CN1426894A - 显示装置、电子仪器和显示装置的制造方法 - Google Patents

显示装置、电子仪器和显示装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1426894A
CN1426894A CN02156092A CN02156092A CN1426894A CN 1426894 A CN1426894 A CN 1426894A CN 02156092 A CN02156092 A CN 02156092A CN 02156092 A CN02156092 A CN 02156092A CN 1426894 A CN1426894 A CN 1426894A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
bank
display unit
bank layer
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN02156092A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1242883C (zh
Inventor
关俊一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Element Capital Commercial Co
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1426894A publication Critical patent/CN1426894A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1242883C publication Critical patent/CN1242883C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115Polyfluorene; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151Copolymers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示装置,第一、第二触排层(112a、112b)延伸到电极(111)的周边部上,并且第一触排层(112a)比第二触排层(112b)更向电极(111)的中央一侧延伸,在第一触排层上形成有第一层叠部(112e),在触排部(112)上设置有开口部(112g),功能层(110)由空穴注入/输送层(110a)和发光层(110b)构成,空穴注入/输送层(110a)由形成在电极(111)上的平坦部(110a1)、形成在第一触排层的第一层叠部(112e)上的周边部(110a2)构成。该显示装置的电极和阴极不短路,并且在一个发光层中发光量的偏移少。

Description

显示装置、电子仪器和显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置以及电子仪器和显示装置的制造方法。
背景技术
近年来,将有机荧光材料等发光材料墨水化,根据向基体材料上喷出该墨水(组成物)的喷墨法,采用进行发光材料的图案形成的方法,进行了在阳极和阴极之间夹持了由该发光材料构成的发光层的结构的彩色显示装置、特别是使用了有机发光材料作为发光材料的有机EL(场致发光)显示装置的开发。
在此,参照附图说明以往的显示装置(有机EL显示装置)。
图27是表示以往的显示装置的主要部分的剖视模式图。
图27所示的显示装置的结构为:在衬底802上依次层叠元件部811、阴极812。另外,在元件部811和衬底802之间设置有电路元件部814。
在该以往的显示装置中,从设置在元件部811内的发光元件910向衬底802一侧发出的光透过电路元件部814和衬底802,射出到衬底802的下侧(观察者一侧),并且从发光元件910向衬底802的相反一侧发出的光由阴极812反射,透过电路元件部814和衬底802,射出到衬底802的下侧(观察者一侧)。
电路元件部814在衬底802上依次层叠了透明的底层膜814、透明的栅绝缘膜942、透明的第一层间绝缘膜944和第二层间绝缘膜947,在底层膜814上设置有岛状的硅膜941,还在栅绝缘膜942上设置有栅电极943(扫描线)。在硅膜941上设置有图中未显示的沟道区域和夹着该沟道区域的漏区域和源区域,栅电极943设置在与硅膜941的沟道区域对应的位置上。另外,在第二层间绝缘膜947上层叠了形成俯视为近似矩形的象素电极911(阳极)。而且,形成有贯通第一、第二层间绝缘膜844、847的接触孔945、946,一方的接触孔945连接硅膜941的图中未显示的源区域和象素电极911,另一方的接触孔146连接了电源线948。这样,在电路元件部814上形成有连接在各象素电极911上的驱动用的薄膜晶体管913。
元件部811是以分别层叠在多个象素电极911…上的发光元件910、设置在各象素电极911和各发光元件910之间并且划分各发光元件910的触排部912为主体来构成的。
触排部912通过一直形成至象素电极911的周边部上来设置与象素电极911的形成位置对应的开口部912c。触排部912例如由氟化树脂等防液性树脂或通过CF4等离子体处理等使表面氟化的树脂形成,赋予了防液性,当从喷墨头作为墨滴使包含有机EL材料的组成物墨水(组成物)喷出时,由于触排部912的防液性,液滴在开口部912c上形成有图案。
发光元件910由形成在象素电极911上的空穴注入/输送层910a、与空穴注入/输送层910a相邻配置的发光层910b构成。
空穴注入/输送层910a是通过向象素电极911上喷出包含空穴注入/输送层的形成材料的组成物并干燥后得到的。
空穴注入/输送层910a形成在开口部912c内的电极面111a上。该空穴注入/输送层910a是通过向象素电极911上喷出包含空穴注入/输送层的形成材料的组成物并干燥后得到的。因为象素电极911缺乏亲液性,所以喷出后的组成物和象素电极911的接触角大,因此使该组成物干燥后得到的空穴注入/输送层910a如图27所示的那样,厚度在周边一侧薄,在中央厚。
另外,阴极812形成在元件部811的整个面上,与象素电极911成对,实现向发光元件910注入电子的功能。该阴极912由多层形成,例如一般使用氟化锂、钙、Mg、Ag、Ba等功函数低的金属。
例如,在电路元件部814上形成图案化的触排部912后,通过向触排部912的开口部912c喷出包含空穴注入/输送层的形成材料的组成物,并干燥后,形成空穴注入/输送层910a,再通过喷出包含发光层形成材料的组成物,并干燥后,在空穴注入/输送层910a上形成发光层910b,最后通过在触排部912和发光层910b上层叠阴极812,就制造了所述的显示装置。
但是,在以往的显示装置中,因为空穴注入/输送层910a和发光层910b的周边一侧形成得薄,所以在该部分,象素电极911和阴极812接近,有时象素电极911和阴极812有可能短路。
另外,因为空穴注入/输送层910a的空穴输送效率与空穴注入/输送层910a的厚度成反比,所以注入发光层910b的空穴,在靠近空穴注入/输送层910a中央一侧的部分少,在靠近周边一侧的部分多。因为发光层910b的发光量与所注入的空穴数量成比例,所以存在着在一个发光层中产生了发光量大的部分和发光量小的部分这一问题。
发明内容
鉴于以上所述问题的存在,本发明的目的在于:提供一种象素电极和阴极不短路,并且在一个发光层中发光量偏移少、亮度高的显示装置及其制造方法。
为了实现所述目的,本发明采用了以下所述的结构。
本发明的显示装置,在形成在衬底上的多个象素电极上分别形成有功能层,在各所述功能层之间具有触排部;其特征在于:所述触排部由位于所述衬底一侧的第一触排层和形成在所述第一触排层之上的第二触排层形成,所述第一触排层配置为与所述象素电极的一部分重叠;所述功能层由空穴注入/输送层、与该空穴注入/输送层相邻形成的发光层构成;所述空穴注入/输送层具有形成在所述电极上的平坦部和在所述第一触排层之上即接连所述第二触排层形成的周边部。
须指出的是,在本发明中,所谓功能层是指至少包含空穴注入/输送层和发光层的层。
另外,在本发明中,发光元件是指至少包含形成在衬底上的电极、与该电极相邻而形成的功能层和与该功能层相邻形成的对置电极。
根据相关显示装置,所述空穴注入/输送层的周边部形成在所述第一触排层之上,该周边部通过第一触排层与电极绝缘,所以从周边部不会对发光层输送空穴。据此,来自电极的电流只流向平坦部,能使空穴从平坦部向发光层输送,能使发光层的中央部分均匀地发光。
另外,因为第一触排部配置为与电极的一部分重叠,所以通过该第一触排层能使平坦部的形状整齐,能抑制各发光层间的发光强度的偏移。
另外,因为周边部紧贴第二触排层,所以发光层不会直接接触第二触排层。因此,能通过周边部防止作为杂质而包含在第二触排层中的水移动到发光层一侧,从而能防止水导致的发光层的氧化。
另外,本发明的显示装置是上述的显示装置,其特征在于:所述周边部是沿着远离所述电极的中央的方向厚度增大的形状。
根据相关的显示装置,因为在第一触排层上形成有厚度不均匀的周边部,所以不会从周边部向发光层输送空穴。据此,来自电极的电流只流向厚度均匀的平坦部,能从平坦部向发光层均匀地输送空穴,能使发光层的发光量一定。
另外,本发明的显示装置是上述的显示装置,其特征在于:所述象素电极的表面和所述第一触排层的一部分具有亲液性,所述第二触排层的上表面和所述壁面具有防液性。
根据相关的显示装置,因为电极的表面和第一触排层的一部分具有亲液性,所以在电极上以及第一触排层上以给定的厚度形成有功能层,因为厚度不会变得极端薄,所以能防止电极和对置电极的短路。
另外,因为第二触排层的上表面和所述壁面具有防液性,所以功能层不会从触排部溢出形成。
另外,在本发明的显示装置中,希望由SiO2、TiO2中的任意一个形成第一触排层,希望由丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的任意一种形成第二触排层。
因为构成第一触排层的SiO2、TiO2缺乏与氟的亲和性,所以即使在对第二触排层进行防液处理时,第一触排层也不会被防液化,保持了亲液性。
另外,因为构成第二触排层的丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂与氟的亲和性较好,所以通过对防液性进行处理,就能容易地在表面中导入氟基,能容易地防液化。
本发明的显示装置的制造方法是在形成在衬底上的多个电极上分别形成有功能层,并且在各所述功能层之间设置有触排部的显示装置的制造方法,其特征在于:包含:在所述电极的一部分上形成第一触排层的步骤;在所述第一触排层上形成第二触排层的步骤;为了至少使所述第一触排层的壁面和所述电极的表面具有亲液性而进行加工的亲液化步骤;为了使所述第二触排层的上表面和壁面具有防液性而进行加工的防液化步骤;向各所述电极上喷出用于形成空穴注入/输送层的第一组成物的第一液滴喷出步骤;使喷出的第一组成物干燥,在所述电极上形成空穴注入/输送层的空穴注入/输送层的形成步骤;向所述空穴注入/输送层上喷出用于形成发光层的第二组成物的第二液滴喷出步骤;使喷出的第二组成物干燥,在所述空穴注入/输送层上形成发光层的发光层形成步骤;在所述发光层上形成对置电极的对置电极形成步骤。
根据相关显示装置的制造方法,触排部为第一触排层和第二触排层的层叠结构,通过使电极以及第一触排层具有亲液性的同时,使第二触排层具有防液性,能在触排部上同时形成亲液性的区域和防液性的区域。
而且,在防液性的第二触排层的上表面上,因为第一、第二组成物被排拒,所以即使各组成物被误喷到第二触排层的上表面上,各组成物在上表面被排拒,滑入电极上。据此,喷出的第一、第二组成物一定能填充到电极上,能可靠地在电极上形成功能层。
在本发明的显示装置中,希望由SiO2、TiO2中的任意一个形成第一触排层,希望由丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的任意一种形成第二触排层。
因为构成第一触排层的SiO2、TiO2缺乏与氟的亲和性,所以即使在对第二触排层进行防液处理时,第一触排层也不会被防液化,保持了亲液性。
另外,因为构成第二触排层的丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂与氟的亲和性较好,所以通过对防液性进行处理,就能容易地在表面中导入氟基,能容易地防液化。
另外,在本发明的显示装置的制造方法中,向所述电极上和所述第一触排层之上喷出所述第一组成物,最好在所述第一触排层之上即接连所述第二触排层形成所述周边部。
另外,在本发明的显示装置的制造方法中,所述周边部最好形成沿着远离所述电极的中央的方向厚度增大的形状。
根据相关的制造方法,因为所述空穴注入/输送层的周边部形成在所述第一触排层之上,所以周边部通过第一触排层与电极绝缘,据此,不会从周边部对发光层输送空穴,来自电极的电流只流向平坦部,能使空穴从平坦部向发光层输送,能制造能使发光层的中央部分均匀发光的显示装置。
本发明的显示装置的制造方法是在形成在衬底上的多个电极上分别形成有功能层,并且在各所述功能层之间设置有触排部的显示装置的制造方法,其特征在于:包含:形成第一触排层,使其与所述电极的一部分重叠的步骤;在所述第一触排层上形成第二触排层的步骤;向各所述电极上喷出用于形成空穴注入/输送层的第一组成物的第一液滴喷出步骤;使喷出的所述第一组成物干燥,在所述电极上形成空穴注入/输送层的空穴注入/输送层的形成步骤;向所述空穴注入/输送层上喷出用于形成发光层的第二组成物的第二液滴喷出步骤;使喷出的所述第二组成物干燥,在所述空穴注入/输送层上形成发光层的发光层形成步骤;在所述发光层上形成对置电极的对置电极形成步骤。
根据相关显示装置的制造方法,触排部为第一触排层和第二触排层的层叠结构,通过使电极以及第一触排层具有亲液性的同时,使第二触排层具有防液性,能在触排部上同时形成亲液性的区域和防液性的区域。
而且,在防液性的第二触排层的上表面上,因为第一、第二组成物被排拒,所以即使各组成物被误喷到第二触排层的上表面上,各组成物在上表面被排拒,滑入电极上。据此,喷出的第一、第二组成物一定能填充到电极上,能可靠地在电极上形成功能层。
在本发明的显示装置中,希望由SiO2、TiO2中的任意一个形成第一触排层,希望由丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的任意一种形成第二触排层。
因为构成第一触排层的SiO2、TiO2缺乏与氟的亲和性,所以即使在对第二触排层进行防液处理时,第一触排层也不会被防液化,保持了亲液性。
另外,因为构成第二触排层的丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂与氟的亲和性较好,所以通过对防液性进行处理,就能容易地在表面中导入氟基,能容易地防液化。
另外,在本发明的显示装置中,向所述电极上和所述第一触排层之上喷出所述第一组成物,最好在所述第一触排层之上即接连所述第二触排层形成所述周边部。
另外,在本发明的显示装置中,所述周边部最好形成沿着远离所述电极的中央的方向厚度增大的形状。
根据相关的制造方法,因为所述空穴注入/输送层的周边部形成在所述第一触排层之上,所以周边部通过第一触排层与电极绝缘,据此,不会从周边部对发光层输送空穴,来自电极的电流只流向平坦部,能使空穴从平坦部向发光层输送,能制造能使发光层的中央部分均匀发光的显示装置。
本发明的电子仪器是具有显示装置和用于驱动所述显示装置的驱动电路的电子仪器,其特征在于:所述显示装置在形成在衬底上的多个电极上分别形成有功能层,并且在各所述功能层之间设置有触排部;所述触排部由位于所述衬底一侧的第一触排层和形成在所述第一触排层上的第二触排层形成,所述第一触排层配置为与所述电极的一部分重叠;所述功能层由形成在所述电极之上的空穴注入/输送层和形成在该空穴注入/输送层之上的发光层构成;所述空穴注入/输送层具有形成在所述电极上的平坦部和在所述第一触排层之上即接连所述第二触排层形成的周边部。
根据相关的电子仪器,能构成具有高亮度即显示质量优异的显示部的电子仪器。
如上所述,根据本发明的显示装置,所述空穴注入/输送层由形成在电极上的平坦部和形成在第一触排层的一部分上的周边部构成,因为周边部为通过第一触排层与电极绝缘的状态,所以不会从周边部向发光层输送空穴。据此,来自电极的电流只流向平坦部,能把空穴从平坦部向发光层输送,能使发光层的中央部分均匀地发光。
另外,因为第一触排层比第二触排层更向电极的中央一侧延伸,所以能通过该第一触排层使平坦部的形状整齐,能抑制各发光层间的发光强度的偏移。
另外,根据本发明的显示装置的制造方法,触排部为第一触排层和第二触排层的层叠结构,通过依次对该触排部照射等离子体状态的氧和碳氟化合物气体,使电极和第一触排层的表面具有亲液性的同时,使第二触排层的表面具有防液性,据此,能在触排部上同时形成亲液性的区域和防液性的区域。
而且,在防液性的第二触排层的上表面上,因为第一、第二组成物被排拒,不附着,所以即使各组成物被误喷到第二触排层的上表面上时,第一、第二组成物组成物在上表面被排拒,滑入电极上。据此,喷出的第一、第二组成物一定能填充到电极上,能可靠地在电极上形成功能层。
附图说明
下面简要说明附图。
图1是本发明的实施例1的显示装置的布线结构的俯视模式图。
图2A和图2B是表示本发明的实施例1的显示装置的图,图2A是显示装置的俯视模式图,图2B是沿着图2A的沿AB线的剖视模式图。
图3是表示本发明的实施例1的显示装置的主要部分的图。
图4是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图5是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图6是表示本发明的实施例1的显示装置的制造中使用的等离子体处理装置的一个例子的俯视模式图。
图7是表示图6所示的等离子体处理装置的第一等离子体处理室的内部结构的模式图。
图8是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图9是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图10是表示本发明的实施例1的显示装置的制造中使用的等离子体处理装置的其他例子的俯视模式图。
图11是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图12是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图13是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图14是表示制造本发明的实施例1的显示装置时使用的头的俯视图。
图15是表示制造本发明的实施例1的显示装置时使用的喷墨装置的俯视图。
图16是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图17是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图18是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图19是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图20是说明本发明的实施例1的显示装置的制造方法的步骤图。
图21是表示本发明的实施例2的显示装置的剖视图,是与图2B对应的图。
图22是表示本发明的实施例2的显示装置的主要部分的图,是与图3对应的图。
图23A~图23C是表示本发明的实施例3的电子仪器的立体图。
图24是表示本发明的其他例子的显示装置的剖视模式图。
图25是表示本发明的其他例子的显示装置的剖视模式图。
图26A~图26C是表示发光层的配置的俯视模式图,图26A是表示带状配置的图,图26B是表示镶嵌配置的图,图26C是表示三角配置的图。
图27是表示以往的显示装置的主要部分的剖视图。
具体实施方式
下面,参照附图说明本发明的实施例。并且,在图1~图23中,在图中为了使各层和各构件的大小可以识别,对各层和各构件用与实际不同的比例进行了表示。
[实施例1]
下面,参照附图说明本发明的实施例1。
图1表示本实施例的显示装置的布线结构的俯视模式图,图2表示本实施例的显示装置的俯视模式图和剖视模式图。
如图1所示,本实施例的显示装置1具有分别设置有多条扫描线101、在对于扫描线101交叉的方向延伸的多条信号线102、并列延伸的多条电源线103的结构,并且在各扫描线101和信号线102的各交点附近设置有象素区域A。
在信号线102上,连接了具有移位寄存器、电平移动器、视频线和模拟开关的数据一侧驱动电路104。另外,在扫描线101上连接了具有移位寄存器和电平移动器扫描线一侧驱动电路105。
而且,在象素区域A上分别设置有:通过扫描线101把扫描信号提供给栅电极的开关用薄膜晶体管112、保持通过该开关薄膜晶体管112从信号线102提供的象素信号的保持电容cap;该由保持电容cap保持的象素信号提供给栅电极的驱动用薄膜晶体管123;当通过该驱动用薄膜晶体管123电连接了电源线103时,驱动电流从该电源线103流入的象素电极111(电极);夹在该象素电极111和阴极12(对置电极)之间的功能层110。由象素电极111、对置电极12和功能层110构成了发光元件。
根据该结构,如果扫描线被驱动,开关用薄膜晶体管112变为导通,则此时的信号线102的电位保持在保持电容cap中,在该保持电容cap中,按照状态决定驱动用薄膜晶体管123的导通、断开状态。然后,通过驱动用薄膜晶体管123,电流从电源线103流向象素电极111,再通过功能层110流向阴极12。功能层110按照流过它的电流量发光。
接着,如图2A和图2B所示,本实施例的显示装置1包含:由玻璃等构成的透明衬底2、具有配置为矩阵状的发光元件并且形成在衬底2上的发光元件部11、形成在发光元件部11上的阴极12。通过发光元件部11和阴极12构成了显示元件10。
衬底2是例如玻璃等的透明衬底,并且划分为位置衬底2的中央的显示区域2a和位于衬底2的周边并且包围了显示区域2a的非显示区域2b。
显示区域2a是由配置为矩阵状的发光元件形成的区域,在显示区域的外侧形成有非显示区域2b。而且,在非显示区域2b上形成有与显示区域2a相邻的假显示区域2d。
另外,如图2B所示,在发光元件部11和衬底2之间设置有电路元件部14,在该电路元件部14上设置有所述的扫描线、信号线、保持电容、开关用薄膜晶体管、驱动用薄膜晶体管123等。
另外,电极12中,其一端从发光元件部11上连接了形成在衬底2上的阴极用布线12a,它的布线的一端部12b连接了软性衬底5上的布线5a。另外,布线5a连接了设置在软性衬底5上的驱动IC6(驱动电路)。
另外,如图2A和图2B所示,在电路元件部14的非显示区域2b上配置了所述的电源线103(103R、103G、103B)。
在显示区域2a的图2A中的两侧,配置了所述扫描一侧驱动电路105、105。该扫描一侧驱动电路105、105设置在假区域2d的下侧的电路元件部14内。在电路元件部14内,设置有连接在驱动电路105、105上的驱动电路用控制信号布线105a和驱动电路用电源布线。
还在显示区域2a的图2A中的上侧配置了检查电路106。通过该检查电路106,能进行制造途中和出厂时的显示装置的质量、缺陷的检查。
另外,如图2B所示,在发光元件部11上设置有密封部3。该密封部3由涂敷在衬底2上的密封树脂603和密封盖604构成。密封树脂603由热硬化树脂或紫外线硬化树脂等构成,特别是最好由热硬化树脂的一种即环氧树脂构成。
该密封树脂603在衬底2的周围涂敷为环状,例如是由微分配器等涂敷的。该密封树脂603接合衬底2和密封盖604,防止从密封树脂603和密封盖604之间水或氧向密封盖604的内部侵入,防止阴极12或发光元件部11内形成的图中未显示的发光层的氧化。
密封盖604由玻璃或金属构成,通过密封树脂603接合了衬底2,在其内侧设置有容纳显示元件10的凹部604a。另外,在凹部604a上粘贴了吸收水、氧等的吸气剂605,它能吸收侵入密封盖604的内部的水或氧。须指出的是,也可以省略该吸气剂605。
接着,在图3中表示了放大显示装置的显示区域的剖面结构的图。在图3中显示了三个象素区域A。该显示装置1的结构为:在衬底2上依次层叠形成有TFT等电路的电路元件部14、形成有功能层110的发光元件部11和阴极12。
在该显示装置1中,从功能层110向衬底2一侧发出的光透过电路元件部14和衬底2,射出到衬底2的下侧(观测者一侧),并且从功能层110向衬底2的相反一侧发出的光由阴极12反射,透过电路元件部14和衬底2,射出到衬底2的下侧(观测者一侧)。
须指出的是,能通过使用透明的材料作为阴极12,使发出的光从阴极一侧射出。能使用ITO、Pt、Ir、Ni、或Pd作为透明的材料。希望膜厚为75nm左右,更希望比该膜厚更薄。
在电路元件部14中,在衬底2形成有由氧化硅膜构成的底层保护膜2c,在该底层保护膜32c之上形成有由多晶硅构成的岛状的半导体膜141。须指出的是,在半导体膜141上,通过打入高浓度P离子形成有源区域141a和漏区域141b。须指出的是,未导入P的部分成为沟道区域141c。
在电路元件部14上,形成有覆盖底层保护膜2c和半导体膜141的透明的栅绝缘膜142,在栅绝缘膜142上形成有由Al、Mo、Ta、Ti、W等构成的栅电极143(扫描线101),栅电极143和栅绝缘膜142上形成有透明的第一层间绝缘膜144a和第二层间绝缘膜144b。栅电极143设置在与半导体膜141的沟道区域141c对应的位置。另外,贯通第一、第二层间绝缘膜144a、144b,形成有分别连接了半导体膜141的源、漏区域141a、141b的接触孔145、146。
然后,在第二层间绝缘膜144b上,把由ITO等构成的透明的象素电极111形成给定的形状,而接触孔145连接在该象素电极111上。
另外,另一个接触孔146连接了电源线103。
这样,在电路元件部14上形成有连接各象素电极111的驱动用薄膜晶体管123。
并且,在电路元件部14上也形成有所述保持电容cap和开关用薄膜晶体管142,但是在图3中省略了它们的图示。
接着,如图3所示,发光元件部11是以分别层叠在多个象素电极111…上的功能层110、设置在各象素电极111和功能层110之间并且划分各功能层110的触排部112为主体构成的。在功能层110上配置了阴极12。由这些象素电极111、功能层110和阴极12构成了发光元件。在此,象素电极111例如由ITO形成,形成有俯视图中的矩形。该象素电极111的厚度希望为50~200nm,特别是150nm左右。在该各象素电极111…之间具有触排部112。
触排部112如图3所示,由位于衬底2一侧的无机物触排层112a(第一触排层)和位于远离衬底2的位置的有机物触排层112b(第二触排层)层叠构成。
无机物触排层、有机物触排层112a、112b形成在象素电极111的周边部上。在平面上,成为象素电极111的周围和无机物触排层112a平面重叠配置的结构。另外,有机物触排层112b也同样,配置为与象素电极111的一部分在平面上重叠。另外,无机物触排层112a形成在比有机物触排层112b更靠象素电极111的中央一侧。这样,通过在象素电极111的内侧形成无机物触排层112a的第一层叠部112e,设置有与象素电极111的形成位置对应的下部开口部112c。
另外,在有机物触排层112b上形成有上部开口部112d。该上部开口部112d设置为与象素电极111的形成位置以及下部开口部112c对应。如图3所示,上部开口部112d比下部开口部112c宽,比象素电极111窄。另外,有时上部开口部112d的上部的位置与象素电极111的端部几乎为相同位置。此时,如图3所示,有机物触排层112b的上部开口部112d的剖面变为倾斜的形状。
而且,在有机物触排层112b上,通过连通下部开口部112c和上部开口部112d,形成有贯通无机物触排层112a和有机物触排层112b的开口部112g。
另外,无机物触排层112a例如希望由SiO、SiO2、TiO2等无机材料构成。该无机物触排层112a的膜厚希望为例如50~200nm,特别是150nm。当膜厚不足50nm时,无机物触排层112a变得比后述的空穴注入/输送层薄,因为无法确保空穴注入/输送层的平坦性,所以不好。如果膜厚超过200nm,则基于下部开口部112c的阶梯变大,因为无法确保在空穴注入/输送层上层叠的后述的发光层的平坦性,所以不好。
有机物触排层112b由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等耐热性、耐溶剂性优异的抗蚀剂构成。该有机物触排层112b的厚度希望为0.1~3.5μm,特别是2μm左右。如果厚度不足0.1μm,则有机物触排层112b比后述的空穴注入/输送层和发光层的合计厚度薄,发光层有可能从上部开口部112d溢出,所以不好。另外,如果厚度超过3.5μm,则基于上部开口部112d的阶梯变大,因为无法确保在有机物触排层112b上形成的阴极的台阶敷层,所以不好。另外,如果有机物触排层112b的厚度在2μm以上,能提高与驱动用薄膜晶体管123的绝缘,所以更好。
另外,在触排部112上形成有表现亲液性的区域和表现防液性的区域。
表现亲液性的区域是无机物触排层112a的第一层叠部112e和象素电极111的电极面111a,这些区域通过以氧为处理气体的等离子体处理,被表面处理为亲液性。另外,表现防液性的区域是上部开口部112d的壁面和有机物触排层112的上表面112f,这些区域通过四氟甲烷为处理气体的等离子体处理,表面被氟化处理(处理为防液性)。
接着如图3所示,功能层110由层叠在象素电极111上的空穴注入/输送层110a、与空穴注入/输送层110a上相邻形成的发光层110b构成。须指出的是,也可以与发光层110b相邻再形成具有其他功能的其他功能层。例如,能形成电子输送层。
空穴注入/输送层110a不但具有把空穴注入发光层110b中的功能,而且具有在空穴注入/输送层110a内部输送空穴的功能。通过在象素电极111和发光层110b之间设置这样的空穴注入/输送层110a,能提高发光层110b的发光效率、寿命等元件特性。另外,在发光层110b中,从空穴注入/输送层110a注入的空穴和从阴极12注入的电子在发光层中再结合,进行了发光。
空穴注入/输送层110a由位于下部开口部112c内并且形成象素电极面111a上的平坦部110a1、位于上部开口部112d内并且形成在无机物触排层的第一层叠部112e上的周边部110a2构成。另外,空穴注入/输送层110a根据结构,只在各象素电极111上,并且在无机物触排层110a(下部开口部110c)之间形成(也有只在所述的平坦部上形成的形态)。
该平坦部110a1的厚度一定,例如形成在50~70nm的范围内。
当形成有周边部110a2时,周边部110a2位于无机物触排层的第一层叠部112e上,并且紧贴上部开口部112d的壁面即有机物触排层112b。另外,周边部110a2的厚度在靠近电极面111a一侧薄,沿着远离电极面111a的方向增大,在下部开口部112d的壁面附近变得最厚。
作为周边部110a2形成所述形状的理由在于:空穴注入/输送层110a是把包含空穴注入/输送层形成材料和极性溶剂的第一组成物向开口部112内喷出后,除去极性溶剂而形成的,极性溶剂的挥发主要在无机物触排层的第一层叠部112e上发生,空穴注入/输送层形成材料在该第一层叠部112e上集中地浓缩、析出。
另外,发光层110b在空穴注入/输送层110a的平坦部110a1和周边部110a2上形成,在平坦部110a1上的厚度例如为50~80nm的范围。
发光层110b具有发出红色(R)光的红色发光层110b1、发出绿色(G)光的绿色发光层110b2、发出蓝色(B)光的蓝色发光层110b3等三种,并且各发光层110b1~110b3配置为带状。
如上所述,因为空穴注入/输送层110a的周边部110a2接连上部开口部112d的壁面(有机物触排层112b),所以发光层110b不直接接触有机物触排层112b。因此,能通过周边部110a2阻止在有机物触排层112b中作为杂质而包含的水移到发光层110b一侧,能防止水引起的发光层110b的氧化。
另外,因为在无机物触排层的第一层叠部112e上形成有厚度不均匀的周边部110a2,所以周边部110a2通过第一层叠部112e变为从象素电极111绝缘的状态,空穴不会从周边部110a2注入发光层110b中。据此,来自发光层110b的电流只流到平坦部112a1,能从平坦部112a1把空穴均匀地输送到发光层110b,不但能只使发光层110b的中央部分发光,而且能使发光层110b的发光量一定。
另外,因为无机物触排层112a比有机物触排层112b更向象素电极111的中央一侧延伸,所以能通过该无机物触排层112a使象素电极111和平坦部110a1的接合部分的形状整齐,能抑制各发光层110b间的发光强度的偏移。
因为象素电极111的电极面111a和无机物触排层的第一层叠部112e表现了亲液性,所以功能层110与象素电极111以及无机物触排层112a均匀地紧贴,能使无机物触排层112a上,功能层110不会变得极端薄,能防止象素电极111和阴极12的短路。
另外,因为有机物触排层112b的上表面112f和上部开口部112d的壁面表现了防液性,所以功能层110和有机物触排层112b的紧贴性变低,功能层110不会从开口部112g溢出形成。
须指出的是,作为空穴注入/输送层形成材料,例如能使用聚乙烯二氧噻吩等聚噻吩衍生物和聚苯乙烯磺酸等的混合物。
另外,作为发光层110b的材料,能使用例如由以下结构式表示的化合物1~化合物5所代表的(聚)对苯撑乙烯撑衍生物、聚苯撑衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯咔唑、聚噻吩衍生物、二萘嵌苯类色素、香豆素类色素、若丹明类色素,或在这些高分子材料中掺杂红荧烯、二萘嵌苯、9、10-联苯蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖酮等。
Figure A0215609200201
化合物1
Figure A0215609200202
化合物2化合物3
Figure A0215609200211
化合物4
                         化合物5
接着,阴极12形成在发光元件部11的整个面上,与象素电极111成对,起到使电流流向功能层110的作用。该阴极12例如由钙层和铝层层叠构成。此时,靠近发光层一侧的阴极希望设置为功函数低的,特别是在本形态中,直接与发光层110b相连,完成把电子注入发光层110b的功能。另外,通过发光层的材料能使氟化锂高效地发光,所以有时也在发光层110和阴极12之间形成LiF。
须指出的是,在红色和绿色发光层110b1、110b2中并不局限于氟化锂,也可以使用其它材料。因此,只有蓝色(B)发光层110b3中,形成由氟化锂构成的层,在其他的红色和绿色发光层110b1、110b2上,可以层叠氟化锂以外的材料。另外,在红色和绿色发光层110b1、110b2上可以不形成氟化锂,而只形成钙。
须指出的是,氟化锂的厚度希望为2~5nm的范围,特别是2nm左右。另外,钙的厚度例如希望为2~50nm的范围,特别是20nm左右。
另外,形成阴极12的铝使从发光层110b发出的光在衬底2一侧反射,除了铝膜,最好由Ag膜、Al和Ag的层叠膜构成。另外,其厚度希望在100~1000nm的范围,特别是200nm左右。
也可以再在铝上设置由SiO、SiO2、SiN构成的防止氧化用的保护膜。
须指出的是,在这样形成的发光元件上配置密封盖604。如图2B所示,通过密封树脂603接合密封盖604,形成显示装置1。
下面参照附图说明本实施例的显示装置的制造方法。
本实施例的显示装置1的制造方法例如具有:(1)触排部的形成步骤;(2)等离子体处理步骤;(3)空穴注入/输送层的形成步骤(包含第一液滴的喷出步骤);(4)发光层的形成步骤(包含第二液滴的喷出步骤);(5)对置电极的形成步骤;(6)密封步骤。须指出的是,制造方法并不局限于此,按照需要有时会去掉或追加步骤。
(1)触排部的形成步骤
触排部的形成步骤是在衬底2的给定位置形成触排部112的步骤。触排部112的结构为:形成有无机物触排层112a作为第一触排层,并且形成有有机物触排层112b作为第二触排层。下面就形成方法加以说明。
(1)-1无机物触排层的形成
首先,如图4所示,在衬底上的给定位置形成无机物触排层112a。形成有无机物触排层112a的位置是在第二层间绝缘膜144b上和电极(在此是象素电极)111上。须指出的是,第二层间绝缘膜144b形成在配置了薄膜晶体管、扫描线、信号线等的电路元件部14上。
无机物触排层112a能使用例如SiO2、TiO2等的无机物膜作为材料。例如通过CVD法、镀膜法、溅射法、蒸镀法等形成有这些材料。
无机物触排层112a的膜厚度希望为50~200nm的范围,特别是150nm左右。
无机物触排层112是在层间绝缘膜144和象素电极111的整个面上形成无机物膜,然后,通过由光刻法等对该无机物膜刻膜,形成有具有开口部的无机物触排层112。开口部与象素电极111的电极面111a的形成位置对应,如图4所示,设置为下部开口部112c。
此时,与象素电极111的周边部(一部分)重叠形成有无机物触排层112a。如图4所示,通过使象素电极111的周边部和无机物触排层112a重叠,形成无机物触排层112a,能控制发光层110的发光区域。
(1)-2有机物触排层112b的形成
接着,形成作为第二触排层的有机物触排层112b。
如图5所示,在无机物触排层112a上形成有机物触排层112b。作为有机物触排层112b,使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺等具有耐热性、耐溶剂性的材料。使用这些材料,通过光刻技术等形成有有机物触排层112b。须指出的是,在形成图案时,在有机物触排层112b上形成上部开口部112d。上部开口部112d设置在与电极面111a和下部开口部112c对应的位置。
如图5所示,上部开口部112d最好比形成在无机物触排层112a上的下部开口部112c宽。有机物触排层112b最好是具有锥度的形状,在有机物触排层112b的最低面中,比象素电极111的宽度窄,并且在有机物触排层112b的最上面,形成与象素电极111的宽度几乎相同的宽度。据此,包围无机物触排层112a的下部开口部112c的第一层叠部112e比有机物触排层112b更向象素电极111的中央一侧延伸。
这样,通过使形成在有机物触排层112b上的上部开口部112d和形成在无机物触排层112a上的下部开口部112c连通,就形成有贯通无机物触排层112a和有机物触排层112b的开口部112g。
须指出的是,有机物触排层112b的厚度希望为0.1~3.5μm,特别是2μm左右。取这样的范围的理由如下所述。
如果厚度不足0.1μm,则有机物触排层112b比后述的空穴注入/输送层和发光层的合计厚度薄,发光层110b有可能从上部开口部112d溢出,所以不好。另外,如果厚度超过3.5μm,则基于上部开口部112d的阶梯变大,因为无法确保上部开口部112d的阴极12上的台阶敷层,所以不好。另外,如果有机物触排层112b的厚度在2μm以上,能提高阴极12与驱动用薄膜晶体管123的绝缘,所以更好。
(2)等离子体的处理步骤
接着,在等离子体的处理步骤中,以使象素电极111的表面活性化、再对触排部112的表面进行表面处理为目的。特别是在活性化步骤中,是以象素电极111(ITO)上的洗净、功函数的调整为主要目的而进行的。还进行象素电极111的表面的亲液化处理、触排部112表面的防液化处理。
该等离子体处理步骤大致分为:例如(2)-1预备加热步骤;(2)-2活性化处理步骤(亲液化步骤)、(2)-3拨性化处理步骤;(2)-4冷却步骤。须指出的是,并不局限于这样的步骤,按照需要也可以削减、追加步骤。
首先,图6表示了等离子体处理步骤中使用的等离子体处理装置。
图6所示的等离子体处理装置50由预备加热处理室51、第一等离子体处理室52、第二等离子体处理室53、冷却处理室54、向这些处理室51-54输送衬底2的输送装置55构成。各处理室51-54以输送装置55配置为放射状。
首先,说明使用了这些装置的简要步骤。
预备加热步骤在图6所示的预备加热处理室51中进行。而且,通过该处理室51,把从触排部的形成步骤输送来的衬底2加热到给定温度。
在预备加热步骤后,进行亲液化步骤和防液化处理步骤。即把基体依次输送到第一、第二等离子体处理室52、53,在各处理室52、53中,对触排部112进行等离子体处理,使其亲液化。在该亲液化处理后,进行防液化处理。在防液化处理后,把基体输送到冷却处理室,在冷却处理室54中把基体冷却到室温。该冷却步骤后,通过输送装置把衬底输送到接着的步骤即空穴注入/输送层的形成步骤。
下面,详细说各步骤。
(2)-1预备加热步骤
预备加热步骤由预备加热处理室51进行。在该处理室51中,把包含触排部112的衬底2加热到给定的温度。
衬底2的加热方法采用了例如在处理室51内,在安放衬底2的台上安装加热器,用该加热器加热该台和衬底2的方法。须指出的是,也能采用此外的方法。
在预备加热处理室51中,例如在70C~80℃的范围内加热衬底2。该温度是接着的步骤即等离子体处理的处理温度,配合接着的步骤,事先加热衬底2,目的在于消除衬底2的温度偏移。
假设不附加预备加热步骤,把衬底2从室温加热到所述的温度,从步骤开始到步骤结束的等离子体处理步骤中,温度一边总是变动,一边进行了处理。因此,温度一边变动一边进行等离子体处理有可能与特性的不均匀有关。因此,为了把处理条件保持一定,取得均匀的特性,进行了预备加热。
因此,在等离子体处理步骤中,当在把衬底2安放在第一、第二等离子体处理装置52、53内的试样台上的状态下进行亲液化步骤或防液化步骤时,最好使预备加热温度与连续进行亲液化步骤或防液化步骤的试样台56的温度几乎一致。
因此,通过对衬底2预备加热,使第一、第二等离子体处理装置52、53内的试样台上升的温度到达例如70~80℃,即使在连续对多个衬底进行等离子体处理时,也能使处理开始之后和处理结束之前的等离子体处理的条件几乎一定。据此,使衬底2的表面处理条件相同,能使对于触排部112的组成物的浸湿性均匀,能制造具有一定的质量的显示装置。
另外,通过预先加热衬底2,能缩短之后的等离子体处理的处理时间。
(2)-2活性化处理
接着,在第一等离子体处理室52中,进行了活性化处理。在活性化处理中,包含了象素电极111的功函数的调整、控制、象素电极表面的洗净、象素电极表面的亲液化处理。
作为亲液化处理,在大气气体介质中,进行以氧为处理气体的等离子体处理(O2等离子体处理)。图7是模式地表示第一等离子体处理的图。如图7所示,把包含触排部112的衬底2放置在内置了加热器的试样台56上,在衬底2的上侧,间隔0.5~2mm左右的距离,与衬底2相对配置了等离子体放电电极57。一边由试样台56加热衬底2,一边以给定的输送速度把试样台56向图示的箭头方向输送,其间对衬底2照射了等离子体状态的氧。
O2等离子体处理例如在等离子体功率100~800kW,氧气流量50~100ml/min,板输送速度0.5~10mm/sec,基体温度70~90℃的条件下进行。须指出的是,基于试样台56的加热主要是为了预备加热的衬底2的保温而进行的。
通过该O2等离子体处理,如图8所示,对象素电极111的电极面111a、无机物触排层112a的第一层叠部112e以及有机物触排层112b的上部开口部112d的壁面和上表面112f进行了亲液处理。通过该亲液处理,在这些面中导入了羟基,取得了亲液性。
在图9中用单点划线表示了亲液处理的部分。
须指出的是,该O2等离子体处理不仅赋予亲液性,而且也能完成上述的象素电极即ITO上的洗净、功函数的调整。
(2)-3防液处理步骤
接着,在第二等离子体处理室53中,作为防液化步骤,在大气气体介质中,进行以四氟甲烷为处理气体的等离子体处理(CF4等离子体处理)。第二等离子体处理室53的内部结构与图7所示的第一等离子体处理室52的内部结构相同。即一边由试样台加热衬底2,一边以给定的输送速度输送试样台,其间对衬底2照射了等离子体状态的四氟甲烷(四氟化碳)。
CF4等离子体处理例如在等离子体功率100~800kW,四氟甲烷流量50~100ml/min,板输送速度0.5~10mm/sec,基体温度70~90℃的条件下进行。须指出的是,基于加热台的加热与第一等离子体处理室52的情形同样,主要是为了预备加热的衬底2的保温而进行的。
须指出的是,处理气体并不局限于四氟甲烷(四氟化碳),能使用其它氟化碳类的气体。
通过该CF4等离子体处理,如图9所示,对上部开口部112d的壁面和有机物触排层的上表面112f进行了防液处理。通过该防液处理,在这些面中导入了氟基,取得了防液性。在图9中,用双点划线表示了表示防液性的区域。通过照射等离子体状态的碳氟化合物,能容易地使构成有机物触排层112b的丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等有机物具有防液性。另外,具有通过O2等离子体进行了前处理的具有容易氟化的特征,在本实施例中特别有效。
须指出的是,象素电极111的电极面111a和无机物触排层112a的第一层叠部112e受到一些CF4等离子体处理的影响,但是对浸湿性影响不大。在图9中用单点划线表示了表现亲液性的区域。
(2)-4冷却步骤
接着,作为冷却步骤,使用冷却处理室54,把为了等离子体处理而加热的衬底2冷却到管理温度。这是用于冷却到之后的步骤即喷墨步骤(液滴的喷出步骤)的管理温度而进行的步骤。
该冷却处理室54的结构为:具有用于配置衬底2的板,该板中内置了使衬底2冷却的水冷装置。
另外,通过把等离子体处理后的衬底2冷却到室温或给定温度(例如进行喷墨步骤的管理温度),在接着的空穴注入/输送层的形成步骤中,衬底2的温度变为一定,能以衬底2的温度没有变化的均匀温度进行接着的步骤。因此,通过附加这样的冷却步骤,能均匀地形成由液滴喷出法等喷出方法喷出的材料。
例如,当使包含用于形成空穴注入/输送层的材料的第一组成物喷出时,能以一定的容积连续喷出第一组成物,能均匀地形成空穴注入/输送层。
在所述等离子体处理步骤中,通过对于材料不同的有机物触排层112b和无机物触排层112a,依次进行O2等离子体处理和CF4等离子体处理,能容易地在触排部112上设置亲液性的区域和防液性的区域。
须指出的是,等离子体处理步骤中使用的等离子体处理装置并不局限于图6所示的装置,也可以使用例如图10所示的等离子体处理装置60。
图10所示的等离子体处理装置60由预备加热处理室61、第一等离子体处理室62、第二等离子体处理室63、冷却处理室64、向这些处理室61-64输送衬底2的输送装置65构成,各处理室61-64配置在输送装置65的输送方向的两侧(图中箭头方向的两侧)。
在该等离子体处理装置60中,与图6所示的等离子体处理装置50同样,把从触排部的形成步骤输送来的衬底2依次输送到预备加热处理室61、第一、第二等离子体处理室62、63和冷却处理室64,在各处理室中进行与所述同样的处理后,把衬底2输送到接着的空穴注入/输送层的形成步骤。
另外,所述等离子体装置也可以不是大气压下的装置,而使用真空下的等离子体装置。
(3)空穴注入/输送层的形成步骤
接着,在空穴注入/输送层的形成步骤中,在电极(在此是象素电极111)上形成空穴注入/输送层。
在空穴注入/输送层的形成步骤中,作为液滴的喷出,例如通过使用喷墨装置向电极面111a上喷出包含空穴注入/输送层形成材料的第一组成物(组成物)。然后进行干燥处理和热处理,在象素电极111上和无机物触排层112a上形成空穴注入/输送层110a。须指出的是,在此把形成有空穴注入/输送层110a的无机物触排层112a称作第一层叠部112e。
包含该空穴注入/输送层的形成步骤,在以下的步骤中最好为无水和氧的气体介质。例如最好在氮气体介质、氩气体介质等惰性气体介质中进行。
须指出的是,有时不在第一层叠部112e上形成空穴注入/输送层110a。即有只在象素电极111上形成有空穴注入/输送层的形态。
基于喷墨的制造方法如下所述。
如图11所示,从形成在喷墨头H1上的多个喷嘴喷出包含空穴注入/输送层形成材料的第一组成物。在此,通过使喷墨头扫描,在各象素中填充了组成物,但是通过使衬底2扫描也能填充组成物。通过使喷墨头和衬底2相对地移动,也能填充组成物。须指出的是,此后的使用喷墨头进行的步骤与所述点是同样的。
基于喷墨头的喷出如下所述。即把形成在喷墨头H1上的多个喷嘴H2与电极面111a相对配置,从喷嘴H2喷出第一组成物。在象素电极111的周围形成有划分下部开口部112c的触排112,使喷墨头H1与位于该下部开口部112c内的象素电极面111a相对,一边使该喷墨头H1和衬底2相对移动,一边从喷嘴H2向电极面111a上喷出控制了一滴的液量的第一组成物滴110c。
作为在此使用的第一组成物,能使用把聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)等聚噻吩衍生物和聚苯乙烯磺酸(PSS)等的混合物溶解在极性溶剂中的组成物。作为极性溶剂能使用例如异丙醇(IPA)、正丁醇、γ-丁内酯、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、1、3-二甲基-2-咪唑(DMI)及其衍生物、卡必醇醋酸盐、丁基卡必醇醋酸盐等的乙二醇醚类。
作为更具体的第一组成物的组成,例如PEDOT/PSS混合物(PEDOT/PSS=1∶20):12.52重量%、PSS:1.44重量%、IPA:10重量%、NMP:27.48重量%、DMI:50重量%。须指出的是,第一组成物的粘度希望为2~20Ps,特别是4~15cPs左右。
通过使用所述第一组成物,能在喷出喷嘴H2不产生堵塞,稳定地喷出。
须指出的是,空穴注入/输送层形成材料对于红(R)、绿(G)、蓝(B)的各发光层110b1~110b3可以使用相同的材料,也可以按各发光层改变。
如图11所示,喷出的第一组成物滴110c在进行了亲液处理的电极面111a和第一层叠部112e上扩展,填充到下部、上部开口部112c、112d内。假设第一组成物滴110c从给定位置偏移,被喷到上表面112f上,上表面112f也不会被第一组成物滴110c浸渍,被排拒的第一组成物滴110c滑入下部、上部开口部112c、112d内。
喷向电极面111a的第一组成物量由下部、上部开口部112c、112d的大小、要形成的空穴注入/输送层的厚度、第一组成物中的空穴注入/输送层的形成材料的浓度等决定。
另外,可以不只是一次,而分多次向同一电极面111a喷出第一组成物滴110c。此时,各次的第一组成物的量可以相同,可以每次改变第一组成物。也可以不向电极面111a的同一地方喷出,而在各次中向电极面111a的不同地方喷出。
关于喷墨头的结构,能使用图14那样的头H。关于衬底和喷墨头的配置,最好象图15那样配置。图14中,符号H7是支撑所述的喷墨头H1的支撑衬底,在该支撑衬底H7上设置有多个喷墨头H1。
在喷墨头H1的墨水喷出面(与衬底的对置面)上,沿着头的长度方向形成列状,并且在头的宽度方向隔开间隔,以两列设置有多个喷出喷嘴(例如,一列180个喷嘴,合计360个喷嘴)。另外,在使喷嘴向着衬底一侧,并且对于X轴(或Y轴)以给定角度倾斜的状态下,在沿着近X轴方向排为列状,并且在Y轴方向隔开给定间隔配置为两列的状态下,在俯视图中为近似矩形的支撑板20上定位、支撑了多个(图14中一列为6个,合计12个)该喷墨头H1。
另外,图15所示的喷墨装置中,符号1115是放置衬底2的台,符号1116是在图中的x轴方向(主扫描方向)引导台1115的导轨。另外,头H通过支撑构件1111,通过导轨1113,能在图中y轴方向(副扫描方向)移动,头H还能在图中的θ轴方向旋转,喷墨头H1对于主扫描方向能倾斜给定的角度。这样,通过对于扫描方向倾斜配置喷墨头,能使喷嘴间距与象素间距对应。另外,通过调整倾斜角度,能对对应于任意的象素间距。
图15所示的衬底2为在母板上配置了多片的结构。即一片的区域相当于一个显示装置。在此,形成有三个显示区域2a,但是并不局限于此。例如,当对于衬底2上的左侧的显示区域2a涂敷组成物时,通过导轨1113使头H向图中的左侧移动,并且通过导轨1116使衬底2向图中上侧移动,一边使衬底2扫描,一边进行涂敷。接着,使头121向图中的右侧移动,对于基体的中央的显示区域2a涂敷组成物。对于在右端的显示区域2a也与所述同样。
须指出的是,头H和图15所示的喷墨装置不仅在空穴注入/输送层的形成步骤中,还能用于发光层的形成步骤。
接着,进行图12所示的干燥步骤。通过进行干燥步骤,对喷出后的第一组成物进行干燥处理,使第一组成物中包含的极性溶剂蒸发,形成空穴注入/输送层110a。
如果进行干燥处理,则第一组成物滴110c中包含的极性溶剂的蒸发主要在靠近无机物触排层112a和有机物触排层112b的地方发生,伴随着极性溶剂的蒸发,空穴注入/输送层形成材料被浓缩、析出。
据此,如图13所示,在第一层叠部112e上形成有由空穴注入/输送层形成材料构成的周边部110a2。该周边部110a2紧贴在上部开口部112d的壁面(有机物触排层112b)上,其厚度在靠近电极面111a一侧薄,在远离电极面111a一侧即靠近有机物触排层112b一侧变厚。
另外,与此同时,通过干燥处理在电极面111a上也发生极性溶剂的蒸发,据此,在电极面111a上形成有由空穴注入/输送层形成材料构成的平坦部110a1。在电极面111a上极性溶剂的蒸发速度几乎均匀,所以空穴注入/输送层的形成材料在电极面111a上几乎均匀地浓缩,据此,形成有厚度均匀的平坦部110a。
这样,就形成有由周边部110a2和平坦部110a1构成的空穴注入/输送层110a。
须指出的是,也可以在周边部110a2上不形成,而只在电极面111a上形成空穴注入/输送层。
所述的干燥处理例如在氮气体介质中,在室温以例如133.3Pa(1Torr)左右的压力进行。如果压力过低,则第一组成物滴110c崩沸,所以不好。另外,如果使温度为室温以上,则极性溶剂的蒸发速度快,无法形成平坦的膜。
干燥处理后,通过在氮中,希望在真空中,在200℃进行加热10分钟左右的热处理,除掉残存在空穴注入/输送层110a内的极性溶剂和水。
在所述空穴注入/输送层的形成步骤中,一方面喷出的第一组成物滴110c充满了下部、上部开口部112c、112d内,而另一方面第一组成物被进行了防液处理的有机物触排层112b排拒,流入下部、上部开口部112c、112d内。据此,一定能把喷出的第一组成物滴110c填充到下部、上部开口部112c、112d内,能在电极面111a上形成空穴注入/输送层110a。
(4)发光层的形成步骤
接着,发光层的形成步骤由表面改质步骤、发光层的形成材料的喷出步骤(第二液滴的喷出步骤)以及干燥步骤构成。
首先,为了空穴注入/输送层110a的表面改质,进行表面改质步骤。下面,详细说明该步骤。与所述的空穴注入/输送层的形成步骤同样,通过喷墨法,向空穴注入/输送层110a上喷出第二组成物。然后对喷出的第二组成物进行干燥处理(以及热处理),在空穴注入/输送层110a上形成发光层110b。
在发光层的形成步骤中,为了防止空穴注入/输送层110a的再溶解,作为发光层的形成时使用的第二组成物的溶剂,使用对于空穴注入/输送层110a不溶的非极性溶剂。
但是,因为空穴注入/输送层110a对于非极性溶剂的亲和性低,所以即使向空穴注入/输送层110a上喷出包含非极性溶剂的第二组成物,也担心无法使空穴注入/输送层110a和发光层110b紧贴,或无法均匀地涂敷发光层110b。
因此,为了提高空穴注入/输送层110a对于非极性溶剂和发光层形成材料的表面亲和性,最好在形成发光层之前,进行表面改质步骤。
下面,说明表面改质步骤。
表面改质步骤是通过喷墨法(液滴喷出法)、旋转镀膜法或浸渍法,在空穴注入/输送层110a上涂敷与发光层的形成时使用的第二组成物的非极性溶剂为相同溶剂或与它类似的溶剂即表面改质材料后,进行干燥而进行的。
如图13所示,基于喷墨法的涂敷是在喷墨头H3中填充表面改质材料,从形成在喷墨头H3上的喷出喷嘴H4喷出表面改质材料。与所述的空穴注入/输送层的形成步骤同样,通过使喷出喷嘴H4与衬底2(即形成有空穴注入/输送层110a的衬底2)相对,一边使喷墨头H3与衬底2相对移动,一边从喷出喷嘴H4向空穴注入/输送层110a上喷出表面改质材料110d而进行。
另外,基于旋转镀膜法的涂敷是把衬底2放置在例如旋转台上,从上方向衬底2上滴下表面改质材料后,使衬底2旋转,使表面改质材料扩展到衬底2上的空穴注入/输送层110a的全体而进行的。须指出的是,虽然表面改质材料也暂时扩展到进行了防液处理的上表面112f上,但是由于旋转产生的离心力而飞出,只涂敷在空穴注入/输送层110a上。
作为在此使用的表面改质材料,作为与第二组成物的非极性溶剂相同的材料,例如有环己基苯、二氢苯并呋喃、三甲基苯、四甲基苯,作为与第二组成物的非极性溶剂类似的材料,例如有甲苯、二甲苯等。
特别是当通过喷墨法涂敷时,最好使用二氢苯并呋喃、三甲基苯、四甲基苯、环己基苯或它们的混合物,特别是使用与第二组成物相同的溶剂混合物,当基于旋转涂敷法或浸渍法时,最好使用甲苯、二甲苯等。
接着,如图16所示,使涂敷区域干燥。干燥步骤在用喷墨法涂敷时,是把衬底2放置在热板上,用例如200℃以下的温度加热,使其干燥蒸发。当为旋转涂敷法或浸渍法时,最好向衬底2喷射氮,或使衬底旋转,使衬底2的表面产生气流,进行干燥。
须指出的是,可以在空穴注入/输送层的形成步骤的干燥处理后进行表面改质材料的涂敷,在使涂敷后的表面改质材料干燥后,进行空穴注入/输送层的形成步骤的热处理。
通过进行这样的表面改质步骤,空穴注入/输送层110a的表面变得与非极性溶剂容易亲合,在此后的步骤中,能在空穴注入/输送层110a上均匀地涂敷包含发光层的形成材料的第二组成物。
须指出的是,可以在所述表面改质材料中溶解作为空穴输送性材料而一般使用的所述化合物2等,作为组成物,通过由喷墨法把该组成物涂敷到空穴注入/输送层上,使其干燥,在空穴注入/输送层上形成极薄的空穴输送层。
空穴注入/输送层的大部分溶入以后的步骤中图负的发光层110b中,但是一部分以薄膜状残存在空穴注入/输送层110a和发光层110b之间,据此,空穴注入/输送层110a和发光层110b之间的能垒降低,空穴的移动变得容易,能提高发光效率。
接着,在发光层形成步骤中,通过喷墨法(液滴喷出法),向空穴注入/输送层110a上喷出包含发光层的形成材料的第二组成物后,进行干燥处理,在空穴注入/输送层110a上形成发光层110b。
图17表示了基于喷墨的喷出方法。如图17所示,使喷墨头H5和衬底2相对移动,从形成在喷墨头上的喷出喷嘴H6喷出了包含各色(例如在此为蓝色(B))发光层的形成材料的第二组成物。
在喷出时,使喷出喷嘴与位于下部、上部开口部112c、112d内的空穴注入/输送层110a相对,一边使喷墨头H5与衬底2相对移动,一边喷出了第二组成物。从喷出喷嘴H6喷出的液量控制了每滴的液量。从喷出喷嘴喷出了控制了液量的液体(第二组成物滴110e),向空穴注入/输送层110a上喷出该第二组成物滴110e。
作为发光层的形成材料能使用化合物1~化合物5所示的聚芴类高分子衍生物、(聚)对苯撑乙烯撑衍生物、聚苯撑衍生物、聚乙烯咔唑、聚噻吩衍生物、二萘嵌苯类色素、香豆素类色素、若丹明类色素,或在所述高分子材料中掺杂有机EL材料。例如能通过掺杂红荧烯、二萘嵌苯、9、10-联苯蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖酮等后使用。
作为非极性溶剂,最好为对于空穴注入/输送层110a不溶的材料,例如能使用环己基苯、二氢苯并呋喃、三甲基苯、四甲基苯等。
通过在发光层110b的第二组成物中使用这样的非极性溶剂,能在空穴注入/输送层110a不再溶解的前提下涂敷第二组成物。
如图17所示,喷出的第二组成物110e在空穴注入/输送层110a上扩散,充满下部、上部开口部112c、112d内。而在被防液处理的上表面112f上,即使第二组成物滴110e从给定的喷出位置偏离,被喷出到上表面112f上,上表面112f也不会被第二组成物滴110e浸渍,第二组成物滴110e进入下部、上部开口部112c、112d内。
向空穴注入/输送层110a上喷出第二组成物的量由下部、上部开口部112c、112d的尺寸、要形成的发光层110b的厚度、第二组成物中的发光层的形成材料的浓度等决定。
另外,可以不只是一次,而分多次向同一空穴注入/输送层110a喷出第二组成物滴110e。此时,各次的第二组成物的量可以相同,可以每次改变第二组成物的液量。也可以不向空穴注入/输送层110a的同一地方喷出,而在各次中向空穴注入/输送层110a的不同地方喷出第二组成物。
接着,在结束了向给定位置喷出第二组成物后,通过对喷出后的第二组成物滴110e进行干燥处理,就形成有发光层110b3。即通过干燥,包含在第二组成物中的非极性溶剂蒸发,就形成有图18所示的蓝色(B)发光层110b3。须指出的是,在图18中,只表示了一个发出蓝光的发光层,但是从图1和其他图可知,本来发光元件形成有矩阵形状,形成有图中未显示的多个发光层(与蓝色对应)。
接着,如图19所示,使用与所述蓝色(B)发光层110b3时同样的步骤,形成红色(R)发光层110b1,最后形成绿色(G)发光层110b2。
须指出的是,发光层110b的形成步骤并不局限于所述的顺序,可以采用任意的顺序。例如,能按照发光层形成材料决定形成的顺序。
另外,发光层的第二组成物的干燥条件为:当蓝色110b3时,在氮气体介质中,在室温以例如133.3Pa(1Torr)左右的压力进行5~10分钟。如果压力过低,则第二组成物崩沸,所以不好。另外,如果温度为室温以上,则非极性溶剂的蒸发速度快,发光层的形成材料大量附着在上部开口部112d的壁面上,所以不好。
另外,绿色发光层110b2和红色发光层b1时,因为发光层的形成材料的成分数多,所以最好迅速使其干燥,例如在40℃,进行5~10分钟的氮气喷射。
作为其他的干燥方法,例如有远红外线照射法、高温氮气喷射法等。
这样在象素电极111上就形成有空穴注入/输送层110a和发光层110b。
(5)对置电极(阴极)的形成步骤
接着,在对置电极的形成步骤中,如图20所示,在发光层110b和有机物触排层112b的整个面上形成阴极12(对置电极)。须指出的是,阴极12可以层叠多种材料。例如在靠近发光层一侧,形成功函数小的材料,例如能使用Ca、Ba等,另外,根据材料,有时在下层形成薄的LiF等。另外,在上部一侧(密封一侧)能使用比下部一侧功函数高的材料,例如能使用Al。
希望通过例如蒸镀法、溅射法、CVD法等形成这些阴极12,特别是用蒸镀法形成时能防止热对发光层110b的损伤。
另外,可以只在发光层110b上形成氟化锂,能与给定的色对应形成。例如只在蓝色(B)发光层110b3上形成。此时,在其他的红色(R)发光层和绿色(G)发光层110b1、110b2上连接由钙构成的上部阴极层12b。
另外,最好在阴极12的上部,使用通过蒸镀法、溅射法、CVD法等形成的Al膜、Ag膜等。另外,该厚度希望在100~1000nm的范围,特别是200~500nm左右。
另外,在阴极12上也可以设置用于防止氧化的SiO2、SiN等的保护层。
(6)密封步骤
最后,密封步骤是通过密封树脂3a密封形成有发光元件的衬底2和密封衬底3b的步骤。例如,在衬底2的整个面上涂敷由热硬化树脂或紫外线硬化树脂构成的密封树脂3a,在密封树脂3a上层叠密封用衬底3b。通过该步骤,在衬底2上形成密封部3。
密封步骤最好在氮、氩、氦等惰性气体中进行。如果在大气中进行,当在阴极12上产生了针孔等缺陷时,水或氧有可能从该缺陷部分侵入阴极12,阴极12被氧化,所以不好。
通过在图5所示的衬底5的布线5a上连接阴极12,并且在驱动IC6上连接电路元件部14的布线,就得到了本实施例的显示装置1。
[实施例2]
下面,参照附图说明本发明的实施例2。须指出的是,在以下的说明中,对于与所述实施例1相同的部位采用了相同的符号,并省略了它的部分说明。
图21是表示实施例2的显示装置的剖视图。
如图21所示,本实施例的显示装置包含:衬底2’、具有配置为矩阵状的发光元件并且形成在衬底2’上的发光元件部11、形成在发光元件部11’上的阴极12’。由发光元件部11和阴极12’构成了显示元件10’。
本实施例的显示装置具有把密封部3’一侧作为显示面而构成的所谓顶发射型的结构,作为衬底2’,能使用透明衬底(或半透明衬底)和不透明衬底中的任意一种。作为透明或半透明衬底,例如有玻璃、石英、树脂(塑料、塑料薄膜)等,特别适合用廉价的钠玻璃。作为不透明衬底,除了对例如氧化铝等的陶瓷和不锈钢等金属薄板进行了表面氧化等绝缘处理的材料,还有热硬化性树脂、热可塑性树脂等。另外,衬底2’划分为:位于中央的显示区域2a、位于衬底2’的周边并且包围显示区域2a的非显示区域2b。
显示区域2a是由配置为矩阵状的发光元件形成的区域,非显示区域2b形成在显示区域的外侧。而且,在非显示区域2b上形成有与显示区域2a相邻的假显示区域2d。
另外,在发光元件部11和衬底2’之间设置有电路元件部14,在该电路元件部14上,与所述实施例1同样,设置有所述的扫描线、信号线、保持电容、开关用薄膜晶体管、驱动用薄膜晶体管123等。
另外,电极12’中,其一端从发光元件部11上连接了形成在衬底2’上的阴极用布线12a,它的布线的一端部连接了软性衬底(图中未显示)上的布线。另外,布线连接了设置在软性衬底上的图中未显示的驱动IC(驱动电路)。
另外,在电路元件部14的非显示区域2b上配置了所述实施例1中说明了的电源线103(103R、103G、103B)。
另外,在显示区域2a的两侧,配置了所述扫描一侧驱动电路105、105。该扫描一侧驱动电路105、105设置在假区域2d的下侧的电路元件部14内。在电路元件部14内,设置有连接在驱动电路105、105上的驱动电路用控制信号布线105a和驱动电路用电源布线105b。
另外,在发光元件部11上设置有密封部3’。该密封部3’由涂敷在衬底2’上的密封树脂603和密封盖604’构成。密封树脂603由热硬化树脂或紫外线硬化树脂等构成,特别是最好由热硬化树脂的一种即环氧树脂构成。
该密封树脂603在衬底2’的周围涂敷为环状,例如是由微分配器等涂敷的。该密封树脂603接合衬底2’和密封盖604’,防止从密封树脂603和密封盖604’之间水或氧向密封盖604’的内部侵入,防止阴极12’或发光元件部11内形成的图中未显示的发光层的氧化。
密封盖604’由玻璃或树脂等透光性材料构成,通过密封树脂603接合了衬底2’,在其内侧设置有容纳显示元件10’的凹部604a。须指出的是,按照需要,也可以设置吸收水、氧等的吸气剂。例如通过在凹部604a内的非显示区域2b上设置该吸气剂,能对显示不造成影响。
图22表示了放大了显示装置的显示区域的剖面结构的图。在图22中显示了三个象素区域A。该显示装置的结构为:在衬底2’上依次层叠形成有TFT等电路的电路元件部14、形成有功能层110的发光元件部11和阴极12。
在该显示装置中,从功能层110向密封部3’一侧发出的光射出到盖604’的上侧(观测者一侧),并且从功能层110向衬底2’发出的光由象素电极111’反射,射出到密封部3’一侧(观测者一侧)。因此,对阴极12’使用了例如ITO、Pt、Ir、Ni或Pd等透明的材料。希望膜厚为75nm左右,更希望比该膜厚更薄。另外,对于象素电极111’最好使用例如Al和Ag等高反射率的金属材料,据此,能使向衬底2’一侧发出的光高效地射出到密封部3’一侧。
发光元件部11由分别层叠在多个象素电极111’上的功能层110、设置在各象素电极111’和功能层110之间并且划分各功能层110的触排部112为主体构成的。阴极12配置在功能层110上。由象素电极111’、功能层110以及阴极12’构成了发光元件。在此,象素电极111’例如由ITO形成,形成有在俯视图中为矩形的图案。该象素电极111’的厚度希望为50~200nm的范围,特别是150nm左右。在该各象素电极111’…之间设置有触排部112。
触排部112由位于衬底2一侧的无机物触排层112a(第一触排层)和远离衬底2的有机物触排层112b(第二触排层)层叠构成。
形成有无机物、有机物触排层112a、112b,使其在象素电极111’的周边部上。在平面上,成为象素电极111’的周围和无机物触排层112a平面重叠配置的结构。另外,有机物触排层112b也同样,配置为与象素电极111’的一部分在平面上重叠。另外,无机物触排层112a形成在比有机物触排层112b更靠象素电极111’的中央一侧。这样,通过在象素电极111’的内侧形成无机物触排层112a的第一层叠部112e,设置有与象素电极111的形成位置对应的下部开口部112c。
另外,在有机物触排层112b上形成有上部开口部112d。该上部开口部112d设置为与象素电极111的形成位置以及下部开口部112c对应。如图22所示,上部开口部112d比下部开口部112c宽,比象素电极111’窄。另外,有时上部开口部112d的上部的位置与象素电极111’的端部几乎为相同位置。此时,如图22所示,有机物触排层112b的上部开口部112d的剖面变为倾斜的形状。
而且,在有机物触排层112b上,通过连通下部开口部112c和上部开口部112d,形成有贯通无机物触排层112a和有机物触排层112b的开口部112g。
另外,无机物触排层112a例如希望由SiO、SiO2、TiO2等无机材料构成。该无机物触排层112a的膜厚希望为例如50~200nm,特别是150nm。当膜厚不足50nm时,无机物触排层112a变得比后述的空穴注入/输送层薄,因为无法确保空穴注入/输送层的平坦性,所以不好。如果膜厚超过200nm,则基于下部开口部112c的阶梯变大,因为无法确保在空穴注入/输送层上层叠的后述的发光层的平坦性,所以不好。
有机物触排层112b由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等耐热性、耐溶剂性优异的抗蚀剂构成。该有机物触排层112b的厚度希望为0.1~3.5μm,特别是2μm左右。如果厚度不足0.1μm,则有机物触排层112b比后述的空穴注入/输送层和发光层的合计厚度薄,发光层有可能从上部开口部112d溢出,所以不好。另外,如果厚度超过3.5μm,则基于上部开口部112d的阶梯变大,因为无法确保在有机物触排层112b上形成的阴极的台阶敷层,所以不好。另外,如果有机物触排层112b的厚度在2μm以上,能提高与驱动用薄膜晶体管123的绝缘,所以更好。
另外,在触排部112上形成有表现亲液性的区域和表现防液性的区域。
表现亲液性的区域是无机物触排层112a的第一层叠部112e和象素电极111的电极面111a,这些区域通过以氧为处理气体的等离子体处理,被表面处理为亲液性。另外,表现防液性的区域是上部开口部112d的壁面和有机物触排层112的上表面112f,这些区域通过四氟甲烷为处理气体的等离子体处理,表面被氟化处理(处理为防液性)。
功能层110由层叠在象素电极111’上的空穴注入/输送层110a、与空穴注入/输送层110a上相邻形成的发光层110b构成。须指出的是,也可以与发光层110b相邻再形成具有其他功能的其他功能层。例如,能形成电子输送层。
空穴注入/输送层110a不但具有把空穴注入发光层110b中的功能,而且具有在空穴注入/输送层110a内部输送空穴的功能。通过在象素电极111’和发光层110b之间设置这样的空穴注入/输送层110a,能提高发光层110b的发光效率、寿命等元件特性。另外,在发光层110b中,从空穴注入/输送层110a注入的空穴和从阴极12’注入的电子在发光层中再结合,进行了发光。
空穴注入/输送层110a由位于下部开口部112c内并且形成象素电极面111a上的平坦部110a1、位于上部开口部112d内并且形成在无机物触排层的第一层叠部112e上的周边部110a2构成。另外,空穴注入/输送层110a根据结构,只在各象素电极111’上,并且在无机物触排层110a(下部开口部110c)之间形成(也有只在所述的平坦部上形成的形态)。
该平坦部110a1的厚度一定,例如形成在50~70nm的范围内。
当形成有周边部110a2时,周边部110a2位于无机物触排层的第一层叠部112e上,并且紧贴上部开口部112d的壁面即有机物触排层112b。另外,周边部110a2的厚度在靠近电极面111a一侧薄,沿着远离电极面111a的方向增大,在下部开口部112d的壁面附近变得最厚。
作为周边部110a2形成所述形状的理由在于:空穴注入/输送层110a是把包含空穴注入/输送层形成材料和极性溶剂的第一组成物向开口部112内喷出后,除去极性溶剂而形成的,极性溶剂的挥发主要在无机物触排层的第一层叠部112e上发生,空穴注入/输送层形成材料在该第一层叠部112e上集中地浓缩、析出。
另外,发光层110b在空穴注入/输送层110a的平坦部110a1和周边部110a2上形成,在平坦部110a1上的厚度例如为50~80nm的范围。
发光层110b具有发出红色(R)光的红色发光层110b1、发出绿色(G)光的绿色发光层110b2、发出蓝色(B)光的蓝色发光层110b3等三种,并且各发光层110b1~110b3配置为带状。
须指出的是,电路元件部14的结构与所述实施例1同样,所以省略了说明。
因此,在本实施例的显示装置中,与所述实施例1同样,也能在面内使发光层110b的发光量均匀。另外,在图21中,表示了在触排部112的下层一侧(即相邻的发光层之间的区域)配置了TFT123的结构,但是,如本实施例那样,当从密封部113’一侧取出来自发光层110b的光时,象素的开口率不被配置在象素电极111’的下层一侧的电路结构影响,所以电路元件部14的布线或TFT123与象素电极111’可配置为在俯视图中重叠。据此,不但最大限度扩展了象素电极111’,而且,通过使布线的宽度充分粗,能实现高亮度并且大的画面显示。
须指出的是,本实施例的显示装置的制造方法与实施例1的显示装置的制造方法大致相同,区别仅在于象素电极111’、阴极12’、密封盖604’的材料。因此,本实施例的显示装置除了所述不同点,能用与实施例1的制造方法同样的步骤制造。
[实施例3]
下面,说明具有实施例1或2的显示装置的具体例。
图23A是表示移动电话的一个例子的立体图。在图23A中,符号600表示移动电话主体,符号601表示使用了所述显示装置的显示部。
图23B是表示文字处理机、个人电脑等便携式信息处理装置的一个例子的立体图。在图23B中,符号700表示信号处理装置,符号701表示键盘等输入部,符号703表示信息处理装置主体,符号702表示使用了所述的显示装置的显示部。
图23C是表示手表型电子仪器的一个例子。在图23C中,符号800表示了手表主体,符号801表示使用了所述的显示装置的显示部。
图23A~图23C各自所示的电子仪器具有使用了所述实施例1或2的显示装置的显示部,因为具有上述的实施例1或2的显示装置的特征,所以成为高亮度、具有优异的显示质量的电子仪器。
在制造这些电子仪器时,与实施例1或2同样,构成具有图2所示的驱动IC6a(驱动电路)的显示装置1,通过把该显示装置1组入移动电话、便携式信息处理装置、手表型电子仪器中,就制造了这些一起。
须指出的是,本发明的技术范围并不局限于所述实施例,在不脱离本发明的思想的范围内,能做各种变更。
图24表示了本发明的其他例子的显示装置的剖视模式图。图24所示的显示装置具有:衬底2、形成在衬底2上的显示元件10、在衬底2的周围涂敷为环状的密封树脂603、设置在显示元件10上的密封盖604。
衬底2和显示元件10与实施例1或2的衬底和显示元件相同。显示元件10以发光元件部11和形成在该发光元件部11上的阴极12为主体构成。
另外,如图24所示,在发光元件部11上设置有密封部3。该密封部3由涂敷在阴极12上的热硬化树脂或紫外线硬化树脂等构成的密封树脂3a和配置在密封树脂3a上的密封衬底3b构成。须指出的是,作为密封树脂3a,最好在硬化时不产生气体、溶剂等。
至少几乎覆盖位于发光元件部11上的阴极12而形成有该密封部3,防止了水或氧对于阴极12和发光元件部11的侵入,防止形成在阴极12或发光元件部11内的后述的发光层的氧化。
须指出的是,密封衬底3b接合在密封树脂3a上,保护密封树脂3a,最好是玻璃板、金属板或树脂板的任意一种。
另外,图25表示了本发明的别的例子的显示装置的剖视模式图。图25所示的显示装置具有:衬底2、形成在衬底2上的显示元件10、涂敷在显示元件10的整个面上的密封树脂3a、设置在密封树脂3a上的密封用衬底3b。
衬底2、显示元件10、密封树脂3a和密封用衬底3b与实施例1或2的衬底、显示元件、密封材料和密封用衬底相同,厚度在100~200nm的范围内。显示元件10以发光元件部11和形成在该发光元件部11上的阴极12为主体构成。
另外,如图25所示,在密封材料3和阴极12之间形成有保护层713。保护层713由SiO2、SiN等构成,厚度在100~200nm的范围内。该保护层713防止了水或氧对于阴极12和发光元件部11的侵入,防止形成在阴极12或发光元件部11内的后述的发光层的氧化。
根据所述的显示装置,通过有效地防止水和氧的侵入,防止阴极12或发光层的氧化,就能实现显示装置的高亮度化和延长使用寿命。
另外,在实施例1中,说明了把R、G、B的各发光层110b配置为带状时的情形,但是本发明并不局限于此,还可采用各种各样的配置结构。例如,除了图26A所示的带状配置外,还能采用图26B所示的镶嵌配置和图26C所示的三角配置。

Claims (16)

1.一种显示装置,在形成在衬底上的多个电极上分别形成有功能层,在各所述功能层之间具有触排部,其特征在于:
所述触排部由位于所述衬底一侧的第一触排层和形成在所述第一触排层上的第二触排层形成,所述第一触排层配置为与所述电极的一部分重叠;
所述功能层具有空穴注入/输送层和与该空穴注入/输送层相邻形成的发光层;
所述空穴注入/输送层包括形成在所述电极上的平坦部和在所述第一触排层上与所述第二触排层接连而形成的周边部。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述周边部的形状是沿着远离所述电极的中央的方向而增大厚度。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述电极的表面和所述第一触排层的一部分具有亲液性,所述第二触排层的上表面和所述壁面具有防液性。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述第一触排层由SiO2、TiO2中的任意一种来形成。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述第二触排层由丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的任意一种来形成。
6.一种显示装置的制造方法,所述显示装置在形成于衬底上的多个电极上分别形成有功能层,在各所述功能层之间具有触排部;
其特征在于:具有:
形成第一触排层,使其与所述电极的一部分重叠的步骤;
在所述第一触排层上形成第二触排层的步骤;
为了至少使所述第一触排层的壁面和所述电极的表面具有亲液性而进行加工的亲液化步骤;
为了使所述第二触排层的上表面和壁面具有防液性而进行加工的防液化步骤;
向各所述电极上喷出用于形成空穴注入/输送层的第一组成物的第一液滴喷出步骤;
使所喷出的所述第一组成物干燥,在所述电极上形成空穴注入/输送层的空穴注入/输送层形成步骤;
向所述空穴注入/输送层上喷出用于形成发光层的第二组成物的第二液滴喷出步骤;
使所喷出的所述第二组成物干燥,在所述空穴注入/输送层上形成发光层的发光层形成步骤;
在所述发光层上形成对置电极的对置电极形成步骤。
7.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述第一触排层由SiO2、TiO2中的任意一种构成。
8.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述第二触排层由丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的任意一种构成。
9.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
向所述电极上和所述第一触排层上喷出所述第一组成物,在所述第一触排层上与所述第二触排层接连而形成所述周边部。
10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
将所述周边部形成为沿着远离所述电极的中央的方向而使其厚度增大的形状。
11.一种显示装置的制造方法,所述显示装置在形成于衬底上的多个电极上分别形成有功能层,在各所述功能层之间具有触排部;
其特征在于:具有:
形成第一触排层,使其与所述电极的一部分重叠的步骤;
在所述第一触排层上形成第二触排层的步骤;
向各所述电极上喷出用于形成空穴注入/输送层的第一组成物的第一液滴喷出步骤;
使所喷出的所述第一组成物干燥,在所述电极上形成空穴注入/输送层的空穴注入/输送层形成步骤;
向所述空穴注入/输送层上喷出用于形成发光层的第二组成物的第二液滴喷出步骤;
使所喷出的所述第二组成物干燥,在所述空穴注入/输送层上形成发光层的发光层形成步骤;
在所述发光层上形成对置电极的对置电极形成步骤。
12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述第一触排层由SiO2、TiO2中的任意一种构成。
13.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
所述第二触排层由丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂中的任意一种构成。
14.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
向所述电极上和所述第一触排层上喷出所述第一组成物,在所述第一触排层上与所述第二触排层接连而形成所述周边部。
15.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
将所述周边部形成为:沿着远离所述电极的中央的方向使其厚度增大的形状。
16.一种电子仪器,具有显示装置和用于驱动所述显示装置的驱动电路,其特征在于:
所述显示装置在形成于衬底上的多个电极上分别形成有功能层,在各所述功能层之间设置有触排部;
所述触排部由位于所述衬底一侧的第一触排层和形成在所述第一触排层上的第二触排层形成,所述第一触排层配置为与所述电极的一部分重叠;
所述功能层由形成在所述电极上的空穴注入/输送层和形成在该空穴注入/输送层上的发光层构成;
所述空穴注入/输送层具有形成在所述电极上的平坦部和在所述第一触排层上与所述第二触排层接连而形成的周边部。
CNB021560927A 2001-12-18 2002-12-16 显示装置、电子仪器和显示装置的制造方法 Expired - Lifetime CN1242883C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001385170 2001-12-18
JP2001385170 2001-12-18
JP2002341375 2002-11-25
JP2002341375A JP3823916B2 (ja) 2001-12-18 2002-11-25 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1426894A true CN1426894A (zh) 2003-07-02
CN1242883C CN1242883C (zh) 2006-02-22

Family

ID=26625126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021560927A Expired - Lifetime CN1242883C (zh) 2001-12-18 2002-12-16 显示装置、电子仪器和显示装置的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6911773B2 (zh)
JP (1) JP3823916B2 (zh)
KR (1) KR100506353B1 (zh)
CN (1) CN1242883C (zh)
TW (1) TW571602B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102308405A (zh) * 2009-02-10 2012-01-04 松下电器产业株式会社 发光元件、显示装置以及发光元件的制造方法
CN104282712A (zh) * 2013-07-01 2015-01-14 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
US8946693B2 (en) 2010-08-06 2015-02-03 Panasonic Corporation Organic EL element, display device, and light-emitting device
US9029843B2 (en) 2010-08-06 2015-05-12 Joled Inc. Organic electroluminescence element
US9029842B2 (en) 2010-08-06 2015-05-12 Joled Inc. Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7038377B2 (en) * 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
JP2003228302A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Toshiba Electronic Engineering Corp 表示装置及びその製造方法
JP2004047215A (ja) 2002-07-10 2004-02-12 Toshiba Corp 有機el素子および有機el表示装置
AU2003260959A1 (en) * 2002-09-11 2004-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting apparatus and fabrication method of the same
JP2004146796A (ja) * 2002-09-30 2004-05-20 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法、薄膜製造装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体
US6975067B2 (en) * 2002-12-19 2005-12-13 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device and encapsulation method
CN100467141C (zh) * 2003-04-25 2009-03-11 株式会社半导体能源研究所 图形的制作方法和液滴排出装置
US7968461B2 (en) * 2003-10-28 2011-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming wiring, method for manufacturing thin film transistor and droplet discharging method
KR100993826B1 (ko) * 2003-11-19 2010-11-12 삼성전자주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
US8212474B2 (en) * 2004-01-08 2012-07-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device, and method of manufacturing the display device
US20050153114A1 (en) * 2004-01-14 2005-07-14 Rahul Gupta Printing of organic electronic devices
US7041608B2 (en) * 2004-02-06 2006-05-09 Eastman Kodak Company Providing fluorocarbon layers on conductive electrodes in making electronic devices such as OLED devices
KR20050083062A (ko) * 2004-02-19 2005-08-25 삼성전자주식회사 표시장치, 이의 제조 방법 및 유기물 적하 장치
JP4161956B2 (ja) 2004-05-27 2008-10-08 セイコーエプソン株式会社 カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
CN100499047C (zh) * 2004-08-20 2009-06-10 松下电器产业株式会社 用于形成有机叠层膜的涂液、场效应晶体管的制造方法、及场效应晶体管
KR100698689B1 (ko) * 2004-08-30 2007-03-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치와 그의 제조방법
JP4901088B2 (ja) * 2004-09-29 2012-03-21 東芝モバイルディスプレイ株式会社 有機el表示装置
US8063551B1 (en) * 2004-12-29 2011-11-22 E.I. Du Pont De Nemours And Company Pixel intensity homogeneity in organic electronic devices
KR101160840B1 (ko) * 2005-05-31 2012-06-29 삼성전자주식회사 디스플레이 장치와 그 제조방법
TWI332720B (en) * 2005-07-29 2010-11-01 Kyocera Corp Organic electrolum9iniscence element and its fabrication method
GB0517195D0 (en) * 2005-08-23 2005-09-28 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device structures and fabrication methods
JP2007095613A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器
KR20070083003A (ko) * 2006-02-20 2007-08-23 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치
US7667386B2 (en) * 2006-06-21 2010-02-23 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Fabricating method of display panel
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP2008300612A (ja) 2007-05-31 2008-12-11 Panasonic Corp 表示装置及びその製造方法
KR101581475B1 (ko) * 2007-07-31 2015-12-30 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 전계발광 소자 및 그의 제조 방법
KR101296656B1 (ko) * 2008-06-24 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그의 제조 방법
KR101352237B1 (ko) * 2008-08-13 2014-01-16 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조방법
WO2010092798A1 (ja) 2009-02-10 2010-08-19 パナソニック株式会社 発光素子の製造方法と発光素子、および発光装置の製造方法と発光装置
EP2398084B1 (en) 2009-02-10 2018-06-06 Joled Inc. Light-emitting element, light-emitting device comprising light-emitting element, and method for manufacturing light-emitting element
JP5437736B2 (ja) 2009-08-19 2014-03-12 パナソニック株式会社 有機el素子
JP5720006B2 (ja) 2010-06-24 2015-05-20 株式会社Joled 有機el素子、表示装置および発光装置
WO2011161727A1 (ja) 2010-06-24 2011-12-29 パナソニック株式会社 有機el素子の製造方法、表示装置、発光装置および紫外光照射装置
CN103026523B (zh) 2010-07-30 2015-12-09 株式会社日本有机雷特显示器 有机el元件
JP5612691B2 (ja) 2010-08-06 2014-10-22 パナソニック株式会社 有機el素子およびその製造方法
WO2012017488A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 発光素子とその製造方法、および発光装置
WO2012017501A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 有機el素子およびその製造方法
WO2012017497A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 有機el素子
CN103038908B (zh) 2010-08-06 2016-01-06 株式会社日本有机雷特显示器 发光元件、具备发光元件的发光装置以及发光元件的制造方法
JP5677436B2 (ja) 2010-08-06 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機el素子
WO2012017490A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 有機el素子、表示装置および発光装置
WO2012017489A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 有機el素子、表示装置および発光装置
WO2012017487A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法
JP5658256B2 (ja) 2010-08-06 2015-01-21 パナソニック株式会社 発光素子とその製造方法、および発光装置
JP5620495B2 (ja) 2010-08-06 2014-11-05 パナソニック株式会社 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法
WO2012017486A1 (ja) 2010-08-06 2012-02-09 パナソニック株式会社 発光素子の製造方法
US8901594B2 (en) 2010-12-20 2014-12-02 Panasonic Corporation Organic EL display panel and method for manufacturing same
US8884281B2 (en) 2011-01-21 2014-11-11 Panasonic Corporation Organic EL element
WO2012114648A1 (ja) 2011-02-23 2012-08-30 パナソニック株式会社 有機el表示パネルおよび有機el表示装置
US8981361B2 (en) 2011-02-25 2015-03-17 Panasonic Corporation Organic electroluminescence display panel with tungsten oxide containing hole injection layer that electrically connects electrode to auxiliary wiring, and organic electroluminescence display device
JP5678740B2 (ja) 2011-03-11 2015-03-04 ソニー株式会社 有機el表示装置および電子機器
WO2012153445A1 (ja) 2011-05-11 2012-11-15 パナソニック株式会社 有機el表示パネルおよび有機el表示装置
JP6142191B2 (ja) * 2011-05-19 2017-06-07 株式会社Joled 表示装置および電子機器
WO2014030354A1 (ja) * 2012-08-23 2014-02-27 パナソニック株式会社 有機電子デバイスの製造方法および有機elデバイスの製造方法
KR102009357B1 (ko) 2012-11-26 2019-08-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR102099702B1 (ko) * 2013-05-16 2020-04-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20140139820A (ko) * 2013-05-28 2014-12-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2015083823A1 (ja) * 2013-12-06 2015-06-11 シャープ株式会社 発光体基板、太陽電池、表示装置、照明装置、電子機器、有機el素子、及び発光体基板の製造方法
KR102205700B1 (ko) * 2014-07-16 2021-01-21 삼성전자주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조 방법
KR102365911B1 (ko) * 2014-10-17 2022-02-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN104362170B (zh) * 2014-11-28 2017-04-12 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其驱动方法及相关装置
KR102293507B1 (ko) * 2014-12-08 2021-08-24 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이를 제조하기 위한 박막 증착용 마스크
CN107532013A (zh) 2015-01-30 2018-01-02 默克专利有限公司 具有低粒子含量的制剂
US10326076B2 (en) * 2015-04-13 2019-06-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of manufacturing display substrate, display substrate and display device
KR20180012176A (ko) 2016-07-26 2018-02-05 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US20230276685A9 (en) * 2016-08-26 2023-08-31 Najing Technology Corporation Limited Manufacturing method for light emitting device, light emitting device, and hybrid light emitting device
KR101980780B1 (ko) * 2016-10-31 2019-05-21 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI763772B (zh) 2017-01-30 2022-05-11 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
TWI791481B (zh) 2017-01-30 2023-02-11 德商麥克專利有限公司 形成有機電致發光(el)元件之方法
JP6844845B2 (ja) 2017-05-31 2021-03-17 三国電子有限会社 表示装置
KR102525822B1 (ko) 2017-07-06 2023-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 소자 및 그 제조 방법
KR102402597B1 (ko) * 2017-10-20 2022-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7190729B2 (ja) * 2018-08-31 2022-12-16 三国電子有限会社 キャリア注入量制御電極を有する有機エレクトロルミネセンス素子
JP7246681B2 (ja) 2018-09-26 2023-03-28 三国電子有限会社 トランジスタ及びトランジスタの製造方法、並びにトランジスタを含む表示装置
KR20200097379A (ko) * 2019-02-07 2020-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 그 제조방법
JP7190740B2 (ja) 2019-02-22 2022-12-16 三国電子有限会社 エレクトロルミネセンス素子を有する表示装置
JP7444436B2 (ja) 2020-02-05 2024-03-06 三国電子有限会社 液晶表示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5276380A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
US6129365A (en) * 1997-07-01 2000-10-10 Outrigger, Inc. Inclined handle for wheeled case
KR100660384B1 (ko) 1998-03-17 2006-12-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 표시장치의 제조방법
JP2001148291A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
JP2003518567A (ja) 1999-12-29 2003-06-10 キンバリー クラーク ワールドワイド インコーポレイテッド 流体処理用生分解性不織ウェブ
KR20010085420A (ko) * 2000-02-23 2001-09-07 기타지마 요시토시 전계발광소자와 그 제조방법
KR100436303B1 (ko) * 2000-03-31 2004-06-19 세이코 엡슨 가부시키가이샤 유기 이엘소자 및 유기 이엘소자의 제조방법
JP4048687B2 (ja) * 2000-04-07 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 有機el素子および有機el素子の製造方法
JP4040850B2 (ja) * 2000-07-24 2008-01-30 Tdk株式会社 発光素子
ATE475198T1 (de) * 2000-11-17 2010-08-15 Tpo Displays Corp Organisches elektrolumineszenzbauelement und verfahren zu seiner herstellung

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102308405A (zh) * 2009-02-10 2012-01-04 松下电器产业株式会社 发光元件、显示装置以及发光元件的制造方法
CN103646959A (zh) * 2009-02-10 2014-03-19 松下电器产业株式会社 发光元件及其制造方法
US8890174B2 (en) 2009-02-10 2014-11-18 Panasonic Corporation Light-emitting element including a charge injection transport layer that includes a dissolvable metal compound, and display device and method for manufacturing thereof
US8946693B2 (en) 2010-08-06 2015-02-03 Panasonic Corporation Organic EL element, display device, and light-emitting device
US9029843B2 (en) 2010-08-06 2015-05-12 Joled Inc. Organic electroluminescence element
US9029842B2 (en) 2010-08-06 2015-05-12 Joled Inc. Organic electroluminescence element and method of manufacturing thereof
CN104282712A (zh) * 2013-07-01 2015-01-14 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003249375A (ja) 2003-09-05
TW200301666A (en) 2003-07-01
US6911773B2 (en) 2005-06-28
CN1242883C (zh) 2006-02-22
US20030137242A1 (en) 2003-07-24
JP3823916B2 (ja) 2006-09-20
TW571602B (en) 2004-01-11
KR100506353B1 (ko) 2005-08-05
KR20030051344A (ko) 2003-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1242883C (zh) 显示装置、电子仪器和显示装置的制造方法
CN1225149C (zh) 显示装置以及电子仪器
CN1496667A (zh) 显示装置及其制造方法、电子装置及其制造方法
CN1240540C (zh) 喷出方法及其装置、电光装置及其制造方法和制造装置
CN1265470C (zh) 电致发光显示器件及其制造方法
CN1764335A (zh) 有机电致发光装置的制造方法和有机电致发光装置
CN1170458C (zh) 有源驱动型有机el显示装置及其制造方法
CN1230039C (zh) 有机el装置的制法及其装置
CN1278295C (zh) 有机发光显示器
CN1248547C (zh) 有机电致发光显示装置及其制造方法
CN1250986C (zh) 滤色片的制造方法及制造装置、液晶显示装置及电子装置
CN1221010C (zh) 薄膜形成装置和薄膜形成方法
CN1314128C (zh) 电光学装置及其制造方法、及电子设备
CN100350634C (zh) 发光装置以及制造发光装置的方法
CN1197165C (zh) 电光器件的制造方法
CN1573449A (zh) 薄膜图案形成法、器件及其制法、液晶显示装置及其制法
CN1631058A (zh) 有机el显示装置及其制造方法
CN1449229A (zh) 发光装置和制造这种发光装置的方法
CN1928149A (zh) 沉积装置
CN1929706A (zh) 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备
CN1825616A (zh) 显示装置、电子设备及该显示装置的制造方法
CN1435318A (zh) 液滴喷出头、喷出方法及其装置、光电装置、其制造方法
CN1828931A (zh) 半导体装置、电子装置及半导体装置的制造方法
CN1700417A (zh) 半导体器件及其制造方法、液晶电视、和el电视
CN1649454A (zh) 显示器件及其制造方法以及电视设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190202

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: El technology integration Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Seiko Epson Corp.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220419

Address after: 05-15, bayeliba Plaza, 60 bayeliba Road, Singapore

Patentee after: Element capital commercial Co.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: El technology integration Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20060222

CX01 Expiry of patent term