2的外周部实施电沉积或阳极氧化时对扫描线11提供电位的连结图形78，此外，必须将利用通过等离子CVD形成的非晶硅层31及氮化硅层30、32的制膜区域79以适当掩模手段限制于连结图形78的内侧，且至少必须使连结图形78露出。在连结图形78上以具有锐利刃尖的鳄口钳等连结手段刺破连结图形78上的感光性树脂图形82C(78)并提供+(正)电位从而将玻璃基板2浸渍于以乙二醇为主要成分的化成液中并进行阳极氧化时，若扫描线11为AL合金，则例如反应电压200V会形成具有0.3μm膜厚的氧化铝(AL2O3)。电沉积(electroplating)时，如文献：月刊「高分子加工」2002年11月号所示，利用含有偶羧基的聚酰亚胺电沉积液以数V的电沉积电压形成具有0.3μm膜厚的聚酰亚胺树脂层。对露出的扫描线11及储存电容线16的侧面形成绝缘层时应注意的事项是，在后续的某制造步骤中至少应解除扫描线11的并联，否则，不但有源基板2的电性检查时会出现障，也会妨碍液晶显示装置的实际动作。解除手段是利用激光照射的蒸散、或利用划线器的机械切除等简易方式，省略其详细说明。
[非专利文献1]月刊「高分子加工」2002年11月号
形成绝缘层76后，如图13(c)及图14(c)所示，将膜厚已减少的感光性树脂图形82C作为掩模，选择性地对开口部63A、65A内的第2SiNx层32A、32B、第1非晶硅层31A、31B、与栅极绝缘层30A、30B进行蚀刻，分别使扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75露出。
除去前述感光性树脂图形82C后，如图13(d)及图14(d)所示，利用微细加工技术以宽度小于栅电极11A的方式选择性对栅电极11A上的第2 SiNx层32A实施蚀刻并将其作为蚀刻终止层(或通道保护层、或保护绝缘层)32D且使扫描线11上的第1非晶硅层31A、及储存电容线16上的第1非晶硅层31B露出。此时，图上虽然未标示，然而，必要时，若以感光性树脂覆盖露出的扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75，很容易即可避免扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75在蚀刻第2 SiNx层32A时发生膜厚减少、或变质等问题。即，开口部63A、65A的周围会残留第2 SiNx层32C，但对扫描线11的接触性不会产生任何影响。
其后，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖例如0.05μm左右的膜厚的含有杂质例如磷的第2非晶硅层33，此外，利用SPT等真空制膜装置覆盖作为耐热金属层的膜厚0.1μm左右的例如Ti、Cr、Mo等的薄膜层34后，如图13(e)及图14(e)所示，以微细加工技术选择性地形成宽度大于栅电极11A并含有栅电极11A的由耐热金属层34A及第2非晶硅层33A的叠层所构成的半导体层区域，使玻璃基板2露出且利用过蚀刻除去扫描线11上及储存电容线16上的第1非晶硅层31A、31B，使栅极绝缘层30A、30B分别露出。此时，也会形成含有开口部63A、65A并由耐热金属层34C及第2非晶硅层33C的叠层所构成的中间电极。
源极·漏极布线及像素电极的形成步骤和实施例1相同，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，并在依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的低电阻金属层后，以微细加工技术利用感光性树脂图形86A、86B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A，如图13(f)及图14(f)所示，以和通道保护层32D形成重叠的方式选择性地形成含有部分半导体层区域34A并由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，也会形成含有和源极·漏极布线12、21形成的同时露出的中间电极的扫描线的电极端子5、及由部分信号线所构成的电极端子6。
此时，利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的86B上形成膜厚为1.5μm的感光性树脂图形86B，其厚度小于利用半色调曝光技术在信号线12上的86A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形86B是实施例7的重要特征。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形86A、86B减少1.5μm以上的膜厚，则感光性树脂图形86B会消失而使兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的低电阻金属层35A～35C露出且只有信号线12上残留膜厚已减少的感光性树脂图形86C。将膜厚减少的感光性树脂图形86C作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图13(g)及图14(g)所示，得到透明导电性像素电极22及透明导电性电极端子5A、6A。
针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合而实现液晶面板化，本发明实施例7完成。实施例7中，感光性树脂图形86C也接触液晶，因此感光性树脂图形86C不采用以酚醛清漆类树脂为主要成分的通常的感光性树脂，而采用纯度较高的主要成分为丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的高耐热性的感光性有机绝缘层是极为重要的一点。储存电容15的结构如图13(g)所示，是以像素电极22及储存电容线16隔着栅极绝缘层30B形成平面重叠的区域51(右下斜线部)构成储存电容15时为例，然而，储存电容15的结构并未受限于此，其构成上，前段的扫描线11及像素电极22间也可隔着含有栅极绝缘层30A的绝缘层。
[实施例8]
和实施例1及实施例2的关系相同，实施例8是针对实施例7追加最小限度的步骤数并具有用以取代有机绝缘层的钝化技术。实施例8如图15(e)及图16(e)所示，至以微细加工技术形成由含有栅电极11A并且宽度大于栅电极11A的阳极可氧化的耐热金属层34A及第2非晶硅层33A的叠层所构成的半导体区域、含有开口部63A、65A的耐热金属层34C、以及第2非晶硅层33C的叠层所构成的中间电极而使玻璃基板2露出为止，是和实施例5相同的制造步骤。又，因为版面的关系，而省略图15(c)及图16(c)的记载。
其后，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面，覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，此外，依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的可阳极氧化的低电阻金属层后，以半色调曝光技术在电极端子5、6上的87A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形87A，其厚度大于以半色调曝光技术在源极·漏极布线12、21上的87B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形87B，利用感光性树脂图形87A、87B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A，如图15(f)及图16(f)所示，选择性地形成和通道保护层32D形成部分重叠的含有部分半导体层区域34A的由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，也会形成含有因为形成源极·漏极布线12、21而露出的中间电极的扫描线的电极端子5、及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段针对上述感光性树脂图形87A、87B实施1.5μm以上的膜厚减少，使感光性树脂图形87B消失并使信号线12(35A)露出且保留兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的膜厚已减少的感光性树脂图形87C。其次，将膜厚已减少的感光性树脂图形87C作为掩模，如图15(g)及图16(g)所示，对信号线12实施阳极氧化而在其表面形成氧化层69(12)。
阳极氧化结束后，除去感光性树脂图形87C，如图15(h)及图16(h)所示，使由其侧面形成阳极氧化层69(35B)的低电阻金属层35B所构成的像素电极、及由低电阻金属层35A、35C所构成的电极端子6、5露出。
以信号线12上的阳极氧化层69(12)作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图15(i)及图16(i)所示，使透明导电层91A～91C露出，而使其分别具有信号线的电极端子6A、像素电极22、及扫描线的电极端子5A的功能。针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以进行液晶面板化，本发明实施例8完成。储存电容15的结构和实施例7相同。
这样，实施例7及实施例8是利用半色调曝光技术以同一光掩模处理扫描线的形成步骤及触点的形成步骤，达到制造步骤的减少，以4片光掩模得到液晶显示装置，然而，本发明者发现更合理化的组合的存在，而可利用其实现3片光掩模·处理，以下针对其进行说明。
[实施例9]
实施例9是和实施例7相同，首先，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的一主面上覆盖膜厚为0.1～0.3μm左右的作为第1金属层的例如Cr、Ta、Mo等、或其合金或硅化物。形成于扫描线的侧面的绝缘层选择阳极氧化层时，其阳极氧化层必须具有绝缘性，此时，若考虑Ta单体的高电阻、及AL单体的低耐热性，如前面说明所述，为了获得扫描线的低电阻化，扫描线的结构应选择高耐热性的AL(Zr、Ta、Nd)合金等的单层结构、或AL/Ta、Ta/AL/Ta、及AL/AL(Ta、Zr、Nd)合金等的叠层结构。
接着，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上，分别以例如0.3μm、0.05μm、0.1μm左右的膜厚依次覆盖：作为栅极绝缘层的第1SiNx层30、几乎不含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第1非晶硅层31、及作为用以保护通道的绝缘层的第2 SiNx层32的3种薄膜层，接着，如图17(a)及图18(a)所示，利用半色调曝光技术在保护绝缘层形成区域，即栅电极11A上的区域83A形成膜厚为例如2μm的感光性树脂图形83A，其厚度大于利用半色调曝光技术在对应扫描线11及储存电容线16的区域83B上形成的膜厚1μm的感光性树脂图形83B，以感光性树脂图形83A、83B作为掩模，选择性地除去第2 SiNx层32、第1非晶硅层31、栅极绝缘层30、及第1金属层从而使玻璃基板2露出。扫描线11的线宽，因为电阻值的关系，因此最小时通常也具有10μm以上的大小，因此，用以形成83B(中间色调区域)的的光掩模的制作及其完成尺寸的精度管理都较为容易。
接着，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形83A、83B减少1μm以上的膜厚，如图18(b)所示，感光性树脂图形83B会消失而使第2 SiNx层32A、32B(图上未标示)露出且只有保护绝缘层形成区域上会残留膜厚已减少的感光性树脂图形83C。上述氧等离子处理时，为了抑制图形尺寸的变化，应强化异向性。具体而言，应为RIE方式、具有更高密度的等离子源的ICP方式、及TCP方式的氧等离子处理。或者，如前面说明所述，预估抗蚀层图形的尺寸变化量而预先放大设计抗蚀层图形83A的图形尺寸、或以放大抗蚀层图形83A的图形尺寸的曝光·显像条件来实现对应处理等处置。
接着，如图17(b)及图18(b)所示，以膜厚已减少的感光性树脂图形83C作为掩模，以宽度小于栅电极11A的方式来选择性蚀刻第2SiNx层32A，并作为蚀刻终止层(或通道保护层或保护绝缘层)32D且分别使扫描线11上及储存电容线16上的第1非晶硅层31A、31B露出。
除去前述感光性树脂图形83C后，如图17(c)及图18(c)所示，在栅电极11A的侧面形成绝缘层76。因此，如图50所示，需要并联着扫描线11(储存电容线16也相同，此处省略图示)的布线77、及在玻璃基板2的外周部实施电沉积或阳极氧化时用以提供电位的连结图形78，并且，必须将利用等离子CVD的非晶硅层31及氮化硅层30、32的制膜区域79以适当掩模手段限制于连结图形78的内侧，且至少使连结图形78露出。针对连结图形78以具有锐利刃尖的鳄口钳等连结手段对扫描线11提供+(正)电位，并将玻璃基板2浸渍于以乙二醇为主要成分的化成液中以实施阳极氧化时，若扫描线11为AL合金，则以例如200V的化成电压会形成具有0.3μm膜厚的氧化铝(AL2O3)。电沉积时，利用前面所述的含有偶羧基的聚酰亚胺电沉积液以数V的电沉积电压形成具有0.3μm膜厚的聚酰亚胺树脂层。又，实施例9是通过形成绝缘层76而以作为绝缘层的氧化铝或聚酰亚胺树脂来填埋形成于扫描线11上的栅极绝缘层30A上的针孔，因此，可抑制扫描线11及后述源极·漏极布线12、21间的层间短路，并且还具有改善良率的辅助效果。
其后，因和实施例3的制造步骤相同，因此只简单进行说明，而利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖例如0.05μm左右的膜厚的含有例如磷的杂质第2非晶硅层33，并在利用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚为0.1μm左右的作为耐热金属层的例如Ti、Cr、Mo等薄膜层34之后，图像显示部外的区域的扫描线11及储存电容线16的触点形成区域具有开口部63A、65A，且利用半色调曝光技术在绝缘栅极型晶体管的半导体层形成区域，即栅电极11A上的区域81A内形成膜厚为例如2μm的感光性树脂图形81A，其厚度大于利用半色调曝光技术在其它区域81B内形成的膜厚1μm的感光性树脂图形81B。其次，如图17(d)及图18(d)所示，以感光性树脂图形81A、81B作为掩模，依次蚀刻开口部63A、65A内露出的耐热金属层34、第2非晶硅层33、及第1非晶硅层31A、31B，使开口部63A、65A内分别露出栅极绝缘层30A、30B。
接着，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形81A、81B减少1μm以上的膜厚，如图17(e)及图18(e)所示，感光性树脂图形81B会消失而使耐热金属层34露出且只有栅电极11A上的半导体层形成区域上残留膜厚已减少的感光性树脂图形81C。
接着，如图17(f)及图18(f)所示，以感光性树脂图形81C作为掩模，以宽度大于栅电极11A的方式选择性保留耐热金属层34及第2非晶硅层33从而形成岛状34A、33A，并使玻璃基板2露出。图形宽度会依蚀刻终止层32D、栅电极11A、岛状半导体层形成区域(81C)的顺序分别增加掩模校准精度(通常为2～3μm)的厚度，源极·漏极布线12、21的掩模校准是以蚀刻终止层32D为基准来实施掩模校准，即使半导体层区域稍小，因为绝缘栅极型晶体管偏置而无法动作、或不会出现使绝缘栅极型晶体管的电性特性产生较大变化的影响，因此无需特别注意半导体层形成区域的尺寸变化。
开口部63A、65A的蚀刻状况如实施例3的记载所示，最后，在形成于扫描线11及储存电容线16上的栅极绝缘层30A、30B的开口部63A、65A内，会分别露出扫描线11及储存电容线16的一部分73及75。
除去前述感光性树脂图形81C后，和实施例3相同，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，并在依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在信号线12上的86A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形86A，其厚度大于利用半色调曝光技术在漏电极21上及电极端子5、6上的86B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形86B，并利用感光性树脂图形86A、86B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A，如图17(g)及图18(g)所示，以和通道保护层32D形成部分重叠的方式选择性地形成含有部分半导体层区域34A的由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，在形成源极·漏极布线12、21的同时，也会形成含有开口部63A内露出的扫描线的一部分73的扫描线的电极端子5及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形86A、86B减少1.5μm以上的膜厚，则感光性树脂图形86B会消失而使兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的低电阻金属层35A～35C露出且只有信号线12上保留膜厚已减少的感光性树脂图形86C，以膜厚减少的感光性树脂图形86C作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图17(h)及图18(h)所示，形成透明导电性像素电极22及透明导电性电极端子5A、6A。
针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，完成本发明实施例9。实施例9中，感光性树脂图形86C也接触液晶，因此感光性树脂图形86C不采用以酚醛清漆类树脂为主要成分的通常的感光性树脂，而采用高纯度的主要成分为丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的高耐热性的感光性有机绝缘层是极为重要的一点。储存电容15的结构如图17(h)所示，是以像素电极22及储存电容线16隔着栅极绝缘层30B形成平面重叠的区域51(右下斜线部)构成储存电容15时为例，和实施例7相同。
[实施例10]
和实施例1及实施例2的关系相同，实施例10是针对实施例9追加最小限度的步骤数并具有用以取代有机绝缘层的钝化技术。实施例10如图19(f)及图20(f)所示，至利用微细加工技术在由含有栅电极11A并且宽度大于栅电极11的可阳极氧化的耐热金属层34A及第2非晶硅层33A的叠层所构成的半导体层区域、及图像显示部外的区域的扫描线11上及储存电容线16上的栅极绝缘层30A、30B上分别形成触点(开口部)63A、65A为止，是和实施例9相同的制造步骤。然而，因为版面的关系，省略对图19(b)、图19(e)、图20(b)、及图20(e)的记载。
其后，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上，覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，此外，依次覆盖膜厚为0.3μm左右的作为可阳极氧化的低电阻金属层的AL或AL(Nd)合金薄膜层35之后，利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的87A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形87A，其厚度大于利用半色调曝光技术在信号线12上的87B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形87B，利用感光性树脂图形87A、87B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A，如图19(g)及图20(g)所示，以和通道保护层32D形成部分重叠的方式选择性地形成由含有部分半导体层区域34A的由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，在形成源极·漏极布线12、21的同时，也会形成含有露出的触点(开口部)63A、65A的扫描线的电极端子5及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形87A、87B减少1.5μm以上的膜厚，使感光性树脂图形87B消失从而使信号线12(35A)露出，并且在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上保留膜厚已减少的感光性树脂图形87C。其次，将膜厚已减少的感光性树脂图形87C作为掩模，如图19(h)及图20(h)所示，对信号线12实施阳极氧化而在其表面形成氧化层69(12)。
阳极氧化结束后，除去感光性树脂图形87C，如图19(i)及图20(i)所示，使由其侧面形成阳极氧化层69(35B)的低电阻金属层35B所构成的像素电极、及由低电阻金属层35A、35C所构成的电极端子6、5露出。
以信号线12上的阳极氧化层69(12)作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图19(j)及图20(j)所示，使透明导电层91A～91C露出，并使其分别具有信号线的电极端子6A、像素电极22、及扫描线的电极端子5A的功能。对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例10完成。储存电容15的结构和实施例9相同。
这样，实施例9及实施例10中，扫描线的形成步骤、蚀刻终止层的形成步骤、触点的形成步骤、半导体层的形成步骤、源极·漏极布线的形成步骤、以及像素电极的形成步骤的全部光蚀刻步骤都是以半色调曝光技术来处理的，因此可利用3片光掩模得到液晶显示装置，又，从非现有观点来看，更换光蚀刻步骤的顺序可进一步减少制造步骤数，因而利用实施例11及实施例12针对其进行说明。
[实施例11]
实施例11也和实施例7相同，首先，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的一主面上覆盖膜厚为0.1～0.3μm左右的作为第1金属层92的例如Cr、Ta、Mo等、或其合金或硅化物。形成于扫描线的侧面的绝缘层选择阳极氧化层时，其阳极氧化层必须具有绝缘性，此时，若考虑Ta单体的高电阻、及AL单体的低耐热性，则如前面说明所述，为了获得扫描线的低电阻化，扫描线的结构应选择高耐热性的AL(Zr、Ta、Nd)合金等的单层结构、或AL/Ta、Ta/AL/Ta、及AL/AL(Ta、Zr、Nd)合金等的叠层结构。
其次，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上，分别以例如0.3μm、0.05μm、0.1μm左右的膜厚依次覆盖：作为栅极绝缘层的第1SiNx层30、几乎不含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第1非晶硅层31、及作为用以保护通道的绝缘层的第2 SiNx层32的3种薄膜层，其次，以微细加工技术选择性地蚀刻最上层的第2 SiNx层32，使其成为绝缘栅极型晶体管的保护绝缘层(或蚀刻终止层或通道保护层)的第2 SiNx层32D，并且，会使第1非晶硅层31露出。其后，如图21(a)及图22(a)所示，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖例如0.05μm左右的膜厚的含有例如磷的杂质的第2非晶硅层33，此外，利用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚0.1μm左右的作为耐热金属层的例如Ti、Cr、Mo等的薄膜层34。
接着，如图21(b)及图22(b)所示，利用半色调曝光技术在作为触点形成区域82B的开口部63A、65A上形成膜厚为例如1μm的感光性树脂图形82B，其厚度小于利用半色调曝光技术在对应扫描线11及储存电容线16的区域82A上形成的膜厚2μm的感光性树脂图形82A，以感光性树脂图形82A、82B作为掩模，选择性地除去耐热金属层34、第2非晶硅层层33、第1非晶硅层31、栅极绝缘层30、及第1金属层92，从而使玻璃基板2露出。因为触点的大小是和电极端子相当的通常为10μm以上的大小，用以形成82B(中间色调区域)的光掩模的制作及其完成尺寸的精度管理都较为容易。
接着，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形82A、82B减少1μm以上的膜厚，如图21(c)及图22(c)所示，感光性树脂图形82B会消失而使开口部63A、65A内的耐热金属层34A、34B露出，并且在扫描线11上及储存电容线16上一直保留膜厚已减少的感光性树脂图形82C。感光性树脂图形82C(黑区域)，即栅电极11A的图形宽度是以保护绝缘层的尺寸加上掩模校准精度，若保护绝缘层为10～12μm、校准精度为±3μm，则最小也为16～18μm，因此为不太严格的尺寸精度。又，扫描线11及储存电容线16的图形宽度也因为电阻值的关系而通常设定成10μm以上。然而，实施例11并无半导体层的形成步骤，且半导体层是以和栅电极11A相同的尺寸形成于栅电极11A上，因此从抗蚀层图形82A转换成82C时，抗蚀层图形会呈现等向的1μm的膜厚减少，不但尺寸只缩小2μm，后续的源极·漏极布线形成时的掩模校准精度也会缩小1μm而成为±2μm，与前者相比，后者对处理的影响更加严格。因此，上述氧等离子处理时，为了抑制图形尺寸的变化，应强化异向性。具体而言，应为RIE方式、具有更高密度等离子源的ICP方式、及TCP方式的氧等离子处理。或者，通过预估抗蚀层图形的尺寸变化量而预先放大设计抗蚀层图形82A的图形尺寸从而实现对应处理等处置。
其后，如图22(c)所示，在栅电极11A的侧面形成绝缘层76。因此，如图49所示，需要并联着扫描线11(储存电容线16也相同，此处省略图示)的布线77、及在玻璃基板2的外周部实施电沉积或阳极氧化时用以提供电位的连结图形78，此外，必须将利用等离子CVD的非晶硅层31、33及氮化硅层30、32、以及利用SPT的耐热金属层34的制膜区域79以适当掩模手段限制于连结图形78的内侧，且至少使连结图形78露出。针对连结图形78以具有锐利刃尖的鳄口钳等连结手段刺破连结图形78上的感光性树脂图形82C(78)，对扫描线11提供+(正)电位，将玻璃基板2浸渍于以乙二醇为主要成分的化成液中实施阳极氧化，若扫描线11为AL合金，则例如反应电压200V会形成具有0.3μm膜厚的氧化铝(AL2O3)。电沉积时，利用含有偶羧基的聚酰亚胺电沉积液以数V的电沉积电压形成具有0.3μm膜厚的聚酰亚胺树脂层。
形成绝缘层76后，如图21(d)及图22(d)所示，以膜厚已减少的感光性树脂图形82C作为掩模，选择性地蚀刻开口部63A、65A内的耐热金属层34A、34B、第2非晶硅层33A、33B、第1非晶硅层31A、31B、以及栅极绝缘层30A、30B，从而分别使扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75露出。
除去前述感光性树脂图形82C后，和实施例1相同，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的作为透明导电层91的例如IZO或ITO，并在依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在信号线12上的86A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形86A，其厚度大于利用半色调曝光技术在漏电极21上及电极端子5、6上的86B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形86B，并利用感光性树脂图形86A、86B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、34B、第2非晶硅层33A、33B、以及第1非晶硅层31A、31B，如图21(e)及图22(e)所示，以和通道保护层32D形成部分重叠的方式选择性地形成由含有部分半导体层区域34A并由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，在形成源极·漏极布线12、21的同时，也同时形成开口部63A周围的耐热金属层34C、第2非晶硅层33C、第1非晶硅层31C、含有露出的扫描线的一部分73的扫描线的电极端子5、以及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形86A、86B减少1.5μm以上的膜厚，则感光性树脂图形86B会消失而使兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的低电阻金属层35A～35C露出，并且只有信号线12上保留膜厚已减少的感光性树脂图形86C，以膜厚减少的感光性树脂图形86C作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图21(f)及图22(f)所示，形成透明导电性像素电极22及透明导电性电极端子5A、6A。
针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例11完成。实施例11中，感光性树脂图形86C也接触液晶，因此感光性树脂图形86C不采用以酚醛清漆类树脂为主要成分的通常的感光性树脂，而采用纯度较高的主要成分为丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的高耐热性的感光性有机绝缘层是极为重要的一点。储存电容15的结构如图21(f)所示，是以像素电极22及储存电容线16隔着耐热金属层34B、第2非晶硅层33B、第1非晶硅层31B、以与栅极绝缘层30B形成平面重叠的区域51(右下斜线部)构成储存电容15时为例。
[实施例12]
和实施例1及实施例2的关系相同，实施例12是针对实施例11追加最小限度的步骤数并具有用以取代有机绝缘层的钝化技术。实施例12如图23(d)及图24(d)所示，至在栅电极11A上的由耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A的叠层所构成的半导体层区域、及在图像显示外的区域内在扫描线11上及储存电容线16上形成触点63A、65A为止，是和实施例11相同的制造步骤。然而，因为耐热金属层34必须为可阳极氧化的金属而无法采用Cr、Mo、W等，因此至少应选择Ti，最好选择Ta或高熔点金属的硅化物。
其后，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上，覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，此外，依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的可阳极氧化的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在兼用作漏电极21的像素电极22上及电极端子5、6上的87A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形87A，其厚度大于利用半色调曝光技术在信号线12的87B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形87B，并利用感光性树脂图形87A、87B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、34B、第2非晶硅层33A、33B、以及第1非晶硅层31A、31B，如图23(e)及图24(e)所示，以和通道保护层32D形成重叠的方式选择性地形成含有部分半导体层区域34A并由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成并兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，在形成源极·漏极布线12、21的同时，也形成开口部63A的周围的耐热金属层34C、第2非晶硅层33C、第1非晶硅层31C、含有露出的扫描线的一部分73的扫描线的电极端子5、以及由部分信号线构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段针对上述感光性树脂图形87A、87B实施1.5μm以上的膜厚减少，感光性树脂图形87B会消失而使信号线12(35A)露出且兼用作漏电极21的像素电极22上及电极端子5、6上会残留膜厚已减少的感光性树脂图形87C。以膜厚已减少的感光性树脂图形87C作为掩模，如图23(f)及图24(f)所示，对信号线12实施阳极氧化而在其表面形成氧化层69(12)。
阳极氧化结束后，除去感光性树脂图形87C，如图23(9)及图24(9)所示，使由其侧面形成阳极氧化层69(35B)的低电阻金属层35B所构成的像素电极、及由低电阻金属层35A、35C所构成的电极端子6、5露出。
此外，以信号线12上的阳极氧化层69(12)作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图23(h)及图24(h)所示，使透明导电层91A～91C露出，并使其分别具有信号线的电极端子6A、像素电极22、及扫描线的电极端子5A的功能。针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例12完成。储存电容15的结构和实施例11相同。
以上所述的液晶显示装置，绝缘栅极型晶体管采用蚀刻终止型，然而，采用通道蚀刻型的绝缘栅极型晶体管也可实现作为本发明主题的信号线及像素电极的同时形成，以下实施例针对其进行说明。
[实施例13]
实施例13中，首先利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的一主面上覆盖膜厚为0.1～0.3μm左右的例如Cr、Ta、Mo等、或其合金或硅化物的第1金属层。其次，如图25(a)及图26(a)所示，利用微细加工技术选择性地形成兼用作栅电极11A的扫描线11及储存电容线16。
其次，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上，分别依次覆盖例如0.3μm、0.2μm、0.05μm左右的膜厚的作为栅极绝缘层的第1SiNx层30、几乎不含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第1非晶硅层31、以及含有例如磷的杂质的作为绝缘栅极型晶体管的源极·漏极的第2非晶硅层33的3种薄膜层，并在利用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚为0.1μm左右的例如Ti、Cr、Mo等薄膜层34的耐热金属层后，如图25(b)及图26(b)所示，以微细加工技术在栅电极11上选择性地形成宽度大于栅电极11A并由耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A的叠层所构成的半导体层区域而使栅极绝缘层30露出。
接着，如图25(c)及图26(c)所示，以微细加工技术选择性地在图像显示部外的区域的扫描线11上及储存电容线16上形成开口部63A、65A，对前述开口部63A、65A内的栅极绝缘层30实施蚀刻而分别使扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75露出。
其次，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，并在依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的低电阻金属层后，以微细加工技术利用感光性树脂图形88A、88B蚀刻除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、以及第2非晶硅层33A，并以使第1非晶硅层31A残留0.05～0.1μm的程度进行蚀刻，如图25(d)及图26(d)所示，以和栅电极11A形成部分重叠的方式选择性地形成由含有部分半导体层区域34A的低电阻金属层35A及透明导电层91A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由低电阻金属层35B及透明导电层91B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，在形成源极·漏极布线12、21的同时，也会形成含有开口部63A内露出的扫描线的一部分73的扫描线的电极端子5及由部分信号线所构成的电极端子6。如此，耐热金属层34A在此步骤被分割成一对电极34A1、34A2(图上都未标示)，因为信号线12是以含有一方的电极34A1的方式形成，又，像素电极22是以含有另一方的电极34A2的方式形成，因此分别具有绝缘栅极型晶体管的源电极，漏电极的功能。
此时，利用半色调曝光技术在信号线12上及电极端子5、6上的区域88A(黑区域)上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形88A，其厚度大于利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上的区域88B(中间色调区域)上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形88B是实施例13的重要特征。对应电极端子5、6的88B的最小尺寸为较大的数10μm，不论光掩模的制作或是其完成尺寸的管理都极为容易，然而，因为对应信号线12的区域88A的最小尺寸为尺寸精度相对较高的4～8μm，黑区域需要较细微的图形。然而，和如合理化的现有例中的说明所示的以1次曝光处理及2次蚀刻处理形成的源极·漏极布线12、21相比，因为本发明的源极·漏极布线12、21是以1次曝光处理及1.5次蚀刻处理形成的，不但图形宽度的变动要因较少，无论源极·漏极布线12、21的尺寸管理，还是源极·漏极布线12、21间、即通道长度的尺寸管理，其图形精度的管理都比现有半色调曝光技术更为容易。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形88A、88B减少1.5μm以上的膜厚，则感光性树脂图形88B会消失而使兼用作漏极的像素电极22上的低电阻金属层35B露出且在信号线12上及电极端子5、6上一直保留膜厚已减少的感光性树脂图形88C，然而，上述氧等离子处理若使感光性树脂图形88C呈等向膜厚减少而使感光性树脂图形88C的图形宽度变窄，则后续的低电阻金属层35B的除去步骤会使信号线12(35A)的线宽变窄，因此氧等离子处理应采用RIE方式、具有更高密度的等离子源的ICP方式、及TCP方式的氧等离子处理来强化异向性而抑制图形尺寸的变化。或者，预估抗蚀层图形的尺寸变化量而预先放大设计抗蚀层图形88A的图形尺寸从而实现对应处理等的处置。其次，以膜厚已减少的感光性树脂图形88C作为掩模，除去低电阻金属层35B，如图25(e)及图26(e)所示，得到透明导电性的像素电极22。除去低电阻金属层35B时，露出的绝缘栅极型晶体管的通道层的第1非晶硅31A的膜厚会减少、或受损，因此使绝缘栅极型晶体管的电性特性不会劣化的低电阻金属层35A～35C的材质及蚀刻方法是本发明的重点，从该观点来看，采用AL、Cr、Mo、W等蚀刻选择比大的低电阻金属层，蚀刻液则以分别以磷酸、硝酸铈、及过氯酸为主要成分的Cr蚀刻液、以及添加微量氨的过氧化氢水为佳。
除去膜厚已减少的感光性树脂图形88C后，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面覆盖0.3μm左右的膜厚的第2 SiNx层的透明性绝缘层作为钝化绝缘层37，如图25(f)及图26(f)所示，在像素电极22上及电极端子5、6上分别形成开口部38、63、64，选择性地除去各开口部内的钝化绝缘层，而使像素电极22及电极端子5、6的大部分露出。
针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例13完成。储存电容15的结构如图25(f)所示，是以像素电极22及储存电容线16隔着栅极绝缘层30形成平面重叠的区域51(右下斜线部)构成储存电容15时为例，然而，储存电容15的结构并未受限于此，其结构上，前段的扫描线11及像素电极22间也可隔着含有栅极绝缘层30的绝缘层。防静电措施和实施例1相同，也可在有源基板2的***配置防静电措施用透明导电层图形40并将透明导电层图形40连结至透明导电性电极端子5A、6A的结构的现有例的防静电措施，然而，因为增加针对栅极绝缘层30的开口部形成步骤，因此其它防静电措施也很容易。
实施例13中，是以低电阻金属层35C、35B分别构成电极端子5、6，因此可以得到TCP安装或COG安装时可降低连结电阻的优点。另一方面，若低电阻金属层采用AL或AL(Nd)合金，则因水份浸入而容易腐蚀，因此有液晶面板安装上需要高度密封技术的问题。在此补充一点，即，和AL合金相比，ITO或IZO对水份浸入的耐腐蚀性较高，因此可以和实施例1～实施例12相同，以提供透明导电性电极端子5A、6A，因此，用以形成源极·漏极布线12、21的感光性树脂图形88A、88B也可以和实施例1相同，将其变更成信号线12上的膜厚大于兼用作漏极的像素电极22上、及电极端子5、6上的膜厚的感光性树脂图形86A、86B。这一点也可应用于后面说明的实施例15、实施例17、实施例19、实施例21、以及实施例23的设计。图25(g)及图26(g)是其最终的平面图及剖面图。
或者，在形成源极·漏极布线12、21时，以不利用半色调曝光的方式来形成源极·漏极布线12、21，而在钝化绝缘层37形成开口部38、63、64时，除了除去钝化绝缘层37以外，还除去低电阻金属层35A～35C，也可以得到透明导电性像素电极22及透明导电性电极端子5A、6A。此时，因为构成信号线12的低电阻金属层35A是以一次蚀刻形成的，因此可以提高图形精度，而具有可以避免因为信号线12变窄而使电阻值变大的优点、及第2次除去低电阻金属层35A～35C时可以利用钝化绝缘层37保护通道部而避免通道部受损的优点。这一点也可应用于后面说明的实施例15、实施例17、实施例19、实施例21、以及实施例23的装置及处理的新构想上。图25(h)及图26(h)是最后的平面图及剖面图。
如实施例2所示，以采用可阳极氧化的金属薄膜作为源极·漏极布线材，来取代实施例13的利用SiNx的钝化形成，也可在形成源极漏极布线时利用阳极氧化形成绝缘性阳极氧化层，而实现源极·漏极布线的钝化形成，通道蚀刻型绝缘栅极型晶体管也可在通道表面形成氧化硅层时，同时实施通道的钝化形成，因此，可进一步减少光蚀刻步骤数，以实施例14针对其进行说明。
[实施例14]
实施例14如图27(c)及图28(c)所示，至以微细加工技术选择性地形成图像显示部外的区域的扫描线11上及储存电容线16上的开口部63A、65A，对前述开口部63A、65A内的栅极绝缘层30实施蚀刻而分别使扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75露出为止，是和实施例13相同的制造步骤。然而，第1非晶硅层31的膜厚也可为较薄的0.1μm。又，因为耐热金属层34必须为阳极可氧化的金属而无法采用Cr、Mo、W等，因此至少应选择'、最好选择Ta或高熔点金属的硅化物。
源极·漏极布线的形成步骤中，会利用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，还会依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的可阳极氧化的低电阻金属层。其次，以微细加工技术利用感光性树脂图形87A、87B依次对AL或AL(Nd)合金薄膜层35及透明导电层91进行蚀刻，如图27(d)及图28(d)所示，以和栅电极11A形成部分重叠的方式选择性地形成含有部分半导体层区域34A并由透明导电层91A及低电阻金属层35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由透明导电层91B及低电阻金属层35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21。而无施实施含有杂质的第2非晶硅层33A及不含杂质的第1非晶硅层31A的蚀刻。在形成源极·漏极布线12、21的同时，也会形成含有开口部63A内露出的扫描线的一部分73的扫描线的电极端子5、及由部分信号线所构成的电极端子6，此时，利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形87A，其厚度大于利用半色调曝光技术在信号线12上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形87B是实施例14的重要特征。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段针对上述感光性树脂图形87A、87B实施1.5μm以上的膜厚减少，使感光性树脂图形87B消失并使信号线12(35A)露出且在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上保留膜厚已减少的感光性树脂图形87C。即使上述氧等离子处理使感光性树脂图形87C的图形宽度变窄，因为具有较大图形尺寸的兼用作漏极的像素电极22及电极端子5、6的周围会形成阳极氧化层，因此对电性特性、良率及品质都没有影响，这是值得特别一提的特征。此外，如图27(e)及图28(e)所示，以膜厚已减少的感光性树脂图形87C作为掩模，和实施例2相同，照射光并同时进行信号线12的阳极氧化从而形成氧化层69(12)，并且将和源极·漏极布线12、21间露出的第2非晶硅层33A在厚度方向上相邻接的部分第1非晶硅层31A阳极氧化，从而形成作为绝缘层的含有杂质的氧化硅层66及不含杂质的氧化硅层(未图示)。
信号线12的上面会露出作为低电阻金属层的AL或AL合金薄膜层35A，又，通道侧的一方侧面则会露出AL或AL合金薄膜层35A、透明导电层91A、及耐热金属层的Ti薄膜层34A的叠层，此外，通道的相反侧的另一方侧面则会露出AL或AL合金薄膜层35A及透明导电层91A的叠层，利用阳极氧化，可使AL或AL合金薄膜层35A变质成绝缘层的氧化铝(AL2O3)69(12)，而且，图上未标示的Ti薄膜层34A也会变质成半导体的氧化钛(TiO2)68(12)。像素电极(漏极)22的上面覆盖着感光性树脂图形87C，又，通道侧的一方侧面露出AL或AL合金薄膜层35B、透明导电层91B、及耐热金属层的Ti薄膜层34A的叠层，而通道的相反侧的另一方侧面则露出AL或AL合金薄膜层35B及透明导电层91B的叠层，同样在这些薄膜上形成阳极氧化层。氧化钛层68虽然不是绝缘层，然而，因为膜厚极薄且露出面积较小，钝化上大致没有问题，然而，耐热金属薄膜层34A仍以选择Ta为佳。然而，必须注意到Ta不同于Ti的特性，即，欠缺吸收基底的表面氧化层而容易形成欧姆触点的功能的特性。即使对由IZO或ITO所构成的透明导电层91A进行阳极氧化也不会形成绝缘性氧化层。
信号线12阳极氧化时，像素电极91B上的低电阻金属层35B的侧面会形成绝缘层的氧化铝69(35B)，若在防静电措施中以导电介质连结扫描线及信号线的电极端子5、6间，则会从信号线12经由导电介质流过反应电流，因此由低电阻金属层35C所构成的电极端子5的侧面也同样会形成69(35C)。然而，一般而言，导电性媒体的电阻值较高，因此69(35C)的膜厚会小于通常的69(35B)的膜厚。
如果通道间的含有杂质的第2非晶硅层33A在厚度方向上完全未实施绝缘层化，则会导致绝缘栅极型晶体管的漏电电流的增大。因而，在前面实例中已说明照射光的同时实施阳极氧化是阳极氧化步骤的重点。具体而言，照射1万勒克斯左右的强光而使绝缘栅极型晶体管的漏电电流超过μA，则依据源极·漏极布线12、21间的通道部及漏电极21的面积来进行计算，可实现10mA/cm2左右的阳极氧化，而得到用以获得良好膜质的电流密度。
又，通过将化成电压设定成比足以使含有杂质的第2非晶硅层33A阳极氧化而变质成作为绝缘层的氧化硅层66的100V的化成电压高出10V左右，可以使和形成的含有杂质的氧化硅层66相接的不含杂质的第1非晶硅层31A的一部分(100左右)也变质成不含杂质的氧化硅层(未图示)，可提高通道的电性纯度并使源极·漏极布线12、21间的电性分离更为完全。即，绝缘栅极型晶体管的OFF电流会充分减少而得到高ON/OFF比。
阳极氧化结束后，除去感光性树脂图形87C，如图27(f)及图28(f)所示，使由其侧面形成阳极氧化层69(35B)的低电阻金属层35B所构成的像素电极、及由低电阻金属层35A、35C所构成的电极端子6、5露出。
以信号线12上的阳极氧化层69(12)作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图27(g)及图28(g)所示，使透明导电层91A～91C露出，并使其分别具有信号线的电极端子6A、像素电极22、及扫描线的电极端子5A的功能。又，像素电极22(35B)的侧面及扫描线电极端子5的侧面的阳极氧化层69(35B)及69(35C)因为存在母体(35B、35C)消失而消失。针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以进行液晶面板化，本发明实施例14完成。储存电容15的结构和实施例13相同。
实施例14中，只在信号线12上形成阳极氧化层69(12)，而使像素电极22一直保有导电性并露出，而其仍可获得充分可信度的理由如实施例2所述，是因为基本上对液晶单元施加的驱动信号为交流，在形成于彩色滤光片的相对面上的对向电极14及像素电极22间，为了减少直流电压成分而在图像检查时会调整对向电极14的电压(闪烁减少调整)，因此，只要在信号线12上形成绝缘层以使直流成分不会流过即可。
实施例13及实施例14中，可实现同时形成像素电极及信号线且无需钝化绝缘层的步骤减少，然而，其必要的掩模数只不过分别为5片及4片。实现其它主要步骤的合理化从而进一步实现低成本化是本发明的主题，以下的实施例是针对维持同时形成像素电极及信号线且无需钝化绝缘层的步骤减少，同时实现其它主要步骤的合理化并实现4片光掩模处理、甚至3片光掩模处理的创意·发明进行说明。
[实施例15]
实施例15中，首先利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的一主面上覆盖膜厚为0.1～0.3μm左右的例如Cr、Ta、Mo等、或其合金或硅化物的第1金属层。其次，如图29(a)及图30(a)所示，利用微细加工技术选择性地形成兼用作栅电极11A的扫描线11及储存电容线16。
接着，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上，分别依次覆盖例如0.3μm、0.2μm、0.05μm左右的膜厚的作为栅极绝缘层的第1SiNx层30、几乎不含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第1非晶硅层31、以及含有例如磷的杂质的作为绝缘栅极型晶体管的源极·漏极的第2非晶硅层33的3种薄膜层，并在利用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚为0.1μm左右的例如Ti、Cr、Mo等薄膜层34的耐热金属层后，在图像显示部外的区域内，在扫描线11及储存电容线16的触点成区域上具有开口部63A、65A，并且利用半色调曝光技术在绝缘栅极型晶体管的半导体层形成区域、即栅电极11A上的区域81A上形成膜厚为例如2μm的感光性树脂图形81A，其厚度大于利用半色调曝光技术在其它区域81B上形成的膜厚1μm的感光性树脂图形81B。其次，如图29(b)及图30(b)所示，以感光性树脂图形81A、81B作为掩模，依次蚀刻开口部63A、65A内露出的耐热金属层34、第2非晶硅层33、及第1非晶硅层31，并使开口部63A、65A内露出栅极绝缘层30。
接着，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形81A、81B减少1μm以上的膜厚，如图29(c)及图30(c)所示，感光性树脂图形81B会消失而使耐热金属层34露出且只在栅电极11A上一直保留膜厚已减少的感光性树脂图形81C。感光性树脂图形81C的宽度，即岛状半导体层的图形宽度，是在栅电极11A的尺寸上加上掩模校准精度，因此，若栅电极11A为10～12μm、校准精度为±3μm，其将为16～18μm，是不太严格的尺寸精度。然而，从抗蚀层图形81A转换成81C时，抗蚀层图形会呈现等向的1μm的膜厚减少，不但尺寸缩小2μm，后续的源极·漏极布线形成时的掩模校准精度也会缩小1μm而成为±2μm，与前者相比，后者对处理的影响更加严格。因此，上述氧等离子处理时，为了抑制图形尺寸的变化，应强化异向性。如前面所述，具体而言，应为RIE方式、具有更高密度的等离子源的ICP方式、及TCP方式的氧等离子处理。正如前面说明所述，或者，预估抗蚀层图形的尺寸变化量而预先放大设计抗蚀层图形81A的图形尺寸从而进行对应处理等处置。
接着，如图29(d)及图30(d)所示，以膜厚已减少的感光性树脂图形81C作为掩模，选择性地以宽度大于栅电极11A的方式保留耐热金属层34、第2非晶硅层33、及第1非晶硅层31从而形成岛状34A、33A、31A，并使栅极绝缘层30露出。
此时，开口部63A、65A的蚀刻状况和实施例3十分酷似，最后，开口部63A、65A内分别露出扫描线11及储存电容线16的一部分73及75。耐热金属层34的蚀刻是采用一般的氯系气体的干蚀刻(干式蚀刻)，此时，因为由SiNx所构成的栅极绝缘层30具有耐蚀性而几乎不会发生膜厚减少，因此先除去耐热金属层34而使玻璃基板2的整个表面上露出第2非晶硅层33。其次，第2非晶硅层33及第1非晶硅层31的蚀刻是采用氟系气体的干蚀刻(干式蚀刻)，此时，通过适当选择处理条件使由SiNx所构成的栅极绝缘层30以和非晶硅层31、33大致相同速度被蚀刻，在完成第2非晶硅层33(膜厚为0.05μm)及第1非晶硅层31(膜厚为0.2μm)的蚀时，停止开口部63A、65A内的由SiNx所构成的栅极绝缘层30(膜厚为0.3μm)的蚀刻，并使开口部63A、65A内分别露出扫描线11及储存电容线16的一部分73及75。
以快于此适当蚀刻速度比的速度结束第2非晶硅层33及第1非晶硅层31的蚀刻时，必须以过蚀刻除去开口部63A、65A内的栅极绝缘层30，然而，此时的玻璃基板2的整个表面已经露出栅极绝缘层30，整体而言，栅极绝缘层30的膜厚会减少，很容易发生后续的制造步骤所形成的信号线12及扫描线11的层间短路、及像素电极22及储存电容线16的层间短路而导致良率恶化，其对策是，可以在信号线12及扫描线11的交点附近、及储存电容线16上保留未图示的和半导体层形成区域同样由耐热金属层34、第2非晶硅层33、及第1非晶硅层31所构成的叠层，以防止栅极绝缘层30的膜厚减少。即，如实施例3所述，可利用图形设计来确保良率。
除去前述感光性树脂图形81C后，和实施例13相同，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，并在依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在信号线12上及电极端子5、6上的88A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形88A，其厚度大于利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上的88B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形88B，利用感光性树脂图形88A、88B蚀刻并除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、及第2非晶硅层33A，蚀刻第1非晶硅层31A并残留0.05～0.1μm左右，如图29(e)及图30(e)所示，以和栅电极11A形成部分重叠的方式选择性地形成含有半导体层区域34A并由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，也同时形成由含有在源极·漏极布线12、21形成的同时露出的扫描线的一部分73的扫描线的电极端子5、及由信号线的一部分所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形88A、88B减少1.5μm以上的膜厚，则感光性树脂图形88B会消失而使兼用作漏极的像素电极22上的低电阻金属层35B露出且信号线12上及电极端子5、6上保留膜厚已减少的感光性树脂图形88C，以膜厚已减少的感光性树脂图形88C作为掩模，除去低电阻金属层35B，如图29(f)及图30(f)所示，使透明导电性像素电极22露出。同样如实施例13所述，在除去低电阻金属层35B时，应充分注意作为通道而露出的第1非晶硅层31A的膜厚减少及损伤。
除去膜厚已减少的感光性树脂图形88C后，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖0.3μm左右的膜厚的第2 SiNx层的透明性绝缘层以作为钝化绝缘层37，如图29(g)及图30(g)所示，在像素电极22上及电极端子5、6上分别形成开口部38、63、64，选择性地除去各开口部内的钝化绝缘层而使像素电极22及电极端子5、6的大部分露出。
针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例15完成。储存电容15的结构如图29(g)所示，是以像素电极22及储存电容线16隔着栅极绝缘层30形成平面重叠的区域51(右下斜线部)构成储存电容15时为例，如前面说明所述，除了栅极绝缘层30以外，也很容易隔着耐热金属层34、第2非晶硅层33、及第1非晶硅层31的叠层。
[实施例16]
和实施例13与实施例14的关系相同，实施例16针对实施例15追加最小限度的步骤数而具有用以取代有机绝缘层的钝化技术。实施例16如图31(d)及图32(d)所示，至在栅电极11A上的由耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A的叠层所构成的半导体层区域、及在图像显示外的区域的扫描线11上及储存电容线16上形成触点63A、65A为止，是和实施例15相同的制造步骤。然而，第1非晶硅层31的膜厚可以为较薄的0.1μm。又，因为耐热金属层34必须为可阳极氧化的金属而无法采用Cr、Mo、W等，因此至少应选择Ti、最好选择Ta或高熔点金属的硅化物。
其后，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上，覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，此外，依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的可阳极氧化的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的87A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形87A，其厚度大于利用半色调曝光技术在信号线12上的87B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形87B，并利用感光性树脂图形87A、87B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35及透明导电层91及耐热金属层34A，如图31(e)及图32(e)所示，以和栅电极11A形成部分重叠的方式选择性地形成含有部分半导体层区域34A的由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21。无需对含有杂质的第2非晶硅层33A、及不含杂质的第1非晶硅层31A进行蚀刻。形成源极·漏极布线12、21的同时，也形成含有露出的扫描线的一部分73的扫描线的电极端子5、及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段针对上述感光性树脂图形87A、87B实施1.5μm以上的膜厚减少，使感光性树脂图形87B消失并使信号线12(35A)露出且在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上保留膜厚已减少的感光性树脂图形87C。其次，以膜厚已减少的感光性树脂图形87C作为掩模，如图31(f)及图32(f)所示，对信号线12实施阳极氧化而在其表面形成氧化层69(12)，并对和源极·漏极布线12、21间露出的第2非晶硅层33A相邻接的部分第1非晶硅层31A实施阳极氧化，形成绝缘层的含有杂质的氧化硅层66、及不含杂质的氧化硅层(未图示)。
阳极氧化结束后，除去感光性树脂图形87C，如图31(g)及图32(g)所示，使由其侧面形成阳极氧化层69(35B)的低电阻金属层35B所构成的像素电极、及由低电阻金属层35A、35C所构成的电极端子6、5露出。
以信号线12上的阳极氧化层69(12)作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图31(h)及图32(h)所示，使透明导电层91A～91C露出，使其分别具有信号线的电极端子6A、像素电极22、及扫描线的电极端子5A的功能。针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例16完成。储存电容15的结构和实施例15相同。
这样，实施例15及实施例16是利用半色调曝光技术以同一光掩模来处理半导体层的形成步骤及触点的形成步骤，从而推进制造步骤的减少，分别以4道及3片光掩模得到液晶显示装置，然而，将半色调曝光技术应用于其它主要步骤也可实现不同内容的4片光掩模处理及3片光掩模处理，以下针对其进行说明。
[实施例17]
实施例17是先利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的一主面上覆盖膜厚为0.1～0.3μm左右的例如Cr、Ta、Mo等、或其合金或硅化物的第1金属层。形成于扫描线的侧面的绝缘层选择阳极氧化层时，其阳极氧化层必须具有绝缘性，这时，若考虑Ta单体的高电阻、及AL单体的低耐热性，如前面说明所述，为了获得扫描线的低电阻化，扫描线的结构应选择高耐热性的AL(Zr、Ta、Nd)合金等的单层结构、或AL/Ta、Ta/AL/Ta、及AL/AL(Ta、Zr、Nd)合金等的叠层结构。
其次，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上，分别依次覆盖例如0.3μm、0.2μm、0.05μm左右的膜厚的作为栅极绝缘层的第1SiNx层30、几乎不含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第1非晶硅层31、以及含有例如磷的杂质的作为绝缘栅极型晶体管的源极·漏极的第2非晶硅层33的3种薄膜层，并在利用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚为0.1μm左右的例如Ti、Cr、Mo等薄膜层34的耐热金属层后，如图33(a)及图34(a)所示，利用半色调曝光技术在对应开口部63A、65A的触点形成区域82B上形成膜厚为例如1μm的感光性树脂图形82B，其厚度小于利用半色调曝光技术在对应扫描线11及储存电容线16的区域82A上形成的膜厚2μm的感光性树脂图形82A，以感光性树脂图形82A、82B作为掩模，选择性地除去耐热金属层34、第2非晶硅层33、第1非晶硅层31、栅极绝缘层30、及第1金属层，丛而使玻璃基板2露出。
接着，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形82A、82B减少1μm以上的膜厚，如图33(b)及图34(b)所示，感光性树脂图形82B会消失而使开口部63A、65A内露出耐热金属层34A、34B且在扫描线11上及储存电容线16上一直保留膜厚已减少的感光性树脂图形82C。感光性树脂图形82C(黑区域)的宽度，即，栅电极11A的图形宽度，是在源极·漏极布线间的尺寸上加上掩模校准精度，若源极·漏极布线间为4～12μm、校准精度为±3μm，则最小也为10～12μm，是不太严格的尺寸精度。又，扫描线11及储存电容线16的图形宽度也因为电阻值的关系而通常设定成10μm以上。然而，实施例17中，因为无法以宽度大于栅电极11A的方式形成半导体层，从抗蚀层图形82A转换成82C时，抗蚀层图形会呈现等向的1μm的膜厚减少，不但尺寸缩小2μm，后续的源极·漏极布线形成时的掩模校准精度也会缩小1μm而成为±2μm，与前者相比，后者对处理的影响会更加严格。因此，上述氧等离子处理时，为了抑制图形尺寸的变化，应强化异向性。具体而言，应为RIE方式、具有更高密度等离子源的ICP方式、及TCP方式的氧等离子处理。或者，预估抗蚀层图形的尺寸变化量而预先放大设计抗蚀层图形82A的图形尺寸从而进行对应处理等的处置。
接着，如图34(b)所示，在栅电极11A的侧面形成绝缘层76。因此，如图49所示，需要并联着扫描线11(储存电容线16也相同，此处省略图示)的布线77、及在玻璃基板2的外周部实施电沉积或阳极氧化时用以提供电位的连结图形78，此外，必须将利用等离子CVD的非晶硅层31、33及氮化硅层30、及利用SPT等真空制膜装置的耐热金属层34的制膜区域79以适当掩模手段限制于连结图形78的内侧，且至少使连结图形78露出。针对连结图形78以具有锐利刃尖的鳄口钳等连结手段刺破连结图形78上的感光性树脂图形82C(78)，并对扫描线11提供+(正)电位，将玻璃基板2浸渍于以乙二醇为主要成分的化成液中实施阳极氧化，若扫描线11为AL合金，则例如200V的反应电压会形成具有0.3μm膜厚的氧化铝(AL2O3)。电沉积时，也如实施例5所述，利用含有偶羧基的聚酰亚胺电沉积液以数V的电沉积电压形成具有0.3μm膜厚的聚酰亚胺树脂层。
形成绝缘层76后，如图33(c)及图34(c)所示，以感光性树脂图形82C作为掩模，选择性地对开口部63A、65A内的耐热金属层34A、34B、第2非晶硅层33A、33B、第1非晶硅层31A、31B、及栅极绝缘层30A、30B进行蚀刻，从而分别使扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75露出。
除去前述感光性树脂图形82C后，如图33(d)及图34(d)所示，以微细加工技术在栅电极11A上选择性地保留由耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A的叠层所构成的岛状半导体层区域，使扫描线11上的栅极绝缘层30A及储存电容线16上的栅极绝缘层30B露出。这时，若以感光性树脂覆盖开口部63A、65A内露出的扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75，则很容易即可避免扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75在形成半导体层区域时出现膜厚减少、或变质等问题。即，开口部63A、65A的周围也会残留部分耐热金属层34C、第2非晶硅层33C、及第1非晶硅层31C，但对扫描线11的接触性不会产生任何影响。
其后，和实施例13相同，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，并在依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在信号线12上及电极端子5、6上的88A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形88A，其厚度大于利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上的88B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形88B，利用感光性树脂图形88A、88B蚀刻除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、耐热金属层34A、及第2非晶硅层33A，并以使第1非晶硅层31A残留0.05～0.1μm的程度进行蚀刻，如图33(e)及图34(e)所示，以和半导体层区域34A形成部分重叠的方式选择性地形成由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，在形成源极·漏极布线12、21的同时，也会形成开口部63A、65A周围的耐热金属层34C、第2非晶硅层33C、第1非晶硅层31C、含有露出的扫描线的一部分73的扫描线的电极端子5、及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形88A、88B减少1.5μm以上的膜厚，则感光性树脂图形88B会消失而使兼用作漏极的像素电极22上的低电阻金属层35B露出且在信号线12上及电极端子5、6上保留膜厚已减少的感光性树脂图形88C，以膜厚已减少的感光性树脂图形88C作为掩模，除去低电阻金属层35B，如图33(f)及图34(f)所示，使透明导电性像素电极22露出。如实施例13中所述，应充分注意作为通道而露出的第1非晶硅层31A的膜厚减少及损伤。
除去膜厚已减少的感光性树脂图形88C后，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖0.3μm左右的膜厚的第2 SiNx层的透明性绝缘层以作为钝化绝缘层37，如图33(g)及图34(g)所示，像素电极22上及电极端子5、6上会分别形成开口部38、63、64，选择性地除去各开口部内的钝化绝缘层而使像素电极22及电极端子5、6的大部分露出。
针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例17完成。储存电容15的结构如图33(g)所示，是以像素电极22及储存电容线16隔着栅极绝缘层30B形成平面重叠的区域51(右下斜线部)构成储存电容15时为例。省略对防静电措施的记载，然而，因为具有触点形成步骤，因此可以采用各种结构的防静电措施。
[实施例18]
与实施例13和实施例14的关系相同，实施例18是针对实施例17追加最小限度的步骤数并具有用以取代有机绝缘层的钝化技术。实施例18如图35(d)及图36(d)所示，至在栅电极11A上的由耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A的叠层所构成的半导体层区域及图像显示外的区域的扫描线11上及储存电容线16上形成触点63A、65A为止，是和实施例17相同的制造步骤。然而，第1非晶硅层31的膜厚也可为较薄的0.1μm。又，因为耐热金属层34必须为可阳极氧化的金属而无法采用Cr、Mo、W等，因此至少应选择Ti、最好选择Ta或高熔点金属的硅化物。
其后，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上，覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，此外，依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的可阳极氧化的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的87A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形87A，其厚度大于利用半色调曝光技术在信号线21上的87B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形87B，并利用感光性树脂图形87A、87B选择性地除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35及透明导电层91，如图35(e)及图36(e)所示，以和半导体层区域34A形成部分重叠的方式选择性地形成由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21。无需对含有杂质的第2非晶硅层33A及不含杂质的第1非晶硅层31A进行蚀刻。在形成源极·漏极布线12、21的同时，也会同时形成开口部63A、65A周围的耐热金属层34C、第2非晶硅层33C、第1非晶硅层31C、含有露出的扫描线的一部分73的扫描线的电极端子5、及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段针对上述感光性树脂图形87A、87B实施1.5μm以上的膜厚减少，使感光性树脂图形87B消失并使信号线12(35A)露出且在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上保留膜厚已减少的感光性树脂图形87C。其次，以膜厚已减少的感光性树脂图形87C作为掩模，如图35(f)及图36(f)所示，对信号线12实施阳极氧化而在其表面形成氧化层69(12)，并对和源极·漏极布线12、21间露出的第2非晶硅层33A相邻接的部分第1非晶硅层31A实施阳极氧化，形成绝缘层的含有杂质的氧化硅层66及不含杂质的氧化硅层(未图示)。
阳极氧化结束后，除去感光性树脂图形87C，如图35(g)及图36(g)所示，使由其侧面形成阳极氧化层69(35B)的低电阻金属层35B所构成的像素电极、及由低电阻金属层35A、35C所构成的电极端子6、5露出。
以信号线12上的阳极氧化层69(12)作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图35(h)及图36(h所示，使透明导电层91A～91C露出，使其分别具有信号线的电极端子6A、像素电极22、及扫描线的电极端子5A的功能。针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例18完成。储存电容15的结构和实施例17相同。
这样，实施例17及实施例18是利用半色调曝光技术以同一光掩模处理扫描线的形成步骤及触点的形成步骤，从而推进制造步骤的减少，分别以4道及3片光掩模得到液晶显示装置，然而，本发明者发现更合理化的组合的存在，而可利用其实现不同内容的4片光掩模处理及3片光掩模处理，以下针对其进行说明。
[实施例19]
实施例19是先利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的一主面上覆盖膜厚为0.1～0.3μm左右的例如Cr、Ta、Mo等、或其合金或硅化物的第1金属层。形成于扫描线的侧面的绝缘层选择阳极氧化层时，其阳极氧化层必须具有绝缘性，此时，若考虑Ta单体的高电阻、及AL单体的低耐热性，如前面说明所述，为了获得扫描线的低电阻化，扫描线的结构应选择高耐热性的AL(Zr、Ta、Nd)合金等的单层结构、或AL/Ta、Ta/AL/Ta、及AL/AL(Ta、Zr、Nd)合金等的叠层结构。
其次，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上，分别依次覆盖例如0.3μm、0.2μm、0.05μm左右的膜厚的作为栅极绝缘层的第1SiNx层30、几乎不含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第1非晶硅层31、以及含有例如磷的杂质的作为绝缘栅极型晶体管的源极·漏极的第2非晶硅层33的3种薄膜层，并在利用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚为0.1μm左右的例如Ti、Cr、Mo等薄膜层34的耐热金属层后，如图37(a)及图38(a)所示，利用半色调曝光技术在半导体层形成区域，即，栅电极11A上的区域84A上形成膜厚为例如2μm的感光性树脂图形84A，其厚度大于利用半色调曝光技术在对应扫描线11及储存电容线16的区域84B上形成的膜厚1μm的感光性树脂图形84B，以感光性树脂图形84A、84B作为掩模，选择性地除去耐热金属层34、第2非晶硅层33、第1非晶硅层31、栅极绝缘层30、及第1金属层，使玻璃基板2露出。
接着，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形84A、84B减少1μm以上的膜厚，如图37(b)及图38(b)所示，感光性树脂图形84B会消失而使耐热金属层34A、34B露出且只在半导体层形成区域上残留膜厚已减少的感光性树脂图形84C。感光性树脂图形84C(黑区域)的宽度，即栅电极11A(半导体层)的图形宽度，是在源极·漏极布线间的尺寸上加上掩模校准精度，若源极·漏极布线间为4～6μm、校准精度为±3μm，则最小也为10～12μm，因此为不太严格的尺寸精度。然而，从抗蚀层图形84A转换成84C时，抗蚀层图形会呈现等向的1μm的膜厚减少，不但尺寸缩小2μm，后续的源极·漏极布线形成时的掩模校准精度也会缩小1μm而成为±2μm，与前者相比，后者对处理的影响更加严格。因此，上述氧等离子处理时，为了抑制图形尺寸的变化，应强化异向性。具体而言，应为RIE方式、具有更高密度的等离子源的ICP方式、及TCP方式的氧等离子处理。或者，预估抗蚀层图形的尺寸变化量而预先放大设计抗蚀层图形84A的图形尺寸、或以放大抗蚀层图形84A的图形尺寸的曝光·显像条件从而来采取进行对应处理等的处置。
接着，如图37(c)及图38(c)所示，以膜厚已减少的感光性树脂图形84C作为掩模，选择性地对耐热金属层34A、34B、第2非晶硅层33A、33B、及第1非晶硅层31A、31B实施蚀刻，在栅电极11A上形成由耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A的叠层所构成的半导体层区域，而分别露出扫描线11上及储存电容线16上的栅极绝缘层30A、30B。
除去前述感光性树脂图形84C后，在栅电极11A的侧面形成图上未图示的绝缘层76。因此，如图52所示，需要并联着扫描线11(储存电容线16也相同，此处省略图标)的布线77、及在玻璃基板2的外周部实施电沉积或阳极氧化时用以提供电位的连结图形78，此外，必须将利用等离子CVD形成的非晶硅层31、33及氮化硅层30的制膜区域79以适当掩模手段限制于连结图形78的内侧，且至少必须使连结图形78露出。针对连结图形78以具有锐利刃尖的鳄口钳等连结手段对扫描线11提供+(正)电位，并将玻璃基板2浸渍于以乙二醇为主要成分的化成液中实施阳极氧化，若扫描线11为AL合金，则例如反应电压200V会形成具有0.3μm膜厚的氧化铝(AL2O3)。电沉积时，利用前面所述的含有偶羧基的聚酰亚胺电沉积液以电沉积电压数V形成具有0.3μm膜厚的聚酰亚胺树脂层。又，实施例19是利用形成绝缘层76而以绝缘层的氧化铝或聚酰亚胺树脂来填埋形成于扫描线11上的栅极绝缘层30A的针孔，因此具有可抑制扫描线11及后述源极·漏极布线12、21间的层间短路的副效果。
此外，如图37(d)及图38(d)所示，以微细加工技术在图像显示部外的区域的扫描线11及储存电容线16的触点形成区域形成开口部63A、65A，并选择性地除去开口部63A、65A内的栅极绝缘层30A、30B，而分别使扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75露出。
其后，和实施例13相同，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，并在依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在信号线12上及电极端子5、6上的88A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形88A，其厚度大于利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上的88B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形88B，利用感光性树脂图形88A、88B蚀刻除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、及第2非晶硅层33A，并以使第1非晶硅层31A残留0.05～0.1μm的程度进行蚀刻，如图37(e)及图38(e)所示，以和半导体层区域34A形成部分重叠的方式选择性地形成由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，在形成源极·漏极布线12、21的同时，也会形成含有开口部63A内露出的扫描线的一部分73的扫描线的电极端子5及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形88A、88B减少1.5μm以上的膜厚，则感光性树脂图形88B会消失而使兼用作漏电极21的像素电极22上的低电阻金属层35B露出且在信号线12上及电极端子5、6上保留膜厚已减少的感光性树脂图形88C，以膜厚已减少的感光性树脂图形88C作为掩模，除去低电阻金属层35B，如图37(f)及图38(f)所示，使透明导电性像素电极22露出。如实施例13的说明所示，应充分注意作为通道而露出的第1非晶硅层31A的膜厚减少及损伤。
除去膜厚已减少的感光性树脂图形88C后，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖0.3μm左右的膜厚的第2 SiNx层的透明性绝缘层作为钝化绝缘层37，如图37(g)及图38(g)所示，像素电极22上及电极端子5、6上会分别形成开口部38、63、64，选择性地除去各开口部内的钝化绝缘层而使像素电极22及电极端子5、6的大部分露出。
针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例19完成。储存电容15的结构如图37(g)所示，是以像素电极22及储存电容线16隔着栅极绝缘层30B形成平面重叠的区域51(右下斜线部)构成储存电容15时为例。
[实施例20]
和实施例1及实施例2的关系相同，实施例20是针对实施例19追加最小限度的步骤数并具有用以取代有机绝缘层的钝化技术。实施例20如图39(d)及图40(d)所示，至以微细加工技术在图像显示部外的区域的扫描线11上及储存电容线16上的栅极绝缘层30A、30B分别形成触点(开口部)63A、65A，从而使扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75露出为止，是和实施例19相同的制造步骤。然而，第1非晶硅层31的膜厚可以为较薄的0.1μm。又，因为耐热金属层34必须为可阳极氧化的金属而无法采用Cr、Mo、W等，因此至少应选择Ti、最好选择Ta或高熔点金属的硅化物。
其后，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上，覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，此外，依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的可阳极氧化的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的87A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形87A，其厚度大于利用半色调曝光技术在信号线12上的87B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形87B，并利用感光性树脂图形87A、87B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35及透明导电层91，如图39(e)及图40(e)所示，以和半导体层区域34A形成部分重叠的方式选择性地形成由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21。无需实施含有杂质的第2非晶硅层33A及不含杂质的第1非晶硅层31A的蚀刻。在形成源极·漏极布线12、21的同时，也会形成含有露出的触点(开口部)63A的扫描线的电极端子5、及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段针对上述感光性树脂图形87A、87B实施1.5μm以上的膜厚减少，使感光性树脂图形87B消失并使信号线12(35A)露出且在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上保留膜厚已减少的感光性树脂图形87C。其次，以膜厚已减少的感光性树脂图形87C作为掩模，如图39(f)及图40(f)所示，对信号线12实施阳极氧化而在其表面形成氧化层69(12)，并对和源极·漏极布线12、21间露出的第2非晶硅层33A相邻接的部分第1非晶硅层31A实施阳极氧化，形成绝缘层的含有杂质的氧化硅层66及不含杂质的氧化硅层(图上未标示)。
阳极氧化结束后，除去感光性树脂图形87C，如图39(g)及图40(g)所示，使由其侧面形成阳极氧化层69(35B)的低电阻金属层35B所构成的像素电极、及由低电阻金属层35A、35C所构成的电极端子6、5露出。
以信号线12上的阳极氧化层69(12)作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图39(h)及图40(h)所示，使透明导电层91A～91C露出，使其分别具有信号线的电极端子6A、像素电极22、及扫描线的电极端子5A的功能。针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例20完成。储存电容15的结构和实施例19相同。
如此，实施例19及实施例20是利用半色调曝光技术处理扫描线的形成步骤、半导体的形成步骤、源极·漏极布线的形成步骤、及像素电极的形成步骤，而可分别以4道及3片光掩模得到液晶显示装置，又，因为从非现有的观点来看，更换光蚀刻步骤的顺序可进一步减少制造步骤数，利用实施例21及实施例22针对其进行说明。
[实施例21]
实施例21也和实施例13相同，首先，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的一主面上覆盖膜厚为0.1～0.3μm左右的例如Cr、Ta、Mo等、或其合金或硅化物的第1金属层92。形成于扫描线的侧面的绝缘层选择阳极氧化层时，其阳极氧化层必须具有绝缘性，此时，若考虑Ta单体的高电阻、及AL单体的低耐热性，则如前面的说明所述，为了获得扫描线的低电阻化，扫描线的结构应选择高耐热性的AL(Zr、Ta、Nd)合金等的单层结构、或AL/Ta、Ta/AL/Ta、及AL/AL(Ta、Zr、Nd)合金等的叠层结构。
其次，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上，分别依次覆盖例如0.3μm、0.2μm、0.05μm左右的膜厚的作为栅极绝缘层的第1SiNx层30、几乎不含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第1非晶硅层31、以及含有例如磷的杂质的作为绝缘栅极型晶体管的源极·漏极的第2非晶硅层33的3种薄膜层，此外，利用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚为0.1μm左右的例如Ti、Cr、Mo等薄膜层34的耐热金属层后，如图41(a)及图42(a)所示，以微细加工技术选择性地形成由耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A的叠层所构成的半导体层区域，而使栅极绝缘层30露出。
接着，如图41(b)及图42(b)所示，利用半色调曝光技术在触点形成区域82B的开口部63A、65A上形成膜厚为例如1μm的感光性树脂图形82B，其厚度小于在对应扫描线11及储存电容线16的区域82A上形成的膜厚2μm的感光性树脂图形82A，以感光性树脂图形82A、82B作为掩模，选择性地除去栅极绝缘层30及第1金属层92，使玻璃基板2露出。虽然将感光性树脂图形82A的图形宽度设定成稍大于由耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、及第1非晶硅层31A的叠层所构成的半导体层区域的图形宽度是合理的，然而，会有绝缘栅极型晶体管的尺寸变大的问题。相反的，若以图形宽度稍小于由上述叠层所构成的半导体层区域的方式来设定感光性树脂图形(81)82A的图形宽度，则在实施栅极绝缘层30及第1金属层92的蚀刻时，由上述叠层所构成的半导体层会成为掩模而使半导体层也受到蚀刻，从而使其剖面形状被加工成锥状，因此，无论如何，由上述叠层所构成的半导体层的图形宽度都会小于栅极绝缘层30A和栅电极11A。
接着，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形82A、82B减少1μm以上的膜厚，如图41(c)及图42(c)所示，感光性树脂图形82B会消失而使开口部63A、65A内的栅极绝缘层30A、30B露出且在扫描线11上及储存电容线16上一直保留膜厚已减少的感光性树脂图形82C。上述氧等离子处理时，为了抑制图形尺寸的变化，应强化异向性。或者，正如前面说明所述，预估抗蚀层图形的尺寸变化量而预先放大设计抗蚀层图形82A的图形尺寸从而实现对应处理等处置。
其后，如图42(c)所示，在栅电极11A的侧面形成绝缘层76。因此，如图49所示，需要并联着扫描线11(储存电容线16也相同，此处省略图示)的布线77、及在玻璃基板2的外周部实施电沉积或阳极氧化时用以提供电位的连结图形78，此外，必须将利用等离子CVD的非晶硅层31、33及氮化硅层30、32、及利用SPT的耐热金属层34的制膜区域79以适当掩模手段限制于连结图形78的内侧，且至少使连结图形78露出。针对连结图形78以具有锐利刃尖的鳄口钳等连结手段刺破连结图形78上的感光性树脂图形82C(78)，对扫描线11提供+(正)电位，将玻璃基板2浸渍于以乙二醇为主要成分的化成液中实施阳极氧化，若扫描线11为AL合金，则例如反应电压200V会形成具有0.3μm膜厚的氧化铝(AL2O3)。电沉积时，利用含有偶羧基的聚酰亚胺电沉积液以电数V的沉积电压形成具有0.3μm膜厚的聚酰亚胺树脂层。
形成绝缘层76后，如图41(d)及图42(d)所示，以膜厚已减少的感光性树脂图形82C作为掩模，选择性地对开口部63A、65A内的栅极绝缘层30A、30B进行蚀刻，而分别使扫描线11的一部分73及储存电容线16的一部分75露出。
其后，和实施例13相同，除去前述感光性树脂图形82C，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，并在依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在信号线12上及电极端子5、6上的88A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形88A，其厚度大于利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上的88B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形88B，利用感光性树脂图形88A、88B蚀刻除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、及第2非晶硅层33A，并以使第1非晶硅层31A残留0.05～0.1μm的程度进行蚀刻，如图41(e)及图42(e)所示，以和半导体区域34A形成部分重叠的方式选择性地形成由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，在形成源极·漏极布线12、21的同时，也同时形成含有开口部63A内露出的扫描线的一部分73的扫描线的电极端子5及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形88A、88B减少1.5μm以上的膜厚，则感光性树脂图形88B会消失而使兼用作漏极的像素电极22上的低电阻金属层35B露出，且在信号线12上及电极端子5、6上保留膜厚已减少的感光性树脂图形88C，以膜厚已减少的感光性树脂图形88C作为掩模除去低电阻金属层35B，如图41(f)及图42(f)所示，得到透明导电性的像素电极22。如实施例13所述，应充分注意作为通道而露出的第1非晶硅层31A的膜厚减少及损伤。
除去膜厚已减少的感光性树脂图形88C后，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖0.3μm左右的膜厚的第2 SiNx层的透明性绝缘层作为钝化绝缘层37，如图41(g)及图42(g)所示，像素电极22上及电极端子5、6上会分别形成开口部38、63、64，选择性地除去各开口部内的钝化绝缘层，而使像素电极22及电极端子5、6的大部分露出。
针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例21完成。储存电容15的结构如图41(g)所示，是以像素电极22及储存电容线16隔着栅极绝缘层30B形成平面重叠的区域51(右下斜线部)构成储存电容15时为例。
[实施例22]
和实施例13及实施例14的关系相同，实施例22是针对实施例21追加最小限度的步骤数并具有用以取代有机绝缘层的钝化技术。实施例20如图43(d)及图44(d)所示，至在图像显示外的区域的扫描线11上及储存电容线16上形成触点63A、65A为止，是和实施例21相同的制造步骤。然而，第1非晶硅层31的膜厚可以为较薄的0.1μm。又，因为耐热金属层34必须为可阳极氧化的金属而无法采用Cr、Mo、W等，因此至少应选择Ti、最好选择Ta或高熔点金属的硅化物。
其后，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，此外，依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的可阳极氧化的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的87A形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形87A，其厚度大于利用半色调曝光技术在信号线12上的87B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形87B，并利用感光性树脂图形87A、87B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35及透明导电层91，如图43(e)及图44(e)所示，以和半导体区域34A形成部分重叠的方式选择性地形成由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21。无需实施含有杂质的第2非晶硅层33A及不含杂质的第1非晶硅层31A的蚀刻。在形成源极·漏极布线12、21的同时，也同时形成含有露出的触点(开口部)63A的扫描线的电极端子5、及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段针对上述感光性树脂图形87A、87B实施1.5μm以上的膜厚减少，使感光性树脂图形87B消失并使信号线12(35A)露出且在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上保留膜厚已减少的感光性树脂图形87C。其次，以膜厚已减少的感光性树脂图形87C作为掩模，如图43(f)及图44(f)所示，对信号线12实施阳极氧化而在其表面形成氧化层69(12)，并对和源极·漏极布线12、21间露出的第2非晶硅层33A相邻接的部分第1非晶硅层31A实施阳极氧化，形成绝缘层的含有杂质的氧化硅层66及不含杂质的氧化硅层(未图示)。
阳极氧化结束后，除去感光性树脂图形87C，如图43(g)及图44(g)所示，使由其侧面形成阳极氧化层69(35B)的低电阻金属层35B构成的像素电极、及由低电阻金属层35A、35C构成的电极端子6、5露出。
以信号线12上的阳极氧化层69(12)作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图43(h)及图44(h)所示，使透明导电层91A～91C露出，使其分别具有信号线的电极端子6A、像素电极22、及扫描线的电极端子5A的功能。针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例22完成。储存电容19的结构和实施例21相同。
为了避免因扫描线11及对向电极14间流过直流电流而导致液晶劣化，而附与露出适当绝缘层的扫描线，则在形成半导体层区域时也会除去栅极绝缘而使扫描线露出，由此，也可减少触点形成步骤。因此，实施例23中，绝缘层是采用现有的钝化绝缘层，又，实施例24中，扫描线是采用可阳极氧化的金属层，通过对扫描线实施阳极氧化，可利用作为绝缘层的阳极氧化层来实现扫描线的绝缘化从而得到液晶显示装置。
[实施例23]
实施例23是先利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的一主面上覆盖膜厚为0.1～0.3μm左右的第1金属层92。其次，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上，分别依次覆盖例如0.3μm、0.2μm、0.05μm左右的膜厚的作为栅极绝缘层的第1 SiNx层30、几乎不含杂质的作为绝缘栅极型晶体管的通道的第1非晶硅层31、以及含有杂质的作为绝缘栅极型晶体管的源极·漏极的第2非晶硅层33的3种薄膜层，此外，利用SPT等真空制膜装置覆盖膜厚为0.1μm左右的例如Ti、Cr、Mo等的薄膜层34的耐热金属层后，如图45(a)及图46(a)所示，利用半色调曝光技术在半导体层形成区域即栅电极11A上的区域84A1、扫描线11及信号线12的交叉附近区域上的区域84A2、储存电容线16及信号线12的交叉附近区域上的区域84A3、以及储存电容形成区域即储存电容线16的一部分上的区域84A4上形成膜厚为例如2μm的感光性树脂图形84A1～84A4，其厚度大于利用半色调曝光技术在对应兼用作栅电极11A的扫描线及储存电容线16的感光性树脂图形84B上形成的膜厚1μm的感光性树脂图形84B，以感光性树脂图形84A1～84A4及84B作为掩模，选择性地除去耐热金属层34、第2非晶硅层33、第1非晶硅层31、栅极绝缘层层30、以及第1金属层92，使玻璃基板2露出。
这样，得到对应兼用作栅电极11A的扫描线11及储存电容线16的多层膜图形后，接着，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形84A1～84A4及84B减少1μm以上的膜厚，感光性树脂图形84B会消失而如图45(b)及图46(b)所示，可使耐热金属层34A、34B露出，且只有栅电极11A上、扫描线11及信号线12的交叉附近区域上、储存电容线16及信号线12的交叉附近区域上、以及部分储存电容线16上会残留膜厚已减少的感光性树脂图形84C1～84C4。正如前面说明所述，上述氧等离子处理中，为了避免后续的源极·漏极布线形成步骤的掩模校准精度降低，应强化异向性来抑制图形尺寸的变化。
其后，如图46(b)所示，在栅电极11A的侧面形成绝缘层76。因此，如图53所示，需要并联着扫描线11(储存电容线16也相同，此处省略图示)的布线77、及在玻璃基板2的外周部实施电沉积或阳极氧化时用以提供电位的连结图形78，此外，必须将利用等离子CVD的非晶硅层31、33及氮化硅层30、32、及利用SPT的耐热金属层34的制膜区域79以适当掩模手段限制于连结图形78的内侧，且至少使连结图形78露出。针对连结图形78以具有锐利刃尖的鳄口钳等连结手段刺破连结图形78上的感光性树脂图形84C5(78)而对扫描线11提供+(正)电位，并将玻璃基板2浸渍于以乙二醇为主要成分的反应液中实施阳极氧化，若扫描线11为AL合金，则例如200V的反应电压会形成具有0.3μm膜厚的氧化铝(AL2O3)。电沉积时，利用含有偶羧基的聚酰亚胺电沉积液以数V的电沉积电压形成具有0.3μm膜厚的聚酰亚胺树脂层。
接着，如图45(c)及图46(c)所示，以感光性树脂图形84C1～84C4作为掩模，在栅电极11A上、及扫描线11及信号线12的交叉附近区域上选择性地残留耐热金属层34A、第2非晶硅33A、第1非晶硅31A、及栅极绝缘层30A的叠层，在储存电容线16及信号线12的交叉附近区域上、及部分储存电容线16上选择性地残留耐热金属层34B、第2非晶硅33B、第1非晶硅31B、及栅极绝缘层30B的叠层，对扫描线11上的耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、第1非晶硅层31A、及栅极绝缘层30A实施蚀刻，使扫描线11露出，同时，对储存电容线16上的耐热金属层34B、第2非晶硅层33B、第1非晶硅层31B、及栅极绝缘层30B实施蚀刻，使储存电容线16露出。
除去前述感光性树脂图形84C1～84C4后，和实施例17相同，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，并在依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在信号线12上及电极端子5、6上的88A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形88A，其厚度大于利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上的88B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形88B，利用感光性树脂图形88A、88B蚀刻除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35、透明导电层91、及第2非晶硅层33A，并以使第1非晶硅层31A残留0.05～0.1μm的程度进行蚀刻，如图45(d)及图46(d)所示，以和栅电极11A上的半导体层区域34A形成部分重叠的方式选择性地形成由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21，在形成源极·漏极布线12、21的同时，也同时形成含有露出的部分扫描线的扫描线的电极端子5及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段使上述感光性树脂图形88A、88B减少1.5μm以上的膜厚，感光性树脂图形88B会消失而使兼用作漏极的像素电极22上的低电阻金属层35B露出且信号线12上及电极端子5、6上保留膜厚已减少的感光性树脂图形88C，以膜厚已减少的感光性树脂图形88C作为掩模，除去低电阻金属层35B，如图45(e)及图46(e)所示，使透明导电性像素电极22露出。如实施例13的说明所示，应充分注意作为通道而露出的第1非晶硅层31A的膜厚减少及损伤。又，必须选择除去低电阻金属层35B时露出的扫描线11不会消失的扫描线材质，低电阻金属层35B若采用AL合金，扫描线11以Ta、Cr、Mo等耐热金属为最佳，低电阻金属层35B若采用Cr、Mo等耐热金属，则扫描线11以AL合金为最佳。即，扫描线11及低电阻金属层35B不可采用相同种类。
除去膜厚已减少的感光性树脂图形88C后，利用PCVD装置在玻璃基板2整个表面上覆盖0.3μm左右膜厚的第2 SiNx层的透明性绝缘层作为钝化绝缘层37，如图45(f)及图46(f)所示，在像素电极22上及电极端子5、6上分别形成开口部38、63、64，选择性地除去各开口部内的钝化绝缘层而使像素电极22及电极端子5、6的大部分露出。
在扫描线11及低电阻金属层35B采用相同种类时，也可以不需要半色调曝光，在形成源极·漏极布线12、21后，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖0.3μm左右的膜厚的第2 SiNx层的透明性绝缘层以作为钝化绝缘层37，如图45(g)及图46(g)所示，像素电极22上及电极端子5、6上会分别形成开口部38、63、64，选择性地除去各开口部内的钝化绝缘层及低电阻金属层35B、35C、35A，得到透明导电性像素电极22及透明导电性电极端子5A、6A。
除了实施例23以外，除去低电阻金属层35B时，扫描线11上至少会存在栅极绝缘层30或栅极绝缘层30A，因此，扫描线11及低电阻金属层35B的材质无任何限制，在不利用半色调曝光而在形成源极·漏极布线12、21后，利用PCVD装置在玻璃基板2的整个表面上覆盖0.3μm左右的膜厚的第2 SiNx层的透明性绝缘层以作为钝化绝缘层37，在像素电极22上及电极端子5、6上分别形成开口部38、63、64，选择性地除去各开口部内的钝化绝缘层及低电阻金属层35B、35C，35A而得到透明导电性像素电极22及透明导电性电极端子5A、6A，应可直接应用于实施例13、实施例15、实施例17、实施例19、以及实施例21。
针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例23完成。储存电容15的结构如图45(f)所示，是以像素电极22及储存电容线16隔着耐热金属层34B、第2非晶硅33B、第1非晶硅31B、及栅极绝缘层30B形成平面重叠的区域51(右下斜线部)构成储存电容15时为例。
[实施例24]
和实施例13及实施例14的关系相同，实施例24是针对实施例23追加最小限度的步骤数并具有用以取代有机绝缘层的钝化技术。实施例24如图47(c)及图48(c)所示，在栅电极11A上、及扫描线11及信号线12的交叉附近区域上选择性地残留耐热金属层34A、第2非晶硅33A、第1非晶硅31A、及栅极绝缘层30A的叠层，在储存电容线16及信号线12的交叉附近区域上、及部分储存电容线16上选择性地残留耐热金属层34B、第2非晶硅33B、第1非晶硅31B、及栅极绝缘层30B的叠层，对扫描线11上的耐热金属层34A、第2非晶硅层33A、第1非晶硅层31A、与栅极绝缘层30A实施蚀刻，使扫描线11露出，同时，对储存电容16上的耐热金属层34B、第2非晶硅层33B、第1非晶硅层31B、及栅极绝缘层30B实施蚀刻，使储存电容线16露出，至此为止是和实施例23相同的制造步骤。然而，第1非晶硅层31的膜厚也可为较薄的0.1μm。又，因为耐热金属层34必须为可阳极氧化的金属而无法采用Cr、Mo、W等，因此至少应选择Ti、最好选择Ta或高熔点金属的硅化物。
其后，利用SPT等真空制膜装置在玻璃基板2的整个表面上，覆盖膜厚为0.1～0.2μm左右的例如IZO或ITO的透明导电层91，并在依次覆盖膜厚为0.3μm左右的AL或AL(Nd)合金薄膜层35的可阳极氧化的低电阻金属层后，利用半色调曝光技术在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上的87A上形成膜厚为例如3μm的感光性树脂图形87A，其厚度大于利用半色调曝光技术在信号线12上的87B上形成的膜厚1.5μm的感光性树脂图形87B，并利用感光性树脂图形87A、87B除去AL或AL(Nd)合金薄膜层35及透明导电层91，如图47(d)及图48(d)所示，在栅电极11A上以和半导体层区域34A形成部分重叠的方式选择性地形成由91A及35A的叠层所构成的兼用作源极布线的信号线12、及由91B及35B的叠层所构成的兼用作像素电极22的绝缘栅极型晶体管的漏电极21。无需实施含有杂质的第2非晶硅层33A及不含杂质的第1非晶硅层31A的蚀刻。在形成源极·漏极布线12、21的同时，也会形成含有露出的部分扫描线的扫描线的电极端子5及由部分信号线所构成的电极端子6。
形成源极·漏极布线12、21后，利用氧等离子等灰化手段针对上述感光性树脂图形87A、87B实施1.5μm以上的膜厚减少，使感光性树脂图形87B消失并使信号线12(35A)露出且在兼用作漏极的像素电极22上及电极端子5、6上保留膜厚已减少的感光性树脂图形87C。其次，以膜厚已减少的感光性树脂图形87C作为掩模，如图47(e)及图48(e)所示，对信号线12实施阳极氧化而在其表面形成氧化层69(12)，并对和源极·漏极布线12、21间露出的第2非晶硅层33A相邻接的部分第1非晶硅层31A实施阳极氧化，形成绝缘层的含有杂质的氧化硅层66及不含杂质的氧化硅层(未图示)。此时，露出的扫描线11及储存电容线16也会同时实施阳极氧化，而在其表面形成氧化层72。同样如图53所示，因为形成并联着扫描线11的布线77、及连结图形78，实施源极·漏极布线12、21的阳极氧化的同时，也很容易实施扫描线11及储存电容线16的阳极氧化。因为阳极氧化而在扫描线11及信号线12的交叉附近区域上、储存电容线16及信号线12的交叉附近区域上、及储存电容线16上露出的第2非晶硅层33A、33B也会被阳极氧化而变质成含有杂质的氧化硅层66及不含杂质的氧化硅层(未图示)。又，正如前面说明所述，扫描线11及储存电容线16的上面也会因阳极氧化而形成绝缘层72，扫描线11可选择Ta单层、AL(Zr、Ta)合金等的单层结构、或AL/Ta、Ta/AL/Ta、及AL/AL(Ta、Zr)合金等的叠层结构以作为可阳极氧化的金属。
阳极氧化结束后，除去感光性树脂图形87C，如图47(f)及图48(f)所示，使由其侧面形成阳极氧化层69(35B)的低电阻金属层35B构成的像素电极、及由低电阻金属层35A、35C构成的电极端子6、5露出。
以信号线12上的阳极氧化层69(12)作为掩模，除去低电阻金属层35A～35C，如图47(g)及图48(g)所示，使透明导电层91A～91C露出，并使其分别具有信号线的电极端子6A、像素电极22、及扫描线的电极端子5A的功能。针对以此方式得到的有源基板2及彩色滤光片进行贴合以实现液晶面板化，本发明实施例24完成。储存电容15的结构和实施例23相同。

Claims (47)

1.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
由透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的绝缘栅极型晶体管的源极布线经由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层连结于作为通道的不含杂质的第1半导体层，
且透明导电性的像素电极经由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层连结于所述第1半导体层。
2.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线，
在栅电极上隔着1层以上的栅极绝缘层形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分上及第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上与栅极绝缘层上形成由透明导电层及表面上具有感光性有机绝缘层的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏电极上与栅极绝缘层上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部的透明导电性的扫描线的电极端子，
在图像显示部以外的区域内，除去所述信号线上的感光性有机绝缘层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
3.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线，
在栅电极上隔着1层以上的栅极绝缘层形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分及第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层、及同样具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上与栅极绝缘层上形成透明导电层及表面上具有阳极氧化层并可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏电极上与栅极绝缘层上形成透明导电性的像素电极、以及含有所述开口部的透明导电性的扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内除去所述信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
4.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线，
在栅电极上隔着1层以上的栅极绝缘层形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分及第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上与栅极绝缘层上形成由透明导电层及表面上具有感光性有机绝缘层的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏电极上与栅极绝缘层上形成透明导电性像素电极，并在由含有并形成所述开口部及开口部周围的第1半导体层的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的中间电极上形成透明导电性的扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内除去所述信号线上的感光性有机绝缘层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
5.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线，
在栅电极上隔着1层以上的栅极绝缘层形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分上及第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层、及同样具有阳极氧化层并可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上与栅极绝缘层上形成透明导电层及表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏极上与栅极绝缘层上形成透明导电性像素电极，并在由含有并形成所述开口部及开口部周围的第1半导体层的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的中间电极上形成透明导电性的扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去所述信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
6.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分、第1半导体层、及第1透明性绝缘基板上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电层及表面上具有感光性有机绝缘层的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极，并在由含有并形成所述开口部、开口部周围的保护绝缘层、及第1半导体层的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的中间电极上形成透明导电性的扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去所述信号线上的感光性有机绝缘层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
7.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分、第1半导体层、及第1透明性绝缘基板上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层并含有杂质的第2半导体层及同样具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极，并在由含有并形成所述开口部、开口部周围的保护绝缘层、及第1半导体层的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的中间电极上形成透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去所述信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
8.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分、第1半导体层、及第1透明性绝缘基板上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及表面上具有感光性有机绝缘层的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部的透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去所述信号线上的感光性有机绝缘层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
9.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分、第1半导体层、及第1透明性绝缘基板上，像素电极及信号线的重叠区域，从而形成由其侧面具有氧化硅层并含有杂质的第2半导体层及同样具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层并可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部的透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去所述信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
10.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分及第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及表面上具有感光性有机绝缘层的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极，以及含有所述开口部、开口部周围的耐热金属层、第2半导体层、及第1半导体层的透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去所述信号线上的感光性有机绝缘层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
11.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层，
在图像显示部外的区域的扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述保护绝缘层的一部分及第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层及同样具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部、开口部周围的(其侧面分别含有阳极氧化层及氧化硅层)耐热金属层、第2半导体层、及第1半导体层的透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
12.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线，
在栅电极上隔着1层以上的栅极绝缘层形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在图像显示部外的区域的扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源电极上与栅极绝缘层上形成透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏电极上与栅极绝缘层上形成透明导电性像素电极、含有所述开口部并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的扫描线的电极端子、以及在图像显示部外的区域内由部分信号线所构成并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线的电极端子，
在所述第1透明性绝缘基板上形成在所述像素电极上、所述扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层。
13.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线，
在栅电极上隔着1层以上的栅极绝缘层形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层及同样其侧面具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极·漏电极间的第1半导体层上形成氧化硅层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源极上与栅极绝缘层上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上与栅极绝缘层上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部的透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内，除去信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
14.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在图像显示部外的区域的扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、含有所述开口部、开口部周围的耐热金属层、第2半导体层、及第1半导体层并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的扫描线的电极端子、以及在图像显示部外的区域内由部分信号线所构成并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线的电极端子，
在所述第1透明性绝缘基板上形成在所述像素电极上、及所述扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层。
15.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层及同样其侧面具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极·漏电极间的第1半导体层上形成氧化硅层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部、开口部***的耐热金属层、第2半导体层、及第1半导体层的透明导电层所构成的扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内除去信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
16.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、含有所述开口部并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的扫描线的电极端子、以及在图像显示部外的区域内，由部分信号线所构成并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线的电极端子，
在所述第1透明性绝缘基板上形成在所述像素电极上、及所述扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层。
17.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层及同样其侧面具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极·漏电极间的第1半导体层上形成氧化硅层，
在图像显示部外的区域的扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部的透明导电性扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内除去信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
18.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的稍小于所述栅极绝缘层的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、含有所述开口部并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的扫描线的电极端子、以及在图像显示部外的区域内由部分信号线所构成并由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线的电极端子，
在所述第1透明性绝缘基板上形成在所述像素电极上、及所述扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层。
19.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在所述扫描线上形成1层以上的栅极绝缘层，
在栅电极上的栅极绝缘层上形成岛状的稍小于所述栅极绝缘层的不含杂质的第1半导体层，
在所述第1半导体层上，除了像素电极及信号线的重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层及同样其侧面具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在所述源电极·漏电极间的第1半导体层上形成氧化硅层，
在图像显示部外的区域内，在扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使开口部内露出部分扫描线，
在所述源极上及第1透明性绝缘基板上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极、以及含有所述开口部并由透明导电层所构成的扫描线的电极端子，
在图像显示部外的区域内除去信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
20.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在栅电极上、及扫描线及信号线的交叉点附近形成岛状的栅极绝缘层、及不含杂质的第1半导体层，
在栅电极上的第1半导体层上形成由含有杂质的第2半导体层及耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在扫描线及信号线的交叉点上的第1半导体层上形成含有杂质的第2半导体层及耐热金属层，
在所述源电极上及第1透明性绝缘基板上及扫描线和信号线的交叉点上的耐热金属层上形成由透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线，并在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极，在图像显示部外的区域内在部分扫描线上形成由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的扫描线的电极端子、以及由在图像显示部外的区域内的部分信号线所构成的由透明导电层或透明导电层及低电阻金属层的叠层所构成的信号线的电极端子，
在所述第1透明性绝缘基板上形成在所述像素电极上、及所述扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层。
21.一种液晶显示装置，其是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，其特征在于特征在于：
至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的可阳极氧化的第1金属层所构成的其侧面具有绝缘层的扫描线，
在栅电极上、及扫描线及信号线的交叉点附近形成岛状的栅极绝缘层、及不含杂质的第1半导体层，
在栅电极上的第1半导体层上，除了像素电极及信号线及重叠区域以外，形成由其侧面具有氧化硅层的含有杂质的第2半导体层及同样其侧面具有阳极氧化层的可阳极氧化的耐热金属层的叠层所构成的一对源电极·漏电极，
在除了扫描线及信号线的交叉点以外的扫描线及信号线的交叉点附近的第1半导体层上形成氧化硅层，
在扫描线及信号线的交叉点上的第1半导体层上形成其侧面具有氧化硅层的第2半导体层及其侧面具有阳极氧化层的耐热金属层，
在所述源电极·漏电极间的第1半导体层上形成氧化硅层，
在所述源极、第1透明性绝缘基板、以及所述扫描线及信号线的交叉点上的耐热金属层上形成由透明导电层及其表面上具有阳极氧化层的可阳极氧化的低电阻金属层的叠层所构成的信号线，在所述漏电极上及第1透明性绝缘基板上形成透明导电性像素电极，并在图像显示部外的区域内的部分扫描线上形成由透明导电层所构成的扫描线的电极端子，
在所述扫描线的电极端子以外的扫描线上形成阳极氧化层，
在图像显示部外的区域内除去信号线上的阳极氧化层及低电阻金属层而使透明导电性信号线的电极端子露出。
22.如本发明权利要求6、7、8、9、10、11、14、15、16、17、18、19、20、或21中任意一项所述的液晶显示装置，其中
形成于扫描线的侧面的绝缘层是有机绝缘层。
23.如权利要求本发明6、7、8、9、10、11、14、15、16、17、18、19、20、或21中任意一项所述的液晶显示装置，其中
第1金属层是由可阳极氧化的金属层构成的，形成于扫描线的侧面的绝缘层是阳极氧化层。
24.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：其特征在于
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的金属层所构成的扫描线的步骤；
用以依次覆盖1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、以及保护绝缘层的步骤；
用以在栅电极上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层而使所述第1非晶硅层露出的步骤；
用以覆盖含有杂质的第2非晶硅层及耐热金属层的步骤；
用以在栅电极上形成宽度大于栅电极的岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以在图像显示部外的区域内的扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使部分扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及低电阻金属层后，以和所述保护绝缘层部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述开口部的扫描线的电极端子、以及在图像显示部外的区域内由部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
用以将所述感光性有机绝缘层图形作为掩模，选择性除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、第2非晶硅层、以及第1非晶硅层，从而形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性有机绝缘层图形的膜厚而使像素电极上、以及扫描线及信号线的电极端子上的低电阻金属层露出的步骤；以及
以所述膜厚已减少的感光性有机绝缘层图形作为掩模，除去露出的低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
25.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的金属层所构成的扫描线的步骤；
用以依次覆盖1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、以及保护绝缘层的步骤；
用以在栅电极上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层而使所述第1非晶硅层露出的步骤；
用以覆盖含有杂质的第2非晶硅层、及可阳极氧化的耐热金属层的步骤；
用以在栅电极上形成宽度大于栅电极的岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以在图像显示部外的区域内的扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使部分扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及可阳极氧化的低电阻金属层后，以和所述保护绝缘层形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述开口部的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域内由部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
用以将所述感光性树脂图形作为掩模，选择性除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、第2非晶硅层、以及第1非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使信号线露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在露出的信号线上形成阳极氧化层的步骤；以及
在除去所述膜厚已减少的感光性有树脂图形后，将所述阳极氧化层作为掩模除去低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
26.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的金属层所构成的扫描线的步骤；
用以依次覆盖1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、以及保护绝缘层的步骤；
用以在栅电极上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层而使所述第1非晶硅层露出的步骤；
用以覆盖含有杂质的第2非晶硅层及耐热金属层的步骤；
用以形成在图像显示部外的区域内的扫描线的触点形成区域上具有开口部，且栅电极上的半导体层形成区域的膜厚大于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以除去所述开口部内的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使所述耐热金属层露出的步骤；
将所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在栅极上形成宽度大于栅极的岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出，并且除去所述开口部内的栅极绝缘层而使部分扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及低电阻金属层后，以和所述保护绝缘层形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述开口部的扫描线的电极端子、以及在图像显示部外的区域内由部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性有机绝缘层图形作为掩模，选择性除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、第2非晶硅层、以及第1非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性有机绝缘层图形的膜厚而使像素电极上、以及扫描线及信号线的电极端子上的低电阻金属层露出的步骤；以及
以所述膜厚已减少的感光性有机绝缘层图形作为掩模，除去露出的低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
27.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的金属层所构成的扫描线的步骤；
用以依次覆盖1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、以及保护绝缘层的步骤；
用以在栅电极上形成宽度小于栅电极的保护绝缘层而使所述第1非晶硅层露出的步骤；
用以覆盖含有杂质的第2非晶硅层、及可阳极氧化的耐热金属层的步骤；
用以形成在图像显示部外的区域内的扫描线的触点形成区域上具有开口部，且栅电极上的半导体层形成区域的膜厚大于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以除去所述开口部内的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使所述耐热金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在栅电极上形成宽度大于栅电极的岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出，并且除去所述开口部内的栅极绝缘层而使部分扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及可阳极氧化的低电阻金属层后，以和所述保护绝缘层形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述开口部的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、第2非晶硅层、以及第1非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使信号线露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在露出的信号线上形成阳极氧化层的步骤；以及
除去所述膜厚已减少的感光性树脂图形后，以所述阳极氧化层作为掩模除去低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
28.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的金属层所构成的扫描线的步骤；
用以依次覆盖1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、以及保护绝缘层的步骤；
用以形成在扫描线的触点形成区域上具有开口部，且栅电极上的保护绝缘层形成区域的膜厚大于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以除去所述开口部内的保护绝缘层、第1非晶硅层、及栅极绝缘层而使部分扫描线露出的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使所述保护绝缘层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在栅电极上残留宽度小于栅电极的保护绝缘层并使第1非晶硅层露出的步骤；
用以覆盖含有杂质的第2非晶硅层及耐热金属层的步骤；
用以在栅电极上形成宽度大于栅电极的岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出，并形成含有所述触点区域并由耐热金属层及第2非晶硅层的叠层所构成的中间电极的步骤；
用以在覆盖透明导电层及低电阻金属层后，以和所述保护绝缘层形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述中间电极的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域内的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性有机绝缘层图形作为掩模，选择性除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、第2非晶硅层、以及第1非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性有机绝缘层图形的膜厚而使像素电极上、以及扫描线及信号线的电极端子上的低电阻金属层露出的步骤；以及
以所述膜厚已减少的感光性有机绝缘层图形作为掩模，除去露出的低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
29.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的金属层所构成的扫描线的步骤；
用以依次覆盖1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、以及保护绝缘层的步骤；
用以形成在扫描线的触点形成区域上具有开口部，且栅电极上的保护绝缘层形成区域的膜厚大于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以除去所述开口部内的保护绝缘层、第1非晶硅层、与栅极绝缘层而使部分扫描线露出的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使所述保护绝缘层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在栅极上残留宽度小于栅极的保护绝缘层并使第1非晶硅层露出的步骤；
用以覆盖含有杂质的第2非晶硅层、及可阳极氧化的耐热金属层的步骤；
用以在栅极上形成宽度大于栅极的岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出，且用以形成含有所述触点区域并由耐热金属层及第2非晶硅层的叠层所构成的中间电极的步骤；
用以在覆盖透明导电层及可阳极氧化的低电阻金属层后，以和所述保护绝缘层形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述中间电极的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域内的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的厚度的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、第2非晶硅层、以及第1非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使信号线露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在露出的信号线上形成阳极氧化层的步骤；以及
在除去所述膜厚已减少的感光性有机树脂图形后，以所述阳极氧化层作为掩模除去低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
30.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、以及保护绝缘层的步骤；
用以对应扫描线在图像显示部外的区域形成扫描线的触点形成区域上的膜厚小于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述保护绝缘层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使触点形成区域上的保护绝缘层露出的步骤；
用以在扫描线的侧面形成绝缘层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以蚀刻所述触点区域的保护绝缘层、第1非晶硅层、与栅极绝缘层而使部分扫描线露出的步骤；
用以在栅极上选择性地形成宽度小于栅极的保护绝缘层而使所述第1非晶硅层露出的步骤；
用以覆盖含有杂质的第2非晶硅层及耐热金属层的步骤；
用以在栅电极上形成宽度大于栅电极的岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层(栅极绝缘层)而使第1透明性绝缘基板露出，且用以形成含有所述触点区域并由耐热金属层及第2非晶硅层的叠层所构成的中间电极的步骤；
用以在覆盖透明导电层及低电阻金属层后，以和所述保护绝缘层形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述中间电极的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性有机绝缘层图形作为掩模，选择性除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、第2非晶硅层、以及第1非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性有机绝缘层图形的膜厚而使像素电极上、以及扫描线及信号线的电极端子上的低电阻金属层露出的步骤；以及
以所述膜厚已减少的感光性有机绝缘层图形作为掩模，除去露出的低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
31.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、不含杂质的第1非晶硅层、以及保护绝缘层的步骤；
用以对应扫描线在图像显示部外的区域形成扫描线的触点形成区域上的膜厚小于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述保护绝缘层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使触点形成区域上的保护绝缘层露出的步骤；
用以在扫描线的侧面形成绝缘层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以蚀刻所述触点区域的保护绝缘层、第1非晶硅层、与栅极绝缘层而使部分扫描线露出的步骤；
用以在栅极上选择性地形成宽度小于栅极的保护绝缘层而使所述第1非晶硅层露出的步骤；
用以覆盖含有杂质的第2非晶硅层、及可阳极氧化的耐热金属层的步骤；
用以在栅极上形成宽度大于栅极的岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层(栅极绝缘层)而使第1透明性绝缘基板露出，且用以形成含有所述触点区域的由耐热金属层及第2非晶硅层的叠层所构成的中间电极的步骤；
用以在覆盖透明导电层及可阳极氧化的低电阻金属层后，以和所述保护绝缘层形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述中间电极的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、第2非晶硅层、以及第1非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使信号线露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在露出的信号线上形成阳极氧化层的步骤；以及
除去所述膜厚已减少的感光性有机树脂图形后，以所述阳极氧化层作为掩模除去低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
32.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、不含杂质的第1非晶硅层、以及保护绝缘层的步骤；
用以对应扫描线形成栅极上的保护绝缘层形成区域的膜厚大于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述保护绝缘层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使所述保护绝缘层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在栅极上残留宽度小于栅极的保护绝缘层而使所述第1非晶硅层露出的步骤；
用以在扫描线的侧面形成绝缘层的步骤；
用以覆盖含有杂质的第2非晶硅层及耐热金属层的步骤；
用以形成在图像显示部外的区域的扫描线的触点形成区域上具有开口部，且栅电极上的半导体层形成区域的膜厚大于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以除去所述开口部内的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使所述耐热金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在栅电极上形成宽度大于栅电极的岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层(栅极绝缘层)而使第1透明性绝缘基板露出，且用以除去所述开口部内的栅极绝缘层并使部分扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及低电阻金属层后，以和所述保护绝缘层形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述开口部的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性有机绝缘层图形作为掩模，选择性除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、第2非晶硅层、以及第1非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性有机绝缘层图形的膜厚而使像素电极上、以及扫描线及信号线的电极端子上的低电阻金属层露出的步骤；以及
以所述膜厚已减少的感光性有机绝缘层图形作为掩模，除去露出的低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
33.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、不含杂质的第1非晶硅层、以及保护绝缘层的步骤；
用以对应扫描线形成栅极上的保护绝缘层形成区域的膜厚大于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述保护绝缘层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使所述保护绝缘层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在栅极上残留宽度小于栅极的保护绝缘层而使所述第1非晶硅层露出的步骤；
用以在扫描线的侧面形成绝缘层的步骤；
用以覆盖含有杂质的第2非晶硅层、及可阳极氧化的耐热金属层的步骤；
用以形成在图像显示部外的区域的扫描线的触点形成区域上具有开口部，且栅极上的半导体层形成区域的膜厚大于其它区域的厚度的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以除去所述开口部内的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使所述耐热金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在栅极上形成宽度大于栅极的岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层(栅极绝缘层)而使第1透明性绝缘基板露出，且用以除去所述开口部内的栅极绝缘层并使部分扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及可阳极氧化的低电阻金属层后，以和所述保护绝缘层形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述开口部的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、第2非晶硅层、以及第1非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使信号线露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在露出的信号线上形成阳极氧化层的步骤；以及
除去所述膜厚已减少的感光性树脂图形后，以所述阳极氧化层作为掩模除去低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
34.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、以及保护绝缘层的步骤；
用以选择性地形成作为绝缘栅极型晶体管的通道保护层的保护绝缘层而使所述第1非晶硅层露出的步骤；
用以覆盖含有杂质的第2非晶硅层及耐热金属层的步骤；
用以对应扫描线在图像显示部外的区域内形成扫描线的触点形成区域上的膜厚小于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使触点形成区域上的耐热金属层露出的步骤；
用以在扫描线的侧面形成绝缘层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以蚀刻所述触点区域的耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、与栅极绝缘层而使部分扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及低电阻金属层后，以和所述保护绝缘层形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有部分所述扫描线的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性有机绝缘层图形作为掩模，选择性除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、第2非晶硅层、以及第1非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性有机绝缘层图形的膜厚而使像素电极上、以及扫描线及信号线的电极端子上的低电阻金属层露出的步骤；以及
以所述膜厚已减少的感光性有机绝缘层图形作为掩模，除去露出的低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
35.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、不含杂质的第1非晶硅层、以及保护绝缘层的步骤；
用以选择性地形成作为绝缘栅极型晶体管的通道保护层的保护绝缘层而使所述第1非晶硅层露出的步骤；
用以覆盖含有杂质的第2非晶硅层、及可阳极氧化的耐热金属层的步骤；
用以对应扫描线在图像显示部外的区域形成扫描线的触点形成区域上的膜厚小于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使触点形成区域上的耐热金属层露出的步骤；
用以在扫描线的侧面形成绝缘层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以蚀刻所述触点区域的耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、与栅极绝缘层而使部分扫描线露出的步骤；
用以覆盖透明导电层及可阳极氧化的低电阻金属层后，以和所述保护绝缘层形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样和所述保护绝缘层形成部分重叠的作为像素电极的漏极布线、含有部分所述扫描线的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、第2非晶硅层、以及第1非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使信号线露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在露出的信号线上形成阳极氧化层的步骤；以及
除去所述膜厚已减少的感光性有机树脂图形后，以所述阳极氧化层作为掩模除去低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
36.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线的步骤；
用以依次覆盖1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、含有杂质的第2非晶硅层、及耐热金属层的步骤；
用以在栅电极上形成宽度大于栅电极的岛状的所述耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以在图像显示部外的区域的扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使部分扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及低电阻金属层后，以和栅极形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述开口部的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成至少像素电极上的膜厚小于信号线区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性地除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、及第2非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而至少使像素电极上的低电阻金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，除去露出的低电阻金属层，用以至少形成透明导电性像素电极的步骤；以及
用以在所述第1透明性绝缘基板上形成像素电极上及扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层的步骤。
37.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线的步骤；
用以依次覆盖1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、含有杂质的第2非晶硅层、及可阳极氧化的耐热金属层的步骤；
用以在栅极上形成宽度大于栅极的岛状的所述耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以在图像显示部外的区域的扫描线上的栅极绝缘层上形成开口部而使部分扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及可阳极氧化的低电阻金属层后，以和栅极形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述开口部的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性地除去低电阻金属层、透明导电层、及耐热金属层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使信号线上的低电阻金属层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以实施露出的信号线及所述源极·漏极布线间的非晶硅层的阳极氧化而形成阳极氧化层的步骤；以及
除去所述膜厚已减少的感光性树脂图形后，以所述阳极氧化层作为掩模除去低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
38.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线的步骤；
用以依次覆盖1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、含有杂质的第2非晶硅层、及耐热金属层的步骤；
用以形成图像显示部外的区域的扫描线的触点形成区域上具有开口部，且栅极上的半导体层形成区域的膜厚大于其它区域的厚度的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以除去所述开口部内的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使所述耐热金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在栅极上形成宽度大于栅极的岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出，且用以除去所述开口部内的栅极绝缘层而使部分扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及低电阻金属层后，以和栅极形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述开口部的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成至少像素电极上的膜厚比信号线区域中的小的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性地除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、及第2非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而至少使像素电极上的低电阻金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，除去露出的低电阻金属层，用以至少形成透明导电性像素电极的步骤；以及
用以在所述第1透明性绝缘基板上形成像素电极上及扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层的步骤。
39.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上形成由1层以上的第1金属层所构成的扫描线的步骤；
用以依次覆盖1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、含有杂质的第2非晶硅层、及可阳极氧化的耐热金属层的步骤；
用以在图像显示部外的区域内形成在扫描线的触点形成区域上具有开口部，且栅电极上的半导体层形成区域的膜厚大于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以除去所述开口部内的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使所述耐热金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在栅极上形成宽度大于栅极的岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出，且用以除去所述开口部内的栅极绝缘层而使部分扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及可阳极氧化的低电阻金属层后，以和栅极形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述开口部的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性地除去低电阻金属层、透明导电层、及耐热金属层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使信号线上的低电阻金属层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以实施露出的信号线及所述源极·漏极布线间的非晶硅层的阳极氧化而形成阳极氧化层的步骤；以及
除去所述膜厚已减少的感光性树脂图形后，以所述阳极氧化层作为掩模除去低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
40.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、含有杂质的第2非晶硅层、及耐热金属层的步骤；
用以对应扫描线在图像显示部外的区域形成扫描线的触点形成区域上的膜厚小于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使触点形成区域上的耐热金属层露出的步骤；
用以在扫描线的侧面形成绝缘层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以蚀刻所述触点区域的耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、与栅极绝缘层而使部分扫描线露出的步骤；
用以在栅极上形成岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层从而使栅极绝缘层露出并保护所述触点区域，并使耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层残留于所述触点区域的周围的步骤；
用以在覆盖透明导电层及低电阻金属层后，以和栅极形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述触点区域的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成至少像素电极上的膜厚小于信号线区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性地除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、及第2非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而至少使像素电极上的低电阻金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，除去露出的低电阻金属层，用以至少形成透明导电性像素电极的步骤；以及
用以在所述第1透明性绝缘基板上形成像素电极上及扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层的步骤。
41.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、含有杂质的第2非晶硅层、及阳极可氧化的耐热金属层的步骤；
用以对应扫描线在图像显示部外的区域形成扫描线的触点形成区域上的膜厚小于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使触点形成区域上的耐热金属层露出的步骤；
用以在扫描线的侧面形成绝缘层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以蚀刻所述触点区域的耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、及栅极绝缘层，从而使部分扫描线露出的步骤；
用以在栅电极上形成岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层从而使栅极绝缘层露出并保护所述触点区域，并使耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层残留于所述触点区域的周围的步骤；
用以在覆盖透明导电层及阳极可氧化的低电阻金属层后，以和栅极形成部分重叠的源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述触点区域的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的厚度的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性地除去低电阻金属层、透明导电层、及耐热金属层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使信号线上的低电阻金属层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以实施露出的信号线及所述源极·漏极布线间的非晶硅层的阳极氧化而形成阳极氧化层的步骤；以及
除去所述膜厚已减少的感光性树脂图形后，以所述阳极氧化层作为掩模除去低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
42.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、含有杂质的第2非晶硅层、及耐热金属层的步骤；
用以对应扫描线形成栅电极上的半导体层形成区域上的膜厚大于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使所述耐热金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在栅极上形成岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以在扫描线的侧面形成绝缘层的步骤；
用以在图像显示部外的区域的扫描线的触点形成区域上形成开口部而使所述开口部内露出部分扫描线的步骤；
用以在覆盖透明导电层及低电阻金属层后，以和栅极形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述开口部的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成至少像素电极上的膜厚小于信号线区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性地除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、及第2非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而至少使像素电极上的低电阻金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，除去露出的低电阻金属层，用以至少形成透明导电性像素电极的步骤；以及
用以在所述第1透明性绝缘基板上形成像素电极上及扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层的步骤。
43.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、含有杂质的第2非晶硅层、及可阳极氧化的耐热金属层的步骤；
用以对应扫描线形成栅极上的半导体层形成区域上的膜厚大于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使所述耐热金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以在栅极上形成岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以在图像显示部外的区域的扫描线的触点形成区域上形成开口部而使所述开口部内露出部分扫描线的步骤；
用以在覆盖透明导电层及可阳极氧化的低电阻金属层后，以和栅极形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述开口部的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性地除去低电阻金属层、透明导电层、及耐热金属层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使信号线上的低电阻金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以将露出的信号线及所述源极·漏极布线间的非晶硅层阳极氧化从而形成这些阳极氧化层的步骤；以及
除去所述膜厚已减少的感光性树脂图形后，以所述阳极氧化层作为掩模除去低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
44.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、含有杂质的第2非晶硅层、及耐热金属层的步骤；
用以在半导体层形成区域形成岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以对应扫描线在图像显示部外的区域形成扫描线的触点形成区域上的膜厚小于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使触点形成区域上的栅极绝缘层露出的步骤；
用以在扫描线的侧面形成绝缘层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以蚀刻所述触点区域的栅极绝缘层而使部分扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及低电阻金属层后，以和栅极形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述触点区域的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成至少像素电极上的膜厚小于信号线区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性地除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、及第2非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而至少使像素电极上的低电阻金属层露出的步骤；
以所述膜厚减少的感光性树脂图形作为掩模，除去露出的低电阻金属层，用以至少形成透明导电性像素电极的步骤；以及
用以在所述第1透明性绝缘基板上形成像素电极上及扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层的步骤。
45.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、含有杂质的第2非晶硅层、及可阳极氧化的耐热金属层的步骤；
用以在半导体层形成区域形成岛状的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以对应扫描线在图像显示部外的区域形成扫描线的触点形成区域上的膜厚小于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使触点形成区域上的栅极绝缘层露出的步骤；
用以在扫描线的侧面形成绝缘层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以蚀刻所述触点区域的栅极绝缘层而使部分扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及可阳极氧化的低电阻金属层后，以和栅极形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、含有所述触点区域的扫描线的电极端子、以及由图像显示部外的区域的部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性地除去低电阻金属层、透明导电层、及耐热金属层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使信号线上的低电阻金属层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以对露出的信号线及所述源极·漏极布线间的非晶硅层进行阳极氧化而形成阳极氧化层的步骤；以及
除去所述膜厚已减少的感光性树脂图形后，以所述阳极氧化层作为掩模除去低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
46.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、含有杂质的第2非晶硅层、及耐热金属层的步骤；
用以形成对应扫描线且栅极上、以及扫描线及信号线的交叉点附近的膜厚大于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而选择性地使扫描线上的耐热金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻扫描线上的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以在扫描线的侧面形成绝缘层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以蚀刻扫描线上的栅极绝缘层而使扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及低电阻金属层后，以和栅极形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、图像显示部外的区域的含有所述露出的扫描线的扫描线的电极端子、以及同样由部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成至少像素电极上的膜厚小于信号线区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性有机绝缘层图形作为掩模，选择性地除去低电阻金属层、透明导电层、耐热金属层、及第2非晶硅层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性有机绝缘层图形的膜厚而使至少像素电极上的低电阻金属层露出的步骤；
以所述膜厚减少的感光性有机绝缘层图形作为掩模，除去露出的低电阻金属层，用以至少形成透明导电性像素电极的步骤；以及
用以在所述第1透明性绝缘基板上形成像素电极上及扫描线及信号线的电极端子上具有开口部的钝化绝缘层的步骤。
47.一种液晶显示装置的制造方法，该液晶显示装置是在第1透明性绝缘基板、以及和所述第1透明性绝缘基板相对的第2透明性绝缘基板或彩色滤光片间充填液晶而制成的，该第1透明性绝缘基板在其一主面上以二维矩阵排列着单位像素，该单位像素至少具有：绝缘栅极型晶体管、兼用作所述绝缘栅极型晶体管的栅电极的扫描线及兼用作源极布线的信号线、及连结于漏极布线的像素电极，该液晶显示装置的制造方法的特征在于，其具有：
用以至少在第1透明性绝缘基板的一主面上依次覆盖1层以上的第1金属层、1层以上的栅极绝缘层、不含杂质的第1非晶硅层、含有杂质的第2非晶硅层、及可阳极氧化的耐热金属层的步骤；
用以形成对应扫描线且栅极上、以及扫描线及信号线的交叉点附近的膜厚大于其它区域的感光性树脂图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻所述耐热金属层、第2非晶硅层、第1非晶硅层、栅极绝缘层、及第1金属层的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而选择性地使扫描线上的耐热金属层露出的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以依次蚀刻扫描线上的耐热金属层、第2非晶硅层、及第1非晶硅层而使栅极绝缘层露出的步骤；
用以在扫描线的侧面形成绝缘层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以蚀刻扫描线上的栅极绝缘层而使扫描线露出的步骤；
用以在覆盖透明导电层及可阳极氧化的低电阻金属层后，以和栅极形成部分重叠的方式对应源极布线(信号线)、同样作为像素电极的漏极布线、图像显示部外的区域的含有所述露出的扫描线的扫描线的电极端子、以及同样由部分信号线所构成的信号线的电极端子，形成信号线上的膜厚大于其它区域的感光性有机绝缘层图形的步骤；
以所述感光性树脂图形作为掩模，选择性地除去低电阻金属层、透明导电层、及耐热金属层，用以形成源极·漏极布线、以及扫描线及信号线的电极端子的步骤；
用以减少所述感光性树脂图形的膜厚而使信号线上的低电阻金属层的步骤；
以所述膜厚已减少的感光性树脂图形作为掩模，用以对露出的信号线及所述源极·漏极布线间的非晶硅层进行阳极氧化从而形成这些阳极氧化层，并且用以在露出的扫描线上形成阳极氧化层的步骤；以及
除去所述膜厚已减少的感光性树脂图形后，以所述阳极氧化层作为掩模除去低电阻金属层，用以形成透明导电性像素电极、以及透明导电性扫描线及信号线的电极端子的步骤。
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