CN1512265A - 用于光阻剂的外涂层组合物及使用该组合物形成光阻剂图案的方法 - Google Patents

用于光阻剂的外涂层组合物及使用该组合物形成光阻剂图案的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1512265A
CN1512265A CNA2003101203132A CN200310120313A CN1512265A CN 1512265 A CN1512265 A CN 1512265A CN A2003101203132 A CNA2003101203132 A CN A2003101203132A CN 200310120313 A CN200310120313 A CN 200310120313A CN 1512265 A CN1512265 A CN 1512265A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
pattern
described method
polymkeric substance
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2003101203132A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100354755C (zh
Inventor
卜垂
卜喆圭
郑载昌
文承灿
申起秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hynix Semiconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020030041167A external-priority patent/KR100669547B1/ko
Application filed by Hynix Semiconductor Inc filed Critical Hynix Semiconductor Inc
Publication of CN1512265A publication Critical patent/CN1512265A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100354755C publication Critical patent/CN100354755C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明揭示了用于光阻剂的外涂层组合物及降低光阻剂图案线宽的方法。更具体地，在由常规光刻过程所制得的光阻剂图案的整个表面上涂布包含酸的外涂层组合物，从而使酸扩散入光阻剂图案中。其中酸扩散到达的部分的光阻剂以碱性溶液显影而移除。结果，可降低正性光阻剂图案的线宽，还可避免负性光阻剂图案的线宽在随后的使用SEM测量线宽的过程中变细。

Description

用于光阻剂的外涂层组合物及使用该 组合物形成光阻剂图案的方法
技术领域
本发明揭示了用于光阻剂(photoresist)的外涂层组合物及降低光阻剂图案(pattern)线宽(linewidth)的方法。更具体地，在由常规光刻过程(lithography)所制得的光阻剂图案的整个表面上涂布包含酸的外涂层组合物，从而使酸扩散入光阻剂图案中。其中酸扩散到达的部分的光阻剂以碱性溶液显影而移除。结果，可降低正性光阻剂图案的线宽，还可避免负性光阻剂图案的线宽在随后的使用SEM的测量线宽的过程中变细。
背景技术
传统上，用增加曝光能量的方法来降低光阻剂图案的线宽。
然而，虽然上述方法极有效地降低光阻剂图案的线宽，但由于能量增加而引起的光的衍射量变得太大，如图1所示。结果，部分光阻剂图案被移除(10)，且光阻剂图案20变形(transform)为三角形。而且光阻剂图案20的厚度也减小了。
该三角形轮廓(profile)及减小的阻剂厚度使随后的蚀刻过程的水平降低。具体言之，当测量图案线宽时，该三角形图案使再生产能力(reproductivity)降低，且当转录(transcribe)成底膜(lower film)时使随后的蚀刻图案变形为三角形。其结果是增加了阻抗。
阻剂厚度的减小无法在蚀刻底膜的过程中对等离子体(plasma)发挥掩罩(mask)功能。结果是蚀刻图案变形并破裂。
当形成负性光阻剂图案时，藉由设定临界尺寸(后文称′CD′)标的(target)而进行SEM测量。该SEM测量刚完成之后CD几乎与该标的相同。然而，在SEM测量后10分钟内，该图案CD因测量过程中光阻剂组合物中产生的高能量电子束而减小。
在超微细高度集成的半导体制造中远紫外线光源如ArF(193nm)及VUV(157nm)可使该图案CD更加减小。
用于193nm及157nm的大部分光阻剂组合物满足各种物理性质如低光吸收度、高蚀刻、优异基材黏着性、对光源的透明性及在碱性显影剂中的显影能力，而且其不包含芳族材料，因为芳族材料可减缓在SEM测量过程中产生的高能量电子束。结果是图案的CD减小。
在图案变得更小之时，由于电子束加速电压及曝光时间，图案的CD进一步减小，其导致过程产量降低。
发明内容
本发明揭示了可降低光阻剂图案的线宽的外涂层组合物。
本发明揭示了使用本发明所揭示的外涂层组合物形成光阻剂图案的方法。
附图说明
图1为显示由于曝光能量增加而使光阻剂图案线宽及轮廓改变的过程示意图。
图2a至图2d为说明形成本发明所揭示的光阻剂图案的方法的示意图。
图3为聚(N，N-二甲基丙烯酰胺)的NMR光谱图。
图4a及图4b为实施例3所得的光阻剂图案的SEM照片。
图5a及图5b为实施例4所得的光阻剂图案的SEM照片。
图6a及图6b为实施例5所得的光阻剂图案的SEM照片。
图7a及图7b为实施例6所得的光阻剂图案的SEM照片。
图8a及图8b为比较例1所得的光阻剂图案的SEM照片。
图式代表符号说明
10  显影后被移除的光阻剂材料
20  显影后留下光阻剂图案
100 光阻剂图案
102 外涂层
104 酸扩散区域
106 减小的光阻剂图案
具体实施方式
本发明揭示一种光阻剂的外涂层组合物，包括水可溶聚合物、酸性化合物及水。
优选，该水可溶聚合物为式1所示的化合物或聚乙烯基吡咯烷酮：
式1
其中
R′为H或CH3；
R5及R6独立地为H或C1-C3烷基；及
n为重复单元数。
该n为50至150的整数且式1化合物的分子量范围是5000至15000。
式1化合物优选为聚(N，N-二甲基丙烯酰胺)。
该酸性化合物可为有机磺酸，例如对-甲苯磺酸单水合物。该酸性化合物的含量占水可溶聚合物量的2至20重量％，优选为5至10重量％。
蒸馏水可作为用作组合物的溶剂的水。水的含量占水可溶聚合物量的500至4000重量％，优选500至2000重量％。
一种形成光阻剂图案的方法，包括：
(a)通过光刻过程形成光阻剂图案；
(b)在该光阻剂图案整个表面上涂布上述外涂层组合物而形成外涂层；
(c)烘烤该外涂层；及
(d)以碱性显影溶液使该外涂层显影。
其中通过光刻过程形成光阻剂图案的步骤(a)包括：
(a-1)在半导体基材上涂布化学增幅(chemically amplified)的光阻剂组合物并烘烤该基材形成光阻剂薄膜；
(a-2)使光阻剂薄膜曝光；
(a-3)烘烤该光阻剂薄膜；及
(a-4)使光阻剂薄膜显影。
优选，步骤(a)所得的光阻剂图案在步骤(a-1)中涂布的高度范围是2000至3000埃，且步骤(b)中外涂层厚度范围在从步骤(a)中的光阻剂图案的上表面计算起为200至5000埃。
步骤(c)中的烘烤过程为酸扩散烘烤过程且优选在50至150℃的温度范围进行30至90秒。
进行该烘烤过程的目的是使外涂层中的酸酸扩散入该光阻剂图案中。结果，具有酸的光阻剂图案区域增加了，而且其可通过碱性显影溶液被移除。此处，因为酸扩散烘烤过程温度升高且外涂层厚度增厚，则该酸扩散距离变长。因此，图案线宽可使用上述理论予以调节。
步骤(d)中的碱性显影溶液可为TMAH、KOH或NaOH水溶液。
传统上，外涂层组合物是在形成光阻剂图案之前涂布在光阻剂薄膜上，接着进行后续的光刻过程。
但是，通过常规光刻过程制备光阻剂图案之后，本发明将所揭示的外涂层组合物涂布在该光阻剂图案的整个表面上。接着，进行该烘烤过程以获得微细图案。
亦即，在光阻剂图案整个表面上形成本发明所揭示的组合物，接着进行烘烤过程以使酸扩散入该光阻剂图案中。接着，使用碱性显影溶液移除已扩散入酸的光阻剂图案区域。结果，可降低图案的线宽。
形成负性图案之后，在其上涂布本发明所揭示的外涂层组合物。接着在所得结构上进行烘烤过程。结果，包含在组合物中的酸被吸收入图案的上面部分并使图案硬化。通过进行SEM过程来测量线宽，因而避免图案变细。
此方式中，本发明所揭示的外涂层组合物为外涂布于预先形成的光阻剂图案上的组合物。
关于优选具体例的形成图案的方法将参考附图加以更详细说明。
参考图2a，将化学增幅的光阻剂组合物(未图标)涂布在半导体基材(未图示)上，并烘烤以形成光阻剂薄膜(未图示)。
该光阻剂薄膜经曝光、烘烤及显影形成光阻剂图案100。
步骤(a-1)中涂布的光阻剂图案100高度优选处于2000至3000埃之间。
任何常规的化学增幅的光阻剂可用于该光阻剂组合物。优选，该光阻剂组合物包括具有式2这样的重复单元的光阻剂聚合物：
式2
Figure A20031012031300081
其中X1、X2、Y1、Y2、Z1及Z2独立地为CH2或CH2CH2；
R1、R3及R4独立地选自H、经取代的C1-C10烷基或未经取代之C1-C10烷基；
R2为C1-C10羟基烷基；
R*为酸不稳定(acid labile)保护基；
p、q及r独立地为0至2的整数；及
a∶b∶c∶d的相对比例在5至90摩尔％∶5至90摩尔％∶0至90摩尔％∶0至90摩尔％之间。
可通过酸而被脱离的酸不稳定保护基可决定PR材料的碱性显影剂溶液的溶液。亦即，该酸不稳定保护基可避免化合物溶于碱性显影剂溶液中。若该酸不稳定保护基可通过曝光所产生的酸而脱离时，则该PR材料可溶于显影剂溶液中。有些常用的酸不稳定保护基揭示于美国专利号5,212,043(1993年5月18日)、WO 97/33198(1997年9月12日)、WO 96/37526(1996年11月28日)、EP 0 794 458(1997年9月10日)、EP 0 789 278(1997年8月13日)、美国专利号5,750,680(1998年5月12日)、美国专利号6,051,678(2000年4月18日)、GB2,345,286 A(2000年7月5日)、美国专利号6,132,926(2000年10月17日)、美国专利号6,143,463(2000年11月7日)、美国专利号6,150,069(2000年11月21日)、美国专利号6,180,316 B1(2001年1月30日)、美国专利号6,225,020 B1(2001年5月1日)、美国专利号6,235,448 B1(2001年5月22日)及美国专利号6,235,447B1(2001年5月22日)。优选，该酸不稳定保护基系选自叔丁基、四氢吡喃-2-基、2-甲基-四氢吡喃-2-基、四氢呋喃-2-基、2-甲基四氢呋喃-2-基、1-甲氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基乙基、1-乙氧基丙基、1-乙氧基-1-甲基乙基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、叔丁氧基乙基及1-异丁氧基乙基。
该光阻剂聚合物包括混杂型共聚物，其包含具有上式2所示的环-烯烃主链这样的重复单元的第一聚合物及具有丙烯酸酯主链这样的重复单元的第二聚合物。
优选，该丙烯酸酯主链包括聚{4-[2-(4-羟基苯基)-1，1，1，3，3，3-六氟丙基]苯基甲基丙烯酸酯/(1，1，1，3，3，3-六氟-2-叔丁基羧酸酯)异丙基甲基丙烯酸酯}、聚[N-全氟丙基顺丁烯二酰亚胺/叔丁基-5-降冰片烯-2-羧酸酯/2-(全氟-辛基)乙基甲基丙烯酸酯]或聚(顺丁烯二酸酐/六氟丁基-5-降冰片烯-2-羧酸酯/2，6-二氟-甲基苄基丙烯酸酯)。
步骤(a-2)之曝光源选自ArF(193nm)、KrF(248nm)、F2(157nm)及EUV(13nm)所成之组群。步骤(a-2)的曝光能量范围是10至30mJ/cm2。
如图2b所示，外涂层组合物102涂布在图2a所述方法形成的光阻剂图案100上。
外涂层组合物的厚度从光阻剂图案上表面计算起为200至5000埃之间。
如图2c所示，在图2b中形成的外涂层组合物102上进行酸扩散烘烤过程以使外涂层上的酸扩散入该光阻剂图案中。结果，浸入酸的光阻剂图案区域104产生了。
当形成的图案为负性图案时，包含在组合物中的酸扩散入图案上端部分。结果，图案之上端部分硬化(未图示)。
该烘烤过程优选在50至150℃的温度范围进行30至90秒。
通过图2c的烘烤过程增加光阻剂图案中具有酸的区域后，将具有酸的区域104以碱性显影溶液移除而形成光阻剂图案106，其线宽降低至如图2d所示或其表面已硬化。
优选，该碱性显影溶液可为TMAH、KOH或NaOH水溶液。
由于图案线宽与碱处理时间成比例地变小，所需的线宽可藉由调节处理时间而获得。若碱性显影溶液浓度变高，则阻剂材料的移除速率变快。结果是可改善生产量。本文中，具有酸的区域优选以2.38重量％的TMAH水溶液处理30至60秒。
本发明所揭示的外涂层组合物将参考下列实施例更详细加以说明，但其不用以限制本发明之范围。
I.外涂层组合物的制备
实施例1.外涂层组合物(1)的制备
步骤1.聚(N，N-二甲基丙烯酰胺)的合成
向四氢呋喃溶剂(300克)中添加N，N-二甲基丙烯酰胺(100克)及AIBN(5克)。所得混合物在66℃反应9小时。随后，所得混合物于***中沉淀，并脱水因而获得纯的聚(N，N-二甲基丙烯酰胺)(分子量约12,700，产率约88％)。合成化合物的NMR光谱示于图3。
步骤2.优选实施方式1
向蒸馏水(300克)中添加制备例1所得之聚(N，N-二甲基丙烯酰胺)聚合物(30克)及对-甲苯磺酸(0.5克)。接着，以0.2微米滤纸(filter)过滤所得混合物，从而获得所揭示的外涂层组合物。
实施例2.外涂层组合物(2)的制备
向蒸馏水(300克)中添加聚乙烯吡咯烷酮(分子量10,000)(30克)(Aldrich公司)及对-甲苯磺酸(0.5克)。接着，以0.2微米滤纸过滤所得混合物，因而获得本发明所揭示的外涂层组合物。
II.形成正性光阻剂图案
实施例3.
在晶片(wafer)上涂布厚度为330埃的ArF抗反射涂层(后文称为″BARC″)薄膜(DHRC-A20)(Dongjin SemiChem股份有限公司)。在其上涂布厚度为2400埃的正性ArF光阻剂(DHA-H150)(Dongjin SemiChem股份有限公司)。所得结构使用ArF曝光机(ASML股份有限公司)曝光并显影，因而获得图4a所示的正性光阻剂图案(线宽约112nm)。
将实施例1步骤2得到的外涂层组合物在图4a的图案上涂布3000埃的厚度。所得结构在150℃烘烤30秒。烘烤过程后，所得结构以2.38重量％的TMAH溶液显影，因而获得图4b之图案(线宽约86nm)。
图4b的图案线宽显示比图4a的图案线宽减小26nm。由此可见，通过本发明所揭示的方法可增加图案的解析力。
实施例4.
在晶片上涂布厚度330埃的ArF BARC薄膜(DHRC-A20)。在其上涂布厚度为2400埃的正性ArF光阻剂(DHA-H150)。所得结构使用ArF曝光机曝光并显影，因而获得图5a所示正性光阻剂图案(线宽约111nm)。
实施例2所得的外涂层组合物在图5a的图案上涂布3000埃厚度。所得结构在150℃烘烤30秒。烘烤过程后，所得结构以2.38重量％的TMAH溶液显影，从而获得图5b的图案(线宽约88nm)。
图5b的图案线宽显示比图5a的图案线宽减小23nm。由此可见，本发明所揭示的方法可增加图案的解析力。
实施例5.
在晶片上涂布光阻剂(AX1020P)(Clariant股份有限公司)。所得结构在120℃烘烤90秒形成光阻剂薄膜。该光阻剂薄膜使用ArF曝光机曝光，并在120℃烘烤90秒。所得结构以2.38重量％TMAH水溶液显影，因而获得图6a所示的正性光阻剂图案(线宽约100nm)。
实施例2所得的外涂层组合物在图6a的图案上涂布2400埃厚度。所得结构在120℃烘烤90秒以扩散酸。接着所得结构以2.38重量％的TMAH溶液显影40秒，从而获得线宽80nm的图案(参见图6b)。
图6b的图案线宽显示比图6a的图案线宽减小20nm。由此可见，本发明所揭示的方法可增加图案的解析力。
III.形成负性光阻剂图案
实施例6.
在晶片上涂布厚度为330埃ArF抗反射涂层薄膜(DHRC-A20)(DongjinSemiChem股份有限公司)。在其上涂布厚度为2400埃负性ArF光阻剂(GX02)(Dongjin SemiChem股份有限公司)。所得结构使用ArF曝光机(ASML股份有限公司)曝光并显影，因而获得负性光阻剂图案(线宽约112nm)。
实施例1步骤2所得的外涂层组合物在该负性图案上涂布3000埃厚度。所得结构在150℃烘烤2分钟。烘烤过程后，所得结构以蒸馏水显影，因而获得图7a之图案(线宽约103nm)。
使用SEM仪器在800V的加速电压及120K放大率(magnification)之下将上述负性光阻剂图案暴露于电子束中30秒的时候测量该图案的线宽的减小。通过图7b可看出103nm的图案中未观察到变细现象。
比较例1.
在晶片上涂布厚度330埃的ArF抗反射涂层薄膜(DHRC-A20)(DongjinSemiChem股份有限公司)。在其上涂布ArF光阻剂(GX02)。
所得结构使用ArF曝光机(ASML股份有限公司)曝光并显影，因而获得图8a所示的正性光阻剂图案(线宽约112nm)。
使用SEM仪器在800V的加速电压及120K放大率之下将上述光阻剂图案曝露于电子束中30秒的时候测量该图案的线宽的减小。
参见图8a，91nm的图案中显示变细现象。
如先前所述，图案的线宽可容易地通过简单湿式显影过程而减小，且不须新颖设备，因而可降低成本。此外，可降低DRAM或MPU之晶体管线宽，因而改进半导体速度之操作速度，且DRAM之磁头线(bit-line)线宽可减小，因而改进容量。在负性光阻剂的情况下，在后续的使用SEM测量线宽的过程中可避免线宽变细现象，因而改良所得光阻剂图案之再生产能力及可靠性。

Claims (21)

1.一种用于光阻剂的外涂层组合物，包括：
水可溶聚合物，
酸性化合物；及
水。
2.权利要求1所述的组合物，其中所述的水可溶聚合物为式1的化合物或聚乙烯基吡咯烷酮：
式1
其中
R′为H或CH3；
R5及R6独立地为H或C1-C3烷基；及
n为重复单元数。
3.权利要求2所述的组合物，其中所述的n为50至150之整数。
4.权利要求2所述的组合物，其中该式1化合物的分子量范围是5000至15000。
5.权利要求2所述的组合物，其中该式1所示的水可溶聚合物为聚(N，N-二甲基丙烯酰胺)。
6.权利要求1所述的组合物，其中所述酸性化合物为有机磺酸。
7.权利要求1所述的组合物，其中所述酸性化合物为对-甲苯磺酸单水合物。
8.权利要求1所述的组合物，其中所述酸性化合物的含量占水可溶聚合物量的2至20重量％。
9.权利要求1所述的组合物，其中所述水的含量占水可溶聚合物量的500至4000重量％。
10.一种形成光阻剂图案的方法，包括如下步骤：
(a)通过光刻过程制备光阻剂图案；
(b)在该光阻剂图案的整个表面上涂布权利要求1所述的外涂层组合物而形成外涂层；
(c)烘烤该外涂层；及
(d)以碱性显影溶液使该外涂层显影。
11.权利要求10所述的方法，其中步骤(a)包括：
(a-1)在半导体基材上涂布化学增幅的光阻剂组合物并烘烤该基材形成光阻剂薄膜；
(a-2)使光阻剂薄膜曝光；
(a-3)烘烤该光阻剂薄膜；及
(a-4)使光阻剂薄膜显影。
12.权利要求10所述的方法，其中步骤(a)得到的光阻剂图案高度为2000至3000埃之间。
13.权利要求10所述的方法，其中步骤(b)中该外涂层厚度从步骤(a)的光阻剂图案上表面算起为200至5000埃之间。
14.权利要求10所述的方法，其中步骤(c)的烘烤过程为在50至150℃的温度范围内进行30至90秒。
15.权利要求10所述的方法，其中步骤(d)的碱性显影溶液为TMAH、KOH或NaOH水溶液。
16.权利要求11所述的方法，其中所述的化学增幅的光阻剂组合物包括具有式2这样的重复单元的光阻剂聚合物：
式2
Figure A20031012031300031
其中X1、X2、Y1、Y2、Z1及Z2独立地为CH2或CH2CH2；
R1、R3及R4独立地选自H、经取代之C1-C10烷基或未经取代之C1-C10烷基；
R2为C1-C10羟基烷基；
R*为酸不稳定保护基；
p、q及r独立地为0至2的整数；及
a∶b∶c∶d的相对比例在5至90摩尔％∶5至90摩尔％∶0至90摩尔％∶0至90摩尔％之间。
17.权利要求11所述的方法，其中所述的光阻剂聚合物为混杂型共聚物，该共聚物包括具有环-烯烃主链这样的重复单元的第一聚合物以及具有丙烯酸酯主链这样的重复单元的第二聚合物。
18.权利要求17所述的方法，其中所述的第一聚合物的重复单元如下式2所示：
式2
其中X1、X2、Y1、Y2、Z1及Z2独立地为CH2或CH2CH2；
R1、R3及R4独立地选自H、经取代之C1-C10烷基或未经取代之C1-C10烷基；
R2为C1-C10羟基烷基；
R*为酸不稳定保护基；
p、q及r独立地为0至2的整数；及
a∶b∶c∶d的相对比例在5至90摩尔％∶5至90摩尔％∶0至90摩尔％∶0至90摩尔％之间。
19.权利要求17所述的方法，其中该第二聚合物的重复单元为聚{4-[2-(4-羟基苯基)-1，1，1，3，3，3-六氟丙基]苯基甲基丙烯酸酯/(1，1，1，3，3，3-六氟-2-叔丁基羧酸酯)异丙基甲基丙烯酸酯}、聚[N-全氟丙基顺丁烯二酰亚胺/叔丁基-5-降冰片烯-2-羧酸酯/2-(全氟-辛基)乙基甲基丙烯酸酯]或聚(顺丁烯二酸酐/六氟丁基-5-降冰片烯-2-羧酸酯/2，6-二氟-甲基苄基丙烯酸酯)。
20.  权利要求11所述的方法，其中该步骤(a-2)的曝光源选自ArF(193nm)、KrF(248nm)、F2(157nm)或EUV(13nm)。
21.权利要求11所述的方法，其中该步骤(a-2)的曝光能量范围是10至30mJ/cm2。
CNB2003101203132A 2002-12-30 2003-12-05 用于光致抗蚀剂的外涂层组合物及使用该组合物形成光致抗蚀剂图案的方法 Expired - Fee Related CN100354755C (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR87205/2002 2002-12-30
KR20020087205 2002-12-30
KR87205/02 2002-12-30
KR41167/03 2003-06-24
KR1020030041167A KR100669547B1 (ko) 2002-12-30 2003-06-24 포토레지스트용 오버코팅 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성방법
KR41167/2003 2003-06-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1512265A true CN1512265A (zh) 2004-07-14
CN100354755C CN100354755C (zh) 2007-12-12

Family

ID=32716454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2003101203132A Expired - Fee Related CN100354755C (zh) 2002-12-30 2003-12-05 用于光致抗蚀剂的外涂层组合物及使用该组合物形成光致抗蚀剂图案的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6916594B2 (zh)
JP (1) JP4216705B2 (zh)
CN (1) CN100354755C (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103913946A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 罗门哈斯电子材料有限公司 光刻胶图案修剪方法
CN105739242A (zh) * 2014-12-31 2016-07-06 罗门哈斯电子材料有限责任公司 光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
CN109313395A (zh) * 2016-05-13 2019-02-05 东京毅力科创株式会社 通过使用光剂来进行的临界尺寸控制

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004228152A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Shinko Electric Ind Co Ltd ウエハのダイシング方法
US7268070B2 (en) * 2003-05-27 2007-09-11 United Microelectronics Corp. Profile improvement method for patterning
US7910288B2 (en) * 2004-09-01 2011-03-22 Micron Technology, Inc. Mask material conversion
US7655387B2 (en) 2004-09-02 2010-02-02 Micron Technology, Inc. Method to align mask patterns
US7611944B2 (en) 2005-03-28 2009-11-03 Micron Technology, Inc. Integrated circuit fabrication
KR100709442B1 (ko) * 2005-05-20 2007-04-18 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트 패턴 코팅용 조성물 및 이를 이용한 미세패턴형성 방법
US7429536B2 (en) * 2005-05-23 2008-09-30 Micron Technology, Inc. Methods for forming arrays of small, closely spaced features
US7560390B2 (en) 2005-06-02 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Multiple spacer steps for pitch multiplication
US7816262B2 (en) 2005-08-30 2010-10-19 Micron Technology, Inc. Method and algorithm for random half pitched interconnect layout with constant spacing
US7829262B2 (en) 2005-08-31 2010-11-09 Micron Technology, Inc. Method of forming pitch multipled contacts
US7572572B2 (en) 2005-09-01 2009-08-11 Micron Technology, Inc. Methods for forming arrays of small, closely spaced features
US7393789B2 (en) 2005-09-01 2008-07-01 Micron Technology, Inc. Protective coating for planarization
US7776744B2 (en) 2005-09-01 2010-08-17 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication spacers and methods of forming the same
US7759197B2 (en) 2005-09-01 2010-07-20 Micron Technology, Inc. Method of forming isolated features using pitch multiplication
US7842558B2 (en) 2006-03-02 2010-11-30 Micron Technology, Inc. Masking process for simultaneously patterning separate regions
US7902074B2 (en) 2006-04-07 2011-03-08 Micron Technology, Inc. Simplified pitch doubling process flow
US8003310B2 (en) * 2006-04-24 2011-08-23 Micron Technology, Inc. Masking techniques and templates for dense semiconductor fabrication
US7488685B2 (en) 2006-04-25 2009-02-10 Micron Technology, Inc. Process for improving critical dimension uniformity of integrated circuit arrays
US7795149B2 (en) 2006-06-01 2010-09-14 Micron Technology, Inc. Masking techniques and contact imprint reticles for dense semiconductor fabrication
US7723009B2 (en) 2006-06-02 2010-05-25 Micron Technology, Inc. Topography based patterning
US8852851B2 (en) 2006-07-10 2014-10-07 Micron Technology, Inc. Pitch reduction technology using alternating spacer depositions during the formation of a semiconductor device and systems including same
US7611980B2 (en) 2006-08-30 2009-11-03 Micron Technology, Inc. Single spacer process for multiplying pitch by a factor greater than two and related intermediate IC structures
US7666578B2 (en) 2006-09-14 2010-02-23 Micron Technology, Inc. Efficient pitch multiplication process
US7491343B2 (en) * 2006-09-14 2009-02-17 Lam Research Corporation Line end shortening reduction during etch
US7407597B2 (en) * 2006-09-14 2008-08-05 Lam Research Corporation Line end shortening reduction during etch
KR20080057562A (ko) * 2006-12-20 2008-06-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
KR100876783B1 (ko) * 2007-01-05 2009-01-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
US7923373B2 (en) * 2007-06-04 2011-04-12 Micron Technology, Inc. Pitch multiplication using self-assembling materials
JP4475435B2 (ja) * 2007-07-30 2010-06-09 信越化学工業株式会社 含フッ素単量体、含フッ素高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US8563229B2 (en) 2007-07-31 2013-10-22 Micron Technology, Inc. Process of semiconductor fabrication with mask overlay on pitch multiplied features and associated structures
US7737039B2 (en) * 2007-11-01 2010-06-15 Micron Technology, Inc. Spacer process for on pitch contacts and related structures
US7659208B2 (en) 2007-12-06 2010-02-09 Micron Technology, Inc Method for forming high density patterns
US7790531B2 (en) 2007-12-18 2010-09-07 Micron Technology, Inc. Methods for isolating portions of a loop of pitch-multiplied material and related structures
US8030218B2 (en) 2008-03-21 2011-10-04 Micron Technology, Inc. Method for selectively modifying spacing between pitch multiplied structures
US7989307B2 (en) 2008-05-05 2011-08-02 Micron Technology, Inc. Methods of forming isolated active areas, trenches, and conductive lines in semiconductor structures and semiconductor structures including the same
US10151981B2 (en) * 2008-05-22 2018-12-11 Micron Technology, Inc. Methods of forming structures supported by semiconductor substrates
JP2009295745A (ja) * 2008-06-04 2009-12-17 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US7862982B2 (en) 2008-06-12 2011-01-04 International Business Machines Corporation Chemical trim of photoresist lines by means of a tuned overcoat material
US8076208B2 (en) * 2008-07-03 2011-12-13 Micron Technology, Inc. Method for forming transistor with high breakdown voltage using pitch multiplication technique
US8084193B2 (en) * 2008-07-12 2011-12-27 International Business Machines Corporation Self-segregating multilayer imaging stack with built-in antireflective properties
JP5845556B2 (ja) * 2008-07-24 2016-01-20 Jsr株式会社 レジストパターン微細化組成物及びレジストパターン形成方法
JP5306755B2 (ja) * 2008-09-16 2013-10-02 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法
US8492282B2 (en) * 2008-11-24 2013-07-23 Micron Technology, Inc. Methods of forming a masking pattern for integrated circuits
US8796155B2 (en) 2008-12-04 2014-08-05 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating substrates
US8273634B2 (en) 2008-12-04 2012-09-25 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating substrates
US8247302B2 (en) 2008-12-04 2012-08-21 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating substrates
JP5139250B2 (ja) * 2008-12-05 2013-02-06 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆剤及びこれを用いた微細パターンの形成方法
US8163466B2 (en) * 2009-02-17 2012-04-24 International Business Machines Corporation Method for selectively adjusting local resist pattern dimension with chemical treatment
US8268543B2 (en) 2009-03-23 2012-09-18 Micron Technology, Inc. Methods of forming patterns on substrates
US9330934B2 (en) 2009-05-18 2016-05-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming patterns on substrates
TWI420571B (zh) * 2009-06-26 2013-12-21 羅門哈斯電子材料有限公司 形成電子裝置的方法
CN101963755B (zh) * 2009-06-26 2012-12-19 罗门哈斯电子材料有限公司 自对准间隔物多重图形化方法
KR101573464B1 (ko) * 2009-07-28 2015-12-02 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
US20110129991A1 (en) * 2009-12-02 2011-06-02 Kyle Armstrong Methods Of Patterning Materials, And Methods Of Forming Memory Cells
JP2011257499A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターン形成方法及びパターン微細化処理剤
US8455341B2 (en) 2010-09-02 2013-06-04 Micron Technology, Inc. Methods of forming features of integrated circuitry
KR101311446B1 (ko) * 2011-01-21 2013-09-25 금호석유화학 주식회사 수용성 수지 조성물 및 이를 이용하여 미세패턴을 형성하는 방법
US8575032B2 (en) 2011-05-05 2013-11-05 Micron Technology, Inc. Methods of forming a pattern on a substrate
JP5758263B2 (ja) * 2011-10-11 2015-08-05 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US9177794B2 (en) 2012-01-13 2015-11-03 Micron Technology, Inc. Methods of patterning substrates
US8629048B1 (en) 2012-07-06 2014-01-14 Micron Technology, Inc. Methods of forming a pattern on a substrate
US9213239B2 (en) 2013-01-22 2015-12-15 Micron Technology, Inc. Methods of forming patterns for semiconductor device structures
JP6157151B2 (ja) * 2013-03-05 2017-07-05 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US9291909B2 (en) 2013-05-17 2016-03-22 Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. Composition comprising a polymeric thermal acid generator and processes thereof
US9583381B2 (en) 2013-06-14 2017-02-28 Micron Technology, Inc. Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures
JP6278670B2 (ja) * 2013-11-25 2018-02-14 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆剤
US9448486B2 (en) * 2013-12-30 2016-09-20 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist pattern trimming compositions and methods

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3064056B2 (ja) * 1991-08-12 2000-07-12 日本化薬株式会社 縮合樹脂及びこれを含有する感放射線性樹脂組成物
JP3694703B2 (ja) * 1996-04-25 2005-09-14 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 反射防止コーティング用組成物
JP2001281874A (ja) * 2000-03-31 2001-10-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd リソグラフィー用反射防止膜形成用組成物およびこれを用いたレジスト積層体
JP2001318465A (ja) * 2000-05-11 2001-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
JP4441104B2 (ja) * 2000-11-27 2010-03-31 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
TW555785B (en) * 2000-12-07 2003-10-01 Shinetsu Chemical Co Polymer compound, resist material, and pattern formation method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103913946A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 罗门哈斯电子材料有限公司 光刻胶图案修剪方法
CN103913946B (zh) * 2012-12-31 2019-04-16 罗门哈斯电子材料有限公司 光刻胶图案修剪方法
CN105739242A (zh) * 2014-12-31 2016-07-06 罗门哈斯电子材料有限责任公司 光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
CN105739242B (zh) * 2014-12-31 2020-03-17 罗门哈斯电子材料有限责任公司 光致抗蚀剂图案修整组合物和方法
CN109313395A (zh) * 2016-05-13 2019-02-05 东京毅力科创株式会社 通过使用光剂来进行的临界尺寸控制

Also Published As

Publication number Publication date
US6916594B2 (en) 2005-07-12
CN100354755C (zh) 2007-12-12
US20040142279A1 (en) 2004-07-22
JP2004212967A (ja) 2004-07-29
JP4216705B2 (ja) 2009-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1512265A (zh) 用于光阻剂的外涂层组合物及使用该组合物形成光阻剂图案的方法
CN1276304C (zh) 正型光刻胶组合物及光刻胶图案形成方法
CN1173233C (zh) 化学放大型正光刻胶组合物
CN1163796C (zh) 用于光致抗蚀剂的交联剂及含该交联剂的光致抗蚀剂组合物
CN1196030C (zh) 用于光致抗蚀剂组合物的抗反射涂料
CN1545645A (zh) 形成光刻用防反射膜的组合物
JP2002006512A (ja) 微細パターン形成方法、微細パターン形成用材料、およびこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法
CN1947068A (zh) 水溶性树脂组合物和使用该组合物形成图案的方法
CN1514956A (zh) 厚膜型光致抗蚀剂及其使用方法
CN1871550A (zh) 低活化能含硅抗蚀剂体系
JP2011512552A5 (zh)
CN1223908C (zh) 形成图形的方法和在其中使用的处理剂
CN1828412A (zh) 抗蚀剂组合物和在基材上形成图案的方法
JPH06184311A (ja) 酸感応ポリマおよびホトレジスト構造の作成方法
CN100339407C (zh) 顶层防反射涂层聚合物及其制法以及包含它的顶层防反射涂料组合物
CN1752846A (zh) 用于半导体器件制造的、包括凝胶层的掩模图形及其形成方法
CN1162752C (zh) 用于光致抗蚀剂的交联剂及含该交联剂的光致抗蚀剂组合物
KR100611394B1 (ko) 유기 반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의패턴 형성 방법
CN1748181A (zh) 放射线敏感性树脂组合物、其制造法以及使用其的半导体装置的制造方法
CN1215382C (zh) 用于光刻胶的抗反射涂料
CN1735655A (zh) 有机底层抗反射组合物及采用该组合物的构图方法
KR100474544B1 (ko) Ｔｉｐｓ 공정용 포토레지스트 조성물
CN1173232C (zh) 化学放大型正光刻胶组合物
CN1875323A (zh) 厚膜或超厚膜响应的化学放大型光敏树脂组合物
CN1873533A (zh) 光刻胶聚合物、光刻胶组合物及制造半导体装置的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20071212

Termination date: 20131205