CN117253956A - 多层膜结构的Micro LED显示芯片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了多层膜结构的Micro LED显示芯片及其制备方法。所述显示芯片包括第一芯片和第二芯片，其中第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连。该芯片从上到下依次包括金属电极、钝化层、N型氮化镓层、多量子阱、P型氮化镓层、透明导电层、第一增透膜、第二增透膜、氧化物支撑层。本发明通过将两个Micro LED芯片串联，从而能够承受更高的工作电压，以氧化物支撑层支撑两个Micro LED芯片。P型氮化镓层、透明导电层、第一增透膜、第二增透膜和氧化物支撑层构成多层膜结构，增加光透过率，提升出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及Micro LED显示技术领域，具体涉及一种多层膜结构的Micro LED显示芯片及其制备方法。
背景技术
Micro LED作为新一代显示技术，具有高分辨率、高对比度、高亮度等特性，可广泛应用于AR、VR等可穿戴设备。相比于LCD和OLED，在能耗、使用寿命、响应速度、热稳定性等方面具有较大优势,将在未来显示技术中发挥不可替代的作用。像素尺寸为微米级的Micro-LED阵列不仅能作为高密度光源，还可集成探测器，实时感知和采集空间三维环境和人体运动信息来实现高交互性。具有高速响应速度的Micro-LED将为高速、长距离的可见光通信打下坚实基础。
现有技术中，一种高压LED芯片的制作方法(CN114400276A)中，蓝宝石衬底PSS为上下两层结构，上层为氧化硅SiO2，下层为蓝宝石Al2O3。在蓝宝石Al2O3图形化前，在蓝宝石Al2O3上沉积一层氧化硅SiO2，然后通过干法刻蚀做出蓝宝石衬底PSS，使用该衬底作业高压LED芯片，在电感耦合等离子体ICP刻蚀桥接隔离槽后，对蓝宝石衬底PSS进行腐蚀，将蓝宝石Al2O3上方的氧化硅SiO2去除。
现有技术中，一种Micro-LED芯片结构及其制备方法(CN116632034A)，属于LED半导体的技术领域。该Micro-LED芯片结构包括若干阵列分布的Micro-LED芯片，其特征在于，所述Micro-LED芯片包括衬底、Micro-LED主体和有源寻址驱动电路，所述Micro-LED主体包括自下而上依次沉积在所述衬底上的Si掺杂n型GaN层、多量子阱层、Mg掺杂p型GaN层；所述Micro-LED主体为具有一个台阶面的台阶结构，所述台阶面为所述Si掺杂n型GaN层的上表面；所述Micro-LED主体还包括经第一绝缘层间隔开，且分别连接于所述Si掺杂n型GaN层及所述Mg掺杂p型GaN层的第一金属层；所述有源寻址驱动电路包括均设置于所述衬底上的第一晶体管、第二晶体管和电容，所述Micro-LED主体、所述第一晶体管及所述第二晶体管依序分布于所述衬底上；通过所述第一晶体管控制所述Micro-LED主体的像素电路启闭，所述第二晶体管与电源连通并在特定脉冲时间段为所述Micro-LED主体提供稳定电流，以及用于存储信号的所述电容在脉冲结束后为所述Micro-LED主体提供稳定电流，以使有源寻址驱动所述Micro-LED主体。
现有技术中，一种纵列全彩显示Micro-LED芯片及其制作方法(CN116564947A)，该芯片从下至上依次包括红光芯片层、滤光层、绿光芯片层、蓝宝石衬底、蓝光芯片层；红光芯片层、绿光芯片层、蓝光芯片层自下而上纵向堆叠组装。本发明通过将红、绿、蓝光三种外延结构纵向堆叠组装，在红光外延层和绿光外延层之间设置有滤光层，滤光层可以反射蓝绿光，红光可以透射过去，使得三种外延结构可以独立发光，形成了纵向排列的全彩显示Micro-LED。
现有技术中，一种Micro LED芯片及其制备方法(CN116544263A)。包括以下步骤：提供衬底，在衬底上生长氮化镓层，在氮化镓层上刻蚀周期性制备多个LED阵列；提供填充层，填充层与LED阵列的表面齐平；提供驱动芯片，填充层与驱动芯片键合；去除衬底和多余的氮化镓层，形成包括驱动芯片和LED阵列的晶圆结构；在晶圆结构上形成光导层；在光导层上刻蚀形成多个反射部，以整合LED阵列的显示位置。通过上述步骤，该发明是在光导层上刻蚀形成多个反射部，通过反射部的反射作用改变LED阵列的发光方向，从而达到整个芯片上不同LED阵列的显示位置均能够按照像素排列的需求排布的目的。
现有技术中，一种Micro-LED芯片及其制作方法(CN116137306A)，包括P电极、N电极、钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、GaAs衬底；所述P电极在所述第一半导体层上并穿过所述钝化层；所述第一半导体层由GaP窗口层和P-AlGaInP限制层组成；所述第二半导体层由N-AlGaInP限制层、GaAs接触层、N-AlGaInP电流扩展层和GaAs牺牲层组成；所述N电极在所述GaAs接触层上并穿过所述钝化层；所述GaAs牺牲层被去除后，所述第二半导体层与所述GaAs衬底之间呈镂空状态，外延层和GaAs衬底分离后，外延层在靠近P电极一侧通过钝化层与GaAs衬底连接；所述钝化层覆盖除所述P电极和N电极外的芯片表面，并覆盖靠近P电极一侧的芯片侧壁并与GaAs衬底连接，靠近N电极一侧的侧壁露出，钝化层仅覆盖至GaAs接触层；所述钝化层由聚酰亚胺组成。
与大尺寸LED芯片相比，Micro LED芯片由于芯片尺寸和间距的限制，使其难以在高电压下工作。此外，Micro-LED芯片和驱动基板通过倒装键合工艺完成电性连接和物理连接。传统倒装键合技术中，需要去除衬底，使得Micro LED无法刻蚀隔离槽结构。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提供了一种具有多层膜结构的Micro LED显示芯片的制作方法。
本发明提供了一种Micro LED芯片串联的结构，能够承受更高的工作电压。
本发明提供了一种具有增透膜结构的Micro LED芯片制备方法，提高Micro LED芯片出光效率。
本发明提供了一种具有支撑层结构的Micro LED芯片制备方法。
一种多层膜结构的Micro LED显示芯片，包括第一芯片和第二芯片；
第一芯片和第二芯片均包括自下而上堆叠的透明导电层、P型氮化镓层、多量子阱和N型氮化镓层；
第一芯片和第二芯片均设置在从下而上堆叠的氧化物支撑层、第二增透膜和第一增透膜上；
第一芯片和第二芯片中，均在透明导电层上沉积有P电极，均在N型氮化镓层上沉积有N电极；
第一芯片和第二芯片上，除沉积P电极和N电极的位置外，均沉积有钝化层；
第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连。
进一步地，所述第一增透膜为氮化铝；所述第二增透膜为氧化铝。
进一步地，所述氧化物支撑层为二氧化硅；所述钝化层为二氧化硅。
制备多层膜结构的Micro LED显示芯片的方法，包括以下步骤：
S1、提供第一衬底，所述第一衬底上依次生长氮化镓层和第一氧化物支撑层；
S2、提供第二衬底，所述第二衬底上依次生长N型氮化镓层、多量子阱、P型氮化镓层、透明导电层、第一增透膜、第二增透膜和第二氧化物支撑层；
S3、所述第一衬底和所述第二衬底通过第一氧化物支撑层和第二氧化物支撑层键合；
S4、剥离键合后的所述第二衬底，露出N型氮化镓层；
S5、刻蚀所述N型氮化镓层至透明导电层，所述透明导电层部分刻蚀，形成台面结构，台面结构包括自下而上堆叠的透明导电层、P型氮化镓层、多量子阱和N型氮化镓层；深沟道刻蚀所述N型氮化镓层至第一增透膜，形成所述第一芯片和所述第二芯片；
S6、所述第一芯片和所述第二芯片表面沉积钝化层，刻蚀所述钝化层开孔出第一芯片和第二芯片的N电极与P电极的孔位；
S7、所述钝化层开孔处沉积第一芯片和第二芯片的N电极与P电极；第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连；
S8、剥离所述第一衬底，形成多层膜结构的Micro LED，以第一氧化物支撑层和第二氧化物支撑层作为所述第一芯片和所述第二芯片的支撑结构。
进一步地，第一衬底为蓝宝石衬底。
进一步地，第二衬底为蓝宝石衬底。
进一步地，氮化镓层为未掺杂的氮化镓薄层，厚度为10nm。
进一步地，第一衬底和第二衬底键合为二氧化硅活化键合。
进一步地，剥离第二衬底和剥离第一衬底为激光剥离衬底；
进一步地，剥离第一衬底中氮化镓层被分解。
相比于现有技术，本发明的优点在于：
本发明通过将两个Micro LED芯片相连组成串联结构，使其能够承受更高的工作电压。为了方便后续与驱动基板键合，设置了氧化物支撑层，使其能够刻蚀隔离槽结构。支撑层结构有效避免了两个Micro LED芯片在键合过程中发生断裂，提高了稳定性。此外，在出光面设置多层膜结构，增加光透过率，提高其出光效率。
附图说明
图1为本发明实施例步骤S1中所述LED芯片外延结构示意图；
图2为本发明实施例步骤S2中所述LED芯片结构示意图；
图3为本发明实施例步骤S3中所述LED芯片键合结构示意图；
图4为本发明实施例步骤S4中所述LED芯片结构示意图；
图5为本发明实施例步骤S5中所述LED芯片台面结构示意图；
图6为本发明实施例步骤S6中所述LED芯片结构示意图；
图7为本发明实施例步骤S7中所述LED芯片结构示意图；
图8为本发明实施例步骤S8中所述多层膜结构Micro LED芯片结构示意图；
图9为本发明实施例所述LED芯片三维结构示意图。
具体实施方案
为了能够更清楚地理解本发明的特征和优点，下面将对本发明的方案进行详细、完整地描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
本发明所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。
在本发明的描述中，需要说明的是，涉及到方位描述，例如上、下、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
实施例：
一种多层膜结构的Micro LED显示芯片，如图8和图9所示，包括第一芯片和第二芯片；
第一芯片和第二芯片均包括自下而上堆叠的透明导电层401、P型氮化镓层203、多量子阱301和N型氮化镓层202；
第一芯片和第二芯片均设置在从下而上堆叠的氧化物支撑层、第二增透膜601和第一增透膜501上；
第一芯片和第二芯片中，均在透明导电层401上沉积有P电极，均在N型氮化镓层202上沉积有N电极；
第一芯片和第二芯片上，除沉积P电极和N电极的位置外，均沉积有钝化层703；
第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连。
在一个实施例中，所述第一增透膜501为氮化铝；所述第二增透膜601为氧化铝。
在一个实施例中，所述氧化物支撑层为二氧化硅；所述钝化层703为二氧化硅。
制备多层膜结构的Micro LED显示芯片的方法，包括以下步骤：
S1、提供第一衬底101，如图1所示，所述第一衬底101上依次生长氮化镓层201和第一氧化物支撑层701，如图2所示；
S2、提供第二衬底102，所述第二衬底102上依次生长N型氮化镓层202、多量子阱301、P型氮化镓层203、透明导电层401、第一增透膜501、第二增透膜601和第二氧化物支撑层702，如图2所示；
S3、所述第一衬底101和所述第二衬底102通过第一氧化物支撑层701和第二氧化物支撑层702键合，如图3所示；
S4、剥离键合后的所述第二衬底102，露出N型氮化镓层202，如图4所示；
S5、刻蚀所述N型氮化镓层202至透明导电层401，所述透明导电层401部分刻蚀，形成台面结构，台面结构包括自下而上堆叠的透明导电层401、P型氮化镓层203、多量子阱301和N型氮化镓层202；深沟道刻蚀所述N型氮化镓层202至第一增透膜501，形成所述第一芯片和所述第二芯片，如图5所示；
S6、所述第一芯片和所述第二芯片表面沉积钝化层703，刻蚀所述钝化层703开孔出第一芯片和第二芯片的N电极与P电极的孔位，如图6所示；
S7、所述钝化层开孔处沉积第一芯片和第二芯片的N电极与P电极；第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连，如图7所示；
S8、剥离所述第一衬底101，形成多层膜结构的Micro LED，以第一氧化物支撑层701和第二氧化物支撑层702作为所述第一芯片和所述第二芯片的支撑结构，如图8所示。
在一个实施例中，第一衬底101为蓝宝石衬底。
在一个实施例中，第二衬底102为蓝宝石衬底。
在一个实施例中，氮化镓层201为未掺杂的氮化镓薄层，厚度为10nm。
在一个实施例中，第一衬底101和第二衬底102键合为二氧化硅活化键合。
在一个实施例中，剥离第二衬底102和剥离第一衬底101为激光剥离衬底；
在一个实施例中，剥离第一衬底102中氮化镓层201被分解。
上面结合附图对本发明实施例作了详细说明，但是本发明不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。此外，在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
Claims (10)
1.多层膜结构的Micro LED显示芯片，其特征在于，包括第一芯片和第二芯片；
第一芯片和第二芯片均包括自下而上堆叠的透明导电层(401)、P型氮化镓层(203)、多量子阱(301)和N型氮化镓层(202)；
第一芯片和第二芯片均设置在从下而上堆叠的氧化物支撑层、第二增透膜(601)和第一增透膜(501)上；
第一芯片和第二芯片中，均在透明导电层(401)上沉积有P电极，均在N型氮化镓层(202)上沉积有N电极；
第一芯片和第二芯片上，除沉积P电极和N电极的位置外，均沉积有钝化层(703)；
第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连。
2.根据权利要求1所述的多层膜结构的Micro LED显示芯片，其特征在于，所述第一增透膜(501)为氮化铝；所述第二增透膜(601)为氧化铝。
3.根据权利要求1所述的多层膜结构的Micro LED显示芯片，其特征在于，所述氧化物支撑层为二氧化硅；所述钝化层(703)为二氧化硅。
4.制备权利要求1-3任一项所述的多层膜结构的Micro LED显示芯片的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供第一衬底(101)，所述第一衬底(101)上依次生长氮化镓层(201)和第一氧化物支撑层(701)；
S2、提供第二衬底(102)，所述第二衬底(102)上依次生长N型氮化镓层(202)、多量子阱(301)、P型氮化镓层(203)、透明导电层(401)、第一增透膜(501)、第二增透膜(601)和第二氧化物支撑层(702)；
S3、所述第一衬底(101)和所述第二衬底(102)通过第一氧化物支撑层(701)和第二氧化物支撑层(702)键合；
S4、剥离键合后的所述第二衬底(102)，露出N型氮化镓层(202)；
S5、刻蚀所述N型氮化镓层(202)至透明导电层(401)，所述透明导电层(401)部分刻蚀，形成台面结构，台面结构包括自下而上堆叠的透明导电层(401)、P型氮化镓层(203)、多量子阱(301)和N型氮化镓层(202)；深沟道刻蚀所述N型氮化镓层(202)至第一增透膜(501)，形成所述第一芯片和所述第二芯片；
S6、所述第一芯片和所述第二芯片表面沉积钝化层(703)，刻蚀所述钝化层(703)开孔出第一芯片和第二芯片的N电极与P电极的孔位；
S7、所述钝化层开孔处沉积第一芯片和第二芯片的N电极与P电极；第一芯片的N电极与第二芯片的P电极相连；
S8、剥离所述第一衬底(101)，形成多层膜结构的Micro LED，以第一氧化物支撑层(701)和第二氧化物支撑层(702)作为所述第一芯片和所述第二芯片的支撑结构。
5.根据权利要求4所述的制备多层膜结构的Micro LED显示芯片的方法，其特征在于：第一衬底(101)为蓝宝石衬底。
6.根据权利要求4所述的制备多层膜结构的Micro LED显示芯片的方法，其特征在于：第二衬底(102)为蓝宝石衬底。
7.根据权利要求4所述的制备多层膜结构的Micro LED显示芯片的方法，其特征在于：氮化镓层(201)为未掺杂的氮化镓薄层，厚度为10nm。
8.根据权利要求4所述的制备多层膜结构的Micro LED显示芯片的方法，其特征在于：第一衬底(101)和第二衬底(102)键合为二氧化硅活化键合。
9.根据权利要求4所述的制备多层膜结构的Micro LED显示芯片的方法，其特征在于：剥离第二衬底(102)和剥离第一衬底(101)为激光剥离衬底。
10.根据权利要求9所述的制备多层膜结构的Micro LED显示芯片的方法，其特征在于：剥离第一衬底(102)中氮化镓层(201)被分解。
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|---|---|---|---|---|
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