CN220962081U - 阵列基板和显示面板 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线以及沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉限定出多个像素区，每个像素区设置有一个子像素，子像素包括第一像素电极、第二像素电极以及位于第一像素电极和第二像素电极同一侧的多个晶体管，第一像素电极沿第一方向延伸，第二像素电极沿第一方向延伸，且在第二方向上，第二像素电极与第一像素电极间隔设置，且第二像素电极与第一像素电极均包括四个显示畴，使得每个子像素包括八个显示畴，以实现把八畴显示，改善视角，进而缓解现有三栅极式液晶显示面板存在的视角比较差的问题。

Description

阵列基板和显示面板

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术

随着液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)技术的发展，为了降低液晶显示面板的成本，行业内出现了一种三栅极(Tri-gate)式液晶显示面板。三栅极式液晶显示面板具有多个呈行列排列的像素单元，并且利用相邻的三条扫描线(scan line)来驱动一个像素单元。每个像素单元是由三个颜色不同且呈纵向排列的子像素单元所组成，比如每个像素单元包括一红色子像素单元、一绿色子像素单元以及一蓝色子像素单元，而同一行的各个子像素单元电性连接一条扫描线。此外，任一行的子像素单元的颜色都相同，例如排列成其中一行的这些子像素单元皆为红色子像素单元、绿色子像素单元或蓝色子像素单元。

三栅极式液晶显示面板的像素设计通常采用四畴(domain)显示，然而四畴显示使得三栅极式液晶显示面板的视角比较差。

实用新型内容

本实用新型提供一种阵列基板和显示面板，以缓解现有三栅极式液晶显示面板存在的视角比较差的技术问题。

为解决上述问题，本实用新型提供的技术方案如下：

本实用新型实施例提供一种阵列基板，其包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线以及沿第二方向延伸的数据线，所述栅极扫描线和所述数据线交叉限定出多个像素区，每个所述像素区设置有一个子像素，所述子像素包括第一像素电极、第二像素电极以及位于所述第一像素电极和所述第二像素电极同一侧的多个晶体管，其中：

所述第一像素电极沿所述第一方向延伸；

所述第二像素电极沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上，所述第二像素电极与所述第一像素电极间隔设置，且所述第二像素电极与所述第一像素电极均包括四个显示畴；以及

所述多个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第一像素电极电连接，所述第二晶体管与所述第二像素电极电连接。

在本实用新型实施例提供的阵列基板中，所述多个晶体管还包括第三晶体管，所述第三晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极电连接，所述第二晶体管的漏极还与所述第二像素电极电连接，所述第二晶体管的源极与所述数据线电连接；

所述阵列基板还包括共享放电棒，所述共享放电棒与所述数据线同层设置，且与所述第三晶体管的漏极电连接。

在本实用新型实施例提供的阵列基板中，所述共享放电棒包括沿所述第一方向延伸的第一子放电棒，所述第一子放电棒与所述栅极扫描线对应设置。

在本实用新型实施例提供的阵列基板中，所述第一子放电棒设置在所述栅极扫描线的上方，且所述第一子放电棒在所述第二方向上的宽度小于所述栅极扫描线在所述第二方向上的宽度。

在本实用新型实施例提供的阵列基板中，所述共享放电棒还包括沿所述第二方向延伸的第二子放电棒，所述第二子放电棒连接于所述第一子放电棒；

所述第一像素电极包括沿所述第二方向延伸的第一主干电极，所述第二像素电极包括沿所述第二方向延伸的第二主干电极，所述第二子放电棒设置于所述第一主干电极和所述第二主干电极的下方。

在本实用新型实施例提供的阵列基板中，在所述第二方向上，所述第一主干电极和所述第二主干电极重叠，且所述第一主干电极位于所述第一像素电极的中间区域，所述第二主干电极位于所述第二像素电极的中间区域。

在本实用新型实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括沿所述第二方向延伸的第一遮光部，所述第一遮光部与所述第二子放电棒对应设置，且位于所述第二子放电棒的下方。

在本实用新型实施例提供的阵列基板中，所述第一遮光部与所述栅极扫描线同层设置，且所述第一遮光部在所述第一方向上的宽度大于所述第二子放电棒在所述第一方向上的宽度。

在本实用新型实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括第二遮光部，所述第二遮光部与所述数据线对应设置，且位于所述数据线的上方。

本实用新型实施例还提供一种显示面板，其包括上述实施例其中之一的阵列基板。

本实用新型的有益效果为：本实用新型提供的阵列基板和显示面板中，阵列基板包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线以及沿第二方向延伸的数据线，所述栅极扫描线和所述数据线交叉限定出多个像素区，每个所述像素区设置有一个子像素，所述子像素包括第一像素电极、第二像素电极以及位于所述第一像素电极和所述第二像素电极同一侧的多个晶体管，所述第一像素电极沿所述第一方向延伸，所述第二像素电极沿第一方向延伸，且在所述第二方向上，所述第二像素电极与所述第一像素电极间隔设置，且所述第二像素电极与所述第一像素电极均包括四个显示畴，使得每个子像素包括八个显示畴，以实现把八畴显示，改善视角，解决了现有三栅极式液晶显示面板存在的视角比较差的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为相关技术中三栅极式液晶显示面板的一个子像素的示意图。

图2为本实用新型实施例提供的阵列基板的一种俯视结构示意图。

图3为图2中一个子像素的细节结构示意图。

图4为图3中移除第一像素电极、第二像素电极、第二遮光电极后的示意图。

图5为图3中沿M-M’、N-N’方向的剖面结构示意图。

图6为本实用新型实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本实用新型可用以实施的特定实施例。本实用新型所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本实用新型，而非用以限制本实用新型。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本实用新型不限于此。

针对相关技术中三栅极式液晶显示面板存在的视角比较差的问题，本实用新型的发明人在研究中发现：参照图1，图1为相关技术中三栅极式液晶显示面板的一个子像素的示意图，每个子像素包括一个晶体管500和一个像素电极600，像素电极600划分为四个显示畴(domain)，四个显示畴的像素电极600由一个晶体管500控制，导致其在视角上无法形成互补，视角比较差。

为此，本实用新型提供一种阵列基板和显示面板以解决上述视角比较差的问题。

请参照图1至图5，图2为本实用新型实施例提供的阵列基板的一种俯视结构示意图，图3为图2中一个子像素的细节结构示意图，图4为图3中移除第一像素电极、第二像素电极、第二遮光电极后的示意图，图5为图3中沿M-M’、N-N’方向的剖面结构示意图。参照图2，阵列基板100包括衬底10以及排布在所述衬底10上的多条栅极扫描线GL和多条数据线DL。多条所述栅极扫描线GL沿第一方向X延伸且沿所述第二方向Y间隔排布。多条所述数据线DL沿第二方向Y延伸且沿所述第一方向X间隔排布。所述第一方向X和所述第二方向Y不同，比如所述第一方向X为行方向，所述第二方向Y为列方向。

所述栅极扫描线GL和所述数据线DL交叉限定出多个像素区PD，每个所述像素区PD设置有一个子像素SP，使得所述阵列基板100包括多个所述子像素SP，多个所述子像素SP阵列排布在所述阵列基板100上。每条所述栅极扫描线GL连接一行所述子像素SP，每条所述数据线DL连接一列所述子像素SP。在所述第二方向Y上，任意相邻的三个所述子像素SP组成一个像素P。也即，每个像素P包括三个在所述第二方向Y上依次排布的所述子像素SP，依次排布的三个所述子像素SP的颜色不同，比如可包括一个红色子像素R、一个绿色子像素G以及一个蓝色子像素B。每个所述像素P的三个不同颜色的所述子像素SP连接于同一所述数据线DL。在所述第一方向X上，每一行所述子像素SP的颜色可以全部相同，也可以不同。当每一行所述子像素SP的颜色不同时，可以改善显示二混色画面时出现的色偏。

下面以一个子像素SP为例来具体阐述所述阵列基板100的结构。

参照图3，所述子像素SP包括第一像素电极20、第二像素电极30以及位于所述第一像素电极20和所述第二像素电极30同一侧的多个晶体管。所述第一像素电极20沿所述第一方向X延伸。所述第二像素电极30沿第一方向X延伸，且在所述第二方向Y上，所述第二像素电极30与所述第一像素电极20间隔设置，且所述第二像素电极30与所述第一像素电极20均包括四个显示畴。所述第二像素电极30与所述第一像素电极20的材料均包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)等透明导电材料。

所述第一像素电极20包括沿第二方向Y延伸的第一主干电极21和沿所述第一方向X延伸的第三主干电极22，所述第一主干电极21的长度小于所述第三主干电极22的长度。所述第一主干电极21和所述第三主干电极22把所述第一像素电极20划分为四个显示畴。所述第一像素电极20还包括多个第一分支电极23，所述第一分支电极23连接于所述第一主干电极21或所述第三主干电极22，并自所述第一主干电极21或所述第三主干电极22朝不同方向延伸，且每个所述显示畴内的所述第一分支电极23的延伸方向相同，相邻两个所述显示畴内的所述第一分支电极23关于所述第一主干电极21或所述第三主干电极22对称。

所述第二像素电极30包括沿第二方向Y延伸的第二主干电极31和沿所述第一方向X延伸的第四主干电极32，所述第二主干电极31的长度小于所述第四主干电极32的长度。所述第二主干电极31和所述第四主干电极32把所述第二像素电极30划分为四个显示畴，如此每个所述像素区PD内的所述子像素SP包括八个显示畴。所述第二像素电极30还包括多个第二分支电极33，所述第二分支电极33连接于所述第二主干电极31或所述第四主干电极32，并自所述第二主干电极31或所述第四主干电极32朝不同方向延伸，且每个所述显示畴内的所述第二分支电极33的延伸方向相同，相邻两个所述显示畴内的所述第二分支电极33关于所述第二主干电极31或所述第四主干电极32对称。

多个所述晶体管位于所述第一像素电极20靠近所述数据线DL的一侧，且多个所述晶体管还位于所述第二像素电极30靠近所述数据线DL的一侧，也即多个所述晶体管位于所述数据线DL与所述第一像素电极20以及所述第二像素电极30之间。

多个晶体管包括第一晶体管T1和第二晶体管T2，所述第一晶体管T1与所述第一像素电极20电连接，所述第二晶体管T2与所述第二像素电极30电连接。所述第一晶体管T1和所述第二晶体管T2均为薄膜晶体管。所述第一晶体管T1用于给所述第一像素电极20提供驱动电压，所述第二晶体管T2用于给所述第二像素电极30提供驱动电压，且所述第一晶体管T1给所述第一像素电极20提供的驱动电压与所述第二晶体管T2给所述第二像素电极30提供的驱动电压不同。如此，可通过调节所述第一像素电极20与所述第二像素电极30上的电压比，来调节所述第一像素电极20与所述第二像素电极30对应区域的亮度差，从而在视角上形成互补，改善视角。

在一种实施例中，所述第一像素电极20的面积与所述第二像素电极30的面积相同，也即所述第一像素电极20在所述像素区PD内的面积占比与所述第二像素电极30在所述像素区PD内的面积占比相同，以进一步改善视角。

下面继续阐述如何实现所述第一晶体管T1给所述第一像素电极20提供的驱动电压与所述第二晶体管T2给所述第二像素电极30提供的驱动电压不同。

在一种实施例中，多个晶体管还包括第三晶体管T3，所述第三晶体管T3的类型与所述第一晶体管T1和/或所述第二晶体管T2相同。所述第三晶体管T3与所述第二晶体管T2串联连接，用于对所述第二晶体管T2进行分压，使所述第二晶体管T2提供给所述第二像素电极30的驱动电压小于所述第一晶体管T1提供给所述第一像素电极20的驱动电压，进而使所述第二像素电极30上的电压小于所述第一像素电极20上的电压。

所述第一晶体管T1的源极S1与所述数据线DL电连接，所述第一晶体管T1的漏极D1与所述第一像素电极20电连接。所述第二晶体管T2的源极S2与所述数据线DL电连接，所述第二晶体管T2的漏极D2与所述第二像素电极30电连接，且所述第二晶体管T2的漏极D2还与所述第三晶体管T3的源极S3电连接。所述第一晶体管T1的栅极G1、所述第二晶体管T2的栅极G2以及所述第三晶体管T3的栅极G3均与同一条所述栅极扫描线GL电连接。当然地，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2以及所述第三晶体管T3均还包括有源层(图3未示出)，关于有源层将在后面阐述所述阵列基板100的具体膜层结构时详细说明。

进一步地，所述阵列基板100还包括共享放电棒40，所述共享放电棒40与所述第三晶体管T3的漏极D3电连接，以使所述第三晶体管T3对所述第二晶体管T2进行分压。可选地，所述共享放电棒40与所述数据线DL同层设置。

需要说明的是，本实用新型中的“同层设置”是指在制备工艺中，将相同材料形成的膜层进行图案化处理得到至少两个不同的结构，则所述至少两个不同的结构同层设置。比如，本实施例的所述共享放电棒40与所述数据线DL由同一导电膜层进行图案化处理后得到，则所述共享放电棒40与所述数据线DL同层设置。

在一种实施例中，所述共享放电棒40包括沿所述第一方向X延伸的第一子放电棒41，所述第一子放电棒41与所述栅极扫描线GL对应设置。具体而言，所述第一子放电棒41设置在所述栅极扫描线GL的上方，也即所述第一子放电棒41位于所述栅极扫描线GL远离所述衬底10的一侧。需要说明的是，本实用新型中一个结构位于另一个结构的“上方”或“下方”均是以所述衬底10作为基准面的空间位置关系，比如第一结构位于第二结构的上方是指第一结构位于第二结构远离所述衬底10的一侧，第一结构位于第二结构的下方是指第一结构位于第二结构靠近所述衬底10的一侧。就如，所述第一子放电棒41设置在所述栅极扫描线GL的上方即是指所述第一子放电棒41位于所述栅极扫描线GL远离所述衬底10的一侧。

所述第一子放电棒41在所述第二方向Y上的宽度小于所述栅极扫描线GL在所述第二方向Y上的宽度。更具体地，所述第一子放电棒41在所述衬底10上的正投影落在所述栅极扫描线GL在所述衬底10上的正投影的范围内，使所述栅极扫描线GL能够完全遮挡所述第一子放电棒41，以对所述第一子放电棒41进行遮光。

如此，通过将所述第一子放电棒41设置在所述栅极扫描线GL的上方，不仅能够使所述第三晶体管T3对所述第二晶体管T2进行分压，还能够避免所述第一子放电棒41占用所述子像素SP的开口面积，从而可以提高每个子像素SP的开口率，进而提高穿透率，实现节能的目的。

在另一种实施例中，结合图3和图4，所述共享放电棒40还包括沿所述第二方向Y延伸的第二子放电棒42，所述第二子放电棒42连接于所述第一子放电棒41，所述第二子放电棒42与所述数据线DL同层设置。可选地，所述第二子放电棒42与所述第一子放电棒41一体式设置。所述第二子放电棒42与所述第一主干电极21和所述第二主干电极31对应设置，以避免所述第二子放电棒42影响所述子像素SP的开口面积。

具体而言，所述第二子放电棒42设置于所述第一主干电极21和所述第二主干电极31的下方，也即所述第二子放电棒42位于所述第一主干电极21和所述第二主干电极31靠近所述衬底10的一侧。所述第二子放电棒42在所述第一方向X上的宽度小于或者等于所述第一主干电极21在所述第一方向X上的宽度，且还小于或者等于所述第二主干电极31在所述第一方向X上的宽度。

需要说明的是，由于所述第二子放电棒42设置于所述第一主干电极21和所述第二主干电极31的下方，被所述第一主干电极21和所述第二主干电极31遮挡，故图3中用虚线示意出了所述第二子放电棒42的位置，而为了清楚示出所述第二子放电棒42的位置，图4移除了位于所述第二子放电棒42的上方的所述第一像素电极20和所述第二像素电极30。

可选地，在所述第二方向Y上，所述第一主干电极21和所述第二主干电极31重叠，且所述第一主干电极21位于所述第一像素电极20的中间区域，所述第一主干电极21把所述第一像素电极20划分为面积相同的两部分。所述第二主干电极31位于所述第二像素电极30的中间区域，所述第二主干电极31把所述第二像素电极30划分为面积相同的两部分。如此，所述第二子放电棒42对应所述第一像素电极20和所述第二像素电极30的中间区域设置，把所述第一像素电极20和所述第二像素构成的八个显示畴划分为两个面积相同的部分，以进一步优化视角。每个部分包括四个显示畴，其中四个显示畴位于所述第二子放电棒42的一侧，另外四个显示畴位于所述第二子放电棒42的另一侧。

在一种实施例中，所述阵列基板100还包括沿所述第二方向Y延伸的第一遮光部51，所述第一遮光部51与所述第二子放电棒42对应设置，且位于所述第二子放电棒42的下方，以对所述第二子放电棒42进行遮光。需要说明的是，所述阵列基板100在采用4Msak工艺制备时，与所述数据线DL同层设置的所有结构均包括金属层以及位于金属层下方的半导体部，比如所述第一子放电棒41和所述第二子放电棒42均包括金属层以及位于金属层下方的半导体部，因此通过所述第一遮光部51遮挡所述第二子放电棒42，能够避免所述第二子放电棒42中的半导体部发生光漏电，如图5所示。

可选地，所述第一遮光部51与所述栅极扫描线GL同层设置，且所述第一遮光部51在所述第一方向X上的宽度大于所述第二子放电棒42在所述第一方向X上的宽度，以完全遮挡住所述第二子放电棒42。所述第一遮光部51与所述栅极扫描线GL断开设置，也即所述第一遮光部51与所述栅极扫描线GL之间不存在连接关系，所述第一遮光部51与所述栅极扫描线GL之间绝缘。

在一种实施例中，所述阵列基板100还包括第二遮光部52，所述第二遮光部52与所述数据线DL对应设置，且位于所述数据线DL的上方，以对所述数据线DL进行遮光。所述第二遮光部52与所述第一像素电极20和所述第二像素电极30同层设置。可选地，所述第二遮光部52的宽度大于所述数据线DL的宽度，使得所述数据线DL在所述衬底10上的正投影完全落在所述第二遮光部52在所述衬底10上的正投影范围内，以避免对应所述数据线DL的位置漏光。

下面将以所述第二晶体管T2为例具体阐述所述阵列基板100的具体膜层结构。

参照图5，所述阵列基板100包括依次层叠设置在所述衬底10上的第二晶体管T2、第二像素电极30，所述第二晶体管T2与所述第二像素电极30电连接，用于给所述第二像素电极30提供驱动电压。

可选地，所述衬底10可以为刚性基板或柔性基板；所述衬底10为刚性基板时，可包括玻璃基板等硬性基板；所述衬底10为柔性基板时，可包括聚酰亚胺(Polyimide，PI)薄膜、超薄玻璃薄膜等柔性基板。

可选地，所述衬底10与所述第二晶体管T2之间还可设置缓冲层11，所述缓冲层11可以防止不期望的杂质或污染物(例如湿气、氧气等)从所述衬底10扩散至可能因这些杂质或污染物而受损的器件中，同时还可以提供平坦的顶表面。

所述第二晶体管T2包括依次层叠设置在所述缓冲层11上的所述栅极G2、所述有源层AS、所述源极S2以及所述漏极D2。当然地，所述阵列基板100还包括位于所述第二晶体管T2的各元件之间的绝缘层，比如位于所述第二晶体管T2的栅极G2与有源层AS之间的栅极绝缘层12，位于所述第二晶体管T2的源极S2、漏极D2与第二像素电极30之间的钝化层13。

所述有源层AS包括沟道区以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区，所述栅极G2与所述沟道区对应设置。所述源极S2和所述漏极D2分别覆盖在对应的所述源极区和所述漏极区。所述第二像素电极30通过所述钝化层13的过孔与所述源极S2或所述漏极D2连接，本实用新型实施例以所述第二像素电极30与所述漏极D2电连接为例说明。

所述第一遮光部51位于所述缓冲层11上，并与所述第二晶体管T2的栅极G2同层设置，所述第二晶体管T2的栅极G2与所述栅极扫描线GL同层设置。所述第二子放电棒42位于所述栅极绝缘层12上，并与所述第二晶体管T2的源极S2和漏极D2同层设置，且所述第二子放电棒42与所述第一遮光部51对应设置。所述第二子放电棒42包括与所述第二晶体管T2的源极S2和漏极D2同层的金属层以及与所述第二晶体管T2的有源层AS同层的半导体部。所述第一像素电极20的所述第一主干电极21位于所述钝化层13上，所述第一主干电极21对应所述第二子放电棒42设置，所述第一主干电极21与所述第一分支电极23之间具有间隙，该间隙即为所述第一像素电极20的狭缝(slit)。

基于同一发明构思，本实用新型实施例还提供一种显示面板，请参照图1至图6，图6为本实用新型实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图。所述显示面板包括前述实施例其中之一的阵列基板100。所述显示面板为液晶显示面板等，本实施例以所述显示面板为液晶显示面板为例说明。具体地，参照图6，所述显示面板1000包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板的中的一个为前述实施例其中之一的阵列基板100。本实施例以所述第一基板为所述阵列基板100为例说明，则所述第二基板200为彩膜基板。所述显示面板1000还包括夹设在所述阵列基板100和所述第二基板200之间的液晶分子300。

根据上述实施例可知：

本实用新型提供一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线以及沿第二方向延伸的数据线，所述栅极扫描线和所述数据线交叉限定出多个像素区，每个所述像素区设置有一个子像素，所述子像素包括第一像素电极、第二像素电极以及位于所述第一像素电极和所述第二像素电极同一侧的多个晶体管，所述第一像素电极沿所述第一方向延伸，所述第二像素电极沿第一方向延伸，且在所述第二方向上，所述第二像素电极与所述第一像素电极间隔设置，且所述第二像素电极与所述第一像素电极均包括四个显示畴，使得每个子像素包括八个显示畴，以实现把八畴显示，改善视角，解决了现有三栅极式液晶显示面板存在的视角比较差的技术问题。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本实用新型实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线以及沿第二方向延伸的数据线，所述栅极扫描线和所述数据线交叉限定出多个像素区，每个所述像素区设置有一个子像素，所述子像素包括第一像素电极、第二像素电极以及位于所述第一像素电极和所述第二像素电极同一侧的多个晶体管，其中：

所述第一像素电极沿所述第一方向延伸；

所述第二像素电极沿所述第一方向延伸，且在所述第二方向上，所述第二像素电极与所述第一像素电极间隔设置，且所述第二像素电极与所述第一像素电极均包括四个显示畴；以及

所述多个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管与所述第一像素电极电连接，所述第二晶体管与所述第二像素电极电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多个晶体管还包括第三晶体管，所述第三晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极电连接，所述第二晶体管的漏极还与所述第二像素电极电连接，所述第二晶体管的源极与所述数据线电连接；

所述阵列基板还包括共享放电棒，所述共享放电棒与所述数据线同层设置，且与所述第三晶体管的漏极电连接。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述共享放电棒包括沿所述第一方向延伸的第一子放电棒，所述第一子放电棒与所述栅极扫描线对应设置。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子放电棒设置在所述栅极扫描线的上方，且所述第一子放电棒在所述第二方向上的宽度小于所述栅极扫描线在所述第二方向上的宽度。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述共享放电棒还包括沿所述第二方向延伸的第二子放电棒，所述第二子放电棒连接于所述第一子放电棒；

所述第一像素电极包括沿所述第二方向延伸的第一主干电极，所述第二像素电极包括沿所述第二方向延伸的第二主干电极，所述第二子放电棒设置于所述第一主干电极和所述第二主干电极的下方。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一主干电极和所述第二主干电极重叠，且所述第一主干电极位于所述第一像素电极的中间区域，所述第二主干电极位于所述第二像素电极的中间区域。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括沿所述第二方向延伸的第一遮光部，所述第一遮光部与所述第二子放电棒对应设置，且位于所述第二子放电棒的下方。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一遮光部与所述栅极扫描线同层设置，且所述第一遮光部在所述第一方向上的宽度大于所述第二子放电棒在所述第一方向上的宽度。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二遮光部，所述第二遮光部与所述数据线对应设置，且位于所述数据线的上方。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的阵列基板。