CN1508765A - 自发光元件，显示面板，显示装置以及自发光元件的制造方法 - Google Patents

自发光元件，显示面板，显示装置以及自发光元件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的目的是提供光的取出效率高的显示面板，提供的显示面板具备：覆盖发光层的射出侧，并形成与外界的界面的保护层，该保护层的厚度是使得从发光层射出的光在发光层的面积内的界面上至少进行一次全反射程度的厚度；覆盖上述发光层的与上述保护层相反的一侧的反射层；在发光层的周围的反射面，该反射面改变从发光层射出的光，即在保护层内传播的光的方向。

Description

自发光元件，显示面板，显示装置 以及自发光元件的制造方法
相关申请的交叉参考
本申请享受2002年12月17日在先提出的日本国专利申请号2002-365522和2003年2月26日在先提出的日本国专利申请号2003-049396的优先权，同时，将其全部内容都包括在内。
技术领域
本发明是关于有机电致发光(有机EL)等的自发光元件，显示面板，显示装置以及自发光元件的制造方法的发明。
背景技术
近年来，作为自发光型的平面式面板显示器(FPD)，大量地开发出了使用了有机EL元件的显示面板，以及等离子显示器面板(PDP)的显示器。这些显示面板是由在阳极层和阴极层之间配置了发光层而构成的。在显示面板中，通过在电极间施加电压而使自发光元件发光，可以通过折射率大于1的透明介质或者透明面板观看其发光面来识别文字和图像。
由于从自发光元件的发光面发出的光呈放射状，也就是，几乎向所有的角度发射，因此对于透明介质与外界(或者空气)的界面，就会出现具有临界角或其以上的入射角的光在界面上被全反射而被封闭在显示面板上的问题。例如，就一个作为自发光型元件的有机EL元件而言，据说只能使20％-30％左右的光从显示面板被取出。
为了解决这样的有关光的利用效率或者取出效率的问题，已经提出了在面板的内部构成为斜面，以便将具有临界角或其以上的放射角的光转换为放射角小于临界角的光，通过该斜面结构的斜面使得光发生反射或折射而提高光的取出效率。特别是，在特开平10-189251号中，提出了在从覆盖基底基板形成的发光层的透明面板侧射出光的顶发射型显示面板中，在发光层的周围配置楔状反射部件，加入了反射结构的构成。还有，在特开平2001-332388号公报中，提出了在从形成了发光层的基底基板侧射出光的底发射型显示面板中，其结构是在夹持发光层的阳极以及阴极上形成斜面。
但是，从发光层射出的光通过斜面进行角度变换以防止在界面的全反射的结构，显示面板的整体会变厚，对于实现非常薄的平面式面板显示器可能会产生制约。为了提高来自显示面板的光的取出效率，有必要对具有相对于透明面板与外界的界面以临界角或其以上的角度入射的光用斜面进行变换，所以有必要设计成使得这样的光必须或者其中大部分的光入射到斜面上。也就是，为了要减少从发光层向透明面板的界面以临界角入射的光，有必要形成高的斜面，其结果是使得透明面板变厚。因此，为了要提高光的取出效率只能采用厚的透明面板，就无法使得显示面板整体变薄。另一方面，虽然如果让透明面板变薄就可以使得显示面板整体变薄，但因为增加了对于界面以临界角或其以上角度入射的光，所以光的取出效率就会下降。
而且，虽然设置了转换结构，但并不是从发光元件输出的光全部从显示面板输出到外界。
在作为发光层的包含发光元件的显示体层中层叠形成了保护层的显示面板中，来自发光元件的输出光没有全部被输出到外界的一个主要原因是因为，在发光元件与保护层之间还有界面，当保护层的折射率低于发光元件的折射率时，从发光元件向保护层进行光输入时也会有临界角。例如，在作为发光元件采用夹持在两个电极之间的有机EL的显示面板的一般结构中，在基板上形成的显示体层上层叠了玻璃基板作为保护层。当发光元件的折射率为1.7左右，而玻璃基板的折射率为1.5左右时，从发光元件输出的通过了电极的光在界面就存在全反射的成分。因此，在从发光元件输出的光之中，向玻璃基板的入射角在临界角或其以上的光在玻璃基板的界面被反射，无法被取出到外界。
如果使作为保护层或者输出层的在显示体层上层叠的透明面板的折射率比发光元件的折射率大的话，从显示体层输入到透明面板的光就没有全反射成分。因此，从发光元件输出的光就可以输入到透明面板。但是，如果增大透明面板的折射率，则其与外界的空气之间的折射率的差就会增大，从透明面板向外界输出的光的临界角就会变小。所以，即使只是采用了折射率大于发光元件的折射率的透明面板，由于被取出到外界的光的量并没有增加，因而无法提高光的取出效率。
发明内容
本发明的目的就是至少要解决上述的问题。依照本发明，可以提供可使光的取出效率提高，使得从发光元件输出的光更多地向外界输出的自发光元件，显示面板，显示装置以及自发光元件的制造方法。
为此，在本发明中，并不是防止从发光层到界面的以在临界角或其以上的角度射出的光在界面被全反射，而是利用其，通过在反射侧也形成反射层，进行多重反射，将在界面被全反射的光导向到在发光层的周围设置的角度变换部件上，在那里进行角度的变换。即，本发明的自发光元件具有，配置在电极之间，通过在电极之间施加的电压进行发光的发光层；覆盖发光层的射出侧并形成与外界的界面的保护层，该保护层的厚度为可使得从发光层射出的光在发光层的面积以内的界面上至少进行一次全反射的厚度；覆盖发光层的与保护层相反的一侧的反射层；在发光层的周围配置的，改变从发光层射出的光在保护层内的传播方向，使其角度相对于界面小于临界角的角度转换部。
在本发明的自发光元件中，采用了让从发光层射出的光至少进行一次全反射程度的薄的保护层。因此，可以使得自发光元件的整体变薄。对于设置有多个发光层的显示面板也是同样，通过积极地利用界面的全反射，在可以提高光的取出效率的同时，可以构成薄的显示面板。另一方面，相对于保护层界面以临界角或其以上角度射出的光，通过在界面和位于界面的相反侧的反射层之间的多重反射，到达配置在发光层周围的角度变换部而被进行角度变换后向外界输出。而且，由于保护层薄且良好，构成角度变换部的斜面的结构，可以比例如以下叙述的凸棱或凸起的结构更薄。如果采用这样的结构，由于通过多重反射在发光层周围传播的光，一定会通过角度变换部进行角度变换后被取出，从而光的取出效率将提高。另外，作为角度变换部不需要很高的斜面，省去了制作斜面结构的麻烦，从而可以提供低成本的明亮的显示面板。
因此，可以提供同时满足了自发光元件或者显示面板的薄型化和提高光的取出效率这两个相反要求的自发光元件以及显示面板。特别是，在采用了有机电致发光发光层的自发光元件或者显示面板中，由于光的取出效率高也就是所说的20％-30％左右，所以本发明是非常有效的。为此，可以提供很薄的具有本发明的显示面板，和驱动该显示面板的发光层进行图像显示的驱动装置的显示装置，从而可以进行明亮的图像显示。
改变在保护层传播的光的角度使其相对界面的角度小于临界角的角度变换部的其中一种是，使射出侧变宽那样倾斜着的反射面。另外，角度变换部也可以是使射出侧收窄那样倾斜着的折射面。以上的任一种斜面结构是必要的。
包围在发光层的周围的斜面高的话，如果倾斜度一定，斜面高的，相邻接的发光层的距离就会变长，输出高分辨率的图像的显示面板的尺寸就要变大。因此，采用了这种显示面板的显示装置就要大型化。与此相对，如果是低的斜面(角度变换部)，相邻接的发光层的距离就变短，就可以压缩显示高分辨率的图像的显示面板以及显示装置。
另外，在包括发光层以及斜面的平面区域相当于一个像素的显示面板中，对于每个像素的发光区域(发光层的发光面)，该像素所占的面积中也包含斜面(角度变换部)。因此，由于通过本发明可以使得角度变换部的面积变小，所以也就可以缩小像素的面积，从而可以从小面积的像素发射出同样光发射量的光。所以，显示面板的亮度也提高了。因此，本发明也具有缩小像素提高亮度的优点，可以显示非常明亮的图像或者文字。
在自发光元件以及显示面板中，夹持发光层而设置的电极之中，一方的电极，也就是与射出侧相反的一侧的电极可以被作为反射层。这样做可以不需要专用的反射层，从而可以提供更加薄的自发光元件以及显示面板。
在本发明的自发光元件以及显示面板中，为了将发光层与其他的发光层分隔开而形成向射出侧突出的凸棱，优选将凸棱的内侧表面作为角度变换部。本发明的自发光元件以及显示面板，作为保护层，虽然也可以采用将形成有角度变换部的片状或者面板状的部件进行粘贴的结构，但发光层和保护层之间会产生缝隙，容易增加产生漏光(串光)的可能性。另外，如果粘贴保护层，则在粘贴时容易使气泡等进入，由于气泡的原因光被散射，从而也可能妨碍利用效率的提高。而且，要进行没有串光或者气泡混入的制造被认为是困难的。
对此，通过将在发光层的周围形成的凸棱的内侧表面作为角度变换部，在凸棱所包围的区域形成保护层后，可以采用将保护层与发光层进行基本紧密的配合的结构，或者使得保护层与发光层的距离最短，因而可以抑制串光的产生。而且，由于只要在凸棱包围的区域形成保护层就可以，所以可以使用对区域进行涂布等方法形成保护层，也可以防止在形成保护层时发生气泡混入。而且，如果采用这样的结构，保护层的厚度被凸棱的厚度所吸收，也就是说，保护层的厚度不会影响元件或者显示面板的厚度，因而可以提供更加薄的自发光元件以及显示面板。
因此，通过一种自发光元件的制造方法，所述自发光元件具备配置在电极之间，通过在电极之间施加的电压进行发光的发光层；覆盖发光层的射出侧并形成与外界的界面的保护层，该保护层的厚度是使得从发光层射出的光在发光层的面积以内的界面上至少进行一次全反射程度的厚度；覆盖发光层的与保护层相反的一侧的反射层；在发光层的周围的角度变换部，该角度变换部改变从发光层射出的光，即在保护层内传播的光的方向，使得其角度小于相对于界面的临界角；该自发光元件的制造方法还包括：为了将发光层与其他的发光层分隔开而具备向射出侧突出的凸棱，将凸棱的内侧表面作为角度变换部的工序，以及通过在凸棱所包围的区域形成保护层的工序，通过该方法可以制造具有薄的而且光的利用效率高的结构的自发光元件。
另外，也可以形成从凸棱向射出侧突出的由绝缘材料构成的凸起，而将这个凸起的内侧表面作为角度变换部。而且，在由该凸起包围的区域中形成保护层。但是，与将凸棱的内侧表面作为角度变换部的结构相比，由于在凸棱的部分有产生串光的可能性，所以优选将凸棱的内侧表面作为角度变换部的结构。另一方面，在将凸棱的内侧表面作为角度变换部的结构中，在采用铝等的膜在凸棱的内侧表面制膜作为角度变换部的情况下，会有夹持发光层而配置的电极由于角度变换部而发生短路的可能性。因此，由于有制作绝缘膜的必要，如果考虑到制造显示面板的容易程度的话，在凸棱之上形成凸起，将其内侧表面作为角度变换部的结构被认为是适当的。
将在凸棱之上形成的绝缘性的凸起作为角度变换部的自发光元件，可通过如下制造方法制造，该方法具有，由绝缘材料形成为了将发光层与其他发光层分隔开的，从向射出侧突出的凸棱向射出侧突出的凸起，将该凸起的内侧表面作为角度变换部的工序，在由凸起所包围的区域中形成保护层的工序。
本发明对于自发光型的发光元件，即只要是自发光元件或者显示面板就可以适用。因此、本发明可以适用于利用了PDP、发光二极管、无机EL、有机EL、场致发光等的显示体或者显示面板。特别是，由于采用了发光层是有机电致发光发光层的有机EL元件的显示体(或者自发光元件)，或者是显示面板的光的取出效率非常低，因此本发明是非常有用的。
另外，在本发明中，通过将具有使从发光元件输出的输出光的传播方向朝向射出方向的角度变换部的透明的输出层的折射率设为等于或者大于发光元件的折射率，使得对于输出层来说输出光无泄漏地被输入的同时，通过在输出层让输出光的方向的角度小于输出层与外界的界面的临界角，即使是折射率高的输出层对于外界也可进行高效率的输出光的输出。也就是，本发明的显示体(自发光元件)具有，包括发光元件的显示体层；在这个显示体层的射出方向的位置上，具有使从发光元件输出的输出光的传播方向朝向射出方向的角度变换部的透明的输出层，将该输出层的折射率设为等于或者大于发光元件的折射率。
通过将输出层的折射率设为等于或者大于发光元件的折射率，使得来自发光元件或者显示体层朝向输出层的光没有全反射成分存在，除去从发光元件向背面输出的光之外，向前方或者上方输出的输出光全部取出到输出层。然后，通过在输出层设置由反射或者折射来改变输出光的传播方向的角度变换部，将相对于输出层与外界界面的入射角大的输出光的传播方向变换为相对于输出层与外界界面的入射角小的方向，即使由于折射率增大而使得与外部界面的临界角变小时，通过进一步使入射角小于这个临界角而可以向外界输出，从而可以维持或者提高光的取出效率。因此，只要是本发明的自发光元件(显示体)，就可以减少从发光元件或者显示体层对输出层的输出光入射时的损失，从而可以进一步提高从发光元件输出的光的利用效率。
作为改变在输出层的输出光的光路的角度变换部，可以采用使输出光折射而改变输出光的传播方向的微型透镜或者微型棱镜，和使输出光反射而改变输出光的传播方向的微型反射镜。也可以将微型透镜本身作为输出层来利用。
即使准备了折射率高的输出层，如果在发光元件与输出层之间存在折射率低于发光元件的折射率的中间层的话，因为存在向中间层入射时在界面被全反射的光，因而在输出层输入的输出光将减少。但另一方面，如果在发光元件与输出层之间的是其折射率高于输出层的折射率的中间层的话，因为从发光元件向中间层输入的光是以在中间层与输出层的临界角以下角度输入到输出层的，所以在中间层不产生损失。因此，有必要使中间层的折射率高于发光元件的折射率。例如，如果发光元件是通过施加电压使之发光的有机EL那样的元件的话，就有必要在显示体层上层叠形成作为向发光元件施加电压的电极的透明电极层，由于该透明电极层成为了发光元件与输出层之间的中间层，因而通过使该透明电极层的折射率高于发光元件的折射率就可以抑制在透明电极层的输出光的损失。
另一方面，输出层和透明电极层的折射率差大的情况下，就会存在由于在输出层和透明电极层的界面的折射率级差引起的反射，光的利用效率就会降低。还有，在外来光入射的情况下，由于在界面外来光反射，对比度就会降低。因此，优选在透明电极和输出层的界面设置防反射层来提高光的利用效率，进一步地抑制外来光的反射。
另外，从输出层输出的光经过空气(折射率约为1)到达用户的眼睛时才初次有效地工作。进一步在输出层的射出方向与输出层间隔开空间设置了透明的密封层的情况下，在其空间中充满折射率接近1的惰性气体，即使密封层是由折射率约为1.5的部件所构成，从输出层向惰性气体层输入的光是可以全部向密封层输入的，而且，由于惰性气体层与用户所在的空气层具有基本相同的折射率，所以入射到密封层的光是可以全部被取出到空气中的。
还有，在本发明中，除了采用的薄的保护层外，还将输出层的折射率设为等于或者大于发光元件的折射率。由此，可以进一步提高光的取出效率。
如此，由于本发明的自发光元件(显示体)可以进一步提高从发光元件输出的光的利用效率，从而可以输出高亮度的光。因此，通过使用多个这样的自发光元件(显示体)并将其配置成二元矩阵状的显示面板，可以显示高亮度的鲜明的图像。而且，通过提供具备本发明的显示面板，和驱动显示面板的发光元件而进行图像显示的驱动装置的显示装置，可以提供用低的电功率就可以显示更加明亮的图像的显示装置。
附图说明
图1是表示配备了本发明涉及的显示面板的显示装置(携带电话机)的图。
图2是表示本发明涉及的显示面板的概要的平面图。
图3是表示图2所示的显示面板的概要的剖面图。
图4是表示图2所示的显示面板的发光区域和像素区域的关系的说明图。
图5A-5D是表示图2所示的显示面板的制造方法的图。
图6是表示一种不同的显示面板的概要的剖面图。
图7A-7D是图6所示的显示面板的制造方法的图。
图8是表示另外一种不同的显示面板的概要的示意图。
图9是表示又一种不同的显示面板的概要的图。
图10是表示本发明涉及的显示面板的概要结构的剖面图。
图11是表示本发明涉及的显示面板的输出层的折射率和入射率的关系的图。
图12是表示在本发明涉及的显示面板的制造过程中，形成了显示体层的基板的准备阶段的剖面图。
图13是表示在本发明涉及的显示面板的制造过程中，形成了微型反射镜的盖板的准备阶段的剖面图。
图14是表示在本发明涉及的显示面板的制造过程中，基板和盖板的粘合状态的剖面图。
图15是表示本发明的另一显示面板的结构的图。
图16是表示本发明的另一显示面板的结构的图。
图17是表示本发明的另一显示面板的结构的图。
图18是表示本发明的另一显示面板的结构的图。
图19是表示本发明的另一显示面板的结构的图。
图20是表示本发明的另一显示面板的结构的图。
图21是表示本发明的另一显示面板的结构的图。
图22是表示本发明的另一显示面板的结构的图。
具体实施方式
以下参照附图对本发明进行更详细的说明。图1是表示作为显示装置配备了本发明涉及的显示面板的携带电话机的图。在本例的携带电话机1上，作为显示数据的显示面板10a是采用了自发光元件的有机EL元件的显示面板，通过由微型计算机等构成的驱动装置9使有机EL元件发出光L，从而让用户90可看到文字或者图像等的数据。
图2是表示显示面板的一部分的平面放大图，图3是表示图2的III-III线处的剖面图。本例的显示面板10a是由有机电致发光元件构成的多个像素配置成矩阵状的面板，可以通过有源矩阵方式或者无源矩阵方式进行驱动。该显示面板10a，是由单独的发光层14，和具备在该发光层14周围设置的反射面13a的显示体或者自发光元件19构成一个像素，并由多个显示体19呈二维阵列状或者矩阵状配置而构成。因此，通过驱动各个显示体19可以进行二维图像显示。每个显示体19的结构是，具备有在电极之间配置的通过在电极之间施加电压进行自发型发光的发光层14，覆盖该发光层14的射出侧的形成与外界的界面18a的保护层18，通过在发光层14的周围设置的作为角度变换部的反射面13a，将在保护层18的内部传播的光L2的方向变换为小于保护层的界面18a的临界角的角度的方向，从而提高光的利用效率或者光的取出效率。
显示面板10a，具备有玻璃基板等的作为面板的支撑体的基板11，在其上面或者上表面11a层叠了由信号线、驱动用的元件等，同时还有铝等的金属层或电介质多层膜等构成的阴极层12(也称为电极层12或者反射层12)。因此，在本例的显示面板10a中，阴极层12是反射型的，其功能是将从发光层14射出的光的一部分向保护层18侧进行反射，和将在界面18a全反射了的光向保护层18侧进行反射。此外，在基板11的上表面11a上按规定的图形层叠了由聚酰亚胺构成的规定高度的凸棱13，由凸棱13包围形成四方的区域21。该区域21是有机EL发光层14制成膜的区域，形成发光区域。在本例中，是形成了60μm×190μm的长方形发光区域21。包括发光区域21和凸棱13的一侧倾斜的侧面(斜面)的区域22相当于显示面板10a的一个像素，例如，成为80μm×240μm的像素区域。
发光层14是由利用喷墨技术在区域21制成膜而形成。凸棱13是在进行发光层14的制膜时的对准中可利用的层，也是用于分割发光层14的层。发光层14也可以是由有机EL构成的单独的层，为了改善发光效率也可以作成为附加了空穴输送层或者电子输送层的层。在发光层14上面形成了由ITO构成的透明电极(阳极层)15，通过给阴极层12以及阳极层15施加电压，配置在电极之间的发光层14将进行自发地发光。而且，在阳极层15的上面(射出侧)层叠着保护层18，发光层14的射出侧由保护层18覆盖，并由保护层18形成与外界的界面18a。在此，虽然电极层12是作为阴极，而电极层15是作为阳极，但只要电极层12是光反射型的电极，而电极层15是光透射型的电极的话，并没有必要局限于上述的组合设置。
保护层18是薄的透明的层，其厚度设为能够使得倾斜的从自发光层14以相对于界面18a的临界角或其以上的角度射出的光，在发光层14的面积以内的界面18a被全反射的厚度。也就是，在以往的用斜面进行角度变换型的显示面板中，是采用了使得从发光层以全反射的角度射出的光无法到达保护层与外界的界面的厚度的保护层，而在本例的显示面板10a中与其相反，是由让以临界角或其以上的角度射出的光到达界面18a而被反射的薄的制膜形成的保护层18。因此，在从发光层14射出的光L之中，角度小于界面18a的临界角的光L1从界面18a被输出到了外界，而角度在界面18a的临界角或其以上的光L2在界面18a被全反射，返回到发光层14侧，被电极层12再次反射。临界角或其以上的光L2就这样反复地在保护层18的内部传播。例如，如果是折射率为1.5的保护层18的话，以大约42度或其以上的角度入射到界面18a的光L2在界面18a被全反射而在保护层18中传播。
当在保护层18中传播的光L2到达发光区域21周围的凸棱13的斜面时，其角度变换为小于临界角而通过界面18a被输出到外界。也就是说，凸棱13的侧表面13a被制成了朝向射出侧变宽的倾斜的斜面，该侧表面13a上形成了铝等的反射膜24。为此，在界面18a和反射层12之间反复地进行反射的光L2，在反射面13a被变换了方向(角度)。因此，被反射面13a反射了的光L2，是以小于相对于界面18a的临界角的角度入射而被输出到外界的。为此，在本例的显示面板10a中，虽然由于采用了薄的保护层18而存在被界面18a全反射的光L2，但由于光L2经过多次反射而到达反射面13a时，在这里改变了方向而被输出到外界，所以基本上没有因为全反射而被封闭的光。因此，可以提供具有与以往的配备有厚的保护膜和高的反射面的显示面板同样，或者在其之上的高的光的利用效率或者取出效率的显示面板。
如果是以往的显示面板，因为是使得从发光层朝向与外界的界面射出的光束不会在其界面被全反射而形成的保护层，所以有必要增厚其保护层的厚度，虽然其厚度会根据发光区域或者像素区域的面积而改变，但会等同于像素的尺寸或者在其之上。例如，发光区域或者像素区域为50μm×50μm时，有必要形成70μm左右厚的保护层18。与此相对，如果是本例的显示面板10a的话，因为是将要在保护层18与外界的界面18a进行全反射作为前提条件，所以可以形成更薄的只要能够起到保护作用即可的保护层18。为此，例如，相对于50μm×50μm的发光区域或者像素区域，可以制造出采用几个μm的非常薄的保护层18的显示面板。因此，可以将保护层的厚度做成原来的十分之一左右，从而可以实现非常薄的显示面板。
而且，在发光层14的周围设置的反射面13a，是为了改变在保护层18和反射层12之间进行多次反射的光的方向的反射面，而不是通过一次反射就使从发光层14射出的光不会在界面18a被全反射那样地改变光的方向的面。因此，该反射面不需要达到象以往的显示面板那样，让从发光层14以全反射的角度射出的光可以入射的高度。为此，也可以得到使像素范围的面积变小的效果。图4是表示像素区域22中发光区域21和反射面13a所占区域的关系。如果将显示面板10a的反射面的角度设为等于以往的显示面板的反射面的角度，因为可以降低其高度，所以为形成反射面13a所必要的区域25可以变窄。因而，对应于较小的像素区域22可以形成与以往具有同样光量的发光区域21，从而使每个像素的亮度增高。而且，由于在保护层18内传播的光可以从像素的周围被输出，从而形成其周围的光量与其中央部分相比同等或者更多的显示体19，从而可以进行轮廓分明的高对比度的显示。
另外，从反面来讲，在以往的方式中，由于像素与像素之间的间距受到一定程度的限制，使得反射面的高度受到限制，从而使得经过反射面变换其角度从界面被输出的光的量也受到限制。相对于此，在本发明中，保护层18可以变薄的同时，反射面(斜面)24高度也可以降低，从而可以形成与保护层18同等或者比保护层18高的斜面。因此，不会漏掉在保护层18内传播的光，并可以通过改变其角度使其从界面18a被输出。因此，从这一点看，就可以提供薄的而且光的取出效率高的显示面板10a。然而，保护层18变薄后，会增加多次反射的次数。虽然在界面18a的反射是全反射而没有什么损失，但在电极12的铝等的金属面上光会被吸收，而且光在保护层18等中进行传播期间也会被吸收。因此，会由于保护层18变薄造成的吸收而产生光的损失，就会有影响光的取出效率的可能。
总之，在本例的显示面板10a中，在不减小光的取出效率或者提高光的取出效率的同时，可以使保护层18变薄。因此，如果是这种结构，可以同时达到提高光的取出效率和使得显示面板薄型化的所谓相反的要求，从而可以制造或者提供明亮的薄的显示面板。还有，由于可以采用低的反射面，不仅可以提高光的取出效率，而且具有可以得到所谓容易提高一个像素的亮度的协同效果的优点，从而可以提供可显示非常明亮的图像的显示面板。进而，在显示面板10a中，因为配置在发光层14的反射侧的电极12兼作为反射层，这对于制造薄的显示面板是最佳的结构。还有，为提高亮度而不需要消耗超过必要以上的能量，所以显示装置1所消耗的电能减少，从而也可以提高有机EL的可靠性。
图5A-5D表示显示面板10a的制造方法。如图5A所示，首先准备玻璃基板等的基板11，如图5B所示，在基板11的表面11a上层叠由铝构成的电极层(阴极层)12。然后，在电极层12上形成由聚酰亚胺构成的凸棱13，在凸棱13的侧面(斜面)13a上形成作为反射膜24的铝膜或者电介质多层膜。在形成了铝等导电性反射膜时，有必要形成绝缘膜以便不让电极12和15短路。
接着，如图5C所示，对由凸棱13包围的区域通过喷墨法将由有机EL材料构成的墨水液滴滴下或者喷涂而制膜形成发光层14。然后，在发光层14的上面层叠电极层(阳极层)15。接着，如图5D所示，在形成有电极层12、凸棱13、发光层14以及电极层15的基板11的射出侧层叠薄的保护膜18。由此来制造出显示面板10a。
图6是表示一种不同的显示面板10b的剖面图。上述的显示面板10a，在包围发光层14的周围的凸棱13上形成了反射面13a，发光层14的边侧处配置了反射面13a。也就是，在反射面13a和发光层14之间的垂直方向或者射出方向没有间隙。因此，可以防止从发光层14射出的光泄漏(串光)，是可以让光的利用效率达到最高的结构。另外，虽然形成为在凸棱13上也层叠了一部分保护层18的结构，但由于在阳极层15的上面有保护层18即可，所以，也可以形成由与凸棱13具有同样高度或者低于凸棱13的高度的厚度的保护层18来覆盖阳极层15的结构。因此，显示面板的厚度也可以非常薄。但是，在这种显示面板10a中，为了防止电极之间的短路，在形成反射面13a时有必要形成绝缘层，从而可能会使得显示面板的制造变得复杂些。
对此，在图6所示的显示面板10b中，不是在凸棱13的斜面上形成反射膜24，而是在凸棱13以及发光层14的上面形成阳极层15，进而，在阳极层15的上面与凸棱13重叠的位置形成由绝缘材料构成的凸起25。然后，在该凸起25的斜面25a上形成反射膜24，在凸起25所包围的区域覆盖保护层18。如果是这样的显示面板10b，则不用担心由于反射膜24引起的电极之间的短路，从而没有必要形成为防止电极之间短路的绝缘膜。因此，可以容易地制造显示面板10b。但是，由于在发光层14和反射面25a之间在射出方向产生了间隙，在凸棱13部分可能会出现光的泄漏。显示面板10b中的凸起2 5的高度，可以采用与凸棱13同等或者各种高度，但为了得到薄的显示面板，优选采用低的凸起25。另一方面，为了充分发挥保护层18的作用，需要具有一定厚度时，具有通过调整凸起25的高度来自由地控制保护层18的厚度的优点。
可以通过以下的方法来制造显示面板10b。首先，与显示面板10a同样地，如图7B所示，在图7A所示的基板11的表面11a上形成电极层12、凸棱13以及发光层14。然后，如图7C所示，对发光层14以及凸棱13形成电极层15，与凸棱重叠地，也就是在凸棱13的上面形成由绝缘材料构成的凸起25，在凸起25的斜面25a上形成反射膜24。然后，如图7D所示，在凸起25所包围的区域注入形成保护层的材料而形成保护层18。由此来制造显示面板10b。
图8所示的是另一种显示面板10c的剖面图。该显示面板10c，形成了与凸棱13重叠而具有不同于保护层18的折射率的透明层30，作为角度变换部而形成了使得射出的方向变窄的折射面31。这样，角度变换部除了由反射面，也可由折射面来实现。
图9是表示另一种显示面板10d的剖面图。这个显示面板10d是构成为，在保护盖板18中形成凹部28的同时，在该凹部28的壁面28a形成反射膜24，保护盖板18通过粘着层26与形成了凸棱13等的基板11的射出侧粘合的结构。在这种结构的情况下，反射镜24的顶点与保护盖板18的界面18a的距离长的话，在它们之间会产生光的泄漏。因此，优选尽可能地缩短它们之间的距离，以防止光的泄漏。
另外，在上述的任一个例子中，反射面是朝向射出侧扩展地倾斜的，也可以朝向射出侧收窄地进行倾斜。然而，如果是朝向射出侧扩展的反射面，因为可以减少光在界面18a和反射层12之间的多次反射的次数，如果考虑到反射层12的吸收损失以及发光层14等的透射率，在抑制由于多次反射造成的光的强度降低这一点上，优选形成朝向射出侧扩展的反射面。
图10是表示构成另一种显示面板103的作为自发光元件的显示体104的局部放大剖面图。显示面板103的结构是，具备基板105、在基板105上顺序地层叠的显示体层110以及输出层130。显示体层110构成为，将由聚酰亚胺制成的凸棱112分隔的，呈二维矩阵状配置的有机EL元件作为发光层的发光元件111，该发光元件111由电极120以及121夹持其间。在这些电极之中，位于输出层130侧的电极120是氧化铟锡(ITO)等的透明电极。因此，从以发光元件111为单位来看，具有由基板105、显示体层110以及输出层130按顺序层叠的结构的多个显示体104，这些显示体104呈矩阵状配置的结构。
在将有机EL作为发光元件的显示面板103中，发光元件的折射率约为1.7，如果采用ITO作为透明电极120，其折射率约为2.0。
配置在透明电极120的射出侧的输出层130的整体是透明的，其结构是配备有反射从发光元件111输出的光108的反射板132的带有反射板的盖板131，通过透明的粘着层133粘合在显示体层110上。
本例的盖板131以及粘着层133，是由包括双键以及三键的多重键的芳香族树脂构成，折射率约为1.7。因此，本例的显示面板103中，输出层130的折射率与发光元件111的折射率是相同的。因此，在显示体层110和输出层130之间的第一界面130b上，从发光元件111输出的光之中，朝向用户109的方向(射出方向或者前方)D1输出的输出光108没有全反射的成分存在，发光元件111的输出光108全部被传送到了输出层130。
实际上，透明电极层120的折射率为2.0，输出层130的折射率比透明电极层120的折射率小时，在第一界面130b中对于输出光108是存在全反射角的。但是由于从发光元件111向透明电极120传送的光108全部是对于第一界面130b在临界角以下输入的，即使输出层130的折射率比透明电极层120的折射率小，输出光108在第一界面130b是不会发生全反射的。因此，透明电极层120的折射率与发光元件111的折射率相等或者大于发光元件111的折射率时，通过比较发光元件111的折射率和输出层130的折射率，可判断从发光元件111输出的光108是否会被传送到输出层130。
另一方面，当透明电极层120的折射率比发光元件111的折射率小时，由于在透明电极120和发光元件111的界面上输出光108的一部分会被全反射，所以输出光108的利用效率就会降低。
在本例的显示面板103中，在向输出层130输入的输出光108之中，以小于作为外界界面的第二界面130a的临界角的角度入射到界面130a的光，通过了界面130a而被输出到外界。另一方面，在向输出层130输入的输出光108之中，在界面130a的入射角大于临界角的光，经过带有反射板的盖板131的反射板132反射后，其相对于界面130a的入射角度会变小。因此，向输出层130输入的光，直接地或者通过被反射板132反射，经过界面130a被输出到外界150。
图11是表示将发光元件111的折射率设为1.7时，输出层130的折射率和入射到输出层130的输出光108的比率(入射率)的关系。输出层130的折射率在发光元件111的折射率或其以上时，入射率为1，也就表示不存在由于全反射导致的损失。作为输出层是采用了以二氧化硅为主要成分的玻璃基板的情况下，由于其折射率为1.5，所以入射率为0.78。因此，通过将输出层130的折射率设为在发光元件111的折射率或其以上，输入到输出层130的输出光108的比率大约增加了30％。为此，假设输入到输出层130的输出光108全部从输出层130被输出到外界的情况下，那么通过本发明，就可以将光的利用效率提高30％。
作为折射率为1.7或其以上的高折射的树脂，例如，优选含有很多双键、三键等多重键的树脂，如果是芳香族树脂，就很容易得到高的折射率。
图12-图14是表示图10中的显示面板103的制造过程的一个例子的剖面图。如这些图所示，准备基板105，该基板105上层叠有矩阵状配置了有机EL元件111的显示体层110(图12)，另外，准备带有反射板的盖板131，其结构是成形为矩阵状配置的向下突出的凸台状的凸起134，并将该台状凸起134的斜面作为反射板132(图13)。然后，如图14所示，通过粘着层133粘贴以便用盖板131将基板105的显示体层110侧覆盖起来，由此可制造显示面板103。盖板131以及粘着层133的构成成分或者材料可以相同，也可以不同，要选择各个层的折射率比发光元件111的折射率大的构成成分或者材料。举一个例子来说，可以是上述的芳香族树脂，除此之外，只要是包含多个双键、三键等多重键的树脂都可以得到高的折射率。
以上虽然对于为了提高输入到输出层130的输出光108从输出层130输出到外界150的效率，在作为变换其传播方向的手段以设置了反射板132的显示面板为例中对本发明进行了说明，但也可以将折射作为变换手段。
图15是表示与上述不同的显示面板103a的概要结构。这个显示面板103a，配备有输出层130的显示体104a配置成矩阵状，输出层130的内部形成有通过折射面变换输出光108的传播方向的微型透镜136。
在这个输出层130中，如果被加工成下面构成微型透镜136的折射面的透镜薄片135与粘着层133的折射率相同的话，因为无法构成微型透镜136，所以优选相对于透镜薄片135的折射率，粘着层133的折射率高。而且，如果粘着层133的折射率比发光元件111的折射率高的话，与上述显示面板103一样，发光元件111的输出光108会无泄漏地输入到输出层130，通过微型透镜136对输出光108的传播方向进行变换，使其能够从输出层130输出到外界150。因此，可以提供光的利用效率更高的显示面板。
图16是表示与上述更不同的显示面板103b的概要结构。在这个显示面板103b中，微型透镜136作为输出层130，微型透镜的折射面136成为了与外界150的界面130a的显示体104b呈矩阵状配置。在这个显示面板103b中，微型透镜136的面本身作为界面130a，根据界面130a的倾斜的变化，使得输出光108的入射角度小于临界角，从而输出光108能够以更好的效率向外界150输出。因此，可以进一步地提高光的利用效率。
这些微型透镜136可以通过喷墨的方式，直接地在透明电极层120上形成，从而可以提供低成本的、薄的而高亮度的显示面板。
图17是表示与上述不同的显示面板103c的概要结构。该显示面板103c，在微型透镜136的射出侧设置了透明的密封层140，在其内部封入了折射率在1或其以上的惰性气体142。通过密封层140和惰性气体142，可以防止有机EL元件由于氧化或吸湿而变质。显示面板103c，经过折射率为1的外界(空气)150将输出光108传送给用户109进行图像显示。因此，如果密封层140的内部的惰性气体142的折射率小于1的话，输出层130与惰性气体142的界面130a的临界角就会小于与空气的界面的临界角，因而全反射产生的损失就会增大。另一方面，如果惰性气体142的折射率比1大，则微型透镜136的折射能力就会减小，因而就会降低将输出光108变换到射出方向D1的变换效率。还有，如果密封层140的折射率不大于惰性气体142的折射率的话，光向密封层140入射时就会发生全反射而产生损失。为此，选择密封层140的材料的范围就变小了。因此，优选惰性气体142的折射率基本为1。
图18是表示另一个显示面板103d的概要结构。在该显示面板103d中，在透明电极120的上面形成了防反射膜145，而且在其上面还呈矩阵状配置了形成了由微型透镜136构成输出层130的显示体104b。输出层130与透明电极120的折射率的差大的时候，在输出层130与透明电极120的界面上，即使是在临界角以下入射的光也由于折射率的差而产生反射，从而降低光的利用效率。还有，从外界150向显示面板103d入射的外来光107，例如是太阳或照明光也会由于输出层130与透明电极120的折射率的差而产生反射，从而成为使得从发光元件111输出的输出光108的对比度降低的主要原因。因此，通过在显示体层110和输出层130之间，也就是，在透明电极120与输出层130之间设置防反射膜145来提高光的利用效率，进一步防止外来光107的反射。在显示面板103d的内部，为了不让其所有的层由于折射率的差而产生反射，优选在发光元件111与透明电极120的界面设置防反射膜。但是，在发光元件111与透明电极120之间无法设置绝缘性的防反射膜。为此，通过在显示体层110和输出层130之间设置防反射膜145，使得尽量减少由于折射率差引起的反射，从而可以提供光的取出效率高的，能够显示对比度大的鲜明的图像的显示面板103d。
在以上所说明的显示面板103，103a-103d中，通过在输出层130中采用高折射率材料，将来自发光元件111的输出光108无泄漏地提供给输出层130，在输出层130进行光路变换，从而可以用比通过采用高折射率材料而减小的临界角更小的角度向与外界的界面130a入射，由此进一步提高光的利用效率。输出光108的传播方向可以通过反射或者折射来进行变换，采用折射时，并不局限于上述透镜，也可以采用棱镜。
根据在图11所示的模拟的结果，通过本发明，与不采用高折射率的材料的情况相比，光的利用效率可以进一步提高30％左右，从而可以提供使用低电能就能够显示高亮度鲜明的图像的显示面板。
图19是表示另一个显示面板203的断面结构的图。在本例的显示面板203中，由有机电致发光元件构成的多个像素配置成矩阵状，可以采用有源矩阵方式和无源矩阵方式进行驱动。该显示面板203，由单独的发光层214，和具备在发光层214的周围设置的反射面213a的显示体或者自发光元件219构成一个像素，多个显示体219在二维方向上呈阵列或者矩阵状配置。
因此，通过驱动各个显示体219可以进行二维的图像显示。各个显示体219的结构是，具备配置在电极之间而通过在电极之间施加的电压来进行自发地发光的发光层214，和覆盖这个发光层214的射出侧，形成与外界的界面218a的保护层218。而且，通过在发光层214的周围设置的作为角度变换部的反射面213a，将在保护层218内部传播的光L22的方向变换为小于保护层的界面218a的临界角的角度，从而可以提高光的利用效率或者光的取出效率。
显示面板203，具备玻璃基板等作为面板的支撑体的基板211，在其上面或者表面211a上层叠了由信号线、驱动用的元件等，同时还有铝等的金属层或电介质多层膜等构成的阴极层212(也称为电极层212或者反射层212)。因此，在本例的显示面板203中，阴极层212具有反射性，其具有将从发光层214射出的光的一部分向保护层218侧反射，以及将在界面218a被全反射的光向保护层218侧反射的作用。
而且，在基板211的上面211a上以规定的图形层叠了由聚酰亚胺构成的规定高度的凸棱213，通过凸棱213包围四周形成区域221。该区域221是将有机EL发光层214制膜的区域，形成发光区域。
发光层214是利用喷墨的技术在区域221通过制膜形成的。凸棱213是在制膜形成发光层214时的对准中可以利用的层，也是分隔发光层214的层。发光层214可以是由有机EL构成的单独的层，也可以是为改善发光效率而附加了空穴送层或者电子传送层的层。在发光层214的上面形成了由ITO构成的透明电极(阳极层)215。而且，通过给阴极层212以及阳极层215施加电压，配置在这些电极之间的发光层214将自发地发光。还有，在阳极层215的上面(射出侧)层叠了保护层218，发光层214的射出侧被保护层218覆盖，通过保护层218与外界形成界面218a。在此，虽然将电极层212作为阴极，而将电极层215作为阳极，但只要电极层212是具有光反射性的电极而电极层215是具有光透射性的电极，并不一定局限于上述的组合构成。
保护层218是薄的透明的层，其厚度是设为能够让从发光层214倾斜地，以角度在界面218a的临界角或其以上的角度射出的光在发光层214的面积以内的界面218a能够被全反射的厚度。也就是，与在以往的采用斜面进行角度变换型的显示面板中，采用不让从发光层以全反射的角度射出的光到达保护层与外界的界面的厚度的保护层相对，在本例的显示面板203中，与之相反地，是采用了使得以临界角或其以上的角度射出的光能够到达界面218a而被反射的通过制膜形成的薄的保护层218。因此，在从发光层214射出的光L之中，角度小于界面218a的临界角的光L21从界面218a被输出到外界，角度在界面218a的临界角或其以上的光L22在界面218a被全反射而返回到发光层214侧，再次被电极层212反射。通过这样的反复使得在临界角或其以上的光L22在保护层218内部传播。
在保护层218内传播的光L22，在到达发光区域221的周围的凸棱213的斜面时，在此变换其角度使之小于临界角而从界面218a被输出到外界。即，在凸棱213的侧面213a是制成了朝向射出侧扩展的倾斜的斜面，在这个侧面213a上形成了铝等的反射膜224。因此，在界面218a和作为反射层的阴极层212之间反复被反射的光L22在反射面213a上被改变了方向(角度)。因此，被反射面213a反射的光L22以小于相对于界面218a的临界角的角度入射而被输出到外界。因此，在本例的显示面板203中，由于是采用了薄的保护层218而存在在界面218a被全反射的光L22，光L22经过多次反射而到达反射面213a，在那里被变换了方向而被输出到了外界，所以几乎没有由于全反射而被封闭的光。因此，可以提供与以往的具有厚的保护层和高的反射面的显示面板同样地，或者更高的光的利用效率或者取出效率高的显示面板。
而且，在该显示面板203中，由有机EL构成的发光层214的折射率为1.7，作为透明电极的阳极层215如果采用ITO的话，折射率约为2.0。
本例的保护层218是由含有很多双键以及三键的多重键的芳香族树脂形成的，折射率约为1.7。因此，在本例的显示面板203中，作为输出层的保护层218的折射率与发光层214的折射率是相同的。在此，阴极层212与发光层214以及阳极层215构成显示体层210。而且，在显示体层210和作为输出层的保护层218之间的第一界面230b上，在从发光层214输出的光之中，向用户209的方向(射出方向或者前方)D1输出的输出光没有全反射的成分存在，来自发光层214的输出光全部被传送到了作为输出层的保护层218。
实际上，作为透明电极层的阳极层215的折射率为2.0左右，作为输出层的保护层218的折射率比阳极层215的折射率小的情况下，在第一界面230b上对于输出光存在全反射角。但是，因为从发光层214被传送到阳极层215的光，相对于第一界面230b全部以临界角以下的角度入射，所以即使保护层218的折射率比阳极层215的折射率小，通过第一界面230b输出光是不会被全反射的。因此，阳极层215的折射率与发光层214的折射率相同或者更大的情况下，通过比较发光层214的折射率和输出层230的折射率，可以判断来自发光层214的输出光能否被传送到输出层230。
另一方面，在阳极层215的折射率比发光层214的折射率小的情况下，因为在阳极层215和发光层214的界面会有一部分的输出光被全反射，所以输出光的利用效率会降低。
在本例的显示面板203中，向输出层230输入的输出光之中，以角度小于作为与外界的界面的第二界面230a的临界角，输入到界面230a的光经过界面230a被输出到外界。另一方面，在输入到输出层230的输出光之中，其在界面230a的入射角度比临界角大的光，通过反射面213a的反射使其在界面230a的入射角度变小。由此，输入到输出层230的光，直接地或者通过反射面213a的反射，经过界面230a被输出到外界。由此，可以提高光的取出效率。
图20是表示另一个显示面板204的剖面图。在上述的显示面板203中，在包围在发光层214周围的凸棱213上形成了反射面213a，在发光层214的边侧处配置了反射面213a。也就是说，在反射面213a和发光层214之间的垂直方向或者射出方向不存在间隙。因此，是具有防止从发光层214射出的光的泄漏(串光)，使得光的利用效率达到最高的结构。另外，虽然在凸棱213的上面也层叠了部分保护层218，但由于只要在阳极层215的上面具有保护层218就可以，所以可以采用与凸棱213具有同样高度的厚度的，或者比凸棱213的高度低的厚度的保护层218来覆盖阳极层215的结构。因此，显示面板的厚度也可以非常薄。但是，在这个显示面板203中，为了防止电极之间的短路，在形成反射面213a时有必要形成绝缘层，这可能会使得显示面板的制造变得复杂些。
对此，在图20所示的显示面板204中，在凸棱213的斜面213a上没有形成反射膜224，在与凸棱213重叠的位置上的保护层218侧形成了由绝缘材料构成的凸起325。然后，在这个凸起325的斜面325a上形成反射膜324，凸起325所包围的区域被保护层218覆盖着。如果是这样的显示面板204，不用担心通过反射膜324导致的电极之间的短路，因而不必为防止电极之间的短路而形成绝缘膜。由此，可以很容易地制造显示面板204。但是，由于在发光层214和反射面325a之间在射出方向会产生间隙，可能会在凸棱213部分产生光的泄漏。显示面板204中的凸起325的高度，可以采用与凸棱213相同等多种高度，但为了使得显示面板变薄，优选采用低的凸起325。另一方面，为了充分发挥保护层218的作用而需要一定厚度的保护层的情况下，具有通过调整凸起325的高度而自由地控制保护层218的厚度的优点。
另外，在本例中，与上述例子的显示面板203同样地，构成为作为输出层的保护层218与发光层214相比具有相同或者更大的折射率。因此，向用户209的方向(射出方向或者前方)D1输出的输出光没有全反射的成分存在，从发光层214输出的光全部被传送到作为输出层的保护层218。由此，可以提高光的取出效率。
另外，在上述的例子中，为使在界面被全反射的光经过多次反射而被导向角度变换部的反射层，是由电极来实现的，也可以通过与电极不同的层来实现。如图21以及图22是表示将反射层形成为与电极不同的层的例子的显示面板的剖面图。在图21中，在发光层14和电极303a之间形成了反射层302a。为了要通过两个电极15和303a向发光层14施加电压，该反射层302a有必要具有充分的导电性。另一方面，图22中，作为电极303b的下层形成了反射层302b。在这种情况下，电极303b与透明电极层15同样有必要具有充分的透明性。
另外，虽然对将本发明的显示面板装载到携带电话机上作为显示面板的例子进行了说明，但对于装载到PDA、导航器等的小型的显示面板中，本发明也可以适用，本发明也可以适用于近年来大量开发的30寸等的大型显示面板、PC用的显示器、TV、汽车导航***等。还有，虽然对于采用了有机EL元件的发光层进行了说明，但只要是采用了PDP、发光二极管、无机EL、有机EL、场致发光等的通过在电极之间施加电压进行自发地发光的发光层的显示面板，都可以适用本发明。
如以上所说明的，在本发明中，采用积极地运用了在界面的全反射，对于被全反射了的光采用设置在发光层周围的反射面等的角度变换部进行其角度变换。由此，由于采用薄的保护层可以与以往的形成了反射性的斜面的显示面板同样地提高光的取出效率，所以可以制造明亮的非常薄的自发光元件以及显示面板。还有，如果是本发明，可以用低的反射面来进行光的传播角度的变换，不仅提高了光的取出效率，而且使得一个像素变小而也可以提高每个像素的亮度。因此，自发光元件以及显示面板在薄的同时可以显示超过以往的非常明亮的图像或者文字。
而且，在本发明中，通过使输出层的折射率与发光元件的折射率相比相同或者更大，可以将发光元件的输出光全部输入到输出层。而且，通过在输出层设置的变换光路的角度变换部件，对于折射率增大而使得临界角变小的输出层与外界的界面，使得输出光可以以小于其临界角的角度入射，使得输出光可以以很好的效率输出到外界。因此，可以大幅度地提高来自发光元件的输出光的利用效率，从而可提供可以显示鲜明的明亮图像的显示面板。
另外，在本发明中，除了采用薄的保护层外，还使输出层的折射率与发光元件的折射率相比相同或者更大。由此，可以进一步提高光的取出效率。

Claims (21)

1.一种自发光元件，其特征在于具备：
配置在电极之间，通过在上述电极之间施加的电压进行发光的发光层；
覆盖上述发光层的射出侧，并形成与外界的界面的保护层，该保护层的厚度是使得从上述发光层射出的光在上述发光层的面积以内的上述界面至少进行一次全反射程度的厚度；
覆盖上述发光层的与上述保护层相反的一侧的反射层；
在上述发光层的周围的角度变换部，该角度变换部改变从上述发光层射出的光，即在上述保护层内传播的光的方向，使得其角度小于相对于上述界面的临界角。
2.权利要求1所述的自发光元件，其特征在于，上述反射层是一方的上述电极。
3.权利要求1所述的自发光元件，其特征在于，上述角度变换部为使上述射出侧变宽那样的倾斜着的反射面。
4.权利要求1所述的自发光元件，其特征在于，上述角度变换部为使上述射出侧收窄那样的倾斜着的折射面。
5.权利要求1所述的自发光元件，其特征在于，具有为将上述发光层与其它的发光层分隔开的向上述射出侧突出的凸棱，该凸棱的内侧表面构成上述角度变换部，在由凸棱包围的区域形成上述保护层。
6.权利要求1所述的自发光元件，其特征在于，具有为将上述发光层与其它的发光层分隔开的向上述射出侧突出的凸棱，和从该凸棱向射出侧突出的由绝缘材料构成的凸起，
该凸起的内侧表面构成上述角度变换部，在由凸起包围的区域形成上述保护层。
7.权利要求1所述的自发光元件，其特征在于，上述发光层为有机电致发光发光层。
8.一种显示面板，其特征在于具备：
配置在电极之间，通过在上述电极之间施加的电压进行发光的多个发光层；
覆盖这些发光层的射出侧，并形成与外界的界面的保护层，该保护层的厚度是使得从上述多个发光层射出的光在相应的发光层的面积以内的上述的界面上至少进行一次全反射程度的厚度；
覆盖上述发光层的与上述保护层相反的一侧的反射层；
在上述发光层的周围的角度变换部，该角度变换部改变从上述发光层射出的光，即在上述保护层内传播的光的方向，使得其角度小于相对于上述界面的临界角。
9.权利要求8所述的显示面板，其特征在于，具有为将上述多个发光层与其它的发光层分隔开的向上述射出侧突出的凸棱，该凸棱的内侧表面构成上述角度变换部，在由凸棱包围的区域形成上述保护层。
10.权利要求8所述的显示面板，其特征在于，具有为将上述多个发光层与其它的发光层分隔开的向上述射出侧突出的凸棱，和从该凸棱向射出侧突出的由绝缘材料构成的凸起，
该凸起的内侧表面构成上述角度变换部，在由凸起包围的区域形成上述保护层。
11.一种显示装置，其特征在于具备：显示面板和驱动装置，该显示面板具备：
配置在电极之间，通过在上述电极之间施加的电压进行发光的多个发光层；
覆盖这些发光层的射出侧，并形成与外界的界面的保护层，该保护层的厚度是使得从上述多个发光层射出的光在相应的发光层的面积以内的上述的界面上至少进行一次全反射程度的厚度；
覆盖上述发光层的与上述保护层相反的一侧的反射层；
在上述发光层的周围的角度变换部，该角度变换部改变从上述发光层射出的光，即在上述保护层内传播的光的方向，使得其角度小于相对于上述界面的临界角；
所述驱动装置驱动上述显示面板的上述发光层而进行图像显示。
12.一种自发光元件的制造方法，该方法是制造具备下述结构的自发光元件的制造方法：配置在电极之间，通过在上述电极之间施加的电压进行发光的发光层；覆盖这些发光层的射出侧，并形成与外界的界面的保护层，该保护层的厚度是使得从上述发光层射出的光在上述发光层的面积以内的上述的界面上至少进行一次全反射程度的厚度；覆盖上述发光层的与上述保护层相反的一侧的反射层；在上述发光层的周围的角度变换部，该角度变换部改变从上述发光层射出的光，即在上述保护层内传播的光的方向，使得其角度小于相对于上述界面的临界角，该方法具有，将为了将上述发光层与其它的发光层分隔开而向上述射出侧突出的凸棱的内侧表面作成角度变换部的工序；和
在上述凸棱所包围的区域形成上述保护层的工序。
13.一种自发光元件的制造方法，该方法是制造具备下述结构的自发光元件的制造方法：配置在电极之间，通过在上述电极之间施加的电压进行发光的发光层；覆盖这些发光层的射出侧，并形成与外界的界面的保护层，该保护层的厚度是使得从上述发光层射出的光在上述发光层的面积以内的上述的界面上至少进行一次全反射程度的厚度；覆盖上述发光层的与上述保护层相反的一侧的反射层；在上述发光层的周围的角度变换部，该角度变换部改变从上述发光层射出的光，即在上述保护层内传播的光的方向，使得其角度小于相对于上述界面的临界角，该方法具有，从为了将上述发光层与其它的发光层分隔开而向上述射出侧突出的凸棱上通过绝缘材料形成向射出侧突出的凸起，将该凸起的内侧表面作成角度变换部的工序；和
在上述凸起所包围的区域形成上述保护层的工序。
14.一种自发光元件，其特征在于具备：
包含发光元件的显示体层；和
位于上述显示体层的射出方向的，具备了将从上述发光元件输出的输出光的传播方向变换为朝向上述射出方向的角度变换部的透明的输出层，
上述输出层的折射率与上述发光元件的折射率相比相同或者更大。
15.权利要求14所述的自发光元件，其特征在于，上述角度变换部是微型透镜、微型棱镜或者微型反射镜。
16.权利要求14所述的自发光元件，其特征在于，上述显示体层具备夹持上述发光元件的，比上述发光元件的折射率高的透明电极层。
17.权利要求16所述的自发光元件，其特征在于，在上述透明电极层和上述输出层的界面具有防反射层。
18.权利要求14所述的自发光元件，其特征在于，在上述输出层的射出方向具有透明的密封层，在上述输出层和上述密封层之间充填有折射率几乎是1的惰性气体。
19.一种显示面板，其特征在于具有多个具备：
包含发光元件的显示体层；和
位于上述显示体层的射出方向的，具备了将从上述发光元件输出的输出光的传播方向变换为朝向上述射出方向的角度变换部的透明的输出层，上述输出层的折射率与上述发光元件的折射率相比相同或者更大的自发光元件，上述自发光元件配置成二维矩阵状。
20.一种显示装置，其特征在于具备显示面板和驱动装置，该显示面板具有多个具备：
包含发光元件的显示体层；和
位于上述显示体层的射出方向的，具备了将从上述发光元件输出的输出光的传播方向变换为朝向上述射出方向的角度变换部的透明的输出层，上述输出层的折射率与上述发光元件的折射率相比相同或者更大的自发光元件，上述自发光元件配置成二维矩阵状；所述驱动装置驱动该显示面板的上述显示体层而进行图像显示。
21.一种自发光元件，其特征在于具备：
配置在电极之间，通过在上述电极之间施加的电压进行发光的发光层；
覆盖这些发光层的射出侧，并形成与外界的界面的保护层，该保护层的厚度是使得从上述发光层射出的光在上述发光层的面积以内的上述的界面上至少进行一次全反射程度的厚度；
覆盖上述发光层的与上述保护层相反的一侧的反射层；
在上述发光层的周围的角度变换部，该角度变换部改变从上述发光层射出的光，即在上述保护层内传播的光的方向，使得其角度小于相对于上述界面的临界角；
上述保护层的折射率与上述发光层的折射率相比相同或者更大。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102422452A (zh) * 2009-05-08 2012-04-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光设备
CN110797382A (zh) * 2019-11-08 2020-02-14 福州京东方光电科技有限公司 显示面板
WO2020186932A1 (zh) * 2019-03-15 2020-09-24 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法、显示装置
CN113013203A (zh) * 2021-02-09 2021-06-22 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN113193141A (zh) * 2021-04-16 2021-07-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN113437131A (zh) * 2016-03-31 2021-09-24 索尼公司 显示装置

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4252297B2 (ja) 2002-12-12 2009-04-08 株式会社日立製作所 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置
US7521854B2 (en) * 2003-04-15 2009-04-21 Luminus Devices, Inc. Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same
DE102004020245A1 (de) * 2004-04-22 2005-12-22 Schott Ag Organisches, elektro-optisches Element mit erhöhter Auskoppeleffizienz
US7352006B2 (en) * 2004-09-28 2008-04-01 Goldeneye, Inc. Light emitting diodes exhibiting both high reflectivity and high light extraction
TWI240593B (en) * 2004-10-15 2005-09-21 Ind Tech Res Inst Top-emitting organic light emitting diode (OLED)
US20090316381A1 (en) * 2004-12-21 2009-12-24 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Light source
TWI340607B (en) * 2005-08-12 2011-04-11 Au Optronics Corp Organic electroluminescent display panel and fabricating method thereof
KR100814813B1 (ko) 2006-08-14 2008-03-19 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치 및 이 발광 장치를 백라이트 유닛으로 사용하는액정 표시장치
KR101499043B1 (ko) 2007-03-30 2015-03-05 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 광 아웃커플링이 향상된 ｏｌｅｄ
US9508957B2 (en) * 2007-03-30 2016-11-29 The Regents Of The University Of Michigan OLED with improved light outcoupling
US20080238310A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Forrest Stephen R OLED with improved light outcoupling
JP2009049135A (ja) * 2007-08-17 2009-03-05 Sony Corp 表示装置
TWI420693B (zh) * 2008-07-17 2013-12-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體及其製程
KR101493021B1 (ko) 2008-08-19 2015-02-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2010030591A2 (en) * 2008-09-10 2010-03-18 Universal Display Corporation Oleds having light-scattering embankments
KR101155907B1 (ko) * 2009-06-04 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101456154B1 (ko) * 2009-08-25 2014-11-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 조명 장치
US8283853B2 (en) * 2010-03-31 2012-10-09 General Electric Company Light-emitting device and article
EP3608984B1 (en) * 2010-04-08 2020-11-11 Agc Inc. Organic led element
WO2011143127A2 (en) * 2010-05-13 2011-11-17 Sri International Cavity electroluminescent devices with integrated microlenses
US9778470B2 (en) 2010-09-22 2017-10-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-view display device
KR20130063077A (ko) * 2011-12-06 2013-06-14 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자 및 그의 제조방법
JP6082907B2 (ja) * 2012-02-17 2017-02-22 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置及び表示装置の製造方法
TW201338620A (zh) * 2012-03-08 2013-09-16 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 顯示裝置及製造其之方法
US20130328948A1 (en) * 2012-06-06 2013-12-12 Dolby Laboratories Licensing Corporation Combined Emissive and Reflective Dual Modulation Display System
JP2014078499A (ja) 2012-09-20 2014-05-01 Toshiba Corp 有機電界発光素子および発光装置
KR102028680B1 (ko) * 2013-03-20 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9246133B2 (en) * 2013-04-12 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device
KR102064392B1 (ko) * 2013-06-04 2020-01-10 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102036328B1 (ko) * 2013-06-07 2019-10-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
JP2015050022A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP2015050011A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社ジャパンディスプレイ エレクトロルミネセンス装置およびその製造方法
WO2015083823A1 (ja) * 2013-12-06 2015-06-11 シャープ株式会社 発光体基板、太陽電池、表示装置、照明装置、電子機器、有機ｅｌ素子、及び発光体基板の製造方法
CN104037357B (zh) * 2014-06-05 2016-01-27 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示装置及其制造方法
JP2016045979A (ja) * 2014-08-19 2016-04-04 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP6487173B2 (ja) * 2014-10-08 2019-03-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
JP2016081562A (ja) 2014-10-09 2016-05-16 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
JP6639098B2 (ja) * 2015-03-20 2020-02-05 富士フイルム株式会社 タッチパネル部材、タッチパネル及びタッチパネル表示装置
KR20170026958A (ko) * 2015-08-31 2017-03-09 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
JP6588299B2 (ja) * 2015-10-21 2019-10-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2017091946A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置および表示装置の製造方法
KR20180012176A (ko) 2016-07-26 2018-02-05 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102601128B1 (ko) 2016-09-29 2023-11-10 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
TWI683432B (zh) * 2016-12-14 2020-01-21 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 顯示裝置
CN108932074B (zh) * 2017-05-27 2021-05-25 和鑫光电股份有限公司 显示装置
CN207052608U (zh) * 2017-08-24 2018-02-27 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
CN107579166B (zh) * 2017-08-31 2024-04-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示面板制作方法
KR102489711B1 (ko) 2017-10-12 2023-01-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102457997B1 (ko) * 2017-12-29 2022-10-21 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
CN108110038B (zh) * 2018-01-02 2021-06-25 上海天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
KR102603232B1 (ko) * 2018-07-27 2023-11-15 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200058643A (ko) * 2018-11-19 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
EP3888131A4 (en) * 2018-11-28 2022-07-20 BOE Technology Group Co., Ltd. PIXEL STRUCTURE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF MAKING PIXEL STRUCTURE
KR20200101571A (ko) * 2019-02-19 2020-08-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109873023B (zh) * 2019-03-29 2021-10-19 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及其制备方法、显示装置
KR20210004006A (ko) * 2019-07-02 2021-01-13 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN111339821A (zh) * 2019-12-18 2020-06-26 深圳阜时科技有限公司 一种光学检测装置及电子设备
KR20220029012A (ko) * 2020-09-01 2022-03-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112599698B (zh) * 2020-12-11 2024-06-11 视涯科技股份有限公司 一种改善光晕的有机发光显示面板
CN114639793A (zh) * 2020-12-16 2022-06-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN112952025A (zh) * 2021-03-31 2021-06-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5707745A (en) * 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US6091195A (en) * 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US6046543A (en) * 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
JP2001507503A (ja) 1996-12-23 2001-06-05 ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ 光反射構造体を備える発光体
JP3573393B2 (ja) 1996-12-27 2004-10-06 パイオニア株式会社 ディスプレイ装置
US6229160B1 (en) * 1997-06-03 2001-05-08 Lumileds Lighting, U.S., Llc Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping
CA2393081C (en) * 1999-12-03 2011-10-11 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
JP3991605B2 (ja) 2000-03-13 2007-10-17 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
ATE414289T1 (de) * 2000-03-16 2008-11-15 Led Products Inc Verfahren zum entwerfen und zur herstellung von hocheffizienter nichtabbildender optik
JP2002008850A (ja) 2000-04-21 2002-01-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 自発光装置及びそれを用いた電気器具
US20020085390A1 (en) * 2000-07-14 2002-07-04 Hironobu Kiyomoto Optical device and apparatus employing the same
JP2002151274A (ja) 2000-11-13 2002-05-24 Sharp Corp 発光装置
JP2002202737A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Nec Corp 発光素子の製造方法、発光素子
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
JP2002260845A (ja) 2001-03-02 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス発光素子、それを用いた表示装置または発光源
JP4300751B2 (ja) 2002-05-22 2009-07-22 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた表示装置及び携帯端末
JP4239499B2 (ja) 2002-07-12 2009-03-18 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた画像形成装置、携帯端末、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4211263B2 (ja) 2002-02-27 2009-01-21 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた画像形成装置、携帯端末
JP2003282260A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2003317931A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Canon Inc Ｅｌ素子、およびその素子を用いた表示装置
US7242140B2 (en) * 2002-05-10 2007-07-10 Seiko Epson Corporation Light emitting apparatus including resin banks and electronic device having same
JP2004172090A (ja) * 2002-10-31 2004-06-17 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及びエレクトロルミネッセンス装置、並びに電子機器
JP3951893B2 (ja) * 2002-11-11 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 表示体、表示パネル及び表示装置
JP4252297B2 (ja) 2002-12-12 2009-04-08 株式会社日立製作所 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102422452A (zh) * 2009-05-08 2012-04-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光设备
CN102422452B (zh) * 2009-05-08 2015-03-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光设备
US9647239B2 (en) 2009-05-08 2017-05-09 Koninklijke Philips N.V. Electroluminescent device
US10217966B2 (en) 2009-05-08 2019-02-26 Koninklijke Philips N.V. Method and an apparatus for an electroluminescent device with improved outcoupling
CN113437131A (zh) * 2016-03-31 2021-09-24 索尼公司 显示装置
WO2020186932A1 (zh) * 2019-03-15 2020-09-24 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法、显示装置
US11404670B2 (en) 2019-03-15 2022-08-02 Boe Technology Group Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing same, and display device
CN110797382A (zh) * 2019-11-08 2020-02-14 福州京东方光电科技有限公司 显示面板
CN113013203A (zh) * 2021-02-09 2021-06-22 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN113013203B (zh) * 2021-02-09 2022-08-02 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN113193141A (zh) * 2021-04-16 2021-07-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100567653B1 (ko) 2006-04-05
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US7821202B2 (en) 2010-10-26
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