CN117716452A - 基板内置用的芯片型电阻器、电阻器内置模块及其制造方法、修剪方法 - Google Patents

Abstract

一种作为基板内置用的芯片型电阻器的金属板电阻器呈板状，并具备：电阻体；第一电极，其通过第一覆层接合部而与电阻体的一端接合；第二电极，其通过第二覆层接合部而与电阻体的另一端接合。

Description

基板内置用的芯片型电阻器、电阻器内置模块及其制造方法、 修剪方法

技术领域

本发明涉及基板内置用的芯片型电阻器、电阻器内置模块、电阻器内置模块的制造方法、以及修剪方法。

背景技术

在日本专利特开JP2016-86129A中，公开了电流检测用的电阻器。该电阻器具备电阻体和与电阻体的端面接合的电极。

该电阻器由电极的端面与电阻体的端面对接而成的对接结构构成。电阻体和电极通过使用了激光束等的熔接而被接合。

发明内容

在这种电阻器中，在电阻体与电极的接合部分形成有作为熔融痕迹的焊珠，包括焊珠的区域处于电阻体和电极熔融并与原材料不同的状态。通过该焊珠，而在电阻器的电阻器表面产生了因熔融而引起的金属的***或者弯曲。当在电阻体的两端的接合部分上存在伴随着这种金属的***或者弯曲(将它们总称为凹凸)而产生的焊珠时，两电极面的高度不同，或者倾斜不同。

在将这种电阻器内置于构成模块的层叠基板来使用的情况下，从电阻器的电极起至存在于电极的正上方或者正下方(正上方以及正下方或者其中一方)的配线为止的距离因场所的不同而不同。

因此，在形成将上述配线和电极连接的多个管的情况下，能够因形成管的场所而使管和电极的连接状态变得不均等。

本发明的目的在于，当内置于模块来使用时，能够使被形成于模块的管与电极的连接状态稳定化。

本发明的某一方式的基板内置用的芯片型电阻器呈板状，并具备：电阻体；第一电极，其通过第一覆层接合部而与所述电阻体的一端接合；第二电极，其通过第二覆层接合部而与所述电阻体的另一端接合。

本方式的基板内置用的芯片型电阻器为电阻体和第一电极由第一覆层接合部接合、并且电阻体和第二电极由第二覆层接合部接合而成的覆层件。

因此，与在通过由激光等实施的熔接而接合电阻体和电极的结构上、在电阻体与电极之间形成有焊珠的情况相比较，能够抑制在芯片型电阻器的表面上可以产生的凹凸的高低差。

此外，当将该基板内置用的芯片型电阻器内置于模块来使用时，能够抑制可以因场所的不同而产生的从各电极起至存在于各电极的正上方或者正下方(正上方以及正下方或者其中一方)的配线为止的距离之差。

因此，当内置于模块来使用时，与从模块的配线起至各电极为止的距离按照每个场所而不同的情况相比较，能够使被形成于模块的管与各电极的连接状态稳定化。

附图说明

图1为表示第一实施方式所涉及的电流检测装置的使用状态的剖视图。

图2为表示第一实施方式所涉及的金属板电阻器的侧视图。

图3为表示从斜方向观察到第一实施方式所涉及的金属板电阻器的状态的透明图。

图4为表示第一实施方式所涉及的金属板电阻器的制造方法的一示例的说明图。

图5为表示第一实施方式所涉及的电流检测装置的制造方法的一示例的说明图。

图6为后继于图5的制造方法的一示例的说明图。

图7为表示在比较试验中所使用的覆层接合类型的电阻器的说明图。

图8为表示在比较试验中所使用的覆层接合类型的电阻器的平坦度的图。

图9为表示在比较试验中所使用的熔接接合类型的电阻器的说明图。

图10为表示在比较试验中所使用的熔接接合类型的电阻器的平坦度的图。

图11为表示第二实施方式所涉及的金属板电阻器的侧视图。

图12为表示从斜方向观察到第二实施方式所涉及的金属板电阻器的状态的透明图。

图13为在用于确认第一实施方式所涉及的金属板电阻器的效果的模拟中所使用的第一基底模型的说明图。

图14为表示第一基底模型的电阻值以及TCR的说明图。

图15为表示在第一实施方式所涉及的金属板电阻器的效果的确认中所实施的模拟的情形的说明图。

图16为表示在第一条件下所实施的模拟结果的图。

图17为用图表表示在第一条件下所实施的模拟结果的说明图。

图18为表示在第二条件下所实施的模拟结果的图。

图19为用图表表示在第二条件下所实施的模拟结果的说明图。

图20为在用于确认第二实施方式所涉及的金属板电阻器的效果的模拟中所使用的第二基底模型的说明图。

图21为表示第二基底模型的电阻值以及TCR的说明图。

图22为表示在第二实施方式所涉及的金属板电阻器的效果的确认中所实施的模拟的情形的说明图。

图23为表示在第三条件下所实施的模拟结果的图。

图24为用图表表示在第三条件下所实施的模拟结果的说明图。

图25为表示在第四条件下所实施的模拟结果的图。

图26为用图表表示在第四条件下所实施的模拟结果的说明图。

具体实施方式

＜第一实施方式＞

图1为表示第一实施方式所涉及的电流检测装置的使用状态的剖视图。

(电流检测装置)

该电流检测装置10构成电阻器内置模块。电流检测装置10为对流动至自身的电流的大小进行检测的装置。作为电流流动的路径，可列举出电路上的配线、从电源延伸出的线束、或者向马达等驱动源供给电力的供给路径。

电流检测装置10被构成于基板12。作为基板12，作为一示例，例举出形成有电气回路的层叠基板，电流检测装置10对在被形成于层叠基板的打印配线中流动的电流进行检测。

电流检测装置10具备基板12、和在被埋入至基板12中的状态下被配置于基板12内的金属板电阻器14。金属板电阻器14被配置于基板12的上下的层之间。金属板电阻器14构成被内置于模块的基板内置用的芯片型电阻器。

在基板12内，形成有沿着基板12的面延伸的配线部16和在基板12的厚度方向上延伸的管部18。

基板12具备多个绝缘层20，绝缘层20作为一示例由树脂或者陶瓷形成。配线部16由具有导电性的金属形成，作为一示例，配线部16的铜或者银等通过网版印刷或者压接等而被形成。管部18由具有导电性的金属形成，作为一示例，通过电镀法等向贯穿孔填充铜或者银等导电性金属从而被形成为圆柱状。

当具体说明时，在基板12的下表面侧的部位形成有沿着基板12的面延伸的下层配线22。在下层配线22的上部隔着绝缘层22而形成有电流输入配线24和电流输出配线26。

电流输入配线24的顶端和电流输出配线26的顶端被配置成分离。电流输入配线24的顶端部到达在金属板电阻器14的一端侧所形成的第一电极30的下部。电流输出配线26的顶端部到达在金属板电阻器14的另一端侧所形成的第二电极32的下部。

在电流输入配线24的顶端部与金属板电阻器14的第一电极30之间形成有多个电流输入管34，电流输入配线24和第一电极30通过多个电流输入管34而被电连接。在电流输出配线26的顶端部与金属板电阻器14的第二电极32之间形成有电流输出管36，电流输出配线26和第二电极32通过多个电流输出管36而被电连接。

在基板12的表面12A上，形成有通过焊锡而与电子零件等接合的台肩(40、42)。该台肩(40、42)与被配置于金属板电阻器14的第一电极30的上部的第一检测管44和被配置于第二电极32的上部的第二检测管46连接。

在基板12的表面12A上作为一示例而安装有运算放大器等元件50。

(金属板电阻器)

图2为表示构成第一实施方式所涉及的基板内置用的芯片型电阻器的金属板电阻器14的侧视图。图3为表示从斜方向观察到第一实施方式所涉及的金属板电阻器的状态的透明图。

如图2以及图3所示，前述的基板12内的金属板电阻器14的电阻器本体60具备电阻体62、和与电阻体62的端面接合并与电阻体62排列地被配置的电极(30、32)。

电阻体62和第一电极30通过由热压接实施的压接加工而被固定。电阻体62与第一电极30的接合部分构成第一覆层接合部400。第一覆层接合部400为构成电阻体62的材料的原子和构成第一电极30的材料的原子彼此扩散并被扩散接合而成的接合部。

借此，构成电阻体62的材料和构成第一电极30的材料被牢固地固定，能够获得良好的电气特性。另外，由于在接合中未使用由激光等实施的熔接，因此，产生由熔融痕迹构成的焊珠，接合部分的外表面被抑制了凹凸而成为平滑的面。

电阻体62和第二电极32通过由热压接实施的压接加工而被固定。电阻体62与第二电极32的接合部分构成第二覆层接合部402。第二覆层接合部402为构成电阻体62的材料的原子和构成第二电极32的材料的原子彼此扩散并被扩散接合而成的接合部。

借此，构成电阻体62的材料和构成第二电极32的材料被牢固地固定，能够获得良好的电气特性。另外，由于在接合中未使用由热实施的熔接，因此，接合部分的凹凸被抑制，外表面成为平滑的面。

以包含电阻体62和电极(30、32)的方式而被构成的电阻器本体60的电阻体62与电极(30、32)的接合面相对于电阻体62以及电极(30、32)的排列方向NH未垂直，而是倾斜的。当具体说明时，电阻体62与电极(30、32)的接合面(70、72)随着朝向金属板电阻器14的厚度方向而朝向排列方向NH倾斜，在接合面(70、72)中各自的厚度均匀地变化。

另外，虽然在本实施方式中，对电阻体62与各电极30、32的各接合面70、72随着朝向金属板电阻器14的厚度方向而朝向排列方向NH倾斜的情况进行说明，但是，本实施方式未被限定于该形状。例如，电阻体62与各电极30、32的各接合面70、72也可以相对于电阻体62以及各电极30、32的排列方向NV在垂直方向上延伸。

电极(30、32)包括与电阻体62的一端接合的第一电极30和与电阻体62的另一端接合的第二电极32。各电极30、32被形成为长方形的板状。另外，电阻体62也被形成为长方形的板状。

第一电极30的长边方向的另一端与电阻体62的长边方向的一端接合。电阻体62的长边方向的另一端与第二电极32的长边方向的一端接合。借此，电阻器本体60被形成为在排列方向NH上较长的长方形的板状。

第一电极30和电阻体62被接合后的第一接合面70相对于电阻体62以及各电极30、32的排列方向NH倾斜。金属板电阻器14的一面14A和第一接合面70所成的角度α优选为，超过50度，且为70度以下。另外，进一步优选为，金属板电阻器14的一面14A和第一接合面70所成的角度α为60度。

第二电极32和电阻体62被接合后的第二接合面72相对于电阻体62以及各电极30、32的排列方向NH倾斜。金属板电阻器14的一面14A和第二接合面72所成的角度β优选为，超过50度，且为70度以下。另外，进一步优选为，金属板电阻器14的一面14A和第二接合面72所成的角度β为60度。

另外，优选为，金属板电阻器14的一面14A以及第一接合面70所成的角度α、和金属板电阻器14的一面14A和第二接合面72所成的角度β为大致相等且相近的值。

[基板内置用的芯片型电阻器的制造方法]

图4为表示第一实施方式所涉及的基板内置用的芯片型电阻器、即金属板电阻器14的制造方法的一示例的说明图。

该制造方法具备准备材料的准备工序(a)、接合材料的接合工序(b)、和加工形状的加工工序(c)。另外，本实施方式的制造方法具备：单片化工序(d)，其将被加工后的中间材料切断成各个金属板电阻器14并进行单片化；修剪工序(e)，其使用激光来对金属板电阻器14的电阻值进行调节。

在准备材料的准备工序(a)中，准备成为电阻体62的母材的电阻体母材500、作为第一电极30的母材的电极体母材502、和作为第二电极32的母材的电极体母材504。

此处，作为一示例，电阻体62的电阻体母材500使用截面形状为梯形的材料。第一电极30的电极体母材502使用以下材料，即，具有与电阻体母材500接合的侧面沿着电阻体母材500的倾斜面而倾斜的面的材料。另外，第二电极32的电极体母材504使用以下材料，即，具有与电阻体母材500接合的侧面沿着电阻体母材500的倾斜面而倾斜的面的材料。另外，在图4中，简化地表示各母材500、502、504的形状。

从金属板电阻器14的尺寸、电阻值以及加工性的观点出发，优选为，作为电阻体母材500而使用Cu－Mn类合金，作为各电极体母材502、504的材料而使用无氧化铜(C1020)。

在接合材料的接合工序(b)中，在各电极体母材502、504间配置电阻体母材500，在各母材502、500、504的排列方向上施加压力并接合从而形成电阻器母材506。

即，在接合工序(b)中，实施所谓异种金属材料间的覆层接合(固相接合)。被覆层接合后的各电极体母材502、504与电阻体母材500的接合面成为双方的金属原子彼此扩散后所形成的扩散接合面。

借此，不通过激光束等进行熔接，就能够将电阻体母材500与各电极体母材502、504的接合面彼此牢固地接合。另外，在电阻体母材500和各电极体母材502、504的接合面上，能够获得良好的电气特性。

在加工工序(c)中，使通过覆层接合而获得的电阻器母材506***并穿过模具510的插通孔512。

模具510的插通孔512被形成为随着从入口朝向出口而成为小径的锥状。插通孔512被形成为角部分被加工成倒角形状的矩形。

通过使电阻器母材506穿过这种形状的模具510，从而能够使电阻器母材506从全方向进行压缩变形。借此，电阻器母材506的截面形状成为模仿模具510的插通孔512的截面形状的形状。

在该加工工序(c)中，当使电阻器母材506穿过模具510时，利用抓取件而拉出电阻器母材506，从而应用拉出工法。在加工工序(c)中，也可以实施准备使插通孔512的尺寸不同的多个模具510、并使电阻器母材506分阶段地穿过上述多个模具510的拉出加工。

在单片化工序(d)中，以成为被设计的宽度尺寸的方式从电阻器母材506上切出金属板电阻器14。

通过经过以上的工序，从而能够由电阻器母材506获得单片的金属板电阻器14。

然后，在修剪工序(e)中，通过激光照射而实施电阻体62的修剪，从而将金属板电阻器14的电阻值设定为期望的电阻值。

当具体说明时，通过激光光线522对在与金属板电阻器14的一面即另一面14B交叉的方向上延伸的另一面、即一侧面520中的电阻体62的部位进行熔融并加工。

借此，在与金属板电阻器14的一面即另一面14B交叉的方向上延伸的另一面、即一侧面520中的电阻体62的部位，形成有后退的修剪痕迹524

另外，虽然在本实施方式中，对通过激光光线52加工电阻体62的一侧面520的情况进行说明，但是，本实施方式并未被限定于此。

例如，也可以对电阻体62进行冲裁加工而在一侧面520上形成修剪痕迹524，或者，通过磨床等对电阻体62的一侧面520进行切削加工而形成修剪痕迹524。在需要修剪的情况下，实施修剪工序。

另外，在前述的单片化工序(d)中，在通过冲压切断而形成金属板电阻器14的情况下，能够在所形成的金属板电阻器14的一方的面上形成突出的毛边。在该情况下，也可以将未形成有毛边的另一方的面设为与多个电流输入管34或者多个电流输出管36连接的面。

在作为该基板内置用的芯片型电阻器的金属板电阻器14的制造方法中，在接合工序(b)中，通过覆层接合而接合各母材502、500、504，从而形成金属板电阻器14的电阻体母材500。

借此，如图2以及图3所示，能够确保从被设置于第一电极30的第一连接区域410至被设置于第二电极32的第二连接区域412为止的区域414的平坦性。

金属板电阻器14的电阻器本体60被构成为，包括电阻体62、第一电极30和第二电极32。另外，电阻器本体60的排列方向NH上的电阻体62的长度(80、82)在位于沿着各接合面70、72的倾斜的的一方侧的一面14A和位于另一方侧的另一面14B不同。

在电阻器本体60中，如图1以及图2所示，在主视观察时电阻体62形成梯形(“八”字型)，电阻体62的面积均匀地变化。电阻体62与各电极30、32的接合面70、72从电阻器本体60的中心线相对地倾斜。借此，在主视观察时，电阻体62呈锥形状。

当具体说明时，如图1以及图2所示，排列方向NH上的电阻体62的长度在被配置于基板12的状态下(参照图1)成为接着所示的关系。被配置于距基板12的表面12A较近的方向上的一面14A的一面侧长度80与被配置于距基板12的表面12B较近的方向上的另一面14B的另一面侧长度82相比较短。

[电阻器内置模块的制造方法]

接着，对作为电阻器内置模块的电流检测装置10的制造方法进行说明。另外，虽然考虑了多个将金属板电阻器14内置于作为电阻器内置模块的电流检测装置10的方法，但是，在本实施方式中，对其一示例进行说明。

图5为表示第一实施方式所涉及的电流检测装置的制造方法的一示例的说明图。图6为后继于图5的制造方法的一示例的说明图。另外，在图6中，变形地示出了由各贯穿孔630、632以及各贯穿孔630、632形成的各管34、36、44、46的截面形状。

电流检测装置10的制造方法具备：整备工序(A)，其准备基板600；收容工序(B)，其在基板600上形成收容部610并收容金属板电阻器14；层形成工序(C)，其在收容部610上形成各层620、622。另外，电流检测装置10的制造方法具备在基板600的各层620、622上形成各贯穿孔630、632的贯穿孔形成工序(D)。此外，电流检测装置10的制造方法具备在基板600上形成导电层640并且在各贯穿孔630、632中填充导电性部件的填充工序(E)。此外，电流检测装置10的制造方法具备将导电层640的一部分去除并在基板600上形成图案的图案化工序(F)。

如图5所示，在准备工序(A)，准备具有绝缘性的树脂制的基板600。基板600成为用于形成多层结构的基底。

在收容工序(B)中，将基板600的预定的区域形成为用于在基板600上收容金属板电阻器14的收容部610。

在该收容部610中收容金属板电阻器14。在该收容状态下，以金属板电阻器14的一面14A与基板600的第一面602共面，并且金属板电阻器14的另一面14B与基板600的第二面604共面的方式，将金属板电阻器14临时固定于收容部610内。

在层形成工序(C)中，在基板600的第一面602以及第二面604上例如涂布环氧树脂并以低温固化，在基板600的第一面602上形成第一层620，并且在第二面604形成第二层622。借此，金属板电阻器14由第一层620和第二层622夹着。

如图6所示，在贯穿孔形成工序(D)中，在第一层620以及第二层622的至少一方形成到达金属板电阻器14的第一电极30的第一贯穿孔630。另外，在第一层620以及第二层622的至少一方形成到达第二电极32的第二贯穿孔632。

当具体说明时，在第一层620上，并在第一电极30以及第二电极32的距电阻体62较近的位置，形成有使第一电极30以及第二电极32的面露出的一对第一贯穿孔630以及第二贯穿孔632。另外，在第二层622上，在多个部位形成有使第一电极30以及第二电极32的面露出的第一贯穿孔630以及第二贯穿孔632。

各第一贯穿孔630以及各第二贯穿孔632是使用利用了激光装置等的公知的图案化技术而被形成的。

在填充工序(E)中，在各第一贯穿孔630以及各第二贯穿孔632中填充导电性部件。

当具体说明时，在形成有第一层620以及第二层622的树脂制的基板600上，形成有通过镀层等而具有导电性的金属制的导电层640。镀层被填充至各第一贯穿孔630以及各第二贯穿孔632中。

借此，在各第一贯穿孔630中，形成有与第一电极30电连接的第一检测管44以及电流输入管34。另外，在各第二贯穿孔632中，形成有与第二电极32电连接的第二检测管46以及电流输出管36。

在图案化工序(F)中，在第一检测管44以及第二检测管46的周围形成台肩40、42。

另外，以包括全部电流输入管34的方式而形成电流输入配线24。另外，以包括全部电流输出管36的方式而形成电流输出配线26。

各台肩40、42以及各配线24、26是通过将被形成于基板600的导电层640部分去除的图案化工序等而被形成的。

在该树脂制的基板600的下部通过与前述相同的工序而形成下层，如图1所示，形成有绝缘层20和下层配线22。

如图2所示，在金属板电阻器14的第一电极30的一面14A上所形成的第一检测管44被设定于对信号进行检测的第一检测部位90。在第二电极32的一面14A上所形成的第二检测管46被设定于对信号进行检测的第二检测部位92。

如图2所示，在该第一检测部位90上连接有第一检测部94，在第二检测部位92上连接有第二检测部96。即，第一检测部94能够换言为第一检测部位90。另外，第二检测部96能够换言为第二检测部位92。

如图1所示，第一检测部94在金属板电阻器14被配置于基板12内的状态下，由与第一电极30电连接的第一检测管44构成。第二检测部96在金属板电阻器14被配置于基板12内的状态下，由与第二电极32电连接的第二检测管46构成。

如图3所示，由第一检测管44构成的第一检测部94在第一电极30的一面14A的宽度方向中心被配置在接近于电阻体62的部位的一个部位。由第二检测管46构成的第二检测部96在第二电极32的一面14A的宽度方向中心被配置在接近于电阻体62的部位的一个部位。

另外，如图2所示，在金属板电阻器14的第一电极30以及第二电极32上，设置有输入在电阻器本体60中流动的电流的输入部位(100、102)。输入部位(100、102)包括被设定于第一电极30的电流输入部位100和被设定于第二电极32的电流输出部位102。

电流输入部位100被设定于第一电极30的另一面14B，电流输出部位102被设定于第二电极32的另一面14B。电流输入部位100与电流输入部104连接，电流输出部位102与电流输出部106连接。

如图1所示，电流输入部104在金属板电阻器14被配置于基板12内的状态下，由与第一电极30电连接的电流输入管34构成。电流输出部106在金属板电阻器14被配置于基板12内的状态下，由与第二电极32电连接的电流输出管36构成。

如图3所示，由电流输入管34构成的电流输入部104被配置于第一电极30的另一面14B的十五个部位。各电流输入部104被配置成在排列方向NH上隔着等间隔的三列，并且，在各列上被配置于在金属板电阻器14的宽度方向上隔着等间隔的五个部位。

在第一电极30上设定有各电流输入部104的区域构成与电流输入管34(参照图1)的第一连接区域410。

另外，由电流输出管36构成的电流输出部106被配置于第二电极32的另一面14B的十五个部位。各电流输出部106被配置成在排列方向NH上隔着等间隔的三列，并且，在各列上被配置于在金属板电阻器14的宽度方向上隔着等间隔的五个部位。

在第二电极32上设定有各电流输入部106的区域构成与电流输出管36(参照图1)的第二连接区域412。

通过这样增大电流输入部104以及电流输出部106的数量，从而确保可靠的通电。

金属板电阻器14被构成为，在从第一连接区域410至夹着电阻体62的第二连接区域412为止的区域414中，金属板电阻器14的另一面14B(一面)的最为突出的部位与最为凹陷的部位之差为0μm以上且100μm以下。借此，金属板电阻器14的表面中的凹凸的高低差以成为0μm以上且100μm以下的方式而被构成。另外，优选为，金属板电阻器14的另一面14B的最为突出的部分与最为凹陷的部位之差为0μm以上且50μm以下。

另外，进一步优选为，金属板电阻器14的另一面14B的最为突出的部分与最为凹陷的部位之差中的下限值为8μm以上。另外，优选为，金属板电阻器14的另一面14B的最为突出的部分与最为凹陷的部位之差设为8μm以上且100μm以下，进一步优选为，设为8μm以上且50μm以下。

另外，在本实施方式中，如图2所示，对以下情况进行了说明，即，在第一电极30的另一面14B上设置与多个电流输入部104连接的第一连接区域410，并在第二电极32的另一面14B上设置与多个电流输出部106连接的第二连接区域412的情况。但是，本实施方式未被限定于该结构。

例如，也可以在第一电极30的一面14A上设置与多个电流输入部104连接的第一连接区域410，在第二电极32的一面14A上设置与多个电流输出部106连接的第二连接区域412。

在该情况下，也与前述相同，被构成为，在从第一连接区域410至夹着电阻体62的第二连接区域412为止的区域414中，金属板电阻器14的一面14A的最为突出的部位与最为凹陷的部位之差为0μm以上且100μm以下。另外，优选为，从一面14A与各管44、46的接触面的均一性的观点出发，金属板电阻器14的一面14A的最为突出的部位与最为凹陷的部位之差为0μm以上且50μm以下。

另外，进一步优选为，金属板电阻器14的一面14A的最为突出的部分与最为凹陷的部位之差中的下限值为8μm以上。另外，优选为，金属板电阻器14的一面14A的最为突出的部分与最为凹陷的部位之差设为8μm以上且100μm以下，进一步优选为，设为8μm以上且50μm以下。

在将金属板电阻器14配置于基板12内部而构成电流检测装置10的情况下，使各电流输入部104与电流输入配线24直接连接，并且使各电流输出部106与电流输出配线26直接连接。

在该金属板电阻器14上，在从电阻体62与各电极30、32的各接合面70、72起向排列方向NH扩张、并且至到达设置有输入部位(100、102)的位置为止的区域中，形成有接合区块(120、122)。此外，在该接合区块(120、122)中设定检测部位(90、92)。

使用图2具体地说明。在第一接合区块120中，设定有第一检测部位90，所述第一接合区块120为，在从电阻体62和第一电极30被接合而成的第一接合面70起向作为排列方向NH的一方侧的第一电极30侧扩张、并且至到达设定有电流输入部位100的位置为止的区域。

此处，第一接合区块120的一端侧的边界由被配置于距电阻体62最近的位置的电流输入部位100(A)确定。

另外，第一接合区块120的一端侧的边界由从与电流输入部位100(A)连接的电流输入部104(A)的中心线起在金属板电阻器14的厚度方向上延伸的延长线确定。

此外，“在第一接合区块120上设定有第一检测部位90”是表示，从与第一检测部位90连接的第一检测部94的中心线起在金属板电阻器14的厚度方向上延伸的延长线位于第一接合区块120的上部。

另外，在第二接合区块122中，设定有第二检测部位92，所述第二接合区块122为，在从电阻体62和第二电极32被接合而成的第二接合面72起向作为排列方向NH的另一方侧扩张、并且至到达设定有电流输出部位102的位置为止的区域。

此处，第二接合区块122的另一端侧的边界由被配置于距电阻体62最近的位置的电流输出部位102(A)确定。

另外，第二接合区块122的一端侧的边界由从与电流输出部位102(A)连接的电流输出部106(A)的中心线起在金属板电阻器14的厚度方向上延伸的延长线确定。

此外，“在第二接合区块122上设定有第二检测部位92”是表示，从与第二检测部位92连接的第二检测部96的中心线起在金属板电阻器14的厚度方向上延伸的延长线位于第二接合区块122的上部。

[材质]

金属板电阻器14的电阻体62由与构成各电极30、32的材料相比、电阻温度系数(TCR)较小的材料形成。

此处，电阻温度系数(TCR)表示伴随着温度变化的电阻值的变化的比例。电阻温度系数(TCR)根据电阻值的变化率和温度变化量而被确定。

例如，在用第一温度T1表示第一电阻值R1、并用第二温度T2表示第二电阻值R2的物体中，电阻温度系数TCR[ppm/K]使用以下的运算式而被求出。

TCR＝[{(R2－R1)/R1}/(T2－T1)]×1000000

当具体说明时，作为一示例，各电极30、32由Cu(铜)形成。另外，作为一示例，电阻体62由与Cu(铜)相比、电阻温度系数(TCR)较小的CuMnNi合金形成。

另外，在本实施方式中，对由CuMnNi合金形成电阻体62的情况进行说明，但是并未被限定于此。也可以由例如与Cu(铜)相比、电阻温度系数(TCR)较小的CuMnSn合金、NiCr(镍铬)、或者CuNi(铜镍)形成电阻体62。

此处，关于接合区块120、122进行说明。各电极30、32的电阻温度系数(TCR)与电阻体62相比较大。因此，受到各电极30、32的电流的输入位置与检测端子之间的电极材料的电阻值以及电阻温度计数的影响。因此，电流的输入位置与检测端子之间、即成为最短的检测间距间的电极材料所占的面积对电阻值以及电阻温度系数进行影响。

当使在图2中从各接合面70、72起至设定有各部位100(A)、102(A)的位置为止的各接合区块120、122狭小时，电阻温度系数(TCR)较大的各电极30、32在各接合区块120、122内所占的比例变小。

因此，越是使各接合区块120、122狭小，则越是能够减小金属板电阻器14的电阻温度系数(TCR)。

另外，在两检测部位90、92之间，各电极30、32所占的比例越是变小，即，各接合区块120、122越是狭小，则金属板电阻器14的电阻温度系数(TCR)越是变小。

因此，在本实施方式中，以能够降低各电极30、32对金属板电阻器14的电阻值所施加的影响的方式，设定各部位90、92、100(A)、102(A)的位置。另外，通过使各接合面70、72倾斜而使各接合区块120、122狭小，从而抑制作为金属板电阻器14整体的电阻温度系数(TCR)。

这样，通过在一面侧长度80和另一面侧长度82不同的电阻体62中，恰当地设定各接合面70、72所成的角度α、β、电流路径、和各检测部位90、92，从而能够设定金属板电阻器14的特性。

即，将各接合面70、72的角度α、β、确定电流路径的电流输入部位100(A)以及电流输出部位102(A)的位置、和用于对信号进行检测的各检测部位90、92的位置调节为对接合区块120、122的区域进行设定的参数。借此，能够获得期望的特性的金属板电阻器14。

(作用以及效果)

本实施方式的基板内置用的芯片型电阻器、即金属板电阻器14呈板状，并具有电阻体62、第一电极30和第二电极32，所述第一电极30通过第一覆层接合部400而与电阻体62的一端接合；所述第二电极32通过第二覆层接合部402而与电阻体62的另一端接合。

在该结构中，作为芯片型电阻器的金属板电阻器14为电阻体62和第一电极30通过第一覆层接合部400而被接合，并且，电阻体62和第二电极32通过第二覆层接合部402而被接合的覆层件。

因此，与在通过熔接而接合电阻体和电极的结构上、在电阻体与电极之间形成有作为熔融痕迹的焊珠的情况相比较，能够抑制在作为芯片型电阻器的金属板电阻器14的表面上可以产生的凹凸的高低差。

此外，当将作为该基板内置用的芯片型电阻器的金属板电阻器14内置于作为模块的电流检测装置10来使用时，能够抑制因场所不同而可以产生的从各电极30、32至存在于各电极30、32的正上方或者正下方(正上方以及正下方或者其中一方)的配线(配线部16的电流输入配线24、电流输出配线26、各台肩40、42)为止的距离之差。

因此，当将金属板电阻器14内置于电流检测装置10来使用时，与从电流检测装置10的上述配线(配线部16的电流输入配线24、电流输出配线26、各台肩40、42)起至各电极30、32为止的距离按每个场所而不同的情况相比较，能够抑制从被形成于电流检测装置10的各台肩34、36、44、44的一端起至各电极30、32为止的距离的偏差。借此，能够使各管34、36、44、46的高度对齐，能够进行各管34、36、44、46与各电极30、32的连接状态的稳定化。

本实施方式的基板内置用的芯片型电阻器即金属板电阻器14在从被设置于第一电极30的部位的第一连接区域410起至被设置于第二电极32的部位的第二连接区域412为止的区域中，金属板电阻器14的一面的最为突出的部位与最为凹陷的部位之差为0μm以上且100μm以下。

在该结构中，能够使与第一电极30连接的多个电流输入管34的全部稳定并与第一电极30连接，并且，能够使与第二电极32连接的多个电流输出管36的全部稳定并与第二电极32连接。

此外，能够使第一电极30以及各电流输入管34的接触面积与第二电极32以及各电流输出管36的接触面积成为相同的广度。借此，在第一电极30以及第二电极32重，能够提高各管34、36所相接的接触面积的对称性，电流的流动流畅。

此外，通过对电阻体62和各电极30、32进行覆层接合，从而提高了金属板电阻器14的表面12A以及背面12B的水平度。因此，能够在全部区域中使金属板电阻器14的厚度尺寸均一，从而能够将金属板电阻器14的表面的凹凸的高度差抑制得较低。借此，与金属板电阻器的厚度尺寸不均一的情况相比较，该金属板电阻器14适于向模块的内置。

此外，在电阻体62与各电极30、32之间未形成有如将电阻体62与各电极30、32熔接的情况这样的焊珠，电阻体62与各电极30、32的接合部被形成为直线状。因此，能够将各管34、36排列地配置在接近于电阻体62的位置，并能够提高电流的检测精度。

本实施方式的电阻器内置模块即电流检测装置10内置有基板内置用的芯片型电阻器即金属板电阻器14。

在该结构中，在作为电阻器内置模块的电流检测装置10中，内置有电阻体62和各电极30、32被覆层接合而成的金属板电阻器14。

金属板电阻器14的表面中的高低差较小。因此，能够抑制从被形成于电流检测装置10的各管34、36、44、46的一端起至与各管34、36、44、46连接的各电极30、32为止的距离的偏差。借此，能够进行连接状态的稳定化，因此，和各管34、36、44、46与各电极30、32的连接状态不稳定的情况相比较，能够提高电流的检测精度。

在本实施方式的基板内置用的芯片型电阻器即金属板电阻器14中，第一覆层接合部400为构成电阻体62的材料和构成第一电极30的材料被扩散接合而成的接合部。第二覆层接合部402为构成电阻体62的材料和构成第二电极32的材料被扩散接合而成的接合部。

在该结构中，电阻体62和各电极30、32以不熔接的方式而被接合，因此，在电阻体62与各电极30、32的接合部分未形成有作为熔融痕迹的焊珠。因此，与在电阻体62与各电极30、32的接合部分形成有焊珠的情况相比较，能够在电阻体62的附近设置各检测管44、46，因此，能够提高检测精度。

本实施方式的基板内置用的芯片型电阻器即金属板电阻器14在与一面14A交叉的方向上延伸的另一面、即一侧面520中的电阻体62的部位具有修剪痕迹524。

另外，本实施方式的修剪方法具备修剪工序，所述修剪工序在基板内置用的芯片型电阻器即金属板电阻器14中，对在与一面14A交叉的方向上延伸的另一面、即一侧面520中的电阻体62的部位进行加工。

在该结构中，与在电阻体62的一面14A或者另一面14B形成用于调节电阻值的修剪痕迹524的情况相比较，能够抑制在金属板电阻器14的一面14A或者另一面14B上所产生的凹凸的高低差。借此，即便实施了修剪之后，也能够获得前述的效果。

另外，通过电阻器内置模块即电流检测装置10的制造方法，能够制造前述的电流检测装置10。

另外，在该电流检测装置10的制造方法中，内置前述的金属板电阻器14，因此，能够使被形成于各层620、622的各贯穿孔630、632各自接近于相同的深度(距离)。

借此，与各层620、622的各贯穿孔630、632的深度不同、且各贯穿孔630、632的深度偏差的情况相比较，能够进行由各贯穿孔630、632形成的各管34、36、44、46与各电极30、32的连接状态的稳定化。

＜比较试验＞

此处，实施了以下比较试验，即，使用将电阻体母材500与电极体母材502、504覆层接合而形成的电阻器、和通过激光将电阻体母材500与各电极体母材502、504接合而形成的电阻器，对表面的平坦度进行比较的比较试验。

图7为表示在比较试验中所使用的覆层接合类型的电阻器700的说明图。图8为表示在比较试验中所使用的覆层接合类型的电阻器的平坦度的图。图9为表示在比较试验中所使用的熔接接合类型的电阻器702的说明图。图10为表示在比较试验中所使用的熔接接合类型的电阻器的平坦度的图。

如图7所示，作为覆层接合类型的电阻器700，准备了电阻器700整体的长度尺寸L为8.5mm、电阻体710的长度尺寸RL为1.5mm、电阻器700的宽度尺寸WS为5.7mm、电阻器700的厚度尺寸TS为1.3mm的样本。

另外，作为覆层接合类型的电阻器700，准备了电阻器700整体的长度尺寸L为9.5mm、电阻体710的长度尺寸RL为1.5mm、电阻器700的宽度尺寸WS为5.0mm、电阻器700的厚度尺寸TS为1.3mm的样本。作为该尺寸的样本，分别准备了多个(具体而言，10个)例如制造线或者日期时间不同的第三样本724和第四样本726。

各样本720、722、724、726的材质等其他条件与第一实施方式的金属板电阻器14相同。

在各样本720、722、724、726的厚度方向的一方面730和另一方面732中，设想了穿过了电阻器700的宽度方向的中央、并在电阻器700的长度方向上延伸的直线状的假想线KL。假想线KL延伸至以电阻器700的长度方向的中央作为中心的7mm的范围H。该假想线KL的范围对应于从图3所示的被设置于第一电极30的第一连接区域410起至被设置于第二电极32的第二连接区域412为止的区域414。

此外，在该假想线KL上，对从电阻器700的面起最为突出的部位和最为凹陷的部位之差进行测定，并将该差设为平坦度750。作为具体的测定方法，通过激光显微镜在假想线KL上进行扫描，从而取得高低差。

如图8所示，第一样本720的平坦度750的平均值为约16μm，第二样本722的平坦度750的平均值为约28μm。另外，第三样本724的平坦度750的平均值为约22μm，第四样本726的平坦度750的平均值为约18μm。另外，平坦度750的平均值在图8中由圆圈表示。

另外，各样本720、722、724、726的平坦度750为0μm以上且100μm以下，各样本720、722、724、726的平坦度750中的最小值为8μm。

图9为表示由在比较试验中所使用的激光等实施的熔接接合类型的电阻器702的说明图。图10为表示在比较试验中所使用的熔接接合类型的电阻器702的平坦度750的图。

如图9所示，作为熔接接合类型的电阻器702，使用了一般的表面安装用的电阻器。熔接接合类型的电阻器702准备了电阻器702整体的长度尺寸L1为50.0mm、电阻体760的长度尺寸RL1为5.0mm、电阻器702的宽度尺寸WS1为10.0mm、电阻器702的厚度尺寸TS1为2.0mm的多个比较品。所准备的比较品的数量为10个。

在各比较品的厚度方向的一方面770和另一方面772中，在以电阻器702的长度方向的中央作为中心的7mm的范围H1中设想了直线状的假想线KL1，所述假想线KL1穿过了电阻器702的宽度方向的中央，并在电阻器702的长度方向上延伸。该假想线KL1的范围设为与前述的各样本720、722、724、726配合的范围。另外，一方面770为当对电阻体760和各电极762、764进行激光熔接时供激光束射入的面，另一方面772为供穿过了电阻器702的激光束射出的面。

此外，在该假想线KL1上，对从电阻器702的各面770、772起最为突出的部位和最为凹陷的部位之差进行测定，并将该差设为平坦度750。作为具体的测定方法，通过激光显微镜在假想线KL上进行扫描，从而取得高低差。

如图10所示，作为比较品的电阻器702的一方面770的平坦度750的平均值为约290μm，另一方面772的平坦度750的平均值为约310μm。另外，作为比较品的电阻器702的平坦度750中的最小值为约210μm。另外，平坦度750的平均值在图10中由圆圈表示。

从图8以及图10可知，关于电阻器的平坦度，与熔接接合类型的电阻器相比，覆层接合类型的电阻器的一方是良好的。

＜第二实施方式＞

接着，一边参照附图，一边关于第二实施方式所涉及的金属板电阻器200进行说明。

图11为表示第二实施方式所涉及的金属板电阻器200的侧视图。图12为表示从斜方向观察到第二实施方式所涉及的金属板电阻器200的状态的透明图。

第二实施方式所涉及的金属板电阻器200与第一实施方式相比较，供在电阻器本体202中流动的电流输入的输入部位被设置于第一电极30以及第二电极32的一面14A这点不同。在本实施方式中，关于与第一实施方式相同或者同等的部分，标注相同的符合，省略说明，并且仅对与第一实施方式不同的部分进行说明。

另外，该金属板电阻器200也在被埋入至基板12中的状态下被配置于基板12内，并构成电流检测装置10(参照图1)。

在该金属板电阻器200中，与第一检测部位90连接的第一检测部94在第一电极30的一面14A的宽度方向中心被配置在接近于电阻体62的部位。另外，与第二检测部位92连接的第二检测部96在第二电极32的一面14A的宽度方向中心被配置在接近于电阻体62的部位。

电流输入部位100被设定于第一电极30的一面14A，电流输出部位102被设定于第二电极32的一面14A。电流输入部位100与电流输入部104连接，电流输出部位102与电流输出部106连接。

电流输入部104由与第一电极30连接的电流输入管34构成。电流输出部106由与第二电极32连接的电流输出管36构成。

如图12所示，电流输入部104以隔着等间隔的方式被配置于去除了配置有第一检测部94的部位之外的第一电极30的一面14A。电流输出部106以隔着等间隔的方式被配置于去除了配置有第二检测部96的部位之外的第二电极32的一面14A。

电流输入部104的端面与电流输入配线24电连接。第一检测部94的高度与电流输入部104相比较高，第一检测部94在顶端部从电流输入配线24突出的状态下与该电流输入配线24电连接。

电流输出部106的端面与电流输出配线26电连接。第二检测部96的高度与电流输出部106相比较高，第二检测部96在顶端部从电流输出配线26突出的状态下与该电流输出配线26电连接。

(作用以及效果)

在本实施方式中，关于与第一实施方式相同或者同等的部分，也能够起到与第一实施方式相同的作用效果。

＜模拟＞

接着，关于用于确认各实施方式的效果的模拟，一边参照附图，一边进行说明。

图13为在用于确认第一实施方式所涉及的金属板电阻器的效果的模拟中所使用的第一基底模型的说明图。图14为表示第一基底模型的电阻值以及TCR的说明图。

该第一基底模型300为表示比较对象的基准的金属板电阻器，与第一实施方式的金属板电阻器14相比较，各电极30、32与电阻体62的各接合面70、72相对于排列方向NH是垂直的这点不同。

第一基底模型300的电阻体62的一面侧长度a为2.7mm，另一面侧长度b也为2.7mm。另外，从第一检测部94的中心起至第二检测部96的中心为止的检测部间距c为4.1mm。

此外，如图14所示，第一基底模型300在第一检测部94与第二检测部96之间所取得的电阻值为0.18647[mΩ]，电阻温度系数(TCR)为78[ppm/K]。

图15为表示在第一实施方式所涉及的金属板电阻器14的效果的确认中所实施的模拟的情形的说明图。在图15中，示出了电阻体62的一面侧长度a(80)和另一面侧长度b(82)变化的情形。

针对该第一实施方式所涉及的金属板电阻器14，通过接着所示的第一条件310(参照图16)和第二条件320(参照图18)来实施模拟。

(第一条件)

接着示出该模拟的第一条件310。设想了结构1至结构13的金属板电阻器14，所述结构1至所述结构13是指，将电阻体32的一面侧长度a从2.1mm至3.3mm为止每次增加0.1mm，并且，将另一面侧长度b从3.3mm至2.1mm为止每次减少0.1mm的结构。在各结构1～13中，将检测部间距c设为一面侧长度a+1.4mm。

此外，在图16的各结构1～13的金属板电阻器14中，通过模拟分别求出了在第一检测部94与第二检测部96之间被取得的电阻值、以及电阻温度系数(TCR)。

图16为表示在第一条件下所实施的模拟结果的图。图17为用图表表示在第一条件下所实施的模拟结果的说明图。

从图16以及图17，在结构1至结构6中，电阻温度系数(TCR)低于78[ppm/K]，与第一基底模型300相比较，能够抑制相对于温度变化的电阻值的变化，确认出了检测精度的提高。

可认为，其原因是，与第一基底模型300相比较，在结构1至结构6的金属板电阻器14中，各接合区块120、122的区域变小。

(第二条件)

接着示出该模拟的第二条件320。设想了结构A～K的金属板电阻器14，所述结构A～K是指，将电阻体62的一面侧长度a从2.3mm至3.3mm为止每次增加0.1mm，并且，以两检测部96间的电阻值与第一基底模型300同等的方式而使另一面侧长度b在3.3mm至2.3mm的范围中变化的结构。在各结构A～K中，将检测部间距c设为一面侧长度a+1.4mm。

此外，在各结构A～K的金属板电阻器14中，通过模拟而分别求出了电阻温度系数(TCR)。

图18为表示在第二条件下所实施的模拟结果的图。图19为用图表表示在第二条件下所实施的模拟结果的说明图。

从图18以及图19，在结构A至结构D中，电阻温度系数(TCR)低于78[ppm/K]，与第一基底模型300相比较，能够抑制相对于温度变化的电阻值的变化，确认出了检测精度的提高。

可认为，其原因是，与第一基底模型300相比较，在结构A至结构D的金属板电阻器14中，各接合区块120、122的区域变小。

图20为在用于确认第二实施方式所涉及的金属板电阻器的效果的模拟中所使用的第二基底模型的说明图。图21为表示第二基底模型的电阻值以及TCR的说明图。

该第二基底模型330为表示比较对象的基准的金属板电阻器，与第二实施方式的金属板电阻器200相比较，各电极30、32与电阻体62的各接合面70、72相对于排列方向NH是垂直的这点不同。

第二基底模型330的电阻体62的一面侧长度a为2.7mm，另一面侧长度b也为2.7mm。另外，从第一检测部94的中心起至第二检测部96的中心为止的检测部间距c为4.1mm。

此外，如图21所示，第二基底模型330在两检测部94、96间所取得的电阻值为0.18753[mΩ]，电阻温度系数(TCR)为100[ppm/K]。

图22为表示在第二实施方式所涉及的金属板电阻器200的效果的确认中所实施的模拟的情形的说明图。在图22中，示出了电阻体62的一面侧长度a(80)和另一面侧长度b(82)变化的情形。

针对第二实施方式所涉及的金属板电阻器200，通过接着所示的第三条件340(参照图23)和第四条件350(参照图25)来实施模拟。

(第三条件)

接着示出该模拟的第三条件340。设想了结构1至结构13的金属板电阻器200，所述结构1至所述结构13是指，将电阻体62的一面侧长度a从2.1mm至3.3mm为止每次增加0.1mm，并且，将另一面侧长度b从3.3mm至2.1mm为止每次减少0.1mm的结构。在各结构1～13中，将检测部间距c设为一面侧长度a+1.4mm。

此外，在各结构1～13的金属板电阻器200中，通过模拟分别求出了在第一检测部94与第二检测部96之间被取得的电阻值、以及电阻温度系数(TCR)。

图23为表示在第三条件下所实施的模拟结果的图。图24为用图表表示在第三条件下所实施的模拟结果的说明图。

在图23以及图24中，在结构1至结构6中，电阻温度系数(TCR)低于100[ppm/K]，与第二基底模型330相比较，能够抑制相对于温度变化的电阻值的变化，确认出了检测精度的提高。

可认为，其原因是，与第二基底模型330相比较，在结构1至结构6的金属板电阻器200中，各接合区块120、122的区域变小。

(第四条件)

接着示出该模拟的第四条件350。将电阻体62的一面侧长度a从2.3mm至3.3mm为止每次增加0.1mm。此外，设想了结构A～K的金属板电阻器200，所述结构A～K为，以两检测部94、96间的电阻值与第二基底模型330同等的方式而使另一面侧长度b在3.3mm至2.3mm的范围中变化的结构。在各结构A～K中，将检测部间距c设为一面侧长度a+1.4mm。

此外，在各结构A～K的金属板电阻器200中，通过模拟而分别求出了电阻温度系数(TCR)。

图25为表示在第四条件下所实施的模拟结果的图。图26为用图表表示在第四条件下所实施的模拟结果的说明图。

从图25以及图26，在结构A至结构D中，电阻温度系数(TCR)低于100[ppm/K]，与第二基底模型330相比较，能够抑制相对于温度变化的电阻值的变化，确认出了检测精度的提高。

可认为，其原因是，与第二基底模型330相比较，在结构A至结构K的金属板电阻器200中，各接合区块120、122的区域变小。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是，上述实施方式仅仅表示本发明的应用例的一部分，并不是将本发明的技术范围限定于上述实施方式的具体结构的意思。

本申请要求基于在2021年7月14日向日本专利局提出的日本特愿2021-116608的优先权，并通过参照的方式在本说明书中引入了该申请的全部内容。

符号说明

10：电流检测装置

14、200：金属板电阻器

30：第一电极

32：第二电极

62：电阻体

400：第一覆层接合部

402：第二覆层接合部

410：第一连接区域

412：第二连接区域

524：修剪痕迹

620：第一层

622：第二层

630：第一贯穿孔

632：第二贯穿孔

Claims (7)

1.一种基板内置用的芯片型电阻器，其中，

所述芯片型电阻器呈板状，并具备：

电阻体；

第一电极，其通过第一覆层接合部而与所述电阻体的一端接合；

第二电极，其通过第二覆层接合部而与所述电阻体的另一端接合。

2.根据权利要求1所述的基板内置用的芯片型电阻器，其中，

所述第一覆层接合部为构成所述电阻体的材料和构成所述第一电极的材料扩散接合而成的接合部，

所述第二覆层接合部为构成所述电阻体的材料和构成所述第二电极的材料扩散接合而成的接合部。

3.根据权利要求1或2所述的基板内置用的芯片型电阻器，其中，

从设置于所述第一电极的部位的第一连接区域起至设置于所述第二电极的部位的第二连接区域为止的区域中，所述芯片型电阻器的一面的最为突出的部位和最为凹陷的部位之差为0μm以上且100μm以下。

4.根据权利要求3所述的基板内置用的芯片型电阻器，其中，

在与所述一面交叉的方向上延伸的另一面中的所述电阻体的部位具有修剪痕迹。

5.一种电阻器内置模块，其中，

内置有权利要求1或者2所述的基板内置用的芯片型电阻器。

6.一种电阻器内置模块的制造方法，所述电阻器内置模块内置有权利要求1或2所述的基板内置用的芯片型电阻器，

在电阻器内置模块的制造方法中，具备：

层形成工序，其形成夹着所述芯片型电阻器的第一层以及第二层；

贯穿孔形成工序，其在所述第一层以及所述第二层的至少一方形成到达所述第一电极的第一贯穿孔，并且，在所述第一层以及所述第二层的至少一方形成到达所述第二电极的第二贯穿孔；

填充工序，其在所述第一贯穿孔以及所述第二贯穿孔中填充导电性部件。

7.一种修剪方法，其中，

具备修剪工序，所述修剪工序对在权利要求3所述的基板内置用的芯片型电阻器中，对在与所述一面交叉的方向上延伸的另一面中的所述电阻体的部位进行加工。