CN116931366A - 紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法 - Google Patents

紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116931366A
CN116931366A CN202211197514.1A CN202211197514A CN116931366A CN 116931366 A CN116931366 A CN 116931366A CN 202211197514 A CN202211197514 A CN 202211197514A CN 116931366 A CN116931366 A CN 116931366A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
roller
transfer
curing
optical film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211197514.1A
Other languages
English (en)
Inventor
林刘恭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hunan Herui Laser Technology Co ltd
K Laser Technology Inc
Original Assignee
Hunan Herui Laser Technology Co ltd
K Laser Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hunan Herui Laser Technology Co ltd, K Laser Technology Inc filed Critical Hunan Herui Laser Technology Co ltd
Priority to CN202211197514.1A priority Critical patent/CN116931366A/zh
Publication of CN116931366A publication Critical patent/CN116931366A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明提供了一种紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法。所述转印制造方法包含：于一金属滚筒的外表面涂布有一光阻层；以具有一预设曝光波长的一深紫外线通过光罩或干涉而形成一预定光形，进而照射在所述光阻层，以使所述光阻层构成一图案转印层；以所述图案转印层不间断地滚压于一紫外线光学膜上；以波长落在一预设光固化波段之内的一固化紫外线来照射并固化被滚压后的所述紫外线光学膜。所述预设曝光波长相较于所述预设光固化波段至少小于100纳米。据此，所述图案转印层可采用紫外线曝光材质，所述转印滚轮所滚压的光学膜可以采用紫外线固化材质，并且所述图案转印层较不会受到所述固化紫外线的影响而受损，以维持滚压成形精度。

Description

紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法
技术领域
本发明涉及一种转印滚轮，尤其涉及一种紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法。
背景技术
如果现有转印滚轮的转印层采用紫外线曝光材质时，其所想制作滚压转印的光学膜则需要避免采用紫外线固化材质，据以避免所述转印层于滚压所述光学膜固化时受到损伤而使其转印图案失真。于是，本发明人认为上述缺陷可改善，于是潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
发明内容
本发明实施例在于提供一种紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法，其能有效地改善现有转印滚轮所可能产生的缺陷。
本发明实施例公开一种紫外线光学膜的转印制造方法，其包括：
实施一滚轮制造步骤：制造一转印滚轮且其制造过程包含：于一金属滚筒的外表面涂布有一光阻层；以具有一预设曝光波长的一深紫外线通过光罩或干涉而形成一预定光形，进而照射在光阻层，以使光阻层构成一图案转印层；其中，图案转印层与金属滚筒共同构成转印滚轮；
实施一转印步骤：以转印滚轮不间断地滚压于一紫外线光学膜上；其中，紫外线光学膜能被波长落在一预设光固化波段之内的紫外线所照射固化，并且深紫外线的预设曝光波长是落在预设光固化波段之外，并且预设曝光波长相较于预设光固化波段至少小于100纳米；
以及实施一固化步骤：以波长落在预设光固化波段之内的一固化紫外线来照射并固化被转印滚轮所滚压后的紫外线光学膜。
优选地，预设曝光波长介于190纳米～250纳米，而预设光固化波段介于350纳米～410纳米。
优选地，金属滚筒是一铬金属滚筒或一铜金属滚筒，并且滚轮制造步骤之中未采用任何镍金属材质。
优选地，于滚轮制造步骤之中，于图案转印层的外表面上形成有一氟化合物层；其中，氟化合物层、图案转印层、及金属滚筒共同构成转印滚轮。
优选地，于滚轮制造步骤之中，氟化合物层是通过蒸镀而完整覆盖于图案转印层的外表面上，并且氟化合物层进一步限定为一聚四氟乙烯层。
优选地，于固化步骤之中，转印滚轮受到固化紫外线的照射，以使图案转印层的外表面产生裂痕；其中，形成有裂痕的外表面通过氟化合物层而维持其形状不变。
优选地，于固化步骤之中，照射于转印滚轮的固化紫外线能被氟化合物层反射至少70％。
本发明实施例也公开一种转印滚轮的制造方法，其包括：
于一金属滚筒的外表面涂布有一光阻层；
以具有一预设曝光波长的一深紫外线通过光罩或干涉而形成一预定光形，进而照射在光阻层，以使光阻层构成一图案转印层；
其中，预设曝光波长介于190纳米～250纳米；以及于图案转印层的外表面上形成有一氟化合物层；其中，氟化合物层、图案转印层、及金属滚筒共同构成转印滚轮。
优选地，金属滚筒是一铬金属滚筒或一铜金属滚筒，并且转印滚轮的制造方法未采用任何镍金属材质。
优选地，氟化合物层进一步限定为一聚四氟乙烯层，并且氟化合物层能用来反射波段介于350纳米～410纳米且照射于转印滚轮的紫外线的至少70％。
综上所述，本发明实施例所公开的紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法，其通过特定条件的限制(如：所述预设曝光波长相较于所述预设光固化波段至少小于100纳米)，以使得所述图案转印层可采用紫外线曝光材质，所述转印滚轮所滚压的光学膜可以采用紫外线固化材质，并且所述图案转印层较不会受到所述固化紫外线的影响而受损，据以有效地维持所述转印滚轮的滚压成形精度。
此外，本发明实施例所公开的紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法，其还可通过形成有所述氟化合物层，以使得所述氟化合物层在滚压所述紫外线光学膜之后，可以有效地使两者之间高压接触的成形表面彼此分离、且不会有相互影响或导致外型损毁的可能。
为能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本发明，而非对本发明的保护范围作任何的限制。
附图说明
图1为本发明实施例一的紫外线光学膜的转印制造方法的步骤流程示意图。
图2为图1中的涂布流程的示意图。
图3为图1中的图案化流程的示意图。
图4为图1中的图案化流程的另一态样示意图。
图5为图1中的图案化流程的过程示意图。
图6为本发明实施例一的紫外线光学膜的转印制造方法的转印步骤与固化步骤的示意图。
图7为本发明实施例二的紫外线光学膜的转印制造方法的示意图。
图8为图7的区域VIII的放大示意图。
图9为图7的区域IX的放大示意图。
图10为本发明实施例三的紫外线光学膜的转印制造方法的转印步骤与固化步骤的示意图。
具体实施方式
以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件或者信号，但这些组件或者信号不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[实施例一]
请参阅图1至图6所示，其为本发明的实施例一。本实施例公开一种紫外线光学膜的转印制造方法，其依序包含有：一滚轮制造步骤S100、一转印步骤S200、及一固化步骤S300，但本发明不以此为限。举例来说，所述紫外线光学膜的转印制造方法也可以依据设计需求而增加相应的其他步骤。
需额外说明的是，所述滚轮制造步骤S100于本实施例中是以搭配于所述转印步骤S200及所述固化步骤S300来说明，但本发明不受限于此。举例来说，在本发明未绘示的其他实施例中，所述滚轮制造步骤S100可以视为一种转印滚轮的制造方法，进而被单独地实施或是搭配其他步骤来实施。以下接着介绍所述紫外线光学膜的转印制造方法的各个步骤S100～S300。
所述滚轮制造步骤S100：如图1至图5所示，制造一转印滚轮100(如：图6所示)且其制造过程依序包含有一涂布流程S110及一图案化流程S120。需说明的是，所述滚轮制造步骤S100是通过实施上述多个流程S110、S120而达成，据以使所述滚轮制造步骤S100之中可以未采用任何镍金属材质，进而实现显着降低制造成本的效果。也就是说，采用镍金属的任何滚轮制造步骤皆非本实施例所指的所述滚轮制造步骤S100(或所述转印滚轮的制造方法)。
所述涂布流程S110：如图1和图2所示，于一金属滚筒1的外表面涂布有一光阻层2a。其中，所述金属滚筒1是一铬金属滚筒或一铜金属滚筒，并且所述金属滚筒1的长度较佳是大于1.5公尺(m)，而所述光阻层2a是采用正光阻剂，其能在经过曝光后，使得受到光照的部分将在显影时溶解，而显影后留下的是未受到曝光部分的图案。
再者，所述光阻层2a于本实施例中是覆盖于所述金属滚筒1的整个所述外表面，以形成无缝隙构造；也就是说，在垂直所述金属滚筒1长度方向的任一个横截面上，所述光阻层2a是呈圆形且无间隙地覆盖于所述金属滚筒1的整个所述外表面。
所述图案化流程S120：如图1和图3至图5所示，以具有一预设曝光波长的一深紫外线L1(deep ultraviolet，DUV)通过光罩M或干涉而形成一预定光形，进而使其照射在所述光阻层2a，以使所述光阻层2a构成一图案转印层2。于本实施例中，所述图案转印层2与所述金属滚筒1共同构成所述转印滚轮100，并且所述深紫外线L1所具有的所述预设曝光波长较佳是可以介于190纳米(nm)～250纳米。
再者，用来发出所述深紫外线L1的一曝光光源S1可以是能够发出介于190纳米～250纳米的至少一个镭射二极管芯片，但该种类可依设计需求而加以调整变化，本发明不以此为限。所述光罩M可以是具备有渐层式分布的灰阶值，据以利于所述深紫外线L1穿过而形成所述预定光形。
进一步地说，如图3所示，所述曝光光源S1与所述光罩M的曝光范围于本实施例中可以是对应于所述金属滚筒1的局部长度范围，以使得所述曝光光源S1与所述光罩M能够在所述金属滚筒1自转时，自所述金属滚筒1的一端移动至另一端来进行曝光作业。
或者，如图4所示，所述曝光光源S1与所述光罩M的曝光范围于本实施例中也可以是对应于所述金属滚筒1的整个长度范围，以使得所述曝光光源S1与所述光罩M能够在所述金属滚筒1自转时，保持不动即可进行曝光作业。
所述转印步骤S200：如图1和图6所示，以所述转印滚轮100(如：所述图案转印层2)不间断地滚压于一紫外线光学膜200上。其中，所述紫外线光学膜200的选用须符合下述特性：能被波长落在一预设光固化波段之内的紫外线所照射固化，并且所述深紫外线L1的所述预设曝光波长是落在所述预设光固化波段之外，并且所述预设曝光波长相较于所述预设光固化波段至少小于100纳米。于本实施例中，所述预设光固化波段较佳是介于350纳米～410纳米，但本发明不受限于此。
所述固化步骤S300：如图1和图6所示，以波长落在所述预设光固化波段之内的一固化紫外线L2来照射并固化被所述转印滚轮100所滚压后的所述紫外线光学膜200。其中，用来发出所述固化紫外线L2的一固化光源S2可以是能够发出介于350纳米～410纳米的至少一个发光二极管芯片，并且至少一个所述发光二极管芯片的种类包含有镭射二极管芯片，但该种类可依设计需求而加以调整变化，本发明不以此为限。
依上所述，本实施例所公开的所述紫外线光学膜的转印制造方法，其通过特定条件的限制(如：所述预设曝光波长相较于所述预设光固化波段至少小于100纳米)，以使得所述图案转印层2可采用紫外线曝光材质，所述转印滚轮100所滚压的光学膜可以采用紫外线固化材质，并且所述图案转印层2较不会受到所述固化紫外线L2的影响而受损，据以有效地维持所述转印滚轮100的滚压成形精度。
[实施例二]
请参阅图7至图9所示，其为本发明的实施例二。由于本实施例类似于上述实施例一，所以两个实施例的相同处不再加以赘述，而本实施例相较于上述实施例一的差异大致说明如下：
于本实施例之中，所述滚轮制造步骤于所述图案化流程之后，进一步包含有一成形步骤，也就是：于所述图案转印层2的外表面21上形成有一氟化合物层3，据以使所述氟化合物层3、所述图案转印层2、及所述金属滚筒1能够共同构成所述转印滚轮100。此外，所述氟化合物层3是通过蒸镀(evaporation)而完整覆盖于所述图案转印层2的所述外表面21上，但本发明不受限于此。
需额外说明的是，非为氟化合物所构成的任何涂层(尤其是金属层)皆不同于本实施例所指的所述氟化合物层3。进一步地说，所述氟化合物层3于本实施例中较佳是限定为一聚四氟乙烯(poly tetra fluoroethylene，PTFE)层，但本发明不以此为限。
据此，通过所述紫外线光学膜200的特性选用，由所述氟化合物层3在滚压所述紫外线光学膜200之后，可以有效地使两者之间高压接触的成形表面彼此分离、且较不会有相互影响或导致外型损毁的可能。换个角度来说，所述氟化合物层3与所述紫外线光学膜200的选用有其相互搭配的关系存在。
于本实施例中，照射于所述转印滚轮100的所述固化紫外线L2能被所述氟化合物层3反射至少70％，借以有效地避免所述图案转印层2受到所述固化紫外线L2照射而产生损伤或裂解。
更进一步地说，如果所述转印滚轮100在受到所述固化紫外线L2的(长时间)照射时，还是有可能使所述图案转印层2的所述外表面21产生裂痕22。其中，形成有所述裂痕22的所述外表面21于本实施例中可以通过所述氟化合物层3而维持其形状不变；也就是说，所述氟化合物层3能够有效地接合位在所述裂痕22旁的所述图案转印层2区块，以使所述氟化合物层3还是呈现预定外型，据以避免所述氟化合物层3于滚压所述紫外线光学膜200时产生失真。
依上所述，有鉴于所述氟化合物层3不但能够避免所述图案转印层2受到所述固化紫外线L2照射而产生损伤，并且纵使所述图案转印层2受到所述固化紫外线L2照射而产生裂痕22，所述氟化合物层3还是能维持预定外型而避免转印图案失真。
[实施例三]
请参阅图10所示，其为本发明的实施例三。由于本实施例类似于上述实施例二，所以两个实施例的相同处不再加以赘述(如：所述滚轮制造步骤S100)，而本实施例相较于上述实施例二的差异大致说明如下：
于本实施例中，实施例二所载的所述转印步骤与所述固化步骤可以被同步实施。具体来说，所述固化光源S2可以被配置于所述紫外线光学膜200的下方，所以当所述紫外线光学膜200被所述转印滚轮100所滚压后，即可立即通过所述固化光源S2所发出的所述固化紫外线L2来进行固化，据以提升整体的生产效能。
更进一步地说，当所述转印步骤与所述固化步骤采用同步实施时，如何避免因为所述固化紫外线L2照射于所述转印滚轮100而导致转印图案失真则显得更为重要，所以所述氟化合物层3也因而更有其存在的必要性且与不可取代性。
[本发明实施例的技术效果]
综上所述，本发明实施例所公开的紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法，其通过特定条件的限制(如：所述预设曝光波长相较于所述预设光固化波段至少小于100纳米)，以使得所述图案转印层可采用紫外线曝光材质，所述转印滚轮所滚压的光学膜可以采用紫外线固化材质，并且所述图案转印层较不会受到所述固化紫外线的影响而受损，据以有效地维持所述转印滚轮的滚压成形精度。
再者，本发明实施例所公开的紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法，其还可通过形成有所述氟化合物层，以使得所述氟化合物层在滚压所述紫外线光学膜之后，可以有效地使两者之间高压接触的成形表面彼此分离、且较不会有相互影响或导致外型损毁的可能。
进一步地说，本发明实施例所公开的紫外线光学膜的转印制造方法，其所采用的所述氟化合物层不但能够避免所述图案转印层受到所述固化紫外线照射而产生损伤(如：所述氟化合物层能用来反射波段介于350纳米～410纳米且照射于所述转印滚轮的紫外线的至少70％)，并且纵使所述图案转印层受到所述固化紫外线照射而产生裂痕，所述氟化合物层还是能维持预定外型而避免转印图案失真，据以有效地维持所述转印滚轮的滚压成形精度。
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的专利范围，所以凡是运用本发明说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的专利范围内。

Claims (10)

1.一种紫外线光学膜的转印制造方法，其特征在于，所述紫外线光学膜的转印制造方法包括：
实施一滚轮制造步骤：制造一转印滚轮且其制造过程包含：
在一金属滚筒的外表面涂布有一光阻层；
以具有一预设曝光波长的一深紫外线通过光罩或干涉而形成一预定光形，进而照射在所述光阻层，以使所述光阻层构成一图案转印层；其中，所述图案转印层与所述金属滚筒共同构成所述转印滚轮；
实施一转印步骤：以所述转印滚轮不间断地滚压于一紫外线光学膜上；其中，所述紫外线光学膜能被波长落在一预设光固化波段之内的紫外线所照射固化，并且所述深紫外线的所述预设曝光波长是落在所述预设光固化波段之外，并且所述预设曝光波长相较于所述预设光固化波段至少小于100纳米；以及
实施一固化步骤：以波长落在所述预设光固化波段之内的一固化紫外线来照射并固化被所述转印滚轮所滚压后的所述紫外线光学膜。
2.根据权利要求1所述的紫外线光学膜的转印制造方法，其特征在于，所述预设曝光波长介于190纳米～250纳米，而所述预设光固化波段介于350纳米～410纳米。
3.根据权利要求1所述的紫外线光学膜的转印制造方法，其特征在于，所述金属滚筒是一铬金属滚筒或一铜金属滚筒，并且所述滚轮制造步骤之中未采用任何镍金属材质。
4.根据权利要求1所述的紫外线光学膜的转印制造方法，其特征在于，在所述滚轮制造步骤之中，在所述图案转印层的外表面上形成有一氟化合物层；
其中，所述氟化合物层、所述图案转印层、及所述金属滚筒共同构成所述转印滚轮。
5.根据权利要求4所述的紫外线光学膜的转印制造方法，其特征在于，在所述滚轮制造步骤之中，所述氟化合物层是通过蒸镀而完整覆盖于所述图案转印层的所述外表面上，并且所述氟化合物层为一聚四氟乙烯层。
6.根据权利要求4所述的紫外线光学膜的转印制造方法，其特征在于，在所述固化步骤之中，所述转印滚轮受到所述固化紫外线的照射，以使所述图案转印层的所述外表面产生裂痕；
其中，形成有所述裂痕的所述外表面通过所述氟化合物层而维持其形状不变。
7.根据权利要求4所述的紫外线光学膜的转印制造方法，其特征在于，在所述固化步骤之中，照射于所述转印滚轮的所述固化紫外线能被所述氟化合物层反射至少70％。
8.一种转印滚轮的制造方法，其特征在于，所述转印滚轮的制造方法包括：
在一金属滚筒的外表面涂布有一光阻层；
以具有一预设曝光波长的一深紫外线通过光罩或干涉而形成一预定光形，进而照射在所述光阻层，以使所述光阻层构成一图案转印层；其中，所述预设曝光波长介于190纳米～250纳米；以及
在所述图案转印层的外表面上形成有一氟化合物层；其中，所述氟化合物层、所述图案转印层、及所述金属滚筒共同构成所述转印滚轮。
9.根据权利要求8所述的转印滚轮的制造方法，其特征在于，所述金属滚筒是一铬金属滚筒或一铜金属滚筒，并且所述转印滚轮的制造方法未采用任何镍金属材质。
10.根据权利要求8所述的转印滚轮的制造方法，其特征在于，所述氟化合物层为一聚四氟乙烯层，并且所述氟化合物层能用来反射波段介于350纳米～410纳米且照射于所述转印滚轮的紫外线的至少70％。
CN202211197514.1A 2022-09-29 2022-09-29 紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法 Pending CN116931366A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211197514.1A CN116931366A (zh) 2022-09-29 2022-09-29 紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211197514.1A CN116931366A (zh) 2022-09-29 2022-09-29 紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116931366A true CN116931366A (zh) 2023-10-24

Family

ID=88386796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211197514.1A Pending CN116931366A (zh) 2022-09-29 2022-09-29 紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116931366A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6958207B1 (en) Method for producing large area antireflective microtextured surfaces
US20080113303A1 (en) Multilayer Coatings For EUV Mask Substrates
US7489386B2 (en) System and method for projecting a pattern from a mask onto a substrate
US6627362B2 (en) Photolithographic mask fabrication
JP2003273013A (ja) リソグラフィに使用するためのマスク、マスクを作成する方法、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
KR101611775B1 (ko) 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그 제조 방법
US6686101B2 (en) Non absorbing reticle and method of making same
JP7098722B2 (ja) リソグラフィアプリケーション内でオブジェクトを保持するための改変された表面トポグラフィを伴うバール
CN116931366A (zh) 紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法
JP2013532263A (ja) 結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受およびその製造方法
KR100526159B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
KR20040038847A (ko) 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
CN116931365A (zh) 紫外线光学膜的转印制造方法及转印滚轮的制造方法
TW201610476A (zh) 防眩膜
TWI808892B (zh) 紫外線光學膜的轉印製造方法及轉印滾輪的製造方法
TWI822348B (zh) 紫外線光學膜轉印方法
TWI829616B (zh) 紫外線光學膜轉印方法及採深紫外線之轉印滾輪製造方法
TW202414098A (zh) 紫外線光學膜轉印方法
Nguyen et al. Printability of substrate and absorber defects on extreme ultraviolet lithographic masks
TW202414099A (zh) 紫外線光學膜的轉印製造方法及轉印滾輪的製造方法
KR100566144B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법
TWI247340B (en) Reticle, semiconductor exposure apparatus and method, and semiconductor device manufacturing method
CN218413210U (zh) 光学膜成形设备及光学膜压印装置
US7315351B2 (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured therewith
CN212134984U (zh) 透镜转印滚轮及透镜转印层

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination