CN118216220A - 贯通电极基板、安装基板以及贯通电极基板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
贯通电极基板具备：基板，包含第1面以及第2面，并设置有包含从第1面直至第2面的壁面的贯通孔；和贯通电极，位于贯通孔，从第1面直至第2面。贯通电极具备：籽晶层，位于壁面上，从第1面朝向第2面沿着壁面延展；第1部分，覆盖籽晶层；和第2部分，在横截贯通孔的界面处与第1部分相接。
Description
技术领域
本公开的实施方式涉及贯通电极基板、安装基板以及贯通电极基板的制造方法。
背景技术
贯通电极基板被利用于各种用途。贯通电极基板具备设置有贯通孔的基板、和位于贯通孔的电极。例如，贯通电极基板用作介于两个LSI芯片之间的中介层。此外，贯通电极基板有时也介于LSI芯片等元件与母板等安装基板之间。另外，在以下的记载中，有时将设置于贯通孔的内部的电极称为贯通电极。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2020-61554号公报
发明内容
作为贯通电极的例子，已知有填充通孔(filled via)或者共形通孔(conformalvia)。填充通孔包含填充于贯通孔的内部的铜等导电性材料。共形通孔包含沿着贯通孔的壁面延展的导电层。从降低电阻的观点出发，优选填充通孔。然而，在通过镀覆处理来形成填充通孔的情况下，容易产生孔隙。所谓孔隙，是指产生于填充通孔的内部的孔缺陷。在贯通孔的内部的镀覆的成长速度未被恰当地控制的情况下，产生孔隙。
本公开的实施方式是考虑这样的情况而完成的，其目的在于提供一种具备抑制了孔隙的贯通电极的贯通电极基板。
本公开的实施方式与以下的[1]～[21]有关。
[1]一种贯通电极基板，具备：
基板，包含第1面以及位于与所述第1面相反的一侧的第2面，并设置有包含从所述第1面直至所述第2面的壁面的贯通孔；和
贯通电极，位于所述贯通孔，从所述第1面直至所述第2面，
所述贯通电极具备：籽晶层，位于所述壁面上，从所述第1面朝向所述第2面沿着所述壁面延展；第1部分，覆盖所述籽晶层；和第2部分，在横截所述贯通孔的界面处与所述第1部分相接。
[2]在[1]所记载的贯通电极基板中，也可以是，在所述基板的厚度方向上，所述第1部分的尺寸小于所述第2部分的尺寸。
[3]在[1]或者[2]所记载的贯通电极基板中，也可以是，所述基板的厚度方向上的所述籽晶层的尺寸T11、相对于所述基板的厚度T0的比率即T11/T0为0.025以上且0.275以下。
[4]在[1]～[3]中的任一项所记载的贯通电极基板中，也可以是，所述界面包含凹陷，该凹陷朝向所述第1面。
[5]在[1]～[4]中的任一项所记载的贯通电极基板中，也可以是，所述基板的厚度T0、相对于所述第1面上的所述贯通孔的尺寸R1的比率即T0/R1，为3.0以上且25.0以下。
[6]在[1]～[5]中的任一项所记载的贯通电极基板中，也可以是，所述籽晶层的厚度为5nm以上且50nm以下。
[7]在[1]～[6]中的任一项所记载的贯通电极基板中，也可以是，所述第1部分具备超导材料，该超导材料包含从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及Al组成的组中选择出的至少1个元素。
[8]在[1]～[7]中的任一项所记载的贯通电极基板中，也可以是，所述第2部分具备超导材料，该超导材料包含从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及Al组成的组中选择出的至少1个元素。
[9][1]～[8]中的任一项所记载的贯通电极基板也可以具备第1焊盘，该第1焊盘位于所述第1面，使得在俯视时覆盖所述贯通孔，并且与所述第1部分连接。
[10]在[9]所记载的贯通电极基板中，也可以是，所述第1焊盘具备超导材料，该超导材料包含从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及Al组成的组中选择出的至少1个元素。
[11]在[9]或者[10]所记载的贯通电极基板中，也可以是，所述第1焊盘与所述第1部分一体地构成。
[12]在[9]～[11]中的任一项所记载的贯通电极基板中，也可以是，在俯视时，所述第1焊盘覆盖所述贯通孔。
[13][9]～[12]中的任一项所记载的贯通电极基板也可以具备包含无机绝缘材料的第1无机层，该第1无机层位于所述第1面，并在面方向上与所述第1焊盘相邻。
[14][1]～[13]中的任一项所记载的贯通电极基板也可以具备第1布线，该第1布线位于所述第1面，并与所述第1部分连接。
[15]在[14]所记载的贯通电极基板中，也可以是，所述第1布线具备超导材料，该超导材料包含从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及Al组成的组中选择出的至少1个元素。
[16]在[14]或者[15]所记载的贯通电极基板中，也可以是，所述第1布线与所述第1部分一体地构成。
[17]一种安装基板，具备：[1]～[16]中的任一项所记载的贯通电极基板；和元件，与所述贯通电极基板的所述贯通电极电连接。
[18]在[17]所记载的安装基板中，也可以是，所述元件具备量子芯片，该量子芯片包含量子比特。
[19]一种制造方法，是贯通电极基板的制造方法，该制造方法具备如下工序：
准备基板的工序，该基板包含第1面以及位于与所述第1面相反的一侧的第2面，并设置有包含从所述第1面直至所述第2面的壁面的贯通孔；和
贯通电极形成工序，在所述贯通孔形成贯通电极，
所述贯通电极形成工序具备如下工序：
形成籽晶层的工序，所述籽晶层位于所述壁面上，并从所述第1面朝向所述第2面沿着所述壁面延展；
通过使用第1镀覆液的第1镀覆处理来形成覆盖所述籽晶层的第1镀覆部分的工序；和
通过使用第2镀覆液的第2镀覆处理来形成与所述第1镀覆部分相接的第2镀覆部分的工序，
所述第2镀覆部分在横截所述贯通孔的界面处，与所述第1镀覆部分相接。
[20]在[19]所记载的贯通电极基板的制造方法中，也可以是，所述第1镀覆液具备超导材料，该超导材料包含从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及Al组成的组中选择出的至少1个元素。
[21]在[19]或者[20]所记载的贯通电极基板的制造方法中，也可以是，所述第2镀覆液具备超导材料，该超导材料包含从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及Al组成的组中选择出的至少1个元素。
根据本公开的实施方式，能够提供一种具备抑制了孔隙的贯通电极的贯通电极基板。
附图说明
图1是示出第1实施方式所涉及的安装基板的剖视图。
图2是放大地示出第1实施方式所涉及的贯通电极基板的剖视图。
图3是示出第1实施方式所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图4是示出第1实施方式所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图5是示出第1实施方式所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图6A是示出第1实施方式所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图6B是示出第1实施方式所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图7是示出第1实施方式所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图8是示出第1实施方式所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图9是示出第1实施方式所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图10是示出第1变形例所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图11是示出第1变形例所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图12是示出第1变形例所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图13是示出第1变形例所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图14是示出第2变形例所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图15是示出第2变形例所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图16是示出第2变形例所涉及的贯通电极基板的制造工序的剖视图。
图17是示出搭载有贯通电极基板的产品的例子的图。
图18是示出实施例中的贯通电极基板的制造条件以及评价结果的图。
图19是示出实施例中的贯通电极基板的制造条件以及评价结果的图。
图20是示出实施例中的贯通电极基板的制造条件以及评价结果的图。
图21是示出实施例中的贯通电极基板的制造条件以及评价结果的图。
具体实施方式
以下，参照附图来对本公开的实施方式所涉及的贯通电极基板、安装基板的结构及其制造方法详细地进行说明。以下所示的实施方式是本公开的实施方式的一个例子，本公开并不限于这些实施方式来解释。对于在本说明书中使用的形状、几何学的条件以及确定它们的程度的、例如“平行”、“正交”等用语、长度、角度的值等，不受严格的意义束缚，包含能够期待同样的功能的程度的范围来进行解释。
在本说明书中，在关于某参数列举出了多个上限值的候选以及多个下限值的候选的情况下，其参数的数值范围可以通过将任意一个上限值的候选和任意一个下限值的候选组合来构成。例如，考虑记载“参数B例如为A1以上，既可以为A2以上，也可以为A3以上。参数B例如为A4以下，既可以为A5以下，也可以为A6以下。”的情况。在该情况下，参数B的数值范围也可以为A1以上且A4以下，也可以为A1以上且A5以下，也可以为A1以上且A6以下，也可以为A2以上且A4以下，也可以为A2以上且A5以下，也可以为A2以上且A6以下，也可以为A3以上且A4以下，也可以为A3以上且A5以下，也可以为A3以上且A6以下。
在实施方式所参照的附图中，对具有相同部分或者同样的功能的部分赋予相同的符号或者类似的符号，并有时省略其重复的说明。此外，有时存在附图的尺寸比率为了便于说明而与实际的比率不同、从附图中省略结构的一部分的情况。
(安装基板)
图1是示出安装基板60的一个例子的剖视图。安装基板60具备贯通电极基板10以及元件61。元件61可以是逻辑IC、存储器IC等LSI(Large Scale Integration：大规模集成)芯片。元件61也可以是MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微机电***)芯片。所谓MEMS芯片，是指将机械要素部件、传感器、致动器、电子电路等集成在1个基板上的电子设备。元件61具备与贯通电极基板10电连接的端子62。
元件61也可以具备量子芯片。量子芯片作为量子计算机而发挥功能。所谓量子计算机，是指利用量子力学的现象来对信息进行处理的计算机。量子芯片包含量子比特。量子比特是量子信息的最小单位。量子比特的具体的构造并未特别限定。例如，量子比特也可以通过包含超导材料的电路来构成。
元件61也可以具备超导芯片。所谓超导芯片，是指利用超导现象来驱动的芯片。超导现象例如是永久电流。
虽然未图示，但是安装基板60也可以具备冷却装置。冷却装置对贯通电极基板10以及元件61进行冷却。在贯通电极基板10或者元件61包含超导材料的情况下，冷却装置也可以将贯通电极基板10以及元件61冷却至超导转变温度以下。超导转变温度是超导材料表示超导状态的温度。超导转变温度也可以是77K以下。
(贯通电极基板)
图1所示的贯通电极基板10具备：基板12、贯通电极22、第1布线25以及后焊盘41。
(基板)
基板12包含第1面13以及第2面14。第2面14位于第1面13的相反的一侧。如图1所示，元件61可以位于第1面13上。虽然未图示，但是元件61也可以位于第2面14上。
在基板12设置有贯通基板12的多个贯通孔20。贯通孔20包含壁面21。壁面21延展为从第1面13直至第2面14。在以下的说明中，也将从第1面13朝向第2面14的方向称为厚度方向D1。厚度方向D1也可以与第1面13的法线方向平行。也将第1面13延展的方向称为面方向D2。
基板12由具有绝缘性的无机材料构成。例如，基板12包含玻璃基板、石英基板、蓝宝石基板、树脂基板、硅基板、碳化硅基板、氧化铝(Al2O3)基板、氮化铝(AlN)基板、以及氧化锆(ZrO2)基板等。
在基板12为硅基板的情况下，基板12的第1面13、第2面14、壁面21等的表面也可以通过绝缘膜来构成。绝缘膜例如通过在高温下对形成有贯通孔20的基板12进行氧化处理来形成。
基板12的厚度T0例如为100μm以上，既可以为150μm以上，也可以为200μm以上。通过让厚度T0为100μm以上，能够抑制基板12的挠曲变大。因此，能够抑制制造工序中的基板12的操作变得困难、或者以形成于基板12上的层的内部应力为起因而基板12产生翘曲。基板12的厚度T0例如为600μm以下，既可以为500μm以下，也可以为400μm以下。通过让厚度T0为600μm以下，能够抑制将贯通孔20形成于基板12的工序中所需的时间变长。
贯通孔20的壁面21也可以沿着厚度方向D1延展。或者，虽然未图示，但是壁面21也可以沿着从厚度方向D1偏离的方向延展。例如，壁面21也可以包含沿相对于厚度方向D1倾斜的方向延展的部分，使得贯通孔20的尺寸随着从第1面13朝向第2面14而减少。相反地，壁面21也可以包含沿相对于厚度方向D1倾斜的方向延展的部分，使得贯通孔20的尺寸随着从第2面14朝向第1面13而减少。壁面21也可以包含沿相对于厚度方向D1倾斜的方向延展的部分使得贯通孔20的尺寸随着从第1面13朝向厚度方向D1上的贯通孔20的中央而减少、和沿相对于厚度方向D1倾斜的方向延展的部分使得贯通孔20的尺寸随着从第2面14朝向厚度方向D1上的贯通孔20的中央而减少。壁面21的一部分也可以弯曲。
图2是放大地示出贯通电极基板的剖视图。贯通孔20在第1面13中具有尺寸R1。贯通孔20在第2面14中具有尺寸R2。尺寸R1可以与尺寸R2相同。尺寸R1也可以与尺寸R2不同。例如，尺寸R1既可以比尺寸R2大，也可以比尺寸R2小。
尺寸R1例如为5μm以上，既可以为10μm以上，也可以为20μm以上。尺寸R1例如为100μm以下，既可以为80μm以下，也可以为60μm以下。尺寸R2的数值范围也可以与尺寸R1的数值范围相同。
作为厚度T0相对于尺寸R1的比率的T0/R1例如为3.0以上，既可以为4.0以上，也可以为5.0以上。T0/R1例如为25.0以下，既可以为20.0以下，也可以为15.0以下。例如，T0/R1也可以为3.0以上且25.0以下。通过让T0/R1为3.0以上，能够抑制产生贯通孔20在第1面13上未被贯通电极22堵塞的这种状况。通过使T0/R1为25.0以下，能够降低通过镀覆处理来形成贯通电极22所需要的时间。
俯视时的贯通孔20的形状未被特别限定。例如，俯视时的贯通孔20的形状既可以是圆形，也可以不是圆形。在俯视时的贯通孔20的形状是圆形的情况下，上述的尺寸R1以及尺寸R2是第1面13上的贯通孔20的直径以及第2面14上的贯通孔20的直径。在俯视时的贯通孔20的形状不是圆形的情况下，上述的尺寸R1以及尺寸R2在俯视时的贯通孔20的尺寸成为最大的方向上被规定。例如，在俯视时的贯通孔20的形状是椭圆形的情况下，上述的尺寸R1以及尺寸R2在椭圆形的长轴的方向上被规定。
(贯通电极)
贯通电极22是位于贯通孔20的内部、且具有导电性的构件。贯通电极22填充在贯通孔20。贯通电极22是所谓的填充通孔。
如图1所示，贯通电极22也可以包含位于第1面13的第1端面221以及位于第2面14的第2端面222。第1端面221也可以在与第1面13相同的面上延展。第2端面222也可以在与第2面14相同的面上延展。
如图2所示，贯通电极22包含籽晶层31、第1部分23以及第2部分24。如后述，第1部分23通过第1镀覆处理来形成。第2部分24通过在第1镀覆处理之后实施的第2镀覆处理来形成。贯通电极22包含相接有第1部分23和第2部分24的界面223。界面223横截贯通孔20。界面223也可以通过构成第1部分23的材料的晶界来构成。
籽晶层31在贯通孔20的周向上沿着壁面21延展。此外，籽晶层31从第1面13朝向第2面14沿着壁面21延展。籽晶层31以未到达第2面14地延展。即，厚度方向D1上的、位于贯通孔20的籽晶层31的尺寸T11比基板12的厚度T0小。作为尺寸T11相对于厚度T0的比率的T11/T0例如为0.025以上，既可以为0.05以上，也可以为0.10以上。T1 1/T0例如为0.275以下，既可以为0.25以下，也可以为0.20以下。
籽晶层31的厚度T12例如为5nm以上，既可以为10nm以上，也可以为15nm以上，也可以为20nm以上。籽晶层31的厚度T12例如为50nm以下，既可以为40nm以下，也可以为30nm以下。例如，籽晶层31的厚度T12也可以为5nm以上且50nm以下。通过让籽晶层31的厚度T12为5nm以上，能够抑制在籽晶层31产生针孔等缺陷。此外，通过让籽晶层31的厚度T12为5nm以上，能够抑制在壁面21产生未被籽晶层31覆盖的部分。通过让籽晶层31的厚度T12为50nm以下，能够抑制第1部分23的厚度变得不均匀。例如，能够抑制第1部分23的厚度随着从壁面21朝向俯视时的贯通孔20的中心而减少。当第1部分23的厚度随着从壁面21朝向俯视时的贯通孔20的中心而减少时，容易产生后述的凹陷223a。籽晶层31的厚度T12被规定为厚度方向D1上的第1部分23的中央。
籽晶层31的材料被选择为能够使第1部分23在籽晶层31上析出。籽晶层31的材料既可以与第1部分23的材料相同，也可以与第1部分23的材料不同。籽晶层31例如也可以包含Cu、Ti或者Cr等金属材料。籽晶层31也可以包含这些金属材料的化合物。例如，籽晶层31也可以包含TiN。籽晶层31也可以包含多个层。例如，籽晶层31也可以包含TiN层以及Cu层。
籽晶层31也可以包含后述的普通金属材料。籽晶层31也可以包含后述的超导材料。
虽然未图示，但是在壁面21与籽晶层31之间，也可以设置阻挡层、密接层等其他层。
阻挡层为了抑制例如籽晶层31、第1部分23、第2部分24等中包含的金属元素向基板12的内部扩散而设置。阻挡层例如通过钛、氮化钛、钼、氮化钼、钽、氮化钽等或者层叠它们来构成。
密接层为了提高贯通电极22相对于壁面21的密接性而设置。密接层例如通过钛、钼、钨、钽、镍、铬、铝、它们的化合物、它们的合金等或者层叠它们来构成。
第1部分23通过析出反应而形成，该析出反应使用从籽晶层31供给的电荷。在贯通孔20中，第1部分23覆盖籽晶层31。例如，第1部分23在厚度方向D1上从第1面13延伸到相对于籽晶层31而位于第2面14侧的位置。
第1部分23也可以包含Cu、Au、Ag、Pt、Rh、Ni、Cr、Pd等金属材料。第1部分23也可以包含这些金属材料的化合物。在以下的说明中，也将Cu、Au、Ag、Pt、Rh、Ni、Cr、Pd等金属材料以及这些金属材料的化合物称为普通金属材料。
第1部分23也可以包含超导材料。超导材料例如包含从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及Al组成的组中选择出的至少1个元素。超导材料的从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及Al组成的组中选择出的至少1个元素的比率例如为10质量％以上，既可以为20质量％以上，也可以为30质量％以上。超导材料也可以包含Nb、Pb、Ta、Sn、In、Al等金属材料。超导材料也可以包含这些金属材料的化合物。
第2部分24在界面223处与第1部分23相接。第2部分24在厚度方向D1上延伸为从界面223直至第2面14。横截贯通孔20的界面223也可以不是平坦的。例如，界面223也可以包含朝向第1面13凹入的凹陷223a。凹陷223a的深度K例如为1.5μm以上，既可以为3.0μm以上，也可以为5.0μm以上。凹陷223a的深度K例如为小于15μm，即可以为小于12μm，也可以为小于10μm。例如，凹陷223a的深度K也可以为1.5μm以上且小于15μm。
如后述的图6A～图7所示，第2部分24的第2镀覆部分34的成长有时比贯通孔20的壁面21的附近更容易在俯视时的贯通孔20的中央处行进。通过使界面223包含凹陷223a，能够抑制第2部分24在俯视时的贯通孔20的中央处从第2面14过度地突出。通过让凹陷223a的深度K为小于15μm，能够抑制在第2镀覆部分34的成长的期间产生孔隙等缺陷。
在厚度方向D1上，第1部分23的尺寸T21也可以小于第2部分24的尺寸T22。尺寸T21以及尺寸T22也可以由面方向D2上的第1部分23以及第2部分24的外缘来确定。例如，尺寸T21以及尺寸T22也可以由与壁面21相接的第1部分23以及第2部分24的位置来确定。
作为尺寸T21相对于尺寸T22的比率的T21/T22例如为0.90以下，既可以为0.80以下，也可以为0.70以下。T21/T22例如也可以为0.05以上，也可以为0.10以上，也可以为0.20以上。例如，T21/T22也可以为0.05以上且0.90以下。通过使T21/T22为0.05以上，能够抑制第2镀覆部分34的成长所需要的时间或者难度变得过大。通过使T21/T22为0.90以下，能够抑制第1部分23的厚度变得不均匀。
第2部分24与第1部分23同样，也可以包含普通金属材料。第2部分24与第1部分23同样，也可以包含超导材料。
第2部分24的材料既可以与第1部分23的材料相同，也可以不同。例如，第1部分23以及第2部分24也可以都包含普通金属材料，或者，也可以都包含超导材料。或者，也可以是，第1部分23包含超导材料，第2部分24包含普通金属材料。或者，也可以是，第1部分23包含普通金属材料，第2部分24包含超导材料。
(第1布线)
第1布线25与贯通电极22连接。第1布线25构成为在俯视时未覆盖贯通孔20。第1布线25沿面方向D2延伸。由于第1布线25未覆盖贯通孔20，因此在贯通孔20中产生的气体能够在第1面13中从贯通孔20排出。由此，能够抑制贯通孔20的内部的压力增加。因此，能够抑制产生第1布线25以贯通孔20的内部的压力为起因而产生变形的这种现象。
第1布线25的厚度T3例如为1.0μm以上，既可以为1.5μm以上，也可以为2.0μm以上。厚度T3例如为5.0μm以下，既可以为4.5μm以下，也可以为4.0μm以下。
第1布线25与第1部分23同样，也可以包含普通金属材料。第1布线25与第1部分23同样，也可以包含超导材料。第1布线25的材料既可以与第1部分23的材料相同，也可以不同。
(后焊盘)
后焊盘41例如在厚度方向D1上位于第1布线25与元件61之间。后焊盘41也可以与元件61的端子62连接。
后焊盘41的厚度T4例如为1.0μm以上，既可以为1.5μm以上，也可以为2.0μm以上。厚度T4例如为5.0μm以下，既可以为4.5μm以下，也可以为4.0μm以下。
后焊盘41与第1部分23同样，也可以包含普通金属材料。后焊盘41与第1部分23同样，也可以包含超导材料。后焊盘41的材料既可以与第1部分23的材料相同，也可以不同。
籽晶层31、第1部分23、第2部分24、第1布线25、后焊盘41各自的材料的组合是任意的。在表1中示出了各材料的组合的几个例子。在表1中，“超导”是指超导材料，“普通”是指普通金属材料。
[表1]
| 籽晶层 | 第1部分 | 第2部分 | 第1布线 | 后焊盘 | |
| 例1 | 超导 | 超导 | 超导 | 超导 | 超导 |
| 例2 | 普通 | 普通 | 普通 | 普通 | 普通 |
| 例3 | 普通 | 超导 | 超导 | 超导 | 超导 |
| 例4 | 普通 | 超导 | 普通 | 超导 | 超导 |
| 例5 | 普通 | 普通 | 超导 | 超导 | 超导 |
厚度T0、尺寸T11、厚度T12、尺寸T21、尺寸T22、厚度T3、厚度T4、尺寸R1、尺寸R2等基于由扫描电子显微镜而获取到的贯通电极基板10的剖面的图像来算出。
(贯通电极基板的制造方法)
以下，参照图3至图9对贯通电极基板10的制造方法的一个例子进行说明。
(贯通孔形成工序)
首先，准备基板12。接下来，在第1面13或者第2面14的至少任一个上设置抗蚀剂层。之后，在抗蚀剂层之中与贯通孔20对应的位置设置开口。接下来，在抗蚀剂层的开口处对基板12进行加工。由此，如图3所示，能够在基板12形成贯通孔20。作为对基板12进行加工的方法，能够使用干蚀刻法、湿蚀刻法等。干蚀刻法是反应性离子蚀刻法、深层反应性离子蚀刻法等。
也可以通过对基板12照射激光来在基板12形成贯通孔20。在该情况下，也可以不设置抗蚀剂层。作为激光，能够使用准分子激光、Nd：YAG激光、飞秒激光等。在采用Nd：YAG激光的情况下，能够使用波长为1064nm的基波、波长为532nm的第2谐波、波长为355nm的第3谐波等。
此外，也能够适当组合激光照射和湿蚀刻。具体地，首先，通过激光照射来在基板12之中应形成有贯通孔20的区域形成变质层。接着，将基板12浸渍在氟化氢等中，来蚀刻变质层。由此，能够在基板12形成贯通孔20。
另外，也可以通过向基板12喷射研磨材料的喷砂处理来在基板12形成贯通孔20。
(籽晶层形成工序)
接下来，如图4所示，在贯通孔20的壁面21形成籽晶层31。籽晶层31通过蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理成膜法来形成。
对调整籽晶层31的尺寸T11的方法的例子进行说明。
对使用蒸镀法来形成籽晶层31的情况进行说明。在蒸镀法中，构成籽晶层31的材料朝向第1面13飞来。由此，如图4所示，能够形成从第1面13朝向第2面14沿着壁面21延展的籽晶层31。籽晶层31也形成在第1面13上。通过调整实施蒸镀法的时间、飞来角度等，能够控制从第1面13侵入贯通孔20的籽晶层31的深度、即籽晶层31的尺寸T11。
对使用溅射法或者离子镀法来形成籽晶层31的情况进行说明。首先，通过溅射法或者离子镀法在第1面13侧形成籽晶层31。由此，在贯通孔20的内部，也形成了从第1面13朝向第2面14沿着壁面21延展的籽晶层31。厚度方向D1上的籽晶层31的尺寸大于期望的尺寸T11。接着，在位于贯通孔20的内部的、具有期望的尺寸T11的籽晶层31的部分上形成抗蚀剂层。接着，从第2面14侧向贯通孔20的内部供给蚀刻液。由此，未被抗蚀剂层覆盖的籽晶层31的部分被除去。这样，能够在贯通孔20的内部形成具有期望的尺寸T11的籽晶层31。
(第1镀覆处理工序)
接着，实施向第1面13供给第1镀覆液的第1镀覆处理。如图5所示，通过电解镀覆，形成了覆盖籽晶层31的第1镀覆部分33。籽晶层31作为阴极而发挥功能。如图5中如虚线所示，阳极50被配置为与第1面13上的籽晶层31对置。第1镀覆部分33不仅形成于贯通孔20的内部，也形成于第1面13上。
第1镀覆部分33包含第3面331以及第4面332。第4面332位于贯通孔20。第4面332也可以包含朝向第1面13凹入的凹陷332a。第3面331在厚度方向D1上位于与第4面332相反的一侧。第3面331也可以位于贯通孔20的外部。
实施第1镀覆处理，使得贯通孔20在第1面13上被第1镀覆部分33堵塞。在该情况下，第4面332延展为横截贯通孔20。第4面332以及凹陷332a构成上述的界面223以及凹陷223a。
第1镀覆液也可以包含Cu、Au、Ag、Pt、Rh、Ni、Cr等普通金属材料。第1镀覆液也可以包含Nb、Pb、Ta、Sn、In、Al等超导材料。将构成第1镀覆部分33所包含的导电性材料的要素的第1镀覆液中的浓度也称为第1浓度，该导电性材料是普通金属材料、超导材料等。此外，将在第1镀覆处理中被供给到籽晶层31的电流也称为第1电流。
第1镀覆液也可以包含促进析出反应的促进剂。第1镀覆液也可以包含抑制析出反应的抑制剂。
(第2镀覆处理工序)
接着，实施向第2面14供给第2镀覆液的第2镀覆处理。如图6A所示，通过电解镀覆来形成第2镀覆部分34。图6B是示出第2镀覆部分34进一步成长了的状态的图。如图6A以及图6B中虚线所示，阳极50被配置为与第1镀覆部分33的第4面332对置。这样的配置也可以通过在镀覆装置中使基板12翻转来实现。
如图6A以及图6B所示，在籽晶层31与第2面14之间，在壁面21中未设置籽晶层。在该情况下，如图6A以及图6B所示，第2镀覆部分34从第1镀覆部分33朝向第2面14沿厚度方向D1成长。因此，与第2镀覆部分34从壁面21朝向面方向上的贯通孔20的中心成长的情况相比，能够抑制在第2镀覆部分34产生孔隙等缺陷。图7是示出第2镀覆部分34的成长前进至第2面14上的状态的剖视图。
第2镀覆部分34包含第5面341以及第6面342。第5面341与第1镀覆部分33的第4面332相接。第4面332以及第5面341构成上述的界面223。第6面342在厚度方向D1上位于与第5面341相反的一侧。第6面342也可以位于贯通孔20的外部。
第2镀覆液与第1镀覆液同样，也可以包含普通金属材料。第2镀覆液与第1镀覆液同样，也可以包含超导材料。将构成第2镀覆部分34所包含的导电性材料的要素的第2镀覆液中的浓度也称为第2浓度，该导电性材料是普通金属材料、超导材料等。此外，将在第2镀覆处理中被供给到籽晶层31的电流也称为第2电流。
第2浓度也可以低于第1浓度。由此，能够抑制在第2镀覆部分34产生孔隙等缺陷。
第2电流也可以低于第1电流。由此，能够抑制在第2镀覆部分34产生孔隙等缺陷。
第2镀覆液也可以包含促进析出反应的促进剂。第2镀覆液所包含的促进剂的浓度也可以低于第1镀覆液所包含的促进剂的浓度。
第2镀覆液也可以包含抑制析出反应的抑制剂。第2镀覆液所包含的抑制剂的浓度也可以高于第1镀覆液所包含的抑制剂的浓度。
(除去工序)
接着，也可以实施除去不需要的镀覆部分的除去工序。
例如，如图8所示，也可以实施除去位于第1面13上的第1镀覆部分33的第1除去工序。第1除去工序也可以通过化学机械研磨法来除去第1面13上的第1镀覆部分33。第1除去工序也可以除去第1面13上的籽晶层31。通过第1除去工序，也可以得到沿与第1面13相同的面上延展的第1端面221。
例如，如图8所示，也可以实施除去位于第2面14上的第2镀覆部分34的第2除去工序。第2除去工序也可以通过化学机械研磨法来除去第2面14上的第2镀覆部分34。通过第2除去工序，也可以得到沿与第2面14相同的面上延展的第2端面222。
(布线形成工序)
接着，如图9所示，也可以实施在第1面13上形成第1布线25的第1布线形成工序。第1布线25的形成方法是任意的。例如，首先，通过溅射法在第1面13上形成导电层。接着，在与第1布线25对应的导电层的部分上形成抗蚀剂层。接着，通过蚀刻等来除去未被抗蚀剂层覆盖的导电层的部分。这样，在第1面13上形成包含导电层的第1布线25。
(后焊盘形成工序)
接着，也可以实施形成后焊盘41的后焊盘形成工序。后焊盘41的形成方法是任意的。例如，也可以与第1布线25同样，通过实施溅射、抗蚀剂层的形成以及蚀刻，来形成后焊盘41。这样，可得到图1所示的贯通电极基板10。
根据本实施方式，能够抑制在第2部分24产生孔隙等缺陷。因此，能够提供具备抑制了孔隙等缺陷的贯通电极22的贯通电极基板10。
能够对上述的实施方式施加各种变更。以下，根据需要来参照附图对变形例进行说明。在以下的说明以及以下的说明所使用的附图中，对于能够与上述的实施方式同样地构成的部分，设为使用与对第1实施方式中的对应的部分使用的符号相同的符号，并省略重复的说明。此外，在变形例中也能够明显得到在上述的实施方式中得到的作用效果的情况下，有时也省略其说明。
(第1变形例)
参照图10至图13，来对第1变形例所涉及的贯通电极基板10的制造方法进行说明。
首先，与上述的实施方式的情况同样，在设置有贯通孔20的基板12形成籽晶层31。接着，如图10所示，在第1面13上的籽晶层31上，部分地形成第1抗蚀剂层35。第1抗蚀剂层35也可以包含在俯视时包围贯通孔20的侧面351。此外，也可以在第2面14上部分地形成第2抗蚀剂层36。第2抗蚀剂层36也可以包含在俯视时包围贯通孔20的侧面361。
接着，如图11所示，实施形成第1镀覆部分33的第1镀覆处理。第1镀覆部分33的第3面331包含在俯视时被第1抗蚀剂层35包围的外缘。
接着，如图11所示，实施形成第2镀覆部分34的第2镀覆处理。第2镀覆部分34的第6面342包含在俯视时被第2抗蚀剂层36包围的外缘。
接着，如图12所示，除去第1抗蚀剂层35以及第2抗蚀剂层36。接着，如图12所示，除去未被第1抗蚀剂层35覆盖的籽晶层31的部分。由此，能够得到具备第1焊盘27以及第2焊盘28的贯通电极基板10。第1焊盘27包含第1镀覆部分33以及籽晶层31。第2焊盘28包含第2镀覆部分34。
第1焊盘27位于第1面13，使得在俯视时覆盖贯通孔20。第1焊盘27与贯通电极22的第1部分23连接。第1焊盘27的第1镀覆部分33与贯通电极22的第1部分23的第1镀覆部分33是一体的。即，第1焊盘27与第1部分23一体地构成。因此，第1焊盘27的材料的大部分与第1部分23的材料相同。在第1部分23包含超导材料的情况下，第1焊盘27也包含超导材料。在第1部分23包含普通金属材料的情况下，第1焊盘27也包含普通金属材料。
第1焊盘27的厚度T5例如为1.0μm以上，既可以为1.5μm以上，也可以为2.0μm以上。厚度T5例如为5.0μm以下，既可以为4.5μm以下，也可以为4.0μm以下。
俯视时的第1焊盘27的尺寸R5例如为10μm以上，既可以为15μm以上，也可以为20μm以上。尺寸R5例如为100μm以下，既可以为80μm以下，也可以为60μm以下。俯视时的第2焊盘28的尺寸R6的数值范围也可以与尺寸R5的数值范围相同。
第2焊盘28位于第2面14，使得在俯视时覆盖贯通孔20。第2焊盘28与贯通电极22的第2部分24连接。第2焊盘28与贯通电极22的第2部分24的第2镀覆部分34是一体的。即，第2焊盘28与第2部分24一体地构成。因此，第2焊盘28的材料的大部分与第2部分24的材料相同。在第2部分24包含超导材料的情况下，第2焊盘28也包含超导材料。在第2部分24包含普通金属材料的情况下，第2焊盘28也包含普通金属材料。
第2焊盘28的厚度T6例如为1.0μm以上，既可以为1.5μm以上，也可以为2.0μm以上。厚度T6例如为5.0μm以下，既可以为4.5μm以下，也可以为4.0μm以下。
接着，如图13所示，也可以形成第1无机层37。第1无机层37位于第1面13。第1无机层37也可以在面方向D2上与第1焊盘27相邻。
第1无机层37包含无机绝缘材料。无机绝缘材料例如是SiN、SiO2等。第1无机层37也可以包含SiN层以及SiO2层。
与有机绝缘材料相比，无机绝缘材料在低温下具有力学的稳定性。例如，与由有机绝缘材料组成的层相比，在由无机绝缘材料组成的层中，当在低温与常温之间产生温度变化时，难以产生裂纹等缺陷。低温例如是产生超导现象的温度。产生超导现象的温度为绝对零度附近，例如是液态氮的温度。
(第2变形例)
参照图14至图16，对第2变形例所涉及的贯通电极基板10的制造方法进行说明。
首先，与上述的实施方式的情况同样，在设置有贯通孔20的基板12上形成籽晶层31。接着，如图14所示，在第1面13上的籽晶层31上部分地形成第1抗蚀剂层35。第1抗蚀剂层35被形成为，位于形成有第1布线25的位置的籽晶层31的部分从第1抗蚀剂层35露出。
接着，如图15所示，实施形成第1镀覆部分33的第1镀覆处理。第1镀覆部分33的第3面331的外缘被第1抗蚀剂层35的侧面351划定。
接着，如图15所示，实施形成第2镀覆部分34的第2镀覆处理。
接着，如图16所示，除去第1抗蚀剂层35。接着，如图16所示，除去被第1抗蚀剂层35覆盖的籽晶层31的部分。由此，可得到具备第1布线25的贯通电极基板10。第1布线25包含第1镀覆部分33以及籽晶层31。与上述的实施方式的情况同样，也可以实施除去位于第2面14上的第2镀覆部分34的第2除去工序。
第1布线25也可以位于第1面13，使得在俯视时未覆盖贯通孔20。第1布线25与贯通电极22的第1部分23连接。第1布线25的第1镀覆部分33与贯通电极22的第1部分23的第1镀覆部分33是一体的。即，第1布线25与第1部分23一体地构成。因此，第1布线25的材料的大部分与第1部分23的材料相同。在第1部分23包含超导材料的情况下，第1布线25也包含超导材料。在第1部分23包含普通金属材料的情况下，第1布线25也包含普通金属材料。
(搭载有贯通电极基板的产品的例子)
图17是示出能够搭载有本公开的实施方式所涉及的贯通电极基板10的产品的例子的图。本公开的实施方式所涉及的贯通电极基板10能够利用于各种产品。例如，搭载于笔记本型个人计算机110、平板终端120、便携电话130、智能手机140、数字摄像机150、数字相机160、数字钟表170、服务器180等。
实施例
接下来，通过实施例进一步对本公开的方式具体地进行说明，但是只要不超过其主旨，本公开的方式并不限于以下的实施例的记载。
(例1)
通过图3至图8所示的制造工序，制作出了图2所示的贯通电极基板10。
具体地，首先，准备具有8英寸的直径以及400μm的厚度T0且由硅组成的基板12。接着，在基板12形成多个贯通电极22。具体地，在基板12形成100个芯片区域。1个芯片区域是在俯视时一边为约12mm的正方形的区域。1个芯片区域包含1000个贯通电极22。
对贯通电极22的形成方法进行说明。首先，如图3所示，通过深层反应性离子蚀刻法在基板12形成了贯通孔20。在俯视时，贯通孔20具有圆形的轮廓。贯通孔20的尺寸R1以及尺寸R2为50μm。接着，在1050℃下对形成有贯通孔20的基板12实施了氧化处理。由此，在基板12的第1面13、第2面14以及壁面21形成了绝缘膜。
接着，在壁面21上形成了由Cr组成的密接层。接着，如图4所示，通过蒸镀法形成了由Cu组成的籽晶层31。厚度方向D1上的籽晶层31的尺寸T11为50μm。籽晶层31的厚度T12为3nm。
接着，如图5所示，通过电解镀覆形成了由Cu组成的第1镀覆部分33。接着，实施了对第1镀覆部分33的形状进行观察的第1观察工序。具体地，使用X射线透射装置对第1镀覆部分33的形状进行了观察。例如，基于观察结果，对第1镀覆部分33的第4面332的平坦性进行了评价。
接着，如图6A～图7所示，通过电解镀覆形成了由Cu组成的第2镀覆部分34。持续进行镀覆处理，直到从贯通孔20向外部膨出的第2镀覆部分34的厚度成为50μm。
之后，实施了在氮气氛中对基板12进行加热的退火工序。退火温度为250℃，退火时间为1小时。
接着，如图8所示，实施了除去位于第1面13上的第1镀覆部分33的第1除去工序、以及除去位于第2面14上的第2镀覆部分34的第2除去工序。这样，制作出了具备贯通电极22的贯通电极基板10。接着，实施了对贯通电极基板10的形状进行观察的第2观察工序。具体地，使用X射线透射装置对贯通电极22的形状进行了观察。此外，基于观察结果，对在贯通电极22的内部是否产生有孔隙进行了确认。在贯通电极22的内部产生了孔隙的情况下，贯通电极22的一部分看上去发白。将包含看上去发白的部位的贯通电极22作为缺陷贯通电极来计数。形成于1个基板12的贯通电极22的数量为10万个。在第2观察工序中，对全部的贯通电极22确认了是否产生有孔隙。
(例2～例18)
根据从例1变更的制造条件，制作出了贯通电极基板10。此外，与例1的情况同样，实施了第1镀覆部分33的表面的平坦性的评价、以及贯通电极22的孔隙的确认。将结果示于图18。
在图18的“籽晶层的形成方法”一栏中，“DEPO”是指通过蒸镀法来形成籽晶层31的情形，“SP”是指通过溅射法来形成籽晶层31的情形，“IP”是指通过离子镀法来形成籽晶层31的情形。在使用溅射法或者离子镀法来形成籽晶层31的情况下，通过蚀刻除去了籽晶层31的多余的部分。
在图18的“表面的平坦性”一栏，“good”是指第1镀覆部分33的第4面332的表面的凹凸的最大高度为小于15μm，“great”是指第4面332的表面的凹凸的最大高度为小于10μm，“not good”是指第4面332的表面的凹凸的最大高度为15μm以上。
在图18的“孔隙的生成”一栏，“good”是指缺陷贯通电极的数量相对于观察到的贯通电极22的数量的比率(以下，也称为孔隙比率)为小于5％，“great”是指孔隙比率为0％，“not good”是指孔隙比率为5％以上。
如图18所示，在厚度方向D1上的籽晶层31的尺寸T11为10μm以上且110μm以下、并且籽晶层31的厚度T12为5nm以上且50nm以下的情况下，得到了良好的结果。基板12的厚度T0为400μm。因此，得到了良好的结果的例子中的T11/T0的范围为0.025以上且0.275以下。
(例19)
除了将贯通孔20的尺寸R1以及尺寸R2设为20μm以外，通过与例1的情况相同的制造条件来制作出了贯通电极基板10。此外，与例1的情况同样，实施了第1镀覆部分33的表面的平坦性的评价、以及贯通电极22的孔隙的确认。
(例20～例36)
通过从例19变更的制造条件，制作出了包含具有20μm的尺寸R1以及尺寸R2的贯通孔20的贯通电极基板10。例20～例36的制造条件分别与例2～例18的制造条件对应。此外，与例1的情况同样，实施了第1镀覆部分33的表面的平坦性的评价、以及贯通电极22的孔隙的确认。将结果示于图19。
与例1～例18的情况同样，在厚度方向D1上的籽晶层31的尺寸T11为10μm以上且110μm以下、并且籽晶层31的厚度T12为5nm以上且50nm以下的情况下，得到了良好的结果。
(例37～例44)
准备具有8英寸的直径以及250μm的厚度T0且由硅组成的基板12。接着，与例1的情况同样，在基板12形成了多个贯通电极22。在俯视时，贯通孔20具有圆形的轮廓。贯通孔20的尺寸R1以及尺寸R2为30μm。接着，与例1的情况同样，通过实施形成绝缘膜、由Cr组成的密接层、由Cu组成的籽晶层31、由Cu组成的第1镀覆部分33以及由Cu组成的第2镀覆部分34的工序，制作出了贯通电极22。在例37～例44中，调整了蒸镀法的条件，使得由Cu组成的籽晶层31的厚度方向D1上的尺寸T11成为图20所示的值。此外，与例1的情况同样，实施了第1镀覆部分33的表面的平坦性的评价、以及贯通电极22的孔隙的确认。将结果示于图20。
如图20所示，在T11/T0的范围为0.025以上且0.275以下的情况下，得到了良好的结果。
(例45～例53)
准备具有8英寸的直径以及600μm的厚度T0且由硅组成的基板12。接着，与例1的情况同样，在基板12形成了多个贯通电极22。在俯视时，贯通孔20具有圆形的轮廓。贯通孔20的尺寸R1以及尺寸R2为90μm。接着，与例1的情况同样，通过实施形成绝缘膜、由Cr组成的密接层、由Cu组成的籽晶层31、由Cu组成的第1镀覆部分33以及由Cu组成的第2镀覆部分34的工序，制作出了贯通电极22。在例45～例53中，调整了蒸镀法的条件，使得由Cu组成的籽晶层31的厚度方向D1上的尺寸T11成为图20所示的值。此外，与例1的情况同样，实施了第1镀覆部分33的表面的平坦性的评价、以及贯通电极22的孔隙的确认。将结果示于图20。
如图20所示，在T11/T0的范围为0.025以上且0.275以下的情况下，得到了良好的结果。
(例54～例62)
准备具有8英寸的直径以及400μm的厚度T0且由硅组成的基板12。接着，与例1的情况同样，在基板12形成了多个贯通电极22。在俯视时，贯通孔20具有圆形的轮廓。贯通孔20具有随着从第1面13朝向第2面14而增加的直径。第1面13上的贯通孔20的尺寸R1为50μm。第2面14上的贯通孔20的尺寸R2为90μm。接着，与例1的情况同样，通过实施形成绝缘膜、由Cr组成的密接层、由Cu组成的籽晶层31、由Cu组成的第1镀覆部分33以及由Cu组成的第2镀覆部分34的工序，制作出了贯通电极22。在例54～例62中，调整了蒸镀法的条件，使得籽晶层31的厚度T12成为图21所示的值。由基板12的厚度方向上的籽晶层31的中央的位置规定厚度T12。此外，与例1的情况同样，实施了第1镀覆部分33的表面的平坦性的评价、以及贯通电极22的孔隙的确认。将结果示于图21。
如图21所示，在籽晶层31的厚度T12的范围为5nm以上且50nm以下的情况下，得到了良好的结果。
(例63～例70)
准备具有8英寸的直径以及600μm的厚度T0且由硅组成的基板12。接着，与例1的情况同样，在基板12形成了多个贯通电极22。在俯视时，贯通孔20具有圆形的轮廓。贯通孔20具有随着从第1面13朝向第2面14而增加的直径。贯通孔20的尺寸R1以及尺寸R2为100μm。接着，与例1的情况同样，通过实施形成绝缘膜、由Cr组成的密接层、由Cu组成的籽晶层31、由Cu组成的第1镀覆部分33以及由Cu组成的第2镀覆部分34的工序，制作出了贯通电极22。在例63～例70中，调整了蒸镀法的条件，使得籽晶层31的厚度T12成为图21所示的值。由基板12的厚度方向上的籽晶层31的中央的位置规定厚度T12。此外，与例1的情况同样，实施了第1镀覆部分33的表面的平坦性的评价、以及贯通电极22的孔隙的确认。将结果示于图21。
如图21所示，在籽晶层31的厚度T12的范围为5nm以上且50nm以下的情况下，得到了良好的结果。
-符号说明-
10贯通电极基板
12基板
13第1面
14第2面
20贯通孔
21壁面
22贯通电极
23第1部分
24第2部分
25第1布线
27第1焊盘
28第2焊盘
31籽晶层
33第1镀覆部分
331第3面
332第4面
332a凹陷
34第2镀覆部分
35第1抗蚀剂层
36第2抗蚀剂层
37第1无机层
38第2无机层
41后焊盘
60安装基板
61元件
62端子。
Claims (21)
1.一种贯通电极基板，具备：
基板，包含第1面以及位于与所述第1面相反的一侧的第2面，并设置有包含从所述第1面直至所述第2面的壁面的贯通孔；和
贯通电极，位于所述贯通孔，从所述第1面直至所述第2面，
所述贯通电极具备：籽晶层，位于所述壁面上，从所述第1面朝向所述第2面沿着所述壁面延展；第1部分，覆盖所述籽晶层；和第2部分，在横截所述贯通孔的界面处与所述第1部分相接。
2.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于，
在所述基板的厚度方向上，所述第1部分的尺寸小于所述第2部分的尺寸。
3.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于，
所述基板的厚度方向上的所述籽晶层的尺寸T11、相对于所述基板的厚度T0的比率即T11/T0为0.025以上且0.275以下。
4.根据权利要求1所述的贯通电极基板，其特征在于，
所述界面包含凹陷，所述凹陷朝向所述第1面。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的贯通电极基板，其特征在于，
所述基板的厚度T0、相对于所述第1面上的所述贯通孔的尺寸R1的比率即T0/R1为3.0以上且25.0以下。
6.根据权利要求1～4的任一项所述的贯通电极基板，其特征在于，
所述籽晶层的厚度为5nm以上且50nm以下。
7.根据权利要求1～4的任一项所述的贯通电极基板，其特征在于，
所述第1部分具备超导材料，所述超导材料包含从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及Al组成的组中选择出的至少1个元素。
8.根据权利要求1～4的任一项所述的贯通电极基板，其特征在于，
所述第2部分具备超导材料，所述超导材料包含从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及Al组成的组中选择出的至少1个元素。
9.根据权利要求1～4的任一项所述的贯通电极基板，其特征在于，
所述贯通电极基板具备第1焊盘，所述第1焊盘位于所述第1面，使得在俯视时覆盖所述贯通孔，并且与所述第1部分连接。
10.根据权利要求9所述的贯通电极基板，其特征在于，
所述第1焊盘具备超导材料，所述超导材料包含从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及Al组成的组中选择出的至少1个元素。
11.根据权利要求9所述的贯通电极基板，其特征在于，
所述第1焊盘与所述第1部分一体地构成。
12.根据权利要求9所述的贯通电极基板，其特征在于，
在俯视时，所述第1焊盘覆盖所述贯通孔。
13.根据权利要求9所述的贯通电极基板，其特征在于，
所述贯通电极基板具备包含无机绝缘材料的第1无机层，所述第1无机层位于所述第1面，并在面方向上与所述第1焊盘相邻。
14.根据权利要求1～4的任一项所述的贯通电极基板，其特征在于，
所述贯通电极基板具备第1布线，所述第1布线位于所述第1面，并与所述第1部分连接。
15.根据权利要求14所述的贯通电极基板，其特征在于，
所述第1布线具备超导材料，所述超导材料包含从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及A1组成的组中选择出的至少1个元素。
16.根据权利要求14所述的贯通电极基板，其特征在于，
所述第1布线与所述第1部分一体地构成。
17.一种安装基板，具备：
权利要求1～4中的任一项所述的贯通电极基板；和
元件，与所述贯通电极基板的所述贯通电极电连接。
18.根据权利要求17所述的安装基板，其特征在于，
所述元件具备量子芯片，所述量子芯片包含量子比特。
19.一种制造方法，是贯通电极基板的制造方法，所述制造方法具备如下工序：
准备基板的工序，所述基板包含第1面以及位于与所述第1面相反的一侧的第2面，并设置有包含从所述第1面直至所述第2面的壁面的贯通孔；和
贯通电极形成工序，在所述贯通孔形成贯通电极，
所述贯通电极形成工序具备如下工序：
形成籽晶层的工序，所述籽晶层位于所述壁面上，并从所述第1面朝向所述第2面沿着所述壁面延展；
通过使用第1镀覆液的第1镀覆处理来形成覆盖所述籽晶层的第1镀覆部分的工序；和
通过使用第2镀覆液的第2镀覆处理来形成与所述第1镀覆部分相接的第2镀覆部分的工序，
所述第2镀覆部分在横截所述贯通孔的界面处，与所述第1镀覆部分相接。
20.根据权利要求19所述的制造方法，其特征在于，
所述第1镀覆液具备超导材料，所述超导材料包含从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及A1组成的组中选择出的至少1个元素。
21.根据权利要求19或者权利要求20所述的制造方法，其特征在于，
所述第2镀覆液具备超导材料，所述超导材料包含从由Nb、Pb、Ta、Sn、In以及Al组成的组中选择出的至少1个元素。
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