CN117241926A - 半导体功率模块以及用于制造这种模块的方法和工具 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 108
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 33
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 20
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
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- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14065—Positioning or centering articles in the mould
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/1418—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles the inserts being deformed or preformed, e.g. by the injection pressure
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C2045/1486—Details, accessories and auxiliary operations
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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Abstract
公开了一种半导体功率模块(10),包括放置在基板(7)上的一个或多个半导体(4)。功率模块(10)包括由接触引脚(6)形成的触点,该接触引脚设置有具有中心部分(13)的塑料套管(5)。其中,接触引脚(6)包括纵向轴线(Y)。塑料套管(5)包封接触引脚(6)的一部分。套管(5)的远侧部分包括塑性变形区(8)。套管(5)包封接触引脚(6)的近侧部分,其中,套管(5)从其远侧部分到其近侧部分是连续的,并且近侧部分与基板(7)或与基板(7)直接接触的结构(9)直接接触。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于对半导体功率模块进行塑封的塑封工具。本发明还涉及一种半导体功率模块和一种用于制造这种半导体功率模块的方法。
背景技术
在功率电子器件领域,带框架的模块和塑封的模块是众所周知的。这种模块包括半导体部件,比如呈例如IGBT或MOSFET的形式的半导体开关。这种部件可以使用硅基半导体,或者如越来越普遍的那样使用宽带隙半导体,比如碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)基半导体。在功率模块中,己知使用负载和控制引脚,这些引脚通过设置在塑封壳体中的开口延伸出塑封壳体。
对于在操作中使用高切换频率的功率模块,特别是在使用宽带隙半导体技术的情况下,至关重要的是在连接部件和控制电子器件或负载的同时,接触引脚沿着最短的可能路径延伸。然而,具有顶部接触引脚的塑封功率模块很少见,因为所需的生产步骤难以实行。
己知具有与塑封料相同的高度的接触引脚,其中接触引脚在塑封之前被紧固到基板上。
还己知具有高于塑封料并且因此在完成的模块中延伸到模塑料之外的接触引脚。这些接触引脚在塑封过程之前被紧固到基板上。为了实施塑封过程,需要应用牢固地或半牢固地连接到接触引脚的密封元件。这些密封元件需要在接触引脚附接到基板之前固定到接触引脚上。
现有技术解决方案的缺点之一是,在接触引脚附接到基板之前,密封元件连接到接触引脚。因此,接触引脚的超声波焊接是困难的,并且需要复杂的工具。因此,很少使用用于将接触引脚附接到基板上的方法,例如焊接或粘性结合。如果密封元件的安装是在附接接触引脚之后执行的(同时使用现有技术的解决方案),密封元件将不会朝向上模具中的开口的密封点施加任何压力。这具有不期望的后果,即塑封料可能进入上模工具中的开口。这可能导致比如在塑封过程中塑封料的溢出以及模具或接触引脚的污染等问题。
因此,需要减少或者甚至消除现有技术的上述缺点的一种塑封工具、一种方法、一种半导体功率模块和一种接触引脚单元。
本发明的目的是提供其中可以建立上模工具中的开口的足够紧密的密封的一种塑封工具和一种方法。目的还是提供一种可以被制造而不会出现上述缺点的半导体功率模块。
本发明的进一步的目的还是提供一种适用于在以上塑封工具和方法中使用以便制造具有上述优点的功率模块的接触引脚单元。
发明内容
本发明的目的可以通过权利要求1中限定的塑封工具、权利要求5中限定的方法、权利要求10中限定的半导体功率模块和权利要求15中限定的接触引脚单元来实现。优选实施例在从属权利要求中定义、在以下描述中解释、并且在附图中展示。
根据本发明的塑封工具是用于对半导体功率模块进行塑封的塑封工具,其中功率模块包括基板和电连接到基板的电气接触引脚,其中,塑封工具包括上模工具和下模工具,该上模工具和下模工具被配置为接合并且由此形成将填充有封装塑封料的模腔,以便封装半导体功率模块的电气部件,其中,上模工具设置有开口,该开口被配置为接纳电气接触引脚的远侧部分,其中,该开口包括:
-居中布置的圆柱形部分,该居中布置的圆柱形部分具有纵向轴线和宽度,以及
-倾斜部分,该倾斜部分相对于纵向轴线成20至70度的范围内的角度,其中,倾斜部分的宽度超过圆柱形部分宽度的1.5倍。
因此,可以提供一种通过其可以提供上模工具中的开口的足够紧密的密封的塑封工具。因此,在塑封期间,接触引脚可以保持完全没有塑封料,使得引脚在连接到电气部件时提供良好的导电性。
基板可以是直接铜键合(Direct Copper Bonding,DCB)基板。可能有利的是由于其良好的导热性而使用DCB基板。
电气接触引脚电连接到基板。引脚可以是焊接引脚。在一个实施例中,引脚是适于***到印刷电路板(printed circuit board,PCB)中的孔中的压配合引脚。在一个实施例中,引脚包括被形成为通过使用螺纹连接来连接的孔或螺纹孔。
塑封工具包括上模工具和下模工具,该上模工具和下模工具被配置为接合并且由此形成要被填充封装塑封料的模腔。
上模工具设置有开口,该开口被配置为接纳电气接触引脚的远侧部分。因此,可以防止塑封料在塑封过程中与电气接触引脚的远侧部分接触。
开口包括:
-居中布置的圆柱形部分,该居中布置的圆柱形部分具有纵向轴线和宽度,以及
-倾斜部分,该倾斜部分相对于纵向轴线成20至70度的范围内的角度,其中,倾斜部分的宽度超过圆柱形部分宽度的1.5倍。
在一个实施例中,倾斜部分被布置为与圆柱形部分相邻。
在一个实施例中,中间部分可以设置在倾斜部分与圆柱形部分之间。
在优选实施例中,倾斜部分在圆柱形部分的延伸部中延伸,使得倾斜部分从圆柱形部分突出。
在一个实施例中,相对于圆柱形部分的纵向轴线的角度在30至60度的范围内。
在一个实施例中,相对于圆柱形部分的纵向轴线的角度在35至55度的范围内。
在一个实施例中,相对于圆柱形部分的纵向轴线的角度在40至50度的范围内。
在一个实施例中,倾斜部分的表面是圆锥形的。
在一个实施例中,倾斜部分的表面的横截面包括平面段。
在一个实施例中,倾斜部分的表面是凸形的。这在围绕引脚的塑封区域的凹形表面是令人期望的时可能是有利的。
在一个实施例中,倾斜部分的表面的横截面包括凹形部分。
在一个实施例中,倾斜部分的表面是凹形的。这在围绕引脚的塑封区域的凸形表面是令人期望的时可能是有利的。
在一个实施例中,开口包括基本为圆柱形的近侧部分。这是优点,因为基本为圆柱形的近侧部分易于***引脚的远侧部分。
在一个实施例中,倾斜部分的表面的横截面包括凸形部分。
在一个实施例中,圆柱形部分的宽度大于接触引脚的远侧部分的宽度,并且小于接触引脚的近侧部分的宽度。
在一个实施例中,倾斜部分的最大宽度倾斜部分的宽度等于接触引脚的圆柱形部分的宽度或是接触引脚的圆柱形部分的宽度的2倍。
根据本发明的方法是一种制造半导体功率模块的方法,该半导体功率模块具有基板和电连接到基板的电气接触引脚,其中,接触引脚具有纵向轴线,其中,接触引脚设置有具有中心部分的塑料套管,其中,该方法包括以下步骤:
-将套管布置在套管包封接触引脚的一部分时的位置,其中,套管从其远侧部分到其近侧部分是连续的,并且近侧部分与基板或与基板直接接触的结构直接接触;
-在套管的远侧部分中提供可塑性变形区,其中,套管将用于使可塑性变形区塑性变形的力沿着接触引脚的纵向轴线传递到基板或与基板直接接触的结构。
因此,该方法使得可以提供上模工具中的开口的足够紧密的密封。因此,在塑封期间,接触引脚可以保持完全没有塑封料,使得引脚在连接到电气部件时提供良好的导电性。
塑料套管的使用使得可以在套管的远侧部分提供可塑性变形区。套管的几何形状应该根据接触引脚和开口的几何形状来选择。
该方法包括将套管布置在套管包封接触引脚的一部分时的位置的步骤,其中,套管从其远侧部分到其近侧部分是连续的,并且近侧部分与基板或与基板直接接触的结构直接接触。这个步骤使得可以提供上模工具中的开口的足够紧密的密封。这可以通过保持套管的近侧部分与基板或与基板直接接触的结构直接接触来实现。作为示例,与基板直接接触的结构可以是接触引脚的近侧结构。
当上模工具和下模工具被压在一起时,在套管的远侧部分中产生塑性变形区。这是可以被实现的,因为套管将用于使塑性变形区塑性变形的力沿着接触引脚的纵向轴线传递到基板或与基板直接接触的结构。
在一个实施例中,通过使用根据本发明的塑封工具制成塑性变形区。
在一个实施例中,套管具有中心部分,其中,可塑性变形区从套管的中心部分突出。这将使塑性变形区更容易抵靠开口进行密封。
在一个实施例中,接触引脚包括布置在接触引脚的近端的脚部,其中,脚部从接触引脚的中心部分突出,其中,脚部垂直于接触引脚的纵向轴线延伸。当上模工具和下模工具被压在一起时,在套管的远侧部分中产生塑性变形区,因为套管将(用于使可塑性变形区塑性变形的)力沿着接触引脚的纵向轴线传递到与基板直接接触的脚部。
在一个实施例中,套管包括设置在套管的近端的突出部分,其中,突出部分从套管的中心部分突出,其中,突出部分垂直于接触引脚的纵向轴线延伸。当上模工具和下模工具被压在一起时,在套管的远侧部分中产生塑性变形区,因为套管将(用于使可塑性变形区塑性变形的)力沿着接触引脚的纵向轴线传递到与基板直接接触的突出部分。
根据本发明的半导体功率模块是如下半导体功率模块,该半导体功率模块包括:
-一个或多个半导体,该一个或多个半导体放置在基板上;
-触点,该触点由接触引脚形成,该接触引脚设置有具有中心部分的塑料套管,其中,接触引脚包括纵向轴线,其中,塑料套管包封接触引脚的一部分,并且套管的远侧部分包括塑性变形区,其中,套管包封接触引脚的一部分,其中,套管从其远侧部分到其近侧部分是连续的,并且近侧部分与基板或与基板直接接触的结构直接接触,其中,套管适合于将力沿纵向轴线传递到基板或与基板直接接触的结构,该力足够大以使可塑性变形区塑性变形。
因此,塑性变形区被布置和配置为在塑封过程中用作密封元件,并防止塑封料流入上模工具上的开口中。因此,在塑封过程中,接触引脚可以保持完全没有塑封料,使得引脚在连接到电气部件时提供良好的导电性。
半导体功率模块可以包括几个半导体。在一个实施例中,基板是DCB基板。
半导体功率模块可以包括各自电连接到基板的几个电气接触引脚。
在一个实施例中,接触引脚包括脚部,该脚部的宽度大于接触引脚的远侧部分的宽度。因此,通过将用于使可塑性变形区塑性变形的力沿着接触引脚的纵向轴线传递到与基板附接的接触引脚的脚部,可以在套管的远侧部分中提供塑性变形区。
在一个实施例中,套管包括设置在套管的近端的突出部分,其中,突出部分从套管的中心部分突出,其中,突出部分垂直于接触引脚的纵向轴线延伸。因此,使套管的远侧部分中的可塑性变形区塑性变形所需的力可以经由套管通过设置在套管的近端中的突出部分传递到基板。
在一个实施例中,可塑性变形区从套管的中心部分突出。因此,塑性变形区可以以有效的方式抵靠开口的倾斜部分密封。
可能有利的是通过使用根据本发明的方法制造功率模块。
根据本发明的接触引脚单元包括:
-具有纵向轴线的电气接触引脚,
其中,接触引脚设置有具有中心部分的塑料套管,
其中,套管包封接触引脚的一部分,
其中,套管从其远侧部分到其近侧部分是连续的,并且近侧部分适合于与基板或与基板直接接触的结构直接接触;以及
其中,套管的远侧部分具有可塑性变形区,
其中,套管能够将用于使可塑性变形区塑性变形的力沿着接触引脚的纵向轴线传递到基板或与基板直接接触的结构。这种接触引脚单元适合于与基板形成电连接。
在一个实施例中,可塑性变形区从套管的中心部分突出。
在另一个实施例中,接触引脚包括布置在接触引脚的近端的脚部,其中,脚部从接触引脚的中心部分突出,其中,脚部垂直于接触引脚的纵向轴线延伸。
在另外的实施例中,套管包括设置在套管的近端的突出部分,其中,突出部分从套管的中心部分突出,其中,突出部分垂直于接触引脚的纵向轴线延伸。
在另外的实施例中,套管包括在塑封过程中使用的温度显著收缩的材料。
附图说明
从下文中给出的详细描述中,本发明将被更充分地理解。附图仅通过图示的方式给出,因此,它们不是对本发明的限制。在附图中:
图1示出了根据本发明的布置在塑封工具中的半导体功率模块的侧视图的示意性横截面视图;
图2示出了图1中示出的处于这样的配置中的半导体功率模块的示意性横截面视图,在该配置下,已经在塑料套管的远端产生了塑性变形区,其中功率模块布置在图1中示出的塑封工具中;
图3示出了通过使用图1和图2中示出的塑封工具制造的半导体功率模块的示意性横截面视图;
图4示出了根据本发明的另一半导体功率模块的示意性横截面视图;
图5示出了根据本发明的进一步的半导体功率模块的示意性横截面视图;
图6示出了根据本发明的布置在塑封工具中的半导体功率模块的侧视图的示意性横截面视图;
图7示出了图6中示出的处于这样的配置中的半导体功率模块的示意性横截面视图,在该配置下,已经在被放置在功率模块的基板上的塑料套管的远端产生了塑性变形区,其中功率模块布置在图6中示出的塑封工具中;
图8示出了根据本发明的布置在塑封工具中的半导体功率模块的示意性横截面视图;
图9示出了通过使用图8中示出的塑封工具制造的半导体功率模块的示意性横截面视图;
图10示出了展示用于制造根据本发明的半导体功率模块的方法步骤的流程图;
图11示出了根据本发明的布置在塑封工具中的半导体功率模块的侧视图的示意性横截面视图;以及
图12示出了图11中示出的处于这样的配置中的半导体功率模块的示意性横截面视图,在该配置下,已经在被放置在功率模块的基板上的塑料套管的远端产生了塑性变形区,其中功率模块已经从塑封工具中取出。
具体实施方式
为了说明本发明的优选实施例,现在详细参考附图,在图1中展示了根据本发明的布置在塑封工具中的半导体功率模块10的侧视图的示意性横截面视图。
半导体功率模块10包括基板7。基板可以是由陶瓷片夹在两片铜之间构成的直接铜键合(DCB)基板。电气接触引脚6附接到基板7的上表面,以将接触引脚6电连接到表面。接触引脚6从基板2的表面延伸,并被定位为被***到上模工具1的开口3中。接触引脚6的纵向轴线Y平行于开口3的纵向轴线X延伸。接触引脚6的纵向轴线Y垂直于基板7的纵向轴线Z延伸。半导体4放置在基板7上。
基板7被放置在下模工具2中。上模工具1和下模工具2被配置为接合并且由此形成将填充有塑封料的模腔,以便封装电气部件(半导体)4。上模工具1的开口3被配置为接纳电气接触引脚6的远侧部分。
接触引脚6包括布置在接触引脚6的近端中的脚部9。脚部9电连接到基板7的上表面。指示了脚部9的宽度L6。可以看出的是,接触引脚6的远侧部分的宽度L1小于脚部9的宽度L6,因为脚部9垂直于接触引脚6的纵向轴线Y延伸。
开口3包括近侧的、居中布置的圆柱形部分,该圆柱形部分的宽度L2大于接触引脚6的远侧部分的宽度L1。因此,接触引脚6的远侧部分可以被***到开口3中的圆柱形部分中并被其接纳。
塑料套管5包封接触引脚6的一部分。套管5搁置在接触引脚6的脚部9上。
开口3包括倾斜部分11。开口的纵向轴线X与倾斜部分11之间的角度α约为45度。角度α可以不同于45度。在一个实施例中,角度α在30至60度的范围内。
倾斜部分11的宽度L7是圆柱部分的宽度L2的两倍多。倾斜部分11被布置为与圆柱形部分相邻,并被设计为在套管5的远侧部分中提供塑性变形区。套管5被布置在套管5包封从脚部9延伸的接触引脚6的部分的近侧部分时的位置。套管5从其远侧部分到其近侧部分是连续的,并且套管5的近侧部分与脚部9直接接触,该脚部与基板7的上表面直接接触。
倾斜部分11被配置为当上模工具1和下模工具2被压在一起时在套管5的远侧部分中提供塑性变形区。当上模工具1和下模工具2被压在一起时,套管5将用于使可塑性变形区塑性变形的力沿着接触引脚6的纵向轴线Y传递到脚部9。因为脚部9与基板7的上表面直接接触。力将通过脚部9传递到基板7。
图1中展示了圆柱形部分的长度L5和开口3的倾斜结构11的长度L4(沿着纵向轴线X)。同样地,指示了倾斜部分11的倾斜结构的宽度L3。可以看出的是,图1中示出的倾斜部分11的横截面包括平面段。事实上,图1中示出的倾斜部分11的横截面的表面是平面的。然而,图1中示出的倾斜部分11的表面可以是圆锥形的。
重要的是强调功率模块10可以包括比图1中示出的单个半导体4更多的电气部件4。
图2展示了图1中示出的处于这样的配置中的半导体功率模块10的示意性横截面视图,在该配置中,已经在塑料套管5的远端中产生了塑性变形区8。功率模块10布置在图1中示出的塑封工具中。上模工具1和下模工具2已经被压在一起。因此,套管5已经沿着接触引脚6的纵向轴线Y传递用于使可塑性变形区8塑性变形的力。塑性变形区8将下模工具2的模腔14抵靠上模工具1的开口3紧紧地密封。因此,可以以其中没有塑封料进入开口3的方式将塑封料注入到模腔14中。
图3展示了通过使用图1和图2中示出的塑封工具制造的塑封后的半导体功率模块10的示意性横截面视图。塑封料已经被注入到下模工具的模腔中(参见图2)。
图4展示了根据本发明的另一半导体功率模块10的示意性横截面视图。除了套管5之外,功率模块10对应于图3中示出的功率模块,该套管被分成彼此上下布置的上片状构件5’和下片状构件5”。
图5展示了根据本发明的另外的半导体功率模块10的示意性横截面视图。功率模块10基本上对应于图3中示出的功率模块。然而,接触引脚6不包括脚部,并且套管5设置有突出部分12。当力通过套管5传递以提供塑性变形区8时,突出部分12将力分布到基板的上表面的更大区域。
图6展示了根据本发明的布置在塑封工具中的半导体功率模块10的侧视图的示意性横截面视图。半导体功率模块10和塑封工具基本上对应于图1。然而,接触引脚6不包括脚部,并且套管5具有突出部分12,类似于图5中示出的半导体功率模块10。事实上,图5中示出的半导体功率模块10通过使用图6和图7中示出的塑封工具1、2制成。
图7展示了图6中示出的处于如下配置中的半导体功率模块10的示意性横截面视图,其中已经在套管5的远端中产生了塑性变形区8。套管5放置在功率模块10的基板7的上表面上。功率模块10布置在对应于图6中示出的塑封工具的塑封工具中。
图8展示了根据本发明的布置在塑封工具中的半导体功率模块10的示意性横截面视图。图9展示了通过使用图8中示出的塑封工具制造的半导体功率模块10的示意性横截面视图。上模工具1和下模工具对应于图1、图2、图6和图7中示出的上模工具和下模工具。半导体功率模块10基本上对应于图1中示出且参考该图解释的半导体功率模块。然而,接触引脚6不包括脚部。接触引脚6是圆柱形的,并且其远侧部分已经被开口3的圆柱形部分接纳。套管5与基板7的上表面直接接触。在上模工具1和下模工具2接合的同时提供的压缩力引起开口3的倾斜部分11接触套管5的远侧部分并朝向其按压。因此,产生了塑性变形区8。
如图8和图9所示,倾斜部分11的几何形状限定了塑性变形区8的在塑性变形区8的形成结束时接触倾斜部分11的那部分的几何形状。
图10展示了流程图,展示了用于制造根据本发明的半导体功率模块的方法步骤。
在第一步骤中,塑料套管5被布置在半导体功率模块10的接触引脚6的一部分的外部。套管5的位置取决于接触引脚6和套管5的几何形状。如果接触引脚6包括脚部(如图1和图2所示),套管5将被放置在脚部上。然而,如果接触引脚6不包括脚部,而是圆柱形的(如图5、图6、图7、图8和图2所示),套管5将被放置在基板的上表面上或与基板的上表面直接接触的结构(例如薄板)上。
在下一步骤中,功率模块10被***到塑封工具中,该塑封工具包括具有开口3的上模工具1,该开口设置有倾斜的远侧部分11。这种塑封工具在图1、图2、图6、图7、图8和图11中示出。
在下一步骤中,将上模工具1和下模工具2推到一起,从而使塑料套管5的远侧部分与倾斜的远侧部分11接触,使得塑料套管5的远侧部分塑性变形。
在下一步骤中,将塑封料注入到塑封工具的模腔中。由此,功率模块10在塑封工具内部的同时被塑封。
最后,打开模具(通过将上模工具1和下模工具2背离彼此移动),并将塑封后的模块10从塑封工具中移除。
在替代性方法中,首先形成接触引脚单元。这种接触引脚单元包括:
-具有纵向轴线的电气接触引脚,
其中,接触引脚设置有具有中心部分的塑料套管,
其中,套管包封接触引脚的一部分,
其中,套管从其远侧部分到其近侧部分是连续的,并且近侧部分适合于与基板或与基板直接接触的结构直接接触;以及
其中,套管的远侧部分具有可塑性变形区,
其中,套管能够将用于使可塑性变形区塑性变形的力沿着接触引脚的纵向轴线传递到基板或与基板直接接触的结构。
一旦组装好,这种接触引脚单元就可以被放置在例如半导体功率模块的基板上的适当位置。然后,如以上方法所述,可以将功率模块***到塑封工具中。这种接触引脚单元的使用使得能够生产塑封后的功率模块,而无需在已经安装的接触引脚上布置塑料套管5的步骤。
在另外的替代性方法中,套管5可以包括在塑封过程中使用的温度显著收缩的材料。这种材料被称为“收缩管”、“热收缩件”或“热收缩管道”,并且可以由比如硅酮弹性体、含氟聚合物、PVC、氯丁橡胶或聚烯烃等热塑性材料制成。因此,这种套管5可以相对宽松地装配在接触引脚上,并且当功率模块10被***到塑封工具中并且经受塑封过程时,形成紧密得多的配合。结果,在塑封之后实现了充分的密封,使得湿气不能渗透到模块中。
图11展示了根据本发明的布置在塑封工具1、2中的半导体功率模块10的侧视图的示意性横截面视图。图12展示了图11中示出的处于这样的配置中的半导体功率模块10的示意性横截面视图,在该配置下,已经在被放置在功率模块10的基板7上的塑料套管5的远端产生了塑性变形区8,其中功率模块10已经从塑封工具1、2中移除。
塑封工具1、2对应于在图1、图2、图6、图7和图8中示出并参考这些图解释的塑封工具。套管5具有基本上对应于开口3的倾斜部分11的宽度的宽度L7。因此,塑性变形区8不在垂直于接触引脚6的纵向轴线Y的方向上从套管5的圆柱形部分突出。尽管如此,倾斜部分11能够抵靠开口3紧密密封,使得在塑封过程中没有注入的塑封料进入开口。
附图标记清单
1 上模工具
2 下模工具
3 上模工具上的开口
4 半导体
5 套管
5’ 上套管构件
5” 下套管构件
6 接触引脚
7 基板
8 可塑性变形区/塑性变形区
9 脚部
10 半导体功率模块
11 倾斜部分
12 套管的突出部分
13 套管的中心部分
14 模腔
X、Y 纵向轴线
α 角度
L1、L2、L3、L6 宽度
L4、L5 长度。
Claims (19)
1.一种用于对半导体功率模块(10)进行塑封的塑封工具,其中,该功率模块(10)包括基板(7)和电连接到该基板(7)的电气接触引脚(6),其中,该塑封工具包括上模工具(1)和下模工具(2),该上模工具和下模工具被配置为接合并且由此形成要被填充塑封料的模腔,以便封装该半导体功率模块(10)的电气部件(4),其中,该上模工具(1)设置有开口(3),该开口被配置为接纳该电气接触引脚(6)的远侧部分,其特征在于,该开口(3)包括:
-居中布置的圆柱形部分,该居中布置的圆柱形部分具有纵向轴线(X)和宽度(L2),以及
-倾斜部分(11),该倾斜部分相对于该纵向轴线(X)成20至70度的范围内的角度(α),其中,该倾斜部分(11)的宽度(L7)超过该圆柱形部分的宽度(L2)的1.5倍。
2.根据权利要求1所述的塑封工具,其中,该倾斜部分(11)的表面是平面的。
3.根据权利要求1或2所述的塑封工具,其中,该开口(3)包括基本为圆柱形的近侧部分。
4.根据前述权利要求之一所述的塑封工具,其中,该倾斜部分(11)的最大宽度(L7)该倾斜部分(11)的宽度(L7)等于该接触引脚(6)的圆柱形部分的宽度(L2)或是该接触引脚的圆柱形部分的宽度的2倍。
5.一种用于制造半导体功率模块(10)的方法,该半导体功率模块具有基板(7)和电连接到该基板(7)的电气接触引脚(6),其中,该接触引脚(6)具有纵向轴线(Y),其中,该接触引脚(6)设置有具有中心部分(13)的塑料套管(5),其特征在于,该方法包括以下步骤:
-将该套管(5)布置在该套管(5)包封该接触引脚(6)的一部分时的位置,其中,该套管(5)从其远侧部分到其近侧部分是连续的,并且该近侧部分与该基板(7)或与该基板(7)直接接触的结构(9)直接接触;
-在该套管(5)的远侧部分中提供可塑性变形区(8),其中,该套管(5)将用于使该可塑性变形区(8)塑性变形的力沿着该接触引脚(6)的纵向轴线(Y)传递到该基板(7)或与该基板(7)直接接触的该结构(9)。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,通过使用根据权利要求1至4之一所述的塑封工具制成该塑性变形区(8)。
7.根据权利要求5或6的方法,其中,该套管(5)具有中心部分(13),其中,该可塑性变形区(8)从该套管(5)的中心部分(13)突出。
8.根据权利要求5至7之一所述的方法,其中,该接触引脚(6)包括布置在该接触引脚(6)的近端的脚部(9),其中,该脚部(9)从该接触引脚(6)的中心部分突出,其中,该脚部(9)垂直于该接触引脚(6)的纵向轴线(Y)延伸。
9.根据权利要求5至7之一所述的方法,其中,该套管(5)包括设置在该套管(5)的近端的突出部分(12),其中,突出部分(12)从该套管(5)的中心部分(13)突出,其中,该突出部分(12)垂直于该接触引脚(6)的纵向轴线(Y)延伸。
10.一种半导体功率模块(10),包括:
-一个或多个半导体(4),该一个或多个半导体放置在基板(7)上;
-触点,该触点由接触引脚(6)形成,该接触引脚设置有具有中心部分(13)的塑料套管(5),其中,该接触引脚(6)包括纵向轴线(Y),其特征在于,该塑料套管(5)包封该接触引脚(6)的一部分,并且该套管(5)的远侧部分包括塑性变形区(8),其中,该套管(5)包封该接触引脚(6)的一部分,其中,该套管(5)从其远侧部分到其近侧部分是连续的,并且该近侧部分与该基板(7)或与该基板(7)直接接触的结构(9)直接接触,其中,该套管(5)适用于将力沿该纵向该轴线传递到该基板(7)或与该基板(7)直接接触的结构(9),该力足够大以使该可塑性变形区(8)塑性变形。
11.根据权利要求10所述的半导体功率模块(10),其中,
该接触引脚(6)包括脚部(9),该脚部的宽度(L6)大于该接触引脚(6)的远侧部分的宽度(L1)。
12.根据权利要求10或11所述的半导体功率模块(10),其中,该套管(5)包括设置在该套管(5)的近端的突出部分(12),其中,突出部分(12)从该套管(5)的中心部分(13)突出,其中,该突出部分(12)垂直于该接触引脚(6)的纵向轴线(Y)延伸。
13.根据权利要求10至12之一所述的半导体功率模块(10),其中,该塑性变形区(8)从该套管(5)的中心部分(13)突出。
14.根据权利要求10所述的半导体功率模块(10),其中,该功率模块(10)是通过使用根据权利要求5至9之一所述的方法制成的。
15.一种接触引脚单元,包括
-具有纵向轴线(Y)的电气接触引脚(6),
其中,该接触引脚(6)设置有具有中心部分(13)的塑料套管(5),
其中,该套管(5)包封该接触引脚(6)的一部分,
其中,该套管(5)从其远侧部分到其近侧部分是连续的,并且该近侧部分适用于与基板(7)或者与该基板(7)直接接触的结构(9)直接接触;以及
其中,该套管(5)的远侧部分可塑性变形区(8),
其中,该套管(5)能够将用于使该可塑性变形区(8)塑性变形的力沿着该接触引脚(6)的纵向轴线(Y)传递到该基板(7)或与该基板(7)直接接触的该结构(9)。
16.根据权利要求15所述的接触引脚单元,其中,该可塑性变形区(8)从该套管(5)的中心部分(13)突出。
17.根据权利要求15或16所述的接触引脚单元,其中,该接触引脚(6)包括布置在该接触引脚(6)的近端的脚部(9),其中,该脚部(9)从该接触引脚(6)的中心部分突出,其中,该脚部(9)垂直于该接触引脚(6)的纵向轴线(Y)延伸。
18.根据权利要求15至17之一所述的接触引脚单元,其中,该套管(5)包括设置在该套管(5)的近端的突出部分(12),其中,突出部分(12)从该套管(5)的中心部分(13)突出,其中,该突出部分(12)垂直于该接触引脚(6)的纵向轴线(Y)延伸。
19.根据权利要求15至19之一所述的接触引脚单元,其中,该套管(5)包括在该塑封过程中使用的温度显著收缩的材料。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DKPA202100441 | 2021-04-30 | ||
DKPA202100441 | 2021-04-30 | ||
DE102021120935.8 | 2021-08-11 | ||
PCT/EP2022/061244 WO2022229279A1 (en) | 2021-04-30 | 2022-04-27 | Semiconductor power module and method and tool for manufacturing such a module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117241926A true CN117241926A (zh) | 2023-12-15 |
Family
ID=83806333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202280031617.2A Pending CN117241926A (zh) | 2021-04-30 | 2022-04-27 | 半导体功率模块以及用于制造这种模块的方法和工具 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117241926A (zh) |
DE (1) | DE102021120935B4 (zh) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE102021120935A1 (de) | 2022-11-17 |
DE102021120935B4 (de) | 2023-08-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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