CN1455028A - 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 - Google Patents
气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1455028A CN1455028A CN 02159135 CN02159135A CN1455028A CN 1455028 A CN1455028 A CN 1455028A CN 02159135 CN02159135 CN 02159135 CN 02159135 A CN02159135 A CN 02159135A CN 1455028 A CN1455028 A CN 1455028A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- production method
- gas
- zone
- shouldering
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 02159135 CN1254565C (zh) | 2002-12-30 | 2002-12-30 | 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 02159135 CN1254565C (zh) | 2002-12-30 | 2002-12-30 | 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1455028A true CN1455028A (zh) | 2003-11-12 |
CN1254565C CN1254565C (zh) | 2006-05-03 |
Family
ID=29257538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 02159135 Expired - Lifetime CN1254565C (zh) | 2002-12-30 | 2002-12-30 | 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1254565C (zh) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1325701C (zh) * | 2006-04-26 | 2007-07-11 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法 |
CN1325702C (zh) * | 2006-04-26 | 2007-07-11 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法 |
CN1333114C (zh) * | 2006-04-21 | 2007-08-22 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 |
CN100339513C (zh) * | 2006-04-19 | 2007-09-26 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 区熔硅单晶炉电气控制*** |
CN100351435C (zh) * | 2005-09-29 | 2007-11-28 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的制备方法 |
WO2010040283A1 (zh) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 高纯多晶硅棒作为供料棒在单晶硅区熔炼法中的应用以及制备方法 |
CN101979719A (zh) * | 2010-11-03 | 2011-02-23 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种气相重掺磷区熔硅单晶的生产方法 |
CN103160912A (zh) * | 2011-12-08 | 2013-06-19 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种掺杂区熔单晶的制备工艺 |
CN103422156A (zh) * | 2012-05-24 | 2013-12-04 | 刘剑 | 一种多晶料在区熔单晶硅中的一次成晶工艺制备方法 |
CN103866375A (zh) * | 2012-12-10 | 2014-06-18 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种掺杂区熔硅单晶的制备方法 |
CN109778313A (zh) * | 2017-11-13 | 2019-05-21 | 胜高股份有限公司 | 硅单晶的制造装置以及制造方法 |
CN115491753A (zh) * | 2021-06-17 | 2022-12-20 | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 | 一种根据炉压控制掺镓单晶电阻率的拉制工艺 |
-
2002
- 2002-12-30 CN CN 02159135 patent/CN1254565C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100351435C (zh) * | 2005-09-29 | 2007-11-28 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的制备方法 |
CN100339513C (zh) * | 2006-04-19 | 2007-09-26 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 区熔硅单晶炉电气控制*** |
CN1333114C (zh) * | 2006-04-21 | 2007-08-22 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 |
CN1325701C (zh) * | 2006-04-26 | 2007-07-11 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法 |
CN1325702C (zh) * | 2006-04-26 | 2007-07-11 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法 |
WO2010040283A1 (zh) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 高纯多晶硅棒作为供料棒在单晶硅区熔炼法中的应用以及制备方法 |
CN101979719A (zh) * | 2010-11-03 | 2011-02-23 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种气相重掺磷区熔硅单晶的生产方法 |
CN101979719B (zh) * | 2010-11-03 | 2011-07-13 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种气相重掺磷区熔硅单晶的生产方法 |
CN103160912A (zh) * | 2011-12-08 | 2013-06-19 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种掺杂区熔单晶的制备工艺 |
CN103160912B (zh) * | 2011-12-08 | 2015-11-11 | 有研半导体材料有限公司 | 一种掺杂区熔单晶的制备工艺 |
CN103422156A (zh) * | 2012-05-24 | 2013-12-04 | 刘剑 | 一种多晶料在区熔单晶硅中的一次成晶工艺制备方法 |
CN103866375A (zh) * | 2012-12-10 | 2014-06-18 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种掺杂区熔硅单晶的制备方法 |
CN103866375B (zh) * | 2012-12-10 | 2016-02-24 | 有研半导体材料有限公司 | 一种掺杂区熔硅单晶的制备方法 |
CN109778313A (zh) * | 2017-11-13 | 2019-05-21 | 胜高股份有限公司 | 硅单晶的制造装置以及制造方法 |
CN109778313B (zh) * | 2017-11-13 | 2021-04-02 | 胜高股份有限公司 | 硅单晶的制造装置以及制造方法 |
CN115491753A (zh) * | 2021-06-17 | 2022-12-20 | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 | 一种根据炉压控制掺镓单晶电阻率的拉制工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1254565C (zh) | 2006-05-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1095505C (zh) | 生产硅单晶的直拉区熔法 | |
CN1254565C (zh) | 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 | |
CN1325702C (zh) | 区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法 | |
JP5909276B2 (ja) | 最初のチャージだけをドーピングすることによる、均一にドーピングされたシリコンインゴットの成長 | |
CN101974779B (zh) | 一种制备<110>区熔硅单晶的方法 | |
CN102304757A (zh) | 用直拉区熔法制备6英寸p型太阳能硅单晶的方法 | |
CN102260900B (zh) | 提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置及其处理工艺 | |
CN1317429C (zh) | 制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法 | |
CN101979719B (zh) | 一种气相重掺磷区熔硅单晶的生产方法 | |
CN105063744A (zh) | 硅单晶拉制方法 | |
JP2003277197A (ja) | CdTe単結晶およびCdTe多結晶並びにその製造方法 | |
EP1746186B1 (en) | A method for producing a silicon single crystal | |
CN103215640A (zh) | 一种顶部籽晶泡生法生长大尺寸氟化物晶体的方法 | |
CN1260402C (zh) | 气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法 | |
CN107268071A (zh) | 一种太阳能电池板用单晶硅制备工艺 | |
CN102061514B (zh) | 一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法 | |
EP2955252A1 (en) | Method for preparing solar grade silicon single crystal using czochralski zone melting method | |
CN102534749A (zh) | 用直拉区熔法制备6英寸n型太阳能硅单晶的方法 | |
CN115198350A (zh) | 一种可降低硅晶体氧含量的热场***及工艺方法 | |
CN103866376A (zh) | 一种拉制直径80mm高电阻率区熔单晶硅的工艺方法 | |
CN114703541A (zh) | 一种连续直拉单晶硅的制备方法及其产品 | |
CN100338267C (zh) | 降低磷化镓单晶尾部位错的方法 | |
JP2003246695A (ja) | 高濃度にドーピングされたシリコン単結晶の製造方法 | |
CN1176254C (zh) | 垂直气相提拉生长硒化镉单晶体的方法与设备 | |
CN114318508B (zh) | 一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20181102 Address after: 300384 Tianjin Binhai New Area high tech Zone Huayuan Industrial Area (outside the ring) Hai Tai Road 12 Patentee after: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 300161 No. 152, Zhang Gui Zhuang Road, Hedong District, Tianjin Patentee before: TIANJIN HUANOU SEMICONDUCTOR MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191209 Address after: 214200 Dongfen Avenue, Yixing Economic and Technological Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province Co-patentee after: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. Patentee after: Zhonghuan leading semiconductor materials Co.,Ltd. Address before: 300384 in Tianjin Binhai high tech Zone Huayuan Industrial Zone (outer ring) Haitai Road No. 12 Patentee before: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
TR01 | Transfer of patent right | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20060503 |
|
CX01 | Expiry of patent term |