CN1461426A - 远紫外线可透过的界面结构 - Google Patents

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Abstract

一种EUV可透过的界面结构，其可使第一封闭腔(80)和第二封闭腔(70)光连接，同时防止介质和/或颗粒的污染流从一个腔流到另一腔中，此界面结构包括采用薄膜(60)或通道结构(100)形式的EUV可透过的构件(60)。EUV可透过的(惰性)气体(68)在构件朝向污染源(LA；W)的一侧流动并朝向污染源流动，从而使污染颗粒远离构件(60；100)。界面结构可设置在EUV辐射源(LA)和照明光学部件(IL)之间，和/或设置在投影***(PL)与光刻投影装置的衬底(W)顶端的抗蚀层(RL)之间。

Description

远紫外线可透过的界面结构
本发明涉及一种远紫外线(EUV)可透过的界面结构，其可使第一封闭腔和第二封闭腔光连接，同时防止介质和/或颗粒的污染流从一个腔流到另一个腔。
本发明还涉及一种包括有这种界面结构的EUV照明装置和一种设有这种EUV可透过的界面结构和/或照明装置的EUV光刻投影装置。本发明还涉及一种生产使用了这种装置的器件的方法。
光刻装置是通过掩蔽和注入技术来制造集成电路(IC)的基本工具。通过这种装置，可以在半导体衬底上的相同位置处依次对具有不同掩模图案的多个掩模进行成像。
衬底应被理解为某一材料如硅的板材，其中完整的多层器件如IC是通过多组连续的处理步骤而逐层形成的。各组步骤包括主处理步骤：在衬底上涂覆辐射敏感(抗蚀)层，使衬底与掩模对准，将此掩模的图案成像在抗蚀层上，对抗蚀层进行显影，通过抗蚀层对衬底进行蚀刻并进行清洗和其它处理步骤。用语“衬底”涵盖了在制造过程中不同阶段的衬底，即没有层的衬底或只有一层具有已成形的器件特征的衬底、具有所有层但只有一层具有已成形的器件特征的衬底，以及所有的中间衬底。
可由光刻投影装置以所需质量对器件结构进行成像的最小尺寸取决于此装置的投影***的分辨能力或分辨率。此分辨率与λ/NA成比例，其中λ是投影装置中所用的投影光束的波长，NA是投影***的数值孔径。为了生产出具有更高密度从而具有更高操作速度的器件，必须在更小的器件结构进行成像，因此应当提高分辨率。为此，可以增大数值孔径和/或减小波长。在实际应用中，增大目前已经相当大的数值孔径是不太可能的，因为这样做的话会减小投影***的与λ/NA2成比例的聚焦深度，而且，很难为所需图像区域而校正投影***。因此，可以减小波长来降低最小器件特征，同时仍能令人满意地进行成像。
传统的光刻投影装置采用紫外线(UV)辐射，其波长为356纳米(nm)并由水银灯产生，或采用深紫外线(DUV)辐射，其波长为248nm或193nm并由准分子激光器产生。最近提出了在投影装置中采用远紫外线(EUV)辐射。利用这种具有非常短波长的也被称为软X射线辐射的辐射，可以对非常小的器件结构进行成像。EUV辐射应理解为具有从几个纳米到几十个纳米、最好为13nm左右的波长的辐射。
可能的EUV辐射源例如包括激光致等离子源和放电等离子源。例如，在文章：“用于远紫外线光刻术的大功率源和照明***”，Proceedings of the SPIE Conference on EUV，X-ray and Neutron Opticsand Sources，Denver，1999年7月，第3767卷，第136-142页中介绍了激光致等离子EUV源。例如，在文章：“基于气体放电等离子的高重复性远紫外线辐射源”，Applied Optics，第38卷第25期，1999年9月1日，第5413-5417页中介绍了放电等离子源。
EUV辐射源如上述放电等离子源需要采用相当高的气体或蒸气分压以发出EUV辐射。在放电等离子源中，在两个电极之间产生放电，所产生的电离等离子随后发生破坏，以产生可发射出EUV范围内的辐射的非常炽热的等离子。由于氙(Xe)等离子在EUV范围内的13.5nm左右的产生辐射，因此这种非常炽热的等离子通常在氙中产生。为了高效地产生EUV辐射，要求在辐射源的电极附近存在典型的0.1毫巴的压力。具有这种相当高的氙压的缺点是氙气会吸收EUV。例如，压力为0.1毫巴的氙气在1米内只能传播0.2％的波长为13.5nm的EUV辐射。因此就需要将这个相当高的氙压限制在等离子源周围的有限区域内。为此，等离子源可装入在其自身的真空腔中，这个真空腔通过腔壁与相邻真空腔隔开，在此相邻真空腔中设有包括聚光镜在内的照明光学部件的至少一部分。所述腔壁应具有可透过EUV辐射的开口，以将EUV辐射从该等离子源传送到后面的腔中，同时应在等离子源腔与所述相邻腔中保持不同的真空度。
放电等离子源的一个问题、同时也是其它等离子源如激光致等离子源的一个问题是由此等离子源所产生的较大量的碎屑，例如污染颗粒。对于放电等离子源来说，碎屑主要来源于由等离子与电极的相互作用而造成的电极腐蚀，以及等离子源腔的壁的腐蚀。这种因等离子源腔中产生的高温而造成的壁腐蚀同样发生于激光致等离子源中。而且，等离子如氙等离子还会发出高能离子。污染颗粒和离子可穿过等离子源腔的腔壁上的开口而逸出，并到达光学部件或照明***的反射器。其中第一个部件为聚光镜如切线入射镜的这些部件由例如硅和钼的多层薄层组成。这些薄层非常容易受损，当被这种颗粒损伤时它们的反射系数会很容易地降低到一个不可接受的水平。结果，EUV照明光束的强度会变得太小。
光刻投影装置中的另一问题是，一般材料的碎屑和副产品可在EUV光束的作用下而从抗蚀层中松散地溅射出。在衬底与投影***之间的抽成真空的中间空间允许被释放出的材料朝向投影***运动而不会发生显著的散射或偏转。在投影***中，这些材料沉积在一个或多个镜子上，从而形成了伪涂层，会使镜子表面产生粗糙化。因此，由投影形成的图像的分辨率和清晰度迅速降低。而且，镜子的反射系数也降低，因此，可到达抗蚀层的EUV辐射更少。
本发明的一个目的是提供一种可解决上述问题并提高光刻投影装置的性能的装置。
根据本发明的第一方面，提供了一种如开篇段落所定义的EUV可透过的界面结构，其特征在于，设置了EUV可透过的构件和气体引导件，用于将EUV可透过的气流注入到朝向污染流的构件表面的附近，并使EUV可透过的气体沿着与污染流相反的方向流动。
此构件可阻挡污染颗粒流流向易损部件。为了能充分地透过EUV辐射，该构件应当较薄，因此它可能被高能污染颗粒破坏。为了延长构件的使用寿命，将EUV可透过的气体注入到将会被污染颗粒撞击的薄膜表面，该气体沿着与污染流相反的方向流动，使得气体可基本上将污染颗粒与构件相隔开。因此，此构件只需阻挡未被EUV可透过的气流所带走的非常少的颗粒。这样，就得到了对污染颗粒的有效和长期的阻挡。
EUV可透过的界面结构的特征最好还在于，EUV可透过的气体为惰性气体。
这种惰性气体例如氦或氩只吸收很少的EUV辐射。由于只有很少氦气电子会被EUV辐射激发，因此这种气体能非常好地使EUV辐射透过。氩分子大于氦气的分子。这意味着，氩气一方面可更好地捕获污染颗粒，另一方面具有比氦气低一些的穿透性。
根据另一优选设置，EUV可透过的界面结构的特征在于，气体引导件构建成可沿至少两个直径上相反的方向注入EUV可透过的气流。
因此，可得到沿着薄膜表面并朝向污染源的最佳气流。
EUV可透过的结构的特征最好还在于，此结构包括锥形的中空管，其最窄的开口朝向污染流。
这种锥形管具有密封EUV辐射所必须的最小体积。由于减小了产生有效流动所需的EUV可透过的气流，从而可节省气体并降低吸收，因此这是有利的。
EUV可透过的界面结构的第一实施例的特征在于，此构件为薄膜。
此实施例的特征最好还在于，此薄膜由硅制成。
硅薄膜具有所需的EUV穿透性。此薄膜还可由锆或硼制成。
EUV可透过的界面结构的第二实施例的特征在于，此构件为包括有由壁隔开的相邻狭窄通道组成的通道结构，所述壁基本上平行于由通道结构传送的EUV辐射的传播方向。
此实施例尤其适于在相邻真空腔内保持不同的真空度。
第二实施例的特征最好还在于，所述通道的宽度根据EUV辐射光束的发散或收敛的形状而沿所述传播方向增大或减小。
这样，通道结构可传送最大量的EUV源辐射。
第二实施例的特征最好还在于，所述通道结构可由蜂窝结构构成。
第二实施例的特征最好在于，所述通道在正交于所述传播方向的径向上的截面尺寸大于所述通道的在围绕所述传播方向的切向方向上的截面尺寸。
本发明还涉及一种EUV照明装置，其包括设在第一腔内的EUV辐射源和用于接收来自第一腔的EUV辐射并将此辐射转换成EUV辐射光束的光学***，此光学***至少设在第二腔内。此照明***的特征在于，上述EUV可透过的界面结构设在第一腔和第二腔之间，并且EUV可透过的气流朝向辐射源流动。
光学***的部件尤其是第一聚光镜被很好地保护以不受污染颗粒的损害，因此在照明***的使用寿命期间它们的反射系数保持在可接受的水平。
本发明还涉及一种EUV光刻投影装置，其包括可提供EUV光束以照亮掩模的照明装置、用于固定掩模的掩模固定器、用于固定衬底的衬底固定器，以及设在掩模固定器和衬底固定器之间以通过EUV光束在衬底上成像掩模图案的投影***。此装置的特征在于，投影***包括至少一个带有上述薄膜的EUV可透过的界面结构。
投影***的部件可设在超过一个腔内，同时各腔可具有不同的真空度。尽管中间腔中的碎屑量大大小于朝向衬底的最后一个腔中的碎屑量，然而任何一个腔均可设置本发明的EUV可透过的界面结构。
本发明的一个最佳应用是用于衬底设在衬底腔内的器件，其特征在于，在投影***的最后一个腔和衬底腔之间设有EUV可透过的界面结构，EUV可透过的气流朝向衬底流动。
这样，投影***的部件、尤其是设于所述最后一个腔内的那些部件和设在其它腔内的那些部件就得到了保护，不会受到因EUV辐射的作用而游离出抗蚀层的颗粒的损害。
此实施例的特征最好还在于，其照明装置是如上所述的装置。
这样，整个投影装置就得到了很好的保护，不会受到来自辐射源和衬底上的抗蚀层的污染颗粒的损害。
最后，本发明还涉及一种制造在至少一层衬底上具有器件特征的器件的方法，此方法包括至少一组下述的连续步骤：
在衬底上形成带图案的涂层，其图案与待形成的层上的器件特征相一致，和
在所形成的所述器件层的区域中去除材料或增加材料，此区域通过带图案的涂层的图案表示出。此方法的特征在于，带图案的涂层通过如上所述的EUV光刻投影装置制出。
通过应用本发明，光刻投影加工成为可靠的加工，并且所生产出的器件具有稳定的优良质量。
通过非限制性的示例并参考如下所述的实施例，可以清楚并了解本发明的这些方面及其它方面。
在图中：
图1示意性地显示了采用了本发明的用于在衬底上重复性地对掩模图案成像的光刻投影装置的一个实施例；
图2示意性地显示了光刻投影装置的各个真空腔；
图3示意性地显示了在此装置中使用的EUV可透过的界面结构的一个实施例；
图4显示了此界面结构的一个优选实施例；
图5显示了此界面结构在照明装置中的应用；
图6显示了在投影***和衬底之间的界面结构的应用；
图7显示了用于EUV可透过的界面结构中的通道结构；
图8显示了设有此界面结构的辐射源/照明部件的一部分，和
图9显示了具有蜂窝形状的通道结构的一部分。
在图1中示意性示出的光刻投影装置的主要模块为：
用于提供EUV辐射的投影PB的照明***LA/IL；
设有用于固定掩模或分划板MA的第一物体(掩模)固定器的第一载物台即掩模台MT；
设有用于固定衬底W如涂覆有抗蚀层的硅晶片的第二物体(衬底)固定器的第二载物台即衬底台WT；
用于在目标部分即IC区域或管心C上对掩模MA的被照亮部分进行成像的投影***PL。
投影***可以是折射或反射元件的***、反折射***，或者是这些***的组合。
此装置还设有多个测量***。第一***是用于测量掩模MA和衬底W在XY平面上的相互对准的对准检测***。第二测量***是用于测量衬底固定器从而可测量衬底的X位置和Y位置及方位的干涉仪***IF。第三测量***是用于确定投影***的聚焦或成像平面与衬底上抗蚀层的表面之间的偏差的聚焦误差检测***。这些测量***在图1中只是部分地示出，并形成了伺服***的一部分，此伺服***包括电信号处理和控制电路以及促动装置，可根据测量***所提供的信号并通过促动装置来校正衬底的位置和方位以及焦点。在图1中，PW代表促动装置，或者是衬底台WT的定位装置。
如图1所示的装置中的掩模MA是反射式掩模，此装置可认为是反射式装置。此装置还可以是透射型，即适于将透射掩模图案投影在衬底上的装置。
光刻装置可以是步进式装置或逐级扫描装置。在步进式装置中采用了全视场照明，即在一个操作步骤中照亮整个掩模图案C，并将其整体地成像在衬底的IC区域上。在照亮了第一IC区域后，前进到一个后续的IC区域，即，使衬底固定器和掩模固定器相互间移动，使得此后续IC区域位于掩模图案之下。然后经掩模图案来照亮此后续IC区域，等等，直到衬底中的所有IC区域都具有掩模图案的图像为止。在逐级扫描装置中，每次只照亮掩模图案的一个矩形或圆弓形区域，因而只照亮衬底IC区域的一个相应形状的子区域。掩模图案和衬底同步地穿过投影光束PB，同时还应考虑到投影光束的放大。每次在衬底的相关IC区域的相应子区域中对掩模图案的后续子区域进行成像。在以这种方式将整个掩模图案成像在一个衬底的IC区域中之后，衬底固定器进行步进式的运动，即，将下一个IC区域的起始部分移入到投影光束中，并且将掩模设定在例如其初始位置中，之后经掩模图案扫描式地照亮所述下一个IC区域。
除了衬底定位装置PW和衬底干涉仪***IFw之外，逐级扫描装置还包括掩模定位装置PW和掩模干涉仪***IFm。
图1中的左边部分显示了掩模MA，其例如包括位于掩模图案区域之外的两个对准标记M1和M2。这些标记例如为衍射光栅。或者，它们也可由其他标记如正方形或一个笔划构成，它们与其周围区域在光学上是不相同的。此对准标记最好是二维的，即它们在两个相互正交的方向即图1中的X和Y方向上延伸。衬底W包括至少两个对准标记，在图1的右边部分中显示出了其中的两个，即P1和P2。衬底标记P1和P2位于衬底上的必须形成掩模图案的图像区域之外。掩模和衬底的对准标记用于在对准步骤中检测衬底和掩模的对准程度，该步骤在采用掩模图案对衬底进行曝光的步骤之前进行。
由照明***LA/IL提供的投影或曝光光束PB是例如波长为13nm左右的EUV辐射光束。通过这种光束可在抗蚀层上成像远小于100nm的极小的器件特征或线宽。可提供这种光束的照明***包括等离子源LA，其可以是放电等离子源或激光致等离子源。在放电等离子源中，放电在两个电极之间的介质中产生，从放电中得到的电离的等离子随后被破坏，从而得到可发出所需EUV辐射的非常炽热的等离子。合适的介质是氙，这是因为氙等离子可产生处于所需EUV范围内的辐射。例如在文章：“基于气体放电等离子的高重复性远紫外线辐射源”，Applied Optics，第38卷第25期，1999年9月1日，第5413-5417页中介绍了放电等离子EUV源。在激光致等离子源中，通过聚焦在介质上的强激光束来将气态、液态或固态的介质即目标介质转换成等离子。例如在文章：“用于远紫外线光刻术的大功率源和照明***”，Proceedings of the SPIE Conference on EUV，X-ray andNeutron Optics and Sources，Denver，1999年7月，第3767卷，第136-142页中介绍了激光致等离子源。
照明***包括多种光学部件，例如用于捕获和引导等离子源的辐射并将此辐射成形为适当的投影光束PB的镜子，其可照亮掩模MA。被掩模反射的光束穿过投影***PL，其将此光束聚焦在衬底顶端的抗蚀层上，以在选定衬底区域的位置上形成掩模图案的图像。
如图2中非常示意性地所示，EUV光刻投影装置的各个部件分布在多个真空腔中。这些腔由壁隔开，在壁上设有窗口以使投影光束从一个真空腔传到下一个真空腔。图2显示了包含有等离子源LA的源腔10、包含有聚光镜且还可能包含可确定投影光束的形状和聚散度的其它镜子的照明光学腔20、包含有掩模MA的腔30、包含有投影***PL的部件的投影光学腔40，以及包含有衬底W的腔50。在各个腔中可保持不同的真空度。照明光学腔和投影光学腔要求有较高的真空度，以保持投影光束的光路通过这些EUV光束可透过的腔。而且，应防止污染颗粒进入这些腔中并到达光学部件处。这些颗粒会显著地降低镜子的反射率和质量，从而损害投影装置的性能。一种污染来源于EUV辐射源，其对于放电等离子源来说通过电极和腔壁的腐蚀而产生碎屑，或者对于激光致等离子源来说通过从等离子和壁的腐蚀中逸出的离子或颗粒而产生碎屑。另一种污染来源于衬底上的抗蚀层，此抗蚀层在EUV投影光束的照射下会产生有机物蒸气和其它碎屑。
根据本发明，暴露在污染颗粒流中的光学部件通过在容纳有所述部件的腔和污染源之间设置特定的EUV可透过的结构作为界面而得到保护。在图3中示意性地显示了此结构的一个实施例。此结构包括例如由硅制成的薄膜60，其对EUV辐射来说具有足够的穿透性，并且可阻挡污染颗粒流。此薄膜将第一腔70和第二腔80隔开。腔70是在其中产生污染颗粒或来自于其它腔的这种颗粒可流过的腔。腔80中容纳了未示出的应当得到保护的光学部件。为了防止薄膜受到强烈的污染颗粒流的损害和/或防止此薄膜的透射性能因污染颗粒的沉积而显著地降低，可使气流朝向污染源流动。图3中的弯曲的虚线箭头68表示了此气流。气体沿与污染颗粒的流动方向相反的方向流动，带动这些颗粒远离薄膜和腔80。此气体应当是EUV辐射可透过的，最好为惰性气体如氦、氩或氙。气流通过引导件62并穿过腔70的壁上的开口而流入此腔。气体由气体容器66提供。在气体引导件62中可设有气流控制器4，以便更好地控制流入腔70中的气流。
图4表示EUV可透过的界面结构的第二个和优选的实施例。在此实施例中，EUV可透过的气体通过设在壁上的至少两个、最好多个的相对的开口而注入腔中，开口如箭头84和85所示地设在薄膜下侧的一个圆上。开口的数量越多，气流分散得越好，从而可更好地保证去除污染颗粒。
同样如图4所示，气流的形状最好适应于EUV光束的局部形状。为此，气流由中空的锥形件82所限制，此锥形件具有EUV光束刚好能通过的尺寸和形状。此光束可以是沿向下方向传播的会聚光束，或者是沿向上方向传播的发散光束。采用锥形件的优点在于，可以用相对较少量的惰性气体来有效地清洗薄膜与污染源之间的空间。因此，不仅可节省气体，还可更容易地从装置中去除气体。
图5显示了EUV可透过的界面结构在照明***中的应用。LA是EUV激光等离子源或放电等离子源，采用其向下的辐射来形成EUV照明光束。锥形件82的尺寸和形状使其可捕获足量的经过薄膜90进入到设有第一聚光镜(未示出)的腔20中的EUV辐射。在薄膜的上侧，沿箭头84和85所示的多个直径上相反的方向注入EUV可透过的气体，使得气流经锥形件82而流向等离子源LA。该气流充分地防止了来自等离子源的污染颗粒到达薄膜，从而防止污染颗粒到达带有照明光学部件的腔。
图6显示了此界面结构在物镜***的成像侧端部与衬底之间的应用。在此图中，标号94表示其中设有投影***的部件(镜子)的腔，或多个腔中的最后一个腔。在腔94的下侧设有EUV可透过的衬底。如箭头84和85所示，沿多个直径上相反的方向在薄膜的下侧处注入EUV可透过的气体。此气体冲刷薄膜与衬底W顶部的抗蚀层RL之间的空间，并能充分地防止可在EUV辐射的照射下由抗蚀层产生的污染颗粒例如碳氢化合物或原子团到达薄膜。在薄膜与抗蚀层之间设有正好可使EUV的会聚投影光束通过而到达抗蚀层的锥形件82。
EUV可透过的界面结构不仅可用于将辐射源或带有抗蚀层的衬底和设有光学部件的相邻腔机械式地隔开，而且可用于将照明***或投影***中其它具有不同真空度的腔隔开。
除了薄膜之外，界面结构的EUV可透过的构件还可以是通道结构，其由通过壁而隔开的相邻狭窄通道组成。这种通道结构可用作辐射源腔与包含有聚光镜和照明光学部件的相邻腔之间的气体屏障。如前面所述，辐射源部件中的目标介质应具有相当高的压力，同时相邻腔应具有较高的真空度。辐射源腔和照明装置通道中的不同真空度可通过通道结构来保持。通道结构将真空腔的壁上的开口分成多个狭窄的相邻通道。因此，开口的流导显著地降低，或者，开口对气流的阻碍显著地增大。
图7显示了通道结构、也被称为箔片隔离器100的一个实施例。它由多个被壁103分隔开的相邻狭窄通道102组成，壁103基本上平行于辐射源LA所发出的辐射的传播方向。此传播方向基本上平行于辐射源和照明装置的***的光轴，此光轴由图7中的OA标出。通道结构可允许辐射源所发出的EUV辐射通过，并同时用作辐射源腔和下一个腔之间的气流阻隔或屏障。此结构可将下一个腔保持在比辐射源腔高很多的真空度或更低的压力水平。通道结构的通道形状和长度应被选择成可提供对EUV的高穿透性和足够大的气流阻隔。
图8中的截面图显示了通道结构如何设在辐射源腔10和包含有聚光镜的腔20之间的壁105上。
图7和图8显示了EUV辐射从中发出的区域LA沿光轴方向伸长，即它具有沿光轴方向的有限长度。为了进一步增大对可发出辐射的整个伸长区域来说的通过通道结构的EUV辐射的透射，在与光轴正交的方向即图7中的径向方向RD上的通道宽度wr应选择成远远大于在光轴周围即图7中的切向方向TD上的通道宽度wt。如果通道在径向方向RD上具有较小的宽度，那么只有来自于一小部分伸长区域的辐射可通过通道而传播，而来自此区域的余下部分的辐射将入射到通道壁上。因此只有一小部分来自EUV辐射源的辐射能量将通过通道结构100。图8以点划线表示了两条光线107，其从伸长区域LA的两个相对端部中发出且不平行，此光线进入一条通道。如果此通道在径向方向RD上的宽度太小，那么这两条光线将不会同时通过通道。
围绕光轴OA的通道结构100中心处的通道将或多或少地“看见”点辐射源，因此这些通道不需要在径向方向RD上具有较大的宽度。如图9所示，这些通道可具有蜂窝状的结构115。对于某些辐射源的结构而言，可在整个通道结构上采用蜂窝结构。
根据本发明，在辐射源腔10的壁109上设有多个直径上的开口111，EUV可透过的气体如惰性气体可通过此开口而注入，如箭头113所示。此气体沿与污染颗粒相反的方向流动，并使这些颗粒远离通道结构100。因此，这些颗粒不会损害或降低此结构的EUV的穿透性。
本发明对器件如集成电路的制造方法具有一定的效果，这是因为它能保证通过采用实施了本发明的光刻投影装置的方法所生产出的器件在长时间内具有稳定的质量。将掩模图案成像在抗蚀层上、即在衬底上形成带图案的涂层是这种制造器件的方法的一个步骤。在抗蚀层上成像掩模图案之前可对衬底进行各种加工步骤，例如涂底层、涂抗蚀涂层和进行软焙烧。在曝光后可对衬底进行其它的加工步骤，例如对抗蚀层进行显影和对所成像的特征进行测量/检查。该组加工步骤是对器件的单层或层面进行图案蚀刻的基础。可对这种形成了图案的层进行各种加工步骤，例如蚀刻、离子注入(掺杂)金属化、氧化、化学-机械抛光等，所有这些步骤均用于完成一个层或层面。如果需要有不同的器件层面，必须对各器件的层面重复整个工艺或其变型。最后，在衬底上设置器件阵列。随后这些器件通过例如切片或切割技术而相互分开，这些单个的器件可安装在与引脚相连的载体等上。关于IC制造和各种加工步骤的更多信息例如可从下述书籍中得到：“微芯片的制造：半导体加工实用指南”，第三版，Peter van Zant著，McGraw Hill出版公司，1997年，ISBN 0-07-067250-4。
通过采用本发明，可以保证作为此方法的第一步骤之一的成像步骤能产生精确可靠的图像，其具有在长时期内保持稳定的质量，因此，最终从这些图像中制成的器件也具有优良且稳定的质量。
虽然在上文中通过具体地参考IC制造来对本发明进行了介绍，但应清楚地理解，本发明还具有许多其它的应用。例如，它可被用于集成和平面的光学***、液晶显示面板、薄膜磁头等的制造中，这已经通过采用更通用的用语：“掩模”、“衬底”和“目标区域”来分别代替在特定的IC制造技术中较常用的用语：“分划线”、“晶片”、“管心”而进行了表达。

Claims (15)

1.一种用于使第一封闭腔和第二封闭腔光连接同时防止介质和/或颗粒的污染流从一个腔流到另一个腔中的远紫外线(EUV)可透过的界面结构，其特征在于，设置了EUV可透过的构件和气体引导件，用于将EUV可透过的气流注入到所述构件的朝向所述污染流的表面的附近，并使所述EUV可透过的气体沿与所述污染流相反的方向流动。
2.根据权利要求1所述的EUV可透过的界面结构，其特征在于，所述EUV可透过的气体为惰性气体。
3.根据权利要求1或2所述的EUV可透过的界面结构，其特征在于，所述气体引导件构建成可沿至少两个直径上相反的方向注入所述EUV可透过的气流。
4.根据权利要求3所述的EUV可透过的界面结构，其特征在于，所述界面结构包括锥形的中空管，所述管的最窄开口朝向所述污染流。
5.根据权利要求1，2，3或4所述的EUV可透过的界面结构，其特征在于，所述构件为薄膜。
6.根据权利要求5所述的EUV可透过的界面结构，其特征在于，所述薄膜由硅制成。
7.根据权利要求1，2，3或4所述的EUV可透过的界面结构，其特征在于，所述构件为包括有由壁隔开的相邻狭窄通道所组成的通道结构，所述壁基本上平行于由所述通道结构传播的EUV辐射的传播方向。
8.根据权利要求7所述的EUV可透过的界面结构，其特征在于，所述通道的宽度根据所述EUV辐射光束的发散或收敛的形状而沿所述传播方向增大或减小。
9.根据权利要求7或8所述的EUV可透过的界面结构，其特征在于，所述通道结构包括蜂窝结构。
10.根据权利要求7，8或9所述的EUV可透过的界面结构，其特征在于，所述通道在正交于所述传播方向的径向上的截面尺寸大于所述通道在围绕所述传播方向的切向方向上的截面尺寸。
11.一种EUV照明装置，其包括设在第一腔内的EUV辐射源和用于接收来自所述第一腔的EUV辐射并将所述辐射转换成EUV辐射光束的光学***，所述光学***至少设在第二腔内，其特征在于，在所述第一腔和第二腔之间设有根据权利要求1到10中任一项所述的EUV可透过的界面结构，并且所述EUV可透过的气流朝向所述辐射源流动。
12.一种EUV光刻投影装置，其包括可提供EUV光束以照亮掩模的照明装置、用于固定所述掩模的掩模固定器、用于固定衬底的衬底固定器，以及设在所述掩模固定器和衬底固定器之间以通过所述EUV光束在所述衬底上成像掩模图案的投影***，其特征在于，所述投影***包括至少一个根据权利要求1到6中任一项所述的EUV可透过的界面结构。
13.根据权利要求12所述的EUV光刻投影装置，其特征在于，所述衬底设在衬底腔中，在所述投影***的最后一个腔和所述衬底腔之间设有所述EUV可透过的界面结构，所述EUV可透过的气流朝向所述衬底流动。
14.根据权利要求12或13所述的EUV光刻投影装置，其特征在于，所述照明装置是根据权利要求11所述的装置。
15.一种制造在至少一层衬底上具有器件特征的器件的方法，所述方法包括至少一组下述的连续步骤：
-在所述衬底上形成带图案的涂层，所述图案与待形成的所述层上的所述器件特征相一致，和
-在所形成的所述器件层的区域中去除材料或增加材料，所述区域由所述带图案的涂层的图案表示出，其特征在于，所述带图案的涂层通过根据权利要求12，13或14所述的EUV光刻投影装置制出。
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