CN117024455A - 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 - Google Patents
一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117024455A CN117024455A CN202210465687.0A CN202210465687A CN117024455A CN 117024455 A CN117024455 A CN 117024455A CN 202210465687 A CN202210465687 A CN 202210465687A CN 117024455 A CN117024455 A CN 117024455A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substituted
- group
- unsubstituted
- phenyl
- deuterated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 33
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 141
- -1 methyl-substituted cyclopentyl group Chemical group 0.000 claims description 106
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 14
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical group [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 12
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 12
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 150000001975 deuterium Chemical group 0.000 claims description 8
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 8
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 claims description 7
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 claims description 7
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 6
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 claims description 6
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 6
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 4
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 claims description 4
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical group C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 claims description 3
- 125000004988 dibenzothienyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 claims description 3
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 claims description 2
- 125000000499 benzofuranyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 claims description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical class [H]C([H])([H])O* 0.000 claims description 2
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 2
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 2
- JNELGWHKGNBSMD-UHFFFAOYSA-N xanthone Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3OC2=C1 JNELGWHKGNBSMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 claims 1
- 125000005509 dibenzothiophenyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 34
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 62
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 50
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 32
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 29
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 29
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 238000004895 liquid chromatography mass spectrometry Methods 0.000 description 22
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 22
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 21
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 19
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 19
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N tritert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N N,N-Diisopropylethylamine (DIPEA) Chemical compound CCN(C(C)C)C(C)C JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical compound [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 16
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 13
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 11
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 7
- LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N potassium tert-butoxide Chemical compound [K+].CC(C)(C)[O-] LPNYRYFBWFDTMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 5
- UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N lithium;2-methylpropane Chemical compound [Li+].C[C-](C)C UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- FMKGJQHNYMWDFJ-CVEARBPZSA-N 2-[[4-(2,2-difluoropropoxy)pyrimidin-5-yl]methylamino]-4-[[(1R,4S)-4-hydroxy-3,3-dimethylcyclohexyl]amino]pyrimidine-5-carbonitrile Chemical compound FC(COC1=NC=NC=C1CNC1=NC=C(C(=N1)N[C@H]1CC([C@H](CC1)O)(C)C)C#N)(C)F FMKGJQHNYMWDFJ-CVEARBPZSA-N 0.000 description 2
- PAYROHWFGZADBR-UHFFFAOYSA-N 2-[[4-amino-5-(5-iodo-4-methoxy-2-propan-2-ylphenoxy)pyrimidin-2-yl]amino]propane-1,3-diol Chemical compound C1=C(I)C(OC)=CC(C(C)C)=C1OC1=CN=C(NC(CO)CO)N=C1N PAYROHWFGZADBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XFJBGINZIMNZBW-CRAIPNDOSA-N 5-chloro-2-[4-[(1r,2s)-2-[2-(5-methylsulfonylpyridin-2-yl)oxyethyl]cyclopropyl]piperidin-1-yl]pyrimidine Chemical compound N1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1OCC[C@H]1[C@@H](C2CCN(CC2)C=2N=CC(Cl)=CN=2)C1 XFJBGINZIMNZBW-CRAIPNDOSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- 229940127113 compound 57 Drugs 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical group C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229940058961 hydroxyquinoline derivative for amoebiasis and other protozoal diseases Drugs 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N pinacol Chemical compound CC(C)(O)C(C)(C)O IVDFJHOHABJVEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical class C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 2
- UJPMYEOUBPIPHQ-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoroethane Chemical class CC(F)(F)F UJPMYEOUBPIPHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- OMDTUSYJJFBYMG-UHFFFAOYSA-N 2,4-bis(9,9-dimethylfluoren-2-yl)-6-naphthalen-2-yl-1,3,5-triazine Chemical compound C1=CC=C2C(C)(C)C3=CC(C=4N=C(N=C(N=4)C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C5C6=CC=CC=C6C(C5=C4)(C)C)=CC=C3C2=C1 OMDTUSYJJFBYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWBPWBPGNQWFSJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenylaniline Chemical class NC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 TWBPWBPGNQWFSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVMSFILGAMDHEY-UHFFFAOYSA-N 6-(4-aminophenyl)sulfonylpyridin-3-amine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=N1 XVMSFILGAMDHEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQFIIADCVFHAKC-UHFFFAOYSA-N 9-[3-carbazol-9-yl-5-[2-phenyl-6-(4-phenylphenyl)pyrimidin-4-yl]phenyl]carbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2N=C(N=C(C=2)C=2C=C(C=C(C=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC=CC=2)C=C1 BQFIIADCVFHAKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000004074 biphenyls Chemical class 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 159000000006 cesium salts Chemical class 0.000 description 1
- AYTVLULEEPNWAX-UHFFFAOYSA-N cesium;azide Chemical compound [Cs+].[N-]=[N+]=[N-] AYTVLULEEPNWAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001942 cyclopropanes Chemical class 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUWHRJQTTVADPB-UHFFFAOYSA-N lithium azide Chemical compound [Li+].[N-]=[N+]=[N-] GUWHRJQTTVADPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N lithium;quinolin-8-ol Chemical compound [Li].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 SKEDXQSRJSUMRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004988 m-phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- UVEAFTFQMHUWEY-UHFFFAOYSA-N methane;1,2,4,5-tetrafluoro-3,6-dioxocyclohexane-1,2,4,5-tetracarbonitrile Chemical compound C.C.N#CC1(F)C(=O)C(F)(C#N)C(F)(C#N)C(=O)C1(F)C#N UVEAFTFQMHUWEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078552 o-xylene Drugs 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 150000004989 p-phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Chemical class 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical class CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003236 pyrrolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004059 quinone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Chemical class 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical class 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
- C07F5/02—Boron compounds
- C07F5/027—Organoboranes and organoborohydrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
- C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
- C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
- C07F7/0816—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring said ring comprising Si as a ring atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1007—Non-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1011—Condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
- C09K2211/1055—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms with other heteroatoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms
- C09K2211/107—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms with other heteroatoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1074—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing more than three nitrogen atoms as heteroatoms
- C09K2211/1085—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing more than three nitrogen atoms as heteroatoms with other heteroatoms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件,属于半导体技术领域。本发明有机化合物的结构如通式(1)或通式(2)所示,
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件。
背景技术
传统荧光掺杂材料受限于早期的技术,只能利用电激发形成的25%单线态激子发光,器件的内量子效率较低(最高为25%),外量子效率普遍低于5%,与磷光器件的效率还有很大差距。磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越,可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光,使器件的内量子效率达100%。但多数磷光材料价格昂贵,材料稳定性较差,色纯度较差,器件效率滚落严重等问题限制了其在OLED的应用。
随着5G时代的到来,对显色标准提出了更高的要求,发光材料除了高效、稳定,也需要更窄的半峰宽以提升器件发光色纯度。荧光掺杂材料可通过分子工程,实现高荧光量子、窄半峰宽,蓝色荧光掺杂材料已获得阶段性突破,硼类材料半峰宽可降低至30nm以下;而人眼更为敏感的绿光区域,研究主要集中在磷光掺杂材料,但其发光峰形难以通过简单方法缩窄,因此为满足更高的显色标准,研究窄半峰宽的高效绿色荧光掺杂材料具有重要意义。
另外,敏化技术将三线态激子敏化材料与荧光掺杂材料相结合,利用三线态激子敏化材料作为激子敏化媒介,充分利用三线态激子,通过能量传递将能量传递给荧光掺杂材料,同样可以达到100%的器件内量子效率,该技术能弥补荧光掺杂材料激子利用率不足的缺点,有效发挥荧光掺杂材料高荧光量子产率、高器件稳定性、高色纯度及价廉的特点,在OLEDs应用上具有广阔前景。
具有共振结构的硼类化合物更容易实现窄半峰宽发光,该类材料应用于敏化技术中,可以实现高效率、窄半峰宽发射的器件制备。如CN 107507921 A和CN 110492006 A中,公开了以最低单线态和最低三线态能级差小于等于0.2eV的TADF材料为主体,含硼类材料为掺杂的发光层组合技术;CN 110492005 A和CN 110492009 A中公开以激基复合物为主体,含硼类材料为掺杂的发光层组合方案;均能实现与磷光媲美的效率、相对较窄的半峰宽。因此,开发基于窄半峰宽硼类发光材料的敏化技术,在面向BT.2020显示指标上,具有独特的优势及强劲的潜力。
在专利CN111377955A中介绍了一种包含有两个B原子的化合物,这类材料具有较高的效率,但是其半峰宽较宽,导致色纯度较低。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题,本发明申请提供了一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件。本发明的化合物具有窄半峰宽、高荧光量子产率,可用作有机电致发光器件的发光层绿光掺杂材料,从而提升器件的发光色纯度和寿命。
本发明的技术方案如下:一种含硼有机化合物,所述含硼有机化合物的结构如通式(1)或通式(2)所示:
通式(1)和通式(2)中,Z每次出现相同或不同的表示为C-R1;
R1分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C1~C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
M1表示为取代或未取代的的C6~C30的芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
X表示为N(R2)、C(R3)(R4)、Si(R5)(R6)、O或S;
R2表示为取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
R3、R4、R5、R6分别独立地表示为取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C1~C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、卤素原子、C1~C10的烷基、C3~C10的环烷基、C6~C30芳基、C2~C30杂芳基中的一种或多种。
优选方案,所述有机化合物的结构如通式(3)至通式(8)所示:
通式(3)-通式(8)中,Z、X的含义同上文中的限定;
Y1、Y2分别独立地表示为O或S。
优选方案,所述有机化合物的结构如通式(9)~通式(18)中任一种所示:
通式(9)~通式(18)中,Z的含义同上文中的限定;
Y1、Y2分别独立地表示为O或S。
优选方案,所述有机化合物的结构如通式(19)~通式(28)中任一种所示:
通式(19)~通式(28)中,Z的含义同上文中的限定;
Y1、Y2分别独立地表示为O或S;
Z1表示为
优选方案,所述有机化合物的结构如通式(29)~通式(35)中任一种所示:
通式(29)至通式(35)中,Z每次出现相同或不同的表示为C-R1;
R1分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C1~C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
Ar表示为取代或未取代的的C6~C30的芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C1~C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
Y1、Y2分别独立地表示为O或S;
用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、卤素原子、C1~C10的烷基、C3~C10的环烷基、C6~C30芳基、C2~C30杂芳基中的一种或多种。
优选方案,所述Ar表示为如下所示结构中的任一种:
所述R1、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf分别表示为如下所示结构中的任一种:
优选方案,所述R1、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、金刚烷基、甲基、氘代甲基、氚代甲基、三氟甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、环戊基、氘代环戊基、氚代环戊基、甲基取代的环戊基、环己基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、二苯醚基、甲基取代的二苯醚基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、苯基取代的氨基、叔丁基苯取代的氨基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三嗪基、苯基取代的硼烷基、甲氧基、叔丁氧基中的一种。
所述Ar、R2、R3、R4、R5、R6表示为苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、苯基取代的氨基、叔丁基苯取代的氨基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三嗪基中的一种。
优选方案,所述有机化合物的具体结构为以下结构中的任一种:
/>
/>
/>
/>
/>
/>
一种有机电致发光器件,包括阴极和阳极,以及它们之间的有机发光功能层,所述有机发光功能层包括发光层,所述发光层含有所述的含硼有机化合物。
优选方案,所述发光层包含主体材料和掺杂材料,所述掺杂材料含有所述的含硼有机化合物。
优选方案,所述发光层包含第一主体材料、第二主体材料和掺杂材料,所述第一主体材料和第二主体材料中至少有一个为TADF材料,所述掺杂材料为所述的含硼有机化合物。
本发明有益的技术效果在于:
本发明采用了包含两个N对位的类似双氢酚嗪的结构,本发明化合物应用于OLED器件,可以作为发光层材料的掺杂材料,在电场作用下可以发绿色荧光,本发明化合物作为掺杂材料具有较高的荧光量子效率,材料的荧光量子效率接近100%,能够显著降低现有技术中结构的半峰宽较宽的问题,具有非常高的色纯度。
附图说明
图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图;
其中,1为透明基板层,2为阳极层,3为空穴注入层,4为空穴传输层,5为电子阻挡层,6为发光层,7为空穴阻挡,8为电子传输层,9为电子注入层,10为阴极层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,在不冲突的情况下,本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明,但不作为本发明的限定。
在本发明中,除非另有说明,HOMO意指分子的最高占据轨道,LUMO意指分子的最低空轨道。此外,在本发明中,HOMO和LUMO能级用绝对值表示,并且能级之间的比较也是比较其绝对值的大小,本领域技术人员知晓能级的绝对值越大,则该能级的能量越低。
在附图中,为了清楚起见,层和区域的尺寸可被夸大。还将理解,当层或元件称为在另一层或者基板“之上”时,该层或元件可直接位于该另一层或者基板之上,或者也可存在中间层。此外,还将理解,当层称为在两个层“之间”时,该层可以是这两个层之间的唯一的层,或者也可存在一个或者多个中间层。全文中相同的附图标记表示相同的元件。
在本发明中,在描述电极和有机电致发光器件,以及其他结构体时,所采用的“上”、“下”、“顶”和“底”等表示方位的词,仅表示在某种特定状态的方位,并不意味相关的结构仅只能按所述方位存在;相反,如果结构体可以变换位置,例如倒置,则结构体的方位作相应改变。具体而言,在本发明中,电极的“底”、“下”侧是指电极在制备过程中靠近基板的一侧,而远离基板的相对一侧为“顶”、“上”侧。
作为本发明的有机电致发光器件的基板,可使用任何常用于有机电致发光器件的基板。实例为透明基板,如玻璃或透明塑料基板;不透明基板,如硅基板;柔性PI膜基板。不同基板具有不同的机械强度、热稳定性、透明性、表面光滑度、防水性。根据基板的性质不同,其使用方向不同。在本发明中,优选使用透明基板。基板的厚度没有特别限制。
在基板上形成第一电极,第一电极与第二电极可彼此相对。第一电极可以是阳极。第一电极可以是透射电极、半透射电极或者反射电极。当第一电极是透射电极时,其可使用透明金属氧化物来形成,例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)或铟锡锌氧化物(ITZO)等。当第一电极是半透射电极或反射电极时,其可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或金属混合物。第一电极层的厚度取决于所使用的材料,通常为50-500nm,优选为70-300nm且更优选为100-200nm。
设置于第一电极和第二电极之间的有机功能材料层由下至上依次包括空穴传输区域、发光层和电子传输区域。
在本文中,构成有机电致发光器件的空穴传输区域可列举为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等。
作为在空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层的材料,可以从已知的用于OLED装置的相关材料中选择任意的材料进行使用。
上述材料的实例可为酞菁衍生物、***衍生物、三芳基甲烷衍生物、三芳基胺衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、腙衍生物、芪衍生物、吡啶啉衍生物、聚硅烷衍生物、咪唑衍生物、苯二胺衍生物、氨基取代奎尔酮衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、苯乙烯基胺衍生物等苯乙烯化合物、芴衍生物、螺芴衍生物、硅氮烷衍生物、苯胺类共聚物、卟啉化合物、咔唑衍生物、多芳基烷衍生物、聚亚苯基乙烯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚-N-乙烯基咔唑衍生物、噻吩低聚物等导电性高分子低聚体、芳香族叔胺化合物、苯乙烯胺化合物、三胺类、四胺类、联苯胺类、丙炔二胺衍生物、对苯二胺衍生物、间苯二胺衍生物、1,1’-双(4-二芳基氨基苯基)环己烷、4,4’-二(二芳基胺类)联苯类、双[4-(二芳基氨基)苯基]甲烷类、4,4’-二(二芳基氨基)三联苯类、4,4’-二(二芳基氨基)四联苯类、4,4’-二(二芳基氨基)二苯基醚类、4,4’-二(二芳基氨基)二苯基硫烷类、双[4-(二芳基氨基)苯基]二甲基甲烷类、双[4-(二芳基氨基)苯基]-二(三氟甲基)甲烷类或者2,2-二苯基乙烯化合物等。
进一步的,根据器件搭配需要,构成有机电致发光器件的空穴传输辅助层和空穴注入层之间的空穴传输膜层可以是单一的膜层,也可以是复数的多种空穴传输材料的叠加结构。在本文中,对于上述各种不同功能的空穴载流子传导膜层而言,其膜厚不做特别限定。
空穴注入层包含一个可以传导空穴的主体有机材料,同时还包含有一个深HOMO能级(相应的LUMO能级也会很深)的P型掺杂材料。基于经验性总结,为了实现空穴从阳极到有机膜层的顺畅的注入,阳极界面缓冲层所使用的传导空穴的主体有机材料的HOMO能级必须和P掺杂材料具备一定特征,才有望实现主体材料和掺杂材料之间的电荷转移态的发生,实现缓冲层和阳极之间的欧姆接触,实现从电极到空穴注入传导的高效注入。
鉴于上述经验性总结,因此对于不同HOMO能级的空穴类主体材料而言,需要选择不同的P掺杂材料与之匹配,才能实现界面的欧姆接触,提升空穴注入效果。
因此,在本发明的一个实施方案中,为了使空穴更好的注入,空穴注入层还包含选自以下的具有电荷传导性的P型掺杂材料:醌衍生物,如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ);或六氮杂三亚苯衍生物,如2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂三亚苯(HAT-CN);或环丙烷衍生物,如4,4',4”-((1E,1'E,1”E)-环丙烷-1,2,3-三亚甲基三(氰基甲酰亚基))三(2,3,5,6-四氟苄基);或金属氧化物,如氧化钨和氧化钼,但不限于此。
在本发明的空穴注入层中,所使用的空穴传输材料与P型掺杂材料的比例为99:1-95:5,优选为99:1-97:3,基于质量计。
本发明的空穴注入层的厚度可以是5-100nm、优选是5-50nm且更优选是5-20nm,但厚度不限于这一范围。
本发明的空穴传输层的厚度可以是5-200nm、优选是10-150nm且更优选是20-100nm,但厚度不限于这一范围。
本发明电子阻挡层的厚度可为1-20nm、优选为5-10nm,但厚度不限于这一范围。
在形成空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层之后,在电子阻挡层之上形成相应的发光层。
发光层可以包含主体材料和掺杂材料,所述主体材料可使用本领域常见的绿光主体材料,掺杂材料使用本发明通式(1)所示的含硼有机化合物。
在本发明的发光层中,所使用的主体材料与掺杂材料的比例为99:1-70:30,优选为99:1-85:15且更优选为97:3-87:13,基于质量计。
可以调节发光层的厚度以优化发光效率和驱动电压。优选的厚度范围是5nm至50nm,进一步优选10-50nm、更优选是15-30nm,但厚度不限于这一范围。
在本发明中,电子传输区域可由下至上依次包括设置在发光层之上的空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层,但不限于此。
空穴阻挡层为阻挡从阳极注入的空穴穿过发光层而进入阴极,由此延长器件的寿命并提高器件的效能的层。本发明的空穴阻挡层可设置在发光层之上。作为本发明的有机电致发光器件的空穴阻挡层材料,可以使用现有技术中公知的具有空穴阻挡作用的化合物,例如,浴铜灵(称为BCP)等菲咯啉衍生物、铝(III)双(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基酚盐(BAlq)等羟基喹啉衍生物的金属络合物、各种稀土类络合物、噁唑衍生物、***衍生物、三嗪衍生物、9,9'-(5-(6-([1,1'-联苯]-4-基)-2-苯基嘧啶-4-基)-1,3-亚苯基)双(9H-咔唑)等嘧啶衍生物等。本发明的空穴阻挡层的厚度可为2-200nm、优选为5-150nm且更优选为10-100nm,但厚度不限于这一范围。
电子传输层可设置在发光层或(若存在的话)空穴阻挡层之上。电子传输层材料是一种容易接收阴极的电子并将接收的电子转移至发光层的材料。优选具有高的电子迁移率的材料。作为本发明的有机电致发光器件的电子传输层,可以使用现有技术中公知的用于有机电致发光器件的电子传输层材料,例如,以Alq3、BAlq和Liq为代表的羟基喹啉衍生物的金属络合物、各种稀土金属络合物、***衍生物、2,4-双(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪(CAS号:1459162-51-6)等三嗪衍生物、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑(CAS号:561064-11-7,俗称LG201)等咪唑衍生物、噁二唑衍生物、噻二唑衍生物、碳化二亚胺衍生物、喹喔啉衍生物、菲咯啉衍生物、硅基化合物衍生物等。本发明的电子传输层的厚度可以为10-80nm、优选为20-60nm且更优选为25-45nm,但厚度不限于这一范围。
电子注入层可设置在电子传输层之上。电子注入层材料通常是优选具有低功函数的材料,使得电子容易地注入有机功能材料层中。作为本发明的有机电致发光器件的电子注入层材料,可以使用现有技术中公知的用于有机电致发光器件的电子注入层材料,例如,锂;锂盐,如8-羟基喹啉锂、氟化锂、碳酸锂或叠氮化锂;或铯盐,氟化铯、碳酸铯或叠氮化铯。本发明的电子注入层的厚度可以是0.1-5nm、优选为0.5-3nm且更优选为0.8-1.5nm,但厚度不限于这一范围。
第二电极可设置在电子传输区域之上。第二电极可以是阴极。第二电极可以是透射电极、半透射电极或者反射电极。当第二电极是透射电极时,第二电极可以包括例如Li、Yb、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、BaF、Ba、Ag或者其化合物或混合物;当第二电极是半透射电极或者反射电极时,第二电极可包括Ag、Mg、Yb、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或者其化合物或混合物,但不限于此。阴极的厚度取决于所使用的材料,通常为10-50nm,优选为15-20nm。
本发明的有机电致发光器件还可包括封装结构。封装结构可为防止外界物质例如湿气和氧气进入有机电致发光器件的有机层的保护结构。封装结构可为例如罐,如玻璃罐或金属罐;或覆盖有机层整个表面的薄膜。
制备本发明有机电致发光器件的方法,其包括在基板上相继层压阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机膜层、电子传输层、电子注入层和阴极,以及任选地覆盖层。关于此点,可使用真空沉积、真空蒸镀、旋涂、浇铸、LB法、喷墨印刷、激光印刷或LITI等方法,但不限于此。在本发明中,优选使用真空蒸镀法来形成所述各个层。本领域技术人员可根据实际需要常规选择真空蒸镀法中的各个工艺条件。
本发明合成实施例中涉及到的原料均可从市场购得或者通过本领域常规的制备方法制得;
实施例1化合物56的合成:
通氮气保护下,将10mmol原料A-1、10mmol NaH、10mL无水DMF加入到三口瓶中,室温搅拌1.5小时,接着加入10mmol原料B-1,室温条件下反应4小时。反应结束后加入50ml去离子水,过滤白色沉淀,沉淀用二氯甲烷溶解,无水硫酸钠干燥过滤后浓缩,采用柱层析分离得到中间体a-1。LC-MS:测定值:479.11([M+H]+),理论值:478.13。
通氮气保护下,将10mmol中间体a-1、100mmol铁粉、200mL冰醋酸加入到三口瓶中,60摄氏度加热反应12小时。反应结束后加入200ml去离子水,过滤得到白色固体,采用氯仿溶解,无水碳酸钠水溶液洗涤,收集有机相并采用无水硫酸钠干燥,过滤浓缩有机相,采用柱层析过柱分离,得到中间体b-1。LC-MS:测定值:449.26([M+H]+),理论值:448.15。
通氮气保护下,将10mmol中间体b-1、15mmol叔丁醇钠、0.5mmol醋酸钯、1.5mmol三叔丁基膦和50mL无水甲苯加入到三口瓶中,回流反应24小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到中间体c-1。该中间体在空气中不稳定,需要采用氮气保护并避光保存。LC-MS:测定值:369.30([M+H]+),理论值:368.23。
通氮气保护下,将10mmol原料D-1、10mmol NaH、10mL无水DMF加入到三口瓶中,室温搅拌0.5小时,接着加入10mmol原料C-1,室温条件下反应3小时。反应结束后加入50ml去离子水,过滤白色沉淀,沉淀用二氯甲烷溶解,无水硫酸钠干燥过滤后浓缩,采用柱层析分离得到中间体d-1。LC-MS:测定值:508.23([M+H]+),理论值:507.19。
通氮气保护下,将10mmol中间体c-1、10mmolNaH、10mL无水DMF加入到三口瓶中,室温搅拌20分钟,接着加入10mmol中间体d-1,室温条件下反应3小时。反应结束后加入50ml去离子水,过滤白色沉淀,沉淀用二氯甲烷溶解,无水硫酸钠干燥过滤后浓缩,采用柱层析分离得到中间体e-1。LC-MS:测定值:856.49([M+H]+),理论值:855.41。
在密封耐压管中,通氮气保护下,加入10mmol中间体e-1、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol正丁基锂的正己烷溶液,加热体系至60℃并反应2小时,接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼,转移至室温条件下继续反应5小时,接着将体系在0℃条件下加入20mmol N,N-二异丙基乙胺,加热至200℃并反应18小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到化合物56。1H NMR(400MHz,氘代氯仿)δ8.05(d,1H),7.99-7.92(m,3H),7.58(dd,1H),7.51(dd,1H),7.33(m,2H),7.27(dd,1H),7.16-7.02(m,6H),1.44(d,18H),1.39-1.35(m,27H)。
实施例2化合物57的合成:
通氮气保护下,将10mmol原料A-1、10mmolNaH、10mL无水DMF加入到三口瓶中,室温搅拌1小时,接着加入10mmol原料A-2,室温条件下反应3小时。反应结束后加入50ml去离子水,过滤白色沉淀,沉淀用二氯甲烷溶解,无水硫酸钠干燥过滤后浓缩,采用柱层析分离得到中间体a-2。LC-MS:测定值:535.22([M+H]+),理论值:534.19。
通氮气保护下,将10mmol中间体a-2、100mmol铁粉、200mL冰醋酸加入到三口瓶中,60摄氏度加热反应15小时。反应结束后加入200ml去离子水,过滤得到白色固体,采用氯仿溶解,无水碳酸钠水溶液洗涤,收集有机相并采用无水硫酸钠干燥,过滤浓缩有机相,采用柱层析过柱分离,得到中间体b-2。LC-MS:测定值:505.25([M+H]+),理论值:504.21。
通氮气保护下,将10mmol中间体b-2、15mmol叔丁醇钠、0.5mmol醋酸钯、1.5mmol三叔丁基膦和50mL无水甲苯加入到三口瓶中,回流反应18小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到中间体c-2。该中间体在空气中不稳定,需要采用氮气保护并避光保存。LC-MS:测定值:425.30([M+H]+),理论值:424.29。
通氮气保护下,将10mmol中间体c-2、10mmolNaH、10mL无水DMF加入到三口瓶中,室温搅拌1.5小时,接着加入10mmol中间体d-1,室温条件下反应6小时。反应结束后加入50ml去离子水,过滤白色沉淀,沉淀用二氯甲烷溶解,无水硫酸钠干燥过滤后浓缩,采用柱层析分离得到中间体d-2。LC-MS:测定值:912.43([M+H]+),理论值:911.48。
在密封耐压管中,通氮气保护下,加入10mmol中间体d-2、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol正丁基锂的正己烷溶液,加热体系至60℃并反应2小时,接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼,转移至室温条件下继续反应4小时,接着将体系在0℃条件下加入20mmol N,N-二异丙基乙胺,加热至200℃并反应20小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到化合物57。1H NMR(400MHz,氘代氯仿)δ8.05(d,1H),7.91-7.79(m,2H),7.63(dd,1H),7.44-7.35(m,4H),7.27-7.11(m,4H),7.08(s,2H),1.49-1.45(m,27H),1.43-1.32(m,27H)。
实施例3化合物58的合成:
通氮气保护下,将10mmol原料A-3、10mmol NaH、10mL无水DMF加入到三口瓶中,室温搅拌1.5小时,接着加入10mmol原料C-1,室温条件下反应5小时。反应结束后加入50ml去离子水,过滤白色沉淀,沉淀用二氯甲烷溶解,无水硫酸钠干燥过滤后浓缩,采用柱层析分离得到中间体a-3。LC-MS:测定值:548.19([M+H]+),理论值:547.13。
通氮气保护下,将10mmol中间体c-1、10mmolNaH、10mL无水DMF加入到三口瓶中,室温搅拌0.5小时,接着加入10mmol中间体a-3,室温条件下反应8小时。反应结束后加入50ml去离子水,过滤白色沉淀,沉淀用二氯甲烷溶解,无水硫酸钠干燥过滤后浓缩,采用柱层析分离得到中间体b-3。LC-MS:测定值:896.37([M+H]+),理论值:895.35。
在密封耐压管中,通氮气保护下,加入10mmol中间体b-3、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol正丁基锂的正己烷溶液,加热体系至60℃并反应5小时,接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼,转移至室温条件下继续反应14小时,接着将体系在0℃条件下加入20mmol N,N-二异丙基乙胺,加热至200℃并反应21小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到化合物58。1H NMR(400MHz,氘代氯仿)δ8.40(d,1H),8.23-8.02(m,2H),7.96-7.80(m,1H),7.73-7.62(m,2H),7.55-7.49(m,3H),7.46-7.31(m,11H),7.28-7.22(m,3H),7.19-7.11(m,2H),1.48(s,9H),1.44(d,18H)。
实施例4化合物128的合成:
通氮气保护下,将10mmol原料A-4、10mmol中间体c-1、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中,回流反应22小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到中间体a-4。LC-MS:测定值:836.40([M+H]+),理论值:835.33。
通氮气保护下,将10mmol中间体a-4、10mmol原料B-4、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中,回流反应22小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到中间体b-4。LC-MS:测定值:1037.59([M+H]+),理论值:1036.62。
在密封耐压管中,通氮气保护下,加入10mmol中间体b-4、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol叔丁基锂的正己烷溶液,加热体系至60℃并反应12小时,接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼,转移至室温条件下继续反应5小时,接着将体系在0℃条件下加入20mmol N,N-二异丙基乙胺,加热至200℃并反应15小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到化合物128。1H NMR(400MHz,氘代氯仿)δ8.15-7.98(m,2H),7.62(dd,1H),7.59-7.48(m,3H),7.22(d,2H),7.13-6.99(m,15H),6.97-6.92(m,2H),1.41-1.33(m,36H),1.28(d,18H)。
实施例5化合物132的合成:
通氮气保护下,将10mmol中间体a-4、10mmol原料A-5、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中,回流反应16小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到中间体a-5。LC-MS:测定值:1093.64([M+H]+),理论值:1092.59。
在密封耐压管中,通氮气保护下,加入10mmol中间体a-5、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol叔丁基锂的正己烷溶液,加热体系至60℃并反应10小时,接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼,转移至室温条件下继续反应5小时,接着将体系在0℃条件下加入20mmol N,N-二异丙基乙胺,加热至200℃并反应21小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到化合物132。1H NMR(400MHz,氘代氯仿)δ8.23-8.07(m,2H),7.86-7.79(m,1H),7.78(dd,1H),7.55(dd,1H),7.44(dd,1H),7.37(m,2H),7.31-7.18(m,9H),7.10-6.94(m,6H),6.89(dd,2H),1.46-1.39(m,45H),1.35(s,9H)。
实施例6化合物134的合成:
通氮气保护下,将22mmol中间体c-1、10mmol原料A-4、30mmol叔丁醇钾、1.5mmolPd2(dba)3、3mmol三叔丁基膦和40mL无水甲苯加入到三口瓶中,回流反应26小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到中间体a-6。LC-MS:测定值:1124.57([M+H]+),理论值:1123.63。
在密封耐压管中,通氮气保护下,加入10mmol中间体a-6、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol叔丁基锂的正己烷溶液,加热体系至60℃并反应11小时,接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼,转移至室温条件下继续反应10小时,接着将体系在0℃条件下加入20mmol N,N-二异丙基乙胺,加热至200℃并反应24小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到化合物134。1H NMR(400MHz,氘代氯仿)δ8.26(m,1H),8.12-8.03(m,2H),7.79(dd,2H),7.55-7.51(m,2H),7.47-7.38(m,4H),7.33-7.19(m,8H),7.12-6.92(m,4H),6.82(s,2H),1.48(s,18H),1.45(s,18H),1.39(s,18H)。
实施例7化合物149的合成:
通氮气保护下,将10mmol中间体c-2、10mmol NaH、10mL无水DMF加入到三口瓶中,室温搅拌1.5小时,接着加入10mmol原料A-7,室温条件下反应5小时。反应结束后加入50ml去离子水,过滤白色沉淀,沉淀用二氯甲烷溶解,无水硫酸钠干燥过滤后浓缩,采用柱层析分离得到中间体a-7。LC-MS:测定值:856.44([M+H]+),理论值:855.41。
在密封耐压管中,通氮气保护下,加入10mmol中间体a-7、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol正丁基锂的正己烷溶液,加热体系至60℃并反应3小时,接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼,转移至室温条件下继续反应12小时,接着将体系在0℃条件下加入20mmol N,N-二异丙基乙胺,加热至200℃并反应12小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到中间体b-7。LC-MS:测定值:786.51([M+H]+),理论值:785.49。
向单口瓶中依次加入中间体b-7(10.0mmol)、联硼酸频那醇酯(15mmol)、[Ir(COD)(OCH3)]2(0.06mmol)、50mL四氢呋喃,室温反应16小时,并通过氮气保护,随后过滤反应,浓缩有机相,通过硅胶柱分离化合物,得到中间体c-7。该反应具有相对良好的选择性(参考DOI:10.31635/ccschem.021.202101033),B对位上硼酸酯具有更高的活性与选择性。LC-MS:测定值:912.55([M+H]+),理论值:911.57;1H NMR(400MHz,氘代氯仿)δ8.54(d,1H),8.21-8.06(m,2H),7.69-7.54(m,2H),7.45-7.25(m,3H),7.23-7.05(m,6H),1.47-1.39(m,27H),1.35(s,18H),1.31(s,12H)。
向两口瓶中依次加入中间体c-7(10.0mmol)、原料B-7(10.0mmol)、Pd(PPh3)4催化剂0.1mmol、50mL四氢呋喃:水=10:1混合溶液、碳酸钾(20mmol),随后氮气保护,在80℃下搅拌24小时,冷却后分液并收集有机相,无水硫酸钠干燥并过滤并浓缩有机相,通过硅胶柱分离化合物,得到化合物149。1H NMR(400MHz,氘代氯仿)δ8.66(d,1H),8.47-8.35(m,4H),8.29-8.15(m,2H),8.03(d,1H),7.61(dd,,1H),7.54-7.36(m,10H),7.30-7.11(m,4H),7.08(d,1H),1.40-1.31(m,27H),1.23(s,18H)。
实施例8化合物261的合成:
通氮气保护下,将10mmol中间体c-2、10mmol原料A-8、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中,回流反应23小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到中间体a-8。LC-MS:测定值:613.17([M+H]+),理论值:612.19。
通氮气保护下,将10mmol原料a-8、10mmol原料A-8、15mmol碳酸钾、0.5mmol Pd2(dba)3、1.5mmol 2-双环已基膦-2',6'-二异丙氧基联苯和50mL无水邻二甲苯加入到三口瓶中,回流反应19小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到中间体b-8。LC-MS:测定值:890.57([M+H]+),理论值:889.51。
通氮气保护下,将10mmol中间体b-8、10mmol原料B-8、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中,回流反应12小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到中间体c-8。LC-MS:测定值:1078.70([M+H]+),理论值:1077.58。
在密封耐压管中,通氮气保护下,加入10mmol中间体c-8、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入15mmol叔丁基锂的正己烷溶液,加热体系至60℃并反应10小时,接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼,转移至室温条件下继续反应10小时,接着将体系在0℃条件下加入20mmol N,N-二异丙基乙胺,加热至200℃并反应36小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到化合物261。
实施例9化合物299的合成:
通氮气保护下,将10mmol中间体a-8、10mmol原料A-9、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中,回流反应23小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到中间体a-9。LC-MS:测定值:1055.66([M+H]+),理论值:1054.57。
在密封耐压管中,通氮气保护下,加入10mmol中间体a-9、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入15mmol叔丁基锂的正己烷溶液,加热体系至60℃并反应6小时,接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼,转移至室温条件下继续反应12小时,接着将体系在0℃条件下加入20mmol N,N-二异丙基乙胺,加热至200℃并反应23小时。反应结束后减压并浓缩有机层,然后经硅胶柱层析纯化,得到化合物299。
各实施例得到的化合物的结构表征如表1所示
表1
本发明化合物在发光器件中使用,可以作为发光层掺杂材料使用。对本发明上述实施例制备的化合物进行物化性质的测试,检测结果如表2所示:
表2
注:PLQY(荧光量子产率)和FWHM(半峰宽)在薄膜状态下由Horiba的Fluorolog-3系列荧光光谱仪测试得到。
由上表数据可知,本发明化合物作为掺杂材料具有较高的荧光量子效率,材料的荧光量子效率接近100%;同时,材料的光谱FWHM较窄,能够有效提升器件色域,提升器件的发光效率;
与现有技术相比,本发明的实施例化合物的发光效率和半峰宽都有不同程度的提升和改进;
与ref-4(CN111377955A)相比,将对位双B的结构替换为本发明中的化合物结构类型,其半峰宽从48nm缩窄到小于等于30nm,该技术效果的改进是出乎意料的;
而对比现有技术中的ref-3结构(CN113045595A),本发明的化合物的荧光量子产率有明显提升,且半峰宽也有一定程度的缩窄;
与现有技术中的ref-2(WO2021075856A1)相比,尽管ref-2结构同样具有比较窄的半峰宽发射,但是ref-2结构发光区域在蓝光区域,而本发明的实施例化合物发射范围在绿光区,同样具有窄发射特征;
以下通过器件实施例1-9和器件比较例1-4详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。本发明器件实施例2-9以及器件比较例1-4与器件实施例1相比器件的制作工艺完全相同,并且所采用了相同的基板材料和电极材料,电极材料的膜厚也保持一致,所不同的是对器件中的发光层材料做了更换。
各器件实施例的层结构和测试结果分别如表3-1和表4所示:
器件实施例1
如图1所示,透明基板层1为透明PI膜,对ITO阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤,即依次进行清洗剂(Semiclean M-L20)洗涤、纯水洗涤、干燥,再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的ITO阳极层2上,利用真空蒸镀装置,蒸镀膜厚为10nm的HT-1和HI-1作为空穴注入层3,HT-1和HI-1的质量比为97:3。接着蒸镀60nm厚度的HT-1作为空穴传输层4。随后蒸镀30nm厚度的EB-1作为电子阻挡层5。上述电子阻挡材料蒸镀结束后,制作OLED发光器件的发光层6,使用GH-1和GH-2作为主体材料,化合物56作为掺杂材料,GH-1、GH-2和化合物56质量比为69:30:1,发光层膜厚为30nm。在上述发光层6之后,继续真空蒸镀HB-1,膜厚为5nm,此层为空穴阻挡层7。在上述空穴阻挡层7之后,继续真空蒸镀ET-1和Liq,ET-1和Liq质量比为1:1,膜厚为30nm,此层为电子传输层8。在电子传输层8上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为1nm的LiF层,此层为电子注入层9。在电子注入层9上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为80nm的Mg:Ag电极层,Mg、Ag质量比为1:9,此层为阴极层10使用。
以下通过器件实施例10-18和器件比较例5-8详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。本发明器件实施例11-18以及器件比较例5-8与器件实施例10相比器件的制作工艺完全相同,并且所采用了相同的基板材料和电极材料,电极材料的膜厚也保持一致,所不同的是对器件中的发光层材料做了更换。各器件实施例的层结构和测试结果分别如表3-2和表4所示:
器件实施例10
透明基板层1为透明PI膜,对ITO阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤,即依次进行清洗剂(Semiclean M-L20)洗涤、纯水洗涤、干燥,再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的ITO阳极层2上,利用真空蒸镀装置,蒸镀膜厚为10nm的HT-1和HI-1作为空穴注入层3,HT-1和HI-1的质量比为97:3。接着蒸镀60nm厚度的HT-1作为空穴传输层4。随后蒸镀30nm厚度的EB-1作为电子阻挡层5。上述电子阻挡材料蒸镀结束后,制作OLED发光器件的发光层6,使用GH-1和GH-2作为主体材料,GD-1作为第一掺杂材料,化合物56作为第二掺杂材料,GH-1、GH-2、GD-1和化合物56质量比为66:30:3:1,发光层膜厚为30nm。在上述发光层6之后,继续真空蒸镀HB-1,膜厚为5nm,此层为空穴阻挡层7。在上述空穴阻挡层7之后,继续真空蒸镀ET-1和Liq,ET-1和Liq质量比为1:1,膜厚为30nm,此层为电子传输层8。在电子传输层8上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为1nm的LiF层,此层为电子注入层9。在电子注入层9上,通过真空蒸镀装置,制作膜厚为80nm的Mg:Ag电极层,Mg、Ag质量比为1:9,此层为阴极层10使用。
相关材料的分子结构式如下所示:
如上所述地完成OLED发光器件后,用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来,测量器件的电流效率、外量子效率和器件的寿命。用同样的方法制备的器件实施例和比较例如表3-1和表3-2所示;所得器件的电流效率、外量子效率和寿命的测试结果如表4所示。
表3-1
表3-2
表4
注:电压、电流效率、发光峰使用IVL(电流-电压-亮度)测试***(苏州弗士达科学仪器有限公司);寿命测试***为日本***技研公司EAS-62C型OLED器件寿命测试仪;LT95指的是器件亮度衰减到95%所用时间;所有数据均在10mA/cm2下测试。
由表4的器件数据结果可以看出,与器件比较例1、2、3、5、6、7相比,本发明的有机发光器件的电流效率和器件寿命均相对于已知材料的OLED器件获得较大的提升;
而与对比例4、8相比,器件效率有一定幅度提升,器件寿命提升明显,表现出出乎意料的提升效果;
综上,以上仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种含硼有机化合物,其特征在于,所述含硼有机化合物的结构如通式(1)或通式(2)所示:
通式(1)和通式(2)中,Z每次出现相同或不同的表示为C-R1;
R1分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C1~C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
M1表示为取代或未取代的的C6~C30的芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
X表示为N(R2)、C(R3)(R4)、Si(R5)(R6)、O或S;
R2表示为取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
R3、R4、R5、R6分别独立地表示为取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C1~C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、卤素原子、C1~C10的烷基、C3~C10的环烷基、C6~C30芳基、C2~C30杂芳基中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的含硼有机化合物,其特征在于,所述有机化合物的结构如通式(3)至通式(8)所示:
通式(3)-通式(8)中,Z、X的含义同权利要求1中的限定;
Y1、Y2分别独立地表示为O或S。
3.根据权利要求1所述的含硼有机化合物,其特征在于,所述有机化合物的结构如通式(9)~通式(18)中任一种所示:
通式(9)~通式(18)中,Z的含义同权利要求1中的限定;
Y1、Y2分别独立地表示为O或S。
4.根据权利要求1所述的含硼有机化合物,其特征在于,所述有机化合物的结构如通式(19)~通式(28)中任一种所示:
通式(19)~通式(28)中,Z的含义同权利要求1中的限定;
Y1、Y2分别独立地表示为O或S;
Z1表示为
5.根据权利要求1所述的含硼有机化合物,其特征在于,所述有机化合物的结构如通式(29)~通式(35)中任一种所示:
通式(29)至通式(35)中,Z每次出现相同或不同的表示为C-R1;
R1分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C1~C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
Ar表示为取代或未取代的的C6~C30的芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1~C10烷基、取代或未取代的C3~C10环烷基、取代或未取代的C1~C10烷氧基、取代或未取代的C1~C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6~C30芳基、取代或未取代的C2~C30杂芳基中的一种;
Y1、Y2分别独立地表示为O或S;
用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、卤素原子、C1~C10的烷基、C3~C10的环烷基、C6~C30芳基、C2~C30杂芳基中的一种或多种。
6.根据权利要求1-5任一项所述的含硼有机化合物,其特征在于,所述R1、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、金刚烷基、甲基、氘代甲基、氚代甲基、三氟甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、环戊基、氘代环戊基、氚代环戊基、甲基取代的环戊基、环己基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、二苯醚基、甲基取代的二苯醚基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、苯基取代的氨基、叔丁基苯取代的氨基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三嗪基、苯基取代的硼烷基、甲氧基、叔丁氧基中的一种。
所述Ar、R2、R3、R4、R5、R6表示为苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、苯基取代的氨基、叔丁基苯取代的氨基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三嗪基中的一种。
7.根据权利要求1所述的含硼有机化合物,其特征在于,所述有机化合物的具体结构为以下结构中的任一种:
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
8.一种有机电致发光器件,包括阴极和阳极,以及它们之间的有机发光功能层,所述有机发光功能层包括发光层,其特征在于,所述发光层含有权利要求1-7任一项所述的含硼有机化合物。
优选方案,所述发光层包含主体材料和掺杂材料,所述掺杂材料含有权利要求1-7任一项所述的含硼有机化合物。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件,所述发光层包含第一主体材料、第二主体材料和掺杂材料,其特征在于,所述第一主体材料和第二主体材料中至少有一个为TADF材料,所述掺杂材料为权利要求1-7任一项所述的含硼有机化合物。
10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件,所述发光层包含主体材料、激子敏化材料和掺杂材料,其特征在于:所述激子敏化材料为含金属元素的配合物,所述掺杂材料为权利要求1-7任一项所述的含硼有机化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210465687.0A CN117024455A (zh) | 2022-04-29 | 2022-04-29 | 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210465687.0A CN117024455A (zh) | 2022-04-29 | 2022-04-29 | 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117024455A true CN117024455A (zh) | 2023-11-10 |
Family
ID=88637774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210465687.0A Pending CN117024455A (zh) | 2022-04-29 | 2022-04-29 | 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117024455A (zh) |
-
2022
- 2022-04-29 CN CN202210465687.0A patent/CN117024455A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN116375748A (zh) | 一种共振型有机化合物及其应用 | |
CN114805318B (zh) | 一种以三嗪衍生物为核心的有机化合物及其应用 | |
CN115894532A (zh) | 一种含b-n杂并环结构的共振型有机化合物及其应用 | |
CN115368390A (zh) | 一种作为oled掺杂材料的单硼有机化合物及包含其的有机电致发光器件 | |
CN115368391A (zh) | 一种作为oled掺杂材料的含硼的有机化合物及其制备的有机电致发光器件 | |
CN115368343A (zh) | 一种以吡啶衍生物为核心的化合物及其应用 | |
CN115368348A (zh) | 一种以氰基吡啶为核心的化合物及其应用 | |
CN114315879A (zh) | 一种双硼稠环化合物及包含其的有机电致发光器件 | |
CN117024455A (zh) | 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 | |
CN116903644B (zh) | 一种共振型有机化合物及其应用 | |
CN115557957B (zh) | 一种有机化合物及包含其的有机电致发光器件 | |
WO2024125652A1 (zh) | 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 | |
CN117143122A (zh) | 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 | |
CN117659062A (zh) | 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 | |
CN118027074A (zh) | 一种含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 | |
CN118206573A (zh) | 一种含环己烷咔唑并环的含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 | |
CN117683055A (zh) | 一种含有二苯基取代萘并吡咯结构的含硼有机化合物及其有机电致发光器件 | |
CN116284070A (zh) | 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 | |
CN117362321A (zh) | 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 | |
CN116354991A (zh) | 一种含硼杂环结构的有机化合物及其制备的有机发光器件 | |
CN117384193A (zh) | 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 | |
CN118271356A (zh) | 一种含硼有机化合物及其应用 | |
CN117024454A (zh) | 一种共振型有机化合物及其有机电致发光器件 | |
CN116693561A (zh) | 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 | |
CN116655664A (zh) | 一种共振型有机化合物及其应用 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |