CN1523444A - 光掩模坯体，光掩模，制造光掩模坯体的方法和设备 - Google Patents

光掩模坯体，光掩模，制造光掩模坯体的方法和设备 Download PDF

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Abstract

本发明一般涉及光掩模坯体，光掩模，制造光掩模坯体的方法和设备，具体涉及利用粒子束溅射制造光掩模坯体的方法和设备。本发明的目的是提供一种制造高质量和高稳定性光掩模坯体的方法，它适合于制造有微小结构的光掩模。本发明提出一种制造光掩模坯体的方法，其中基片和靶放置在真空室。所述靶的溅射是利用辐照。利用第一粒子或离子束，通过所述靶的所述溅射，在所述基片上至少淀积第一层的第一材料。

Description

光掩模坯体，光掩模，制造光掩模坯体的方法和设备
技术领域
本发明一般涉及光掩模坯体，光掩模，以及制造光掩模坯体的方法和设备，具体涉及利用粒子束溅射制造光掩模坯体的方法和设备。
背景技术
为了制造集成电路，利用光掩模作为集成电路结构的轮廓板，通常借助于电子束或光刻技术使该结构形成在硅晶片上。
此外，光掩模本身也是利用光刻过程从无结构的光掩模坯体制成的。
光掩模坯体通常包括透明基片，在基片上淀积一层或多层阴影，光吸收或反射膜的层结构。
由于在半导体生产中不断增长的微小结构和高结构密度的要求，减小了晶片上可容许的缺陷密度和缺陷尺寸。所以，光掩模和光掩模坯体的质量要求，特别是关于缺陷数目和缺陷尺寸的要求也在不断地增长。
光掩模和各自的光掩模坯体可以分成三类，即，它们分别是二元，相移和远紫外(EUV)光掩模或光掩模坯体。
最简单类型的光掩模是二元光掩模，以下描述二元光掩模。
二元光掩模适用于透明投影模式。通常，二元光掩模和二元光掩模坯体包括第一层或薄膜的不透明或非透射材料，例如，透明基片上的铬或铬化合物。二元光掩模坯体还包括第二层或顶层或薄膜的防反射材料，例如，铬氧化物，它是在不透明层的上面。
更精密类型的光掩模是所谓的相移光掩模。在相移光掩模中，结构边缘上的相消干涉用于获得较高的分辨率，它能够增大集成电路的结构密度。在相移光掩模中，可以得到投影光波长以下的结构。
相移光掩模还可以再分成交替式相移掩模和嵌入式衰减相移掩模。交替式相移掩模通常用于规则的结构，例如，直线和空间，而嵌入式衰减相移掩模通常用于晶片上制成单个孔眼或圆点或其他的单个结构。
嵌入式衰减相移掩模包括：透明基片和基片上的结构相移层。结构相移层包含透明部分和半透明部分。光可以传输通过透明部分，其强度足以曝光晶片上的光敏抗蚀剂。半透明部分的透射率通常是在5％与20％之间，因此，传输通过这些部分的光不能使光敏抗蚀剂曝光。然而，传输通过半透明部分的光相位相对于传输通过透明部分的光发生约180°的相移。在结构的边缘产生相消干涉。所以，提高了晶片上图像的对比度。相移层可以有单层或多层结构。单层结构通常包括铬化合物或金属硅化物层。多层结构通常包括光透明和光吸收材料的交替层。
为了制作这些相移层，反应气体溅射法是已知的方法。在反应气体溅射法中，在有反应气体的真空室中，靶被溅射，且靶材料淀积到透明基片上。
由于高的层淀积速率，反应气体溅射法可以提供高的生产率。高淀积速率的缺点是增加杂质的产生，例如，包括粒子，液体或气体，从而使产量下降。另一方面，减小淀积速率可以导致大晶粒的产生，从而形成弯曲光掩模坯体和光掩模的很大薄膜应力。薄膜应力对于结构的精确定位是不利的，它甚至可以使这种光掩模坯体制造的光掩模完全无用，特别是集成电路布线设计中的一些重要结构。
根据EP-A-1 022 614可以知道，利用含氦的溅射气体，可以使CrC薄膜的晶粒尺寸减小到3nm至7nm之间。
然而，反应气体溅射法仍然提供相对高的有缺陷光掩模坯体产量，所以，这种溅射法对于高精度的要求仍然是不令人满意的。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种制造高质量和高稳定性光掩模坯体的方法，它适合于制作有微小结构的光掩模。
本发明的另一个目的是提供一种制造有高重复性和高产量的光掩模坯体的方法。
本发明的另一个目的是提供一种制造光掩模坯体的可变方法。
本发明的另一个目的是提供一种高精度制造光掩模坯体的方法，其薄膜有低的缺陷密度和/或在基片上或之间有高的粘附力。
本发明的另一个目的是提供一种高质量的光掩模坯体和光掩模，特别是不透明层的反射率，光密度，蚀刻时间，层厚度的均匀性和有低的薄膜应力。
本发明的另一个目的是提供一种高质量的光掩模坯体，它适合于制作二元光掩模，相移光掩模和EUV光掩模。
本发明的另一个目的是提供一种实施本发明方法的设备。
按照权利要求书的主题内容，以十分简单的方式实现本发明的目的。
根据不断增长的质量和精度要求，反应气体溅射法的另一种方案是利用第一粒子束的溅射。最好是，所述第一粒子束包括或者是第一离子束。在这个优选情况下，利用离子束溅射(IBS)淀积所述第一薄膜。离子束溅射或离子束淀积(IBD)能够获得所有各种类型的高质量光掩模坯体。
按照本发明，光掩模坯体的制造，具体是二元光掩模，相移光掩模或远红外光掩模的制造，是在真空室中提供基片和靶，在真空室中提供第一粒子束，它是从第一粒子源或淀积源发射的，利用所述第一粒子束的辐照以溅射所述靶，以及利用所述靶的所述溅射，在所述基片上至少淀积第一层的第一材料。
利用离子束溅射，第一离子束被引导到靶上。因此，材料或粒子，例如，从靶溅射的原子或分子从所述靶射向所述基片，并在基片上或在基片上现有另一层薄膜上生长一层薄膜。
离子束溅射或离子束淀积(IBD)产生的薄膜是高度稳定的，这是由于溅射过程中动量传递造成的高淀积能量。最好是，淀积能量＞1eV，＞10eV，＞100eV，或＞500eV。此外，离子束淀积提供高的重复性。
然而，根据在光掩模上不断增长的越来越小的结构要求，用于微光刻法的照明波长趋向于较短的UV激光波长，因此，光掩模坯体的质量要求仍然快速增张。
在这种情况下，低缺陷密度是光掩模坯体的重要参数。在光掩模坯体的制造过程中可以产生缺陷，特别是由粒子，液体或气体造成的。这种缺陷可以造成光掩模坯体的局部或整体上各层粘附力的减小。由于光掩模坯体接受曝光，显影，蚀刻，去除抗蚀剂和经受多次清洗步骤，具有低粘附力的位置可以造成光掩模的缺陷。
然而，还存在光掩模坯体的另一些重要参数，特别是它的光学质量。例如，这些参数是不透明层的反射率，光密度，层厚度的均匀性和低的薄膜应力。
最好是，光掩模坯体是被从第二粒子源或辅助源发射的第二粒子束直接辐照，第二粒子源或辅助源不同于淀积源。具体地说，第二粒子束被引导到所述光掩模坯体，即，被直接引导到基片或基片上淀积所述薄膜中的一个薄膜。最好是，第二粒子束也是离子束。然而，在某些应用中，第二粒子束也可以是电子束。
最好是，辐照所述光掩模坯体包括：辐照所述基片和/或所述第一薄膜和/或在淀积所述薄膜步骤之前和/或之后的其他淀积薄膜。最好是，所述第二粒子束辐照所述光掩模坯体提供各种大量的处理可能性，用于提高光掩模坯体的质量和性能。具体地说，本发明提供有低粒子污染的光掩模坯体，它有利于各种类型的光掩模坯体。
本发明特别适合于制造二元光掩模坯体，相移光掩模坯体和EUV光掩模坯体。
最好是，第二层，第三层和更高层薄膜淀积到所述光掩模坯体，特别是相继地淀积到所述光掩模坯体。在二元光掩模中，第一薄膜和第二薄膜最好包括铬化合物或由铬化合物构成，具体地说，第一薄膜包括CrN，而第二薄膜包括CrC。此外，第三薄膜或最后一层薄膜最好是防反射薄膜，例如，包括CrON。
本发明有利地提供一个或多个高质量密度的不同层薄膜，提供很薄薄膜的高光密度。这可以提高光掩模坯体制作的光掩模临界尺寸(CD)值。
最好是，靶和/或基片安装成可转动或绕枢轴转动。因此，可以调整该***在＞0°的角度下击中靶，特别是在＞10°的角度下，这个角度是第一粒子束相对于靶法线的角度。更好的是，基片确定基片法线，以及来自溅射靶的溅射粒子和/或所述第二粒子束击中所述光掩模坯体，即，在相对于基片法线的角度＞0°的下击中基片或另一个薄膜，特别是在角度＞10°下。
有利的是，本发明提供有非常低的薄膜应力值的光掩模坯体，其应力约为0.2MPa或更小。
本发明的另一个优点是，光掩模坯体的基片上第一薄膜和/或各个薄膜之间有极好的粘附力。
此外，本发明方法的优点是具有高度重复性，因此，可以在平板内或平板之间实现光学性能的高度稳定性。
本发明可以分别控制淀积过程中涉及的所有参数。最好是，气体用于产生第一离子束的离子。第一离子束的离子最好是或包括稀有气体离子，例如，氩或氙，因为它们具有不同的动量传递函数。
最好是，第一离子束是氙离子束，因为利用氙作为溅射气体，可以改进光学性质，特别是EUV光学性质。
按照本发明的一个优选实施例，三格栅离子提取栅与可控射频功率等离子体加热一起在结构限制内提供单独调整提取离子的能量和电流。提取光学***加速，引导和/或聚焦其路径上的第一粒子束或离子束到所述靶。
最好是，通过调节第一粒子束的参数，例如，粒子或离子的入射角，能量，电流和/或质量，调整溅射靶原子的分布。通过调整或控制第一粒子束的所述参数，可以调整或控制靶材料的纯度，化学成分，表面状况和/或微粒尺寸。
此外，基片相对于靶的几何取向，具体地说，溅射靶原子的入射角是可调整的。调整这些参数，可以影响基本的薄膜生长以优化应力，均匀性和光学参数。
最好是，辅助源和淀积源是不同的粒子源，但它们是相当的和/或可独立调整的。因此，第一粒子束和第二粒子束是可以单独受控和/或包括不同的粒子和/或有不同的粒子能量。
最好是，提供的淀积速率＞0.01nm/sec或＞0.05nm/sec和/或＜5nm/sec，＜2nm/sec，＜0.5nm/sec或＜0.3nm/sec，更好的是在约0.1nm/sec±50％的范围内。乍一看来，这可能是不经济的，但是在另一方面，通过时间和现场控制，低的淀积速率可以非常精确地控制薄膜的厚度。特别是对于相移光掩模坯体和EUV光掩模坯体，这是有利的，因为提供非常精确的控制薄膜厚度或周期厚度，从而实现所需的相位角和高的反射率。此外，在光掩模坯体的整个区域内，可以实现峰值反射率的均匀性小于±1％和中心波长的均匀性小于±0.1nm。
按照本发明的一个优选实施例，在淀积第一薄膜之前，利用第二粒子束的辐照以改善基片的表面状况。在这个情况下，利用低能量离子束作为第二粒子束，例如，能量＜100eV或＜30eV。第二离子束的能量调整到这样的数值，基片表面不会被溅射所损伤，但使表面上存在的有机杂质破裂。具体地说，第二粒子束的离子能量高于杂质的化学结合能。最好是，至少是在处理过程中的某个时间内，在真空室中提供一种或多种反应气体，例如，氧气，使这个物理清洗效应通过化学方法得到增强。有利的是，改进基片上第一薄膜的粘附力和/或薄膜之间的粘附力和缺陷密度。
交替地或附加地对表面状况的所述改善，利用第二粒子束掺杂一个或多个薄膜。最好是，利用气体形式的掺杂材料。根据气体是在其原始状态的要求，气体被粒子源内部等离子体电离或甚至加速到光掩模坯体。具体地说，在这个情况下，第二粒子束的几何和/或入射角是可调整和/或可控的。
最好是，本发明可以独立地掺杂一个或多个薄膜，即使这些薄膜是被相同的靶溅射。例如，淀积相同靶材料的两个薄膜，其中或者仅掺杂一个薄膜，或者独立地掺杂两个薄膜，例如，利用不同的掺杂材料或掺杂参数。
在一个优选实施例中，通过掺杂，优化铬二元光掩模顶层的反射率，而一个或多个其他薄膜的掺杂是不同的，例如，调整和优化光密度，蚀刻时间，粘附力，反射率和/或其他的特征，可以减小防反射涂层的反射率。
另一方面，利用第二粒子束的处理，可以使EUV光掩模坯体中一个或多个反射层的反射率增大和/或均匀化。
在另一个优选实施例中，利用第二粒子束的辐照，使基片和/或一个，多个或所有的薄膜平坦或光滑化。最好是，利用第二粒子束辐照光掩模坯体的步骤是在淀积一个或多个薄膜之后实施。平坦或光滑化一个或多个薄膜对于EUV光掩模坯体是特别有利的，因为EUV反射率主要取决于多层堆的界面粗糙度，本发明可以降低界面粗糙度。
以下参照几个优选实施例更详细地描述本发明。在参照的附图中，利用相同的附图标记表示相同或类似的元件。
附图说明
图1是按照本发明设备的装置示意图；
图2是EUV光掩模坯体的剖面示意图(例1)；
图3a至3c是根据例1中光掩模坯体的反射率测量结果；
图4是根据例1中光掩模坯体剖面的透射电子显微镜图像；
图5是10个双层堆(左侧一列)和40个双层堆(右侧一列)的表面图像；
图6分别是有30和50个双层的两个EUV光掩模坯体的反射率测量结果；
图7是二元光掩模坯体的剖面示意图(例2)；
图8是根据例2的光密度作为二元光掩模坯体波长函数的测量结果；
图9是根据例2的反射率作为二元光掩模坯体波长函数的测量结果；
图10是根据例2中二元光掩模坯体的二维等值曲线的反射率测量结果；
图11a是复合相移光掩模坯体的剖面示意图(例3)；
图11b是双层相移光掩模坯体的剖面示意图(例4)；
图11c是多层相移光掩模坯体的剖面示意图(例5)；
图12是相移和透射率作为单层相移光掩模坯体中薄膜厚度函数的计算结果。
图13是相移和透射率作为双层相移光掩模坯体中薄膜厚度函数的计算结果。
图14a是SiO2的波长色散测量结果；
图14b是SiN的波长色散测量结果；和
图15是利用氩和氙分别作为溅射气体的两种EUV光掩模坯体的反射率测量结果。
具体实施方式
淀积设备
图1表示按照本发明利用离子束溅射(IBS)或离子束淀积(IBD)制造光掩模坯体的淀积设备10的装置示意图。设备10包括：利用泵浦***14抽空的真空室12。淀积粒子源，或更具体地说，淀积离子源20，产生第一粒子或离子束22。淀积离子源20是高频(HF)离子源，然而，也可以利用其他类型的离子源。溅射气体24在入口26被引导进入淀积离子源20，并利用与电子的原子碰撞，使它在淀积离子源20内部被电离，电子是被电感耦合的电磁场加速。弯曲的三格栅离子提取组合28用于加速第一离子束22中一次离子，并把这些离子聚焦到靶40。
一次离子是从淀积离子源20提取的，并击中到靶或溅射靶40，从而产生级联的原子碰撞，使靶原子被轰出。这种溅射或蒸发靶的过程称之为溅射过程。例如，溅射靶是钼，硅或铬靶，它取决于被淀积的层。最好是，溅射过程和各层的淀积是在合适的真空中发生的，并不是由反应气体支持。
可以调整几个参数，用于影响一次离子与靶原子之间的动量传递函数以优化激光质量。这些方法参数是：
-一次离子的质量，
-每秒的一次离子数目(即，离子流)，
-加速电压确定的第一离子束22的能量，
-第一离子束相对于靶法线44的入射角，
-靶的密度和纯度。
当一次离子质量与靶原子质量相当时，传递给靶原子的动量最大。由于稀有气体是容易处理的，氩或氙最好用作溅射气体24。
利用上述方法参数中至少一个参数，调整或控制由于溅射过程中动量传递而离开靶的溅射离子42的几何和能量统计分布。
具体地说，利用第一离子束22的能量和/或入射角，调整或控制溅射原子的平均能量，在此情况下是铬原子的平均能量。通过靶40的绕枢轴转动，调整第一离子束22相对于靶法线44的入射角。
至少部分溅射离子42是从靶40射向基片50。溅射离子42以高的能量击中基片50，该能量远远高于在基片50上利用常规汽相淀积，淀积或生长高稳定和密集层或薄膜的能量。
基片50可转动地安装到三轴转动装置上。通过基片50围绕第一轴的转动，调整溅射离子相对于基片50法线54的平均入射角α。通过调整入射角α，可以控制和改进均匀性，内部薄膜结构和机械参数，特别是薄膜应力。
此外，可以围绕垂直于代表第二转动轴的法线54转动基片50以改进淀积均匀性。
基片还可以围绕第三个轴转动，从而使基片运动到粒子束之外，例如，可以在淀积之前清洗基片50。
此外，设备10包括：辅助粒子源或辅助离子源60。其工作原理与淀积源20的相同。第二粒子或离子束62被引向基片，例如，用于对基片50和/或基片50上淀积的薄膜进行平坦化，改善表面状况，掺杂和/或作进一步处理。
利用平直的三格栅提取***68加速第二离子束62。
第二离子束62基本覆盖整个基片50，可以在整个基片区域实现均匀的离子分布或处理。第二离子束62特别适用于：
-利用氧，氮，碳和/或其他离子掺杂薄膜，
-在淀积之前利用氧等离子体清洗基片，
-通过薄膜平坦化以改进薄膜的界面质量。
与具体的处理有关，在基片50上淀积薄膜之前，同时和/或之后，可以利用第二离子束62辐照基片50和/或基片50上淀积的薄膜。从图1中可以看出，基片50相对于第二离子束62的轴64倾斜角度为β。
EUV光掩模坯体(例1)
图2表示EUV光掩模坯体70的典型层或薄膜***的示意图。
在基片50上，高反射的多层堆71包括钼72和硅73的40个双层或交替薄膜。为了简单化，在图2中仅用附图标记72和73表示与基片50直接接触的第一个双层。每个层对或薄膜对的厚度为6.8nm，钼的比例为40％，形成Mo/Si多层堆71的总厚度为272nm。多层堆71代表EUV反射镜，并被11nm厚的硅盖层或薄膜74保护，薄膜74淀积在多层堆71的顶部。
在硅盖层74的顶部，淀积厚度为60nm的SiO2缓冲层75。在缓冲层75的顶部，提供包括厚度为70nm的防反射铬双层***的吸收层堆76。吸收层堆76是由两个铬层77和78构成。
为了利用EUV光掩模坯体70制成有结构的光掩模，在吸收层堆76上形成结构并利用光蚀刻被部分地去除。缓冲层75允许维修一对有结构的缓冲层，而不会损伤在其下面的多层堆反射镜71。
例1的淀积参数
按照本发明方法的非常低淀积速率可以非常精确地控制层的厚度。这是非常有利的，特别是多层堆反射镜71中两层72和73的厚度仅为几个纳米。能够十分可控和可重复地淀积两层72和73，所以，每个双层有相等的厚度。本发明者发现，利用以下描述的简约淀积参数，可以进一步提高精确度。
氩用作具有10sccm的溅射气体，第一离子束22中一次氩离子的能量是600eV。设定第一离子束22的电流约为150mA。为了在淀积源中获得纯的第一离子束，本底压力是2e-8Torr，和设定氩的部分压力为1e-4Torr。
钼，硅和铬靶40分别用于淀积钼膜72，硅和SiO2膜73，74，75和铬膜77，78。
在淀积缓冲层75期间和/或之后借助于15sccm的氧气流，利用包括氧离子的第二离子束62与辅助离子源60淀积SiO2缓冲层75。
借助于8sccm的氧气流，利用第二离子束62掺杂吸收层对77，78的顶层78，可以减小铬顶层78的反射率。
例1的测量结果
均匀性
图3a至3c表示在德国柏林的Physikalisch TechnischeBundesanatalt(PTB)利用同步加速器辐射作正入射反射率的测量结果。我们做了两次扫描。一次是沿光掩模坯体70的x轴，另一次是沿y轴，光掩模坯体70是6英寸见方的平板。每次扫描是由10个测量点组成。
图3b表示测量的反射率作为沿x轴和沿y轴的6英寸平板上位置函数的曲线图上反射率的均匀性。
图3c表示测量的中心波长作为沿x轴88和沿y轴84的6英寸平板上位置函数的曲线图上蜂值反射率的均匀性。
可以从图3b和图3c分别看出，在光掩模坯体70的整个区域内，蜂值反射率的均匀性优于±0.2％，而中心波长的均匀性优于±0.02nm。
图3a表示在一个曲线图上沿x轴和沿y轴的两次扫描中所有20个测量点的反射率测量结果。画出反射率作为以nm表示波长的函数，可以看出，均匀性是很好的，在该曲线图上的20条曲线几乎是不可区分的。
图4表示部分的光掩模坯体70剖面图的透射电子显微镜图像。展示基片50和多层堆71。所有各层有非常光滑的表面，没有可识别的***误差。这表明本发明方法淀积和处理的各层薄膜具有很好的均匀性和重复性。
界面粗糙度
图5表示利用光栅原子力显微镜获得的两个Mo/Si多层堆70，70′的表面测量结果。左侧一列表示有10个双层的Mo/Si多层堆70′的测量结果，而右侧一列表示有40个双层的Mo/Si多层堆70的测量结果，如图2和4中所示。
上面一行表示有较低放大倍数的测量结果，它代表10μm×10μm的区域，而下面一行表示有较高放大倍数的测量结果，它代表1μm×1μm的区域。
从这两个光栅尺寸可以看出，双层数目的增加没有使表面粗糙度增大。所以，表面粗糙度在本发明方法的淀积期间没有增大。事实上，按照本发明的离子束淀积在几层上重复基片的粗糙度，至少是5层，10层或甚至40层。最好是，所有各层的表面粗糙度＜5nm rms，更好的是，表面粗糙度＜2nm rms。
图6表示在淀积过程期间利用辅助源60中第二离子束62处理光掩模坯体的情况，可以进一步提高表面质量。实线是没有界面处理的50个双层堆的反射率曲线。虚线是仅淀积30个双层的反射率曲线，界面处理是各层界面平坦化的形式。提高表面质量可以在层数减小的情况下获得相同的反射率值，即，仅仅利用30个双层可以获得大于60％的反射率。最好是，处理后光掩模坯体70的峰值反射率至少比相同层数未经处理的光掩模坯体反射率高2％，5％，10％，20％。
二元光掩模坯体(例2)
图7表示二元光掩模坯体80的剖面示意图。二元光掩模坯体80包括：基片50上淀积的至少两层87和88的吸收层堆86。
例如，第一层87是铬层并获得所需的光密度，而第二层88是提供防反射涂层的氧化铬层。在这个例子中，第一层的厚度为48nm，而第二层的厚度为22nm。
例2的淀积参数
二元光掩模坯体80不包含上述EUV光掩模坯体70中双层72和73那样的薄层。所以，可以利用如下相对高的淀积参数：
一次原子：    氩10sccm
一次能量：    1300eV
一次电流：    350mA。
本底压力：    2e-8Torr
淀积压力：    1e-4Torr
两层的溅射靶40是铬靶。吸收层堆86中第二层或顶层88是利用含氧离子的第二离子束62掺杂，其中利用8sccm的氧气流66以减小反射。
例2的测量结果
图8表示测量的光密度作为二元光掩模坯体80波长的函数。层堆或***86设计成在设定的波长区获得的光密度至少为3，在这个例子中的波长为365nm。
图9表示测量的反射率作为波长的函数。层堆或***86设计成在设定波长365nm下满足1/4波长条件。调整防反射层88的厚度和氧含量，在设定的波长下可以获得≤12％的最小反射率。
图10表示在6英寸光掩模坯体80表面上二维空间中在365nm下测量的反射率等值曲线图。可以在整个光掩模坯体80上获得优于±0.2％的反射率均匀性。
相移光掩模坯体(例3，4，5)
图11a至11c表示三种类型的相移光掩模坯体90，100，110。光掩模坯体90，100，110分别包括造成180°相移的相移层结构91，101，111，其透射率约为6％。相移层结构是均匀材料或复合材料制成的单层91，双层101或多层111。后一种结构可以增强控制，因为增加了自由参数的数目。
图11a表示有复合相移层91的相移光掩模坯体90，复合相移层91直接淀积在透明基片50的上表面。
图11b表示有双层相移结构101的相移光掩模坯体100，淀积的相移结构101与基片50的上表面接触。双层结构101包括第一层102和第二层103。
图11c表示有多层相移结构111的相移光掩模坯体110，多层相移结构111生长在基片50上。多层结构111是由10个双层102和103构成。
相移光掩模坯体90，100，110中每个光掩模坯体的相移结构91，101，111厚度为140nm。此外，厚度为70nm的防反射铬层对96，97；106，107；116，117生长在各自的相移层结构91，101，111上。
图12表示根据图11a所示例子中单层相移结构的计算结果。从图12可以看出，所需的180°相移确定薄膜的厚度及透射率。通过改变材料的光学常数，仅可以影响透射率。所以，结构设计中没有更多的自由度。
在图12中，利用实线和虚线分别表示有不同光学常数的两种材料的两条曲线121，122。从这些曲线可以得出，这些例子的薄膜厚度分别为约80nm和约100nm，其透射率分别为约0.275和约0.1。
图13表示根据图11b所示例子中双层相移结构的计算结果。此处，第二层103的薄膜厚度是第一层102厚度的附加自由参数。
从图13中左侧曲线可以看出，可以调整作为高吸收层的第一层102厚度到所需的透射率，在这个例子中，利用约70nm的厚度可以得到0.1的透射率。
然后，调整低吸收材料生长的第二层103厚度以获得180°的相移。从图13中右侧曲线可以看出，选取第二层的厚度约为30nm。
利用两种材料，即，利用高吸收系数的材料以调整第一层102的靶透射率，和利用低吸收系数的材料以调整第二层103的相移为180°。在这个例子中，选取用于吸收的第一层102为SiN和用于相移的第二层103为SiO2。
例3的淀积参数
由于各层是相对地厚，选取以下的高淀积参数：
一次原子：    氩10sccm
一次能量：    1300eV
一次电流：    350mA。
本底压力：    2e-8Torr
淀积压力：    1e-4Torr
硅靶和铬靶用作溅射靶40。
利用22sccm的氮气流掺杂SiN层102，而利用15sccm的氧气流掺杂SiO2层103。氮是在在辅助粒子源60中被电离，并利用100V的加速电压加速到基片50。铬层是与图7中所示二元的例子相同。
例3的测量结果
图14a和14b表示SiN层102和SiO2层103的测量色散光学常数。在测量中使用N&K光谱仪。
图14a表示SiO2层103的折射率131和消光系数132的曲线图，而图14b表示SiN层102的折射率133和消光系数134的曲线图，每条曲线作为光波长的函数。
得到193nm下的光学常数为：
193nm下的折射率 193nm下的消光系数
 SiN  2.81  1.61
 SiO2  1.56  0
利用这些色散数据，设计具有以下参数的双层相移光掩模坯体100的典型实施例：
SiN的厚度：          27nm
SiO2的厚度：         92nm
相对透射率：          6.2％
相移：                180°
此外，设计具有以下参数的多层相移光掩模坯体110：
每个SiN层的厚度：   1.6nm
每个SiO2层的厚度：  12.7nm
双层的数目：          10
相对透射率：          6.1％
相移：                180°
在两个相移光掩模坯体100和110中，相移不是直接测量的，而是利用测量的色散数据和测量的薄膜厚度进行计算。利用掠入射X射线反射仪高精度地确定薄膜的厚度。
例6和例7
这些例子的背景是分别展示溅射气体氩和氙在EUV光掩模坯体或光掩模的光学EUV性质上的差别。
对于氙和氩有不同原子质量，需要在两个例子中找到大致相同涂敷条件的稳定过程参数。
所以，在例6中，氙用作具有4.5sccm的溅射气体，离子束中一次氙离子的能量约为900eV。离子束的电流设定为约200mA。为了在淀积源中得到纯的离子束，本底压力是2e-8Torr，而氙的部分压力设定为1e-4Torr。例6中如此涂敷的探针是由钼和硅的51个双层或交替薄膜构成。每个层对的厚度是6.99nm。这个层堆代表EUV反射镜，并用一个11nm厚的硅盖层覆盖。
在例7中，氩用作具有10sccm的溅射气体，离子束中一次氩离子的能量约为900eV。离子束的电流设定为约200mA。本底压力是2e-8Torr，而氩的部分压力设定为1e-4Torr。例7中的探针是由钼和硅的48个双层或交替薄膜构成，它也代表EUV反射镜。每个层对的厚度是6.92nm。这个层对也是被11nm厚的硅盖层覆盖。
图15表示溅射过程中使用氙与氩的反射率之差。实线是例7(氩溅射)的反射率曲线，而虚线是例6(氙溅射)的反射率曲线。与例7中使用氩的探针反射率比较，例6中使用氙的探针有较高的反射率。
本发明者发现，在溅射过程中利用氙作为溅射气体可以改进光掩模坯体或光掩模的光学EUV性质。
本领域专业人员清楚地知道，优选实施例和权利要求书中引用的所有本发明特征可以互相组合，在不偏离本发明范围的条件下，可以改变上述例子中的许多细节。

Claims (41)

1.一种制造光掩模坯体的方法，具体是二元光掩模坯体，相移光掩模坯体或远紫外光掩模坯体，包括以下步骤：
在真空室中提供基片和靶，
提供第一粒子束，
利用所述第一粒子束的辐照以溅射所述靶，
通过所述靶的所述溅射，在所述基片上至少淀积第一层的第一材料。
2.按照权利要求1的方法，其中
所述第一粒子束被引导到所述靶，而溅射粒子从所述靶射向所述基片。
3.按照权利要求1的方法，其中
通过所述靶的溅射，至少第二层的第二材料淀积到所述光掩模坯体。
4.按照权利要求1的方法，其中
所述靶确定靶法线，而所述第一粒子束在与所述靶法线的夹角下击中所述靶。
5.按照权利要求1的方法，其中
所述基片确定基片法线，而来自所述靶的溅射粒子在与所述基片法线的夹角下击中所述光掩模坯体。
6.按照权利要求1的方法，其中
所述第一层的淀积速率是在0.01nm/sec与5nm/sec之间。
7.按照权利要求1的方法，其中
所述光掩模坯体被第二粒子束辐照。
8.按照权利要求7的方法，其中
所述基片确定基片法线，而所述第二粒子束在与所述基片法线的夹角下击中所述光掩模坯体。
9.按照权利要求7的方法，其中
所述第一粒子束和第二粒子束中至少一个粒子束包括离子束。
10.按照权利要求7的方法，其中
所述第一粒子束和第二粒子束中至少一个粒子束包括离子束，该离子束被电磁场加速和聚焦。
11.按照权利要求7的方法，其中
所述第一粒子束和第二粒子束是分别受到控制，使所述第一粒子束独立地淀积各层，而所述第二粒子束至少处理所述基片和所述各层中的一个。
12.按照权利要求7的方法，其中
所述第一粒子束和第二粒子束包括不同的粒子。
13.按照权利要求7的方法，其中
所述第一粒子束和第二粒子束有不同的粒子能量。
14.按照权利要求7的方法，其中
利用所述第二粒子束的辐照以改善所述基片的表面。
15.按照权利要求7的方法，其中
在所述淀积所述第一层之前，利用所述第二粒子束的辐照，清除所述基片表面的杂质。
16.按照权利要求15的方法，其中
在所述真空室中以预定的压力至少提供一种反应气体，且利用所述至少一种反应气体增强所述清除。
17.按照权利要求16的方法，其中
所述至少一种反应气体包括氧气。
18.按照权利要求7的方法，其中
利用所述第二粒子束的辐照，至少掺杂多层中的一层。
19.按照权利要求18的方法，其中
在所述光掩模坯体上淀积多层，且不同层的掺杂是不同的。
20.按照权利要求18的方法，其中以下参数：
-光密度，
-刻蚀时间，
-粘附力，和
-反射率
通过所述掺杂至少控制一层中至少一个参数。
21.按照权利要求7的方法，其中
在淀积至少一层之后，利用第二粒子束的辐照，使所述至少一层的表面平坦化。
22.按照权利要求7的方法，其中其他各层淀积到所述光掩模坯体，且利用所述第二粒子束的辐照，减小所述各层之间的界面粗糙度。
23.按照权利要求7的方法，其中利用所述第二粒子束的辐照，增大反射层表面的反射率。
24.按照权利要求1的方法，其中所述第一粒子束包括离子束。
25.按照权利要求24的方法，其中所述离子束是氩离子束。
26.按照权利要求25的方法，其中利用所述氩离子束的辐照对靶进行溅射，增大反射层表面的反射率。
27.一种制造光掩模坯体的方法，具体是二元光掩模坯体，相移光掩模坯体或远紫外光掩模坯体，包括以下步骤：
在真空室中提供基片和溅射靶，
提供淀积粒子源和辅助粒子源，
借助于所述淀积粒子源和辅助粒子源，分别提供第一粒子束和第二粒子束，
利用所述第一粒子束的辐照对所述靶进行溅射，其中所述第一粒子束是从所述淀积粒子源引导到所述靶，且溅射粒子是从所述靶射向所述基片，
利用所述靶的所述溅射，在所述基片上至少淀积(生长)第一层的第一材料，
利用所述靶的所述溅射，在所述第一层上至少淀积(生长)第二层的第二材料，
利用所述第二粒子束辐照所述光掩模坯体，用于处理所述基片或至少一个所述层。
28.一种制造光掩模坯体的方法，具体是二元光掩模坯体，相移光掩模坯体或远紫外光掩模坯体，包括以下步骤：
在真空室中提供基片，
在所述基片上生长一层第一材料，
其中生长所述层的所述步骤是由离子束淀积IBD完成的。
29.按照权利要求1，27或28的方法制造的光掩模坯体，具体是二元光掩模坯体，远紫外光掩模坯体或相移光掩模坯体。
30.一种光掩模坯体，具体是二元光掩模坯体，相移光掩模坯体或远紫外光掩模坯体，包括：
基片，和
利用离子束淀积，在所述基片上淀积的一层或多层。
31.按照权利要求27的光掩模坯体，其中
所述光掩模坯体的特征是，利用第二粒子束的辐照以处理光掩模坯体。
32.按照权利要求31的光掩模坯体，其中
至少一个所述层的颗粒尺寸是0nm至10nm。
33.按照权利要求31的光掩模坯体，其中
至少一个所述层的表面粗糙度小于5nm rms。
34.按照权利要求31的掩模坯体，还包括：光减小(吸收)层。
35.按照权利要求31的掩模坯体，还包括：防反射层。
36.一种按照权利要求31的光掩模坯体制造(利用光刻法)的光掩模。
37.一种制造光掩模坯体的设备，具体是二元光掩模坯体，相移光掩模坯体或远紫外光掩模坯体，包括：
适合于抽空的真空室，其中基片和靶是可处理的，
淀积粒子源，提供指向所述靶的第一粒子束，用于所述靶的溅射和至少淀积第一层到所述基片，和
辅助粒子源，提供指向所述基片的第二粒子束，用于所述基片的处理。
38.按照权利要求37的设备，其中
所述粒子源和所述辅助粒子源中至少一个粒子源提供离子束。
39.按照权利要求37的设备，其中
所述淀积粒子源提供第一离子束，和所述设备包括：提供电磁场的装置，用于加速和聚焦所述第一离子束到所述靶。
40.按照权利要求37的设备，其中
所述淀积粒子源和所述辅助粒子源是分别可控制的。
41.按照权利要求37的设备，其中
所述淀积粒子源和所述辅助粒子源适合于提供以下至少一种的粒子束：
-不同方向的粒子束，
-不同粒子的粒子束和
-不同粒子能量的粒子束。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070054651A (ko) * 2004-09-17 2007-05-29 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크스 및 그 제조방법
WO2006040613A1 (en) * 2004-10-13 2006-04-20 Xenocs Method of deposition with reduction of contaminants in an ion assist beam and associated apparatus
US7459095B2 (en) * 2004-10-21 2008-12-02 Corning Incorporated Opaque chrome coating suitable for etching
KR100630728B1 (ko) * 2004-12-29 2006-10-02 삼성전자주식회사 반사 포토마스크 및 그 제조 방법
JP4834205B2 (ja) * 2005-08-11 2011-12-14 Ｈｏｙａ株式会社 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
US7504185B2 (en) * 2005-10-03 2009-03-17 Asahi Glass Company, Limited Method for depositing multi-layer film of mask blank for EUV lithography and method for producing mask blank for EUV lithography
JP4652946B2 (ja) * 2005-10-19 2011-03-16 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
FR2894690B1 (fr) * 2005-12-13 2008-02-15 Commissariat Energie Atomique Masque de lithographie en reflexion et procede de fabrication du masque
US7712333B2 (en) * 2006-03-29 2010-05-11 Asahi Glass Company, Limited Method for smoothing a surface of a glass substrate for a reflective mask blank used in EUV lithography
JP5258368B2 (ja) * 2008-04-30 2013-08-07 Ｈｏｙａ株式会社 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
JP2010135732A (ja) * 2008-08-01 2010-06-17 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖマスクブランクス用基板
DE102008042212A1 (de) * 2008-09-19 2010-04-01 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
KR101593388B1 (ko) * 2009-10-22 2016-02-12 (주) 에스앤에스텍 위상반전 블랭크 마스크, 위상반전 포토마스크 및 그의 제조 방법
US8562794B2 (en) * 2010-12-14 2013-10-22 Asahi Glass Company, Limited Process for producing reflective mask blank for EUV lithography and process for producing substrate with functional film for the mask blank
CN107255905A (zh) * 2012-01-27 2017-10-17 旭化成株式会社 干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料、模具的制造方法及模具
US8513619B1 (en) * 2012-05-10 2013-08-20 Kla-Tencor Corporation Non-planar extractor structure for electron source
JP6279476B2 (ja) * 2012-09-28 2018-02-14 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板の製造方法
JP2014130976A (ja) * 2012-12-29 2014-07-10 Hoya Corp 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
JP2014130977A (ja) * 2012-12-29 2014-07-10 Hoya Corp 多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
WO2014112457A1 (ja) 2013-01-15 2014-07-24 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
US20140272684A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
JP5568158B2 (ja) * 2013-04-23 2014-08-06 Ｈｏｙａ株式会社 多層反射膜付基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
JP6258151B2 (ja) * 2013-09-25 2018-01-10 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびその製造方法
JP6348116B2 (ja) * 2013-09-27 2018-06-27 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、マスクブランク、転写用マスク及び半導体装置の製造方法
JP6302520B2 (ja) * 2016-09-07 2018-03-28 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
JP7027895B2 (ja) * 2017-02-09 2022-03-02 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法、及びフォトマスクの製造方法
JP6505891B2 (ja) * 2018-03-02 2019-04-24 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
KR20240007154A (ko) 2021-05-14 2024-01-16 에이지씨 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 그리고 해당 마스크 블랭크용의 반사층을 구비한 기판
WO2023136183A1 (ja) * 2022-01-13 2023-07-20 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4793908A (en) * 1986-12-29 1988-12-27 Rockwell International Corporation Multiple ion source method and apparatus for fabricating multilayer optical films
US4944754A (en) * 1987-04-29 1990-07-31 Vent-Plant Corporation Method of manufacturing synthetic bone coated surgical implants
US4885070A (en) * 1988-02-12 1989-12-05 Leybold Aktiengesellschaft Method and apparatus for the application of materials
US5055318A (en) * 1988-10-11 1991-10-08 Beamalloy Corporation Dual ion beam ballistic alloying process
US6590324B1 (en) * 1999-09-07 2003-07-08 Veeco Instruments, Inc. Charged particle beam extraction and formation apparatus
JP2002169265A (ja) * 2000-12-01 2002-06-14 Hoya Corp フォトマスクブランクス及びフォトマスクブランクスの製造方法
US6653027B2 (en) * 2001-02-26 2003-11-25 International Business Machines Corporation Attenuated embedded phase shift photomask blanks
EP1446811A1 (en) * 2001-10-24 2004-08-18 Carl Zeiss SMT AG Process for manufacturing multilayer systems
US20030164998A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-04 The Regents Of The University Of California Ion-assisted deposition techniques for the planarization of topological defects
US6756161B2 (en) * 2002-04-16 2004-06-29 E. I. Du Pont De Nemours And Company Ion-beam deposition process for manufacture of binary photomask blanks

Also Published As

Publication number Publication date
US20040231971A1 (en) 2004-11-25
DE102004006586A1 (de) 2004-11-11
TW200420736A (en) 2004-10-16
KR20040073400A (ko) 2004-08-19
US20040159538A1 (en) 2004-08-19
JP2004246366A (ja) 2004-09-02

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