CN117579029A - 声表面波谐振器和滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种声表面波谐振器和滤波器，该声表面波谐振器包括压电基片；设置于压电基片上的叉指换能器；叉指换能器包括多个电极指，多个电极指沿第一方向延伸，沿第二方向排列，第一方向和第二方向相交；位于叉指换能器背离压电基片一侧的杂波抑制层，杂波抑制层包括多个杂波抑制结构；沿声表面波谐振器的厚度方向，电极指与至少两个杂波抑制结构交叠，且与同一电极指交叠的至少两个杂波抑制结构的体积存在差异。本发明的技术方案能够有效抑制横向模态的杂波，有利于提高声表面波谐振器的性能。
Description
技术领域
本发明涉及谐振器技术领域，尤其涉及一种声表面波谐振器和滤波器。
背景技术
小型化、低损耗的声表面波滤波器(Surface Acoustic Wave,SAW),由于体积小性能优良等特点,为解决多模多频射频前端体积庞大的问题提供了可能性。但是组成声表面波滤波器的声表面波谐振器存在各种杂波模态，例如横向模态，对于滤波器的性能指标影响很大，横向模态的存在使得滤波器的波形通带中出现大的毛刺或坑洞，从而影响器件的指标参数。目前先进工艺的声表面波滤波器，比如温度补偿型声表面波滤波器，横向模态更加显著，因此抑制横向模态是滤波器制造中一个重要的研究课题。
目前，主流的横向模态抑制方案是采用孔径加权的方案。孔径加权的方案能够一定程度抑制横向模态，但是仍有如下缺点：1、增加谐振器的尺寸，2、声学损耗增加、降低谐振器的Q值，3、减小插指换能器有效面积降低耦合系数。
发明内容
本发明提供了一种声表面波谐振器和滤波器，以解决现有技术中存在的问题，能够有效抑制横向模态的杂波，提高声表面波谐振器的性能，同时，有利于声表面波谐振器的小型化。
第一方面，本发明提供了一种声表面波谐振器，包括
压电基片；
设置于所述压电基片上的叉指换能器；所述叉指换能器包括多个电极指，多个所述电极指沿第一方向延伸，沿第二方向排列，所述第一方向和所述第二方向相交；
位于所述叉指换能器背离所述压电基片一侧的杂波抑制层，所述杂波抑制层包括多个杂波抑制结构；沿所述声表面波谐振器的厚度方向，所述电极指与至少两个所述杂波抑制结构交叠，且与同一所述电极指交叠的至少两个所述杂波抑制结构的体积存在差异。
可选的，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电极指交叠的至少两个所述杂波抑制结构包括首端杂波抑制结构、尾端杂波抑制结构和至少一个中间杂波抑制结构；
沿第一方向，所述中间杂波抑制结构位于所述首端杂波抑制结构和所述尾端杂波抑制结构之间；
所述中间杂波抑制结构的体积小于所述首端杂波抑制结构的体积和/或所述尾端杂波抑制结构的体积。
可选的，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电极指交叠的至少两个所述杂波抑制结构包括至少两个所述中间杂波抑制结构；存在两个所述中间杂波抑制结构的体积不同。
可选的，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与不同所述电极指交叠的所述杂波抑制结构的数量相同。
可选的，所述叉指换能器还包括第一汇流条和第二汇流条；
所述电极指包括多个第一电极指和多个第二电极指；
所述第一电极指与所述第二电极指沿所述第二方向交替排列；各所述第一电极指分别连接至所述第一汇流条，各所述第二电极指分别连接至所述第二汇流条；
多个所述杂波抑制结构包括多个第一类抑制结构和多个第二类抑制结构，沿所述声表面波谐振器的厚度方向，所述第一类抑制结构与所述第一电极指交叠，所述第二类抑制结构与所述第二电极指交叠；
存在所述第一类抑制结构和所述第二类抑制结构在所述第二方向上对齐设置。
可选的，多个所述第一类抑制结构包括第一首端杂波抑制结构、第一尾端杂波抑制结构和至少一个第一中间杂波抑制结构；
多个所述第二类抑制结构包括第二首端杂波抑制结构、第二尾端杂波抑制结构和至少一个第二中间杂波抑制结构；
所述第一首端杂波抑制结构与所述第二尾端杂波抑制结构在所述第二方向上对齐设置；所述第一尾端杂波抑制结构与所述第二首端杂波抑制结构在所述第二方向上对齐设置；所述第一中间杂波抑制结构与所述第二中间杂波抑制结构在所述第二方向上对齐设置，或者所述第一中间杂波抑制结构与所述第二中间杂波抑制结构在所述第二方向上错开设置。
可选的，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电极指交叠的所述杂波抑制结构的数量大于或者等于4。
可选的，所述杂波抑制层的材料包括金属材料、氧化物材料和高分子涂敷材料中的至少一种。
可选的，所述声表面波谐振器还包括：位于所述叉指换能器与所述杂波抑制层之间的第一介电膜，以及位于所述杂波抑制层背离所述叉指换能器一侧的第二介电膜。
第二方面，本发明还提供一种滤波器，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的声表面波谐振器。
本发明的技术方案，通过使声表面波谐振器包括压电基片、设置于压电基片上的叉指换能器，以及位于叉指换能器背离压电基片一侧的杂波抑制层，且叉指换能器的多个电极指沿第一方向延伸，沿第二方向排列，第一方向和第二方向相交，从而能够实现声电转换；通过使杂波抑制层包括多个杂波抑制结构，在沿声表面波谐振器的厚度方向，电极指与至少两个杂波抑制结构交叠，且与同一电极指交叠的至少两个杂波抑制结构的体积存在差异，使得声表面波谐振器具有至少3个声波速度不同的区域，从而能够削弱横向模态的声波，达到抑制杂波的效果，有利于提高声表面波谐振器的性能；此外，声表面波谐振器仅包括压电基片、叉指换能器和杂波抑制层，使得声表面波谐振器的结构简单，有利于实现声表面波谐振器的小型化，进而能够减小多模多频射频前端的体积。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种声表面波谐振器的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种声表面波谐振器的沿A-A线的截面图；
图3为本发明实施例提供的声表面波滤波器导纳波形对比图；
图4为本发明实施例提供的另一种声表面波谐振器的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种滤波器的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
本实施例提供了一种声表面波谐振器，图1为本发明实施例提供的一种声表面波谐振器的结构示意图，图2为本发明实施例提供的一种声表面波谐振器的沿A-A线的截面图。结合参考图1和图2所示，该声表面波谐振器01包括压电基片1、设置于压电基片1上的叉指换能器2和位于叉指换能器2背离压电基片1一侧的杂波抑制层3；叉指换能器2包括多个电极指21，多个电极指21沿第一方向L1延伸，沿第二方向L2排列，第一方向L1和第二方向L2相交；杂波抑制层3包括多个杂波抑制结构31；沿声表面波谐振器的厚度方向L3，电极指21与至少两个杂波抑制结构31交叠，且与同一电极指21交叠的至少两个杂波抑制结构31的体积存在差异。
其中，压电基片1可以由压电晶体和压电陶瓷等压电材料制备而成，在一示例性实施例中，制备压电基片1的材料可以包括氮化铝(AlN)、掺杂的氮化铝、氧化锌(ZnO)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸锂(LiNbO3)、石英(Quartz)、铌酸钾(KNbO3)、钽酸锂(LiTaO3)中的一种或者多种。在一可选实施例中，压电基片1可以为单层结构，例如压电基片1可以为铌酸锂膜；在另一可选实施例中，压电基片1也可以为多层结构，如压电薄膜复合结构等，示例性的，压电基片1可以为钽酸锂压电薄膜/二氧化硅/硅衬底的复合结构。需要说明的是，以上仅为对压电基片1进行示例性说明，而并非对压电基片1进行限制。
叉指换能器2的电极指21沿第一方向L1延伸，沿第二方向L2排列，第一方向L1和第二方向L2交叉，使得叉指换能器2能够实现声电转换。第一方向L1和第二方向L2交叉可以包括第一方向L1和第二方向L2所在直线之间形成锐角、直角或者钝角，在一示例性实施例中，第一方向L1和第二方向L2所在直线形成直角，从而能够降低电极指21的制备难度。叉指换能器2的电极指21可以由金属材料或者合金等制备而成，示例性的，制备电极指21的材料可以包括金、钨、银、钛、铂、铝、铜、钼等金属材料或其合金、组合物等。在一可选实施例中，差值换能器还包括第一汇流条22和第二汇流条23，部分电极指21与第一汇流条22连接，剩余的部分电极指21与第二汇流条23连接。
可以理解的是，图1和图2仅示例性示出了叉指换能器2包括6个电极指21的情况，并非对电极指21的数量进行限定；本实施例对电极指21的数量不做具体限定，在一可选实施例中，电极指21的数量可以根据对声表面波滤波器性能需求进行设置。
杂波抑制层3可以由金属材料、氧化物材料或高分子涂敷材料等中的一种或者多种制备而成，在一示例性实施例中，杂波抑制层3由金属材料制备而成，该金属材料可以与差值换能器的材料相同，从而能够简化声表面波谐振器的制备工艺，提高制备效率。杂波抑制层3包括多个杂波抑制结构31，各杂波抑制结构31的材料可以相同，也可以存在材料不同的杂波抑制结构31；当各杂波抑制结构31的材料相同时，各杂波抑制结构31可以在一次工艺中制备，有利于简化声表面波谐振器的制备工艺，为了方便描述，在没有特殊说明的情况下，本实施例中杂波抑制层3中的各杂波抑制结构31均采用相同的材料制备。
在一可选实施例中，与同一电极指21交叠的至少两个杂波抑制结构31的体积存在差异可以为与同一电极指21交叠的至少两个杂波抑制结构31在第一方向L1的长度、在第二方向L2上的宽度或者在沿声表面波谐振器的厚度方向L3上的高度中的至少一者存在差异。
沿声表面波谐振器的厚度方向L3，电极指21与至少两个杂波抑制结构31交叠，使得电极指21与杂波抑制结构31交叠的部分中的声波的速度不同于电极指21未与杂波抑制结构31交叠的部分中声波的速度，从而能够抑制杂波。由于与同一电极指21交叠的至少两个杂波抑制结构31的体积存在差异，使得电极指21与体积不同的杂波抑制结构31交叠的部分中声波的速度不同，从而声表面波谐振器能够具有至少3个声波速度不同的区域，从而能够进一步削弱横向模态的声波，提高抑制杂波的效果。
图3为本发明实施例提供的声表面波滤波器导纳波形对比图，如图3可见，本实施例提供的声表面波滤波器导纳波形相比于现有技术的导纳波形，横向模态的杂波得到了有效抑制。
本实施例中，通过使声表面波谐振器包括压电基片、设置于压电基片上的叉指换能器，以及位于叉指换能器背离压电基片一侧的杂波抑制层，且叉指换能器的多个电极指沿第一方向延伸，沿第二方向排列，第一方向和第二方向相交，从而能够实现声电转换；通过使杂波抑制层包括多个杂波抑制结构，在沿声表面波谐振器的厚度方向，电极指与至少两个杂波抑制结构交叠，且与同一电极指交叠的至少两个杂波抑制结构的体积存在差异，使得声表面波谐振器具有至少3个声波速度不同的区域，从而能够削弱横向模态的声波，达到抑制杂波的效果，有利于提高声表面波谐振器的性能；此外，声表面波谐振器仅包括压电基片、叉指换能器和杂波抑制层，使得声表面波谐振器的结构简单，有利于实现声表面波谐振器的小型化，进而能够减小多模多频射频前端的体积。
可选的，图4为本发明实施例提供的另一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图4所示，沿声表面波谐振器的厚度方向L3与同一电极指21交叠的至少两个杂波抑制结构31包括首端杂波抑制结构311、尾端杂波抑制结构312和至少一个中间杂波抑制结构313；沿第一方向L1，中间杂波抑制结构313位于首端杂波抑制结构311和尾端杂波抑制结构312之间；中间杂波抑制结构313的体积小于首端杂波抑制结构311的体积和/或尾端杂波抑制结构312的体积。
其中，首端杂波抑制结构311和尾端杂波抑制结构312可以分别为沿第一方向L1上靠近电极指21两端的杂波抑制结构31，在一可选实施例中，叉指换能器2还包括第一汇流条22和第二汇流条23；电极指21包括多个第一电极指211和多个第二电极指212；第一电极指211与第二电极指212沿第二方向L2交替排列；各第一电极指211分别连接至第一汇流条22，各第二电极指212分别连接至所述第二汇流条23。首端杂波抑制结构311可以为靠近第一汇流条22一侧的杂波抑制结构31，尾端杂波抑制结构312可以为靠近第二汇流条23一侧的杂波抑制结构31；沿第一方向L1，中间杂波抑制结构313位于首端杂波抑制结构311和尾端杂波抑制结构312之间。至少一个中间杂波抑制结构313可以包括一个中间杂波抑制结构313、两个中间杂波抑制结构313，或者，多个中间杂波抑制结构313。
图4仅示例性示出了沿声表面波谐振器的厚度方向L3与同一电极指21交叠的至少两个杂波抑制结构31包括2个中间杂波抑制结构313的情况，并非对中间杂波抑制结构313的数量进行限定；本实施例对中间杂波抑制结构313的数量不做具体限定。
中间杂波抑制结构313的体积小于首端杂波抑制结构311的体积和/或尾端杂波抑制结构312的体积可以为中间杂波抑制结构313的体积小于首端杂波抑制结构311的体积，或者，中间杂波抑制结构313的体积小于尾端杂波抑制结构312的体积，或者，中间杂波抑制结构313的体积小于首端杂波抑制结构311的体积，且小于尾端杂波抑制结构312的体积。通过使沿声表面波谐振器的厚度方向L3与同一电极指21交叠的至少两个杂波抑制结构31包括首端杂波抑制结构311、尾端杂波抑制结构312和至少一个中间杂波抑制结构313，使得声表面波滤波器具有至少4个声波速度不同的区域，能够进一步提高了抑制杂波的效果。通过使中间杂波抑制结构313的体积小于首端杂波抑制结构311的体积和/或尾端杂波抑制结构312的体积，使得首端杂波抑制结构311所在位置处的声波的速度和/或尾端杂波抑制结构312所在位置处的声波的速度相较于中间杂波抑制结构313所在位置处的声速更小，使得声表面波谐振器在沿第一方向L1的两端位置处抑制横向模态的效果更好，有利于进一步提高抑制杂波的效果，提高声表面波谐振器的性能。
可选的，继续参考图4所示，沿声表面波谐振器的厚度方向L3与同一电极指21交叠的至少两个杂波抑制结构31包括至少两个中间杂波抑制结构313，存在两个中间杂波抑制结构313的体积不同。
其中，至少两个中间杂波抑制结构313可以指两个中间杂波抑制结构313或多个中间杂波抑制结构313；存在两个中间杂波抑制结构313的体积不同可以为与同一电极指21交叠的中间杂波抑制结构313中，至少两个中间杂波抑制结构313的体积不同，如此，使得声表面波谐振器具有至少5个声波速度不同的区域，从而进一步提高抑制杂波的效果。
可选的，继续参考图4所示，沿声表面波谐振器的厚度方向L3与不同电极指21交叠的杂波抑制结构31的数量相同，如此，使得声表面波谐振器中沿第二方向L2的排列的各电极指21所在区域均能够对横向模态的声波进行削弱，且削弱程度相当，从而能够提高声表面波谐振器内声波传输的均一性，进一步提高声表面波谐振器的性能。
可选的，继续参考图4所示，多个杂波抑制结构31包括多个第一类抑制结构31a和多个第二类抑制结构31b，沿声表面波谐振器的厚度方向L3，第一类抑制结构31a与第一电极指211交叠，第二类抑制结构31b与第二电极指212交叠；存在第一类抑制结构31a和第二类抑制结构31b在第二方向L2上对齐设置。
其中，存在第一类抑制结构31a和第二类抑制结构31b在第二方向L2上对齐设置可以为部分第一类抑制结构31a和第二类抑制结构31b在第二方向L2上对齐设置，或者，全部第一类抑制结构31a和第二类抑制结构31b在第二方向L2上对齐设置。本实施例中，存在沿声表面波谐振器的厚度方向L3与第一电极指211交叠的第一类抑制结构31a和沿声表面波谐振器的厚度方向L3与第二电极指212交叠的第二类抑制结构31b在第二方向L2上对齐设置，使得在第二方向L2上对齐设置的第一类抑制结构31a和第二类抑制结构31b能够采用同一种工艺同时进行制备，有利于简化声表面波谐振器的制备工艺。
可选的，继续参考图4所示，多个第一类抑制结构31a包括第一首端杂波抑制结构311a、第一尾端杂波抑制结构312a和至少一个第一中间杂波抑制结构313a；多个第二类抑制结构31b包括第二首端杂波抑制结构311b、第二尾端杂波抑制结构312b和至少一个第二中间杂波抑制结构313b；其中，第一首端杂波抑制结构311a可以为第一类抑制结构31a中靠近第一汇流条22一侧的杂波抑制结构31，第一尾端杂波抑制结构312a可以为第一类抑制结构31a中靠近第二汇流条23一侧的杂波抑制结构31，第一中间杂波抑制结构313a可以为沿第一方向L1位于第一首端杂波抑制结构311a和第一尾端杂波抑制结构312a之间的杂波抑制结构31，相应的，第二首端杂波抑制结构311b可以为第二类抑制结构31b中靠近第一汇流条22一侧的杂波抑制结构31，第二尾端杂波抑制结构312b可以为第二类抑制结构31b中靠近第二汇流条23一侧的杂波抑制结构31，第二中间杂波抑制结构313b可以为沿第一方向L1位于第二首端杂波抑制结构311b和第二尾端杂波抑制结构312b之间的杂波抑制结构31。
第一首端杂波抑制结构311a与第二尾端杂波抑制结构312b在第二方向L2上对齐设置；第一尾端杂波抑制结构312a与第二首端杂波抑制结构311b在所述第二方向L2上对齐设置；第一中间杂波抑制结构313a与第二中间杂波抑制结构313b在所述第二方向L2上对齐设置，如此，使得全部第一类抑制结构31a和第二类抑制结构31b在第二方向L2上对齐设置，从而进一步简化声表面波谐振器的制备工艺。
在一可选实施例中，图5为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图5所示，第一中间杂波抑制结构313a还可以与第二中间杂波抑制结构313b在第二方向L2上错开设置，如此，能够减小声表面波谐振器沿第一方向L1的声波速度的差异，使得声表面波谐振器沿第一方向L1的声波速度一致，从而提高声表面波谐振器内声波传输的均一性，进一步提高声表面波谐振器的性能。
可选的，结合参考图4和图5所示，沿声表面波谐振器的厚度方向L3与同一电极指21交叠的杂波抑制结构31的数量大于或者等于4，从而能够保证声表面波谐振器具有至少5个声波速度不同的区域，从而能够保证有效抑制横向模态的声波。
可以理解的是，沿声表面波谐振器的厚度方向L3与同一电极指21交叠的杂波抑制结构31的数量越多，声表面波谐振器的制备难度越大，因此，需要根据横向模态抑制需求和制备工艺要求，设置合理数量的杂波抑制结构31，保证在对横向模态的声波进行有效抑制的同时，降低制备难度。在一示例性实施例中，沿声表面波谐振器的厚度方向L3与同一电极指21交叠的杂波抑制结构31的数量为4。
可选的，继续参考图2所示，声表面波谐振器还包括位于叉指换能器2与杂波抑制层3之间的第一介电膜4，以及位于杂波抑制层3背离叉指换能器2一侧的第二介电膜5。
其中，第一介电膜4可以但不限于由二氧化硅制备而成，在一可选实施例中，第一介电膜4还可以由掺杂的氧化硅膜制备而成，示例性的，掺杂元素可以为氟。第二介电膜5可以但不限于由氮化硅制备而成。在一示例性实施例中，第一介电膜4和第二介电膜5的材料也可以相同，如此能够简化制备工艺。通过使声表面波谐振器包括第一介电膜4和第二介电膜5，能够改善声表面波谐振器的温度特性。
基于同一发明构思，图6为本发明实施例提供的一种滤波器的结构示意图，本发明实施例还提供一种滤波器，参考图6所示，该滤波器包括上述任一实施例提供的声表面波谐振器。
由于本发明实施例提供的滤波器包括本实施例提供的声表面波谐振器，因此具备声表面波谐振器的相应结构和特征，能够达到本发明任意实施例提供的声表面波谐振器的有益效果，相同之处可参照上文描述。
在一可选实施例中，本发明实施例还提供一种多工器，该多工器包括上述任一实施例提供的声表面波谐振器，因此，具备声表面波谐振器的相应结构和特征，能够达到本发明任意实施例提供的声表面波谐振器的有益效果，相同之处可参照上文描述。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (10)
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括
压电基片；
设置于所述压电基片上的叉指换能器；所述叉指换能器包括多个电极指，多个所述电极指沿第一方向延伸，沿第二方向排列，所述第一方向和所述第二方向相交；
位于所述叉指换能器背离所述压电基片一侧的杂波抑制层，所述杂波抑制层包括多个杂波抑制结构；沿所述声表面波谐振器的厚度方向，所述电极指与至少两个所述杂波抑制结构交叠，且与同一所述电极指交叠的至少两个所述杂波抑制结构的体积存在差异。
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电极指交叠的至少两个所述杂波抑制结构包括首端杂波抑制结构、尾端杂波抑制结构和至少一个中间杂波抑制结构；
沿第一方向，所述中间杂波抑制结构位于所述首端杂波抑制结构和所述尾端杂波抑制结构之间；
所述中间杂波抑制结构的体积小于所述首端杂波抑制结构的体积和/或所述尾端杂波抑制结构的体积。
3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电极指交叠的至少两个所述杂波抑制结构包括至少两个所述中间杂波抑制结构；存在两个所述中间杂波抑制结构的体积不同。
4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与不同所述电极指交叠的所述杂波抑制结构的数量相同。
5.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述叉指换能器还包括第一汇流条和第二汇流条；
所述电极指包括多个第一电极指和多个第二电极指；
所述第一电极指与所述第二电极指沿所述第二方向交替排列；各所述第一电极指分别连接至所述第一汇流条，各所述第二电极指分别连接至所述第二汇流条；
多个所述杂波抑制结构包括多个第一类抑制结构和多个第二类抑制结构，沿所述声表面波谐振器的厚度方向，所述第一类抑制结构与所述第一电极指交叠，所述第二类抑制结构与所述第二电极指交叠；
存在所述第一类抑制结构和所述第二类抑制结构在所述第二方向上对齐设置。
6.根据权利要求5所述的声表面波谐振器，其特征在于，多个所述第一类抑制结构包括第一首端杂波抑制结构、第一尾端杂波抑制结构和至少一个第一中间杂波抑制结构；
多个所述第二类抑制结构包括第二首端杂波抑制结构、第二尾端杂波抑制结构和至少一个第二中间杂波抑制结构；
所述第一首端杂波抑制结构与所述第二尾端杂波抑制结构在所述第二方向上对齐设置；所述第一尾端杂波抑制结构与所述第二首端杂波抑制结构在所述第二方向上对齐设置；所述第一中间杂波抑制结构与所述第二中间杂波抑制结构在所述第二方向上对齐设置，或者所述第一中间杂波抑制结构与所述第二中间杂波抑制结构在所述第二方向上错开设置。
7.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿所述声表面波谐振器的厚度方向与同一所述电极指交叠的所述杂波抑制结构的数量大于或者等于4。
8.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述杂波抑制层的材料包括金属材料、氧化物材料和高分子涂敷材料中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：位于所述叉指换能器与所述杂波抑制层之间的第一介电膜，以及位于所述杂波抑制层背离所述叉指换能器一侧的第二介电膜。
10.一种滤波器，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的声表面波谐振器。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311704074.9A CN117579029A (zh) | 2023-12-11 | 2023-12-11 | 声表面波谐振器和滤波器 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
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| CN202311704074.9A Pending CN117579029A (zh) | 2023-12-11 | 2023-12-11 | 声表面波谐振器和滤波器 |
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| CN (1) | CN117579029A (zh) |
-
2023
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