CN118016559A - 基片处理装置、基片处理方法和基片 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够提高基片保持部的污垢的除去效率的基片处理装置、基片处理方法和基片。基片处理装置利用处理液对基片进行处理。基片处理装置包括：处理容器；第一基片保持部，其用于在所述处理容器的内部水平地保持基片；旋转驱动部，其用于使所述第一基片保持部以铅垂的旋转中心线为中心进行旋转；第二基片保持部，其用于在所述处理容器的内部水平地保持所述基片；移动驱动部，其用于使所述第一基片保持部与所述第二基片保持部相对地移动；和控制部，其用于控制所述旋转驱动部和所述移动驱动部。所述控制部能够进行改变所述基片的与所述第一基片保持部的接触位置来反复进行所述第一基片保持部与所述基片的接触的控制。

Description

基片处理装置、基片处理方法和基片
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和基片。
背景技术
专利文献1公开的基片处理装置包括2个吸附垫、液接收杯形部、旋转卡盘、壳体、第一清洗部和第二清洗部。2个吸附垫能够水平地吸附保持基片的下表面。液接收杯形部与2个吸附垫连结。旋转卡盘能够水平地吸附保持从吸附垫接收到的基片的下表面。壳体具有上表面开口的开口部。在壳体的底部设置有用于排出清洗液的排液管和用于排出气流的排气管。第一清洗部用于对基片的上表面进行清洗。第二清洗部用于对基片的下表面进行清洗。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2020-43156号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的一个方式提供能够提高旋转卡盘等基片保持部的污垢的除去效率的技术。
用于解决技术问题的手段
本发明的一个方式的基片处理装置能够利用处理液对基片进行处理。基片处理装置包括：处理容器；第一基片保持部，其用于在所述处理容器的内部水平地保持基片；旋转驱动部，其用于使所述第一基片保持部以铅垂的旋转中心线为中心进行旋转；第二基片保持部，其用于在所述处理容器的内部水平地保持所述基片；移动驱动部，其用于使所述第一基片保持部与所述第二基片保持部相对地移动；和控制部，其用于控制所述旋转驱动部和所述移动驱动部。所述控制部能够进行改变所述基片的与所述第一基片保持部的接触位置来反复进行所述第一基片保持部与所述基片的接触的控制。
发明效果
采用本发明的一个方式，能够提高基片保持部的污垢的除去效率。
附图说明
图1是表示一个实施方式的基片处理装置的平面图，是表示图7的步骤S104的一个例子的平面图。
图2是表示图7的步骤S104的一个例子的截面图。
图3是表示图7的步骤S102的一个例子的平面图。
图4是表示图7的步骤S102的一个例子的截面图。
图5是表示升降销的动作的一个例子的截面图。
图6是接着图5表示升降销的动作的一个例子的截面图。
图7是表示一个实施方式的基片处理方法的流程图。
图8是表示第一基片保持部的清洗的一个例子的仰视图。
图9是表示基片的一个例子的侧面图。
图10是表示第一直线的一个例子的仰视图。
图11是表示第二直线的一个例子的仰视图。
图12是表示第一基片保持部的清洗的一个例子的流程图。
图13是表示升降销的清洗的一个例子的仰视图。
图14是表示第二基片保持部的清洗的一个例子的仰视图。
图15是表示第一基片保持部和第二基片保持部的第一变形例的截面图，是表示第二基片保持部保持基片的状态的截面图。
图16是表示第一基片保持部和第二基片保持部的第一变形例的截面图，是表示升降销保持基片的状态的截面图。
图17是表示第一基片保持部和第二基片保持部的第一变形例的截面图，是表示第一基片保持部保持基片的状态的截面图。
图18是表示第一基片保持部和第二基片保持部的第二变形例的截面图，是表示第二基片保持部保持基片的状态的截面图。
图19是表示第一基片保持部和第二基片保持部的第二变形例的截面图，是表示升降销保持基片的状态的截面图。
图20是表示第一基片保持部和第二基片保持部的第二变形例的截面图，是表示第一基片保持部保持基片的状态的截面图。
附图标记说明
1基片处理装置，10处理容器，11第一基片保持部，12第二基片保持部，13旋转驱动部，25移动驱动部，90控制部，W基片。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，在各附图中，有时对相同或相应的构成要素标注相同的附图标记，并省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向是彼此垂直的方向。X轴方向和Y轴方向为水平方向，Z轴方向为铅垂方向。
参照图1～图6，对基片处理装置1的一个例子进行说明。基片处理装置1能够利用处理液对基片W进行处理。基片W例如是半导体基片或玻璃基片。半导体基片是硅晶片或化合物半导体晶片等。可以在基片W的下表面和上表面中的至少一者上预先形成器件。器件包括半导体元件、电路或端子等。
基片处理装置1主要如图2所示的那样，例如包括处理容器10、第一基片保持部11、第二基片保持部12、旋转驱动部13、杯形部20、移动驱动部25(参照图1)、处理液供给部30、处理槽40、排液管45、排气管46、排气管罩47、摩擦体50、摩擦体移动部55和控制部90(参照图1)。
第一基片保持部11用于在处理容器10的内部水平地保持基片W。第一基片保持部11仅与基片W的下表面的一部分接触。第一基片保持部11例如能够吸附基片W的下表面中心部。第一基片保持部11例如是旋转卡盘，能够由旋转驱动部13旋转驱动。第一基片保持部11能够以铅垂的旋转中心线为中心进行旋转。第一基片保持部11也可以能够在Z轴方向上移动。
第一基片保持部11与第一吸附力施加部71连接(参照图1、图3)。第一吸附力施加部71能够对第一基片保持部11施加吸附基片W的吸附力。第一吸附力施加部71能够通过气体的吸引来表现出吸附力(真空吸附力)，但也可以是通过施加电压来表现出吸附力(静电吸附力)。第一吸附力施加部71在控制部90的控制下，进行吸附力的施加(表现)和吸附力的消失(解除)。
在第一基片保持部11的周围配置有多根升降销14。多根升降销14能够相对于第一基片保持部11或第二基片保持部12使基片W下降或使基片W上升。多根升降销14在第一基片保持部11的周向上等间隔地配置。通过多根升降销14在第一基片保持部11的周围进行升降，能够在第一基片保持部11或第二基片保持部12与未图示的输送臂之间交接基片W。
另外，在第一基片保持部11的周围配置有气体释放环15。气体释放环15包围第一基片保持部11，向基片W的下表面去形成环状的气帘(gas curtain)。气帘能够限制处理液从其外侧进入内侧，保护第一基片保持部11。气帘也能够保护配置在其内侧的多根升降销14。
第二基片保持部12能够在处理容器10的内部水平地保持基片W。第二基片保持部12仅与基片W的下表面的一部分接触。如图3和图4所示的那样，第二基片保持部12例如能够吸附基片W的下表面外周部。第二基片保持部12包括在X轴方向上隔开间隔地配置的一对吸附垫121、122。一对吸附垫121、122在X轴方向上夹着第一基片保持部11配置。第二基片保持部12与杯形部20连结，能够与杯形部20一起在水平方向(Y轴方向)和铅垂方向上移动。
第二基片保持部12与第二吸附力施加部72连接(参照图1、图3)。第二吸附力施加部72能够对第二基片保持部12施加吸附基片W的吸附力。第二吸附力施加部72能够通过气体的吸引来表现出吸附力(真空吸附力)，但也可以是通过施加电压来表现出吸附力(静电吸附力)。第二吸附力施加部72在控制部90的控制下，进行吸附力的施加(表现)和吸附力的消失(解除)。
杯形部20是向上下两个方向开放的环状，包围由第一基片保持部11或第二基片保持部12保持的基片W的外周。杯形部20具有圆筒状的铅垂壁21和从圆筒状的铅垂壁21的上端向径向内侧伸出的上壁22。杯形部20能够接收供给到基片W的处理液。
移动驱动部25能够使第二基片保持部12在与第一基片保持部11的旋转中心线正交的水平方向(Y轴方向)和铅垂方向(Z轴方向)上移动。移动驱动部25能够使第二基片保持部12与杯形部20一起移动。杯形部20能够在处理槽40的内部移动。当从上方看时，处理槽40的侧面42包围杯形部20的整个移动范围。
处理液供给部30能够对被杯形部20包围的基片W供给处理液。处理液例如包含药液和冲洗液。药液没有特别限定，例如为SC1(氨、过氧化氢和水的混合液)等。药液除了可以为用于将附着在基片W上的污垢除去的清洗液以外，也可以为蚀刻液或剥离液。冲洗液例如是DIW(去离子水)。可以依次向基片W供给药液和冲洗液。
处理液供给部30具有能够向基片W的下表面供给处理液的下喷嘴31、32(参照图1和图3)。下喷嘴31、32分别经由未图示的配管与处理液的供给源连接。在配管的中途设置有阀和流量控制器。当阀将配管的流路打开时，能够从下喷嘴31、32释放处理液。其释放量由流量控制器控制。另一方面，当阀将配管的流路关闭时，能够停止释放处理液。
处理液供给部30具有能够向基片W的上表面供给处理液的上喷嘴33(参照图2)。上喷嘴33与下喷嘴31、32同样地经由未图示的配管与处理液的供给源连接。上喷嘴33可以为双流体喷嘴，也可以利用N2气体等气体将处理液粉碎并微粒化而进行喷射。
处理液供给部30具有用于使上喷嘴33在水平方向和铅垂方向上移动的喷嘴移动部34。喷嘴移动部34能够使上喷嘴33在向由杯形部20包围的基片W供给处理液的位置(参照图2)与将上喷嘴33的释放口收纳在喷嘴槽(nozzle bath)35中的位置(参照图4)之间移动。
喷嘴槽35也被称为虚拟分配端口(dummy dispense port)。通过在即将从上喷嘴33向基片W供给处理液之前，将积存于上喷嘴33中的旧的处理液(例如温度降低了的处理液)释放到喷嘴槽35中，能够将新的处理液(例如温度被控制为期望的温度的处理液)供给到基片W。在喷嘴槽35的底壁设置有排出管。排出管能够将积存于喷嘴槽35的内部的处理液排出到处理槽40的内部。排出管铅垂地设置。处理液利用重力在排出管的内部向下流。排出管的下端配置在比处理槽40的底面43靠上方的位置。
处理槽40能够回收从杯形部20落下的处理液。处理槽40例如是上方开放的箱形状。处理槽40的内壁面41具有侧面42和底面43。底面43具有用于排出处理液的排出口44。在排出口44设置有排液管45。排液管45能够将处理液从处理槽40的内部排出到外部。在处理槽40的底面43，除了排液管45以外，还设置有排气管46。
排气管46能够将气体从处理槽40的内部排出到外部。排气管46从处理槽40的底面43向上方伸出。排气管46的上方被排气管罩47覆盖。排气管罩47能够抑制处理液的液滴进入排气管46。排气管罩47设置在构成第二基片保持部12的一对吸附垫121、122的下方。
摩擦体50能够擦拭基片W的下表面。摩擦体50是刷子或海绵。摩擦体50例如为圆柱状，摩擦体50的上表面水平地配置。摩擦体50的上表面比基片W的下表面小。
摩擦体50能够由旋转电动机51旋转。旋转电动机51设置在臂53的一端。在臂53的另一端设置有摩擦体移动部55。摩擦体移动部55能够经由臂53使摩擦体50在水平方向和铅垂方向上移动。
控制部90例如是计算机，如图1所示，包括CPU(Central Processing Unit：中央处理器)等运算部91和存储器等存储部92。在存储部92中存储有用于对在基片处理装置1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部90通过使运算部91执行存储在存储部92中的程序来控制基片处理装置1的动作。
接着，参照图7，对使用基片处理装置1的基片处理方法的一个例子进行说明。如图7所示，基片处理方法具有步骤S101～S106。步骤S101～S106在控制部90的控制下实施。
步骤S101包括将基片W从基片处理装置1的外部送入到内部的步骤。首先，未图示的输送臂将基片W输送到杯形部20的上方，在杯形部20的上方待机。此时，当从上方看时，如图1所示，基片W的中心、第一基片保持部11的中心和杯形部20的中心重叠。
接着，使多根升降销14上升，多根升降销14从未图示的输送臂抬起基片W(参照图5)。接着，当输送臂从基片处理装置1退出时，使杯形部20上升并且使多根升降销14下降，多根升降销14将基片W交接至第二基片保持部12(参照图6)。接着，第二基片保持部12吸附基片W的下表面外周部。
步骤S102包括在由第二基片保持部12吸附基片W的下表面外周部的状态下对基片W的下表面中心部进行清洗的步骤(参照图4)。下喷嘴31、32向基片W的下表面供给处理液，并且摩擦体移动部55一边将摩擦体50按压在基片W的下表面中心部一边使摩擦体50在水平方向上移动。另外，移动驱动部25使第二基片保持部12与杯形部20一起在水平方向上移动。另外，摩擦体50的移动方向是与杯形部20的移动方向交叉的方向。
步骤S103包括将基片W从第二基片保持部12更换至第一基片保持部11的步骤。首先，当从上方看时，如图1所示，使杯形部20在水平方向上移动至基片W的中心、第一基片保持部11的中心和杯形部20的中心重叠的位置。之后，移动驱动部25使杯形部20下降，由此，第二基片保持部12将基片W交接至第一基片保持部11。第二基片保持部12解除基片W的下表面外周部的吸附，并且第一基片保持部11对基片W的下表面中心部进行吸附。
步骤S104包括在由第一基片保持部11吸附基片W的下表面中心部的状态下，对基片W的下表面外周部进行清洗的步骤(参照图2)。下喷嘴31、32向基片W的下表面供给处理液，并且摩擦体移动部55一边将摩擦体50按压在基片W的下表面外周部一边使摩擦体50在水平方向上移动。另外，旋转驱动部13使基片W与第一基片保持部11一起旋转。
此外，在旋转驱动部13使基片W与第一基片保持部11一起旋转的期间，进行基片W的上表面的清洗。例如，上喷嘴33向基片W的上表面供给处理液。上喷嘴33可以是向基片W的上表面中心部供给处理液，也可以是在基片W的径向上移动而向基片W的整个径向供给处理液。另外，可以由未图示的第二摩擦体擦拭基片W的上表面。另外，可以由未图示的第三摩擦体擦拭基片W的斜面。
步骤S105包括对基片W进行干燥的步骤。例如，旋转驱动部13使第一基片保持部11高速旋转，由此，甩掉附着在基片W上的处理液。
步骤S106包括将基片W从基片处理装置1的内部送出到外部的步骤。首先，第一基片保持部11解除基片W的吸附，并且使多根升降销14上升，多根升降销14从第一基片保持部11抬起基片W。接着，输送臂从基片处理装置1的外部进入到内部，在杯形部20的上方待机。接着，使多根升降销14下降，多根升降销14将基片W交接至输送臂。之后，输送臂保持基片W并从基片处理装置1退出。
但是，由于第一基片保持部11保持基片W，有时基片W的污垢会转移到第一基片保持部11而将第一基片保持部11弄脏。之后，当第一基片保持部11保持其他的基片W时，会将其他的基片W弄脏。因此，以往，为了除去第一基片保持部11的污垢，操作者定期地进行：用抹布等纤维擦拭物擦去第一基片保持部11的污垢；或者准备多个清洁的基片W，使多个基片W依次与第一基片保持部11接触。
依照本实施方式，详细情况将在后面说明，利用基片处理装置1包括第一基片保持部11和第二基片保持部12两者，改变基片W的与第一基片保持部11的接触位置来反复进行第一基片保持部11与基片W的接触。接触位置的改变在第二基片保持部12保持基片W的状态下进行。另外，接触位置的改变通过使第一基片保持部11旋转或者使第一基片保持部11与第二基片保持部12相对地移动来进行。能够在没有被弄脏的新的接触位置，将污垢从第一基片保持部11转移至基片W。因此，能够减少基片W的使用块数，能够提高第一基片保持部11的污垢的除去效率。另外，通过减少基片W的使用块数，能够减少基片W的输送次数，也能够缩短维护所花费的时间。
另外，如后所述，本发明的内容也能够应用于第二基片保持部12的清洗。具体而言，改变基片W的与第二基片保持部12的接触位置来反复进行第二基片保持部12与基片W的接触。接触位置的改变在第一基片保持部11保持基片W的状态下进行。另外，接触位置的改变通过使第一基片保持部11旋转或者使第一基片保持部11与第二基片保持部12相对地移动来进行。能够在没有被污染的新的接触位置，将污垢从第二基片保持部12转移至基片W。因此，能够减少基片W的使用块数，能够提高第二基片保持部12的污垢的除去效率。另外，通过减少基片W的使用块数，能够减少基片W的输送次数，也能够缩短维护所花费的时间。
另外，如后所述，本发明的内容也能够应用于升降销14的清洗。具体而言，改变基片W的与升降销14的接触位置来反复进行升降销14与基片W的接触。接触位置的改变在第一基片保持部11或第二基片保持部12保持基片W的状态下进行。另外，接触位置的改变通过使第一基片保持部11旋转或者使第一基片保持部11与第二基片保持部12相对地移动来进行。能够在没有被污染的新的接触位置，将污垢从升降销14转移至基片W。因此，能够减少基片W的使用块数，能够提高升降销14的污垢的除去效率。另外，通过减少基片W的使用块数，能够减少基片W的输送次数，也能够缩短维护所花费的时间。
接着，参照图8～图12，对第一基片保持部11的清洗的一个例子进行说明。如图12所示，基片处理方法具有步骤S201～S210。步骤S201～S210在控制部90的控制下定期地实施。在步骤S201～S210中使用的基片W1，如图9所示，例如具有支承基片W1a和除去层W1b。
支承基片W1a支承除去层W1b。支承基片W1a是半导体基片或玻璃基片。除去层W1b能够与第一基片保持部11接触来除去污垢。除去层W1b例如是抹布等纤维擦拭物，通过粘接剂等被粘贴在支承基片W1a上。纤维擦拭物能够擦去第一基片保持部11的污垢。
另外，除去层W1b并不限于纤维擦拭物。除去层W1b也可以为刷子、海绵、粘接膜或树脂膜。刷子或海绵能够与纤维擦拭物同样地擦去污垢。另一方面，粘接膜或树脂膜能够利用粘接力或静电力吸附污垢，使污垢从第一基片保持部11剥离。
粘接膜或树脂膜能够在与第一基片保持部11隔开间隔的状态下相对于第一基片保持部11相对地移动。纤维擦拭物、刷子或海绵与粘接膜或树脂膜不同，不仅在与第一基片保持部11隔开间隔的状态下能够相对于第一基片保持部11相对地移动，而且在按压在第一基片保持部11上的状态下也能够相对于第一基片保持部11相对地移动。
纤维擦拭物、刷子或海绵可以在由纯水或有机溶剂等液体润湿的状态下使用。液体如图9所示的那样通过下喷嘴31、32等供给。可以是下喷嘴31、32仅对除去层W1b的一部分供给液体。可以是在除去层W1b的一部分进行湿擦，在除去层W1b的剩余部分进行干擦。
此外，在步骤S201～S210中使用的基片W1可以是裸晶片。裸晶片例如仅由硅、化合物半导体或玻璃构成。裸晶片能够利用静电力吸附污垢，使污垢从第一基片保持部11剥离。
步骤S201包括将基片W1从基片处理装置1的外部送入到内部。首先，未图示的输送臂将基片W1输送到杯形部20的上方，在杯形部20的上方待机。此时，当从上方看时，如图1所示，基片W1的中心、第一基片保持部11的中心和杯形部20的中心重叠。
接着，使多根升降销14上升，多根升降销14从未图示的输送臂抬起基片W1。接着，当输送臂从基片处理装置1退出时，使杯形部20上升并且使多根升降销14下降，多根升降销14将基片W1交接至第二基片保持部12。
在步骤S202中，第二基片保持部12保持基片W1。如图8所示，第二基片保持部12吸附基片W1的下表面外周部。在基片W1的下表面外周部的一部分没有设置除去层W1b，第二基片保持部12避开除去层W1b而吸附支承基片W1a。由此，第二基片保持部12能够强力地吸附基片W1。
步骤S203包括：移动驱动部25使基片W1与第二基片保持部12一起在Y轴方向上移动，从而使基片W1的与第一基片保持部11的接触位置在俯视时在通过基片W1的中心的第一直线L1上移动的步骤(参照图10)。移动方向可以是Y轴正方向和Y轴负方向中的任一者，也可以是两者。能够在没有被污染的新的接触位置，将污垢从第一基片保持部11转移至基片W1。
在除去层W1b为纤维擦拭物、刷子或海绵的情况下，移动驱动部25通过将第二基片保持部12的高度维持为一定，将基片W1按压在第一基片保持部11上，并且使第二基片保持部12在Y轴方向上移动。能够通过摩擦来除去污垢。此时，优选旋转驱动部13使第一基片保持部11旋转。能够通过旋转和移动这两者的摩擦来除去污垢。
在除去层W1b为粘接膜或树脂膜的情况下，或者在没有除去层W1b且基片W1为裸晶片的情况下，移动驱动部25依次反复进行将基片W1按压在第一基片保持部11上的步骤、使基片W1与第一基片保持部11隔开间隔的步骤、使第二基片保持部12在Y轴方向上移动的步骤。
另外，在除去层W1b为粘接膜或树脂膜的情况下，或者在没有除去层W1b且基片W1为裸晶片的情况下，也可以依次反复进行第一吸附力施加部71施加吸附力的步骤、第一吸附力施加部71使吸附力消失的步骤、和移动驱动部25使第二基片保持部12在Y轴方向上移动的步骤。
第一吸附力施加部71施加吸附力的步骤，与移动驱动部25将基片W1按压在第一基片保持部11上的步骤组合地进行。通过施加吸附力，能够更强力地按压，容易除去污垢。另外，第一吸附力施加部71使吸附力消失的步骤，与移动驱动部25使基片W1与第一基片保持部11隔开间隔的步骤组合地进行。
步骤S204包括将基片W1从第二基片保持部12更换至第一基片保持部11的步骤。首先，当从上方看时，如图1所示，使杯形部20在水平方向上移动至基片W1的中心、第一基片保持部11的中心和杯形部20的中心重叠的位置。之后，移动驱动部25使杯形部20下降，由此，第二基片保持部12将基片W1交接至第一基片保持部11。第二基片保持部12解除基片W1的下表面外周部的吸附，并且第一基片保持部11对基片W1的下表面中心部进行吸附。
步骤S205包括旋转驱动部13使基片W1与第一基片保持部11一起旋转的步骤。如图11所示，旋转驱动部13使基片W1旋转以使得在俯视时第一直线L1相对于基片W1的移动方向(Y轴方向)倾斜。另外，虽然未图示，但也可以是旋转驱动部13使基片W1旋转以使得第一直线L1相对于基片W1的移动方向(Y轴方向)垂直。
步骤S206包括将基片W1从第一基片保持部11更换至第二基片保持部12的步骤。例如，移动驱动部25使杯形部20上升，由此，第二基片保持部12从第一基片保持部11接收基片W1。第一基片保持部11解除基片W1的下表面中心部的吸附，并且第二基片保持部12对基片W1的下表面外周部进行吸附。
步骤S207与步骤S203同样地包括：移动驱动部25使基片W1与第二基片保持部12一起在Y轴方向上移动，从而使基片W1的与第一基片保持部11的接触位置在俯视时在通过基片W1的中心的第二直线L2上移动的步骤(参照图11)。第二直线L2是与第一直线L1不同的直线，在基片W1的中心与第一直线L1相交。能够在没有被污染的新的接触位置，将污垢从第一基片保持部11转移至基片W1。
步骤S208包括清洗部对基片W1进行清洗的步骤。清洗部例如包括下喷嘴31、32等喷嘴。喷嘴通过向基片W1供给处理液(包括处理液与气体的混合流体)，洗去基片W1的污垢。作为处理液，可以使用纯水，但也可以依次使用碱性或酸性的药液和纯水。通过在送出基片W1之前将污垢洗去，能够抑制污垢的带出。清洗部也可以包括摩擦体50，可以用摩擦体50将基片W1的污垢擦去。
步骤S209包括干燥部使基片W1干燥的步骤。干燥部例如包括气体释放环15等的喷嘴。喷嘴通过向基片W1供给气体来使基片W1干燥。通过在送出基片W1之前去掉液滴，能够抑制液滴的带出。此外，通过向基片W1供给气体，也能够去掉基片W1的污垢，步骤S208和步骤S209可以同时进行。
步骤S210包括将基片W1从基片处理装置1的内部送出到外部的步骤。首先，当从上方看时，如图1所示，使杯形部20在水平方向上移动至基片W1的中心、第一基片保持部11的中心和杯形部20的中心重叠的位置。之后，第二基片保持部12解除基片W1的吸附，并且使多根升降销14上升，多根升降销14从第二基片保持部12抬起基片W1。接着，输送臂从基片处理装置1的外部进入到内部，在杯形部20的上方待机。接着，使多根升降销14下降，多根升降销14将基片W1交接至输送臂。之后，输送臂保持基片W1并从基片处理装置1退出。
接着，参照图13对升降销14的清洗的一个例子进行说明。升降销14的清洗与第一基片保持部11的清洗同样地进行。例如，移动驱动部25通过使基片W1与第二基片保持部12一起在Y轴方向上移动，来改变在俯视时基片W1与升降销14的接触位置。接触位置的移动方向可以是Y轴正方向和Y轴负方向中的任一者，也可以是两者。能够在没有被污染的新的接触位置，将污垢从升降销14转移至基片W1。
在除去层W1b为纤维擦拭物、刷子或海绵的情况下，移动驱动部25通过将第二基片保持部12的高度维持为一定，将基片W1按压在升降销14上，并且使第二基片保持部12在Y轴方向上移动。能够通过摩擦来除去污垢。
在除去层W1b为粘接膜或树脂膜的情况下，或者在没有除去层W1b且基片W1为裸晶片的情况下，移动驱动部25依次反复进行将基片W1按压在升降销14上的步骤、使基片W1与升降销14隔开间隔的步骤、使第二基片保持部12在Y轴方向上移动的步骤。
升降销14的清洗可以与第一基片保持部11的清洗同样地包括步骤S204～步骤S206(旋转驱动部13使基片W1与第一基片保持部11一起旋转的步骤等)，也可以包括之后移动驱动部25再次使基片W1与第二基片保持部12一起在Y轴方向上移动的步骤。能够在没有被污染的新的接触位置，将污垢从升降销14转移至基片W1。
接着，参照图14对第二基片保持部12的清洗的一个例子进行说明。在第一基片保持部11的清洗中，第二基片保持部12保持基片W1，而在第二基片保持部12的清洗中，第一基片保持部11保持基片W1。因此，在基片W1的下表面中央部没有设置除去层W1b，第一基片保持部11避开除去层W1b而吸附支承基片W1a。由此，第一基片保持部11能够强力地吸附基片W1。除去层W1b例如设置在基片W1的下表面外周部。
旋转驱动部13通过使基片W1与第一基片保持部11一起旋转，来改变在俯视时基片W1与第二基片保持部12的接触位置。接触位置的移动方向可以是顺时针方向和逆时针方向中的任一者，也可以是两者。能够在没有被污染的新的接触位置，将污垢从第二基片保持部12转移至基片W1。
在除去层W1b为纤维擦拭物、刷子或海绵的情况下，移动驱动部25通过将第二基片保持部12的高度维持为一定，将第二基片保持部12按压在基片W1上，并且旋转驱动部13使基片W1与第一基片保持部11一起旋转。能够通过摩擦除去污垢。
在除去层W1b为粘接膜或树脂膜的情况下，或者在没有除去层W1b且基片W1为裸晶片的情况下，依次反复进行移动驱动部25将第二基片保持部12按压在基片W1上的步骤、使第二基片保持部12与基片W1隔开间隔的步骤、旋转驱动部13使基片W1与第一基片保持部11一起旋转的步骤。
另外，在除去层W1b为粘接膜或树脂膜的情况下，或者在没有除去层W1b且基片W1为裸晶片的情况下，也可以依次反复进行第二吸附力施加部72施加吸附力的步骤、第二吸附力施加部72使吸附力消失的步骤、和旋转驱动部13使基片W1与第一基片保持部11一起旋转的步骤。
第二吸附力施加部72施加吸附力的步骤，与移动驱动部25将基片W1按压在第二基片保持部12上的步骤组合地进行。通过施加吸附力，能够更强力地按压，容易除去污垢。另外，第二吸附力施加部72使吸附力消失的步骤，与移动驱动部25使基片W1与第二基片保持部12隔开间隔的步骤组合地进行。
接着，参照图15～图17，对第一基片保持部11和第二基片保持部12的第一变形例进行说明。第一基片保持部11与上述实施方式同样地能够吸附基片W的下表面中心部(参照图17)。第一基片保持部11例如由旋转卡盘构成。旋转驱动部13能够使第一基片保持部11以铅垂的旋转中心线为中心进行旋转。旋转驱动部13能够使基片W与第一基片保持部11一起旋转。移动驱动部25能够使第一基片保持部11在与第一基片保持部11的旋转中心线正交的水平方向(Y轴方向)上移动。移动驱动部25具有能够在Y轴方向上移动的Y轴滑动件25a，旋转驱动部13和第一基片保持部11搭载在Y轴滑动件25a上。
另一方面，第二基片保持部12与上述实施方式不同，能够在多个部位机械地保持基片W的外周(参照图15)。第二基片保持部12配置在比第一基片保持部11靠上方的位置。第二基片保持部12具有能够以夹持的方式保持基片W的一对可动爪123、124。一对可动爪123、124在X轴方向上隔开间隔地设置，能够彼此靠近或隔开间隔。
多根升降销14能够在第一基片保持部11的周围升降，从而在第一基片保持部11或第二基片保持部12与未图示的输送臂之间交接基片W。多个升降销14搭载在Y轴滑动件25a上，能够与第一基片保持部11一起在Y轴方向上移动。另外，多根升降销14也可以不是搭载在Y轴滑动件25a上，而是在Y轴方向上隔开间隔地设置多个。
基片W从外部的输送臂被交接至升降销14，然后，从升降销14被交接至第二基片保持部12。在第二基片保持部12保持基片W的外周的状态下，未图示的摩擦体对基片W的下表面中央部进行清洗。之后，基片W从第二基片保持部12被交接至升降销14，然后，从升降销14被交接至第一基片保持部11。在第一基片保持部11保持基片W的下表面中央部的状态下，未图示的摩擦体对基片W的下表面外周部进行清洗。此时，能够使基片W与第一基片保持部11一起旋转。
在本变形例中，也能够与上述实施方式同样地进行第一基片保持部11的清洗、第二基片保持部12的清洗、或者升降销14的清洗。在这些清洗中，进行使基片W1与第一基片保持部11一起旋转的步骤、或者使第一基片保持部11和第二基片保持部12相对地移动的步骤。也可以使第一基片保持部11或第二基片保持部12在Z轴方向上移动。
接着，参照图18～图20，对第一基片保持部11和第二基片保持部12的第二变形例进行说明。第一基片保持部11与上述实施方式同样地能够吸附基片W的下表面中心部(参照图20)。第一基片保持部11例如由旋转卡盘构成。旋转驱动部13能够使第一基片保持部11以铅垂的旋转中心线为中心进行旋转。旋转驱动部13能够使基片W与第一基片保持部11一起旋转。
另一方面，第二基片保持部12与上述实施方式不同，能够在多个部位机械地保持基片W的外周(参照图18)。第二基片保持部12例如具有多个(例如4个)旋转块125。旋转块125由水平的圆盘构成。在该圆盘的外周面，在整个周向上形成有楔形的槽。楔形的槽能够以在上下方向上夹持的方式保持基片W的外周。旋转块125在一对臂126各自上例如各设置2个。
一对臂126夹着基片W配置，能够彼此靠近或隔开间隔。通过使一对臂126彼此靠近，多个旋转块125利用各自的槽以在上下方向上夹持的方式保持基片W的外周。在该状态下，通过使多个旋转块125分别自转，能够使基片W旋转。之后，当停止基片W的旋转，使一对臂126彼此隔开间隔时，多个旋转块125对基片W的机械保持被解除。
多根升降销14插通于在上下方向上贯穿第一基片保持部11的贯通孔中，在比第一基片保持部11靠上方的位置接收基片W。多根升降销14通过进行升降而在第一基片保持部11与未图示的输送臂之间交接基片W。
基片W从外部的输送臂被交接至升降销14，然后，从升降销14经由第一基片保持部11被交接至第二基片保持部12。在第二基片保持部12保持基片W的外周的状态下，摩擦体50对基片W的下表面中央部进行清洗。此时，使多个旋转块125分别自转，使基片W旋转。之后，基片W从第二基片保持部12被交接至第一基片保持部11。在第一基片保持部11保持基片W的下表面中央部的状态下，摩擦体50对基片W的下表面外周部进行清洗。此时，能够使基片W与第一基片保持部11一起旋转。
在本变形例中，也能够与上述实施方式同样地进行第一基片保持部11的清洗、第二基片保持部12的清洗、或者升降销14的清洗。在这些清洗中，进行使基片W1与第一基片保持部11一起旋转的步骤、或者使第一基片保持部11和第二基片保持部12相对地移动的步骤。也可以使第一基片保持部11或第二基片保持部12在Z轴方向上移动。
上面，对本发明的基片处理装置和基片处理方法的实施方式进行了说明，但是本发明并不限于上述实施方式等。可以在权利要求书记载的范围内，进行各种改变、修正、替换、增加、删除和组合。这些当然也属于本发明的技术范围。

Claims (17)

1.一种基片处理装置，其为利用处理液对基片进行处理的基片处理装置，其特征在于，包括：
处理容器；
第一基片保持部，其用于在所述处理容器的内部水平地保持基片；
旋转驱动部，其用于使所述第一基片保持部以铅垂的旋转中心线为中心进行旋转；
第二基片保持部，其用于在所述处理容器的内部水平地保持所述基片；
移动驱动部，其用于使所述第一基片保持部与所述第二基片保持部相对地移动；和
控制部，其用于控制所述旋转驱动部和所述移动驱动部，
所述控制部能够进行改变所述基片的与所述第一基片保持部的接触位置来反复进行所述第一基片保持部与所述基片的接触的控制。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部能够进行使所述基片的与所述第一基片保持部的接触位置在俯视时在通过所述基片的中心的第一直线上移动的控制。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部能够进行使所述基片的与所述第一基片保持部的接触位置在俯视时在通过所述基片的中心的与所述第一直线不同的第二直线上移动的控制。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括第一吸附力施加部，其用于对所述第一基片保持部施加吸附所述基片的吸附力，
所述控制部能够反复进行施加所述吸附力的控制、使所述吸附力消失的控制、和改变所述基片的与所述第一基片保持部的接触位置的控制。
5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述移动驱动部能够使所述第二基片保持部在与所述第一基片保持部的旋转中心线正交的水平方向和铅垂方向上移动。
6.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述移动驱动部能够使所述第一基片保持部在与所述第一基片保持部的旋转中心线正交的水平方向上移动。
7.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第二基片保持部与所述基片的下表面接触。
8.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第二基片保持部与所述基片的外周接触。
9.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述基片具有用于与所述第一基片保持部接触来除去污垢的除去层，
所述除去层为纤维擦拭物、刷子、海绵、粘接膜或树脂膜。
10.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括清洗部，其用于在俯视时使所述基片的与所述第一基片保持部的接触位置移动之后，对所述基片进行清洗。
11.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部能够进行改变所述基片的与所述第二基片保持部的接触位置来反复进行所述第二基片保持部与所述基片的接触的控制。
12.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括用于使所述基片相对于所述第一基片保持部或所述第二基片保持部上升或下降的多根升降销，
所述控制部能够进行改变所述基片的与所述升降销的接触位置来反复进行所述升降销与所述基片的接触的控制。
13.一种基片处理方法，其具有使用基片处理装置利用处理液对基片进行处理的步骤，所述基片处理方法的特征在于：
所述基片处理装置包括：处理容器；第一基片保持部，其用于在所述处理容器的内部水平地保持基片；旋转驱动部，其用于使所述第一基片保持部以铅垂的旋转中心线为中心进行旋转；第二基片保持部，其用于在所述处理容器的内部水平地保持所述基片；和移动驱动部，其用于使所述第一基片保持部与所述第二基片保持部相对地移动，
所述基片处理方法具有改变所述基片的与所述第一基片保持部的接触位置来反复进行所述第一基片保持部与所述基片的接触的步骤。
14.如权利要求13所述的基片处理方法，其特征在于：
具有使所述基片的与所述第一基片保持部的接触位置在俯视时在通过所述基片的中心的第一直线上移动的步骤。
15.如权利要求14所述的基片处理方法，其特征在于：
具有使所述基片的与所述第一基片保持部的接触位置在俯视时在通过所述基片的中心的与所述第一直线不同的第二直线上移动的步骤。
16.如权利要求13～15中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
反复进行将所述基片吸附于所述第一基片保持部的步骤、解除所述吸附的步骤、和改变所述基片的与所述第一基片保持部的接触位置的步骤。
17.一种基片，其用于基片保持部的清洗，所述基片保持部用于保持利用处理液进行处理的基片，所述基片的特征在于：
具有用于与所述基片保持部接触来除去污垢的除去层，
所述除去层为纤维擦拭物、刷子、海绵、粘接膜或树脂膜。
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