CN1209771C - 绝缘体陶瓷组合物 - Google Patents

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Abstract

一种绝缘体陶瓷组合物，可在1000℃的低温焙烧，并可与银和铜一起焙烧，由此得到的烧结体具有优异的机械强度，Q值高，适合在高频使用。该绝缘体陶瓷组合物由(A)MgO-MgAl2O4陶瓷粉末，其重量组成比由式xMgO-yMgAl2O4表示，式中，10≤x≤90，10≤y≤90且x+y＝100(B)玻璃粉末，该玻璃粉末含有约13-50重量%的氧化硅(以SiO2计)、约3-60重量%的氧化硼(以B2O3计)和约0-20重量%的氧化铝(以Al2O3计)组成，其中，所述陶瓷粉末和玻璃粉末的重量比约为20∶80至80∶20。

Description

绝缘体陶瓷组合物
                               技术领域
本发明涉及用于例如多层电路基板的绝缘体陶瓷组合物，更具体地说，涉及可适宜地用于安装半导体元件和各种电子部件的复合多层电路基板并可与铜、银等导体材料一起焙烧的绝缘体陶瓷组合物。
                               背景技术
近年来，高速高频电子设备已经增加。对于安装在电子设备上的电子部件中，还要求高速高频集成，此外，还要求高密度安装。为满足这些要求，迄今，多层电路基板已被用作安装半导体元件和各种电子部件的基板。在多层电路基板中，导体电路和电子部件功能元件被整合在基板上，以使电子设备小型化。
氧化铝被经常地用作构成上述多层电路基板的材料。
氧化铝的焙烧温度较高，为1500-1600℃。因此，作为整合在由氧化铝制成的多层电路基板上的导体电路材料，通常不得不使用高熔点金属，如Mo、Mo-Mn和W。但存在的问题是，这些高熔点金属的电阻大。
因此，非常希望能使用比上述高熔点金属的电阻低和价格低廉的金属(如铜等)作为导体材料。为能够使用铜作为导体材料，已有使用可在1000℃以下的低温焙烧的玻璃陶瓷、晶化玻璃等的方案提出(例如，日本特许公开公报1997年第238774号)。
但存在的问题是，上述公知的可低温焙烧的基板材料不易同时满足高机械强度和高Q值的要求。
                               发明内容
本发明的目的是，克服现有技术的上述缺陷，提供一种可通过低温焙烧而得到、并可与银、铜等较低熔点的导体材料一起焙烧、具有优异的机械强度、高Q值和优异的高频特性的绝缘体陶瓷。
本发明的另一个目的是，提供用上述绝缘体陶瓷构成的机械强度优异、Q值高、高频特性优异的陶瓷多层基板、陶瓷电子部件和叠层陶瓷电子部件。
本发明是为了解决上述问题而进行的。本发明的绝缘体陶瓷组合物的特征在于，它包含：(A)MgO-MgAl2O4陶瓷粉末，其重量组成比由式xMgO-yMgAl2O4表示，式中，10≤x≤90，10≤y≤90且x+y＝100(B)玻璃粉末，该玻璃粉末含有约13-50重量％的氧化硅(以SiO2计)、约3-60重量％的氧化硼(以B2O3计)和约0-20重量％的氧化铝(以Al2O3计)，其中，所述陶瓷粉末和玻璃粉末的重量比约为20∶80至80∶20。
在上述玻璃粉末100重量％中，以SiO2计，氧化硅的含量约为13-50重量％，较好地约为20-30重量％。若氧化硅的含量在约13重量％以下，则所得烧结体的结晶度降低，Q值下降。而若氧化硅的含量在约50重量％以上，则其玻璃熔点上升。
在上述玻璃粉末中，以B2O3计，氧化硼的含量约为3-60重量％，较好地为30-60重量％。氧化硼主要起助熔剂的作用。若氧化硼的含量在约3重量％以下，则其熔点变得太高，而若大于约60重量％，则所得烧结体的耐湿性下降。
此外，在上述玻璃粉末中，以Al2O3计，氧化铝的含量约为0-20重量％。氧化铝的含量可以是0重量％。换言之，氧化铝并非必不可少。因此，不含氧化铝的本发明绝缘体陶瓷组合物表示为包含下述组分的绝缘体陶瓷组合物：(A)MgO-MgAl2O4陶瓷粉末，其重量组成比由式xMgO-yMgAl2O4表示，式中，10≤x≤90，10≤y≤90且x+y＝100(B)玻璃粉末，该玻璃粉末含有约13-50重量％的氧化硅(以SiO2计)、约3-60重量％的氧化硼(以B2O3计)，其中，所述陶瓷粉末和玻璃粉末的重量比约为20∶80至80∶20。
含有上述氧化铝时，若其含量大于约20重量％(以Al2O3计)，则不能得到致密的烧结体，Q值变小。含有氧化铝时，以Al2O3计，其下限大于0重量％。
在本发明中，较好的是，在上述玻璃粉末中还含有占总重量的约10-40％的至少一种碱土金属氧化物，所述碱土金属氧化物选自BaO、SrO、CaO和MgO。更好的是，上述碱土金属氧化物占玻璃粉末总重量的约20-30％。
上述碱土金属氧化物的作用是降低制造玻璃时的熔点，并在晶化玻璃中起结晶构成成分的作用。若上述碱土金属氧化物的含量在约10重量％以下，则熔点可能上升，而若大于约40重量％，则结晶析出量可能增加，基板强度可能下降。
在本发明的另一个方面，较好的是，上述玻璃粉末含有占玻璃粉末总重量的约10％以下的选自Li2O、K2O和Na2O中的至少一种碱金属氧化物，更好的是，占玻璃粉末总重量的约2-5％。碱金属氧化物的作用是降低熔点。若碱金属氧化物的含量大于约10重量％，则Q值可能下降。
在本发明中，上述绝缘体陶瓷组合物可含有氧化锌，以ZnO计，其含量较好地在约15重量％以下，更好地在约10重量％以下。氧化锌的作用是降低焙烧温度。但若氧化锌的含量大于约15重量％，则可能得不到致密的烧结体。上述氧化锌可作为玻璃成分含于上述绝缘体陶瓷组合物中。
在本发明中，以CuO计，氧化铜的含量较好地占总重量的约3％以下，更好地占2％以下。氧化铜的作用是降低焙烧温度。但若氧化铜的含量大于约3重量％，则Q值可能下降。
在本发明的特定方面中，当上述MgO-MgAl2O4陶瓷粉末的组成重量比用式xMgO-yMgAl2O4表示时，x和y最好分别满足10≤x≤90、10≤y≤90且x+y＝100的关系。将表示MgO的重量百分比的x设定在约1-90的范围内的理由是，若x大于约90，MgO的耐湿性可能出现问题。而若在约10以下，则可能需要增加昂贵的玻璃的添加量以在1000℃以下焙烧。
在本发明中，较好的是，将上述陶瓷粉末和玻璃粉末以约20∶80至80∶20之重量比掺和，更好的是，以约40∶60至60∶40之重量比掺和。若陶瓷粉末之掺和比高于上述范围，则烧结体密度可能下降，而若玻璃粉末之掺和比高于上述范围，则Q值可能下降。
在本发明的另一特定方面，提供通过将本发明的绝缘体陶瓷组合物焙烧而得到的绝缘体陶瓷。在此情况下，由于将上述绝缘体陶瓷组合物在1000℃以下的低温焙烧而得到上述绝缘体陶瓷，因此，可将上述绝缘体陶瓷组合物与低熔点金属(如银和铜)一起焙烧。由此，本发明的绝缘体陶瓷适合用于使用由这些低熔点金属制成的导体材料的陶瓷多层基板等。
尤其是，由于使用在高频带显示高Q的MgO-MgAl2O4材料(在14GHz的Q×f值≥70000GHz)作为陶瓷粉末，因此，即使减少玻璃的添加量，也可在1000℃以下的温度进行制备并可得到高Q值的绝缘体陶瓷。
本发明的绝缘体陶瓷在测定频率10GHz的Q值最好在约400以上。若Q值在约400以上，则可用作近年来的高频带电路元件基板。
可使用经过约700-1400℃煅烧的玻璃组合物作为上述玻璃粉末。
本发明的陶瓷多层基板提供具有由本发明的绝缘体陶瓷组合物制成的绝缘性陶瓷层的陶瓷板和形成于该陶瓷板的绝缘陶瓷层内的多个内部电极。
在本发明的陶瓷多层基板的一个特定方面，具有比上述绝缘性陶瓷层介电常数高的第二陶瓷层层叠在上述绝缘性陶瓷层的至少一个面上。
在本发明的陶瓷多层基板的另一个特定方面，多个内部电极夹插至少一部分上述绝缘性陶瓷层而层叠，从而构成单片电容器。
在本发明的另一个特定方面，多个内部电极具有夹插至少一部分上述绝缘性陶瓷层而层叠的电容器内部电极和彼此连接以构成叠层电感器的线圈导体。
本发明的陶瓷电子部件具有本发明的陶瓷多层基板和安装在该陶瓷多层基板上并与上述多个内部电极一起构成电路的至少一个电子部件。
在本发明的上述陶瓷电子部件的一个特定方面，在上述电子部件元件的周围，还具有固定在上述陶瓷多层基板上的帽罩。
该帽罩最好是导电性的。
在本发明的上述陶瓷电子部件的一个特定方面，还具有仅形成于上述陶瓷多层基板的底面上的多个外部电极、与上述外部电极电连接的并与上述内部电极或电子部件元件电连接的多个通孔导体。
本发明的叠层陶瓷电子部件的特征在于，具有用本发明的绝缘体陶瓷组合物制成的陶瓷烧结体、配置在该陶瓷烧结体上的多个内部电极、形成于该陶瓷烧结体外表面上并与内部电极中的一个电连接的多个外部电极。
在本发明的叠层陶瓷电子部件的一个特定方面，多个内部电极夹插陶瓷层而层叠配置，从而构成电容器单元。
在本发明的叠层陶瓷电子部件的另一个特定方面，上述多个内部电极除了上述构成电容器单元的内部电极之外，还包括彼此连接而构成叠层电感器的多个线圈导体。
                               附图说明
图1是本发明一实施例的作为使用陶瓷多层基板的陶瓷电子部件的陶瓷层叠模块的垂直剖面图；
图2是图1所示陶瓷多层模块的透视组装图；
图3是说明用来制造本发明第二实施例的叠层陶瓷电子部件的陶瓷生料片和形成于该生料片上的电极图案的透视组装图；
图4是本发明第二实施例的叠层陶瓷电子部件的透视图；
图5是图4所示叠层陶瓷电子部件的电路构成。
                             具体实施方式
下面先对本发明的绝缘体陶瓷的具体实施例进行说明，然后说明本发明的陶瓷多层基板、陶瓷电子部件和叠层陶瓷电子部件，以使本发明变得清楚。
制备Mg(OH)2粉末和Al2O3粉末作为原料粉末。称取上述两粉末，使最终得到的烧结体的重量组成比用式xMgO-yMgAl2O4表示时10≤x≤90、10≤y≤90且x+y＝100，将它们混合16小时，然后干燥。将干燥后的混合物在1400℃煅烧2小时，然后粉碎。
然后，如下表2所示，将上述煅烧过的原料20-80重量％与具有下表1所示组成的玻璃粉末(烧结助剂)、ZnO和CuO以下表2所示合适比例搀和，加入适量粘合剂后制成颗粒。将制成颗粒的样品号1-52的各混合物在200MPa的压力下模压成型，得到直径12mm、厚7mm的圆柱形成型物。
将上述成型物在900-1000℃于空气中焙烧2小时，得到表2和表3所示样品号1-52的圆柱形绝缘体陶瓷。
使用上面得到的各圆柱形绝缘体陶瓷，通过两端短路电介质共振法测定在共振频率(10GHz)的相对介电常数r和Q值。结果见下面的表2和表3。
关于上述圆柱形绝缘体陶瓷，按JIS R1601进行3点弯曲试验，评价抗弯强度。样品号2-7、9-29、39-40和42-52的样品的相对密度在98％以上，并具有200MPa的高抗弯强度。
                                                              表1
    SiO2(重量％)     B2O3(重量％)     Al2O3(重量％)     MgO(重量％)     BaO(重量％)     SrO(重量％)     CaO(重量％)     Li2O(重量％)
 A     22     43     8     22     -     -     -     2
 B     20     41     6     28     -     -     -     3
 C     13     60     10     12     -     -     -     5
 D     50     25     3     17     -     -     -     5
 E     45     3     20     25     -     -     -     7
 F     42     13     5     -     -     -     40     -
 G     12     60     10     13     -     -     -     5
 H     51     25     3     16     -     -     -     5
 I     13     61     10     11     -     -     -     5
 J     45     3     21     25     -     -     -     6
 K     33     33     -     -     -     -     24     10
 L     45     2     20     25     -     -     -     8
 M     35     36     20     -     5     4     -     -
 N     19     40     -     22     -     -     19     -
 O     23     52     6     17     -     -     -     2
 P     33     33     -     -     -     -     23     11
 Q     22     35     12     22     -     -     -     9
                                                                     表2
No.     MgO(wt％)     MgAl2O4(wt％)     玻璃添加量   ZnO(wt％)   CuO(wt％)   焙烧温度(℃)     相对密度(％) r Q
  (wt％)   种类
1 0 100 80 A 0 0 1000 96 6.9 350
  2     10     90   90   A   0   0   1000     97   7.0   480
  3     10     90   90   A   8   2   1000     97   7.0   700
4 20 80 80 A 0 3 1000 99 7.1 1000
  5     50     50   45   A   15   1   900     99   7.1   3000
  6     20     80   85   A   0   4   1000     99   7.1   500
  7     90     10   80   A   10   3   1000     97   7.0   900
  8     100     0   80   A   10   3   1000     96   6.9   350
  9     50     50   45   B   10   2   900     100   7.1   3000
  10     40     60   45   B   10   3   900     98   7.0   3200
  11     60     40   50   B   9   2   900     98   7.0   2000
  12     80     20   60   B   15   3   900     98   7.0   2000
  13     80     20   60   B   16   3   900     97   7.0   500
  14     90     10   70   B   10   2   900     97   7.0   800
  15     50     50   10   B   8   2   900     97   7.0   400
  16     50     50   30   C   0   0   900     99   7.1   1000
  17     60     40   40   C   7   0   900     99   7.0   1500
  18     60     40   40   C   11   0   900     99   7.1   1700
  19     70     30   20   C   15   1   1000     98   7.0   1600
20 70 30 20 C 0 3 1000 98 7.0 1200
21 50 50 10 C 0 0 1000 97 7.0 400
  22     50     50   30   D   0   0   1000     98   7.1   800
  23     40     60   50   D   13   1   1000     98   7.1   900
  24     50     50   50   E   10   2   1000     98   7.1   500
  25     50     50   50   F   4   2   900     100   7.5   500
  26     60     40   50   F   6   3   900     99   7.4   400
  27     40     60   50   F   8   2   900     98   7.3   400
  28     40     60   50   F   15   4   900     98   7.3   350
  29     50     50   40   F   15   2   1000     99   7.5   500
  30     50     50   60   G   5   2   1000     97   7.0   350
  31     50     50   70   G   8   0   1000     97   7.1   320
                                                                 表3
No.   MgO(wt％)     MgAl2O4(wt％)      玻璃添加量   ZnO(wt％)   CuO(wt％)   焙烧温度(℃)     相对密度(％) r Q
  (wt％)   种类
 32   50     50   40   G   10   2   1000     96  6.9   380
 33   60     40   60   H   0   0   1000     97  7.0   350
 34   50     50   70   H   13   1   1000     97  7.0   380
 35   50     50   30   I   0   0   900     97  7.0   360
 36   60     40   40   I   7   0   900     97  7.0   380
 37   70     30   80   I   0   3   1000     97  7.0   380
 38   50     50   50   J   10   2   1000     96  6.9   360
39 50 50 60 k 13 3 1000 98 7.0 900
 40   50     50   80   k   13   3   1000     98  7.0   700
 41   50     50   50   L   10   2   1000     96  6.9   350
 42   60     40   40   M   7   0   900     99  7.l   500
 43   50     50   30   M   0   0   1000     97  7.0   450
 44   50     50   50   N   4   2   1000     98  7.1   450
 45   50     50   60   O   0   0   1000     97  7.1   500
 46   50     50   70   O   11   0   1000     97  7.0   800
 47   60     40   60   O   15   0   1000     98  7.1   1000
 48   50     50   60   P   13   3   1000     97  7.1   650
 49   60     40   60   P   0   2   1000     97  7.0   400
 50   40     60   60   P   0   2   1000     97  7.0   450
 51   50     50   50   Q   0   3   1000     97  7.0   500
 52   50     50   50   Q   0   4   1000     98  7.1   400
在样品No.1中没有MgO，在样品No.8中没有MgAl2O4。这二个样品的相对密度低至96％，Q值低至350。
在样品No.30-32中，由于使用了表1所示的玻璃G，因此，相对密度在97％以下，Q值在380以下。
同样地，在样品No.33-34、35-37、38和41中，由于分别使用了表1所示的玻璃H、I、J和K，因此，相对密度低至97％以下，Q值低至380以下。
即，若将本发明范围以外的绝缘体陶瓷在1000℃以下的低温焙烧，则其相对密度低至97％以下，Q值低至380以下。
另一方面，即使将本发明的绝缘体陶瓷在1000℃以下的低温焙烧，其相对密度仍然高达98％以上，显示优异的机械强度(200MPa以上)，而且，其介电常数小，在测定频率10GHz的Q值高达400以上。由此可知，能提供最适合高频电子部件并可在低温焙烧的绝缘体陶瓷组合物。
下面，对使用本发明绝缘体陶瓷的陶瓷多层基板、陶瓷电子部件和叠层陶瓷电子部件进行说明。
图1是作为包含本发明一实施例的陶瓷多层基板的陶瓷电子部件的陶瓷多层模块的剖视图，图2是其透视组装图。
用陶瓷多层基板2构成陶瓷多层模块1。
在陶瓷多层基板2中，例如通过将玻璃加入到钛酸钡中而制成并具有较高介电常数的电介质陶瓷层4夹在由本发明的绝缘体陶瓷组合物制成的绝缘性陶瓷层3a和3b之间。
在电介质陶瓷层4中，多个内部电极5配置在彼此相邻的位置上并夹插电介质陶瓷层4中的一个，从而构成单片电容器单元C1和C2。
多个通路孔电极6和6a以及内部配线形成于绝缘性陶瓷层3a和3b以及电介质陶瓷层4中。
另一方面，电子部件元件9-11安装在陶瓷多层基板2的顶面上。可使用合适的电子部件元件(如半导体器件和片状单片电容器)作为电子部件元件9-11。这些电子部件元件9-11和电容器单元C1和C2通过上述通路孔电极6和内部作配线电连接，构成本发明的陶瓷多层模块1的电路。
导电性帽罩8固定在上述陶瓷多层基板2的顶面上。导电性帽罩8与从顶面向底面贯穿陶瓷多层基板2的通路孔电极6电连接。外部电极7、7形成于陶瓷多层基板2的底面，外部电极7、7与通路孔6和6a电连接。与上述外部电极7类似的其它外部电极(图中未标出)仅形成于陶瓷多层基板2的底面。其它外部电极通过上述内部配线与电子部件元件9-11以及电容器单元C1和C2电连接。
通过仅在陶瓷多层基板2的底面形成用于与外部连接的外部电极7，可利用底面侧容易地在印刷电路基板等表面上安装陶瓷层叠模块。
在本实施例中，由于帽罩8由导电性材料制成并通过通路孔电极6与外部电极7电连接，因此，电子部件元件9-11可用导电性帽罩进行电磁屏蔽。但帽罩8并非一定由导电性材料构成。
在本发明的陶瓷多层模块1中，由于上述绝缘性陶瓷层3a和3b使用本发明的绝缘体陶瓷，因此，介电常数低，Q值高，由此，可提供适合在高频使用的陶瓷多层模块1。此外，由于上述绝缘性陶瓷层3a和3b显示优异的机械强度，因此，可构成也具有优异机械强度的陶瓷多层模块1。
上述陶瓷多层基板2可容易地用共知的陶瓷层叠整体焙烧技术而得到。即，制备主要由本发明的绝缘体陶瓷材料组成的陶瓷生料片，印刷用于构成内部电极5、外部电路及通路孔6和6a等的电极图案，将它们层叠。另外，将合适数目的用于在其顶面和底面形成绝缘性陶瓷层3a和3b的陶瓷生料片(用于构成外部电路的电极图案、通路孔电极6和6a形成于该陶瓷生料片上)层叠并在厚度方向上加压。焙烧如此得到的层叠物，可容易地得到陶瓷多层基板2。
图3-图5是用于说明作为本发明第2结构实施例的叠层陶瓷电子部件的透视组装图、透视外观图和电路图。图4所示叠层陶瓷电子部件20是LC过滤器。在陶瓷烧结体21中，构成电感L和电容C的电路的构成见后述。陶瓷烧结体21用本发明的绝缘体陶瓷构成。外部电极23a、23b、24a和24b形成于陶瓷烧结体21的外表面上，图5所示LC共振电路位于外部电极23a、23b、24a和24b之间。
上述陶瓷烧结体21的构成将通过下面结合图3对其制造方法的说明而变得清楚。
将有机赋形剂加入到本发明的绝缘体陶瓷材料中，得到陶瓷料浆。用合适的片材成形法将该料浆制成陶瓷生料片。将由此得到的陶瓷生料片干燥，然后冲孔，制成具有规定大小的矩形陶瓷生料片21a至21m。
视需要，在陶瓷生料片21a至21m上形成用于构成通路孔电极28的穿孔。另外，印刷导电糊膏，形成线圈导体26a和26b、电容器内部电极27a至27c和线圈导体26c和26d，将导电糊膏充入上述通路孔28的穿孔中，形成通路孔电极28。
然后，将陶瓷生料片21a至21m按附图所示层叠，在厚度方向加压，得到层叠物。
将所得层叠物焙烧，得到陶瓷烧结体21。
用薄膜制造方法(如导电糊膏涂布烘焙法、真空镀膜法、电镀法或溅射法等)在上面所得陶瓷烧结体21上形成图4所示外部电极23a至24b。可由此制得叠层陶瓷电子部件20。
由图3可知，图5所示电感单元L1由线圈导体26a和26b组成，电感单元L2由线圈导体26c和26d组成，电容器C由内部电极27a至27c组成。
在本实施例的叠层陶瓷电子部件20中，LC过滤器的结构见如上所述。由于陶瓷烧结体21与第1实施例的陶瓷多次基板2类似，是用本发明的绝缘体陶瓷构成的，因此，它可通过低温焙烧而得到，由此，可作为内部电极的上述线圈导体26a至26c或作为电容器的内部电极27a至27c，使用低熔点金属(如铜、银和金)与陶瓷整体焙烧。此外，可构成在高频具有高Q值、适合在高频使用的LC过滤器。另外，由于上述绝缘体陶瓷的机械强度大，还可提供机械强度优异的LC过滤器。
在上述第1和第2结构实施例中，以陶瓷多层模块1和构成LC过滤器的叠层陶瓷电子部件20为例进行了说明，但本发明的陶瓷电子部件和叠层陶瓷电子部件不限于这些结构。即，可适用于各种陶瓷多层基板(如用于多片模块的陶瓷多层基板和用于混合集成电路的陶瓷多层基板)或在这些陶瓷多层基板上安装了电子部件元件的各种陶瓷电子部件，还可适用于各种片型叠层电子部件(如片型单片式电容器)和片型叠层电介质天线。
在本发明的绝缘体陶瓷中，由于有MgO-MgAl2O4陶瓷粉末和具有上述特定组成的玻璃粉末，因此，可在1000℃以下的低温焙烧。由于可与低熔点金属(如铜和银)制成的导体材料一起焙烧且这些导体材料可用于内部电极等，因此，本发明的绝缘体陶瓷组合物可适宜地用于可通过低温焙烧而得到的陶瓷多层基板且可降低多层基板等的成本。此外，通过将本发明的绝缘体陶瓷组合物焙烧而得到的绝缘体陶瓷在高频带具有高Q值，由此，可提供高Q值的高频多层基板。
在本发明中，当上述玻璃粉末还含有相当于玻璃粉末重量的约10-40％的选自BaO、SrO、CaO和MgO的至少一种碱土金属氧化物时，可降低玻璃粉末制造时的熔化温度，并可减少本发明的绝缘体陶瓷组合物的制造成本。
当上述玻璃粉末含有相当于玻璃粉末总重量的约10％以下的选自Li2O、K2O和Na2O的至少一种碱金属氧化物时，可降低玻璃粉末制造时的熔化温度，并可减少玻璃粉末的制造成本和抑制Q值的下降。
此外，当上述绝缘体陶瓷组合物含有以ZnO计约在15％以下的氧化锌时，可降低绝缘体陶瓷组合物的焙烧温度，并可得到致密的烧结体。
当含有占总重量的约3％以下的氧化铜时，同样地，可降低焙烧温度，并可得到高Q值的绝缘体陶瓷。
当上述MgO-MgAl2O4陶瓷粉末的重量组成比由式xMgO-yMgAl2O4(式中，10≤x≤90、10≤y≤90且x+y＝100)时，可通过低温焙烧得到致密的烧结体，而且，即使在低温焙烧，也能减少玻璃粉末的使用量，并一定能得到介电常数低、在高频带的Q值高的绝缘体陶瓷。
当上述陶瓷粉末和玻璃粉末的重量比约为20∶80至80∶20时，可得到致密的绝缘体陶瓷，并可用玻璃粉末抑制Q值的下降。
由于本发明的绝缘体陶瓷可通过焙烧本发明的绝缘体陶瓷组合物而得到，因此，可通过低温焙烧而得到，从而可降低绝缘体陶瓷的成本。此外，本发明的绝缘体陶瓷具有优异的机械强度、高Q值和低介电常数。因此，如在例如陶瓷基板和陶瓷多层基板中使用，则可得到机械强度优异、Q值高的陶瓷基板和陶瓷多层基板。
由于本发明的陶瓷多层基板具有包含由本发明绝缘体陶瓷制成的绝缘体陶瓷层的陶瓷板，因此，可在低温焙烧，从而可使用电阻低、价格低廉的金属(如铜、银等)作为构成内部电极的材料。而且，由于上述绝缘性陶瓷层的机械强度大、介电常数小、Q值高，因此，可提供适合在高频使用的陶瓷多层基板。
当将介电常数比上述绝缘性陶瓷层高的第2陶瓷层层叠在绝缘性陶瓷层的至少一个表面上时，通过设定第2陶瓷层的组成和层叠形式，可根据要求对其强度和耐环境特性进行适宜调整。
当夹插至少一部分绝缘性陶瓷层而将多个内部电极层叠从而构成单片电容器时，由于本发明的绝缘体陶瓷的介电常数低、Q值高，因此，所得绝缘体陶瓷适合在高频使用。
此外，由于本发明的绝缘体陶瓷的机械强度大，因此，可构成机械强度优异的单片电容器。
当多个内部电极包括构成单片电容器的内部电极和多个彼此连接、构成叠层电感器的线圈导体时，由于本发明的绝缘体陶瓷的介电常数小、在高频的Q值高和机械强度大，因此，可容易地构成适合在高频使用的小型LC共振电路。
在至少一个电子部件元件层叠在本发明的陶瓷多层基板上的本发明的陶瓷电子部件中，利用上述电子部件元件和陶瓷多层基板内的电路构成，可提供适合在高频使用的各种小型陶瓷电子部件。
将帽罩固定在围绕电子部件元件的陶瓷多层基板上时，由于可用帽罩保护电子部件元件，因此，可提供防潮性等优异的陶瓷电子部件。
使用导电性帽罩时，可将上述被围绕的电子部件元件电磁屏蔽。
仅在陶瓷多层基板的底面上形成外部电极时，可容易地从陶瓷多层基板的底面一侧安装在印刷电路基板等的表面上。
在本发明的叠层陶瓷电子部件中，由于多个内部电极形成于本发明的绝缘体陶瓷中，因此，可在低温焙烧，从而可使用电阻小、价格低廉的金属(如银和铜)作为内部电极的构成材料。此外，绝缘体陶瓷的介电常数小、Q值高，因此，可提供适合在高频使用的单片电容器。由于上述绝缘体陶瓷的机械强度大，因此，可构成机械强度优异的单片电容器。
在本发明的叠层陶瓷电子部件中，当多个内部电极构成单片电容器时，由于本发明的绝缘体陶瓷的介电常数小、Q值高，因此，适合在高频使用。
在本发明的层叠陶瓷电子部件中，当多个内部电极包括构成单片电容器的内部电极和构成叠层电感器的线圈导体时，由于如上所述，本发明的绝缘体陶瓷的机械强度优异、介电常数小、在高频的Q值高，因此，可容易地构成机械强度大、适合在高频使用的LC共振电路。

Claims (10)

1.绝缘体陶瓷组合物，它包含：(A)MgO-MgAl2O4陶瓷粉末，其重量组成比由式xMgO-yMgAl2O4表示，式中，10≤x≤90，10≤y≤90且x+y＝100；(B)玻璃粉末，该玻璃粉末含有以SiO2计的13-50重量％的氧化硅、以B2O3计的3-60重量％的氧化硼和以Al2O3计的0-20重量％的氧化铝；(C)相当于上述玻璃粉末总重量的10％以下的选自Li2O、K2O和Na2O中的至少一种碱金属氧化物；(D)相当于组合物的15重量％的以ZnO计的氧化锌；(E)相当于上述玻璃粉末总重量的3％以下的以CuO计的氧化铜，其中，所述陶瓷粉末和玻璃粉末的重量比为20∶80至80∶20。
2.如权利要求1所述的绝缘体陶瓷组合物，其中，所述玻璃粉末含有相当于玻璃粉末总重量的10-40％的选自BaO、SrO、CaO和MgO的至少一种碱土金属氧化物。
3.如权利要求1所述的绝缘体陶瓷组合物，其中，所述玻璃粉末含有0％以上的至少一种碱金属氧化物。
4.如权利要求1所述的绝缘体陶瓷组合物，其中，所述组合物含有0％以上的氧化锌。
5.如权利要求1所述的绝缘体陶瓷组合物，其中，所述组合物含有0％以上的氧化铜。
6.绝缘体陶瓷，它包含焙烧过的权利要求1或2的绝缘体陶瓷组合物。
7.陶瓷多层基板，它由包括权利要求6的绝缘体陶瓷的绝缘性陶瓷层的陶瓷板和在该陶瓷板的绝缘性陶瓷层内的多个内部电极组成。
8.如权利要求7所述的陶瓷多层基板，它具有介电常数比所述绝缘性陶瓷层高并层叠在该绝缘性陶瓷层的至少一个表面上的第2陶瓷层。
9.如权利要求7所述的陶瓷多层基板，其中，所述多个内部电极与夹插在这些内部电极之间的至少一部分绝缘性陶瓷层层叠，构成电容器。
10.如权利要求9所述的陶瓷多层基板，其中，一对内部电极夹插至少一部分绝缘性陶瓷层而层叠，构成电容器，其它的所述多个内部电极包含彼此连接的线圈导体，构成电感器。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3709752B2 (ja) * 1999-01-26 2005-10-26 株式会社村田製作所 誘電体セラミック組成物及びセラミック多層基板
JP3680713B2 (ja) * 2000-07-21 2005-08-10 株式会社村田製作所 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品
GB2365007B (en) * 2000-07-21 2002-06-26 Murata Manufacturing Co Insulative ceramic compact
KR100519422B1 (ko) * 2001-03-28 2005-10-07 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 절연체 세라믹 조성물 및 그것을 이용한 절연체 세라믹
JP3843912B2 (ja) 2001-10-22 2006-11-08 株式会社村田製作所 多層回路基板用ガラスセラミック材料および多層回路基板
KR100400234B1 (ko) * 2001-11-15 2003-10-01 삼성전자주식회사 송수신용 수동소자와 그 집적모듈
EP1353542B1 (en) * 2001-12-25 2018-05-16 Ngk Spark Plug Co., Ltd Process for production of multilayered wiring board
JP2003212668A (ja) * 2002-01-28 2003-07-30 Sanyo Electric Co Ltd セラミック積層体およびその製造方法
JP4534413B2 (ja) * 2002-09-19 2010-09-01 株式会社村田製作所 高周波部品用低誘電率磁器組成物の製造方法
KR100515679B1 (ko) * 2003-01-10 2005-09-23 엘지전자 주식회사 저온 동시소성 세라믹 조성물
US20050003244A1 (en) * 2003-07-01 2005-01-06 Ai-Quoc Pham Direct hydrocarbon fuel cell system
US7169723B2 (en) * 2003-11-12 2007-01-30 Federal-Mogul World Wide, Inc. Ceramic with improved high temperature electrical properties for use as a spark plug insulator
JP4806952B2 (ja) * 2005-04-12 2011-11-02 東ソー株式会社 透光性セラミックス
JP2008031005A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Murata Mfg Co Ltd 多層セラミック基板および多層セラミック基板作製用複合グリーンシート
JP4618383B2 (ja) 2008-05-12 2011-01-26 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物、積層複合電子部品、積層コモンモードフィルタ、積層セラミックコイルおよび積層セラミックコンデンサ
CN101492294B (zh) * 2009-02-17 2011-11-16 同济大学 介电可调微波陶瓷介质材料及其制备方法
JP2011035170A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Olympus Corp 多層積層回路
KR20110019536A (ko) * 2009-08-20 2011-02-28 삼성전기주식회사 세라믹 기판 및 그 제조방법
CN102153342B (zh) * 2010-12-27 2013-02-06 南京工业大学 一种复合掺杂改性的Y2Ti2O7微波介质陶瓷材料
CN102173785B (zh) * 2011-01-21 2012-12-19 天津大学 一种宽工作温区热稳定型复合介质陶瓷的制备方法
CN102173782B (zh) * 2011-03-11 2013-07-10 西安交通大学 钼基钛基温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法
JP5929052B2 (ja) * 2011-09-07 2016-06-01 Tdk株式会社 積層型コイル部品
JP5929321B2 (ja) * 2012-03-01 2016-06-01 Tdk株式会社 積層型コイル部品
KR101550591B1 (ko) 2011-09-07 2015-09-07 티디케이가부시기가이샤 적층형 코일 부품
JP5929322B2 (ja) * 2012-03-01 2016-06-01 Tdk株式会社 積層型コイル部品
KR101525698B1 (ko) * 2013-12-05 2015-06-03 삼성전기주식회사 적층형 전자부품 및 그 제조방법
CN107207353A (zh) * 2014-11-10 2017-09-26 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 烧结陶瓷部件及其形成方法
CN108290794B (zh) * 2016-01-13 2023-01-20 株式会社村田制作所 玻璃陶瓷烧结体、玻璃陶瓷组合物、层叠陶瓷电容器及层叠陶瓷电容器的制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3899340A (en) * 1973-11-29 1975-08-12 Corning Glass Works High elastic modulus glass-ceramic articles
US4355114A (en) * 1979-11-05 1982-10-19 Rca Corporation Partially devitrified porcelain containing BaO.2MgO.2SiO2 and 2MgO.B2 O3 crystalline phases obtained from alkali metal free divalent metal oxide borosilicate glass
JPS6050003B2 (ja) 1982-09-20 1985-11-06 日本電気株式会社 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物
SU1217851A1 (ru) 1984-12-26 1986-03-15 Предприятие П/Я Г-4816 Керамический материал
US5256470A (en) * 1990-10-11 1993-10-26 Aluminum Company Of America Crystal growth inhibitor for glassy low dielectric inorganic composition
US5079194A (en) * 1990-10-11 1992-01-07 Aluminum Company Of America Crystal growth inhibitor for glassy low dielectric inorganic composition
JP3096136B2 (ja) 1992-02-22 2000-10-10 日本山村硝子株式会社 低温焼成基板用ガラス組成物およびそれから得られる基板
WO1998012744A1 (fr) * 1996-09-20 1998-03-26 Tdk Corporation Composants electroniques passifs, elements de circuit integre et plaquette
JP3687443B2 (ja) 1999-10-12 2005-08-24 株式会社村田製作所 低温焼成セラミック組成物及びセラミック多層基板

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