CN1518122A - 有机发光二极体显示器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光二极体显示器及其制造方法。为提供一种提高封装保护与绝缘基板的粘着力、防止驱动晶片接触不良及短路的显示器及其制造方法，提出本发明，有机发光二极体显示器包括绝缘基板、薄膜电晶阵列、形成于薄膜电晶体阵列上表面复数个有机发光二极体及直接设置于绝缘基板上表面并位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外的复数个驱动晶片；制造方法包括在绝缘基板上表面制作薄膜电晶体阵列；在薄膜电晶体阵列上进行有机发光二极体膜层的沉积，以形成分别与薄膜电晶阵列中相对应薄膜电晶体的汲极/源极相连接的有机发光二极体；于绝缘基板上直接设置复数驱动晶片，并位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外的预定区域。
Description
技术领域
本发明属于显示顺及其制造方法，特别是一种有机发光二极体显示器及其制造方法。
背景技术
由于资讯设备的多样化走向，平面显示器(Flat Panel Display；FPD)的需求日益迫切，且在当今全世界市场走向轻薄短小及省电的潮流下，阴极射线管(Cathode Ray Tube；CRT)已经逐渐被平面显示器所取代。目前应用在FPD的技术主要有下列几种：电浆显示器(Plasma Display；PDP)、液晶显示器(Liquid Crystal Display；LCD)、电致发光显示器(Electro luminescentDisplay)、发光二极体(Light Emitting Diode)、真空荧光显示器(VacuumFluorescent Display；VFD)、场致发射显示器(Field Emission Display；FED)及电变色显示器(Electro chromic Display)等。
有机电致发光显示器(Organic Electro luminescent Display)又称为有机发光二极体(Organic Light Emitting Diode；OLED)显示器，依照所采用的发光材料，其种类可划分为两种：一种为小分子型，另一各为高分子型(Polymer Light Emitting Diode；PLED)。由于有机发光二极体(PLED)具备以下的特性：无视角的限制、低制造成本、高应答速度(为液晶的百倍以上)、省电、可使用于便携式机器的直流驱动、可使用的温度范围大、重量轻且可随硬体设备小型化及薄型化等，乃符合多媒体时代显示器的特性要求。因此，OLED技术可广泛应用于显示器的相关产品，包括放大微型显示器、数位相机、个人数位助理(PDA)、智慧型传呼机及电话、虚拟现实游戏、手机、汽车音响显示及其他电子消费产品。
有机发光二极体的关键元件，包括铟锡氧化物(Indium Tin Oxide；ITO)导电膜、小分子或高分子有机材料、高纯度金属材料及驱动IC等，其基本结构系将一极薄的有机膜透过加热蒸镀法(适用于小分子有机材料)或旋涂法/喷墨印刷法(适用于高分子有机材料)，加热蒸镀或涂布在ITO透明导电膜电极(阳极)与金属电极(阴极，一般使用Mg、Al、Li)之间，而形成一ITO导电膜/发光层/金属层的架构，其中，有机膜是由电洞注入层、电洞传递层、有机发光层及电子传递层构成。
由于有机材料及金属对氧气及水气相当敏感，研究证实，有些有机材料非常容易受污物、氧化及湿气等的影响，而用来作为OLED接触电极的大部分金属亦容易因空气或其他含氧环境而发生腐蚀现象，如此一来，导致元件迅速地衰败(degradation)，因此，当有机发光二极体制作完成后，需经过封装(encapsulation)保护处理。
习知的主动式矩阵有机发光二极体(OLED)制程包括如下步骤：
步骤一
如图1所示，在玻璃基板10上制作薄膜电晶体(TFT)阵列20；薄膜电晶体阵列20包括若干TFT、像素电极(pixel electrode)及彼此纵横交错的扫描线及资料线图案；
步骤二
如图2所示，在薄膜电晶体阵列20及其余部分的玻璃基板10上，即对整面的玻璃基板10进行有机发光二极体膜层30的沉积；有机发光二体膜层30包括ITO导电膜/发光层/金属层；所使用的沉积方法系视所采用的有机材料为小分子或高分子材料而定；
步骤三
如图3所示，对形成的有机发光二极体显示器的主要部分进行封装保护处理，即以玻璃封装盖40进行封装；
步骤四
如图4所示，离开反应室，在玻璃基板10上进行驱动晶片和/或挠性排线(FPC)50压合动作，以便提供有机发光二极体显示面板上各个像素元件中薄膜电晶体所需的操作电压及讯号。其中若干源极驱动晶片(source driverIC)系通过显示器面板上的资料线连接至各个像素元件，通常可在玻璃基板10的下缘连接一块印刷电路板，而将源极驱动晶片设置于印刷电路板上，并各自以挠性排线连接于显示器面板，再经由面板上的线路与像素阵列电性连接。而若干闸极驱动晶片(gate driver IC)系经由扫描线连接至各像素元件，值得注意的是闸极驱动晶片一般可藉由覆晶玻璃封装(chip on glass；COG)技术直接压合制作于玻璃基板10表面上。
由于整面玻璃基板10皆被有机发光二极体膜层30覆盖，玻璃封装盖40系压合在有机发光二极体膜层30上，造成玻璃封装盖40与玻璃基板10的粘着力不佳而容易胶落；再者，驱动晶片亦压合在有机发光二极体膜层30上，使得驱动晶片的压合点接触不良或发生短路的情况。
发明内容
本发明的目的是提供一种提高封装保护与绝缘基板的粘着力、防止驱动晶片接触不良及短路的有机发光二极体显示器及其制造方法。
本发明有机发光二极体显示器包括绝缘基板、形成于绝缘基板上表面的薄膜电晶阵列、于薄膜电晶体阵列上表面由有机发光二极体膜层形成的复数个有机发光二极体及复数个用以驱动薄膜电晶阵列中选定的薄膜电晶体的驱动晶片；复数个有机发光二极体分别与薄膜电晶阵列中相对应薄膜电晶体的汲极/源极相连接；复数驱动晶片系直接设置于绝缘基板上表面，并位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外；制造方法包括在绝缘基板上表面制作薄膜电晶体阵列；在薄膜电晶体阵列上进行有机发光二极体膜层的沉积，以形成分别与薄膜电晶阵列中相对应薄膜电晶体的汲极/源极相连接的有机发光二极体；于绝缘基板上直接设置复数驱动晶片，并位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外的预定区域。
其中：
绝缘基板上直接设置尺寸大于绝缘基板上形成薄膜电晶体阵列及由有机发光二极体膜层形成的复数个有机发光二极体区域的封装玻璃盖，藉以封装罩设薄膜电晶阵列及由有机发光二极体膜层形成的复数个有机发光二极体。
绝缘基板上表面直接设置复数个挠性排线；复数个挠性排线位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外。
直接设置于绝缘基板上表面并位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外的复数驱动晶片系直接形成于绝缘基板上表面。
直接设置于绝缘基板上表面并位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外的复数驱动晶片系直接以压合方式设置于绝缘基板上表面。
绝缘基板上直接设置尺寸大于形成薄膜电晶体阵列及由有机发光二极体膜形成的复数个有机发光二极体区域的封装玻璃盖，以完全封罩住复数有机发光二极体及薄膜电晶体阵列。
形成有机发光二极体步骤中系以遮蔽罩/干蚀刻/剥落步骤以令形成有机发光二极体步骤后露出预定设置封装玻璃盖及复数个驱动晶片区域的绝缘基板。
位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外的预定区域的绝缘基板上表面设置有两端分别与绝缘基板外、内的印刷电路板及导线相连接的挠性排线。
制作发光二极体的有机材料为小分子有机材料。
由于本发明有机发光二极体显示器包括绝缘基板、薄膜电晶阵列、形成于薄膜电晶体阵列上表面复数个有机发光二极体及直接设置于绝缘基板上表面并位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外的复数个驱动晶片；制造方法包括在绝缘基板上表面制作薄膜电晶体阵列；在薄膜电晶体阵列上进行有机发光二极体膜层的沉积，以形成分别与薄膜电晶阵列中相对应薄膜电晶体的汲极/源极相连接的有机发光二极体；于绝缘基板上直接设置复数驱动晶片，并位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外的预定区域。制造时系以遮蔽的方式为例仅在绝缘基板特定区域上涂布有机发光二极体膜层以形成复数个有机发光二极体，而将驱动晶片直接置放于为玻璃基板的绝缘基板上与金属垫直接接触，以解决接触不良或短路的情况发生。不仅提高封装保护与绝缘基板的粘着力，而且防止驱动晶片接触不良及短路，从而达到本发明的目的。
附图说明
图1、习知的主动式矩阵有机发光二极体(OLED)制程步骤一示意图。
图2、习知的主动式矩阵有机发光二极体(OLED)制程步骤二示意图。
图3、习知的主动式矩阵有机发光二极体(OLED)制程步骤三示意图。
图4、习知的主动式矩阵有机发光二极体(OLED)制程步骤四示意图。
图5、为本发明有机发光二极体显示器制造方法步骤一示意图。
图6、为本发明有机发光二极体显示器制造方法步骤二、三、四示意图。
图7、为本发明有机发光二极体显示器制造方法步骤五示意图。
图8、为本发明有机发光二极体显示器结构示意剖视图。
具体实施方式
如图8所示，本发明有机发光二极体显示器为主动式矩阵有机发光二极体显示器，其包括为玻璃基板100的绝缘基板、形成于为玻璃基板100的绝缘基板上表面的薄膜电晶阵列200、由有机发光二极体膜层300形成的复数个有机发光二极体、封装罩设于薄膜电晶阵列200及有机发光二极体膜层300的封装玻璃盖400及复数个用以驱动薄膜电晶阵列200中选定的薄膜电晶体的驱动晶片和/或挠性排线500。
由有机发光二极体膜层300形成的复数个有机发光二极体系设置于薄膜电晶体阵列200上表面，且分别与薄膜电晶阵列200中相对应薄膜电晶体的汲极/源极相连接。
封装玻璃盖400的尺寸大于为玻璃基板100的绝缘基板上形成薄膜电晶体阵列200及由有机发光二极体膜层300形成的复数个有机发光二极体区域，藉以封装罩设薄膜电晶阵列200及由有机发光二极体膜层300形成的复数个有机发光二极体。
复数驱动晶片和/或挠性排线500以直接形成或压合方式设置于为玻璃基板100的绝缘基板上表面，并位于由有机发光二极体膜层300形成的复数有机发光二极体外。
挠性排线500两端分别与为玻璃基板100的绝缘基板外、内的印刷电路板及导线相连接。
本发明有机发光二极体显示器制造方法包括如下步骤：
步骤一
制作薄膜电晶体阵列200
如图5所示，在为玻璃基板100的绝缘基板上表面制作薄膜电晶体(TFT)阵列200；薄膜电晶体阵列200包括若干TFT、像素电极(pixel electrode)及彼此纵横交错的扫描线及资料线图案；
步骤二
设置遮蔽罩250
如图6所示，以遮蔽罩250遮盖住为玻璃基板100的绝缘基板预定设置玻璃封装盖400、复数个挠性排线及驱动晶片500的区域；
步骤三
制作有机发光二极体
如图6所示，在薄膜电晶体阵列200上进行有机发光二极体膜层300的沉积，以形成分别与薄膜电晶阵列中相对应薄膜电晶体的汲极/源极相连接的有机发光二极体；有机发光二体膜层300包括ITO导电膜/发光层/金属层；所使用的沉积方法系视所采用的有机材料为小分子或高分子材料而定；
步骤四
移去遮蔽罩250
如图6所示，移动遮蔽罩250，以露出为玻璃基板100的绝缘基板预定设置玻璃封装盖400、复数个挠性排线及驱动晶片500的区域；
步骤五
如图7所示，将尺寸大于为玻璃基板100的绝缘基板绝缘基板上形成薄膜电晶体阵列200及由有机发光二极体膜层300形成的复数个有机发光二极体区域的封装玻璃盖400直接设置于为玻璃基板100的绝缘基板上，并覆盖镀设有机发光二极体膜层300的薄膜电晶体阵列200，以完全封罩住复数有机发光二极体及薄膜电晶体阵列，对有机发光二极体显示器的主要部分进行封装保护处理，防止水气或氧气破坏复数个有机发光二极体的有机层及金属层；
步骤六
设置驱动晶片和/或挠性排线500
如图8所示，离开反应室，将驱动晶片和/或挠性排线500以直接形成或压合方式直接设置于为玻璃基板100的绝缘基板上表面，并位于由有机发光二极体膜层300形成的复数有机发光二极体外，以便提供有机发光二极体显示面板上各个像素元件中薄膜电晶体所需的操作电压及讯号。
挠性排线500两端分别与为玻璃基板100的绝缘基板外、内的印刷电路板及导线相连接。
若干源极驱动晶片(source driver IC)系通过显示器面板上的资料线连接至各个像素元件，通常可在为玻璃基板100的绝缘基板的下缘连接一块印刷电路板，而将源极驱动晶片设置于印刷电路板上，并各自以挠性排线连接于显示器面板，再经由面板上的线路与像素阵列电性连接。而若干闸极驱动晶片(gate driver IC)系经由扫描线连接至各像素元件，值得注意的是闸极驱动晶片一般可藉由覆晶玻璃封装(chip on glass；COG)技术直接压合制作于为玻璃基板100的绝缘基板表面上。
亦可以旋涂法、喷墨印刷法或其他适当的方法，先将有机发光二极体膜层300涂布在整面为玻璃基板100的绝缘基板上，再利用干蚀刻(dry etching)、剥落(left off)或其他适当的方式除去为玻璃基板100的绝缘基板上预定设置玻璃封装盖400、复数个挠性排线及驱动晶片500的区域的有机发光二极体膜层300；之后再依序于为玻璃基板100的绝缘基板预定区域直接设置玻璃封盖400、压合驱动晶片和/或挠性排线500。
剥落(left off)系在将有机发光二极体膜层300涂布在整面为玻璃基板100的绝缘基板上之前，先于为玻璃基板100的绝缘基板上预定设置玻璃封装盖400、复数个挠性排线及驱动晶片500的区域形成厚光阻或其他易除去物质层；而后，将有机发光二极体膜层300涂布在整面为玻璃基板100的绝缘基板上；然后，使用蚀刻溶液或干蚀刻除去厚光阻层，并使涂布于厚光阻层上的有机发光二极体膜层300也随之剥落；之后再依序于为玻璃基板100的绝缘基板预定区域直接设置封装玻璃盖400及压合驱动晶片和/或挠性排线500。如此一来，封装玻璃盖400可直接黏合于为玻璃基板100的绝缘基板上而不易脱落，且驱动晶片500亦可直接压合于为玻璃基板100的绝缘基板金属垫上而解决接触不良或短路的情况。
本发明主动式矩阵有机发光二极体显示器制造时系以遮蔽的方式为例仅在为玻璃基板100的绝缘基板特定区域上涂布有机发光二极体膜层300以形成复数个有机发光二极体，而将驱动晶片和/或挠性排线500及封装玻璃盖400直接置放于为玻璃基板100的绝缘基板上，以确保封装玻璃盖400直接黏合于为玻璃基板100的绝缘基板上而不易脱落；驱动晶片500可直接压合在为玻璃基板100的绝缘基板的金属垫上以解决接触不良或短路的情况发生。
Claims (10)
1、一种有机发光二极体显示器，它包括绝缘基板、形成于绝缘基板上表面的薄膜电晶阵列、由有机发光二极体膜层形成的复数个有机发光二极体及复数个用以驱动薄膜电晶阵列中选定的薄膜电晶体的驱动晶片；由有机发光二极体膜层形成的复数个有机发光二极体系设置于薄膜电晶体阵列上表面，且分别与薄膜电晶阵列中相对应薄膜电晶体的汲极/源极相连接；其特征在于所述的形成复数个有机发光二极体的有机发光二极体膜层仅设置于薄膜电晶体阵列上表面；复数驱动晶片系直接设置于绝缘基板上表面，并位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外。
2、根据权利要求1所述的有机发光二极体显示器，其特征在于所述的绝缘基板上直接设置尺寸大于绝缘基板上形成薄膜电晶体阵列及由有机发光二极体膜层形成的复数个有机发光二极体区域的封装玻璃盖，藉以封装罩设薄膜电晶阵列及由有机发光二极体膜层形成的复数个有机发光二极体。
3、根据权利要求1所述的有机发光二极体显示器，其特征在于所述的绝缘基板上表面直接设置复数个挠性排线；复数个挠性排线位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外。
4、根据权利要求1所述的有机发光二极体显示器，其特征在于所述的直接设置于绝缘基板上表面并位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外的复数驱动晶片系直接形成于绝缘基板上表面。
5、根据权利要求1所述的有机发光二极体显示器，其特征在于所述的直接设置于绝缘基板上表面并位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外的复数驱动晶片系直接以压合方式设置于绝缘基板上表面。
6、一种有机发光二极体显示器制造方法，它包括如下步骤：
在绝缘基板上表面制作薄膜电晶体阵列；在薄膜电晶体阵列上进行有机发光二极体膜层的沉积，以形成分别与薄膜电晶阵列中相对应薄膜电晶体的汲极/源极相连接的有机发光二极体；设置复数驱动晶片；其特征在于所述的复数驱动晶片系直接设置于绝缘基板上，并位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外的预定区域。
7、根据权利要求6所述的有机发光二极体显示器制造方法，其特征在于所述的绝缘基板上直接设置尺寸大于形成薄膜电晶体阵列及由有机发光二极体膜形成的复数个有机发光二极体区域的封装玻璃盖，以完全封罩住复数有机发光二极体及薄膜电晶体阵列。
8、根据权利要求6或7所述的有机发光二极体显示器制造方法，其特征在于所述的形成有机发光二极体步骤中系以遮蔽罩/干蚀刻/剥落步骤以令形成有机发光二极体步骤后露出预定设置封装玻璃盖及复数个驱动晶片区域的绝缘基板。
9、根据权利要求6所述的有机发光二极体显示器制造方法，其特征在于所述的位于形成复数有机发光二极体的有机发光二极体膜层外的预定区域的绝缘基板上表面设置有两端分别与绝缘基板外、内的印刷电路板及导线相连接的挠性排线。
10、根据权利要求6所述的有机发光二极体显示器制造方法，其特征在于所述的制作发光二极体的有机材料为小分子有机材料。
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| GR01 | Patent grant | ||
| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20071003 |