CN1327467C - 熔断器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种熔断器件(10)，其包括具有一个顶表面的电绝缘基底(12)，加到该顶表面上的一个厚膜熔线元件(14)，和直接加到厚膜熔线元件(14)该顶表面的邻接区上的、由具有良好的导热性的电绝缘材料制成的盖层(18)。盖层(18)优选地含有热导率＞2W/mK的玻璃。盖层(18)优选地具有设置在烷线元件(14)的截面的上方的一个窗口(20)，位于窗口(20)内的熔线元件(20)的该截面至少部分地被一个包含焊料的层(22)所覆盖。
Description
本发明涉及熔断器件，其中将厚膜可熔导体施加在电绝缘衬底的上表面，本发明还涉及制造这种熔断器件的方法。
在一系列的出版物中，上文所提及的这种类型的熔断器件已经在现有技术中公开了。将WO 96/41359 A1中所描述的SMD设备的熔线作为例子来做参考。金属的厚膜可熔导体在绝缘衬底的矩形表面上且在两个连接表面之间形成，其中所述绝缘衬底例如由Al2O3组成。所述连接表面在衬底表面的相对边缘上形成，并且由多个金属层组成，并且是为了具有钎焊层的SMD设备而设置。将由层构成的点设置在可熔导体的中央部位上，其中所述层包含锡/铅，且所述可熔导体施加在衬底表面上。如此设计该结构，以致对于在预定最小持续时间内的预定电流流动时，可熔导体以及设置在其上的点升温到足以使该点材料***或使其熔化到这样的程度，即锡/铅金属扩散入设置在其下方的可熔导体的金属中的程度。这局部地增加了其电阻，导致了电压降的增加，局部功率损失的增加，进一步升温，且最终导致可熔导体材料的熔化和/或汽化。产生所述可熔导体熔断方式的电流要小于在没有应用锡/铅点的情况下熔化可熔导体所必需的电流。然而，作为上述内容的结果，在熔断(跳闸)以前，必需经过耗时的过程，即相当长的电流流动时间；熔断器件是非常“反应缓慢的”。
另一方面，US-A-5166656号美国专利说明书中公开了一种用于保护电路的动作非常迅速的SMD熔断器，其中将具有0.6到4.5μm厚度的金属薄膜可熔导体设置在玻璃衬底上，并且利用CVD SiO2或盖印的玻璃的钝化层来进将其覆盖，然后，利用粘和层(环氧化物)将第二层玻璃板固定在其上。
例如在电信设备中，需要小尺寸的慢动作熔断器，特别用来保护与长的传输线路相耦合的输入电路或接口电路。这些传输线路经常遭受电场及磁场的影响，所述影响是由闪电光弧(lightening strike)以及在附近延伸的高压电缆所产生的。在其他方面中，这些影响可以造成电信信号传输线路上的短暂的具有高峰值的电流/电压脉冲，这有可能会毁坏与它们相连的设备，特别是它们的输入电路。设备的输入连接通过防止过压以及借助于可熔保护器件防止过量电流，来由此得以保护。这些电信设备或它们的熔断器件服从复杂的必要条件，这些必要条件在一系列具体测试中进行了规定的。一方面，“电信”熔断器件应该在预定的最大电流流动周期内、在预定大小的电流值(例如，在1.5秒内以40A，或在5秒内以7A)处可靠地跳闸(也就是说，即使借由电弧也不再使电流能够流动)。此外，熔断器件应该缓慢地进行动作，也就是说如果稍微超出它们的最大允许电流值，那么它们在电流流动了相对长的持续时间之后再进行跳闸(熔断)。最后，它们应该能够承受得住短暂的(在毫秒范围中)等于100A的相对大的电流值(这种电流值例如当发生过压脉冲时产生，所述过压通过具有低内阻的过压保护器件来消散在地中，借此，所产生的电流流经熔线元件)，而不发生跳闸。例如在“UL 1950”、“FCC Part 68”以及“Bellcore 1089”测试中规定了具有“电信”熔断器件的设备上的必要条件。
本发明的一个目的在于提供一种熔断器件，其能够以较小的结构尺寸以及低的制造成本满足上文提及的必要条件，并且所述熔断器件可进一步以SMD组件的形式来构造。
该目的可通过本发明所提出的熔断器件、以及熔断器件制造方法来解决。
依照本发明的熔断器件包括具有上表面的电绝缘衬底，施加在衬底表面的厚膜可熔导体，以及直接施加在厚膜可熔导体以及衬底表面邻接区域的、由导热性良好的电绝缘材料构成的覆盖层，覆盖层材料的热导率大于2W/mK。采用该结构，能够以易于制造(即具有少数层的简单结构)的方式改善熔断器件对非常短暂地流过的高电流的电阻性。所述覆盖层具有许多补充效果：它能够使可熔导体的表面稳定，它担当短暂的热量缓冲(或热量消耗及储存)，并且在跳闸期间以及之后，它可以抑制电弧的产生和保持。
与导体材料(诸如金属)相比，电绝缘体通常具有不良的导热性。因此，在本发明上下文中的术语“良好的导热性”应该理解为在电绝缘体的平均水平之上的导热性。覆盖层材料的热导率最好是大于4W/mK。所述覆盖层是例如通过在丝网印刷工艺中应用的粘和层、经由回火来产生的，所述粘和层包含以下具有良好导热性的物质组中的至少一种物质的粒子：玻璃、氧化铝、氮化铝以及氮化硅。在另一个优选示例性实施例中，所述覆盖层是包含玻璃的焙烧的厚层，所述焙烧的厚层通过将玻璃粉以700℃到900℃之间的温度、最好是850℃的温度进行回火来产生。所述覆盖层适合具有例如为10μm-100μm的相对厚度，最好为20μm-40μm厚。
所述衬底最好是具有良好导热性的陶瓷衬底，例如是陶瓷Al2O3衬底。
在优选实施例中，所述衬底具有伸长的、基本上成矩形的上表面，所述厚膜可熔导体在设置于表面窄侧上的两个连接表面之间延伸，所述连接表面没有由覆盖层覆盖。所述表面例如具有1mm到4mm之间的宽度，并且具有6mm到15mm之间的长度。
所述厚膜可熔导体在连接表面间具有0.1mm到1.5mm之间的宽度。
厚膜熔断器件的这种较小的衬底尺寸允许相对大的宽度(最好结合相对大的层的厚度)，允许可熔导体的相对大的横截面积，并且由此允许高的电流容量，这(以及依照本发明的覆盖层)抑制了在高振幅的短暂电流脉冲下发生熔断。
在所述熔断器件的优选实施例中，所述厚膜可熔导体在连接表面间、至少在中央部位中，以蜿蜒的形状(即，在相反方向上弯曲)延伸。由此能够增加可熔导体的长度，所述可熔导体具有相对大的横截面积，具有较小尺寸的衬底表面。依照该尺寸的可能性，不同的额定电流可以利用近似相同的瞬时脉冲电阻来获得。
在依照本发明的熔线元件的优选实施例中，所述覆盖层至少具有一个窗口，所述窗口位于可熔导体部位的上面。在该窗口中设置的可熔导体部位至少部分地由包含一种物质的层来覆盖，所述物质在升温时能够作用于设置在其下的可熔导体，如此来增加可熔导体部位的电阻。所述窗口可以是任何想要的形状，但是当通过丝网印刷工艺来产生所述层时，该窗口最好是接近矩形的形状，并且边缘以丝网印刷方向排列。所述窗口可以独自在可熔导体层上形成，或者可以非常宽以至于使与可熔导体相邻的衬底表面区域也被暴露。在所述窗口中施加的层的物质，例如可以是金属，所述金属可扩散入可熔导体中。例如，所述可熔导体包含银并且所述物质包含铅和/或锡。如此设计该结构，以便如果出现对可熔导体以及施加在其上的层进行升温时发生预定电流在预定最小持续时间中流动，这足以允许层中的物质来担当设置在其下方的可熔导体。这样局部升温其电阻，可导致压降的增加、局部功率损失的增加，进一步升温并且最终导致可熔导体材料的融化和/或汽化。在熔断可熔导体的过程中，导致所述方式的电流强度小于在没有于窗口中施加所述层的情况下、熔化可熔导体所必需的电流强度。然而，作为前述内容的结果，在熔断(跳闸)发生之前，必然存在耗时的过程、即相当长时间的电流流动；所述熔线熔断器件的反应变得更加缓慢。
包含金属的层最好具有良好的导热性。这提供了迅速散热的可能，所述热量是在该层下方的可熔导体中作为瞬时电流脉冲的结果而产生的。由此，该层采用了未在窗口施加的覆盖层的功能。位于所述窗口内的可熔导体的整个部位最好由所述层来覆盖，以便整个可熔导体或者由散热的覆盖层来覆盖，或者由在窗口中施加的层来覆盖。此外，所述层可以进一步与该窗口的边缘重叠，以便补偿技术决定的公差。
在一个示例性实施例中，所述厚膜可熔导体在衬底的表面上、在连接表面之间且至少在中央部位，以蜿蜒形状进行延伸，所述蜿蜒形状具有交互直线部位以及弧形部位。覆盖层中的窗口位于可熔导体的回路的弧形部位以及两个相邻直线部位的一部分的上面，并且所述可熔导体的至少弧形部位由包含所述物质的层覆盖。在于窗口中(没有由覆盖层覆盖)暴露了蜿蜒的可熔导体部位的该示例性实施例中，至少具有局部最高电流密度(即电弧)的部分是由施加在窗口中的所述层(例如，焊料层)来覆盖的。
熔线熔断器件的一个优选实施例的特征在于，在所述覆盖层的上面施加了保护性塑料层。这最好由自淬塑料材料构成，例如由自淬环氧树脂构成。
在依照本发明的用于制造熔断器件的方法中，将厚膜可熔导体设置在电绝缘衬底的上表面。将具有良好导热性的电绝缘材料的覆盖层直接施加在厚膜可熔导体以及衬底表面的邻接区域上。覆盖层材料的热导率大于2W/mK。
为了设置厚膜可熔导体，最好在丝网印刷工艺中盖印粘和层。将由此形成的该层进行回火。最好至少重复一次这些施加步骤，以便增加所述层的厚度。由此能够产生相对厚的可熔导体，这容许了高电流容量，导致了改善的脉冲电阻(参见上文的解释)。为了施加覆盖层，在丝网印刷工艺中最好还盖印粘和层，并且随后对由此形成的层进行回火(焙烧)。所述粘和层最好是玻璃粉，所述玻璃粉在盖印后，以700℃到950℃之间的温度、最好是850℃的温度进行回火。
在优选实施例中，如此盖印所述覆盖层，以便在可熔导体部位上、在覆盖层中形成至少一个窗口。在所述窗口中、至少在可熔导体部位的一部分上施加层，所述层包含一种物质，当升温所述物质时，该物质可以作用于该层下方的可熔导体，如此增加可熔导体部位的电阻。在优选实施例中，在所述窗口中盖印焊料包含层，然后进行短暂地熔化。具有70μm至130μm厚度的焊料层最好借助于模板进行盖印。该相对厚的焊料层产生了良好的局部热吸收缓冲，并且产生了扩散入可熔导体金属过剩。
通过下面的描述，本发明的优点以及优选实施例将变得更加清楚。
将在下文参照在附图中举例说明的优选实施例来更加详细的描述本发明，其中：
图1是依照本发明的切除部分覆盖层的熔断器件的第一个实施例的平面示意图；
图1a是图1的熔断器件沿线A-A的截面图；
图1b是图1的熔断器件沿线B-B的截面图；
图2a-2d是其上施加有层的衬底的示意图，所述示意图举例说明了制造图1所示的熔断器件中的方法步骤；以及
图3a-3d是其上施加有层的衬底的示意图，所述示意图举例说明制造依照本发明的可代替实施例的熔断器件的方法步骤。
图1是依照本发明的熔断器件10的平面示意图，为了能够直观显示的原因，将上层部分地切除了。图1a和1b是图1中所示的熔断器件10的截面图，所述截面分别位于线A-A以及B-B上。在衬底12上产生熔断器件10。在优选实施例中，所述衬底由具有0.5mm到0.7mm之间厚度的Al2O3陶瓷组成，例如具有0.63mm的厚度。在图1中举例说明的优选示例性实施例的衬底12大约10mm长、2.5mm宽。所举例说明的衬底芯片最好从很大的衬底硅片中切割下来，借此以可以在衬底硅片上同时制造行和列排列的多个熔断器件芯片。
在图1中所示的衬底12的上表面上，设置了厚膜可熔导体14。可熔导体14包括通过丝网印刷以及焙烧而施加的一层邻接银粒子，并且最好具有大约20μm的厚度。这种厚度例如可通过连续盖印两层厚度均为10μm的层来产生，借此在盖印第一层之后，并在盖印第二层之前，首先对其进行烧结。厚膜可熔导体14具有蜿蜒的形状，在蜿蜒区域中可熔导体的宽度大约为0.2mm。在邻近衬底12的窄侧，可熔导体14邻接接触表面16。接触表面16也可由可熔导体14的膜产生，和/或由其他膜来产生。接触表面16在衬垫的外边界周围延伸，除了衬底12的下侧(图1中未示出)以外。接触表面16最好包括具有随后施加的焊料层的电产生层***。
在可熔导体14以及邻近衬底12上表面的暴露区域上，施加覆盖层18。在图1所示的示例性实施例中，覆盖层18几乎覆盖衬底12的整个表面，除了接触表面16以及窗口20(下文中将更加详细的描述)。覆盖层18最好借助于丝网印刷工艺来产生，其中盖印玻璃粉并且随后回火(焙烧)，以便产生例如大约为20μm厚度的覆盖层。如此选择玻璃粉成份，以便形成具有相对良好的导热性的层。在图1举例说明的示例性实施例中，覆盖层不延伸到衬底12的纵向一侧，以便在具有多个以行和列排列的芯片的衬底硅片上，在覆盖层18以外的芯片之间保留窄条。这些窄条可用于对芯片边界进行光学掩盖并且方便分离。此外，从芯片之间的分离区域开始的覆盖层的间距防止了分离工艺(例如，锯或划/裂化)对覆盖层18产生副作用。
如上所述，覆盖层18具有窗口20。将窗口20如此设置以便使蜿蜒的可熔导体的回路暴露于该窗口中，所述回路包括可熔导体的曲线部位以及与该曲线部位相连的直线部位。窗口20最好设置在熔断器件10的大致中间位置。利用蜿蜒的可熔导体14的近似对称结构，在熔断器件10的中央产生强热区域。在窗口20中，于暴露在该窗口中的可熔导体部位的曲线部位上施加层22，所述层22是通过借助于印刷模板来盖印包含焊料的粘和层而生成的，并且随后进行升温直到焊料成份短暂熔化。在模板中盖印的焊料包含层例如具有大约100μm的厚度。在短暂的熔化之后，经过冷却工艺，作为熔铸材料的表面张力的结果而产生永久的滴下成形的结构，例如在图1a中所示出的。在层22中包含的焊接材料例如是锡/铅合金。除了锡和铅之外，在所述合金中也可以包含其他金属。在图1所示的示例性实施例中，窗口20在衬底12的纵向上延伸1mm，且具有大约1.5mm宽。在所述窗口中施加的层大约0.7mm宽，并基本上在该窗口的整个长度之上延伸。
包括可熔导体14、覆盖层18以及在窗口20中施加的层22的整个结构由保护层24覆盖。然而，保护层24留下接触表面16被暴露。保护层24适宜由环氧树脂构成，最好是自淬环氧树脂。利用上文所提及的衬底、在其上施加的层的上文所提及的厚度，以及小于1mm的保护层的厚度，由此产生的熔断器件10的总厚度保持在2mm以下，从而使该器件满足小型PCI外形系数的要求。
图1中示出的蜿蜒的厚膜可熔导体14具有相对大的宽度以及相对高的厚度，以便为改善脉冲电阻提供足够的电流容量。蜿蜒的形状允许在衬底12上产生相对长的长度的可熔导体电阻。可以通过使电阻长度不同来设计具有不同额定电流的熔线元件10。在优选实施例中，举例来说，对于额定电流为1.5A，熔线元件具有大约90mΩ的电阻，而对于额定电流为2A，则具有60mΩ的电阻。
在图2a至2d中，示出了其上施加有层的熔线元件10的衬底12的不同视图，以便示出在制造熔线元件过程中各个层的施加顺序。
在随后对制造参考图1描述的熔断器件的说明中，对图2a至2b中的芯片的每种情况进行参考。针对所描述的方法步骤最好在具有多个芯片的衬底晶片上执行的事实也在此进行参考，其中所举例说明的芯片类型是以行和列排列的。由此，所述层同时适用于多个芯片。
在丝网印刷工艺中，首先将含银的层14施加到衬底12的上表面上。在其两端，可熔导体层14具有与接触表面16邻接的分叉区域26。在图2a所举例说明的示例性实施例中，所有的弯曲部都具有相同的长度，除了在中央设置的蜿蜒回路。正如下文将要更加详细描述的那样，设置在中央的、随后将由焊料层覆盖的蜿蜒回路，被设置在距衬底12的边缘有些距离的地方，以便获得更好的焊点位置以及保护层的位置。在盖印了层14之后，对其进行焙烧。然后，依照相同的布局将第二可熔导体层盖印在已焙烧的第一层之上，以便获得更厚的可熔导体并且再次对其进行焙烧。
然后，将覆盖层18盖印到所述盖印到衬底12上的可熔导体层14之上，并进行焙烧，如图2b中所示。在本优选示例性实施例中，在丝网印刷工艺中采用了玻璃粉，并且随后以大约850℃的温度对其进行回火(焙烧)，以便产生具有大约20μm厚度的层。由于850℃的焙烧或烧结温度高于其他普通玻璃粉使用的500℃-600℃左右的焙烧温度，因而通常将使用850℃的温度进行焙烧的玻璃粉称为“高熔点玻璃层”。由此形成的玻璃层具有大于3.5W/mK的相对高的(对于电子绝缘来说)热导率，例如具有4.3W/mK的热导率。覆盖层18具有窗口20，在该实施例中，所述窗口20设置在覆盖层18的边缘上，并且由此仅通过三个边缘来限定。在图2a中举例说明的位于中央处的缩短的蜿蜒回路设置在窗口20中。
在对覆盖层18进行回火之后，在设置于窗口20中的蜿蜒回路上，借助于窗口20中的模板来盖印焊料包含层22。通过丝网印刷所产生的层22最好具有大约10μm的厚度。在窗口20内如此施加层22，使得它完全覆盖蜿蜒回路的弧，借此焊料包含层22的边缘和沿窗口20纵向延伸的边缘之间保留一空间，在该空间中可熔导体层14中与弯曲部位的弧相连的两个直线部位被暴露，也就是，既没有由覆盖层18覆盖，也没有由焊料包含层22来覆盖。由于在该区域中没有散热盖，因而这造成了可熔导体层14的暴露部分能够经受更高的热负荷。然而，由于在弧形部位上产生最高(因为它们分布不均匀)的电流密度，因此蜿蜒的可熔导体14的直线部位具有较小临界。
在随后的方法步骤中，由此产生的层结构由保护层24覆盖，例如由环氧树脂层来覆盖。在该示例性实施例中，保护层具有等于0.5mm的厚度。当将在纵向侧被连接在一起的芯片分离为多条之后，对包括边缘的熔断器件的边缘区域进行流电地金属处理，其中所述边缘区域包括连接表面16。将焊料层应用到经由流电提供的层序列，以便确保由此产生较好的器件可焊性。图2d示出了由此产生的熔断器件10的下侧。接触表面16在该侧周围与衬底12的下侧接合，并且将它们的表面构造为适合于焊接。
在图3a至3d中示出了其上施加有层的衬底的示意图，所述示意图举例说明了制造依照本发明可代替的实施例的熔断器件的方法步骤。由于所述方法步骤，也就是所述层的施加顺序与参考图2a至2d所描述的那些内容没有任何不同，故而现在仅描述其差异部分。
首先，在图3a中示出的可熔导体层14的布局与图2a中所示的可熔导体层14的设计有所不同。在图3a中所示的实施例中，所有的蜿蜒回路都具有相同的长度。
在图2a的实施例中，接触表面16由单独的金属层构成，所述金属层与可熔导体14所在层相连。在图3a的实施例中，接触表面28与可熔导体由同一层构成。
在图3b的实施例中，覆盖层18中的窗口20仅具有大约0.7mm的较小宽度，以便使只有中央的蜿蜒回路的弧形部位充分暴露在所述窗口中。此外，在图3b的实施例中，如此施加焊料包含层22，使其至少延伸到与纵向侧平行的窗口20的边缘，以便使整个可熔导体或者由覆盖层来覆盖，或者由焊料包含层22来覆盖。这是当前的优选实施例；该实施例确保厚膜可熔导体14的所有部分由散热层覆盖。
由于设置在窗口中的中央蜿蜒回路没有缩短，并且由此，焊料包含层22在熔断器件的边缘上相对远地施加，因此，在中央区域稍微向外地施加保护层24，以便可靠地覆盖焊接点22，如图3c中所示。作为选择，可以将覆盖层18作为整体进一步朝向衬底12的边缘移动。
上文已经参照当前的优选实施例描述了本发明。然而，正如通过所附权利要求书将反映出来的，包含在本发明观念的范围内的许多可替换的实施例都是可行的。
Claims (29)
1.一种熔断器件，包括：
具有上表面的电绝缘衬底；
施加在衬底上表面的厚膜可熔导体；以及
一个覆盖层，所述覆盖层由直接施加在厚膜可熔导体以及衬底上表面的邻接区域上的导热性良好的电绝缘材料构成，所述覆盖层的材料的热导率大于2W/mK。
2.如权利要求1所述的熔断器件，其特征在于：所述覆盖层是通过对在丝网印刷工艺中施加的粘和层进行回火而产生的，所述粘和层包含以下具有良好导热性的物质组中的至少一种物质的颗粒：玻璃、氧化铝、氮化铝以及氮化硅。
3.如权利要求1所述的熔断器件，其特征在于：所述覆盖层是包含玻璃的烧结的厚层。
4.如权利要求3所述的熔断器件，其特征在于：所述烧结的厚层通过将玻璃粉以750℃到950℃之间的温度进行回火来产生。
5.如权利要求4所述的熔断器件，其特征在于：所述温度是850℃。
6.如权利要求4所述的熔断器件，其特征在于：所述覆盖层为10μm-100μm厚。
7.如权利要求6所述的熔断器件，其特征在于：所述覆盖层为20μm-40μm厚。
8.如权利要求1-7中任一项所述的熔断器件，其特征在于：所述衬底是具有良好导热性的陶瓷衬底。
9.如权利要求8所述的熔断器件，其特征在于：所述衬底是陶瓷Al2O3衬底。
10.如权利要求1所述的熔断器件，其特征在于：所述衬底具有伸长的、基本上成矩形的上表面，所述厚膜可熔导体在设置于上表面的窄侧上的两个连接表面之间延伸，连接表面没有由覆盖层覆盖。
11.如权利要求10所述的熔断器件，其特征在于：所述上表面具有1mm到4mm之间的宽度并且具有6mm到15mm之间的长度。
12.如权利要求10或11所述的熔断器件，其特征在于：所述厚膜可熔导体在连接表面间具有0.1mm到1.5mm之间的宽度。
13.如权利要求10或11所述的熔断器件，其特征在于：所述厚膜可熔导体在衬底的上表面上，且在连接表面之间至少在中央段中以蜿蜒的形状延伸。
14.如权利要求10所述的熔断器件，其特征在于：所述覆盖层具有至少一个窗口，所述窗口位于可熔导体的一段的上方，并且位于该窗口中的所述可熔导体段至少部分地由包含一种物质的层来覆盖，所述物质在被加热时能够作用于位于其下的可熔导体，如此来增加该段可熔导体段的电阻。
15.如权利要求14所述的熔断器件，其特征在于：所述物质是金属，该金属能够扩散到可熔导体中，并且包含该金属的所述层具有良好的导热性。
16.如权利要求15所述的熔断器件，其特征在于：所述可熔导体包含银，并且所述物质包括铅和/或锡。
17.如权利要求14-16中任一项所述的熔断器件，其特征在于：设置在所述窗口内的可熔导体的整个段由包含所述物质的层来覆盖。
18.如权利要求14-16中任一项所述的熔断器件，其特征在于：所述厚膜可熔导体在衬底的上表面上、在连接表面之间且至少在一个中央段中以蜿蜒形状进行延伸，所述蜿蜒形状具有交替的直线段以及弧形段，并且所述覆盖层的窗口位于可熔导体的回路的弧形段以及两个相邻直线段的一部分的上面，并且至少所述可熔导体的弧形段是由包含所述物质的层覆盖的。
19.如权利要求1-7、10、11、14-16中任一项所述的熔断器件，其特征在于：在所述覆盖层上面施加保护性塑料层。
20.一种制造熔断器件的方法，其中：将厚膜可熔导体施加在电绝缘衬底的上表面上，并且将具有良好导热性的电绝缘材料的覆盖层直接施加在厚膜可熔导体以及衬底上表面的邻接区域上，所述覆盖层的材料的热导率为大于2W/mK。
21.如权利要求20所述的制造熔断器件的方法，其特征在于：为了施加厚膜可熔导体，在丝网印刷工艺中盖印粘和层，并且将由此形成的层进行回火，至少重复一次这些施加步骤，以便增加所述层的厚度。
22.如权利要求20或21所述的制造熔断器件的方法，其特征在于：为了施加覆盖层，在丝网印刷工艺中盖印粘和层，并且随后对由此形成的层进行回火。
23.如权利要求22所述的制造熔断器件的方法，其特征在于：所述粘和层是玻璃粉，所述玻璃粉在盖印后，以700℃到900℃之间的温度进行回火。
24.如权利要求23所述的制造熔断器件的方法，其特征在于：所述温度是850℃。
25.如权利要求22所述的制造熔断器件的方法，其特征在于：所述覆盖层如此被盖印，以便在可熔导体的一段上面并于覆盖层中形成至少一个窗口，并且在所述窗口中、至少在所述可熔导体段的一部分上施加包含一种物质的层，当加热所述物质时，该物质可以作用于其下方的可熔导体，由此增加可熔导体段的电阻。
26.如权利要求25所述的制造熔断器件的方法，其特征在于：设置在所述窗口中的可熔导体的整个段由包含所述物质的层来覆盖。
27.如权利要求25所述的制造熔断器件的方法，其特征在于：所述厚膜可熔导体至少部分地以蜿蜒的形状施加在衬底的上表面上，所述蜿蜒形状具有交替的直线段以及弧形段，在覆盖层中，在可熔导体的回路的弧形段上以及两个相邻直线段的一部分上形成窗口，并且至少所述可熔导体的弧形段由包含所述物质的层覆盖。
28.如权利要求26或27所述的制造熔断器件的方法，其特征在于：在所述窗口中盖印包含焊料的层，然后将该包含焊料的层进行短暂地熔化。
29.如权利要求28所述的制造熔断器件的方法，其特征在于：借助于模板盖印具有70μm至130μm厚度的焊料层。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20070718 Termination date: 20100611 |