CN1242753A - 晶片搬运装置 - Google Patents

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Abstract

通过第1传感器(16)和第2传感器(17)检测将要从若干晶片中取出的晶片的位置和将要取出的晶片上下两层晶片的位置,上述若干晶片的周边部保持在晶片盒(13)的沟槽(14)内。利用上述检测信息计算晶片(15)的挠度并根据该计算结果确定搬运臂(18)能否***到将要取出的晶片(15)下侧且不与下一层晶片(15)相接触以及该搬运臂(18)能否抬起将要取出的晶片(15)而不与上一层晶片(15)相接触。

Description

晶片搬运装置
技术领域
本发明涉及为了晶片检测或对晶片实施后续工序，从晶片盒取出晶片，根据需要将取出的晶片运送到其它装置的晶片搬运装置。
背景技术
现有的由搬运臂将晶片从晶片盒内取出的晶片搬运装置的实例如图9所示。这种晶片搬运装置的主要结构是：在由升降机构1带动可上下移动的盒台2上设置了按层存放若干片晶片3的晶片盒4，该晶片盒4的晶片出入口一侧与具有吸附部6的搬运臂5相对配置。
下面简要说明上述现有晶片搬运装置的动作原理。首先，由升降机构1带动盒台2下降，由图中未示的传感器对晶片张数进行计数，从而检测出要搬运的晶片3。当上述传感器检测出要搬运的晶片3后，升降机构1带动盒台2上升所需距离，搬运臂5向晶片盒4一侧移动并从被搬运的晶片3下侧***。当上述搬运臂5***后，由升降机构1带动盒台2下降规定量；当被搬运的晶片放置到搬运臂5上后，由吸附部6将该搬运的晶片3吸附并保持的状态下，搬运臂5从晶片盒4内退出并把被搬运的晶片3从晶片盒4中取出，然后运送到检验等后续工序中。
在上述晶片搬运装置中，放置晶片3的晶片盒4沿内部两侧壁上形成有若干沟槽7以使所放置的晶片保持水平状态。图9右侧图形的局部放大图是从晶片出入口一侧所看到的晶片盒4右侧壁上沟槽7的放大示意图。该沟槽7支承着晶片3的周边部位，把晶片3保持在水平的状态下放置在晶片盒4内。
由于放置在晶片盒4内的晶片3通常处于水平状态，只要晶片间距离是等间隔的，搬运臂5就能够从被搬运晶片3下侧顺利地***。
但是，最初将晶片3放置到晶片盒4时，多数情况下是用手***，所以就会发生将晶片3***沟槽7左右两侧不同高度的位置上而使***的晶片3呈倾斜状态。由于晶片3的这种倾斜，当搬运臂5从晶片3下侧***时与晶片3发生碰撞，从而会发生晶片3被损坏的问题。
针对上述问题，在诸如日本专利公报(特许公报)第2606423号中公开的那样，由传感器检测出被搬运的各晶片3的***状态，当晶片3倾斜时，中止搬运臂的***动作，以防止发生碰撞。也就是说，设置了检测晶片3的传感器，当升降机构带动盒台相对于传感器下降时，由该传感器检测出各晶片3的状态。传感器将晶片最下面作为检测开始位置，将晶片最上面作为检测终了位置，从检测开始位置到检测终了位置之间盒台移动的距离作为晶片判定厚度，如果(晶片本来厚度)＝(晶片判定厚度)，则可判断为晶片放置方式正确而开始搬运操作，如果(晶片本来厚度)＜(晶片判定厚度)，则可判断为晶片放置方式不正确而中止搬运操作。
但是，近来随着晶片的大型化和薄型化的发展，晶片放置到晶片盒时会出现挠曲变形。例如，将挠度定义为保持在沟槽处的周边部位与挠曲变形最大部位即中心部位的高低差值，则6英寸和8英寸晶片的厚度与挠度的关系如图10A、10B所示。
根据图10B，例如，8英寸晶片按现有的标准，其厚度为0.6mm，按最近的标准，其厚度为0.1mm，二者的挠度相比较，薄型化使后者的挠度增加了大约5mm。
这种由薄型化而产生的挠曲变形带来了下述新的问题。
第1，现有的由传感器将晶片倾斜变化量作为厚度检测的方法并未考虑晶片的挠曲变形。因此，按照现有的技术，将挠度判定为厚度，则无论晶片是否***沟槽7左右相同高度上，都会产生晶片放置方式不正确的错误判断并停止搬运动作，这样，产生了挠曲变形的晶片不能够被搬运。
第2，当在晶片盒内搬运的晶片吸附在搬运臂上并抬起的时间，如果不考虑晶片的挠曲变形，则被搬运的晶片上表面与上一层晶片产生挠曲变形的下表面相接触，会发生晶片表面划伤或晶片破损的问题。
第3，当检验等工序结束后由搬运臂将晶片再次放回到晶片盒的情况下，如果不考虑晶片的挠曲变形，会发生因晶片周边部位的挠曲变形引起该周边部位与沟槽相碰撞的问题，成为晶片破损的原因之一。
发明的公开
本发明是鉴于上述问题而提出的，目的在于提供一种能够在考虑晶片挠曲变形的基础上确实地防止晶片搬运时发生破损的晶片搬运装置。
本发明是一种晶片搬运装置，在这种相对于两端形成有若干晶片周边部保持沟槽的晶片盒使晶片取出臂沿高度以及前后方向移动来完成从晶片盒取出晶片的晶片搬运装置中，具有检测晶片挠曲变形的挠曲变形检测装置和考虑了挠曲变形并能将晶片取出臂***晶片盒使晶片放置并保持在臂上的状态下从晶片盒取出的搬运装置。
理想的是，上述搬运装置具有考虑挠曲变形的基础上确定晶片取出臂***晶片盒的位置并将上述臂***所确定的位置的***装置，进一步，还具有考虑挠曲变形的基础上确定将晶片的周边部从沟槽上抬起时上述臂沿晶片盒高度方向必要的移动量、使***晶片盒内的上述臂沿晶片高度方向只移动所确定的移动量后将上述臂从晶片盒内抽出的抽取装置。
此外，理想的是，上述抽取装置可以判断是否能够在与其它晶片不接触的状态下进行抽取操作，上述***装置可以判断是否能够在与其它晶片不接触的状态下将上述晶片取出臂***上述晶片盒内。
根据上述晶片搬运装置，能够根据检测晶片盒内晶片位置信息计算晶片的挠曲，并根据该计算结果判断晶片之间是否具有搬运臂***的间隙，同时能够判断由上述搬运臂搬运的晶片被抬起时是否具有与上一层晶片不发生接触所需的间隙。这样，能够避免晶片与搬运臂以及晶片之间的接触，使具有挠曲变形的晶片不会被划伤或破损的情况下进行搬运处理。
由上述挠曲变形检测装置检测晶片的挠曲变形和由上述搬运装置进行的晶片搬运的操纵可以对晶片一张一张地进行，能够得到相同的效果。
另一方面，也可以先由上述挠曲变形检测装置对所有的晶片进行挠曲变形检测、然后由搬运装置只对能够被搬运的晶片进行搬运，也可以得到相同的效果。
此外，理想的是，上述挠曲变形检测装置通过检测晶片中心部的位置测定挠曲变形。
此外，也可以在检测晶片中心部位置的同时检测上述晶片盒沟槽内保持的晶片周边部的一侧或两侧的位置，以此来测定挠曲变形。
根据上述晶片搬运装置，当检测出各晶片中央部和一侧周边部位置后，就能够通过计算从保持在沟槽内的周边部到挠曲变形最大的中央部发生了多大的挠曲变形准确地求出各晶片的不同挠度。
上述挠曲变形检测装置也可以通过检测出的晶片中心部位置和由上述晶片盒间距宽度所确定的晶片周边部位置检测挠曲变形，其效果相同。
上述挠曲变形检测装置也可以通过至少检测出晶片上两个不同的位置来测定挠曲变形，其效果相同。
在同时检测出中央部和两侧周边部位置的情况下，即使晶片两侧周边部没有***晶片盒相同高度的沟槽内而保持倾斜状态，由于检测出晶片中心部两侧的周边部位置信息，所以能够检测出晶片的倾斜状态，从而判定搬运臂不能***晶片盒内。
上述晶片搬运装置是具有可放置若干张晶片的晶片盒的安装台和搬运臂且上述搬运臂与上述晶片盒可相对移动的晶片搬运装置，该装置中具有检测上述晶片盒内放置的晶片上下方向上位置的位置检测装置；根据由上述位置检测装置检测出的位置信息计算各晶片挠度的运算部；以及用于根据上述运算部的运算结果判断上述搬运臂能否在不与其它晶片相接触的状态下***晶片下侧以及上述搬运臂能否在不与其它晶片相接触的状态下抬起被搬运晶片的判断部。
根据上述晶片搬运装置，可以通过检测晶片盒内的晶片位置信息计算晶片的挠度，并以该计算结果为依据判断晶片间是否具有搬运臂***的间隙以及是否具有抬起由上述搬运臂搬运的晶片时不会与上一层晶片接触的间隙。这样，能够避免晶片与搬运臂、晶片之间的接触，并能够使产生挠曲变形的晶片不发生划伤或破损的状态下进行晶片搬运操作。
理想的是，上述位置检测装置具有检测上述各晶片中央部位置的传感器，除了上述检测中央部位置的传感器之外，最好还配备检测保持在晶片盒内的上述各晶片周边部位置的传感器。
根据上述晶片搬运装置，通过检测出上述各晶片中央部和周边部两点的位置，计算由保持在晶片盒沟槽的周边部到挠曲变形大的中央部之间产生的挠曲变形，能够准确地求出各晶片不同的挠度。
此外，上述位置检测装置中也可以具有检测上述各晶片中央部位置的传感器和检测位于该传感器两侧且保持在上述各晶片的晶片盒的两侧周边部位置的传感器。
根据上述晶片搬运装置，即使晶片两侧周边部没有***晶片盒相同高度的沟槽内而保持倾斜状态，由于检测出晶片中心部两侧的周边部位置信息，所以能够检测出晶片的倾斜状态，从而判定搬运臂不能***晶片盒内。
图面的简单说明
图1是实施形式1的结构示意图。
图2是实施形式1的动作流程图。
图3是实施形式1的动作流程图。
图4是实施形式1的动作流程图。
图5A、5B、5C、5D、5E、5F是实施例1的说明图。
图6A、6B是实施例1的说明图。
图7A、7B是实施例3的说明图。
图8是实施例4的说明图。
图9是现有的晶片搬运装置说明图。
图10A、10B是晶片厚度和挠度关系的说明图。
发明的最佳实施形式(实施例1)
图1是实施例1的晶片搬运装置的结构示意图。
在由升降机构11带动可上下移动的盒台12上设置了按层存放若干层晶片15的晶片盒14，该晶片盒14的晶片出入口一侧与具有吸附部181的搬运臂18相对配置。
第1光穿透型传感器16由发光部161和光接收部162组成，用于检测晶片15中心部的位置信息。同样，第2光穿透型传感器17由发光部171和光接收部172组成，用于检测晶片15周边部的位置信息。
在本实施例中，固定光穿透型传感器16、17，当升降机构11带后盒台12上下移动时，就可进行晶片盒内各晶片15的位置信息检测。
也可以与本实施例相反，将盒台12固定，使光穿透型传感器16、17与搬运臂18一起上下移动以检测各晶片15的位置信息，进行搬运处理。
控制部19通过光穿透型传感器16和17分别检测出中心部的位置信息和周边部的位置信息并存储起来。然后根据该两种位置信息进行晶片15的挠度计算。
控制部19根据上述计算所得的挠度判断搬运臂18是否能够***晶片的下侧以及***后是否能够由搬运臂18将晶片15抬起并取出。后面将对这种判断过程进行详细说明。
下面根据图2-4说明上述装置的动作过程。
图2、图3、图4是上述装置中，搬运由晶片盒13内最下层数起的第i层晶片15(以下为第i层晶片15)的动作流程图。在由升降机构11带动可上下移动的盒台上装载有晶片盒13，当图中未示的开关合上并指示晶片开始搬运后，按上述动作流程图所示顺序开始动作。
下面说明当i＝n即第n层晶片15的搬运动作。
首先，升降机构11带动盒台12下降(第S201步)。
其次，由第1传感器16判定是否检测出晶片盒13内第n-1层晶片15的中心部(第S202步)。
图5A、5B、5C、5D、5E、5F是将第n-1层晶片15作为最下层晶片15(即n＝2)，从晶片15出入口一侧观察的图1所示升降机构11、盒台12、晶片盒13的正面示意图。
图5A表示的是在第S202步中，由第1传感器16检测出第n-1层晶片15中心部的情况。
当第1传感器16未检测出第n-1层晶片15中心部时，由升降机构11带动盒台12进一步下降(第S203步)、至检测到第n-1层晶片15中心部为止反复进行同样的操作。
下面，由第2传感器17判定是否检测出第n-1层晶片15的周边部(第S204步)，如果未检测出的话，由升降机构11带动盒台12进一步下降(第S205步)，至检测到第n-1层晶片15周边部为止反复进行同样的操作。
图5B表示的是在第S204步中，由第2传感器17检测出第n-1层晶片15周边部的情况。
由第2传感器17检测出第n-1层晶片15的周边部后，根据第1传感器16、第2传感器17检测出的第n-1层晶片中心部和周边部的位置信息计算第n-1层晶片15的挠度(第S206步)。这时，假如由第1传感器16和第2传感器17检测出的第n-1层晶片15中心部和周边部位置完全一致的话，则晶片15没有挠曲变形且保持水平状态。
下面，如图5C、5D所示，由第1传感器16、第2传感器17检测第n层晶片15中心部和周边部的位置信息，挠度的计算与第n-1层晶片15的计算方法相同(第S207～S211步)。
然后，以第S211步计算得到的挠度为根据，计算搬运臂上吸附并保持第n层晶片15时的挠度。再根据上述计算得出的挠度，确定第n层晶片15周边部从沟槽14离开所需的搬运臂上升量(行程P，第S212步)。
下一步，根据第n-1层晶片15和n层晶片15的位置信息和挠度，计算第n-1层晶片15和第n层晶片15之间的间隙(第S213)、判断搬运臂能否***(第S214步)。也就是说，如图6A所示，在第S214步中根据第S213步的计算，判断当搬运臂18***第n-1层晶片15和第n层晶片15之间时，在搬运臂18的上表面和第n层晶片15的下表面之间以及搬运臂18的下表面与第n-1层晶片15的上表面之间是否能够确保搬运臂18与晶片15不发生接触的间隙。
在第S214步中，如果搬运臂18不能***的话，判定为第n层晶片15不能被搬运，则使i＝n+1，搬运操作移至对第i＝n+1层晶片15进行。
如果在第S214步中搬运臂18能够***的话，将搬运臂18能够***范围的中间位置作为取出第n层晶片15时搬运臂18的***位置存储到存储器中(第S215步)。
下面，如图5E、5F所示，由第1传感器16、第2传感器17检测出第n+1层晶片15的中心部和周边部的位置信息，挠度计算与第n-1、n层晶片15时相同(第S216-S221步)。
然后，根据第S211步和S221步得到的位置信息和挠度，计算第n+1层晶片15和第n层晶片15之间的间隙(第S222步)。再根据上述计算得出的第n+1层晶片15与第n层晶片15之间的间隙和由第S212步确定的行程P判断是否能够在晶片15之间不接触的状态下抬起第n层晶片15，也就是说，如图6B所示，判断当以第n层晶片周边部从沟槽14离开所需行程P抬起时、第n层晶片15的上表面与第n+1层晶体15的下表面之间是否能够确保具有相互不接触的间隙(第S223步)。
在第S223步中，如果搬运臂18不能将第n层晶片15抬起时，则断定为第n层晶片15不能被搬运，这样让i加1再回到第S202步移至第n+1层晶片15的搬运操作。
在第S223步中，如果搬运臂18能够将第n层晶片15抬起时，则为了按照第S215步中存储的***位置使搬运臂18***，由升降机构11带动盒台12移动(第S224步)。
在第S224步中，当升降机构11带动盒台12使搬运臂18到达由第S215步存储的***位置后(第S214步)，搬运臂18***第n层晶片15下侧的上述***位置中(第S225步)。当吸附部181将晶片吸附并保持后，使盒台12只下降第S212中确定的行程P(第S226步)、然后在第n层晶片15与沟槽14以及第n+1层晶片不接触状态下(这时升降机构11的位置叫抽出位置)从晶片盒13抽出(第S227步)，进入检验等其它处理过程(第S228步)。
其它处理过程结束后，使升降机构11回到第S227步的抽出位置上，将吸附并保持有第n层晶片15的搬运臂18***晶片盒13内，并由吸附部181解除吸附(第S229步)。
然后，让盒台12正好上升行程P，使第n层晶片15的周边部保持在沟槽14内从而放置在晶片盒13中(第S230步)，使搬运臂18移至待机位置(第S231步)，结束对第n层晶片15的搬运过程。
下面，对于放置在晶片盒13内的所有晶片15以上述相同的操作内容和顺序进行反复处理(第S232步)后，结束整个搬运过程。
此外，在搬运晶片盒13最下层晶片15时，根据检测出的设置于最下层晶片15下方并与晶片盒13两侧壁相连的晶片盒底面连接部件上表面位置，能够计算出该上表面与最下层晶片15的下表面之间的间隙并判断搬运臂18能否***。
最上层晶片15抬起的可能性同样也能够通过检测晶片盒13上部两侧壁连接部件的下表面位置进行判断。
根据上述结构可以得到如下效果。
1.通过检测出晶片盒13内晶片15的位置信息计算晶片15的挠度，并根据该计算结果判断晶片15下侧是否具有搬运臂18***的间隙，所以能够避免晶片15与搬运臂18之间的干涉以及由于干涉而引起晶片15破损的问题。
2.通过检测出晶片盒13内晶片15的位置信息计算晶片15的挠度，并根据该计算结果判断当搬运臂18抬起晶片15时是否具有与上侧晶片15不发生接触的间隙，所以能够避免晶片15之间相接触以及晶片15的划伤和破损。
3.通过检测出各晶片15的位置信息计算晶片15的挠度，根据该计算结果算出由搬运臂18吸附的晶片15周边部的挠度并与行程P比较，所以能够避免晶片15抽出及***时晶片盒13的沟槽14与晶片15周边部之间的干涉以及由此引起的破损和产生尘埃。
4.通过检测出位于最下层晶片15下方的晶片盒13两则壁连接部件上表面的位置，可以计算出该上表面与最下层晶片15下表面之间的间隙并判断搬运臂18能否***，所以能够避免连接部件和搬运臂18之间的干涉、防止搬运臂18的破损。
5.通过分别检测出各晶片15的位置信息计算晶片15的挠度并根据该计算结果判断搬运臂18***的可能性和抬起晶片15的可能性，所以，即使搬运不同厚度且装在同一晶片盒13内的晶片15时，也能够在不损坏晶片15及搬运臂18的状态下进行搬运操作。
以上根据实施例1对本发明进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施例，如下述(1)、(2)所示，在本发明的基本思想范围内，可以有各种不同的实施形式。
(1)实施例1中，在各晶片15的搬送过程中进行位置检测，挠度计算，晶片15之间的间隙计算，并进行***和抬起可能性的判断。与此相对地，为了提高装置的运行效率，也可以将晶片盒13内所有晶片15的初始位置检测出来并进行挠度计算，晶片15之间的间隙计算和***、抬起判断，然后将上述信息存储在存储装置中，只进行能够搬运的晶片15的搬运操作。
(2)在实施例1中，通过设置检测晶片盒13内晶片15挠曲变形大的中心部的传感器16和检测***沟槽14的晶片15周边部的传感器17进行位置信息检测。与此相对地，由于晶片盒13的尺寸、沟槽间距宽度是确定的，所以能够省略对晶片15周边部的检测，只用传感器16检测晶片15挠曲变形最大的中心部即可。也就是说，按照晶片盒13的尺寸和间距宽度可以确定晶片15周边部的位置，所以能够用事先在存储器中存储的上述数据代替由传感器17检测出的晶片15周边部的位置信息。
(实施例2)
在实施例1中，通过第1传感器16和第2传感器17检测出晶片盒13内放置的晶片15中央部和周边部两个部位的位置，然后根据该位置信息进行挠度的计算。
但是，并非一定要检测上述两个位置，也可以设置另外的两个用于检测的位置，然后以该位置信息和晶片尺寸为依据预测晶片15的挠度。也就是说，可以通过在不同高度的两个位置上设置的相同传感器检测晶片15，根据晶片15检测位置的高度差进行内部运算求出晶片15的挠度，这样可以得到与实施例1相同的效果。
(实施例3)
在实施例1中，通过第1传感器16和第2传感器17检测出晶片盒13中放置的晶片15中央部及周边部等两个位置，然后根据该位置信息计算挠度。
但是，只检测上述两个位置，有时不能够判断晶片15***在沟槽14左右高度不同的槽内的情况，所以会出现搬运臂***时该搬运臂18与晶片15发生碰撞、晶片15破损的问题。
因此，在实施例3中，除实施例1使用的第1传感器16、第2传感器17之外设置了与第1传感器16、第2传感器17高度位置相同、用于检测第2传感器17检测不到的另一侧周边部(从正面看是左侧的周边部)的第3传感器19。
图7A、7B是从晶片15出入口方向看到的升降机构11、盒台12、晶片盒13的正面示意图，图中显示了晶片15***左右不同沟槽14内的状态。
下面说明在实施例3中判断晶片15是否***沟槽14左右两侧高度不同的层内的过程(具体地说，本例中从正面看时左侧周边部***了上一层沟槽内)。
首先，在图7A中，由第1传感器16、第2传感器17检测出最下层晶片15中心部和右侧周边部。由于从晶片正面看的话其左侧周边部比右侧周边部放置在盒内的位置高，所以这时第3传感器19尚未检测出最下层晶片15左侧的周边部。
其次，在图7B中，升降机构11带动盒台12继续下降，由第3传感器19进行晶片15左侧周边部的检测。这时，第1传感器16、第2传传器17检测不到晶片15。
这时，如果第2传感器17和第3传感器19检测出的左右周边部高度差大致等于晶片盒13沟槽14高度时，则可判定晶片15在沟槽14内的放置状态不正确。
这种情况下，停止搬运臂18***晶片盒13的操作以及进行告知晶片15放置状态不正确等警报处理。
根据上述结构，不仅能够通过第1传感器16、第2传感器17检测出的位置信息计算晶片15的挠度，而且能够通过第2传感器17、第3传感器19检测出的晶片5右边和左边周边部位置信息判断晶片15是否以相同的高度放置在沟槽14内。
这样就能够防止由于晶片15和搬运臂18之间的干涉而发生晶片15的破损的问题。
(实施例4)
在实施例4中，如图8所示，在盒台12下部设置有3个测距传感器20、21、22，分别用于检测晶片盒13最下层放置的晶片15的中心部和该中心部两侧的周边部。传感器20、21、22发射光，根据到反射光返回为止的时间来测定距离，为此，在盒台12、晶片盒13下部设有使来自传感器20、21、22的光可以照射到晶片上的间隙。
下面，在实施例4中，首先由测距传感器20、21、22测出从该传感器至最下层晶片15中心部以及至该中心部两侧的周边部之间的距离，根据该检测出的3个距离值计算晶片的挠度。
其次，根据上述晶片15的挠度和预先存储的晶片盒13的沟槽间距求出搬运臂18的***位置以及盒台12的行程P。
与实施例1相同，根据上述结构，即使因晶片15较薄而产生挠曲变形，也能够防止因晶片15和搬运臂18之间干涉而发生晶片15破损以及因搬运臂18与两侧壁连接部件之间干涉而发生搬运臂18破损，而能够进行晶片的搬运处理。
此外，由于不需要上下移动盒台12而只需检测出晶片盒13最下层放置的1张晶片的挠曲变形信息就能够得到各层晶片15搬运时搬运臂18的***位置信息，所以能够缩短晶片搬运时间。
(实施例5)
在实施例1中根据检测出的位置信息进行计算，求出晶片15的挠度。与此相对地，也可以先测量晶片15的厚度，然后根据该厚度求出晶片15的挠度。也就是说，可以是这样的结构，即具有测量晶片15厚度的传感器，将晶片15挠度与厚度的相关关系表预先存储在存储装置中，根据上述传感器测量的厚度值与上述表相对照求出晶片15的挠度。
根据上述结构，不仅具有与实施例1同样的效果，而且由于只设置一处晶片厚度测量传感器，能简化装置结构。
此外，如果将由放置在沟槽14内的晶片15周边部和中心部的高低差值计算的挠度与吸附并保持在搬运臂18内的晶片15周边部下垂所产生的挠度相区别，并分别将上述挠度与厚度对照关系表预先存储在存储装置中并用与上述对照查表同样的方法的话，可进一步精确防止晶片的破损和产生尘埃。
生产中利用的可能性
正如上述实施例1-5所记述的那样，由于考虑了晶片的挠曲变形，可以判断搬运臂能否***以及搬运臂***后为了取出晶片而能否抬起，在上述两种判断均为可能时，还可以精确求出搬运臂的***位置以及搬运臂***后为了取出晶片所需抬起量(行程)，所以，能够得到确实地防止搬运时晶片破损的晶片搬运装置。

Claims (15)

1.一种晶片搬运装置，相对于两端形成有若干保持晶片周边部的沟槽的晶片盒使晶片取出臂沿高度以及前后方向移动来从晶片盒取出晶片，其特征在于：具有检测晶片挠曲变形的挠曲变形检测装置和考虑了挠曲变形并能将晶片取出臂***晶片盒使晶片放置并保持在臂上的状态下从晶片盒取出的搬运装置。
2.根据权利要求1所述的晶片搬运装置，其特征在于：上述搬运装置具有考虑挠曲变形的基础上确定晶片取出臂***晶片盒的位置并将上述臂***所确定的位置的***装置。
3.根据权利要求2所述的晶片搬运装置，其特征在于：上述搬运装置还具有考虑挠曲变形的基础上确定将晶片的周边部从沟槽上抬起时上述臂沿晶片盒高度方向必要的移动量，使***晶片盒内的上述臂沿晶片盒高度方向只移动所确定的移动量后将上述臂从晶片盒内抽出的抽取装置。
4.根据要求要求3所述的晶片搬运装置，其特征在于：上述抽取装置判断是否能够在与其它晶片不接触的状态下进行抽取操作。
5.根据权利要求2所述的晶片搬运装置，其特征在于：上述***装置判断是否能够在与其它晶片不接触的状态下将上述晶片取出臂***上述晶片盒内。
6.根据权利要求1所述的晶片搬运装置，其特征在于：上述挠曲变形检测装置通过检测晶片中心部的位置检测挠曲变形。
7.根据权利要求6所述的晶片搬运装置，其特征在于：上述挠曲变形检测装置通过检测晶片中心部位置以及上述晶片盒沟槽内保持的晶片周边部中至少一侧的位置检测挠曲变形。
8.根据权利要求6所述的晶片搬运装置，其特征在于上述挠曲变形检测装置通过检测出的晶片中心部位置和由上述晶片盒间距宽度所确定的晶片周边部位置检测挠曲变形。
9.根据权利要求1所述的晶片搬运装置，其特征在于：上述挠曲变形检测装置通过至少检测出晶片的两个部位的位置检测挠曲变形。
10.根据权利要求1所述的晶片搬运装置，其特征在于：由上述挠曲变形检测装置检测晶片的挠曲变形和由上述搬运部件搬运晶片的操作是一张一张地进行的。
11.根据权利要求1所述的晶片搬运装置，其特征在于：通过上述挠曲变形检测部件对所有的晶片进行挠曲变形检测后，只对能够搬运的晶片由上述搬运装置搬运。
12.一种晶片搬运装置，具有可放置若干张晶片的晶片盒的安装台和搬运臂且上述搬运臂与上述晶片盒可相对移动，其特征在于：具有检测上述晶片盒内放置的晶片上下方向上的位置的位置检测装置；根据由上述位置检测装置检测出的位置信息计算各晶片挠度的运算部；以及用于根据上述运算部的运算结果判断上述搬运臂能否在不与其它晶片相接触的状态下***晶片的下侧以及上述搬运臂能否在不与其它晶片相接触的状态下抬起被搬运晶片的判断部。
13.根据权利要求12所述的晶片搬运装置，其特征在于：上述位置检测装置具有用于检测上述各晶片中央部位置的传感器。
14.根据权利要求12所述的晶片搬运装置，其特定在于：上述位置检测装置具有检测上述各晶片中央部位置的传感器，和检测上述各晶片保持在晶片盒的周边部的位置的传感器。
15.根据权利要求12所述的晶片搬运装置，其特征在于：上述位置检测装置具有检测上述各晶片中央部位置的传感器，和检测位于上述传感器两侧且保持在上述各晶片的晶片盒的两侧的晶片周边部位置的传感器。
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