CN1192075C - 层叠荧光体和el板 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提一种不需要滤色片,色纯度良好的,特别适宜白色单色EL用的层叠荧光体和EL板。为达到此目的,该层叠荧体至少具有第一薄膜和第二薄膜,上述第一薄膜的母体材料是以铝酸钡盐为主成分,该母体材料中含有硫元素、进而含有作为发光中心的Eu,上述第二薄膜的母体材料是以硫化锌为主成分。

Description

层叠荧光体和EL板
本发明涉及无机EL元件中使用的发光层,特别涉及发光层中使用的白色荧光体薄膜层叠体,和使用该层叠体的EL板。
近年来,作为小型或大型轻量的平面显示器,广泛研究薄膜EL元件。使用由发橙黄色光的添加锰的硫化锌形成的荧光体薄膜的单色薄膜EL显示器,如图2所示,使用薄膜绝缘层2、4的二层绝缘型构造已实用化。图2中,在基板1上形成规定图形的下部电极5,在该下部电极5上形成第1绝缘层2。在该第1绝缘层2上依次形成发光层3、第2绝缘层4,同时在第2绝缘层4上,由规定图形形成上部电极6,以便与上述下部电极5构成矩阵变换电路。
作为显示器,为了与计算机用、TV用、其他显示用相对应,彩色化是必不可少的。使用硫化物荧光体薄膜的薄膜EL显示器,虽然可靠性、耐环境性优良、但是,目前以红色、绿色、兰色三种原色发光的EL用荧光体的特性很不理想,不适宜彩色使用。兰色发光荧光体,作为母体材料使用SrS、作为发光中心使用Ce的SrS:Ce和ZnS:Tm、作为红色发光荧光体ZnS:Sm、CaS:Eu、作为绿色发光荧光体ZnS:Tb、CaS:Ce等都是备选用的,研究仍在继续。
这些以红色、绿色、兰色三种原色发光的荧光体薄膜,在发光辉度、效率、色纯度方面仍存在问题。现在,彩色EL面板还不能达到实用化。特别是,兰色,使用SrS:Ce,虽然可获得较高的辉度,但作为全色显示板用的兰色,辉度不够,色度也偏重于绿色一侧,所以希望开发更好的兰色发光层。
为了解决这些课题,正如特开平7-122364号公报、特开平8-134440号公报、信学技报EID98-113、19-24页、和JPn.J.Appl.Phy.Vol 38、(1999)pp.L1291-1292讲述的,开发了SrGa2S4:Ce、CaGa2S4:Ce和BaAl2S4:Eu等硫代镓酸盐(チオガレ-ト)或硫代铝酸盐系的兰色荧光体。这些硫代镓酸盐系荧光体,虽然没有色纯度问题,但辉度低、特别是由于多元组成,很难得到组成均匀的薄膜。因组成控制性差引起结晶性差,由于硫脱离引起缺陷产生、混入杂质等,得不到高质量的薄膜,由此,辉度也不能提高。特别是,硫代铝酸盐的组成控制性极为困难。
另一方面,单色显示器中,使用橙色的荧光体ZnS:Mn已成品化。当考虑到显示易见度时,对白色的单色提出要求。对于这种要求研究了各种白色荧光体,如“显示与成象”(1994)Vol.3.159-171页中所示。
以前,作为白色用荧光体,已知有将Pr作为发光中心添加的ZnS:Pr薄膜,由于发光光谱由辉线构成,这种薄膜呈现的薄膜干涉效果,对视角有依赖性,而且辉度也低,与其相反,以SrS:Ce的兰绿荧光体为基质,利用添加Eu、Mn等红色成分的方法,实现了很多种白色荧光体。例如有:
(1)将Ce和Eu两种作为发光中心添加到SrS母体材料中,利用SrS:Ce,Eu的方法、
(2)以多层结构使用SrS:Ce和SrS:Eu,利用SrS:Ce/SrS:Eu的方法、
(3)以多层结构使用SrS:Ce和CaS:Eu,利用SrS:Ce/CaS:Eu的方法、
(4)以多层结构使用SrS:Ce和ZnS:Mn,利用SrS:Ce/ZnS:Mn的方法,等等。
这些SrS:Ce基质的白色荧光体薄膜,发光光谱很宽,作为白色发光,虽说是理想材料,但辉度很低,而且,得到的白色也近似于黄色,为所谓的薄胎白,从生物工艺学的角度看,纸白,即CIE色度座标接近于X=0.3、Y=0.3的,除了使用过滤片外,是得不到的。
本发明的目的是提供一种不需要滤色片,良好色***色,特别是适用于纸白单色EL板用的层叠荧光体和EL板。
这样的目的通过下述(1)~(4)任何一种构成即可达到。
(1)是至少具有第一薄膜和第二薄膜的层叠荧光体、上述第一薄膜的母体材料,是以铝酸钡盐为主成分,在该母体材料中含有硫元素,进而含有Eu作为发光中心,上述第二薄膜的母体材料以硫化锌为主成分。
(2)上述硫元素的混合量与母体材料的氧元素的摩尔比率,S/(S+O)为0.02~0.5的上述(1)层叠荧光体。
(3)上述硫元素的混合量与母体材料的氧元素的摩尔比率,S/(S+O)为0.7~0.9,而且,钡元素Ba与铝元素Al的比率Al/Ba为1.5~3.0的上述(1)的层叠荧光体。
(4)上述第一薄膜和第二薄膜的发光合成色是以CIE色度座标X=0.27~0.39、Y=0.27~0.38的白色的上述(1)或(2)的层叠荧光体。
(5)具有上述(1)~(4)任何一种层叠荧光体的EL板。
图1是可适用本发明方法的装置,或本发明制造装置构成的实例示意断面图。
图2是利用本发明方法、装置可制造的无机EL元件构成实例的部分示意断面图。
以下对本发明实施形态进行详细说明。
本发明是由第一薄膜和第二薄膜形成层叠的荧光体薄膜层叠体,所得层叠荧光体将各个层的发光进行合成,发射出白色的光。
本发明的第一薄膜,作为母体材料使用氧化物的铝酸钡盐。
以前,将碱土类铝酸盐薄膜作为EL用的薄膜荧光体,没有研究实例,据推测,认为碱土类铝酸盐很难得到结晶化薄膜,不能用作EL发光的荧光体薄膜。碱土类铝酸盐,只研究了PDP用或荧光灯用。添加碳酸钡等的Ba原料和氧化铝等的Al原料及Eu在1100℃~1400℃下烧成,合成粉体。通过合成,用作兰色荧光体。
发明者们发现,将铝酸钡盐作为EL用的薄膜荧光体形成薄膜化。虽然使用这种薄膜制成了EL元件,但不能获得发光。在1100℃下进行退火时,才逐渐观察到EL发光。但是,是2cd/m2低辉光度,为了应用于EL元件的板,必须高辉度化和降低工艺温度。
根据该结果发现,在该系的荧光体薄膜中,经研究通过在铝酸钡盐母体材料中添加硫,可极大地提高辉度。
本发明的第一薄膜在氧化物的铝酸钡盐母体材料中含有硫,进而含有作为发光中心的Eu元素。
荧光体薄膜最好是以BaxAlyOzSw:Eu表示的。
上式中,X、Y、Z、W分别表示Ba、Al、O、S的摩尔比。X、Y、Z最好是
X=1~5
Y=1~15
Z=3~30
W=3~30
对于铝酸钡盐母体材料,所含硫的最好范围,以原子比S/(S+O)为0.01~0.95,更好为0.02~0.7。即,在上式W/(Z+W)的值为0.02~0.7,最好为0.02~0.50、更好为0.03~0.35。此时,Y/X的最佳范围为5~7。
特别是在上述式中,W/(Z+W)的值为0.7~0.9,最好为0.75~0.85时,上述元素Ba和元素Al的原子比Al/Ba,即Y/X为1~3,最好1.5~3.0,更好为2.0~2.5的范围。
硫具有极大提高荧光体薄膜EL发光辉度的效果。当碱土类铝酸盐中含有硫时,认为该母体材料成膜时或成膜后的退火等后处理时促进了结晶化,在母体材料内添加的Eu成为2价,在化合物结晶场内具有有效的迁移,获得高辉度的发光。
对于发光元件,随着发光时间的推移,存在着辉度劣化的寿命。氧和硫的混在组成,可提高寿命特性,也可防止辉度劣化。母体材料与纯粹的硫化物比较,通过与氧的化合物混合,在空气中达到稳定。认为这是由于稳定的氧化物成分由氧保护了膜中的硫化物成分。因此,根据发明者们的研究,在硫化物和氧化物的组成之间存在着最佳值。
BaxAlyOzSw:Eu中,也可以用Mg、Ca、Sr置换一部分Ba,也可用B、Ba、In、T1置换一部分Al。通过这种置换可调整白色的色度。
进而,作为发光中心,最添加Eu。作为Eu的添加量,对于钡原子最好添加1~10mol%,也可将其他的稀土类元素与Eu一起添加,也可单独添加。例如,稀土类元素,虽然可从Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Ho、Er、Tm、Lu、Sm、Eu、Dy、及Yb中选出,但是,除了Eu外,最好添加Ce、Tb、Ho、Sm、Yb、Nd。通过添加这些其他的稀土类元素,可调整白色的色度。
作为膜厚,虽然没有特殊限制,但过厚时,EL驱动电压上升,过薄时,发光效率降低。具体为50~1000nm,最好100~400nm。为了形成白色荧光体,最重要的是与后述的第二薄膜的膜厚比。
本发明的第二薄膜,是母体材料以硫化锌为主成份的薄膜。母体材料是以ZnS为主成分,可以是MgS、SrS、BaS等与ZnS的固溶体,也可以是层叠体。作为发光中心。可以是从Mn,Cu等过渡金属元素、稀土类金属元素、Pb、和Bi中选出的1种或2种以上的元素。最好是以前用作橙色荧光体薄膜的ZnS:Mn系荧光体。在第二母体材料中,将Mn作为发光中心,对于第二母体材料添加0.1~1.0mol%,优选0.2~0.6mol%,更优选0.3~0.4mol%。当和上述的ZnS形成固溶体时,可调整ZnS:Mn的橙色色度,可调整本发明的白色色度。
作为膜厚没有特殊限制,但过厚时,EL驱动电压上升,过薄时,发光效率降低。具体为300~2000nm,最好400~800nm。
对于第一薄膜和第二薄膜的层叠顺序和层叠次数没有特殊限制。可以以相同或不同的组成使用多个第一薄膜和第二薄膜。例如,对于第二薄膜,可以使用多个ZnS:Mn荧光膜和固溶体的ZnMgS:Mn荧光膜。使用本发明的白色,可利用滤色片滤出红、绿、兰。应用于全色用的显示器时,可利用上述的多个膜调整红、绿、兰。这些膜,可在成膜温度高的条件下制作的膜首先进行成膜。即,最好是将成膜温度高的薄膜形成在基板侧上。通常是在第一薄膜上形成第二薄膜。
通过调整第一薄膜的合计膜厚T1与第二薄膜的合计膜厚T2之比T2/T1,可调整白色(色度)。当T2/T1的值过大时,形成近似黄色的白色,过小时形成兰白的白色。
本发明的层叠体,可获得第一薄膜和第二薄膜的发光合成色在CIE色度座标X=0.27~0.39、Y=0.27~0.38,特别是X=0.30~0.36、Y=0.30~0.35的高***色。
为了获得这样的第一薄膜,例如,最好利用以下反应性蒸镀法。
例如,优选的方法有:使用添加Eu的氧化钡颗粒、氧化铝颗粒、H2S气体的二元反应性蒸镀;或者,不使用添加Eu的硫化钡颗粒、氧化铝颗粒、气体的二元真空蒸镀;使用添加Eu的氧化钡颗粒、氧化铝颗粒、H2S气体的二元反应性蒸镀;不使用添加Eu的硫化钡颗粒、氧化铝颗粒、气体的二元真空蒸镀;不使用添加Eu的氧化钡颗粒、硫化铝颗粒、气体的二元真空蒸镀;使用添加Eu的硫化钡颗粒、硫化铝颗粒、H2S气的二元反应性蒸镀,使用添加Eu的硫化钡颗粒、硫化铝颗粒、O2气的二元反应性蒸镀等方法。在形成硫化物薄膜后,在氧化环境气中进行退火,也可获得添加硫的铝酸钡盐薄膜。
添加Eu是以金属、氟化物、氧化物或硫化物的形式添加到原料中。添加量随原料和形成的薄膜而异,所以调整原料的组成以便组成适当的添加量。
蒸镀中的基板温度为100~600℃,最好150~300℃。基板温度过高时,母体材料的薄膜表面激烈地形成凹凸状、在薄膜中产生气孔,在EL元件中会产生电流泄漏的问题。所以最好在上述温度范围。成膜后最好进行退火处理。退火温度最好600~1000℃,更好800~900℃。
形成的氧化物荧光薄膜最好是高结晶性的薄膜。结晶性的评价,例如可利用X射折射进行。为了提高结晶性,只能使基板温度形成高温。形成薄膜后,在真空中、大气中、O2中、N2中、Ar中、S蒸气中、H2S中等的退火也是有效的。
蒸镀时的压力最好为1.33×10-4~1.33×10-1Pa(1×10-6~1×10-3Torr)。通入H2S等气体时,调整压力,为6.65×10-3~6.65×10-2Pa(5×0-5~5×10- 4Torr)。压力比这更高时,E枪的工作变得不稳定,组成控制也变得极难。作为气体通入量,根据真空***的能力,最好为5~200SCCM,更好10~30SCCM。
根据需要,蒸镀时可移动或旋转基板。通过移动、旋转基板、可形成均匀膜组成,并能减少膜厚分布的偏差。
旋转基板时,作为基板的转速,在10次/min以上,最好10~50次/min、更好10-30次/min。基板的转速过快时,向真空室内导入时又很容易发生密封性等问题。过慢时,在槽内的膜厚方向上会产生组成不均,导致所制作的发光层特性降低。作为旋转基板的旋转装置,可以利用公知的旋转机构构成,如电机、油压旋转机构等的动力源、和将齿轮、皮带、皮带轮等组合的动力传递机构,减速机构等。
蒸发源和加热基板的加热装置最好是具有规定的热容量、反应性等,例如有钽线加热器、间断加热器、碳精电极加热器等。利用加热装置的加热温度,最好为100~1400℃,湿度控制精度为1000℃±1℃,最好±0.5℃。
图1示出了形成本发明发光层的装置构成实例之一。此处是将硫化铝和硫化钡作为蒸发源,一边通入氧气一边添加S制作铝酸钡:Eu方法为例。图中,在真空槽层11内配置着形成发光层的基板12和EB蒸发源14、15。
形成硫化铝和硫化钡蒸发装置的EB(电子束)蒸发源14、15具有盛装添加发光中心的硫化钡14a和硫化铝15a的“坩埚”40、50,和内藏释放电子用的热丝41a、51a的电子枪41、51。电子枪41、51内安装有控制电子束的机构。该电子枪41、51与交流电源42、52和偏置电源43、53连接。控制由电子枪发出的电子束,交替地,以预先设定的功率,以规定的比率蒸发添加了发光中心的硫化钡和硫化铝。用一个E枪同时进行多元蒸镀的蒸镀方法是所谓的多元脉冲蒸镀法。在该实施例中,作为硫化铝和硫化钡的蒸发源虽然使用EB蒸发源,但任何一个或两个都可用电阻加热蒸发源等其他蒸发源来代替。
真空槽11具有排气孔11a、通过由该排气孔排气可使真空槽11内形成规定的真空。该真空槽11具有送入硫化氢气体的原料气导入孔11b。
将基板12固定在基板固定架12a上,该基板固定架12a的固定轴12b,由未图示的旋转轴固定装置从外部形成自由旋转的固定,并保持真空槽11内的真空度。同样利用未图示的旋转装置根据需要可以规定的转速进行旋转。由加热丝等构成的加热装置13紧密固定在基板固定架12a上,加热基板并保持在规定的温度。
使用这样的装置,将从EB蒸发源14、15蒸发的硫化钡蒸气和硫化铝蒸气堆积在基板12上,与通入的氧结合,形成添加S的氧化物荧光层。此时,可根据需要旋转基板12,可更均匀地形成堆积发光层的组成和膜厚分布。
第二薄膜,可通过使用ZnS:Mn颗粒的蒸镀法或使用ZnS靶子的喷溅法等公知的方法形成。
如上所述,利用本发明的荧光薄膜材料和蒸镀的制造方法,可很容易地形成发高辉度白色光的层叠结构的荧光体薄膜。
为了使用本发明的发光层3制得的无机EL元件也可以形成例如图2所示的结构。在基板1、电极5、6、厚膜绝缘层2、薄膜绝缘层4的各层之间可设有提高贴紧性的层、缓和应力的层、防止反应的层等中间层。厚膜表面也可进行研磨,或使用平坦层等,来提高厚膜表面的平坦性。
图2是使用本发明层叠荧光体的无机EL元件结构的部分断面示意斜视图。图2中,基板1上形成规定图形的下部电极5,在该下部电极5上形成厚膜的第1绝缘层2(厚膜电介质层)。在该第1绝缘层2上依次形成发光层3、第2绝缘层4(薄膜电介质层),同时,在第2绝缘层4上以规定图形形成与上述下部电极5构成矩阵电路的上部电极6。同样将上述积荧光体用于发光层。
用作基板的材料,使用能忍耐厚膜形成温度、及EL荧光层形成温度、EL元件退火温度的耐热温度,或者熔点在600℃以上、最好700℃以上、更好800℃以上的基板,通过在其上形成的发光层等功能性薄膜可形成EL元件,并能保持规定的强度,对此没有特殊限定。具体讲,有玻璃或、氧化铝(Al2O3)、镁橄榄石(2MgO·SiO2)、块滑石(MgO·SiO2)、莫来石(3Al2O3·2SiO2)、贝里利耐火材料(BeO)、氮化铝(AIN)、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC+BeO)等陶瓷基板、结晶化玻璃等耐热性玻璃基板。这些中最好的是耐热温度在1000℃以上的。这些中特别好的是氧化铝基板、结晶化玻璃,对热传导性有要求时,最好是贝里利耐火材料、氮化铝、碳化硅等。
除此之外,也可以使用石英,热氧化硅晶片等、钛、不锈钢、铬镍铁合金、铁系等金属基板。在使用金属等导电性基板时,最好是在基板上形成内部具有电极的厚膜结构。
作为电介质厚膜材料(第1绝缘层)可使用公知的电介质厚膜材料。最好是电介率比较大的材料。例如可使用钛酸铅系、铌酸铅系、钛酸钡系等材料。
作为电介质厚膜的电阻率在108Ω·cm以上,最好是1010~1018Ω·cm。最好是具有电介率比较高的物质,作为其电介率ε,最好是ε=100~10000。作为膜厚最好为5~50μm,更好为10~30μm。
绝缘层厚膜的形成方法没有特殊限定,可以是能比较容易获得10~50μm厚膜的方法,最好是溶胶凝胶法、印刷烧成法等。
利用印刷烧成法时,适当地使材料的粒度一致,与粘合剂混合,形成适当粘度的糊。利用屏帘印刷法将该糊涂布基板上,进行干燥。将这种未烧成的板在适当温度下进行烧成,得到厚膜。
作为薄膜绝缘层(第2绝缘层)的构成材料,例如有二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氧化钽(Ta2O5)、钛酸锶(SrTiO3)、氧化铱(Y2O3)、钛酸钡(BaTiO3)、钛酸铅(PbTiO3)、PZT、氧化锆(ZrO2)、硅氧氮化物(SiON)、氧化铝(Al2O3)、铌酸铅、PMN-PT系材料等以及它们的多层或混合薄膜。作为使用这些材料形成绝缘层的方法,可以使用蒸镀法、喷溅法、CVD法、溶胶凝胶法、印刷烧成法等公知的方法。作为这时绝缘层的膜厚,最好为50~1000nm,更好100~500nm。
电极(下部电极)至少形成在基板侧或第1电介质内。厚膜形成时,和发光层同时在高温热处理下形成的电极层,作为主成分可使用钯、铑、铱、铼、钌、铂、钽、镍、铬、钛等中的1种或1种以上的常用金属电极。
除形成上部电极外其他的电极,通常为了从与基板相反侧取出发光,最好是在规定发光波长域内具有透光性的透明电极。如果基板是透明的,为了能从基板侧取出发光的光,透明电极也可用作下部电极。这时,最好使用ZnO、ITO等透明电极。ITO,以化学理论当量观点的组成含有In2O3和SrO,O量多少可以有些偏离。Sn2对In2O3的混合比为1~20质量%,最好为5~12质量%,ZnO对IZO中In2O3的混合比通常为12~32质量%。
电极也可以具有硅。这种硅电极层可以是多结晶硅(p-Si),也可以是非结晶硅(a-Si),根据需要也可是单结晶硅。
为了确保电极的导电性,电极除向主成分硅外也可掺杂杂质。用作杂质的掺杂剂,若确保规定的导电性,可使用硅半导体中通常使用的掺杂剂。具体有B、P、As、Sb、Al等,这些中最好的是B、P、As、Sb和Al。作为掺杂剂的浓度,最好0.001~5at%。
作为用这些材料形成电极层的方法可使用蒸镀法、喷溅法、CVD法、溶胶凝胶法、印刷烧成法等已知的方洗,特别在基板上制作形成内部具有电极的厚膜的结构时,最好是与电介质厚膜相同的方法。
为了向发光层有效地付与电场,作为电极层的最佳电阻率为1Ω·cm以下,更好为0.003~0.1Ω·cm。作为电极层的膜厚,根据形成材料,最好为50~2000nm,更好100~1000nm。
以上对本发明的发光层应用于无机EL元件的情况进行了说明,若是可使用本发明荧光体薄膜的元件,若使用其他形态的元件、发白色光的元件,可应用于显示器用的单色板。
以下示出了本发明的具体实施例,并进一步说明本发明。
实施例1
图1示出了可用于本发明制造方法的一例蒸镀装置。其中,使用1台E枪、1台电阻加热池代替2套控制枪。
在真空槽11内设置装有添加5mol%Eu的BaS粉的EB源15、装入Al2S3粉的电阻加热池源(14),同时使各源进行蒸发,加热到400℃,在旋转的基板上形成BaxAlyOzSw:Eu层膜。调节各蒸发源的蒸发速度,以便形成的薄膜为1nm/sec。这时通入20SCCM的H2S气体。薄膜形成后,在750℃的大气环境中进行10分钟退火,形成膜厚300nm的第1薄膜。
在其上使用添加了0.5mol%Mn的ZnS颗粒,利用EB蒸镀形成膜厚400nm的第二薄膜。
另一种方法制作第一薄膜BaxAlyOzSw:Eu薄膜,利用荧光X线分析,组成分析结果,以原子比为Ba∶Al∶O∶S∶Eu=7.40∶19.18∶70.15∶2.90∶0.36。
进一步制作使用该光层的的EL元件。通过向电极施加1KHz脉冲宽度50μs的电场,获得再现良好的500cd/m2白色发光辉度。得到的发光色在CIE色度座标为X=0.352、Y=0.303的纸白色。
如以上所述本发明的层叠荧光体,即使不用滤色片,也可以得到色纯度良好,且发高辉度白光的荧光体薄膜材料。
使用了这种层叠荧光体的EL元件可形成发光特性优良、特别是白色EL元件和单色EL板,实用价值极大。
如以上所述,根据本发明不需要滤色片,就能提供色纯度良好的,特别适宜白色单色EL用的层叠荧光体和EL板。

Claims (5)

1、一种积层荧光体,是至少具有第一薄膜和第二薄膜的积层荧光体,其特征是,上述第一薄膜的母体材料是以BaxAlyOzSw为主成分,发光中心为Eu的材料,上述x为1~5,y为1~15,z为1~15,z为3~30,W为3~30,且S/(S+O),为0.01~0.95,上述第二薄膜的母体材料是以硫化锌为主成分,发光中心是选自过渡金属、稀土金属、Pb及Bi中的1种或2种以上的元素。
2、根据权利要求1的积层荧光体,其特征是上述硫元素的混合量与母体材料中氧元素的摩尔比率S/(S+O)为0.02~0.5,铝元素与钡元素的摩尔比率Al/Ba为5~7。
3、根据权利要求1的积层荧光体,其特征是上述硫元素的混合量与母体材料中氧元素的摩尔比率S/(S+O)为0.7~0.9,而且,钡元素Ba与铝元素Al的比率Al/Ba为1.5~3.0。
4、根据权利要求1的积层荧光体,其特征是上述第一薄膜和第二薄膜发出的合成色光是在CIE色度座标X=0.27~0.39、Y=0.27~0.38的白色光。
5、具有权利要求1中积层荧光体的EL板。
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