CN1374827A - 带孔的组合用多层基板及其制造方法 - Google Patents

带孔的组合用多层基板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1374827A
CN1374827A CN02105395A CN02105395A CN1374827A CN 1374827 A CN1374827 A CN 1374827A CN 02105395 A CN02105395 A CN 02105395A CN 02105395 A CN02105395 A CN 02105395A CN 1374827 A CN1374827 A CN 1374827A
Authority
CN
China
Prior art keywords
hole
insulating resin
electrolytic deposition
layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN02105395A
Other languages
English (en)
Inventor
古谷修一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Publication of CN1374827A publication Critical patent/CN1374827A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0352—Differences between the conductors of different layers of a multilayer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355—Metal foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0388—Other aspects of conductors
    • H05K2201/0394—Conductor crossing over a hole in the substrate or a gap between two separate substrate parts
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/09563—Metal filled via
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0353—Making conductive layer thin, e.g. by etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1492—Periodical treatments, e.g. pulse plating of through-holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0032—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0032—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
    • H05K3/0035—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material of blind holes, i.e. having a metal layer at the bottom
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0032—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
    • H05K3/0038—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material combined with laser drilling through a metal layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • H05K3/025—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates by transfer of thin metal foil formed on a temporary carrier, e.g. peel-apart copper
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/421—Blind plated via connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
    • H05K3/426—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in substrates without metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
    • H05K3/427—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in metal-clad substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

一种带孔的组合用多层基板及其制造方法,其微细化孔的层间电连接的可靠性高。利用激光5在层积铜层2和绝缘树脂层3的基板1的所需位置形成孔4,将基板1在铜电镀浴中按箭头A进行圆形摇摆,使孔4内部的电镀液产生涡流,然后进行电镀,使孔4内壁部表面的电解淀积层形成得比绝缘树脂层表面3a的电解淀积层厚。

Description

带孔的组合用多层基板及其制造方法
                          技术领域
本发明涉及带孔的组合(ビルドアツプ)用多层基板及其制造方法，尤其涉及利用圆形摇摆电镀形成电解淀积层的带孔的组合用多层基板及其制造方法。
                          背景技术
近年来，对应于移动电话、手提电脑、PDA等电子仪器的高性能化、小型化，电路基板采用了组合基板。
现有组合基板的一例如图21(a)、图21(b)所示，在铜箔221的一侧印刷形成凸起222，对形成了凸起222的铜箔221及加入玻璃纤维的环氧树脂层223、铜箔224进行热压成型，层积铜箔221、树脂层223及铜箔224，进行层间电连接。现有组合基板的另一例如图22(a)～图22(c)所示，在树脂层230上开孔231，向孔231充填导电糊232，然后形成铜层(铜箔)233，进行层间电连接。
再一个例子如图23(a)～图23(c)所示，在铜箔240和树脂层241的层积板上开孔242，镀铜进行层间电连接。图中，标号245是利用镀铜形成的电解淀积层。
在现有技术的图21(a)～图22(c)所示的组合基板中，其极限是孔径100μm、电路宽和间隔比(L/S)为75/75μm、树脂层厚度为100μm、铜的厚度为18～35μm的基板，为了对应电子仪器的高性能化、小型化，要求开发更微细化的组合基板。
作为微细化技术，如图23(a)～图23(c)所示，使用了利用激光法在树脂层开孔，利用电镀形成铜层进行层间电连接的技术，但是，该技术微细化的极限是孔径75μm、L/S为45/45μm、绝缘树脂层厚度为60μm、铜的厚度为18μm的基板，加工小于该极限的尺寸的微细化基板，价格会急剧升高，成本方面存在问题。
利用这种现有的微细孔内壁面的电镀，形成图24所示的电解淀积层。也就是说，树脂层241表面的电解淀积层245a厚，孔内壁面的电解淀积层245b变薄，且其与底面铜层240上的电解淀积层245c在孔的底面端部产生电解淀积层薄的部分245d，有损层间的电连接。
在现有的、利用电镀在树脂层上形成铜层的多层基板中，存在下述问题，铜层的剥离强度(铜层和树脂层的剥离强度)低，不能满足多层基板部件安装侧必要的剥离强度，在部件安装时，树脂层和铜层会剥离。
                        发明内容
根据本发明提供以下技术方案。
(1)一种带孔的组合用多层基板，在由绝缘树脂层和单面铜层构成且在该绝缘树脂层上形成有直到单面铜层的孔的基板上，利用圆形摇摆电镀形成的电解淀积层形成于所述孔的内壁部表面及未设铜层的绝缘树脂层表面上，孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层表面的电解淀积层厚。
(2)一种带孔的组合用多层基板，在形成有贯通绝缘树脂层的孔的基板上，利用圆形摇摆电镀形成的电解淀积层形成于所述孔的内壁部表面及绝缘树脂层的两面上，孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层两面的电解淀积层厚。
(3)如上述(1)或(2)所述的带孔的组合用多层基板，其中，形成于绝缘树脂层的孔内壁部表面的电解淀积层填满绝缘树脂层的孔。
(4)如上述(1)～(3)任一项所述的带孔的组合用多层基板，其中，内壁部表面上形成有电解淀积层的绝缘树脂层的孔在多层基板上以规定的间隔形成多个。
(5)如上述(1)～(3)任一项所述的带孔的组合用多层基板，其中，内壁部表面上形成有电解淀积层的绝缘树脂层的孔在多层基板的电路形成位置上形成多个。
(6)一种带孔的组合用多层基板的制造方法，包括：利用激光在由绝缘树脂层和单面铜层构成的基板的绝缘树脂层上，形成直到单面铜层的孔的工序；
在形成所述孔的基板上进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
电镀工序，使所述基板在电镀浴中圆形摇摆，在孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀，在孔的内壁部表面及绝缘树脂层的未设铜层的表面形成电解淀积层；
由此，使孔的内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层的未设铜层的表面的电解淀积层厚。
(7)一种带孔的组合用多层基板的制造方法，包括：利用激光在绝缘树脂层上形成贯通孔的工序；
在形成所述孔的基板上进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
电镀工序，该工序使所述基板在电镀浴中圆形摇摆，在孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀，在孔的内壁部表面及绝缘树脂层的两面上形成电解淀积层；
由此，使孔的内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层的两面上的电解淀积层厚。
(8)如上述(6)或(7)所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，其中，在电镀浴中圆形摇摆，在孔内部产生电镀液的涡流的电镀工序中孔内部的电镀液的流速大于绝缘树脂层表面的流速。
(这里，将上述(1)～(5)所述的带孔的组合用多层基板及上述(6)～(8)所述的带孔的组合用多层基板的制造方法统称作本发明的第一方式。)
(9)一种带孔的组合用多层基板，在绝缘树脂层的单面上具有极薄铜箔且形成通孔的基件上，利用圆形摇摆电镀，在极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及通孔的内壁部表面上形成电解淀积层，通孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
(10)如上述(9)所述的带孔的组合用多层基板，其中，形成于通孔内壁部表面的电解淀积层填满通孔。
(11)一种带孔的组合用多层基板，在绝缘树脂层的单面上具有极薄铜箔且在绝缘树脂层上形成直到极薄铜箔的孔的基件上，利用圆形摇摆电镀，在极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及孔的内壁部表面上形成电解淀积层，孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
(12)如上述(11)所述的带孔的组合用多层基板，其中，形成于直到极薄铜箔的孔的内壁部表面的电解淀积层填满孔。
(13)如上述(9)～(12)任一项所述的带孔的组合用多层基板，其中，绝缘树脂层的单面的极薄铜箔厚1～5μm。
(14)一种如上述(9)或(10)所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，包括：
对绝缘树脂层单面上具有极薄铜箔的基件的极薄铜箔进行激光加工性好的处理，从所述极薄铜箔侧利用激光穿孔加工形成通孔的工序；
在形成所述通孔的基件上进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
圆形摇摆电镀工序，使所述基件在电镀浴中圆形摇摆，在通孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀；
在所述基件的极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及通孔的内壁部表面形成电解淀积层，使通孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
(15)一种如上述(9)或(10)所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，绝缘树脂层单面上具有极薄铜箔的基件是对极薄铜箔进行了提高激光加工性的处理并接合在载体铜箔上的基件，该制造方法包括：将所述基件自载体铜箔剥离，由进行了所述基件的提高激光加工性的处理的极薄铜箔侧利用激光穿孔加工形成通孔的工序；
在形成所述通孔的基件上进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
圆形摇摆电镀工序，使所述基件在电镀浴中圆形摇摆，在通孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀；
在基件的极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及通孔的内壁部表面形成电解淀积层，使通孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
(16)一种如上述(9)或(10)所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，包括：
对绝缘树脂层单面上具有铜箔的基件的铜箔进行提高激光加工性的处理，由所述铜箔侧利用激光穿孔加工形成通孔的工序；
通过腐蚀将形成所述通孔的基件的铜箔加工成极薄铜箔的工序；
在所述基件上进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
圆形摇摆电镀工序，使所述基件在电镀浴中圆形摇摆，在通孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀；
在所述基件的极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及通孔的内壁部表面形成电解淀积层，使通孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
(17)一种如上述(11)或(12)所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，包括：
自绝缘树脂层单面上具有极薄铜箔的基件的绝缘树脂层侧进行激光穿孔加工，在绝缘树脂层上形成直到极薄铜箔的孔的工序；
在绝缘树脂层上形成直到所述极薄铜箔的孔的基件上进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
圆形摇摆电镀工序，使所述基件在电镀浴中圆形摇摆，在直到极薄铜箔的绝缘树脂层的孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀；
在基件的极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及孔的内壁部表面形成电解淀积层，使孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
(18)一种如上述(11)或(12)所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，绝缘树脂层单面上具有极薄铜箔的基件是接合在载体铜箔上的基件，该制造方法包括：在将基件接合于载体铜箔上的状态下，自基件的绝缘树脂层侧进行激光穿孔加工，在绝缘树脂层上形成直到极薄铜箔的孔的工序；
将在绝缘树脂层上形成直到极薄铜箔的孔的基件自载体铜箔剥离，并进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
圆形摇摆电镀工序，使所述基件在电镀浴中圆形摇摆，在直到极薄铜箔的绝缘树脂层的孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀；
在基件的极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及孔的内壁部表面形成电解淀积层，使孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
(这里，将上述(9)～(13)所述的带孔的组合用多层基板及上述(14)～(18)所述的带孔的组合用多层基板的制造方法统称作本发明的第二方式。)
这里，所谓本发明意味着包括所述第一方式和第二方式两者。
这里，在设于绝缘树脂层上的孔或通孔未被电解淀积层填满的情况下，所谓“孔(或通孔)的内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层表面的电解淀积层厚”，是指只要孔或通孔的内壁部表面的电解淀积层的厚度比绝缘树脂层表面的电解淀积层的厚度厚，则对它们的厚度无特别限制。理想的是，孔或通孔的内壁部表面的电解淀积层厚度是绝缘树脂层表面的电解淀积层厚度的1倍以上2倍以下，更理想的是1.2～1.3倍。
在设于绝缘树脂层上的孔或通孔被电解淀积层填满的情况下，所谓“孔(或通孔)的内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层表面的电解淀积层厚”，是指其内部被电解淀积层填满的孔或通孔的直径大于内壁部表面的电解淀积层厚度。
本发明第一方式的带孔的组合用多层基板，通过在由绝缘树脂层和单面铜层构成并于该绝缘树脂层上形成直到单面铜层的孔的基板上，利用圆形摇摆电镀形成电解淀积层，使形成于绝缘树脂层的孔内壁部表面及绝缘树脂层的表面上的电解淀积层不会在直到单面铜层的孔的底面端部产生薄的部分，孔的内壁部表面的电解淀积层比未设铜层的绝缘树脂层表面的电解淀积层厚，故可提高微细化孔的层间电连接的可靠性，且可高速容易地对微细化孔进行电镀。
本发明第一方式的带孔的组合用多层基板，通过利用圆形摇摆电镀在绝缘树脂层上形成有通孔的基板上形成电解淀积层，使绝缘树脂层的通孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层两面的电解淀积层厚，并且，可利用圆形摇摆电镀，在绝缘树脂层两面即绝缘树脂层上面及下面形成大致相同厚度的电解淀积层，所以不会因电解淀积层的应力使基板翘曲。并且，由于利用圆形摇摆电镀在绝缘树脂层的上面及下面形成电解淀积层，故可形成厚度在10μm以下的薄的电解淀积层。
本发明第二方式的带孔的组合用多层基板，在绝缘树脂层的单面上具有极薄铜箔的基件上形成通孔，利用圆形摇摆电镀在极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及通孔的内壁部表面上形成电解淀积层，将绝缘树脂层与其单面上的极薄铜箔的剥离强度提高到可满足部件安装的强度。在现有的在树脂层上利用电镀形成铜层的多层基板中，铜层的剥离强度很低，是0.7kg/cm左右，但是，本发明的在绝缘树脂层单面上设置铜箔，利用圆形摇摆电镀在铜箔面上形成电解淀积层的多层基板可以使单面的部件安装侧剥离强度为0.9kg/cm以上，形成可满足部件安装的强度。在绝缘树脂层单面上设置铜箔形成通孔的基板上，利用圆形摇摆电镀在铜箔及绝缘树脂层表面以及通孔的内壁部表面上形成电解淀积层，使通孔内壁部表面的电解淀积层比基件的未设铜箔的绝缘树脂层表面的电解淀积层厚，故微细化通孔的层间电连接的可靠性高。
本发明第二方式的带孔的组合用多层基板，在绝缘树脂层的单面上具有极薄铜箔并在绝缘树脂层形成直到极薄铜箔的孔的基件上，利用圆形摇摆电镀在极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及通孔的内壁部表面上形成电解淀积层，将绝缘树脂层与其单面上的极薄铜箔的剥离强度提高到可满足部件安装的强度。使绝缘树脂层的直到极薄铜箔的孔的内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚，故层间电连接的可靠性高。
                        附图说明
图1(a)～图1(c)是本发明实施例1的孔的形成及圆形摇摆电镀工序的说明图；
图2是本发明实施例1得到的带孔组合用多层基板的局部放大剖面图；
图3是本发明实施例1得到的带孔组合用多层基板的局部剖面图；
图4是本发明的带孔的组合用多层基板的一例的平面图；
图5是本发明的带孔的组合用多层基板的另一例的平面图；
图6(a)～图6(c)是本发明实施例2中孔的形成工序及得到的带孔的组合用多层基板的剖面图；
图7(a)～图7(c)是本发明实施例3的通孔形成及圆形摇摆电镀工序说明图；
图8(a)、图8(b)是本发明实施例3得到的带孔的组合用多层基板的局部放大剖面图；
图9(a)～图9(c)是本发明实施例4中通孔的形成工序及得到的带孔的组合用多层基板的剖面图；
图10(a)～图10(c)是本发明实施例5中通孔的形成工序及得到的带孔的组合用多层基板的剖面图；
图11(a)～图11(c)是本发明实施例6中通孔和保护层的形成工序及得到的具有铜电路的带孔的组合用多层基板的剖面图；
图12(a)～图12(d)是本发明实施例7的通孔形成工序的剖面图；
图13(e)、图13(f)是本发明实施例7的圆形摇摆电镀工序及得到的带孔的组合用多层基板的说明图；
图14是本发明实施例7得到的带孔的组合用多层基板的局部放大剖面图；
图15(a)～图15(d)是本发明实施例8中通孔的形成及圆形摇摆电镀工序以及得到的带孔的组合用多层基板的说明图；
图16是本发明实施例8得到的带孔的组合用多层基板的局部放大剖面图；
图17(a)～图17(e)是本发明实施例9中通孔的形成及圆形摇摆电镀工序以及得到的带孔的组合用多层基板的说明图；
图18(a)～图18(e)是本发明实施例10中通孔的形成及圆形摇摆电镀工序以及得到的带孔的组合用多层基板的说明图；
图19是本发明实施例11得到的带孔的组合用多层基板的局部放大剖面图；
图20(a)～图20(c)是本发明实施例12中的孔的形成工序的说明图；
图21(a)～图21(b)是现有组合基板的一例的剖面图；
图22(a)～图22(c)是现有组合基板的另一例的剖面图；
图23(a)～图23(c)是现有组合基板的再一例的剖面图；
图24是现有组合基板的孔的内壁面的电解淀积层的剖面图。
                       具体实施方式
首先说明本发明的第一方式。
本发明第一方式的带孔的组合用多层基板理想的是带孔的组合用两层基板由铜层和绝缘树脂层构成，树脂层例如是FR4级的环氧系树脂、FR5级耐热树脂、聚酰亚胺、加有玻璃纤维的树脂(例如加有玻璃纤维的环氧树脂)等，是将其和铜箔加压层积而成的。
绝缘树脂层的孔通过激光加工形成直到铜层的微细孔。
作为进行圆形摇摆电镀的前处理，要对形成所述孔的基板进行表面粗糙化、无电解电镀或使绝缘树脂层表面及孔的内壁部表面活化的活化处理。作为该前处理也可以在形成了所述孔的基件上进行铜喷镀。这些前处理可以组合进行两个以上的前处理。
电镀是将多层基板在铜的电镀浴中圆形摇摆并进行的，孔也进行圆形摇摆，使孔内部的电镀液产生涡流。通过使电镀液产生涡流，使孔内壁部表面的铜的电镀液的流速高于绝缘树脂层表面的流速，使极接近孔内壁部表面的铜离子扩散层(铜离子浓度低的区域)变薄。该铜离子浓度低的扩散层左右电解淀积速度，故通过使该扩散层变薄，可增大电解淀积速度(电解淀积电流)，通过加大电解淀积速度(电解淀积电流)，使孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层表面的电解淀积层厚。
在所述本发明的第一方式下，即使对多层基板的厚度为100μm以下、孔径为50μm以下的比现有更微小的孔，也可以容易地进行高速且可靠性高的电镀。
在本发明的第一方式中，提供一种带孔的组合用多层基板，该多层基板在形成贯通绝缘树脂层的孔的基板上，利用圆形摇摆电镀在通孔的内壁部表面及绝缘树脂层的两面上形成电解淀积层，绝缘树脂层例如是FR4级的环氧系树脂、FR5级耐热树脂、聚酰亚胺、加有玻璃纤维的树脂(例如加有玻璃纤维的环氧树脂)等，绝缘树脂层的通孔利用激光加工形成微细孔。
作为进行圆形摇摆电镀的前处理，要对形成所述通孔的基板进行表面粗糙化、无电解电镀或使绝缘树脂层表面及通孔的内壁部表面活化的活化处理。作为该前处理可以在形成了所述通孔的基件上进行铜喷镀。这些前处理可以组合进行两个以上的前处理。
圆形摇摆电镀是将在绝缘树脂层形成通孔的基板在铜的电镀浴中圆形摇摆并进行的，通孔也进行圆形摇摆，使通孔内部的电镀液产生涡流。通过使电镀液产生涡流，使通孔内壁部表面的铜的电镀液的流速高于绝缘树脂层两面的流速，使极接近孔内壁部表面的铜离子扩散层(铜离子浓度低的区域)变薄。该铜离子浓度低的扩散层左右电解淀积速度，故通过使该扩散层变薄，可增大电解淀积速度(电解淀积电流)，通过加大电解淀积速度(电解淀积电流)，使通孔内壁部表面的铜的电镀层比绝缘树脂层上面及下面的铜的电镀层厚。具体地说，绝缘树脂层上面及下面的铜的电镀层可形成厚度10μm以下的薄的电解淀积层，并且，由于形成相同的厚度，故不会出现因电镀应力而翘曲的现象。
这样，本发明的第一方式的多层基板由于具有厚度100μm以下、孔径50μm以下的比现有技术微小的孔，故可以用作下代移动电话、手提电脑、PDA等的电路基板，可应对高性能化、小型化。
下面说明本发明的第二方式。
在本发明的第二方式中，基件是在绝缘树脂层的单面上具有极薄铜箔的基件，绝缘树脂层例如用FR4级的环氧系树脂、FR5级耐热树脂、聚酰亚胺等，利用压力机将极薄铜箔层积在绝缘树脂层的单面上。或者，作为绝缘树脂层使用加有玻璃纤维的树脂(例如加有玻璃纤维的环氧树脂)。若使用加有玻璃纤维的树脂，则在利用激光穿孔形成孔的工序中，可抑制产生挠曲及局部凹凸等基件的变形。
通过用压力机将铜箔层积在绝缘树脂层的单面上，并通过腐蚀加工使铜箔变薄，可形成在绝缘树脂层的单面上具有极薄铜箔的基件。
通过腐蚀使铜箔变薄为极薄铜箔的工序，最好在利用激光穿孔加工形成孔后进行。这是由于激光穿孔加工产生的铜的飞散物等有时会附着在铜箔上，为了除去该薄化工序中附着的飞散物，最好在激光穿孔加工形成孔后进行利用腐蚀使铜箔薄化为极薄铜箔的工序。
设在基件的绝缘树脂层单面上的极薄铜箔使用厚1～5μm的铜箔。通过用这种极薄铜箔，并进行圆形摇摆电镀，可使单面的剥离强度提高到0.9kg/cm以上，形成满足部件安装的强度。另外，在绝缘树脂层单面上设置厚3～5μm的极薄铜箔的基件，在利用激光穿孔加工形成通孔后，利用腐蚀减薄为1～3μm的厚度，利用圆形摇摆电镀在其上形成电解淀积层，从而，可使电解淀积层和1～3μm的极薄铜箔构成的铜层的厚度为10μm以下。由此，可减小与绝缘树脂层面的电解淀积层厚度的不同。
在基件的绝缘树脂层的单面上设置厚12μm的铜箔的情况下，最好在激光穿孔加工后，利用腐蚀使其薄化为厚度1～5μm的极薄铜箔。
铜箔与绝缘树脂层相接的界面的粗糙面粗糙度最好形成例如Rz＝1.9(μm)～2.7(μm)的低粗糙度。
为了自基件的铜箔侧利用激光穿孔加工形成通孔，要对基件的铜箔进行提高激光加工性的处理。作为提高激光加工性的处理，在铜箔上镀0.05～0.1μm左右的Co-Cu合金。
在绝缘树脂层的单面上具有极薄铜箔的基件操作上理想的是接合在载体铜箔上。例如，作为载体铜箔使用厚度35μm的铜箔。为了容易将基件自载体铜箔剥离，最好在载体铜箔上设置剥离层。
在自基件的铜箔侧利用激光穿孔加工形成通孔的情况下，将基件自载体铜箔剥离，自进行了提高激光加工性处理的铜箔侧进行激光穿孔加工。在作为铜箔将极薄铜箔设置在绝缘树脂层的单面上的基件上，最好进行轻度腐蚀，除去因激光穿孔加工而飞散附着的飞散物。
在基件上形成通孔的情况下，自基件的极薄铜箔侧进行激光穿孔加工是由于铜箔开孔所需的能量是树脂层的5～10倍左右，若从树脂层侧照射激光，则树脂层的损伤变大，故最好从铜箔侧照射激光，首先在铜箔上开孔，然后在树脂层开孔。
在基件的绝缘树脂层形成直到极薄铜箔的孔的情况下，最好在将基件接合在载体铜箔的状态下，自绝缘树脂层侧进行激光穿孔加工。这是为了在激光穿孔加工时不使极薄铜箔熔化。
作为对形成通孔的基件、在绝缘树脂层形成直到极薄铜箔的孔的基件进行圆形摇摆电镀的前处理，要对形成通孔及形成直到极薄铜箔的孔的基件进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理。具体地说，可进行表面粗糙化、无电解电镀、电解电镀、铜喷镀等。这些前处理可组合两种以上进行前处理。
圆形摇摆电镀是将形成通孔的基件、在绝缘树脂层形成直到极薄铜箔的孔的基件，在电镀浴中圆形摇摆并进行的。使基件进行圆形摇摆，基件的孔也进行圆形摇摆，使孔内部的电镀液产生涡流。通过使电镀液产生涡流，使孔内壁部表面的铜的电镀液的流速高于极薄铜箔面及绝缘树脂层面的流速，使极接近孔内壁部表面的铜离子扩散层(铜离子浓度低的区域)变薄。该铜离子浓度低的扩散层左右电解淀积速度，故通过使该扩散层变薄，可增大电解淀积速度(电解淀积电流)，通过加大电解淀积速度(电解淀积电流)，使通孔内壁部表面的电解淀积层比未设铜箔的绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
在本发明的第二方式下，即使对多层基板的厚度为100μm以下、孔径为50μm以下的比现有更微小的通孔，也可以容易地进行高速且可靠性高的电镀。
并且，在本发明中，对绝缘树脂层设有通孔的基板或绝缘树脂层上设有直到单面的铜层或极薄铜箔的孔的基板，通过在使基板在铜的电镀浴中进行圆形摇摆并电镀前，在基板上预先设置用于形成所需电路的保护层，并在进行铜的电镀后除去该保护层，可在对所述孔或通孔进行电解淀积层形成(根据需要也可以由电解淀积层填满所述孔或通孔)的同时，形成电路。
例如作为基件，在使用了加有玻璃纤维的环氧树脂等的绝缘树脂层上利用CO2激光等激光进行开孔加工，形成通孔或直到铜层(或极薄铜箔)的孔，然后，进行表面粗糙化处理、无电解镀铜等前处理，之后，在基板上两面的规定位置形成形成所需电路用保护层。形成保护层本身可利用通常的方法例如用干膜进行。然后，将设有保护层的基板整面，通过使基板在铜电镀浴中进行圆形摇摆而进行镀铜，之后，除去保护层。这样，对孔的电解淀积层形成或埋孔和电路形成可同时进行。在此，通过一边使基板进行圆形摇摆一边进行镀铜，可使孔或通孔的内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层表面的电解淀积层形成得厚，这与上述说明相同。
实施例
下面，参照图示的实施例进一步详细说明本发明，但本发明决不限于这些实施例。
实施例1
参照图1～图5说明本发明的实施例1。
图1(a)～图1(c)是表示孔的形成及电镀工序的说明图，图2、图3是基板的剖面图，图4、图5是分别表示带孔的组合用多层基板的例子的平面图。
如图1(a)的剖面图所示，基板1是层积铜层2和绝缘树脂层3的基板，铜层2为9μm的铜箔，绝缘树脂层3是80μm的FR4级的环氧系树脂。
如图1(b)的剖面图所示，在基板1的所需位置，用UV-YAG激光5，在绝缘树脂层3上形成直到铜层2的孔4。
然后，对绝缘树脂层3的表面及孔4的内壁部表面进行表面粗糙化处理，之后进行无电解电镀或活化处理，使基板1上产生镀铜。
如图1(c)的立体图所示，铜的电镀是将开有孔4的基板1在铜的电镀浴中沿箭头A所示进行圆形摇摆。基板1的孔4也按箭头A所示进行圆形摇摆，从而，使孔4内部的铜的电镀液产生涡流。孔4内部的镀铜液由于涡流使孔4的内壁部表面的镀铜液的流速大于绝缘树脂层3的表面3a的流速。具体地说，孔4的内壁部表面的镀铜液的流速是绝缘树脂层3的表面3a的流速的1.1～2.0倍左右。
这样，在孔4的内壁部表面上，通过使镀铜液的流速加快，使极接近孔4的内壁部表面的铜离子扩散层(镀铜液的铜离子浓度低的区域)比绝缘树脂层3的表面3a的铜离子扩散层薄，孔4的内壁部表面的电解淀积速度(电解淀积电流)变大。
这样，通过使开有孔4的基板1在铜的电镀浴中按箭头A所示圆形摇摆，如图2的局部放大剖面图所示，使形成于孔的内壁部表面和底部的铜层2的电解淀积层7a比绝缘树脂层3的表面的电解淀积层7b厚。
通过使基板1的孔4按箭头A所示圆形摇摆，使孔4内部的镀铜液产生涡流，从而也不会出现孔的底面端部产生电解淀积层薄的部分的现象。也就是说，不会发生现有的镀铜产生的如图24所示的电解淀积层薄的部分245d。
另外，绝缘树脂层3表面的电解淀积层7b在孔的上部如7b般鼓起，但根据需要也可以将该部分研磨平坦。
图3的剖面图具体例示了如上述形成的带孔的组合用基板1的尺寸。得到了下述尺寸的基板：绝缘树脂层3的厚度为80μm，铜层2的厚度t3为9μm，孔的间隔L1为500μm，孔的直径φ为50μm，形成于孔的内壁部表面和底部的铜层2的电解淀积层7a的厚度t2为10μm，绝缘树脂层3的表面的电解淀积层7b的厚度t1为8μm。
另外，得到了下述尺寸的基板：绝缘树脂层3的厚度为40μm，铜层2的厚度t3为5μm，孔的间隔L1为300μm，孔的直径φ为30μm，形成于孔的内壁部表面和底部的铜层2的电解淀积层7a的厚度t2为6μm，绝缘树脂层3的表面的电解淀积层7b的厚度t1为5μm。
这样，可形成比现有基板更微细化的组合基板，其层间电连接的可靠性评价结果是合格率为99％以上。现有的方法中，可靠性评价结果是合格率为80～90％。
下面，对如上形成的带孔的组合用基板，具体例示内壁部表面形成比绝缘树脂层表面的电解淀积层厚的电解淀积层的孔的配置。
图4所示的带孔的组合用基板在基板1以规定的间隔X1、X2设有多个孔，所述孔形成有绝缘树脂层表面的电解淀积层和内壁部表面的电解淀积层7a。这用作通用基板，在基板1上形成电路时，用设置的多个孔中形成电路必要的位置的孔，形成电路。
图5所示的带孔的组合用基板在基板1上仅在形成电路必需的位置形成孔，所述孔形成绝缘树脂层表面的电解淀积层7b和内壁部表面的电解淀积层。
实施例2
参照图6(a)～图6(c)说明本发明的实施例2。实施例2显示电解淀积层填满孔的带孔组合用基板。
如图6(a)的剖面图所示，基板1是层积铜层2和绝缘树脂层3的基板，铜层2为5μm的铜箔，绝缘树脂层3是40μm的FR4级的环氧系树脂。如图6(b)的剖面图所示，在基板1，用激光5在绝缘树脂层3上形成直到铜层2的孔4。
然后，对绝缘树脂层3的表面及孔4的内壁部表面进行表面钝化及粗糙化处理，之后进行无电解电镀或活化处理，使基板1上产生镀铜。
然后，将开有孔4的基板1在铜的电镀浴中进行圆形摇摆，进行电镀。如图6(c)的剖面图所示，用电解淀积层6a埋住孔4，在绝缘树脂层3表面形成电解淀积层6b。
铜的电镀如上述实施例1所述，是将基板1在铜的电镀浴中圆形摇摆而进行的，从而，使孔4内部产生铜的电镀液的涡流。使孔4的内壁部表面的镀铜液的流速大于绝缘树脂层3的表面3a的流速，使极接近孔4的内壁部表面的铜离子扩散层(镀铜液的铜离子浓度低的区域)比绝缘树脂层3的表面3a的铜离子扩散层薄，孔4的内壁部表面的电解淀积速度(电解淀积电流)变大。通过使基板1在铜的电镀浴中圆形摇摆，持续进行电镀，使电解淀积层6a填满孔4。
由该电解淀积层6a填满孔的带孔组合用基板其层间电连接更可靠，提高了电连接的可靠性。
另外，如图6(c)所示，绝缘树脂层3表面的电解淀积层6b在孔的上部如6b般鼓起，但根据需要也可以将该部分研磨平坦。
实施例3
参照图7(a)～图8(b)说明本发明的实施例3。
实施例3是在绝缘树脂层3形成通孔，利用圆形摇摆电镀在通孔的内壁部表面及绝缘树脂层的两面上形成电解淀积层来制造带孔组合用多层基板的实施例。
图7(a)～图7(c)是表示孔的形成及电镀工序的说明图，图8(a)、图8(b)是得到的基板的剖面图。
在图7(a)显示其剖面图的绝缘树脂层13上，如图7(b)的剖面图所示，用UV-YAG激光5，在绝缘树脂层13的所需位置上形成通孔14。然后，对绝缘树脂层13的上面13a及下面13b以及通孔14的内壁部表面进行表面钝化及粗糙化处理，之后进行无电解电镀或活化处理，使基板13上产生镀铜。
如图7(c)的立体图所示，铜的电镀是将开有通孔14的绝缘树脂层13在铜的电镀浴中沿箭头A所示进行圆形摇摆。通孔14也按箭头A所示进行圆形摇摆，从而，使通孔14内部的铜的电镀液产生涡流。通孔14内部的镀铜液由于涡流使通孔14的内壁部表面的镀铜液的流速大于绝缘树脂层13的上面13a及下面13b这两面的流速。具体地说，通孔14的内壁部表面的镀铜液的流速是绝缘树脂层13的上面13a及下面13b的流速的1.1～2.0倍左右。
这样，在通孔14的内壁部表面上，通过使镀铜液的流速加快，使极接近通孔14的内壁部表面的铜离子扩散层(镀铜液的铜离子浓度低的区域)比绝缘树脂层13的上面13a及下面13b的铜离子扩散层薄，通孔14的内壁部表面的电解淀积速度(电解淀积电流)变大。
这样，通过使开有通孔14的绝缘树脂层13在铜的电镀浴中按箭头A所示圆形摇摆，如图8(a)的剖面图所示，使镀铜17a电解淀积在绝缘树脂层13的通孔(孔)14的内壁部表面上，使镀铜17b电解淀积在上面13a上，使镀铜17c电解淀积在下面13b上。通孔14的内壁部表面的电解淀积层即镀铜17a比上面13a的镀铜17b和下面13b的镀铜17c厚。
另外，绝缘树脂层13上面13a的镀铜17b在通孔14的角部如17b般鼓起，下面13b的镀铜17c如17c般鼓起，但根据需要也可以将该部分研磨平坦。
图8(b)的剖面图具体例示了如上述形成的带孔的组合用基板的尺寸。
作为绝缘树脂层13采用厚度为50μm的相当于FR4的环氧树脂，形成孔的直径φ为50μm，孔的间隔L1为300μm的通孔，利用圆形摇摆电镀得到通孔内壁部表面的电解淀积层17a的厚度t2为8.2μm，上面的电解淀积层17b的厚度t1为7.6μm，下面的电解淀积层17c的厚度t1’为7.4μm的产品。
另外，作为绝缘树脂层13采用厚度为40μm的聚酰亚胺树脂，形成孔的直径φ为30μm，孔的间隔L1为200μm的通孔，利用圆形摇摆电镀得到通孔内壁部表面上的电解淀积层17a的厚度t2为6.1μm，上面的电解淀积层17b的厚度t1为5.6μm，下面的电解淀积层17c的厚度t1’为5.8μm的产品。
该通孔的内壁部表面上的电解淀积层17a形成得比上面13a的电解淀积层17b及下面13b的电解淀积层17c厚，而上面13a的电解淀积层17b和下面13b的电解淀积层17c的厚度大致相等，故不会因电镀应力而产生翘曲。
实施例4
参照图9(a)～图9(c)说明本发明的实施例4。实施例4显示电解淀积层填满通孔的带孔组合用多层基板。
在图9(a)显示其剖面图的绝缘树脂层13上，如图9(b)的剖面图所示，用UV-YAG激光5，在绝缘树脂层13的所需位置上形成通孔14。然后，对绝缘树脂层13的上面13a及下面13b以及通孔14的内壁部表面进行表面钝化及粗糙化处理，之后进行无电解电镀或活化处理，以可以进行铜的电镀。
然后，将开有通孔14的绝缘树脂层13在铜的电镀浴中圆形摇摆，进行电镀。如图9(c)的剖面图所示，用电解淀积层16a填充通孔14，在绝缘树脂层13的上面13a上形成电解淀积层16b，在下面13b上形成电解淀积层16c。
铜的电镀如上述实施例3所述，是将绝缘树脂层13在铜的电镀浴中圆形摇摆而进行的，从而，在通孔14内壁部表面上形成电解淀积层，通过圆形摇摆而持续进行电镀，用电解淀积层16a填满通孔14。
由该电解淀积层16a填满通孔14的带孔组合用基板，提高了电连接的可靠性。
实施例5
参照图10(a)～图10(c)说明本发明的实施例5。
实施例5显示电解淀积层填满通孔的带孔组合用多层基板的另一例。
如图10(a)的剖面图所示，用UV-YAG激光5，在聚酰亚胺薄膜(厚50μm)制的绝缘树脂层13的所需位置上形成孔径30μm的通孔14，对绝缘树脂层13的上面13a及下面13b以及通孔14的内壁部表面，用过锰酸钾类钝化液进行钝化处理和表面粗糙化处理。
然后，如图10(b)的剖面图所示，通过铜喷镀，在绝缘树脂层13的上面13a及下面13b以及通孔14的内壁部表面形成厚0.3μm的铜喷镀皮膜18，以可进行铜的电镀。
然后，将设有铜的喷镀皮膜18的绝缘树脂层13在铜的电镀浴中圆形摇摆，进行电镀。如图10(c)的剖面图所示，用电解淀积层16a填充通孔14，在绝缘树脂层13的上面13a上形成电解淀积层16b，在下面13b上形成电解淀积层16c。电解淀积层16b和电解淀积层16c厚度均为12μm。
另外，绝缘树脂层13上面13a的镀铜16b在通孔14的角部如16b般鼓起，下面13b的镀铜16c如16c’般鼓起，但根据需要也可以将该部分研磨平坦。
铜的电镀如上述实施例3所述，是将绝缘树脂层13在铜的电镀浴中圆形摇摆而进行的，从而，在通孔14内壁部表面上形成电解淀积层，通过圆形摇摆而持续进行电镀，从而用电解淀积层16a填满通孔14。
利用该方法，由铜喷镀电解淀积层16a填满通孔14的带孔组合用基板，提高了电连接的可靠性。
实施例6
参照图11(a)～图11(c)说明本发明的实施例6。
实施例6是显示电解淀积层填满通孔且与该填孔同时形成规定的铜电路的带孔组合用多层基板的例子。
如图11(a)的剖面图所示，用CO2激光5，在FR4级的环氧树脂(厚50μm)制的绝缘树脂层13的所需位置上形成孔径60μm的通孔14，对绝缘树脂层13的上面13a及下面13b以及通孔14的内壁部表面，用过锰酸钾类钝化液进行钝化处理和表面粗糙化处理，然后，进行无电解铜电镀(铜厚0.5μm)，以可进行铜的电镀。
然后，如图11(b)的剖面图所示，将厚度40μm的干膜19粘接在绝缘树脂层13的上面13a及下面13b的规定位置，形成铜电镀时的保护层。利用干膜19形成的保护层在形成规定的电路时，设在不形成铜制电路部的部位。
然后，将设有干膜19制保护层的绝缘树脂层13在铜的电镀浴中圆形摇摆，进行电镀。用电解淀积层16a填充通孔14，在绝缘树脂层13的上面13a上形成电解淀积层16b，在下面13b上形成电解淀积层16c，从而同时进行孔的填充及电路形成。电解淀积层16b和电解淀积层16c厚度均为30μm。
然后，利用通常的方法除去保护层，如图11c的剖面图所示，得到形成了所需电路的组合用多层基板。图中，标号20是除去保护层后的孔隙部，利用该孔隙部20形成电解淀积层16b相互间或16c相互间电隔离的铜电路。
另外，绝缘树脂层13上面13a的镀铜16b在通孔14的角部如16b’般鼓起，下面13b的镀铜16c如16c’般鼓起，但根据需要也可以将该部分研磨平坦。
铜的电镀如上述实施例3所述，是将绝缘树脂层13在铜的电镀浴中圆形摇摆而进行的，从而，在通孔14内壁部表面上形成电解淀积层，通过圆形摇摆而持续进行电镀，从而用电解淀积层16a填满通孔14。
利用该方法，由铜喷镀电解淀积层16a填满通孔14的带孔组合用基板，提高了电连接的可靠性。并且，由于可在填充通孔的同时形成规定的电路，故生产效率高。
如上所述，用电解淀积层填充绝缘树脂层的直到铜层的孔的实施例2、在绝缘树脂层的通孔形成电解淀积层的实施例3、用电解淀积层填充通孔的实施例4或实施例5的带孔组合用基板，与上述实施例1所述的同样，如图4所示按规定间隔设置多个通孔，用作通用基板，或如图5所示，仅在形成电路必需的位置形成通孔，用作特定电路的基板。
实施例7
参照图12(a)～图14说明本发明的实施例7。
图12(a)～图12(d)及图13(e)是表示通孔的形成及圆形摇摆电镀工序的说明图，图13(f)及图14是得到的基板的局部剖面图。
如图12(a)的剖面图所示，基件110接合在载体铜箔128上。基件110将极薄铜箔107利用热压层积在绝缘树脂层106的单面上。绝缘树脂层106是FR4级的环氧树脂，厚50μm，极薄铜箔107厚5μm，与绝缘树脂层106相接的面的铜箔107的粗糙面粗糙度为Rz＝2.5μm。对极薄铜箔107进行0.05～0.1μm左右的Co-Cu合金电镀109，作为改善激光加工性能的处理。
载体铜箔128的厚度为35μm，施加了0.01μm左右的剥离层127。
绝缘树脂层106的单面上具有极薄铜箔107、Co-Cu电镀合金109的基件110接合在设有剥离层127的载体铜箔128上，操作容易。
如图12(b)的剖面图所示，剥去载体铜箔，形成在绝缘树脂层106的单面上具有极薄铜箔107、Co-Cu电镀合金109的基件110。
然后，如图12(c)的剖面图所示，自施加了改善激光加工性能的Co-Cu电镀合金109的极薄铜箔107侧，用UV-YAG激光115，通过激光穿孔加工形成通孔113。
然后，进行腐蚀，如图12(d)的剖面图所示，形成厚2.2μm的极薄铜箔108。
然后，形成通孔113，对绝缘树脂层106单面上具有经腐蚀形成厚度为2.2μm的极薄铜箔108的基件，进行钝化处理、无电解电镀或活化处理，使基件110上可进行铜的电镀。
然后，如图13(e)的立体图所示，将形成通孔113并进行了钝化处理、无电解电镀或活化处理的基件110在铜的电镀浴中沿箭头A所示圆形摇摆，进行圆形摇摆电镀。通过使基件110沿箭头A所示圆形摇摆，基件110的通孔113也按箭头A所示进行圆形摇摆，从而，使通孔113内部的铜的电镀液产生涡流。通孔113内部的镀铜液由于涡流使通孔113的内壁部表面的镀铜液的流速大于极薄铜箔108及绝缘树脂层106的面的流速。具体地说，通孔113的内壁部表面的镀铜液的流速是绝缘树脂层106的表面的流速的1.1～2.0倍左右。
在通孔113的内壁部表面上，通过使镀铜液的流速加快，使极接近通孔113的内壁部表面的铜离子扩散层(镀铜液的铜离子浓度低的区域)比绝缘树脂层106的表面的铜离子扩散层薄，通孔113的内壁部表面的电解淀积速度(电解淀积电流)变大。
这样，通过使基件110在铜的电镀浴中按箭头A所示圆形摇摆，如图13(f)的剖面图所示，得到在极薄铜箔108的面上形成电解淀积层114a、在绝缘树脂层106的面上形成电解淀积层114b、在通孔113的内壁部表面上形成电解淀积层114c的带孔组合用多层基板101。
用图14所示的局部放大剖面图说明带孔组合用多层基板的具体尺寸。
通孔113的间隔L1为200μm，通孔113的直径φ为50μm，绝缘树脂层106的厚度为50μm，极薄铜箔108的厚度为2.2μm，通孔113内壁部表面的电解淀积层114c的厚度t3＝8.2μm，极薄铜箔108面上的电解淀积层114a的厚度t1为10.5μm，绝缘树脂层106面上的电解淀积层114b的厚度t2为7.4μm，铜层的剥离强度在极薄铜箔108侧为1.25kg/cm，在绝缘树脂层106侧为0.75kg/cm。
该带孔组合用多层基板的极薄铜箔108侧的铜层的剥离强度为0.9kg/cm以上，足以应付部件安装。另外，通孔113的内壁部表面电解淀积层114c形成得比绝缘树脂层106的电解淀积层114b厚，提高了微细化通孔113的层间电连接的可靠性。
实施例8
参照图15(a)～图15(d)、图16说明本发明的实施例8。
图15(a)～图15(c)是表示通孔的形成及圆形摇摆电镀工序的说明图，图15(d)及图16是得到的基板的剖面图。
图15(a)是显示基件120的剖面图，将极薄铜箔117利用热压层积在绝缘树脂层116的单面上。绝缘树脂层116是聚酰亚胺，厚40μm，极薄铜箔117厚5μm，与绝缘树脂层116相接的面的铜箔117的粗糙面粗糙度为Rz＝1.9μm。对极薄铜箔117进行0.05～0.1μm左右的Co-Cu合金电镀109，作为改善激光加工性能的处理。
基件120接合在施加了0.01μm左右的剥离层的厚度为35μm的载体铜箔上，是剥离了的基件。
然后，如图15(b)的剖面图所示，自施加了改善激光加工性能的Co-Cu电镀合金109的极薄铜箔117侧，用UV-YAG激光115，通过激光穿孔加工形成通孔113。
然后，对形成通孔113、绝缘树脂层116单面上具有极薄铜箔117的基件，进行钝化处理、无电解电镀或活化处理，使基件可进行铜的电镀。
然后，如图15(c)的立体图所示，将进行了钝化处理、无电解电镀或活化处理的基件120在铜的电镀浴中沿箭头A所示圆形摇摆，进行圆形摇摆电镀。通过使基件120沿箭头A所示圆形摇摆，基件120的通孔113也按箭头A所示进行圆形摇摆。从而，使通孔113内部的铜的电镀液产生涡流。通孔113内部的镀铜液由于涡流使通孔113的镀铜液的流速大于极薄铜箔117及绝缘树脂层116的面的流速。通过使通孔113的镀铜液的流速加快，使极接近通孔113的内壁部表面的铜离子扩散层(镀铜液的铜离子浓度低的区域)比绝缘树脂层116的表面的铜离子扩散层薄，通孔113的电解淀积速度(电解淀积电流)变大。
通过持续进行这种圆形摇摆电镀，如图15(d)的剖面图所示，得到由电解淀积层124c充填通孔113、在极薄铜箔117的面上形成电解淀积层124a、在绝缘树脂层116的面上形成电解淀积层124b的带孔组合用多层基板101。
用图16所放大显示的剖面图说明带孔组合用多层基板的具体尺寸。
通孔113的间隔L1为150μm，孔113的直径φ为30μm，绝缘树脂层116的厚度为50μm，极薄铜箔117的厚度为4.8μm，通孔113由电解淀积层124c充填，极薄铜箔117面上的电解淀积层124a的厚度t1为15.3μm，绝缘树脂层116面上的电解淀积层124b的厚度t2为12.8μm，铜层的剥离强度在极薄铜箔117侧为1.25kg/cm，在绝缘树脂层116侧为0.67kg/cm。该带孔组合用多层基板的极薄铜箔117侧的铜层的剥离强度为0.9kg/cm以上，足以应付部件安装。另外，通孔113由电解淀积层124c充填，提高了微细化通孔113的层间电连接的可靠性。
实施例9
参照图17(a)～图17(e)说明本发明的实施例9。
图17(a)～图17(c)是表示通孔的形成工序的剖面图，图17(d)是表示圆形摇摆电镀工序的立体图，图17(e)是得到的基板的剖面图。
图17(a)的剖面图表示基件130，将铜箔132利用热压层积在绝缘树脂层131的单面上。绝缘树脂层131是相当FR4的环氧树脂，厚50μm，铜箔132厚12μm，与绝缘树脂层131相接的面的铜箔132的粗糙面粗糙度为Rz＝2.5μm。对铜箔132进行0.05～0.1μm左右的Co-Cu合金电镀135，作为改善激光加工性能的处理。
如图17(b)的剖面图所示，自施加了改善激光加工性能的Co-Cu合金电镀135的铜箔132侧，用UV-YAG激光115，通过激光穿孔加工形成通孔113。
然后，进行腐蚀，如图17(c)的剖面图所示，形成厚2.8μm的极薄铜箔133。然后，对形成通孔113、绝缘树脂层131单面上具有经腐蚀形成厚度为2.8μm的极薄铜箔133的基件，进行钝化处理、无电解电镀或活化处理，使基件可进行铜的电镀。
然后，如图17(d)的立体图所示，将形成通孔113并进行了钝化处理、无电解电镀或活化处理的基件130在铜的电镀浴中沿箭头A所示圆形摇摆，与实施例7同样，进行圆形摇摆电镀，如图17(e)的剖面图所示，得到在极薄铜箔133的面上形成电解淀积层134a、在绝缘树脂层131的面上形成电解淀积层134b、在通孔113的内壁部表面上形成电解淀积层134c的带孔组合用多层基板。
该带孔组合用多层基板的通孔113的间隔L1为200μm，通孔113的直径φ为50μm，通孔113内壁部表面的电解淀积层134c的厚度为8.1μm，极薄铜箔133面上的电解淀积层134a的厚度t1为10.2μm，绝缘树脂层131面上的电解淀积层134b的厚度为7.5μm，铜层的剥离强度在极薄铜箔133侧为1.15kg/cm，在绝缘树脂层131侧为0.69kg/cm。极薄铜箔133侧的铜层的剥离强度为0.9kg/cm以上，足以应付部件安装。另外，通孔113的内壁部表面电解淀积层134c形成得比绝缘树脂层131的电解淀积层134b厚，提高了微细化通孔113的层间电连接的可靠性。
实施例10
参照图18(a)～图18(e)说明本发明的实施例10。
图18(a)～图18(c)是表示孔的形成工序的剖面图，图18(d)是表示圆形摇摆电镀工序的立体图，图18(e)是得到的基板的剖面图。
如图18(a)的剖面图所示，基件140接合在载体铜箔128上。基件140将极薄铜箔142利用热压层积在绝缘树脂层141的单面上。绝缘树脂层141是相当FR4的环氧树脂，厚50μm，极薄铜箔142厚5μm，与绝缘树脂层141相接的面的极薄铜箔142的粗糙面粗糙度为Rz＝2.7μm。
载体铜箔128的厚度为35μm，施加了0.01μm左右的剥离层127。
如图18(b)的剖面图所示，剥去载体铜箔，形成在绝缘树脂层141的单面上具有极薄铜箔142的基件140。
然后，如图18(c)的剖面图所示，自绝缘树脂层141侧，用UV-YAG激光115，通过激光穿孔加工形成直到极薄铜箔142的孔145。
然后，腐蚀极薄铜箔142，形成厚3.2μm的极薄铜箔142。然后，对形成孔145、绝缘树脂层141单面上具有经腐蚀形成厚度为3.2μm的极薄铜箔143的基件，进行钝化处理、无电解电镀或活化处理，使基件上可进行铜的电镀。
然后，如图18(d)的立体图所示，将形成孔145并进行了钝化处理、无电解电镀或活化处理的基件140在铜的电镀浴中沿箭头A所示圆形摇摆，进行圆形摇摆电镀。
通过使形成孔145的基件140在铜的电镀浴中沿箭头A所示圆形摇摆，孔145也按箭头A所示进行圆形摇摆，从而，使孔145内部的铜的电镀液产生涡流。孔145内部的镀铜液由于涡流使孔145的内壁部表面的镀铜液的流速大于绝缘树脂层141的面的流速。
这样，通过使基件140在铜的电镀浴中按箭头A所示圆形摇摆，如图18(e)的剖面图所示，形成电解淀积层144a～144c。
该带孔组合用多层基板的孔145的间隔L1为200μm，孔145的直径φ为50μm，孔145内壁部表面的电解淀积层144c的厚度为8.2μm，极薄铜箔143面上的电解淀积层144a的厚度为11.5μm，绝缘树脂层141面上的电解淀积层144b的厚度为7.4μm，铜层的剥离强度在极薄铜箔143侧为1.30kg/cm，在绝缘树脂层141侧为0.65kg/cm。极薄铜箔143侧的铜层的剥离强度为0.9kg/cm以上，足以应付部件安装。另外，孔145的内壁部表面电解淀积层144c形成得比绝缘树脂层141的电解淀积层144b厚，提高了孔145的层间电连接的可靠性。
实施例11
参照图19说明本发明的实施例11。
实施例11是在基件上形成直到极薄铜箔的孔并进行圆形摇摆电镀的实施例，所述基件的绝缘树脂层使用加有玻璃纤维的树脂，用热压将极薄铜箔层积在其单面上。
与上述实施例10同样，对剥去载体铜箔的绝缘树脂层单面上具有极薄铜箔的基件，自绝缘树脂层侧用UV-YAG激光进行穿孔加工，形成直到极薄铜箔的孔。然后，腐蚀5μm的极薄铜箔，形成厚2.9μm的极薄铜箔。接着，进行钝化处理、无电解电镀或活化处理，使基件上可进行铜的电镀。将该基板在铜的电镀浴中圆形摇摆，进行圆形摇摆电镀。
图19是进行了圆形摇摆电镀的带孔组合用多层基板的剖面图，绝缘树脂层151是相当FR4的环氧树脂，是加有玻璃纤维的树脂，其厚度为60μm，极薄铜箔153是腐蚀厚度5μm的极薄铜箔形成厚2.9μm的极薄铜箔。与绝缘树脂层151相接的面的极薄铜箔的粗糙面粗糙度为Rz＝2.4μm。通过圆形摇摆电镀形成电解淀积层154a～154d。
该带孔组合用多层基板的孔的间隔L1为200μm，孔145的直径φ为60μm，孔内壁部表面的电解淀积层154c的厚度为8.2μm，极薄铜箔153面上的电解淀积层154a的厚度为10.5μm，绝缘树脂层151面上的电解淀积层154b的厚度为7.4μm，铜层的剥离强度在极薄铜箔153侧为1.24kg/cm，在绝缘树脂层151侧为0.65kg/cm。极薄铜箔153侧的铜层的剥离强度为0.9kg/cm以上，足以应付部件安装。另外，孔的内壁部表面电解淀积层154c形成得比绝缘树脂层151的电解淀积层144b厚，提高了孔的层间电连接的可靠性。
作为绝缘树脂层151通过采用加有玻璃纤维的树脂，在利用激光穿孔加工形成孔的工序中不会产生翘曲和局部凹凸等变形。
实施例12
参照图20(a)～图20(c)说明本发明的实施例12。
实施例12表示在接合于载体铜箔上的状态下，在基件的绝缘树脂层形成直到极薄铜箔的孔的工序。
图20(a)～图20(c)是表示孔的形成的说明图。
如图20(a)的剖面图所示，基件140接合在载体铜箔128上。基件140将极薄铜箔142利用热压层积在绝缘树脂层141的单面上。另外载体铜箔128作为剥离层施加了0.01μm左右的铬酸盐光泽处理127。
如图20(b)的剖面图所示，在基件140接合于载体铜箔128的状态下，自基件的绝缘树脂层142侧，用UV-YAG激光115，通过激光穿孔加工形成直到极薄铜箔142的孔145。通过在基件140接合于载体铜箔128的状态下，自绝缘树脂层141侧进行激光穿孔加工，不会熔化极薄铜箔142。
在形成孔145后，如图20(c)的剖面图所示，将基件140自载体铜箔128剥离，与上述实施例10及11同样，对基件进行钝化处理、无电解电镀或活化处理，使基件上可进行铜的电镀，在铜的电镀浴中圆形摇摆，进行圆形摇摆电镀，在孔145上形成电解淀积层，制造带孔组合用多层基板。
下面，举例说明上述实施例7～12形成的带孔组合用基板的形成电解淀积层的孔的配置。
图4所示的带孔组合用基板101形成电解淀积层的通孔113或直到极薄铜箔的孔145以规定的间隔X1、X2设置有多个。这用作通用基板，在于基板101上形成电路时，用多个设置的孔113、145中电路形成所必需的位置的孔，形成电路。
图5所示的带孔组合用基板101仅在形成电路所必需的位置形成形成有电解淀积层的通孔113或直到极薄铜箔的孔145，是作为特定电路的基板制造的。
如上所述，根据本发明，通过在由绝缘树脂层和单面铜层构成且形成直到铜层的孔的基板上，利用圆形摇摆电镀形成电解淀积层，可高速且容易地对比现有技术微小的孔进行高可靠性的电镀，且具有微细化的层间电连接的可靠性高的效果。
根据本发明，通过在绝缘树脂层形成有通孔的基板上利用圆形摇摆电镀形成电解淀积层，与单面设置铜箔层的基板比，可在绝缘树脂层的上面及下面均形成薄的电解淀积层，另外，由于形成上面及下面几乎相同厚度的电解淀积层，故不会出现因电镀应力使基板翘曲的现象，可容易地对比现有技术更微小的孔进行高速且可靠性高的电镀，可实现提高微细化的层间电连接的可靠性的效果。
根据本发明，在绝缘树脂层的单面上具有极薄铜箔的基件上形成通孔，利用圆形摇摆电镀在极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及通孔的内壁部表面上形成电解淀积层，绝缘树脂层和单面的极薄铜箔的剥离强度提高到足以应付部件安装的强度，具有微细化通孔的层间电连接的可靠性高的效果。
在绝缘树脂层形成有直到极薄铜箔的孔的基件上，利用圆形摇摆电镀在极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及通孔的内壁部表面上形成电解淀积层，绝缘树脂层和单面的极薄铜箔的剥离强度提高到足以应付部件安装的强度，具有层间电连接的可靠性高的效果。

Claims (25)

1、一种带孔的组合用多层基板，在由绝缘树脂层和根据需要设置在所述绝缘树脂层单面或两面上的铜层或极薄铜箔构成且在所述绝缘树脂层上形成有规定的孔的基板上，利用圆形摇摆电镀形成的电解淀积层形成于所述孔的内壁部表面及绝缘树脂层的规定表面上，其特征在于，所述孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层的所述表面的电解淀积层厚。
2、如权利要求1所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，在由绝缘树脂层和单面铜层构成且在该绝缘树脂层上形成有直到单面的铜层的孔的基板上，利用圆形摇摆电镀形成的电解淀积层形成于所述孔的内壁部表面及未设铜层的绝缘树脂层表面上，孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层表面的电解淀积层厚。
3、如权利要求2所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，形成于绝缘树脂层的孔内壁部表面的电解淀积层填满绝缘树脂层的孔。
4、如权利要求2所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，内壁部表面上形成有电解淀积层的绝缘树脂层的孔在多层基板上以规定的间隔形成多个。
5、如权利要求2所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，内壁部表面上形成有电解淀积层的绝缘树脂层的孔在多层基板的电路形成位置上形成多个。
6、如权利要求1所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，在绝缘树脂层上形成有贯通的孔的基板上，利用圆形摇摆电镀形成的电解淀积层形成于所述孔的内壁部表面及绝缘树脂层的两面上，孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层两面的电解淀积层厚。
7、如权利要求6所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，形成于绝缘树脂层的孔内壁部表面的电解淀积层填满绝缘树脂层的孔。
8、如权利要求6所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，内壁部表面上形成有电解淀积层的绝缘树脂层的孔在多层基板上以规定的间隔形成多个。
9、如权利要求6所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，内壁部表面上形成有电解淀积层的绝缘树脂层的孔在多层基板的电路形成位置上形成多个。
10、如权利要求1所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，在绝缘树脂层的单面上具有极薄铜箔且形成通孔的基件上，利用圆形摇摆电镀，在极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及通孔的内壁部表面上形成电解淀积层，通孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
11、如权利要求10所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，形成于通孔内壁部表面的电解淀积层填满所述通孔。
12、如权利要求10所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，绝缘树脂层的单面的极薄铜箔厚度为1～5μm。
13、如权利要求1所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，在绝缘树脂层的单面上具有极薄铜箔且在绝缘树脂层上形成直到极薄铜箔的孔的基件上，利用圆形摇摆电镀，在极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及孔的内壁部表面上形成电解淀积层，孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
14、如权利要求13所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，形成于绝缘树脂层上直到极薄铜箔的孔的内壁部表面的电解淀积层填满孔。
15、如权利要求13所述的带孔的组合用多层基板，其特征在于，绝缘树脂层的单面的极薄铜箔的厚度为1～5μm。
16、一种带孔的组合用多层基板的制造方法，其特征在于，包括：
利用激光在由绝缘树脂层和根据需要设置在所述绝缘树脂层单面或两面上的铜层或极薄铜箔构成的基板上，形成规定的孔的工序；
在形成所述孔的基板上进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
电镀工序，使所述基板在电镀浴中圆形摇摆，在孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀，在孔的内壁部表面及绝缘树脂层的规定表面上形成电解淀积层；
由此，使所述孔的内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层的所述表面的电解淀积层厚。
17、如权利要求16所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，其特征在于，包括：
利用激光在由绝缘树脂层和单面铜层构成的基板的绝缘树脂层上，形成直到单面铜层的孔的工序；
在形成所述孔的基板上进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
电镀工序，使所述基板在电镀浴中圆形摇摆，在孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀，在孔的内壁部表面及绝缘树脂层的未设铜层的表面形成电解淀积层；
由此，使孔的内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层的未设铜层的表面的电解淀积层厚。
18、如权利要求17所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，其特征在于，在电镀浴中圆形摇摆，在孔内部产生涡流的电镀工序中孔内部的电镀液的流速大于绝缘树脂层表面的流速。
19、如权利要求16所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，其特征在于，包括：
利用激光在绝缘树脂层上形成贯通的孔的工序；
在形成所述孔的基板上进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
电镀工序，使所述基板在电镀浴中圆形摇摆，在孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀，在孔的内壁部表面及绝缘树脂层的两面上形成电解淀积层；
由此，使孔的内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层的两面的电解淀积层厚。
20、如权利要求19所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，其特征在于，在电镀浴中圆形摇摆，在孔内部产生涡流的电镀工序中孔内部的电镀液的流速大于绝缘树脂层表面的流速。
21、如权利要求16所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，其特征在于，包括：
对绝缘树脂层单面上具有极薄铜箔的基件的极薄铜箔进行提高激光加工性的处理，从所述极薄铜箔侧利用激光穿孔加工形成通孔的工序；
在形成所述通孔的基件上进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
圆形摇摆电镀工序，使所述基件在电镀浴中圆形摇摆，在通孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀；
在所述基件的极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及通孔的内壁部表面形成电解淀积层，使通孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
22、如权利要求16所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，其特征在于，绝缘树脂层单面上具有极薄铜箔的基件是对极薄铜箔进行了提高激光加工性的处理并接合在载体铜箔上的基件，该制造方法包括：将所述基件自载体铜箔剥离，由所述基件的进行了提高激光加工性的处理的极薄铜箔侧利用激光穿孔加工形成通孔的工序；
在形成所述通孔的基件上进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
圆形摇摆电镀工序，使所述基件在电镀浴中圆形摇摆，在通孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀；
在基件的极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及通孔的内壁部表面形成电解淀积层，使通孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
23、如权利要求16所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，其特征在于，包括：
对绝缘树脂层单面上具有铜箔的基件的铜箔进行提高激光加工性的处理，由所述铜箔侧利用激光穿孔加工形成通孔的工序；
通过腐蚀将形成所述通孔的基件的铜箔加工成极薄铜箔的工序；
在所述基件上进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
圆形摇摆电镀工序，使所述基件在电镀浴中圆形摇摆，在通孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀；
在所述基件的极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及通孔的内壁部表面形成电解淀积层，使通孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
24、如权利要求16所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，其特征在于，包括：
自绝缘树脂层单面上具有极薄铜箔的基件的绝缘树脂层侧进行激光穿孔加工，在绝缘树脂层上形成直到极薄铜箔的孔的工序；
对在绝缘树脂层上形成直到所述极薄铜箔的孔的基件进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
圆形摇摆电镀工序，使所述基件在电镀浴中圆形摇摆，在直到极薄铜箔的绝缘树脂层的孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀；
在基件的极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及孔的内壁部表面形成电解淀积层，使孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
25、如权利要求16所述的带孔的组合用多层基板的制造方法，其特征在于，绝缘树脂层单面上具有极薄铜箔的基件是接合在载体铜箔上的基件，该制造方法包括：在将基件接合于载体铜箔上的状态下，自基件的绝缘树脂层侧进行激光穿孔加工，在绝缘树脂层上形成直到极薄铜箔的孔的工序；
将在绝缘树脂层上形成直到极薄铜箔的孔的基件自载体铜箔剥离，并进行无电解电镀、铜喷镀或活化处理的工序；
圆形摇摆电镀工序，使所述基件在电镀浴中圆形摇摆，在直到极薄铜箔的绝缘树脂层的孔内部产生电镀液的涡流，进行电镀；
在基件的极薄铜箔面及绝缘树脂层面以及孔的内壁部表面形成电解淀积层，使孔内壁部表面的电解淀积层比绝缘树脂层面的电解淀积层厚。
CN02105395A 2001-02-28 2002-02-28 带孔的组合用多层基板及其制造方法 Pending CN1374827A (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55476/01 2001-02-28
JP2001055476 2001-02-28
JP2001155501 2001-05-24
JP155501/01 2001-05-24
JP024817/02 2002-01-31
JP2002024817A JP2003046250A (ja) 2001-02-28 2002-01-31 ビア付きビルドアップ用多層基板及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1374827A true CN1374827A (zh) 2002-10-16

Family

ID=27346129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN02105395A Pending CN1374827A (zh) 2001-02-28 2002-02-28 带孔的组合用多层基板及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20020170827A1 (zh)
JP (1) JP2003046250A (zh)
CN (1) CN1374827A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100466881C (zh) * 2002-11-26 2009-03-04 古河电路铜箔株式会社 附带电阻层的铜箔及附带电阻层的电路基板材料
CN112203440A (zh) * 2019-07-08 2021-01-08 相互股份有限公司 电路板中的导通孔结构及其制造方法
CN112470554A (zh) * 2018-10-22 2021-03-09 东洋纺株式会社 器件连接体的制造方法及器件连接体

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6905589B2 (en) * 2003-02-24 2005-06-14 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Circuitized substrate and method of making same
JP3655915B2 (ja) * 2003-09-08 2005-06-02 Ｆｃｍ株式会社 導電性シートおよびそれを含む製品
JP2005150263A (ja) * 2003-11-13 2005-06-09 Nitto Denko Corp 両面配線回路基板
US7270845B2 (en) * 2004-03-31 2007-09-18 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Dielectric composition for forming dielectric layer for use in circuitized substrates
US7145221B2 (en) * 2004-03-31 2006-12-05 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Low moisture absorptive circuitized substrate, method of making same, electrical assembly utilizing same, and information handling system utilizing same
US7078816B2 (en) * 2004-03-31 2006-07-18 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Circuitized substrate
JP4828361B2 (ja) 2006-09-15 2011-11-30 株式会社フジクラ 電気接点への半田上がり防止方法及び該防止方法を用いた電気接点
JP4975581B2 (ja) * 2007-10-11 2012-07-11 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
KR101034089B1 (ko) * 2008-10-21 2011-05-13 엘지이노텍 주식회사 배선 기판 및 그 제조 방법
KR101124784B1 (ko) * 2011-03-03 2012-03-23 엘지이노텍 주식회사 배선 기판 및 그 제조 방법
RU2468548C1 (ru) * 2011-10-11 2012-11-27 Леонид Геннадьевич Менчиков Способ лазерного осаждения меди из раствора электролита на поверхность диэлектрика
RU2466515C1 (ru) * 2011-10-11 2012-11-10 Леонид Геннадьевич Менчиков Способ лазерного осаждения меди на поверхность диэлектрика
KR101753225B1 (ko) 2015-06-02 2017-07-19 에더트로닉스코리아 (주) Ｌｄｓ 공법을 이용한 적층 회로 제작 방법
CN109312449B (zh) 2016-06-07 2022-04-12 Ｊｘ金属株式会社 溅射靶及其制造方法
KR102327991B1 (ko) * 2016-12-16 2021-11-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치의 제조방법
JP6943681B2 (ja) * 2017-08-24 2021-10-06 住友電気工業株式会社 プリント配線板
TWI711355B (zh) * 2019-12-10 2020-11-21 欣興電子股份有限公司 電路板及其製造方法
CN114501805B (zh) * 2021-12-08 2024-02-02 江苏普诺威电子股份有限公司 整体金属化封边麦克风载板的制作工艺

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5638598A (en) * 1993-06-17 1997-06-17 Hitachi Chemical Company, Ltd. Process for producing a printed wiring board
US6123825A (en) * 1998-12-02 2000-09-26 International Business Machines Corporation Electromigration-resistant copper microstructure and process of making
US6121150A (en) * 1999-04-22 2000-09-19 Advanced Micro Devices, Inc. Sputter-resistant hardmask for damascene trench/via formation
JP2001007469A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Sony Corp プリント配線板およびプリント配線板の製造方法
US6515237B2 (en) * 2000-11-24 2003-02-04 Hitachi Chemical Company, Ltd. Through-hole wiring board

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100466881C (zh) * 2002-11-26 2009-03-04 古河电路铜箔株式会社 附带电阻层的铜箔及附带电阻层的电路基板材料
US7794578B2 (en) 2002-11-26 2010-09-14 The Furukawa Electric Co., Ltd. Method for preparing a circuit board material having a conductive base and a resistance layer
CN112470554A (zh) * 2018-10-22 2021-03-09 东洋纺株式会社 器件连接体的制造方法及器件连接体
CN112470554B (zh) * 2018-10-22 2024-03-22 东洋纺株式会社 器件连接体的制造方法及器件连接体
CN112203440A (zh) * 2019-07-08 2021-01-08 相互股份有限公司 电路板中的导通孔结构及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003046250A (ja) 2003-02-14
US20020170827A1 (en) 2002-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1374827A (zh) 带孔的组合用多层基板及其制造方法
CN1258307C (zh) 可挠刚性印刷电路板及其制造方法
CN1765161A (zh) 刚挠性电路板
CN1227957C (zh) 电路装置的制造方法及电路装置
CN1231103C (zh) 柔性布线基板的制造方法
CN100336426C (zh) 多层印刷电路板以及多层印刷电路板的制造方法
CN1198488C (zh) 经表面加工的电沉积铜箔及其制造方法和用途
CN1440232A (zh) 布线膜间连接件及其制造方法以及多层布线基板制造方法
CN1498749A (zh) 带载体的极薄铜箔及其制造方法以及印刷配线基板
CN1288947C (zh) 多层布线基片及其制造方法
CN1260750C (zh) 固体电解电容器及其制造方法
CN1290599C (zh) 用于氢气制造用过滤器的薄膜支持基板及氢气制造用过滤器制造方法
CN1873935A (zh) 配线基板的制造方法及半导体器件的制造方法
CN1882224A (zh) 配线基板及其制造方法
CN1617651A (zh) 金属层的树脂层的形成方法、印刷线路板及其制造方法
CN1949500A (zh) 配线板、半导体器件及制造配线板和半导体器件的方法
CN1335419A (zh) 使用电镀液的振动流动与脉冲状电镀电流组合的电镀方法
CN1674269A (zh) 多层布线基板制造用层间构件及其制造方法
CN1318274A (zh) 多层叠合电路板
CN1051197C (zh) 电路板的制造方法及其制成的电路板
CN1655663A (zh) 超声波发生装置
CN101055857A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1620221A (zh) 带载体的极薄铜箔以及使用带载体的极薄铜箔的电路板
CN1454045A (zh) 布线转印片材及其制造方法、以及布线基板及其制造方法
CN1764344A (zh) 布线电路板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication