JP6588299B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は表示装置に関する。

有機材料のエレクトロルミネセンスを利用した表示装置では、下部電極と上部電極との間に有機化合物などから成る発光層が介在し、下部電極と上部電極との間に電流が流れることで、発光層が発光する。発光層から発生する光は様々な方向へ向かうが、これらを表示装置の表示面に対して正面の方向へ向かうようにすることで、光取り出し効率を向上させることができる。

下記特許文献１に記載の表示装置では、断面図において、絶縁層（特許文献１では、絶縁層１０４）に段差が形成されており、下部電極（特許文献１では、第１の電極１０６）は、絶縁層の段差の上面及びその側壁部を構成する斜面と、段差が形成されていない底面とに亘って配置されている。下部電極の上に配置される発光層（特許文献では、有機ＥＬ層１１０）から発生する光のうち、発光層と略平行の方向に進む光や、絶縁層の底面に位置する下部電極と発光層との界面において全反射した光は、絶縁層の斜面の上に位置する下部電極において反射され、上方、即ち、表示装置の表示面に対して正面の方向へ向かう。これにより、表示装置の光取り出し効率を向上させることができる。

特開２０１５−５００１１号公報

上記の表示装置において、主に絶縁層の底面に形成される上部電極は、発光層から発生する光のみならず、表示装置の外からの光（外光）を反射するため、外側の景色が表示面に映り込み、表示画像の視認性が低下するという問題がある。このような外光反射を低減させる対策として、表示面に円偏光板を貼り合せることが知られているが、円偏光板は発光層から照射される光をも減衰してしまうため、表示装置の光取り出し効率は低減してしまう。

本発明の目的は、表示装置の光取り出し効率を確保しつつ、外光反射を抑えることである。

本発明に係る表示装置は、画像を構成する複数の単位画素にそれぞれ対応する複数の自発光素子を有する表示装置であって、前記複数の自発光素子のそれぞれは、下部電極と、光透過性を有する上部電極と、前記下部電極と前記上部電極の間に介在し、前記下部電極と前記上部電極の間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する発光層と、を有し、前記下部電極は、平坦部と、前記平坦部の少なくとも中央領域から斜め上外方に傾斜する傾斜部と、を含み、前記平坦部及び前記傾斜部は、それぞれ、入射光を反射する反射面を有し、前記平坦部の前記反射面は、前記傾斜部の前記反射面よりも、前記入射光を減衰させる機能が大きい（光反射率が低い）ことを特徴とする。本発明に係る表示装置は、複数の画素と、前記複数の画素を区分し、第１の開口を有するバンク層と、前記複数の画素の各々に備えられた下部電極と、前記複数の画素に亘って配置された上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に位置し、発光層を含む有機層と、前記バンク層を覆い、且つ前記下部電極の一部を露出する第２の開口を有する絶縁層と、を備え、前記下部電極は、第２の開口によって露出されている第１の領域と、前記バンク層の側面と前記絶縁層の側面との間に位置すると共に、前記バンク層の側面に接する第２の領域と、を有し、前記第１の領域は、前記第２の領域よりも光反射率が低いことを特徴としてもよい。これによれば、表示装置の光取り出し効率を確保しつつ、外光反射を抑えることができる。

第１の実施形態に係る表示装置の概略を示す斜視図である。 表示領域における画素のレイアウトの例を示す平面図である。 第１の実施形態に係る表示装置の断面の概略を示す断面図である。 単位画素に形成されている回路を示す回路図である。 第２の実施形態に係る表示装置の断面の一部分を示す断面図である。 第３の実施形態に係る表示装置の断面の一部分を示す断面図である。 第４の実施形態に係る表示装置の断面の一部分を示す断面図である。 第５の実施形態に係る表示装置の断面の一部分を示す断面図である。 第６の実施形態に係る表示装置の断面の一部分を示す断面図である。 第７の実施形態に係る表示装置の断面の一部分を示す断面図である。 第８の実施形態に係る表示装置の断面の一部分を示す断面図である。 第９の実施形態に係る表示装置の断面の一部分を示す断面図である。

［１．第１の実施形態］
以下、本発明を実施するための形態である実施形態の例について説明する。はじめに、第１の実施形態に係る表示装置１Ａについて説明する。図１は、第１の実施形態に係る表示装置１Ａの概略を示す斜視図である。図１に示すように、表示装置１Ａは、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板２と、対向基板３との２枚の基板を有し、これらの間には充填剤７０（図３参照）が充填されている。表示装置１Ａの一面には、画像を表示する表示領域４が設けられている。表示装置１Ａは、公知の種々のデバイスを介して画像信号を受信することにより、表示領域４に画像を表示する。

図２は、表示領域４における画素Ｐのレイアウトの例を示す平面図である。図２に示すように、表示領域４には複数の画素Ｐが形成されている。複数の画素Ｐは水平方向（図２においてＸ方向）及び垂直方向（図２においてＹ方向）に並んでいる。各画素Ｐは複数の単位画素Ｓによって構成されている。表示装置１Ａは、単位画素Ｓとして、赤色で発光する赤成分画素Ｓ（Ｒ）と、緑色で発光する緑成分画素Ｓ（Ｇ）と、青色で発光する青成分画素Ｓ（Ｂ）と、白色で発行する白成分画素Ｓ（Ｗ）を有している。なお、画素Ｐのレイアウトの例はこれに限らない。画素Ｐは、例えば、白単位画素Ｓ（Ｗ）を含まない３つの単位画素によって構成されてもよい。また、単位画素のことを、単に画素と言う場合も有る。

図３は、表示装置１Ａの断面の概略を示す断面図であり、その切断面は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線で示されている。図４は、単位画素Ｓに形成されている回路を示す回路図である。図３に示すように、ＴＦＴ基板２は、基板１０を有している。基板１０は、ガラス基板や樹脂基板、フィルム基板などから成る。また、この基板１０の上には、図４に示す複数の画素制御回路Ｆが組み込まれた回路層１１が形成されている。

回路層１１の上には、絶縁材料から成り、表示領域４において略平坦な上面を有する平坦化層１２が形成されている。平坦化層１２は、例えば、回路層１１に含まれる複数の画素制御回路Ｆに亘って形成される有機平坦化膜や有機パッシベーション膜である。

また、平坦化層１２の上には、複数の下部電極２０が形成されている。複数の下部電極２０及び複数の画素制御回路Ｆは、複数の単位画素Ｓとそれぞれ対応している。図示は省略するが、複数の下部電極２０の各々は、複数の画素制御回路Ｆと電気的に接続している。

図４に示すように、回路層１１に組み込まれる画素制御回路Ｆには、配線として、水平方向に伸びている走査線Ｌｇと、垂直方向に伸びている映像信号線Ｌｄと、垂直方向に伸びている電源線Ｌｓとが形成されている。画素制御回路ＦはＴＦＴや容量を含み、下部電極２０への電流供給を制御する。画素制御回路Ｆは、駆動ＴＦＴ１１１と、保持容量１１２と、スイッチングＴＦＴ１１３とを有している。スイッチングＴＦＴ１１３のゲートは走査線Ｌｇに接続され、スイッチングＴＦＴ１１３のドレインは映像信号線Ｌｄに接続されている。スイッチングＴＦＴ１１３のソースは保持容量１１２及び駆動ＴＦＴ１１１のゲートに接続されている。駆動ＴＦＴ１１１のドレインは電源線Ｌｓに接続され、駆動ＴＦＴ１１１のソースには下部電極２０が接続されている。走査線Ｌｇにゲート電圧が印加されることにより、スイッチングＴＦＴ１１３がＯＮ状態となる。このとき、映像信号線Ｌｄから映像信号が供給されると、保持容量１１２に電荷が蓄積される。そして、保持容量１１２に電荷が蓄積されることにより、駆動ＴＦＴ１１１がＯＮ状態となって、電源線Ｌｓから、下部電極２０と、後述する発光層４０及び上部電極５０とに電流が流れて、発光層４０は光を射出する。

図３に示すように、平坦化層１２の上には、樹脂などの絶縁材料により形成されるバンク層３１が積層されている。図２において、単位画素Ｓを囲う部分がバンク層３１である。図２に示すように、バンク層３１は、複数の単位画素Ｓのそれぞれの外周を囲うように配置されている。また、図２乃至図３に示すように、バンク層３１には、斜めに上外方に傾斜する内周面Ｄ２（側面）を有する第１の上開口Ｄ１が形成されている。複数の下部電極２０の各々は、バンク層３１により単位画素Ｓごとに独立して配置されており、各下部電極２０は電気的に分断されている。また、図３に示すように、バンク層３１の上には、透明な絶縁材料から成る絶縁層３２が形成されており、絶縁層３２には、斜めに上外方に傾斜する内周面Ｅ２（側面）を有する第２の上開口Ｅ１が形成されている。平面的に見て、第２の上開口Ｅ１は第１の上開口Ｄ１の内側に形成されている。絶縁層３２は、複数の下部電極２０のそれぞれと、後述する上部電極５０とのショートを防止している。

また、複数の下部電極２０と絶縁層３２とが形成された上面を覆うように、発光層４０と、光透過性を有する上部電極５０が形成されている。上部電極５０は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明な導電材料により形成されており、表示領域４における複数の単位画素Ｓに亘って配置されている。発光層４０は、複数の下部電極２０と上部電極５０の間に介在している。下部電極２０と上部電極５０との間に発光層４０を介して電流が流れることで発光層４０は発光し、その輝度は、それぞれの電極間に流れる電流の量によって制御される。発光層４０としては、例えば有機化合物から成る有機層が用いられる。下部電極２０と上部電極５０の間には、発光層４０を含むと共に、電子注入層と、電子輸送層と、ホール注入層と、ホール輸送層のうちの少なくとも１つを含む有機層や、有機層の積層体が配置されてもよい。

表示装置１Ａは、画像を構成する複数の単位画素Ｓにそれぞれ対応する複数の自発光素子を有している。本実施形態では、下部電極２０と発光層４０と上部電極５０が、それぞれの単位画素Ｓと対応する自発光素子層を構成している。

また、上部電極５０が形成された表面を覆うように、封止層６０が形成されている。封止層６０は、例えば、ＳｉＯｘやＳｉＮｙなどの透明な無機材料により形成され、発光層４０への酸素や水分の侵入を防止する機能を有している。

図１に示す対向基板３は、ＴＦＴ基板２と対向するように配置される。対向基板３は、図３に示す基板９０を有し、その下にカラーフィルタ層８０が形成されている。カラーフィルタ層８０は、複数の単位画素Ｓごとに、予め定められた色で光を透過するカラーフィルタ８２を有する。カラーフィルタ８２は、例えば、赤色、緑色、青色、白色のうちのいずれかの光を透過する。隣り合う２つのカラーフィルタ８２の間には、遮光膜８３が配置されている。カラーフィルタ８２及び遮光膜８３の下面には、有機材料から成るオーバーコート層８１が形成されている。

また、ＴＦＴ基板２と対向基板３との間（より具体的には、上部電極５０の上）には、充填剤７０が充填されている。充填剤７０は、例えば、表示領域４の外側に配置されて堰として機能するシール材によって囲まれた箇所に、透明な充填材が流し込まれることで形成されている。

本実施形態に係る表示装置１Ａは、トップエミッション方式を採用しており、下部電極２０は、光を反射する反射面を含んで構成される。即ち、発光層４０から発する光は、下部電極２０で反射して表示装置１Ａの上側に出射するようになっている。より具体的には、下部電極２０は、平坦化層１２の上側に形成され上下方向において平坦な上面を有する平坦部２１と、平坦部２１の少なくとも中央を含む中央領域Ｃ１から斜め上外方向に傾斜する傾斜部２２（第２の領域）とを有している。ここで、中央領域Ｃ１は、バンク層３１において、第１の下開口（第１の上開口Ｄ１の内側に形成され、内周面Ｄ２を含まない開口）により露出する領域である。平坦部２１と傾斜部２２には、発光層４０からの入射光を反射する反射面が形成されている。

本実施形態では、下部電極２０は、光を反射する導電材料から成る第１反射層２３及び第２反射層２５と、ＩＴＯやＩＺＯなどの光を透過する導電材料から成る導電層２４と、を含んで形成されている。第２反射層２５は、平坦化層１２の上に積層し、導電層２４は、第２反射層２５の上に積層している。また、第１反射層２３は、バンク層３１の斜面の上に配置され、第１反射層２３の端部は、導電層２４の上面と接している。ここで、下部電極２０の平坦部２１は、第２反射層２５及び導電層２４において形成されており、傾斜部２２は、第１反射層２３において形成されている。

また、バンク層３１は、下部電極２０における平坦部２１の縁を内包する領域であって、中央領域Ｃ１と重畳しない周縁領域Ｃ２に載っている。バンク層３１には、平坦部２１の中央領域Ｃ１を囲むように斜め上外方に傾斜する内周面Ｄ２（即ち、バンク層３１の斜面）を有する第１の上開口Ｄ１が形成されている。発光層４０において生じた光は、第１の上開口Ｄ１を通過して表示装置１Ａの外側へ射出される。下部電極２０の傾斜部２２は、バンク層３１の内周面に形成されている。

また、絶縁層３２は、下部電極２０における平坦部２１の周縁である周縁部Ｃ４に載っており、バンク層３１及び下部電極２０の傾斜部２２を覆っている。また、絶縁層３２は、平坦部２１のうちの少なくとも中央を含む中央部Ｃ３（第１の領域）の上面を露出させている。ここで、中央部Ｃ３は、絶縁層３２において、第２の下開口（第２の上開口Ｅ１の内側に形成される、内周面Ｅ２を含まない開口）により露出する領域である。このように、絶縁層３２が周辺領域Ｃ２に形成されることで、周辺領域Ｃ２において、発光層４０が途切れたとしても下部電極２０と上部電極５０とのショートを防止することができる。

また、下部電極２０において、平坦部２１は、傾斜部２２よりも、発光層４０からの入射光を減衰させる機能が大きくなるように形成されている。より具体的には、平坦部２１の反射面として機能する第２反射層２５は、傾斜部２２の反射面として機能する第１反射層２３よりも光反射率が低くなるように、光反射率が低い材料により形成されている。例えば、第１反射層２３がＡｌにより形成される場合、第２反射層２５はＡｌよりも光反射率が低い材料（Ｍｏなど）により形成されてよい。

このように、平坦部２１における反射面の光反射率を、傾斜部２２における反射面の光反射率よりも低くすることで、平坦部２１に入射する入射光Ｌ１を減衰させて、平坦部２１から表示装置１Ａの外側へ向かう光の反射を抑えることができる。さらに、傾斜部２２の反射面が平坦部２１の反射面よりも高い光反射率を有することで、発光層４０から傾斜部２２へ入射する入射光Ｌ２を高輝度で反射することができる。即ち、表示装置１Ａにおける光取り出し効率を確保するとともに、外光反射を抑えることができる。

［２．第２の実施形態］
次に、第２の実施形態にかかる表示装置１Ｂについて説明する。図５は、表示装置１Ｂの断面の一部分を示す断面図であり、第１の実施形態における図３と対応する図である。図５に示すように、本実施形態に係る表示装置１Ｂは、第１の実施形態と同様に、斜めに上外方に傾斜する内周面Ｄ２を有する第１の上開口Ｄ１が形成されたバンク層３１ｂを有している。また、表示装置１Ｂが備える下部電極２０ｂは、光を反射する導電材料（例えば、Ａｌ）から成る第１反射層２３ｂと、第１反射層２３ｂよりも光反射率が低い導電材料（例えば、Ｍｏ）から成る第２反射層２５ｂと、ＩＴＯなどの透明な導電材料から成る導電層２４ｂとを含んで形成される。

具体的には、第１反射層２３ｂは、バンク層３１ｂの上及び第１の上開口Ｄ１の内側に形成されており、第２反射層２５ｂは、第１の上開口Ｄ１の内側で内周面Ｄ２の少なくとも上端部との重複を避けて、第１反射層２３ｂの上に形成されている。ここで、第２反射層２５ｂが、平坦部２１ｂ（即ち、上下方向において平坦な上面が形成される部分）であり、第１反射層２３ｂにおいて内周面Ｄ２と重複して第２反射層２５ｂから露出する部分が、傾斜部２２ｂである。

導電層２４ｂは、第１反射層２３ｂと第２反射層２５ｂとの上に配置されており、内周面Ｄ２を覆っている。第１反射層２３ｂ及び導電層２４ｂは、内周面Ｄ２の上で互いに接しており、バンク層３１ｂの上で単位画素Ｓごとに分断されている。なお、図示は省略するが、第１反射層２３ｂと第２反射層２５ｂとの間にも、ＩＴＯなどの光透過性を有する導電層が形成されてもよい。この場合、下部電極２０ｂは、導電層２４ｂを必ずしも有さなくてよい。

このように下部電極２０ｂを形成することで、第１の実施形態と同様に、平坦部２１ｂにおける光反射率を、傾斜部２２ｂにおける光反射率よりも低減させて、発光層４０から傾斜部２２ｂへ入射する入射光Ｌ２の減衰を抑えつつ、表示装置１Ｂの外側から平坦部２１ｂへ入射する入射光Ｌ１を減衰させることができる。即ち、表示装置１Ｂの光取り出し効率を確保するとともに、外光反射を抑えることができる。

［３．第３の実施形態］
次に、第３の実施形態にかかる表示装置１Ｃについて説明する。図６は、表示装置１Ｃの断面の一部分を示す断面図であり、第１の実施形態における図３と対応する図である。図６に示すように、本実施形態に係る表示装置１Ｃは、第２の実施形態と同様のバンク層３１ｃと、下部電極２０ｃと、下部電極２０ｃの上方で発光層４０の上に形成される上部電極５０ｃと、を有している。下部電極２０ｃは、Ａｌなどの光を反射する導電材料から成る反射層２３ｃと、ＩＴＯなどの透明な導電材料から成る媒質層２４ｃとを含んでいる。下部電極２０ｃにおいて、平坦部２１ｃと、平坦部２１ｃの少なくとも中央を含む中央領域Ｃ１から斜め上外方向に傾斜する傾斜部２２ｃとに亘って、反射層２３ｃと媒質層２４ｃとが形成されている。

下部電極２０ｃにおいて、媒質層２４ｃは、反射層２３ｃの上に積層しており、平坦部２１ｃにおける媒質層２４ｃは、傾斜部２２ｃにおける媒質層２４ｃよりも光吸収率が高くなっている。より具体的には、平坦部２１ｃにおける媒質層２４ｃは、傾斜部２２ｃにおける媒質層２４ｃよりも、上下方向において厚くなっている。このように、特に平坦部２１ｃの媒質層２４ｃを厚く形成することで、平坦部２１ｃに入射する入射光Ｌ１が減衰させて、平坦部２１ｃから表示装置１Ａの外側へ向かう光の反射を抑えることができる。また、傾斜部２２ｃにおける媒質層２４ｃは、平坦部２１ｃにおける媒質層２４ｃよりも薄い。このため、発光層４０から傾斜部２２ｃへ入射する入射光Ｌ２に対する光吸収率は、入射光Ｌ１に対する光吸収率にくらべて低減される。即ち、表示装置１Ｃにおける外光反射を抑えつつ、表示装置１Ｃの光取り出し効率を確保することができる。

さらに、表示装置１Ｃに形成される上部電極５０ｃは、下部電極２０ｃに形成される平坦部２１ｃの直上に、光吸収率が最も高くなるように最も厚い部分である厚膜部５１ｃを有している。このように、上部電極５０ｃにおいて厚膜部５１ｃを形成することで、平坦部２１ｃに入射する入射光を更に減衰させることができ、表示装置１Ｃの外光反射を更に抑えることが可能となる。

［４．第４の実施形態］
次に、第４の実施形態にかかる表示装置１Ｄについて説明する。図７は、表示装置１Ｄの断面の一部分を示す断面図であり、第１の実施形態における図３と対応する図である。図７に示すように、表示装置１Ｄに形成される下部電極２０ｄは、第１の実施形態と同様に、上下方向におうて平坦な上面を有する平坦部２１ｄと、この平坦部２１ｄの中央を含む中央領域Ｃ１から斜め上外方に伸びる傾斜部２２ｄとを有している。傾斜部２２ｄは、光を反射する導電材料から成る第１反射層２３ｄを含み、平坦部２１ｄは、同様に光を反射する導電材料から成る第２反射層２５ｄを含んでいる。また、下部電極２０ｄは、平坦部２１ｄに接触して積層されたＩＴＯなどの光透過性を有する導電層２４ｄを有している。本実施形態では、第２反射層２５ｄは、第１反射層２３ｄと同じ材料（例えば、Ａｌなどの金属材料）により構成されてよい。

また、本実施形態では、平坦部２１ｄの反射面である第２反射層２５ｄの上面は、傾斜部２２ｄの反射面である第１反射層２３ｄの上面よりも、光拡散反射の程度が高くなるように形成されている。より具体的には、平坦部２１ｄの反射面は、傾斜部２２ｄの反射面よりも表面粗さが大きくなるように形成されている。表示装置１Ｄの製造過程において、平坦化層１２の上に、上面が粗い第２反射層２５ｄが形成された後に、この上に光透過性を有する導電層２４ｄが形成される。導電層２４ｄの下面は、第２反射層２５ｄの上面（即ち、平坦部２１ｄの反射面）の表面粗さに対応して粗くなり、導電層２４ｄの上面も、導電層２４ｄの下面に倣って粗くなる。

このように、平坦部２１ｄにおける反射面の表面粗さを大きくすることで、平坦部２１ｄへ入射する入射光Ｌ１を拡散して反射することができる。即ち、表示装置１Ｄにおける外光反射を抑えることができる。また、傾斜部２２ｄにおける反射面の粗さを、平坦部２１ｄよりも小さくすることで、発光層４０から傾斜部２２ｄへ入射する入射光Ｌ２の拡散を抑えて、表示装置１Ｄにおける光取り出し効率を確保することができる。

［５．第５の実施形態］
次に、第５の実施形態にかかる表示装置１Ｅについて説明する。図８は、表示装置１Ｅの断面の一部分を示す断面図であり、第１の実施形態における図３と対応する図である。図８に示すように、表示装置１Ｅに形成される下部電極２０ｅは、第２の実施形態と同様に、金属などの導電材料から成り平坦化層１２の上面及びバンク層３１ｅの斜面を覆うように形成される第１反射層２３ｅと、同じく金属などの導電材料から成り第１反射層２３ｅの上に配置される第２反射層２５ｅと、ＩＴＯなどの透明な導電材料から成り第１反射層２３ｅ及び第２反射層２５ｅの上に配置される導電層２４ｅとが形成される。第２反射層２５ｅは、バンク層３１ｅに形成される第１の上開口Ｄ１の内側に配置され、第１反射層２３ｅと導電層２４ｅは、平坦部２１ｅと傾斜部２２ｅとに亘って形成されている。ここで、第２反射層２５ｅと、第１反射層２３ｅ及び導電層２４ｅにおいて第２反射層２５ｅと接する部分とが、平坦部２１ｅを構成している。また、第１反射層２３ｅ及び導電層２４ｅにおいて第２反射層２５ｅと接していない部分が、傾斜部２２ｅを構成している。なお、第２反射層２５ｅは、第１反射層２３ｅと同じ材料（例えば、Ａｌなど）により構成されてよい。

ここで、第４の実施形態と同様に、第２反射層２５ｅの上面は、第１反射層２３ｅの上面よりも表面粗さが大きくなるように形成されている。また、導電層２４ｅにおいて、第２反射層２５ｅの上に位置する部分の下面は、第２反射層２５ｅの上面（即ち、平坦部２１ｅの反射面）の表面粗さに対応して粗くなっており、当該部分の上面も、当該下面に倣って粗くなっている。即ち、平坦部２１ｅの反射面は、傾斜部２２ｅの反射面よりも表面粗さが大きくなるように形成されている。このようにすることで、表示装置１Ｅにおける光取り出し効率を確保するとともに、外光反射を抑えることができる。

［６．第６の実施形態］
次に、第６の実施形態にかかる表示装置１Ｆについて説明する。図９は、表示装置１Ｆの断面の一部分を示す断面図であり、第１の実施形態における図３と対応する図である。図９に示すように、表示装置１Ｆの下部電極２０ｆにおいて、透明な導電材料から成る導電層２４ｆは、光を反射する第１反射層２３ｆの上に形成され、平坦部２１ｆと傾斜部２２ｆとに亘って第１反射層２３ｆの上面と接触している。第１反射層２３ｆよりも荒い上面を有する第２反射層２５ｆが、導電層２４ｆの上の平坦部２１ｆに形成されている。本実施形態では、第２反射層２５ｆは、第１反射層２３ｆと同じ材料（例えば、Ａｌなどの金属材料）により構成されてよい。

ここで、第２反射層２５ｆは、傾斜部２２ｆを避けて配置され、第１反射層２３ｆは、傾斜部２２ｆにおいて第２反射層２５ｆから露出している。即ち、第４及び第５の実施形態と同様に、平坦部２１ｆの反射面では、傾斜部２２ｆの反射面よりも表面粗さが大きく形成されている。このようにすることで、表示装置１Ｆにおける光取り出し効率を確保するとともに、外光反射を抑えることができる。

［７．第７の実施形態］
次に、第７の実施形態にかかる表示装置１Ｇについて説明する。図１０は、表示装置１Ｇの断面の一部分を示す断面図であり、第１の実施形態における図３と対応する図である。図１０に示すように、表示装置１Ｇは、バンク層３１ｇと、バング層３１ｇを覆うように形成される透明な絶縁層３２とを有している。バンク層３１ｇには、斜めに上外方に傾斜する内周面Ｄ２を有する第１の上開口Ｄ１が形成されており、下部電極２０ｇの平坦部２１ｇは、第１の上開口Ｄ１の内側に位置しており、下部電極２０ｇの傾斜部２２ｇは、内周面Ｄ２の上に配置されている。絶縁層３２は、平坦部２１の周縁を含む周縁部Ｃ４に載っており、平坦部２１のうちの少なくとも中央を含む中央部Ｃ３を露出させている。

下部電極２０ｇの平坦部２１ｇ及び傾斜部２２ｇは、それぞれ、光を反射する反射面を有する反射層２３ｇと、反射面に積層し、透明な導電材料により形成される媒質層２４ｇとを含んでいる。ここで、平坦部２１ｇにおける媒質層２４ｇは、傾斜部２２ｇにおける媒質層２４ｇよりも、光拡散屈折の程度が高くなるように形成されている。より具体的には、平坦部２１ｇにおける媒質層２４ｇの光拡散屈折の程度は、絶縁層３２から露出する平坦部２１ｇの中央部Ｃ３では、傾斜部２２ｇの媒質層２４ｇよりも高く、平坦部２１ｇの周縁を含む周縁部Ｃ４では、傾斜部２２ｇの媒質層２４ｇと等しくなっている。表示装置１Ｇの製造工程において、絶縁層３２の形成後、媒質層２４ｇの上面にアッシングなどの処理を施すことで、平坦部２１ｇの中央部Ｃ３における媒質層２４ｇの上面を粗くすることができる。このように、平坦部２１ｇの表面を、傾斜部２２ｇの表面よりも粗くすることで、表示装置１Ｇにおける光取り出し効率を確保するとともに、外光反射を抑えることができる。

［８．第８の実施形態］
次に、第８の実施形態にかかる表示装置１Ｈについて説明する。図１１は、表示装置１Ｈの断面の一部分を示す断面図であり、第１の実施形態における図３と対応する図である。図１１に示すように、表示装置１Ｈの下部電極２０ｈにおいて、ＩＴＯなどの透明な導電材料から成る第１導電層２４ｈは、光を反射する反射層２３ｈの上に形成され、下部電極２０ｈにおける平坦部２１ｈと傾斜部２２ｈとに亘って位置している。また、第１導電層２４ｈの上には、ＩＴＯなどの透明な導電材料から成り、第１導電層２４ｈよりも表面粗さが大きい第２導電層２５ｈが形成されている。第２導電層２５ｈは、第１の上開口Ｄ１の内側に配置されている。

ここで、第１導電層２４ｈは、傾斜部２２ｈにおいて、第２導電層２５ｆから露出している。これにより、下部電極２０ｈの平坦部２１ｈにおける導電層は、下部電極２０ｈの傾斜部２２ｈにおける導電層よりも厚くなり、当該傾斜部２２ｈにおける導電層よりも光吸収率が高くなる。さらに、下部電極２０ｈの平坦部２１ｈは、傾斜部２２ｈよりも、光拡散屈折の程度が高くなるように、表面粗さが大きくなるように形成されている。このようにすることで、平坦部２１ｈへ入射する入射光Ｌ１を、傾斜部２２ｈへ入射する入射光Ｌ２よりも減衰させることができる。即ち、表示装置１Ｈにおける光取り出し効率を確保するとともに、外光反射を抑えることができる。

［９．第９の実施形態］
最後に、第９の実施形態にかかる表示装置１Ｊについて説明する。図１２は、表示装置１Ｊの断面の一部分を示す断面図であり、第１の実施形態における図３と対応する図である。図１１に示すように、表示装置１Ｊの下部電極２０ｊにおいて、ＩＴＯなどの透明な導電材料から成る導電層２４ｊは、金属などの導電材料から成る反射層２３ｊの上に形成され、下部電極２０ｊにおける平坦部２１ｊと傾斜部２２ｊとに亘って位置している。

ここで、反射層２３ｊのうちの平坦部２１ｊに位置する部分は、傾斜部２２ｊに位置する部分に比べて反射面の表面粗さが大きくなるように形成されている。表示装置１Ｊの製造工程において、反射層２３ｊ、導電層２４ｊ、絶縁層３２を形成した後に、絶縁層３２に形成される第２の上開口Ｅ１の上から、反射面である反射層２３ｊの上面に対して表面処理（例えば、アッシングやイオン注入、スパッタリング処理）を施すことで、平坦部２１ｊにおける反射層２３ｊの上面は粗くなる。また、平坦部２１ｊにおける導電層２４ｊの下面及び上面も、反射層２３ｊに倣って粗くなる。このように、平坦部２１ｊの反射面を、傾斜部２２ｊの反射面よりも粗くすることで、表示装置１Ｊにおける光取り出し効率を確保するとともに、外光反射を抑えることができる。

本発明は、以上説明した実施形態に限られず、種々の変更がなされてよい。また、本明細書の開示は、本発明の一例にすぎず、本発明の主旨を保った適宜変更であって当業者が容易に想到し得るものは本発明の範囲に含まれる。例えば、発光層４０は、上記各実施形態では複数の画素に亘って配置されているが、画素毎に独立して配置されてもよい。また、カラーフィルタ層８０を備えない構造にしてもよい。また、図で示す各部の幅、厚さ及び形状等は模式的に表されており、本発明の解釈を限定するものではない。

１Ａ 表示装置、２ ＴＦＴ基板、３ 対向基板、４ 表示領域、１０，９０ 基板、１１ 回路層、１２ 平坦化層、２０ 下部電極、２１ 平坦部、２２ 傾斜部、２３ 第１反射層、２４ 導電層、２５ 第２反射層、３１ バンク層、３２ 絶縁層、４０ 発光層、５０ 上部電極、６０ 封止層、７０ 充填剤、８０ カラーフィルタ層、８１ オーバーコート層、８２ カラーフィルタ、８３ 遮光膜、１１１ 駆動ＴＦＴ、１１２ 保持容量、１１３ スイッチングＴＦＴ、１Ｂ 表示装置、２０ｂ 下部電極、２１ｂ 平坦部、２２ｂ 傾斜部、２３ｂ 第１反射層、２４ｂ 導電層、２５ｂ 第２反射層、３１ｂ バンク層、１Ｃ 表示装置、２０ｃ 下部電極、２１ｃ 平坦部、２２ｃ 傾斜部、２３ｃ 反射層、２４ｃ 媒質層、３１ｃ バンク層、５０ｃ 上部電極、５１ｃ圧膜部、１Ｅ 表示装置、２０ｅ 下部電極、２１ｅ 平坦部、２２ｅ 傾斜部、２３ｅ 第１反射層、２４ｅ 導電層、２５ｅ 第２反射層、３１ｅ バンク層、１Ｆ 表示装置、２０ｆ 下部電極、２１ｆ 平坦部、２２ｆ 傾斜部、２３ｆ 第１反射層、２４ｆ 導電層、２５ｆ 第２反射層、３１ｆ バンク層、１Ｇ 表示装置、２０ｇ 下部電極、２１ｇ 平坦部、２２ｇ 傾斜部、２３ｇ 反射層、２４ｇ 導電層、３１ｇ バンク層、１Ｈ 表示装置、２０ｈ 下部電極、２１ｈ 平坦部、２２ｈ 傾斜部、２３ｈ 第１反射層、２４ｈ 導電層、２５ｈ 第２反射層、３１ｈ バンク層、１Ｊ 表示装置、２０ｊ 下部電極、２１ｊ 平坦部、２２ｊ 傾斜部、２３ｊ 反射層、２４ｊ 導電層、３１ｊ バンク層。

Claims (11)

1. 複数の画素にそれぞれ対応する複数の自発光素子を有する表示装置であって、前記複数の自発光素子のそれぞれは、
   下部電極と、
   光透過性を有する上部電極と、
   前記下部電極と前記上部電極の間に介在する発光層と、
   を有し、
   前記下部電極は、平坦部と、前記平坦部の少なくとも中央領域から斜め上外方に傾斜する傾斜部と、を含み、
   前記平坦部及び前記傾斜部のそれぞれは、反射面を有し、
   前記平坦部の前記反射面は、前記傾斜部の前記反射面よりも、表面粗さが大きく、光反射率が低いことを特徴とする表示装置。
2. 請求項１に記載された表示装置において、
   前記下部電極は、前記平坦部及び前記傾斜部のうち少なくとも前記平坦部に接触して積層された光透過性の導電層をさらに有し、
   前記導電層は、前記平坦部の前記反射面の前記表面粗さに対応して粗くなった下面と、前記下面に倣って粗くなった上面と、を有することを特徴とする表示装置。
3. 請求項１又は２に記載された表示装置において、
   前記下部電極の前記平坦部の周縁領域に載って、前記中央領域を囲むように斜め上外方に傾斜する内周面を有する開口が形成された絶縁層をさらに有し、
   前記下部電極の前記傾斜部は、前記内周面に形成されていることを特徴とする表示装置。
4. 請求項１又は２に記載された表示装置において、
   斜めに上外方に傾斜する内周面を有する開口が形成された絶縁層をさらに有し、
   前記下部電極は、前記絶縁層の上及び前記開口の内側に形成された第１層と、前記開口の内側で前記内周面の少なくとも上端部との重複を避けて前記第１層の上に形成された第２層と、を含み、
   前記第１層は、前記傾斜部として、前記内周面と重複して前記第２層から露出する部分を有し、
   前記第２層は、前記平坦部であることを特徴とする表示装置。
5. 請求項４に記載された表示装置において、
   前記下部電極は、前記第１層と前記第２層の上及び前記第１層と前記第２層の間の少なくとも一方に配置された光透過性の導電層をさらに有することを特徴とする表示装置。
6. 複数の画素にそれぞれ対応する複数の自発光素子を有する表示装置であって、前記複数の自発光素子のそれぞれは、
   下部電極と、
   光透過性を有する上部電極と、
   前記下部電極と前記上部電極の間に介在する発光層と、
   を有し、
   前記下部電極は、平坦部と、前記平坦部の少なくとも中央領域から斜め上外方に傾斜する傾斜部と、を含み、
   前記平坦部及び前記傾斜部のそれぞれは、反射面を有し、
   前記平坦部及び前記傾斜部は、それぞれ、前記反射面を有する反射層と、前記反射面に積層する媒質層と、を含み、
   前記平坦部の前記媒質層は、前記傾斜部の前記媒質層よりも、光吸収率が高いことを特徴とする表示装置。
7. 請求項６に記載された表示装置において、
   前記平坦部の前記媒質層は、前記傾斜部の前記媒質層よりも、厚いことを特徴とする表示装置。
8. 複数の画素にそれぞれ対応する複数の自発光素子を有する表示装置であって、前記複数の自発光素子のそれぞれは、
   下部電極と、
   光透過性を有する上部電極と、
   前記下部電極と前記上部電極の間に介在する発光層と、
   を有し、
   前記下部電極は、平坦部と、前記平坦部の少なくとも中央領域から斜め上外方に傾斜する傾斜部と、を含み、
   前記平坦部及び前記傾斜部のそれぞれは、反射面を有し、
   前記平坦部及び前記傾斜部は、それぞれ、前記反射面を有する反射層と、前記反射面に積層する媒質層と、を含み、
   前記平坦部の前記媒質層は、前記傾斜部の前記媒質層よりも、光拡散屈折の程度が高いことを特徴とする表示装置。
9. 請求項８に記載された表示装置において、
   斜めに上外方に傾斜する内周面を有する第１開口が形成され、前記第１開口内に前記平坦部が配置され、前記内周面の上に前記傾斜部が配置される第１絶縁層と、
   前記平坦部の周縁部に載って、中央部を露出させる第２開口が形成された第２絶縁層と、
   をさらに有し、
   前記平坦部の前記媒質層の前記光拡散屈折の程度は、前記中央部では前記傾斜部の前記媒質層よりも高く、前記周縁部では前記傾斜部の前記媒質層と等しいことを特徴とする表示装置。
10. 請求項１から９のいずれか１項に記載された表示装置において、
    前記上部電極は、前記平坦部の直上に、光吸収率が最も高くなるように最も厚い部分を有することを特徴とする表示装置。
11. 複数の画素と、
    前記複数の画素を区分し、第１の開口を有するバンク層と、
    前記複数の画素の各々に備えられた下部電極と、
    前記複数の画素に亘って配置された上部電極と、
    前記下部電極と前記上部電極との間に位置し、発光層を含む有機層と、
    前記バンク層を覆い、且つ前記下部電極の一部を露出する第２の開口を有する絶縁層と、を備え、
    前記下部電極は、
    第２の開口によって露出されている第１の領域と、
    前記バンク層の側面と前記絶縁層の側面との間に位置すると共に、前記バンク層の側面に接する第２の領域と、を有し、
    前記第１の領域は、前記第２の領域よりも光反射率が低いことを特徴とする表示装置。

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