CN1283217A - 磷光体和使用此磷光体的辐射探测器及使用此磷光体的x射线ct装置 - Google Patents

磷光体和使用此磷光体的辐射探测器及使用此磷光体的x射线ct装置 Download PDF

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Abstract

提供了由通式(Gd1－xCex)3Al5－yGagO12(式中x是0.0005≤x≤0.02范围的数值,y是0<y<5范围的数值)表示的新颖的磷光体。当铝和镓在镓磷光体中共存时,这种磷光体显示高的荧光输出。尤其是镓的含量(y)在2至3的范围中时,此种磷光体显示的发光输出效率是常规的磷光体的两倍。用此磷光体做陶瓷闪烁体的辐射探测器显示极低的余辉和高的闪烁输出。

Description

磷光体和使用此磷光体的辐射探测器及 使用此磷光体的X射线CT装置
本发明涉及适用于探测X射线、Y射线等的辐射探测器，尤其是X射线CT装置和正电子摄影机等的辐射探测器的稀土元素氧化物磷光体。本发明还涉及使用此磷光体的辐射探测器和X射线CT装置。
常规地，在X射线CT装置等中使用的辐射探测器中，可以使用氙气室或BGO(铋锗氧化物)单晶与光电倍增管的结合，也可以使用CsI∶T1单晶或者CdWO4单晶与光电二极管的结合。一般地，辐射探测器中所用的闪烁体材料要求的特性包括短余辉、高发光效率、高X射线阻止能力和化学稳定性等。但是上述的单晶磷光体存在特性偏差、以及有潮解性、劈裂性、余辉(X射线辐射停止后的发射)现象、发光效率等各方面的问题。
近年来，开发了高辐射-光转换效率的稀土类磷光体作为闪烁体和辐射探测器，使这样的磷光体和光电二极管结合的辐射探测器实用化。稀土磷光体由稀土元素氧化物或者稀土元素硫化物基料中添加作为发光成份的活化剂组成，用稀土元素氧化物作磷光体的有人提出以氧化钇或者氧化钆作基料(日本专利公开出版物63(1988)-59436号、日本未审查专利出版物3(1991)-50991号)，而用稀土元素硫化物作磷光体的有人提出以镨或者铈作活化剂(日本专利公开出版物60(1988)-4856)。
尽管在这些稀土元素磷光体包括有发光效率高的磷光体，但是要求取决于其用途希望有余辉时间(停止X射线辐射后衰减到十分之一的时间)更短的磷光体。就是说，在X射线CT装置的用途中，用于探测X射线闪烁体的余辉大会使含有信息的信号在时间轴方向上存在不易分辨的问题。因此，要求闪烁体材料的余辉极小。然而，上述的常规稀土元素磷光体尽管可以得到高的发光效率，但是在余辉方面不足以达到这种要求。
另外，公知的还有用YAG(Y3(Al，Ga)5O12)***磷光体作电子束磷光体的(1967年7月15日Applied Physics Letters)，但是，这种磷光体的X射线阻止能力太低，不能实际用于X辐射探测器。
还有，现在用于X射线CT等的辐射探测器的光探测器利用的是PIN光电二极管，其峰值响应波长在红光的范围。为了提高探测效率，要求磷光体有与PIN光电二极管相匹配的波长。
本发明的一个目的是提供余辉极小发光效率高的磷光体，特别是可利用为X射线CT等的闪烁体的磷光体。本发明的另一个目的是提供一种使用这种磷光体的探测效率高的X辐射探测器。本发明的又一个目的是提供装备余辉极小、探测效率高的辐射探测器的，可以得到高分辨率、高质量的断层图象的X射线CT。
为达到上述目的，本发明的发明人对以铈(Ce)为发光成份的稀土元素氧化物进行了大量的研究，结果发现，可以通过用Gd3Al5-yGayO12作基料，铈作活化剂(发光成份)得到发光效率高、余辉极低的磷光体。同时，本发明人在对磷光体的制造方法进行的研究发现，在制造闪烁体粉末时如果用含钾化合物作为烧结原材料的助熔剂成分，可以得到发光效率特别高的磷光体。
也就是，本发明的磷光体是由通式(Gd 1-z-xLzCex)3Al5-yGayO12给出，其中L代表La或者Y。还有，z是0≤z＜0.2范围的数值，X是0.0005≤X＜0.02范围的数值，y是0＜y＜5范围的数值。
还有，本发明的磷光体是由上述通式表示的并含有微量的钾的磷光体。
本发明的磷光体是在原材料粉末加压成型然后烧结得到的，或者是把原材料粉末和助熔剂一起烧制成闪烁体粉末，再把此闪烁体粉末加压成型后，烧结成通式表示的磷光体。
本发明的磷光体是，以Gd3Al5-yGayO12作基料，铈作活化剂(发光成份)，它吸收例如X射线、咖玛射线等辐射，由铈离子发出黄色光。这种磷光体在用作放辐射探测器的闪烁体时，与光电二极管的匹配比较好，输出的光强是现有X射线CT中常用CdWO4做成的闪烁体的1.6倍以上。
还有，用铈作为发光离子，余辉极短，在停止X射线辐射后约220毫微秒余辉衰减到10％，约30毫秒余辉衰减到2×10-5。一般地，磷光体有一次余辉和二次余辉(长余辉成份)，二次余辉是X射线CT中含信息的信号(X射线)，因为它在时间轴方向上不易分辨，所以存在问题。此种磷光体的二次余辉(30毫秒后的余辉)极低，为2×10-5，所以作为X射线CT用的闪烁体有非常优异的特性。
在本发明的磷光体中，钆(Gd)的一部分可以用锂(La)或者钇(Y)置换，这样可以得到余辉极小的磷光体。但是，随着锂或者钇的含量增加，发光效率及X射线阻止能力下降，因此其含量(置换钆的比例z)应小于0.2、最好小于0.1。不含锂或者钇时可以达到最高的发光效率和X射线阻止能力。
通过和镓一起使用铝，可以得到高的发光效率。根据本发明人的研究，如果以铈为发光成份的钆氧化物磷光体中只含有铝或者镓中的一种，而与YAG***不同，也就是，如果以Gd3Al5O12或者Gd3Ga5O12作基料作基料，不具备实用的发光能力。但是在磷光体中铝和镓都有时，磷光体的发光性能极好，还有极短的余辉。按原子比，铝含量(5-Y)和镓含量(Y)的和是5，0＜Y＜5，优选地1.7＜Y＜3.3，更优选地2≤Y≤3，这是相对于(钆+锂+铈)为3而言的。铝和镓的含量分别在1.7至3.3的范围内可以得到相对CdWO4的光输出强度1.5倍以上的发光。
铈是用作本发明磷光体的活化剂(发光成份)的元素，为了发光，铈的含量(X)在0.0005以上，优选的在0.001以上。而且因为铈含量(X)超过0.05时得不到相对CdWO4的光输出强度1.5倍以上的发光，因此应用在必须有高的光输出强度时铈含量(X)在0.05以下，优选的为0.02以下，更加优选的在0.015以下。
本发明的磷光体以上述的钆、铝、镓、铈等元素为必须元素，但是另外还可以含有微量的钾。含有微量的钾可以进一步地提高发光效率。为了得到这样的效果，钾的含量要在10wtppm(重量百万分比)以上。优选为50至500wtppm，更优选地为100至250wtppm。用含有上述范围的钾的磷光体作辐射探测器的闪烁体时，可以得到CdWO4的2倍以上的光输出强度。
另外，本发明的磷光体除上述元素之外还可以含有其它不可避免地混入的元素。例如，在用Gd2O3制做本发明的磷光体的原材料时，纯度99.99％的Gd2O3中含有5wtppm以下的杂质Eu2O3和Tb4O7，因此本发明的磷光体含有这样的杂质。含有这样的杂质的磷光体也属于本发明的范围。
本发明的磷光体并不特别地限制结晶状态，可以是单晶也可以是多晶。从在制造方便和特性偏差小的角度看，优选多晶。在单晶的情况下，可以采用“应用物理杂志”第42卷，3049页(1971)报导的制造其它磷光体单晶的方法作为本发明的制造磷光体的方法。可以通过在作为原材料的闪烁体粉末中添加适量的助烧结剂，在1400至1700摄氏度、300至1400大气压的条件下高温压缩(HP)成烧结体，也可以在和HP同样的条件下均衡热压(HIP)压缩制造，从而获得磷光体。如此可以得到致密的高度透明的烧结体。还有，因为本发明的磷光体是立方晶体，没有折射率的各向异性，所以在制造成烧结体时高度透明。
另外，烧结前的磷光体(闪烁粉末)可以按如下所述制造：例如，混合以化学计量比例配合的原料粉末Gd2O3、Ce2(C2O4)3·9H2O、Al2O3及Ga2O3，有时加入适当的助熔剂成份一起在铝坩埚中以1550至1700摄氏度焙烧数小时。
助熔剂成份是为降低原料的熔融温度促进结晶添加的。助熔剂成份可以单独或者混合使用用于焙烧YAG类磷光体的BaF2、钾盐等钾化合物。优选的是K2SO4、KNO3、K2CO3、K3PO4等钾化合物。
本发明的发明人对于制造本发明的磷光体所使用的助熔剂成份的研究发现，用钾化合物作助熔剂焙烧原料时，可以得到发光效率极高的磷光体。据认为是钾化合物在焙烧时促进了Gd3(Al，Ga)5O12相结晶的同时微量的钾进入结晶中，从而提高了发光效率。
作为助熔剂的钾化合物的使用量为，相对于生成1摩尔的磷光体用0.2至1.8摩尔，优选为0.4至1.6摩尔，更优选为0.8至1.2摩尔。对于1个分子中包含2个钾原子的化合物，如硫酸钾，相对于生成1摩尔的磷光体，这个量可以是0.1-0.9摩尔，优选的为0.2-0.8摩尔，更为优选的为0.4-0.6摩尔。
助熔剂小于或者大于上述范围时，具有与期望要生成的结晶相(Gd3(Al，Ga)2O12相)不同的另外的结晶相(例如GdAlO3相)的晶体的沉积有变多的倾向。而作为助熔剂的钾化合物在上述范围内时，最终得到的磷光体中引入了微量的(500wtppm以下)钾，得到高发光效率的磷光体。
使用如此焙烧成的闪烁体粉末用上述方法制造烧结体。如此制造的本发明的磷光体致密而透明度高、特性偏差小。因此可以获得光输出强度大的辐射探测器。
本发明的磷光体可以用作增强型显示屏、荧光屏、闪烁体和其它通用磷光体，特别适用于要求高发光强度、低余辉的X射线CT用探测器。
本发明的辐射探测器装备有陶瓷闪烁体以及用于探测此闪烁体发光的光探测器。作为陶瓷闪烁体使用的是上述的磷光体。优选地用PIN光电二极管作光探测器。这种光电二极管灵敏度高，响应时间短。波长响应范围从可见光到近红外线的范围，较适于与上述的本发明的磷光体波长匹配。
另外，本发明的X射线CT装置装备有X射线源，与此X射线源面对的X射线探测器，一个支承此X射线源和X射线探测器并且绕受检查对象旋转的旋转装置，和依据X射线探测器探测的X射线强度重建受检查对象的断层图象的图象重建装置，此X射线CT装置用上述磷光体和光电二极管组合成的辐射探测器作X射线探测器。
由于使用此X射线探测器，可以高效率地探测X射线，与采用常规的闪烁体(例如CdWO4)的X射线CT装置比较，灵敏度可以提高二倍左右，而且余辉极小，因而可以得到高图象质量、高分辨率的图象。
图1为本发明的X射线CT装置的一个实施例，图2表示本发明的辐射探测器(X射线探测器)的一个实施例的构成。图3是本发明的磷光体中探测器发光强度与铈浓度的关系图。图4是本发明的磷光体中探测器发光强度与铈浓度的关系图。图5是本发明的磷光体中探测器发光强度与镓浓度的关系图，图6是制造本发明的添加的磷光体助熔剂种类改变时探测器的光输出强度的曲线，图7是助熔剂(硫酸钾)的添加量改变时探测器的光输出强度的曲线，图8是助熔剂(硝酸钾)的添加量改变时探测器的光输出强度。
下面说明装备有本发明的辐射探测器的X射线CT装置的实施例。
图1为本发明的X射线CT装置的示意图，此装置含装备有一个扫描机架部分10和图象重建部分20，扫描机架部分中装备一个有输入患者(受检查对象)的开口部14的旋转盘11，及承载于此旋转盘上的X射线管12和连接在X射线管12上控制X射线束的方向的准直器13，对着X射线管12承载在旋转盘11上的X射线探测器15、把X射线探测器15探测的X射线变换成规定信号的探测器电路16、和控制旋转盘11的旋转及X线束的宽度的扫描控制电路17。
图象重建部分20装备有输入受检查人姓名、检查日期和时间、检查条件等的输入装置21、处理探测器电路16发出的测量数据S1实同CT图象重建的图象处理电路22，把输入装置21输入的受检查人姓名、检查日期和时间、检查条件和其它信息加入到图象处理电路22形成的CT图象上的图象信息加入部分23，及调节加入图象信息的CT图象信号的显示增益并把此信号输出到显示监视器30的显示器电路24。
此X射线CT装置中，受检查者躺在设在扫描机架部分10的开口部14内的检查台(图中未示)上，从X射线管12发出X射线。此X射线由准直器13得到定向性，并由X射线探测器15探测。这时旋转盘11绕受检查人旋转，从而在改变X射线的照射方向的同时探测X射线。在全扫描的情况下，旋转盘转一圈(360度)为一次扫描，由一次扫描探测出的数据重建一个断层的图象。在图象重建部分20产生的断层图象显示在显示监视器30上。
此处，X射线探测器15有多个(例如960个)闪烁体与光电二极管组合成的闪烁体元件，排列成圆弧形，各个闪烁体有图2所示的闪烁体151与PIN光电二极管152组合成的构造。光电二极管152的P层侧连接探测电路16。而且除了光电二极管的P层侧之外，整个元件都由屏敝153复盖，以防止闪烁体151发出的光逸出到外部。屏敝153用可以透过X射线但是反射光线的材料，例如铝，制造。
闪烁体151是吸收从X射线管12发出的透过受检查体的X射线而发光的磷光体，使用上述的本发明的磷光体。此闪烁体151比常规的闪烁体的发光输出高，而且有跨接PIN光电二极管152的高光灵敏波长区的发光峰值，因此可以高效率地由PIN光电二极管进行光电转换。
由此构成摄取断层图象时，从X射线管12连续地发出的扇形X射线束，同时X线管在1至4秒间旋转一圈。此期间内探测电路16侧进行数百次的通断，对穿过受检查人身体的X射线进行探测。为此要求探测器15的输出高，余辉却要小。本发明的X射线CT装置中使用了高输出低余辉的X射线探测器15，可以得到高图象质量的CT图象。而且，由于光输出强度高，在同样的图象质量下可以减少X射线的量，因而降低受检查体的X射线剂量。
尽管图中说明了使用X射线管的CT装置，但是作为X射线源不限于X射线管，也可以用进行线束扫描的束形X射线装置。
实施例《实施例1》
原料采用Gd2O3、Ce2(C2O4)3·9H2O、AL2O3及Ga2O3，还加有BaF2作为助熔剂成份，这种混合物装入铝坩埚中，盖好坩埚后在1600摄氏度下焙烧3小时。为了除去助熔剂用二当量的HNO3水溶液要对焙烧的材料处理一个小时。经水洗、干燥后得到闪烁体粉末。
把如此得到的闪烁体粉末加压成型后，在1700摄氏度下以500个大气压制成烧结体。
按上述方法，制造成Ce的浓度(X)不同的(Gd1-xCex)3Al3Ga2O12组成的陶瓷闪烁体(厚2.5毫米)。将每个闪烁体与光电二极管组合作成探测器，探测器置于距X射线源(120KV，0.5mA)15厘米处，测量其输出光强度。
结果示于图3。纵轴为输出光强度，横轴为Ce的浓度(x)。其中，光输出强度以CdWO4探测器的光输出的值为1来表示。
由图3可见，Ce的浓度(x)在0.005至0.015的范围内可以得到CdWO4探测器的1.5倍以上的高光输出，尤其是，Ce的浓度(x)在0.002时，光的输出量以CdWO4探测器的值为1达到了2.0的值。《实施例2》
原料采用Gd2O3、Ce2(C2O4)3·9H2O、AL2O3及Ga2O3，还加有BaF2作为助熔剂成份，用例1的同样方法制造成Ce的浓度(x)不同的(Gd1-xCex)3Al3Ga2O12组成的陶瓷闪烁体(厚2.5毫米)。使用每个闪烁体与光电二极管组合作成探测器，用与1同样的方法测量其输出光强度。结果示于图4。纵轴为输出光强度，横轴为Ce的浓度(x)。
由图4可见，此实施例中Ce的浓度(x)在0.005至0.015的范围内也可以得到CdWO4探测器的1.5倍以上的高光输出，尤其是，Ce的浓度(x)在0.002时，光的输出以CdWO4探测器的值为1时达到了1.9的值。《实施例3》
原料采用Gd2O3、Ce2(C2O4)3·9H2O、AL2O3及Ga2O3，还加有BaF2作为助熔剂成份，用例1的同样方法制造成Ga的浓度(y)不同的(Gd0.998Ce0.002)3Al5-yGayO12陶瓷闪烁体(厚2.5毫米)。使用每个闪烁体与光电二极管组合作成探测器，用与例1同样的方法测量其输出光强度。结果示于图5。纵轴为输出光强度，横轴为Ga的浓度(y)。
由图5可见，当在闪烁体中在缺少铝和镓之一时几乎没有观察到光发射，两者都存在时观察到光发射，特别是镓的浓度(y)在2至3范围内，可以得到CdWO4探测器的2倍的最大的光输出。《比较例1》
原料采用Gd2O3、La2O3、Ce2(C2O4)3·9H2O、AL2O3及Ga2O3，还加有BaF2作为助熔剂成份，用例1的同样的处理方法制造成(Gd0.998La0.1Ce0.002)3Al3Ga2O12陶瓷闪烁体(厚2.5毫米)。使用闪烁体与光电二极管组合作成探测器，用与例1同样的方法测量其输出光强度。其结果是得到CdWO4探测器的0.8倍的光输出，与不加La的情况相比很低。《比较例2》
原料采用Gd2O3、Y2O3、Ce2(C2O4)3·9H2O、AL2O3及Ga2O3，还加有BaF2作为助熔剂成份，用例1的同样的处理方法制造成(Gd0.998Y0.1Ce0.002)3Al3Ga2O12陶瓷闪烁体(厚2.5毫米)。使用闪烁体与光电二极管组合作成探测器，用与例1同样的方法测量其输出光强度。其结果是得到CdWO4探测器的1.36倍的光输出，与不加La相比很低。《实施例4》
原料采用Gd2O3、Ce2(C2O4)3·9H2O、AL2O3及Ga2O3，把它们按化学计量法的比例混合，还加有硫酸钾作为助熔剂成份，这种混合物装入铝坩埚中，盖好后在1600摄氏度下焙烧2小时。相对每生成1摩尔的磷光体加入0.5摩尔的助熔剂。为了除去得到的烧成物中的助熔剂经过充分的水洗，干燥后得到闪烁体粉末。
把如此得到的闪烁体粉末加压成型后，在1500摄氏度以300个大气压制成有(Gd0.998Ce0.002)3Al3Ga2O12组成的烧结体。
使用陶瓷闪烁体(厚2.5毫米)与光电二极管组合作成探测器，探测器置于距X射线源(120KV，0.5mA)15厘米处，测量其输出光强度。
结果示于图6。纵轴为输出光强度，光输出强度以CdWO4探测器的值为1表示。图6中并列了使用实施例3中得到的同样组成的闪烁体(但是助熔剂成份使用BaF2)的探测器的光输出结果。《实施例5、6》
原料采用Gd2O3、Ce2(C2O4)3·9H2O、AL2O3及Ga2O3，助熔剂成份变成了硝酸钾(实施例5)和碳酸钾(实施例6)，与实施例4同样地，制成有(Gd0.998Ce0.002)3Al3Ga2O12组成的烧结体。此外，相对生成1摩尔的磷光体加入1摩尔的硝酸钾或者0.5摩尔的碳酸钾。
使用烧结体以实施例4类似的方法制做探测器，测量其输出光强度。结果示于图6。《比较例3》
原料采用Gd2O3、Ce2(C2O4)3·9H2O、AL2O3及Ga2O3，不用助熔剂成份，用实施例4的同样的处理方法制造成有(Gd0.998Ce0.002)3Al3Ga2O12组成的烧结体。使用烧结体以实施例4同样的方法制做探测器，测量其输出光强度。结果示于图6。
由图6可见，使用助熔剂焙烧后，可以由制造的烧结体得到高光输出，尤其是在用钾盐作助熔剂成份时，可以比YAG类磷光体中用作助熔剂的BaF2时显示较高的光输出(CdWO4的2.2倍以上)。《实施例7》
助熔剂成份采用硫酸钾，其添加量改变了，其它与实施例4相同地制成有(Gd0.998Ce0.002)3Al3Ga2O12组成的烧结体。对得到的烧结体分析钾的含量。以与实施例4同样的方法使用每个烧结体制做探测器，测量其输出光强度。结果示于图7。另外，图中各点所附数字表示钾的含量(wtppm)。
由图7可见，如此增加磷光体中含的钾的含量，按比例增加助熔剂的含量，其含量在100至200wtppm的范围内，显示出CdWO4的1.5倍以上的较高的光输出。尤其是在钾含量150wtppm左右显示出相对于CdWO4的2倍以上的极高光输出。《实施例8》
助熔剂成份采用硝酸钾，其添加量改变了，其它与实施例4相同地制成有(Gd0.998Ce0.002)3Al3Ga2O12组成的烧结体。对得到的烧结体分析钾的含量。以实施例4同样的方法制做探测器，测量其输出光强度。结果示于图8。另外，图中各点所附数字表示钾的含量(wtppm)。
由图8可见，和以硫酸钾作助熔剂的图7类似，当以硝酸钾作助熔剂时，在钾的含量100wtppm以上时，显示出较高的光输出，尤其是在钾含量130至150wtppm左右显示出相对于CdWO4的2倍以上的极高光输出。工业利用可行性
本发明提供了具有(Gd1-z-xLzCex)3Al5-yGayO12组成的、余辉极小、发光效率高的磷光体。而且，根据本发明可以得到上述组成的透光性高的烧结体，通过与硅光电二极管结合制造辐射探测器，可以得到比常规的产品光输出量大幅度增加的辐射探测器。

Claims (13)

1．一种由通式(Gd 1-z-xLzCex)3Al5-yGayO12所表示的磷光体，其中L代表La或者Y，还有，z是0≤z＜0.2范围的数值，x是0.0005≤x≤0.02范围的数值，y是0＜y＜5范围的数值。
2．一种由通式(Gd 1-xCex)3Al5-yGayO12所表示的磷光体，其中x是0.0005≤x≤0.02范围的数值，y是0＜y＜5范围的数值。
3．一种由通式(Gd 1-z-xLzCex)3Al5-yGayO12所表示的磷光体，其中L代表La或者Y，还有，z是0≤z＜0.2范围的数值，x是0.0005≤x≤0.02范围的数值，y是0＜y＜5范围的数值。
4．一种原料粉末加压成型后通过烧结得到的由通式(Gd 1-z-xLzCex)3Al5-yGayO12所表示的磷光体，其中L代表La或者Y，还有，z是0＜＜z＜0.2范围的数值，x是0.0005≤x≤0.02范围的数值，y是0＜y＜5范围的数值。
5．一种由原料粉末与助熔剂成份一起焙烧成闪烁体粉末经加压成型再烧结得到的并由通式(Gd 1-z-xLzCex)3Al5-yGayO12所表示的磷光体，其中L代表La或者Y，还有，z是0≤z＜0.2范围的数值，x是0.0005≤x≤0.02范围的数值，y是0＜y＜5范围的数值。
6．权利要求5所述的的磷光体，其特征在于，所述的助熔剂成份是钾化合物。
7．权利要求6所述的的磷光体，其特征在于，所述的钾化合物为硫酸钾、硝酸钾、碳酸钾中选出的钾化合物。
8．权利要求1至7中任一项所述的的磷光体，其特征在于，所述的磷光体含有微量的钾。
9．权利要求1至8中任一项所述的的磷光体，其特征在于，所述的磷光体含有10wtppm以上的钾。
10．权利要求1至8中任一项所述的的磷光体，其特征在于，所述的磷光体含有50至500wtppm以上的钾。
11．装备有陶瓷闪烁体与用于检出此闪烁器发光的光探测器的辐射探测器，其特征在于，用权利要求1至10中任一项所述的磷光体作为所述的陶瓷闪烁体。
12．权利要求11所述的辐射探测器，其特征在于，所述光探测器是光电二极管。
13．一种X射线CT装置，装备有X射线源，与此X射线源面对的X射线探测器，一个支承此X射线源和X射线探测器并且绕受检查对象旋转的旋转装置，和依据X射线探测器探测的X射线强度重建检查对象的断层图象的图象重建装置，
其中X射线探测器是权利要求11和12中任一项所述的辐射探测器。
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