CN117015266A - 封装基板及其制造方法、显示组件 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 246
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 540
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 84
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 31
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 27
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 6
- 238000009459 flexible packaging Methods 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- -1 Polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N nickel palladium Chemical compound [Ni].[Pd] BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
本申请提供一种封装基板，包括第一外侧线路层、第一基材层、第一内侧线路层、第二基材层、第二外侧线路层及内埋线路板。第一基材层和第二基材层分别设置在第一内侧线路层的相对两侧，第一外侧线路层设置在第一基材层，第二外侧线路层设置在第一内侧线路层。内埋线路板设置于第二基材层和第一内侧线路层之间，内埋线路板包括内埋基材层及第二内侧线路层，内埋基材层设置于第二内侧线路层和第一内侧线路层之间，第二内侧线路层包括多个焊垫及多个金手指，焊垫电性连接第一内侧线路层或第二外侧线路层，封装基板设置有开孔，开孔贯穿第二外侧线路层和第二基材层，金手指于开孔露出。另，本申请还提供一种封装基板的制造方法以及显示组件。
Description
技术领域
本申请涉及一种封装基板及其制造方法、显示组件。
背景技术
柔性OLED显示屏可以通过柔性线路板与屏幕模组垂直封装工艺制作。该封装过程主要包括步骤：首先，将驱动芯片通过压接的方式设置在柔性封装基板的一侧的金手指；然后，将显示屏通过压接的方式设置在该柔性封装基板的另一侧的输入输出端。
一般情况下，由于柔性封装基板容易发生形变，导致压接驱动芯片的过程中，柔性封装基板的设置有输入输出端的另一侧容易发生凹陷，处于凹陷区域的输入输出端无法与显示屏正常压接。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种封装基板的制造方法，以解决上述问题。
另外，还有必要提供一种封装基板。
另外，还有必要提供一种显示组件。
一种封装基板的制造方法，包括步骤：提供一覆铜载板，所述覆铜载板包括载板和载板铜箔层，所述载板铜箔层设置于所述载板的一侧。蚀刻所述载板铜箔层以形成第一外侧线路层。于所述第一外侧线路层远离载板的一侧设置第一线路基板，所述第一线路基板包括第一基材层和第一内侧线路层，所述第一基材层设置于所述第一外侧线路层和所述第一内侧线路层之间。于所述第一线路基板远离第一外侧线路层的一侧设置内埋线路板，所述内埋线路板的正向投影位于所述第一线路基板内，所述内埋线路板包括内埋基材层和第二内侧线路层，所述内埋基材层设置于所述第二内侧线路层和所述第一内侧线路层之间，所述第二内侧线路层包括多个金手指和焊垫。于所述第一线路基板及所述内埋线路板远离第一外侧线路层的一侧设置第二线路基板，所述第二线路基板包括第二基材层和第二外侧线路层，所述第二基材层设置于所述第二外侧线路层靠近所述第一线路基板的一侧。
移除所述载板以获得一基板中间体以及于所述基板中间体设置第一开孔，所述第一开孔贯穿所述第二外侧线路层和所述第二基材层，所述金手指于所述第一开孔的底部露出，获得所述封装基板。
进一步地，步骤“于所述第一外侧线路层远离载板的一侧设置第一线路基板”之前还包括：于所述第一基材层和所述第一外侧线路层之间设置第一粘接层。
步骤“于所述第一线路基板及所述内埋线路板远离第一外侧线路层的一侧设置第二线路基板”之前还包括：于所述第一内侧线路层和所述第二基材层之间设置第二粘接层，所述第二粘接层贯穿设置有第二开孔，所述第二开孔对应部分所述内埋线路板设置，另一部分所述内埋线路板嵌入所述第二粘接层内。
进一步地，所述内埋线路板还包括第三内侧线路层，所述第三内侧线路层设置于所述内埋基材层背离所述第二内侧线路层的一侧，步骤“于所述第一内侧线路层和所述第二基材层之间设置第二粘接层”之前还包括：于所述第三内侧线路层和所述第一内侧线路层之间设置导电胶层。
进一步地，步骤“于所述第一外侧线路层远离载板的一侧设置第一线路基板”包括：于所述第一粘接层远离所述第一外侧线路层的一侧设置第一覆铜基板，所述第一覆铜基板包括所述第一基材层和第一铜箔层，获得第一覆铜中间体。于所述第一覆铜中间体设置第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一铜箔层、所述第一基材层及所述第一粘接层，部分所述第一外侧线路层于所述第一通孔的底部露出。于所述第一通孔内设置第一导通体，所述第一导通体电性连接所述第一铜箔层和所述第一外侧线路层以及蚀刻所述第一铜箔层以形成所述第一内侧线路层，所述第一内侧线路层和所述第一基材层组成所述第一线路基板。
进一步地，步骤“于所述第一线路基板及所述内埋线路板远离所述第一外侧线路层的一侧设置第二线路基板”包括：于所述第二粘接层远离所述第一内侧线路层的一侧设置第二覆铜基板，所述第二覆铜基板包括所述第二基材层和第二铜箔层，获得第二覆铜中间体。于所述第二覆铜中间体设置第二通孔，所述第二通孔贯穿所述第二铜箔层、所述第二基材层及所述第二粘接层，部分所述第一内侧线路层于所述第二通孔的底部露出。于所述第二通孔内设置第二导通体，所述第二导通体电性连接所述第二铜箔层和所述第一内侧线路层以及蚀刻所述第二铜箔层以形成所述第二外侧线路层，所述第二外侧线路层和所述第二基材层组成所述第二线路基板。
进一步地，步骤“蚀刻所述第二铜箔层以形成所述第二外侧线路层”之前还包括：于所述第二覆铜中间体设置第三通孔，所述第三通孔贯穿所述第二铜箔层、所述第二基材层及部分所述第二粘接层，所述焊垫于所述第二通孔的底部露出。于所述第三通孔内设置第三导通体，所述第三导通体电性连接所述第二铜箔层和所述焊垫。
进一步地，所述内埋线路板的制造方法包括：提供一第三覆铜基板，所述第三覆铜基板包括所述基材母板及至少一基铜层，所述基铜层设置于所述基材母板的至少一侧面。于所述基铜层表面设置导电图样，所述导电图样具有多个线槽，部分所述基铜层于所述线槽的底部露出。去除于所述线槽底部露出的部分所述基铜层以形成所述第二内侧线路层和/或所述第三内侧线路层，所述基材母板和所述第二内侧线路层或所述基材母板、所述第二内侧线路层和所述第三内侧线路层构成一内埋线路母板。分割所述内埋线路母板以获得多个独立的所述内埋线路板，其中，每一所述内埋线路板包括一所述内埋基材层、一所述第二内侧线路层和/或一所述第三内侧线路层。
进一步地，还包括步骤：于所述第二线路基板远离所述第一线路基板的表面设置防焊层，所述防焊层具有多个防焊开窗，所述第一开孔和部分所述第二外侧线路层于所述防焊开窗的底部露出。
进一步地，还包括步骤：于所述第一外侧线路层表面设置第一保护层。于所述防焊开窗内的所述第二外侧线路层表面设置第二保护层以及于所述金手指表面设置第三保护层。
进一步地，所述载板包括载铜层及抗蚀层，所述抗蚀层设置于所述载铜层和所述载板铜箔层之间，步骤“移除所述载板以获得一基板中间体”包括：采用第一蚀刻剂去除所述载铜层，所述第一蚀刻剂呈酸性以及采用第二蚀刻剂去除所述抗蚀层，所述第二蚀刻剂呈碱性。
一种封装基板，包括第一外侧线路层、第一基材层、第一内侧线路层、第二基材层、第二外侧线路层及内埋线路板。所述第一基材层和所述第二基材层分别设置在所述第一内侧线路层的相对两侧，所述第一外侧线路层设置在所述第一基材层背离所述第一内侧线路层的一侧，所述第一外侧线路层包括多个导电连接垫，所述第二外侧线路层设置于所述第二基材层背离所述第一内侧线路层的一侧。所述内埋线路板设置于所述第二基材层和所述第一内侧线路层之间，所述内埋线路板的正向投影位于所述第一内侧线路层内。所述内埋线路板包括内埋基材层及第二内侧线路层，所述内埋基材层设置于所述第二内侧线路层和所述第一内侧线路层之间，所述第二内侧线路层包括多个焊垫及多个金手指，所述焊垫电性连接所述第一内侧线路层或所述第二外侧线路层。所述封装基板设置有第一开孔，所述第一开孔贯穿所述第二外侧线路层和所述第二基材层，多个所述金手指于所述第一开孔的底部露出。
进一步地，还包括第一粘接层和第二粘接层，所述第一粘接层设置于所述第一基材层和所述第一外侧线路层之间，所述第二粘接层设置于所述第一内侧线路层和所述第二基材层之间并覆盖部分所述内埋线路板，所述第一开孔还贯穿部分所述第二粘接层。
进一步地，还包括第一导通体、第二导通体及第三导通体，所述第一导通体设置于所述第一外侧线路层和所述第一内侧线路层之间，所述第二导通体设置于所述第二外侧线路层和所述第一内侧线路层之间，所述第三导通体设置于所述第二外侧线路层和所述第二内侧线路层之间。
进一步地，所述内埋线路板还包括第三内侧线路层，所述第三内侧线路层设置于所述内埋基材层背离所述第二内侧线路层的一侧，所述封装基板还包括导电胶层，所述导电胶层设置于所述第三内侧线路层和所述第一内侧线路层之间。
进一步地，所述第一基材层和所述第二基材层具有可挠性，所述内埋基材层具有刚性。
进一步地，每相邻两个所述导电连接垫背离所述第一基材层的一面相平齐。
进一步地，还包括第一保护层、第二保护层及第三保护层，所述第一保护层设置于所述导电连接垫的表面，所述第二保护层设置于部分所述第二外侧线路层的表面，所述第三保护层设置于所述金手指的表面。
一种显示组件，包括显示屏模组、驱动芯片及如上所述的封装基板，所述驱动芯片设置于所述第一开孔内，所述驱动芯片电性连接所述金手指，所述显示屏模组设置于所述第一外侧线路层，所述显示屏模组电性连接所述导电连接垫。
相比于现有技术，本申请提供的封装基板的制造方法通过在局部埋设硬质的内埋线路基板，可以精准埋嵌，非必要区可以省略，节省材料成本，提高产品良率，该内埋线路基板的材质为硬质基板，有利于细金手指的可靠性以及品质，从而可以提高电子元件于该封装基板的压接的稳定性。同时，该内埋线路基板埋设于内部，不会额外增加封装基板的整体厚度。
附图说明
图1为本申请第一实施例提供的覆铜载板的截面示意图。
图2为蚀刻图1所示的覆铜载板以形成第一外侧线路层后的截面示意图。
图3为本申请第一实施例提供的第一覆铜中间体的截面示意图。
图4为蚀刻图1所示的第一铜箔层以形成第一内侧线路层后的截面示意图。
图5为图4所示的第一内侧线路层一侧设置内埋线路板后的截面示意图。
图6a至图6d为本申请第一实施例提供的内面线路板的制作过程示意图。
图7为本申请第一实施例提供的第二覆铜中间体的截面示意图。
图8为蚀刻图7所示的第二覆铜中间体以形成第二外侧线路层后的截面示意图。
图9为移除图8所示的载铜层后的截面示意图。
图10为本申请第一实施例提供的基板中间体的截面示意图。
图11为图10所示的基板中间体设置第一开孔后的截面示意图。
图12为图11所示的第二线路基板表面设置防焊层后的截面示意图。
图13为本申请第一实施例提供的封装基板的截面示意图。
图14为本申请第一实施例提供的显示组件的截面示意图。
图15为本申请第二实施例提供的封装基板的截面示意图。
图16a至图16e为本申请第二实施例提供的内面线路板的制作过程示意图。
图17为本申请第二实施例提供的显示组件的截面示意图。
主要元件符号说明
封装基板 100、100'
覆铜载板 10
载板 11
载铜层 111
抗蚀层 112
载板铜箔层 12
第一外侧线路层 121
导电连接垫 122
第一覆铜基板 20
第一粘接层 21
第一覆铜中间体 22
第一基材层 23
第一铜箔层 24
第一通孔 221
第一导通体 222
第一内侧线路层 25
第一线路基板 26
内埋线路板 30、30'
内埋基材层 31
第四通孔 311
第二内侧线路层 32
焊垫 321
金手指 323
第三覆铜基板 33
基材母板 34
基铜层 35
导电图样 351
线槽 352
第二粘接层 36
第二开孔 361
独立线路 37
第四导通体 38
导电胶层 381
第三内侧线路层 39
第二覆铜基板 40
第二覆铜中间体 41
第二通孔 411
第二导通体 412
第三通孔 413
第三导通体 414
第二基材层 42
第二铜箔层 43
第二外侧线路层 44
第二线路基板 45
基板中间体 50
第一开孔 51
防焊层 52
防焊开窗 521
第一保护层 531
第二保护层 532
第三保护层 533
显示组件 300
显示屏模组 301
驱动芯片 302
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本申请。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
请参见图1至图13，本申请第一实施例提供一种封装基板100的制造方法，包括步骤：
S101:请参见图1，提供一个覆铜载板10，所述覆铜载板10包括载板11和载板铜箔层12，所述载板铜箔层12设置于所述载板11的一侧表面。
在本实施例中，所述载板11包括载铜层111及抗蚀层112，所述抗蚀层112设置于所述载铜层111和所述载板铜箔层12之间。其中，所述抗蚀层112的材质可以为镍、镍铬合金、镍磷合金等。可以理解地，在本申请的其他实施例中，所述载板11可以包括剥离载板(未标示)及可剥离膜(未标示)，所述可剥离膜设置在所述载板铜箔层12和所述剥离载板之间。
S102:请参见图2，蚀刻所述载板铜箔层12以形成第一外侧线路层121。所述第一外侧线路层121包括多个导电连接垫122，多个所述导电连接垫122朝向所述抗蚀层112的一侧平齐。其中，所述载板11承托或者负载所述载板铜箔层12，使得所述载板铜箔层12较佳的平整度，进而使得多个所述导电连接垫122具有较佳的平整度。具体而言，多个所述导电连接垫122朝向所述抗蚀层112的一侧的高度差(未标示)在1微米以内。
S103:请参见图3，于所述第一外侧线路层121表面设置第一粘接层21，以及于所述第一粘接层21表面设置第一覆铜基板20，获得第一覆铜中间体22。其中，所述第一覆铜基板20包括第一基材层23及第一铜箔层24，所述第一基材层23设置于所述第一铜箔层24和所述第一粘接层21之间。
在本实施例中，步骤S103中，所述第一基材层23具有可挠性，所述第一基材层23的材质包括聚酰亚胺(Polyimide，PI)、涤纶树脂(Polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(poly(ethylene 2,6-naphthalenedi-carboxylate)，PEN)、液晶高分子聚合物(liquid crystal polymer，LCP)以及改性聚酰亚胺(modified polyimide，MPI)中的至少一种。
S104:请参见图4，于所述第一覆铜中间体22设置第一通孔221，所述第一通孔221贯穿所述第一铜箔层24、所述第一基材层23及所述第一粘接层21，使得部分所述第一外侧线路层121背离所述抗蚀层112的一侧于所述第一通孔221的底部露出。
S105:请再次参见图4，于所述第一通孔221填铜以形成第一导通体222，以及蚀刻所述第一铜箔层24以形成第一内侧线路层25。所述第一导通体222电性连接所述第一内侧线路层25和所述第一外侧线路层121。所述第一内侧线路层25和所述第一基材层23组成第一线路基板26。
S106:请参见图5，通过固定柱对位或者机器视觉识别的方式，对位所述第一内侧线路层25和一个内埋线路板30并压合所述第一内侧线路层25和所述内埋线路板30。其中，所述内埋线路板30的正向投影位于所述第一内侧线路层25内，所述内埋线路板30大致设置于所述第一内侧线路层25的中间。所述内埋线路板30包括内埋基材层31和第二内侧线路层32。所述内埋基材层31设置于所述第二内侧线路层32和所述第一内侧线路层25之间。所述第二内侧线路层32包括多个焊垫321和多个金手指323。
在本实施例中，内埋基材层31具有刚性，所述内埋线路板30为模量大于20GPa的硬质板。其中，所述内埋基材层31的材质包括聚丙烯、环氧树脂、陶瓷、玻璃等硬质基板材料中的至少一种。
在本实施例中，请参见图6a至图6d，步骤S106中，所述内埋线路板30可以采用半加成法(semi-additive process,SAP)制作，具体的制造方法包括步骤：
S1061:请参见图6a，提供一个第三覆铜基板33，所述第三覆铜基板33包括所述基材母板34及一个基铜层35。一个所述基铜层35设置于所述基材母板34的一侧面。
S1062:请参见图6b，通过电镀的方法于所述基铜层35表面设置导电图样351，所述导电图样351具有多个线槽352，部分所述基铜层35于所述线槽352的底部露出。
S1063:请参见图6c，去除于所述线槽352底部露出的部分所述基铜层35以形成所述第二内侧线路层32。
S1064:请参见图6d，分割所述基材母板34和所述第二内侧线路层32以获得多个独立的所述内埋线路板30。其中，每一所述内埋线路板30包括一个所述内埋基材层31、一个所述第二内侧线路层32。所述第二内侧线路层32设置于所述内埋基材层31的至少一侧面。其中，通过半加成法制作第二内侧线路层32，可以有利于形成线宽及线距较小的金手指323。
S107:请参见图7，于所述第一线路基板26及部分所述内埋线路板30的表面设置第二粘接层36，以及于所述第二粘接层36表面设置第二覆铜基板40，获得第二覆铜中间体41。其中，所述第二粘接层36设置有第二开孔361，所述内埋线路板30的中间部分于所述第二开孔361露出，所述内埋线路板30的其他部分嵌入所述第二粘接层36内。所述第二覆铜基板40包括第二基材层42及第二铜箔层43，所述第二基材层42设置在所述第二铜箔层43和所述第二粘接层36之间。
在本实施例中，步骤S107中，所述第二基材层42具有可挠性，所述第二基材层42的材质包括聚酰亚胺(Polyimide，PI)、涤纶树脂(Polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(poly(ethylene 2,6-naphthalenedi-carboxylate)，PEN)、液晶高分子聚合物(liquid crystal polymer，LCP)以及改性聚酰亚胺(modified polyimide，MPI)中的至少一种。
S108:请参见图8，于所述第二覆铜中间体41设置第二通孔411。所述第二通孔411贯穿所述第二铜箔层43、所述第二基材层42及所述第二粘接层36，使得部分所述第一内侧线路层25于所述第二通孔411的底部露出。
在本实施例中，步骤S8还包括：
S1081:请参见图8，于所述第二覆铜中间体41设置第三通孔413，所述第三通孔413对应所述内埋线路板30设置。所述第三通孔413贯穿所述第二铜箔层43、所述第二基材层42及部分所述第二粘接层36，部分所述焊垫321于所述第三通孔413的底部露出。
S109:请再次参见图8，于所述第二通孔411内填铜以形成第二导通体412，以及蚀刻所述第二铜箔层43以形成第二外侧线路层44。所述第二导通体412电性连接所述第二外侧线路层44和所述第一内侧线路层25。所述第二外侧线路层44和所述第二基材层42组成第二线路基板45。
在本实施例中，步骤S109还包括：
S1091:请再次参见图8，于所述第三通孔413内填铜以形成第三导通体414，所述第三导通体414电性连接所述第二外侧线路层44和部分所述焊垫321。
S110:请参见图9至图10，移除所述载板11以获得一个基板中间体50。
在本实施例中，步骤S110具体包括：
S1101:请参见图9，通过第一蚀刻剂(未标示)蚀刻移除所述载铜层111，此过程可以和步骤S109中的蚀刻所述第二铜箔层43同时进行，因为所述第二铜箔层43的材质与所述载铜层111的材质相同，所以通过酸性的第一蚀刻剂(例如，酸性氯化铜)可以同时蚀刻所述第二铜箔层43以形成所述第二外侧线路层44，以及蚀刻移除所述载铜层111。此时，所述抗蚀层112由于材质不同于所述第二铜箔层43及所述载铜层111，所以第一蚀刻剂无法蚀刻所述抗蚀层112。
S1102:请参见图10，通过第二蚀刻剂(未标示)蚀刻移除所述抗蚀层112，使得所述第一外侧线路层121暴露。所述第二蚀刻剂呈碱性(例如，碱性氯化铜)，所述第二蚀刻剂可以移除所述抗蚀层而对所述第二外侧线路层44及所述第一外侧线路层121不影响。
S111:请参见图11，于所述基板中间体50设置第一开孔51，所述第一开孔51大致对应所述第二开孔361设置。所述第一开孔51贯穿所述第二外侧线路层44、所述第二基材层42、及部分所述第二粘接层36。所述第二内侧线路层32的多个所述金手指323暴露于所述第一开孔51的底部。具体地，所述第一开孔51可以通过激光切割或者机械钻孔的方式形成。
S112:请参见图12，于表面所述第二线路基板45远离所述第一线路基板26的表面设置防焊层52，所述防焊层52具有多个防焊开窗521，所述第一开孔51和部分所述第二外侧线路层44于所述防焊开窗521露出，部分所述防焊开窗521对应所述第二导通体412设置。
S113:请参见图13，于所述导电连接垫122表面设置第一保护层531；于所述防焊开窗521内的所述第二外侧线路层44表面设置第二保护层532；以及于所述金手指323表面设置第三保护层533，获得所述封装基板100。所述第一保护层531、所述第二保护层532和所述第三保护层533为镍金或者镍钯材质，可以起到防止导电连接垫122、金手指323的铜被氧化或腐蚀、用于焊接及应用于接触。
相比于现有技术，本申请提供的封装基板100的制造方法通过在整体呈柔性的封装基板100的局部埋设硬质内埋线路板30，该内埋线路板30设置有可供其他电子元件(例如，驱动芯片302)连接的多个金手指323，从而可以提高电子元件与该封装基板100压接时的稳定性。同时，压接电子元件时，硬质的内埋线路板30可以保证封装基板100未设置电子元件的一侧(即，所述第一外侧线路层121)具有良好的平整性，减少后续在第一外侧线路层121表面设置其他电子元件(例如，显示屏模组301)时而出现的连接不良的情况。再者，该内埋线路板30埋设于第二粘接层36内，不会额外增加封装基板100的整体厚度。
请参见图13，本申请还提供一种封装基板100，所述封装基板100包括第一外侧线路层121、第一基材层23、第一内侧线路层25、第二基材层42、第二外侧线路层44及内埋线路板30。
所述第一基材层23和所述第二基材层42分别设置在所述第一内侧线路层25的相对两侧，所述第一外侧线路层121设置在所述第一基材层23背离所述第一内侧线路层25的一侧，所述第二外侧线路层44设置于所述第二基材层42背离所述第一内侧线路层25的一侧。
所述内埋线路板30设置于所述第二基材层42和所述第一内侧线路层25之间，所述内埋线路板30的正向投影位于所述第一内侧线路层25内。
所述内埋线路板30包括内埋基材层31及第二内侧线路层32，所述内埋基材层31设置于所述第二内侧线路层32和所述第一内侧线路层25之间，所述第二内侧线路层32包括多个焊垫321及多个金手指323，所述焊垫321电性连接所述第一内侧线路层25或所述第二外侧线路层44。
所述封装基板100设置有第一开孔51，所述第一开孔51贯穿所述第二外侧线路层44、和所述第二基材层42，多个所述金手指323于所述第一开孔51的底部露出。
请参见图15，本申请第二实施例还提供一种封装基板100’的制造方法，不同于第一实施例，在第二实施例中。所述内埋线路板30’还包括第三内侧线路层39及第四导通体38。所述第三内侧线路层39和所述第二内侧线路层32分别设置于所述内埋基材层31的相对两侧。所述第四导通体38连接于所述第三内侧线路层39和所述第二内侧线路层32之间。请参见图16a至图16e，不同于第一实施例中的内埋线路板30，所述内埋线路板30’的制造方法包括：
S201:请参见图16a，提供另一个所述第三覆铜基板33，另一个所述第三覆铜基板33包括所述基材母板34及两个所述基铜层35，两个所述基铜层35分别设置于所述基材母板34的相对两侧面。
S202:请参见图16b，于另一个所述第三覆铜基板33表面贯穿设置多个第四通孔311，所述第四通孔311贯穿两个所述基铜层35及所述基材母板34。
S203:请参见图16c，通过电镀的方式于两个所述基铜层35表面分别设置导电图样351，部分所述导电图样351填入所述第四通孔311内以形成所述第四导通体38。其中，每一所述导电图样351具有多个线槽352，部分所述基铜层35于所述线槽352的底部露出。
S204:请参见图16d，去除于所述线槽352底部露出的部分所述基铜层35以形成多个所述独立线路37，多个所述独立线路37分别设置于所述基材母板34的相对两侧。多个所述独立线路37组合形成所述第二内侧线路层32及第三内侧线路层39。
S205:请参见图16e，分割所述基材母板34、所述第二内侧线路层32及第三内侧线路层39以获得多个所述内埋线路板30’。其中，每一所述内埋线路板30’包括一个所述内埋基材层31、一个所述第二内侧线路层32和一个所述第三内侧线路层39，所述第二内侧线路层32和所述第三内侧线路层39设置于所述内埋基材层31的两个侧面。
请再次参见图15，在本申请第二实施例中，不同于第一实施例中的封装基板100，所述封装基板100’的制造方法还包括：
S206:于所述第三内侧线路层39和所述第一内侧线路层25之间设置导电胶层381。所述导电胶层381电性连接所述第三内侧线路层39和所述第一内侧线路层25。在本申请的其他实施例中，所述第三内侧线路层39和所述第一内侧线路层25之间也可以通过电镀、塞铜膏及焊接的方式进行电性连接。
在本申请的第二实施例中，通过在内埋线路板30’中设置导电胶层381，该导电胶层381可以通过该第四导通体38电性连接该第二内侧线路层32，从而实现第二内侧线路层32与所述第一内侧线路层25的电性连接。针对于不同的布线需求，则可以采用本申请第二实施例中的封装基板100’。
请再次参见图15，本申请第二实施例还提供一种封装基板100’,所述封装基板100’包括第一外侧线路层121、第一基材层23、第一内侧线路层25、第二基材层42、第二外侧线路层44、内埋线路板30’及导电胶层381。
所述第一基材层23和所述第二基材层42分别设置在所述第一内侧线路层25的相对两侧，所述第一外侧线路层121设置在所述第一基材层23背离所述第一内侧线路层25的一侧，所述第二外侧线路层44设置于所述第二基材层42背离所述第一内侧线路层25的一侧。
所述内埋线路板30’设置于所述第二基材层42和所述第一内侧线路层25之间，所述内埋线路板30’的正向投影位于所述第一内侧线路层25内。
所述内埋线路板30’包括内埋基材层31、第二内侧线路层32、第三内侧线路层39及第四导通体38。所述第二内侧线路层32和所述第三内侧线路层39分别设置于所述内埋基材层31的相对两侧，所述第四导通体38连接于所述第二内侧线路层32和所述第三内侧线路层39之间。所述第二内侧线路层32朝向所述第二基材层42设置，所述第三内侧线路层39朝向所述第一内侧线路层25设置。所述导电胶层381连接于所述第一内侧线路层25和所述第三内侧线路层39之间。所述第二内侧线路层32包括多个焊垫321及多个金手指323，所述焊垫321电性连接所述第四导通体38。
所述封装基板100’设置有第一开孔51，所述第一开孔51贯穿所述第二外侧线路层44、和所述第二基材层42，多个所述金手指323于所述第一开孔51的底部露出。
请参见图14及图17，本申请第一实施例或第二实施例还提供一种显示组件300，所述显示组件300包括显示屏模组301、驱动芯片302及所述的封装基板(100、100’)，所述驱动芯片302设置于所述第一开孔51内。所述驱动芯片302电性连接所述金手指323，所述显示屏模组301设置连接于所述第一外侧线路层121的多个所述导电连接垫122。
另外，本领域技术人员还可在本申请精神内做其它变化，当然，这些依据本申请精神所做的变化，都应包含在本申请所要求保护的范围。
Claims (18)
1.一种封装基板的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供一覆铜载板，所述覆铜载板包括载板和载板铜箔层，所述载板铜箔层设置于所述载板的一侧；
蚀刻所述载板铜箔层以形成第一外侧线路层；
于所述第一外侧线路层远离载板的一侧设置第一线路基板，所述第一线路基板包括第一基材层和第一内侧线路层，所述第一基材层设置于所述第一外侧线路层和所述第一内侧线路层之间；
于所述第一线路基板远离第一外侧线路层的一侧设置内埋线路板，所述内埋线路板的正向投影位于所述第一线路基板内，所述内埋线路板包括内埋基材层和第二内侧线路层，所述内埋基材层设置于所述第二内侧线路层和所述第一内侧线路层之间，所述第二内侧线路层包括多个金手指和焊垫；
于所述第一线路基板及所述内埋线路板远离第一外侧线路层的一侧设置第二线路基板，所述第二线路基板包括第二基材层和第二外侧线路层，所述第二基材层设置于所述第二外侧线路层靠近所述第一线路基板的一侧；
移除所述载板以获得一基板中间体；以及
于所述基板中间体设置第一开孔，所述第一开孔贯穿所述第二外侧线路层和所述第二基材层，所述金手指于所述第一开孔的底部露出，获得所述封装基板。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤“于所述第一外侧线路层远离载板的一侧设置第一线路基板”之前还包括：
于所述第一基材层和所述第一外侧线路层之间设置第一粘接层；
步骤“于所述第一线路基板及所述内埋线路板远离第一外侧线路层的一侧设置第二线路基板”之前还包括：
于所述第一内侧线路层和所述第二基材层之间设置第二粘接层，所述第二粘接层贯穿设置有第二开孔，所述第二开孔对应部分所述内埋线路板设置，另一部分所述内埋线路板嵌入所述第二粘接层内。
3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述内埋线路板还包括第三内侧线路层，所述第三内侧线路层设置于所述内埋基材层背离所述第二内侧线路层的一侧，步骤“于所述第一内侧线路层和所述第二基材层之间设置第二粘接层”之前还包括：
于所述第三内侧线路层和所述第一内侧线路层之间设置导电胶层。
4.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，步骤“于所述第一外侧线路层远离载板的一侧设置第一线路基板”包括：
于所述第一粘接层远离所述第一外侧线路层的一侧设置第一覆铜基板，所述第一覆铜基板包括所述第一基材层和第一铜箔层，获得第一覆铜中间体；
于所述第一覆铜中间体设置第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一铜箔层、所述第一基材层及所述第一粘接层，部分所述第一外侧线路层于所述第一通孔的底部露出；
于所述第一通孔内设置第一导通体，所述第一导通体电性连接所述第一铜箔层和所述第一外侧线路层；以及
蚀刻所述第一铜箔层以形成所述第一内侧线路层，所述第一内侧线路层和所述第一基材层组成所述第一线路基板。
5.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，步骤“于所述第一线路基板及所述内埋线路板远离所述第一外侧线路层的一侧设置第二线路基板”包括：
于所述第二粘接层远离所述第一内侧线路层的一侧设置第二覆铜基板，所述第二覆铜基板包括所述第二基材层和第二铜箔层，获得第二覆铜中间体；
于所述第二覆铜中间体设置第二通孔，所述第二通孔贯穿所述第二铜箔层、所述第二基材层及所述第二粘接层，部分所述第一内侧线路层于所述第二通孔的底部露出；
于所述第二通孔内设置第二导通体，所述第二导通体电性连接所述第二铜箔层和所述第一内侧线路层；以及
蚀刻所述第二铜箔层以形成所述第二外侧线路层，所述第二外侧线路层和所述第二基材层组成所述第二线路基板。
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤“蚀刻所述第二铜箔层以形成所述第二外侧线路层”之前还包括：
于所述第二覆铜中间体设置第三通孔，所述第三通孔贯穿所述第二铜箔层、所述第二基材层及部分所述第二粘接层，所述焊垫于所述第二通孔的底部露出；
于所述第三通孔内设置第三导通体，所述第三导通体电性连接所述第二铜箔层和所述焊垫。
7.如权利要求1或3所述的制造方法，其特征在于，所述内埋线路板的制造方法包括：
提供一第三覆铜基板，所述第三覆铜基板包括所述基材母板及至少一基铜层，所述基铜层设置于所述基材母板的至少一侧面；
于所述基铜层表面设置导电图样，所述导电图样具有多个线槽，部分所述基铜层于所述线槽的底部露出；
去除于所述线槽底部露出的部分所述基铜层以形成所述第二内侧线路层和/或所述第三内侧线路层，所述基材母板和所述第二内侧线路层或所述基材母板、所述第二内侧线路层和所述第三内侧线路层构成一内埋线路母板；
分割所述内埋线路母板以获得多个独立的所述内埋线路板，其中，每一所述内埋线路板包括一所述内埋基材层、一所述第二内侧线路层和/或一所述第三内侧线路层。
8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括步骤：
于所述第二线路基板远离所述第一线路基板的表面设置防焊层，所述防焊层具有多个防焊开窗，所述第一开孔和部分所述第二外侧线路层于所述防焊开窗的底部露出。
9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，还包括步骤：
于所述第一外侧线路层表面设置第一保护层；
于所述防焊开窗内的所述第二外侧线路层表面设置第二保护层；以及
于所述金手指表面设置第三保护层。
10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述载板包括载铜层及抗蚀层，所述抗蚀层设置于所述载铜层和所述载板铜箔层之间，步骤“移除所述载板以获得一基板中间体”包括：
采用第一蚀刻剂去除所述载铜层，所述第一蚀刻剂呈酸性；以及
采用第二蚀刻剂去除所述抗蚀层，所述第二蚀刻剂呈碱性。
11.一种封装基板，其特征在于，包括第一外侧线路层、第一基材层、第一内侧线路层、第二基材层、第二外侧线路层及内埋线路板，
所述第一基材层和所述第二基材层分别设置在所述第一内侧线路层的相对两侧，所述第一外侧线路层设置在所述第一基材层背离所述第一内侧线路层的一侧，所述第一外侧线路层包括多个导电连接垫，所述第二外侧线路层设置于所述第二基材层背离所述第一内侧线路层的一侧，
所述内埋线路板设置于所述第二基材层和所述第一内侧线路层之间，所述内埋线路板的正向投影位于所述第一内侧线路层内，
所述内埋线路板包括内埋基材层及第二内侧线路层，所述内埋基材层设置于所述第二内侧线路层和所述第一内侧线路层之间，所述第二内侧线路层包括多个焊垫及多个金手指，所述焊垫电性连接所述第一内侧线路层或所述第二外侧线路层，
所述封装基板设置有第一开孔，所述第一开孔贯穿所述第二外侧线路层和所述第二基材层，多个所述金手指于所述第一开孔的底部露出。
12.如权利要求11所述的封装基板，其特征在于，还包括第一粘接层和第二粘接层，所述第一粘接层设置于所述第一基材层和所述第一外侧线路层之间，所述第二粘接层设置于所述第一内侧线路层和所述第二基材层之间并覆盖部分所述内埋线路板，所述第一开孔还贯穿部分所述第二粘接层。
13.如权利要求11所述的封装基板，其特征在于，还包括第一导通体、第二导通体及第三导通体，所述第一导通体设置于所述第一外侧线路层和所述第一内侧线路层之间，所述第二导通体设置于所述第二外侧线路层和所述第一内侧线路层之间，所述第三导通体设置于所述第二外侧线路层和所述第二内侧线路层之间。
14.如权利要求11所述的封装基板，其特征在于，所述内埋线路板还包括第三内侧线路层，所述第三内侧线路层设置于所述内埋基材层背离所述第二内侧线路层的一侧，所述封装基板还包括导电胶层，所述导电胶层设置于所述第三内侧线路层和所述第一内侧线路层之间。
15.如权利要求11所述的封装基板，其特征在于，所述第一基材层和所述第二基材层具有可挠性，所述内埋基材层具有刚性。
16.如权利要求11所述的封装基板，其特征在于，每相邻两个所述导电连接垫背离所述第一基材层的一面相平齐。
17.如权利要求16所述的封装基板，其特征在于，还包括第一保护层、第二保护层及第三保护层，所述第一保护层设置于所述导电连接垫的表面，所述第二保护层设置于部分所述第二外侧线路层的表面，所述第三保护层设置于所述金手指的表面。
18.一种显示组件，其特征在于，包括显示屏模组、驱动芯片及如权利要求11至17中任意一项所述的封装基板，所述驱动芯片设置于所述第一开孔内，所述驱动芯片电性连接所述金手指，所述显示屏模组设置于所述第一外侧线路层，所述显示屏模组电性连接所述导电连接垫。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN117015266A true CN117015266A (zh) | 2023-11-07 |
Family
ID=88562255
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202210449960.0A Pending CN117015266A (zh) | 2022-04-26 | 2022-04-26 | 封装基板及其制造方法、显示组件 |
Country Status (1)
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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