CN1323753A - 用于封装半导体的玻璃及玻璃管 - Google Patents

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Abstract

一种用于封装半导体的玻璃,该玻璃实质上不含铅或其它有害成分,但其封接温度不超过710℃,并且可以用杜美丝稳定地封接。此外,当玻璃的粘度为106dPa·s时,所述玻璃的温度不超过710℃,并且包括Li2O、Na2O和K2O中的两种或两种以上以及B2O3。另外,该玻璃可以含有数量分别为40～70重量%、5～20重量%和0～15重量%的SiO2、B2O3和Al2O3;总量为0～45重量%的MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO;以及总量为5～25重量%的Li2O、Na2O和K2O。

Description

用于封装半导体的玻璃及玻璃管
本发明涉及用于封装半导体的玻璃。更具体地说，本发明涉及用于气密封装元件，如硅二极管、发光二极管、热敏电阻，和用于电连接这些元件的电极材料如杜美丝(Dumet wire)的玻璃，还涉及由此制得的用于封装半导体的玻璃封装体。
小型电子半导体部件，如硅二极管、发光二极管以及热敏电阻通常呈DHD(Double Heat Sink Diode)形状。更具体地说，这种半导体元件被夹在电极材料如杜美丝之间，然后周围包以玻璃管。随后将整个配件加热到预定温度，以使玻璃管软化并且变形，从而实现气密封接。一般说来，该加热温度是玻璃粘度达到106dPa·s时的温度数值并称为“封接温度”。要求玻璃的封接温度不高于要封装的半导体的最高允许温度，这样该半导体的电学性能不会被加热温度损害。半导体的最高允许温度随类型和设计而有所变化。由于半导体的最高允许温度可以达到大约710℃，重要的是玻璃的封接温度不超过710℃。对该玻璃的另一项要求在于其热膨胀系数。该要求是玻璃的热膨胀系数应与杜美丝的相一致，杜美丝是最常用的电极材料。更具体地说，该玻璃的热膨胀系数在30～380℃温度范围内应为85×10-7～105×10-7/℃。
目前，用于封装半导体并且满足上述条件的玻璃是PbO含量高达45～75重量％的铅硅酸盐玻璃。这是因为PbO具有极强的降低玻璃粘度的作用，同时又能形成稳定的硅酸盐玻璃。举例来说，用于封装半导体的、PbO含量为46重量％的玻璃，其封接温度约为700℃。用于封装半导体的、PbO含量为60重量％的玻璃，其封接温度约为655℃。
最近几年，由于有害成分如铅、镉和砷而引起的环境污染已经成为一个问题。人们要求工业产品不含这些有害成分。在电子部件工业中，人们一直在努力试图使用无铅焊料。此外，人们要求用来封装半导体的玻璃中也没有PbO。
JP-A-6-206737(术语“JP-A”用于本文中时表示未经审查、公开的日本专利申请)公开了一种方案，它试图从铅玻璃中除去铅，该铅玻璃被用作电子仪器和电子部件的一种成分，从而用杜美丝进行稳定地封接。但是这种尝试的目的在于使铅玻璃中PbO的含量达到约20～30重量％。PbO含量约为20～30重量％的玻璃是一种用于封接荧光灯或白炽灯灯泡的玻璃。这种玻璃材料原来的封接温度约为750℃。此外，在上述JP-A-6-206737中公开的无铅玻璃的封接温度高达790℃。因此，上面所公开的这种玻璃材料不能达到不超过710℃的封接温度，正如对用来封装半导体的玻璃所要求的那样。
本发明的目的在于提供一种用于封装半导体的玻璃，该玻璃基本上不含铅或其它有害成分，但其封接温度不超过710℃，并可以用杜美丝稳定地封接。本发明的另一个目的在于提供由上述玻璃制得的封接玻璃封装体。
本发明的这些和其它一些目的，可以通过用于封装半导体的玻璃而实现，该玻璃包括：
Li2O、Na2O和K2O中至少两种；以及
B2O3，
其中，所述的玻璃不含铅，并且
其中，当所述玻璃的粘度为106dPa·s时，所述玻璃的温度不超过710℃。
此外，本发明的这些和其它一些目的可以通过用于封装半导体的玻璃而实现，该玻璃包括：
40-70重量％的SiO2；
5-20重量％的B2O3；
0-15重量％的Al2O3；
总量为0-45重量％的MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO；以及
总量为5-25重量％的Li2O、Na2O和K2O中至少两种，
每一种成分均基于所述玻璃的总量。
此外，本发明的这些和其它一些目的，可以通过用于封装半导体的玻璃封装体而实现，该封装体包括含有下列成分的玻璃：
Li2O、Na2O和K2O中至少两种；以及
B2O3，
其中，所述玻璃不含铅，并且
其中，当所述玻璃的粘度为106dPa·s时，所述玻璃的温度不超过710℃。
此外，本发明的这些和其它一些目的可以通过用于封装半导体的玻璃封装体而实现，该封装体包括含有下列成分的玻璃：
40-70重量％的SiO2；
5-20重量％的B2O3；
0-15重量％的Al2O3；
总量为0-45重量％的MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO；以及
总量为5-25重量％的Li2O、Na2O和K2O中至少两种，
每一种成分均基于所述玻璃的总量。
另外，本发明的这些和其它一些目的可以通过用于封装半导体部件的方法而实现，该方法包括用一种封装体封装半导体部件，该封装体为由上述玻璃制成的玻璃管。
除非另有说明，否则术语“％”在下文中均表示基于玻璃总量的“重量％”。术语“X的含量在0～Y％的范围内”表示X或者不存在，或者高于0％，或者为Y％，或者更低。
根据本发明，用于封装半导体的玻璃本质上不含铅。特别是，PbO的含量基于所述玻璃的总量不高于5000ppm，优选不高于1000ppm，更优选不高于500ppm。
根据本发明，用于封装半导体的玻璃包括作为基本成分的B2O3和Li2O、Na2O和K2O中至少两种，从而具有较低的粘度，能够在不超过710℃的温度下进行封装。为了用杜美丝进行封接，该玻璃在30～380℃范围内的热膨胀系数优选地为85×10-7～105×10-7/℃。
用于封装半导体的、具有上述性能的玻璃优选地包括：数量分别为40～70％、5～20％和0～15％的SiO2、B2O3和Al2O3；总量为0～45％的MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO；以及总量为5～25％的Li2O、Na2O和K2O。
下面说明将各种成分限定为上述含量范围的原因。
SiO2是形成玻璃骨架的主要成分。SiO2的含量优选地为40～70％，更优选地为45～70％，更优选地为50～65％。当SiO2的含量不超过70％时，由于原料易熔化从而适宜大规模生产。此外，所形成的玻璃具有合适的(即，不太小)、与杜美丝的相适应的热膨胀系数，使其本身易于用杜美丝封接。另一方面，当SiO2的含量不低于40％时，所形成的玻璃保持优异的化学稳定性。当在生产电子部件的过程中，暴露于多种所用化学试剂时，或者当在较长的时间里用作电子部件时，具有较低化学稳定性的玻璃会变次，从而由于气密性受到破坏和丧失而导致电子部件的可靠性下降。另外，所形成的玻璃具有合适的(即，不太高)、与杜美丝的相适应的热膨胀系数，使其本身易于用杜美丝封接。
B2O3是一种用于改进玻璃熔化性能、降低玻璃封接温度、并提高玻璃化学稳定性的成分。B2O3的含量优选地为5-20％，更优选地为8-15％，更优选地为10-15％。当B2O3的含量不超过20％时，B2O3由熔融玻璃的蒸发可以得到抑制，从而可以获得均匀的玻璃。此外，所获得的玻璃保持优异的化学稳定性。另一方面，当B2O3的含量不低于5％时，所获得的玻璃具有合适的粘度，并可以得到具有优秀气密性的封装体。
Al2O3是一种用于改进玻璃化学稳定性的成分。Al2O3含量优选地为0-15％，更优选地为0.5-10％。当Al2O3的含量不超过15％时，其适于进行大规模生产。另外，所形成的玻璃保持优异的抗失透性，从而可以获得没有结石或条纹的玻璃。在玻璃中存在结石或条纹会使封接的形状不均匀，或者使封接的电子部件受到损伤，使封接电子部件的可靠性急剧下降。
MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO可以降低熔融玻璃的粘度，从而容易熔化玻璃并且降低封接温度。这些成分还具有提高玻璃化学稳定性的作用。MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO的总量优选地为0-45％，更优选地为0-25％，更优选地为1-25％，更优选地为1-20％，最优选地为5-20％。当这些成分的总量不超过45％时，可以得到具有高度均一性的玻璃。
MgO、CaO、SrO和ZnO的含量优选地分别为0-10％、0-10％、0-20％和0-15％，更优选地分别为0-8％、0-8％、0-15％和1-15％。当每一种成分的含量不超过上述限定范围时，可以得到具有高度均一性的玻璃。
碱金属氧化物Li2O、Na2O和K2O是使玻璃易于熔化的成分，使其获得不超过710℃的封接温度，并且达到封接杜美丝所需的热膨胀系数。重要的一点是在混合物中使用至少两种这些碱金属氧化物。换句话说，碱金属氧化物的含量越高，封接温度越低，但是所形成的玻璃的耐候性(weathering resistance)和电绝缘性变差。因此，为了充分利用碱金属氧化物的混合作用，在混合物中至少使用两种这些碱金属氧化物，以改善玻璃的耐候性和电绝缘性。
这些碱金属氧化物的总含量优选地为5-25％，更优选地为10-25％，更优选地为14-20％。当这些碱金属氧化物的总含量不超过25％时，所形成的玻璃具有合适的、与杜美丝的相适宜的热膨胀系数，其本身易于用杜美丝封接，从而可以得到具有优秀气密性的封装体。此外，所形成的玻璃保持化学稳定性。另一方面，当这些碱金属氧化物的总含量不低于5％时，可以得到较低的封接温度。另外，所形成的玻璃具有合适的热膨胀系数。Li2O、Na2O和K2O的含量优选地分别为0-10％,0-10％和0-15％，更优选地分别为0.5-9％,0-9％和1-10％。当Li2O和Na2O的含量独立地不超过10％，并且K2O的含量不超过15％时，碱金属的混合作用是有效的，从而保持优异的耐候性和较高的电绝缘性。Li2O具有最高的降低玻璃封接温度的作用。因此，Li2O的含量优选地不低于0.5％，特别是不低于3％。
除了上述成分以外，还可以以合适的量向玻璃组合物中加入其它成分，如ZrO2、TiO2、P2O5、Fe2O3、SO3、Sb2O3、F或Cl，从而对玻璃的粘度进行调整，并且改善玻璃的耐候性、熔化性和澄清性。
当用于封装半导体的玻璃材料失去电阻时，电极之间的电流形成回路，该回路包括一个平行设置成二极管的电阻器。这样，该玻璃材料的体积电阻率优选尽可能地大。具体的说，用(log ρ,Ω·cm)计算，150℃下，该玻璃材料的体积电阻率为7或更大，优选9或更大，更优选10或更大。为了在高达约200℃的温度下二极管保持最佳效果，该玻璃材料的电阻率(log ρ,Ω·cm)优选在250℃下为7或更大。
由本发明用于封装半导体的玻璃材料制成的用于封装半导体的封装体的制造方法如下所述。
在工业化生产的基础上，制造封装体的方法包括：混合步骤-量取和混合无机物或制备的晶体粉末，其中含有构成玻璃的成分，以制成放入加热炉中的初始材料；熔化步骤-熔化和玻璃化初始材料；成型步骤-使熔化的玻璃成为管状；以及加工步骤-将玻璃管切割成一定的尺寸。
首先，混合玻璃的初始材料。初始材料包括由多种成分如氧化物及碳酸盐制成的无机物和杂质。通过分析的结果可以看出这些成分可被混合。因此，对这些成分并没有限定。量取这些成分，然后用相应于生产规模的适当搅拌器搅拌，如V-形搅拌器、摇动搅拌器和带有搅拌刀片的搅拌器，从而得到放入加热炉中的初始材料。
然后，将初始材料放入玻璃熔化炉中进行玻璃固化。熔化炉包括：用于熔化和玻璃化初始材料的熔化缸，用于收集玻璃中气泡并除去它们的精制缸，和用于降低玻璃粘度的通道(给料器，feeder)，这样精制至合适的数值后使玻璃进入成型装置。熔化炉由耐火材料制成或为内部衬有铂的加热炉。熔化炉通过燃烧或电能产生供给玻璃的热能。在熔化缸中，使被处理的原始材料在1300℃～1600℃的温度下正常玻璃化。然后该玻璃在1400℃～1600℃的温度下被输入到精制缸中，这样玻璃中的气泡就会上升和消失。当通过给料器时，玻璃材料表现为温度降低，其粘度变为在104至106dPa·s的范围内，这适于形成玻璃。然后该玻璃进入成型装置。
然后，玻璃材料通过成型装置被制成管状。作为成型装置可以使用Danner工艺、Vello工艺、上拉工艺或下拉工艺。
然后，通过将玻璃管切割成一定尺寸，就得到了用封装半导体的封装体。玻璃管的切割可以用金刚石刀一根一根地切割玻璃管。但在实践中，适于大规模生产的方法一般是将多个玻璃管结成一捆，然后用金刚石轮形刀切割这一捆，这样能够迅速地切割大量玻璃管。
下面将说明本发明中如何使用玻璃来封装半导体。
本发明的玻璃通常可以以具有一定尺寸的玻璃封装体的形状使用。因此，首先制得具有上述特性(和配方)的玻璃封装体。随后将夹在电极材料如杜美丝之间的半导体用夹子放入玻璃封装体中。而后将整个配件加热到不超过710℃的温度，从而使玻璃封装体软化并且变形，形成气密封接。用这种方式可以制得小型电子部件，如硅二极管、发光二极管和热敏电阻。本发明的玻璃材料不仅可以用于玻璃管，还可以用于玻璃粉末。玻璃材料如果以粉末状态存在，其被分散至作为溶剂的醇或水中形成结晶浆料。然后当部件被旋转时，将该结晶浆料滴至夹在杜美丝之间的部件上，从而使结晶浆料缠绕在部件上。然后煅烧部件以气密封装半导体。
下面将通过实施例进一步说明本发明的用于封装半导体的玻璃。但是，本发明并不限于下列实施例。
表1-5表示本发明实施例的数据(样品1-26)，并且给出比较例(样品27和28)。样品27是用于封装半导体的常规含铅玻璃，样品28是JP-A-6-206737中所述的无铅玻璃。
表1
                              实施例编号
     1      2       3      4       5
SiO2Al2O3B2O3MgOCaOZnOLi2ONa2OK2OSb2O3(％，各自)     62.76.010.4--2.16.27.35.00.3      63.06.010.4--2.14.29.35.0-      62.76.010.4--2.14.27.37.00.3      62.76.010.42.0-2.14.27.35.00.3      62.76.010.4-2.02.14.27.35.00.3
热膨胀系数(×10-7/℃)     95.5      93.8      92.2      88.1      88.3
软化点(℃)     597      615      621      620      622
与粘度106dPa·s相对应的温度(℃) 669 692 700 700 699
操作温度(℃)     820      852      866      869      860
体积电阻率(log ρ,Ω·cm)150℃250℃ 9.87.3 10.27.7 10.68.0 10.57.9 10.68.0
表2
                            实施例编号
     6      7      8       9      10
SiO2Al2O3B2O3SrOBaOZnOLi2ONa2OK2OFe2O3Sb2O3(％，各自)     62.76.010.42.0-2.14.27.35.0-0.3     62.76.010.4-2.02.14.27.35.0-0.3     62.76.010.4--4.14.27.35.0-0.3     62.76.010.4--2.14.27.35.02.00.3     54.76.010.410.0-2.14.27.35.0-0.3
热膨胀系数(×10-7/℃)     87.9     87.4     87.0     86.7     97.8
软化点(℃)     622     625     623     621     606
与粘度106dPa·s相对应的温度(℃) 701 704 703 701 674
操作温度(℃)     867     870     868     871     811
体积电阻率(log ρ,Ω·cm)150℃250℃ 10.57.9 10.57.9 10.47.8 10.47.8 11.38.6
表3
                          实施例编号
     11      12      13      14      15
SiO2Al2O3B2O3MgOCaOSrOBaOZnOLi2ONa2OK2OSb2O3(％，各自)     62.74.012.4----2.14.27.37.00.3     50.75.010.0--10.010.0-3.03.08.00.3     50.75.010.05.05.010.0--3.03.08.00.3     51.79.010.4--10.0-2.14.27.35.00.3     54.76.010.4--7.0-5.14.27.35.00.3
热膨胀系数(×10-7/℃)     91.3     92.6     92.3     99.1     97.2
软化点(℃)     620     638     638     603     603
与粘度106dPa·s相对应的温度(℃) 696 707 706 671 670
操作温度(℃)     851     845     840     812     809
体积电阻率(log ρ,Ω·cm)150℃250℃ 10.78.1 13.110.1 12.19.2 11.28.5 11.18.5
表4
                             实施例编号
     16      17      18      19      20
SiO2Al2O3B2O3MgOCaOSrOBaOZnOLi2ONa2OK2OSb2O3(％，各自)     57.76.010.4-1.01.01.04.15.27.36.00.3     55.76.010.4--5.0-4.15.27.36.00.3     54.74.012.4--7.0-5.14.27.35.00.3     57.74.012.41.01.01.0-4.15.27.36.00.3     54.74.012.4--3.53.55.14.27.35.00.3
热膨胀系数(×10-7/℃)     99.9     102.4     97.1     99.1     96.1
软化点(℃)     591     587     601     590     600
与粘度106dPa·s相对应的温度(℃) 660 652 665 654 667
操作温度(℃)     802     786     794     786     800
体积电阻率(log ρ,Ω·cm)150℃250℃ 10.78.1 10.98.2 11.48.6 11.28.4 11.48.6
表5
                             实施例编号
     21      22      23      24      25
SiO2Al2O3B2O3MgOCaOSrOZnOLi2ONa2OK2OTiO2ZrO2Sb2O3(％，各自)     53.74.012.41.O1.07.05.14.26.35.0--0.3     58.74.012.41.01.01.04.15.26.36.0--0.3     55.22.512.41.01.07.05.14.26.35.0--0.3     53.72.512.41.01.07.05.14.26.35.01.5-0.3     53.72.512.41.01.07.05.14.26.35.0-1.50.3
热膨胀系数(×10-7/℃)     94.1     94.4     94.9     95.1     94.1
软化点(℃)     602     596     604     603     607
与粘度106dPa·s相对应的温度(℃) 669 662 668 665 671
操作温度(℃)     797     797     795     788     798
体积电阻率(log ρ,Ω·cm)150℃250℃ 11.58.8 10.88.2 11.68.9 11.68.9 11.68.8
表6
SiO2Al2O3B2O3MgOCaOSrOBaOZnOLi2ONa2OK2OPbOSb2O3SO3(％，各自)  实施例编号          比较例编号
     26       27      28
    58.74.012.41.01.01.0-4.18.5-9.0-0.3-     35.0---------4.560.00.3-     68.03.4-1.31.92.98.7-1.27.45.0--0.1
热膨胀系数(×10-7/℃)     91.9     91.0     93.0
软化点(℃)     590     575     675
与粘度106dPa·s相对应的温度(℃)     651     660     788
操作温度(℃)     775     820     1020
体积电阻率(log ρ,Ω·cm)150℃250℃ 9.57.2 14.811.7 无数据8.9
为了评价该玻璃的性能，上表中所示的各个样品是通过下列方法制得的。
首先制得具有上表中所述配方的玻璃材料，而后在1400℃下，将其在铂金坩埚中熔化5小时。将由此制得的每一种熔融玻璃材料成型并制成预定的形状，从而制得各种玻璃样品。
测定每一种样品的热膨胀系数、软化点、对应于粘度106dPa·s的温度(封接温度)、操作温度和体积电阻率(150℃,250℃)。其结果如上表所示。
由上表中可以看出，本发明的样品1到26具有不超过710℃的封接温度，并且具有86.7×10-7/℃～102.4×10-7/℃的热膨胀系数。另一方面，对比样品28具有93×10-7/℃的热膨胀系数，其可以用杜美丝安全封接，但其封接温度高达788℃。因此，比较例28被认为是不适用于封装半导体的。
在上表中，为了测定热膨胀系数，将玻璃样品加工成直径约3mm、长约50mm的柱形。通过自记录差热分析仪测定柱形样品在30～380℃温度范围内的平均线性热膨胀系数。
测定软化点、对应于粘度106dPa.s的温度(封接温度)和操作温度按照下面的方法进行。首先，根据ASTM C338用纤维法测定玻璃的软化点。而后通过铂灯泡拉伸法(platinum bulb withdrawal method)测定对应于操作温度范围内粘度的温度。随后，将温度与粘度值用于Fulcher方程，从而计算出粘度达到106dPa·s的温度，即封接温度。
根据ASTM C-657法测定体积电阻率。用于封装半导体的玻璃优选地具有较高的绝缘性。
如上所说，根据本发明，用于封装半导体的玻璃完全不合PbO，但其热膨胀系数为85×10-7/℃～105×10-7/℃，这适于用杜美丝进行封接，并且具有不超过710℃的封接温度，因此它适于作为用于封装半导体的玻璃，特别是玻璃封装体。
由本发明的玻璃材料制造用于封装半导体的封装体。
首先，将矽砂粉、氧化铝、硼酸、氧化镁、碳酸钙、氧化锌、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、三氧化锑、碳酸锶、碳酸钡、氧化铁、氧化钛、氧化锆根据配方预先设定的比例混合，该配方是考虑到产量和杂质含量为制备500Kg初始材料而制定的，该初始材料随后用V-形搅拌器充分搅拌。
在容量为500L的玻璃熔化炉中，将这样制得的初始材料熔化，用下拉工艺制成管状，然后切割得到具有适当的长度(如1m)的玻璃管。玻璃熔化炉的熔化缸保持在1450℃的温度。来自熔化缸的熔化玻璃经过精制缸后进入给料器。给料器中的熔化玻璃流经给料器底部孔环和与该孔环同心的Bel轴之间的缝隙，该缝隙构成成型装置。该玻璃在受到来自于Bel轴吹动的空气的压力而向下延伸以形成管状。管要求的尺寸(内部直径和厚度)由玻璃材料流下速度、空气压力和拉伸速度决定。
然后，使用打捆装置，使这样形成的1000根玻璃管成为一体。将这捆玻璃管在树脂缸中浸润，从而树脂如松香进入玻璃管之间的缝隙，由树脂缸中取出，冷却，得到直径约为5cm的棒状材料。将该棒状材料切割成预定长度。这样，通过一次性切割就得到了含有1000根玻璃管、相互之间粘合在一起的团状物。然后，由该团状物中除去树脂以得到玻璃管。洗涤这些玻璃管，干燥，得到具有一定长度的封装体。这样得到的封装体如果用于二极管，其内部直径应为0.6～2.1mm，厚度应为0.2～0.8mm以及长度应为1～4mm。
使用本发明用于封装半导体的玻璃封装体可以使小型电子部件，如硅二极管、发光二极管和热敏电阻不含Pb。
尽管上面已经详细地并且参照具体的实施例对本发明进行了描述，但熟悉本领域内的技术人员显然在不脱离本发明精神及其范围的基础上还可以作多种变化和改变。
本申请基于2000年5月16日提出的日本专利申请2000-143990，其全部内容作为参考而被引入本文。

Claims (7)

1．一种用于封装半导体的玻璃，它包括：Li2O、Na2O、K2O中至少两种；以及B2O3，
其中，所述的玻璃不含铅，并且
其中，当所述玻璃的粘度为106dPa·s时，所述玻璃的温度不超过710℃。
2．根据权利要求1的玻璃，其中所述玻璃在30～380℃的温度范围内，热膨胀系数为85×10-7/℃～105×10-7/℃。
3．一种用于封装半导体的玻璃，它包括：
40-70重量％的SiO2；
5-20重量％的B2O3；
0-15重量％的Al2O3；
总量为0-45重量％的MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO；以及
总量为5-25重量％的Li2O、Na2O和K2O中至少两种，
每一种成分均基于所述玻璃的总量。
4．根据权利要求3的玻璃，其中Li2O的含量为0.5-10重量％。
5．一种用于封装半导体的封装体，它包括含有下列成分的玻璃：Li2O、Na2O和K2O中至少两种；以及B2O3，
其中，所述玻璃不含铅，并且
其中，当所述玻璃的粘度为106dPa·s时，所述玻璃的温度不超过710℃。
6．一种用于封装半导体的封装体，它包括含有下列成分的玻璃：
40-70重量％的SiO2；
5-20重量％的B2O3；
0-15重量％的Al2O3；
总量为0-45重量％的MgO、CaO、SrO、BaO和ZnO；以及
总量为5-25重量％的Li2O、Na2O和K2O中至少两种，
每一种成分均基于所述玻璃的总量。
7、一种用于封装半导体部件的方法，包括用一种封装体封装半导体部件，其中所述的封装体为由权利要求1或3所述玻璃制成的玻璃管。
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